JPH0469528A - 領域限定反射型光電センサ - Google Patents

領域限定反射型光電センサ

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JPH0469528A
JPH0469528A JP2181725A JP18172590A JPH0469528A JP H0469528 A JPH0469528 A JP H0469528A JP 2181725 A JP2181725 A JP 2181725A JP 18172590 A JP18172590 A JP 18172590A JP H0469528 A JPH0469528 A JP H0469528A
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JP
Japan
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light
reflected
receiving element
optical axis
mask
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Pending
Application number
JP2181725A
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English (en)
Inventor
Katsuaki Kitajima
功朗 北島
Hiroshi Sekii
宏 関井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
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Publication of JPH0469528A publication Critical patent/JPH0469528A/ja
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  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、一定範囲の検出距離内にある対象物の有無を
検出する領域限定反射型光電センサに関する。
[背景技術] 従来の反射型光電センサとしては、第7図に示すような
構造のものがある。この反射型光電センサ51にあって
は、発光ダイオード(LD)や半導体レーザ等の発光素
子52の前に投光用レンズ53を配置してあり、発光素
子52から出射された検出光54を投光用レンズ53で
集光もしくはコリメートさせて対象物55にほぼ垂直に
照射させている。一方、発光素子52の近傍には、受光
面56が検出光54の光軸と垂直となるようにして受光
素子57が配置されており、対象物55の方向と受光素
子57の受光面56との間には、集光用レンズ58が配
置されている。しかして、対象物55の表面で反射した
反射光5θを集光用レンズ58で受光素子57の上に集
光させることにより、対象物55の有無を検出している
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、従来のような構造の光電センサでは、反
射光を受光して受光素子がオンになっているか否かによ
り、前方に対象物が存在するが否かを検知するだけであ
り、検出距離を一定範囲内に限って対象物の有無を検知
する用途には、使用することができなかった。
受光素子の受光面が検出光の光軸と垂直となった第7図
のような構造の光電センサでも、検出距離が短いと受光
量のパワーが大きくなるので、受光素子の受光パワーに
より検出範囲を限定することも可能であるが、このよう
な方式では、対象物の表面状態や反射率によって受光パ
ワーが左右されるため、正確に検出領域を限定すること
かできなかった。
本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、対象物の検出距離を一定
範囲に限定し、その限定された検出距離内に対象物が存
在しているか否かを正確に検出することができる反射型
光電センサを提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明の領域限定反射型光電センサは、対象物に対して
ほぼ垂直に検出光を投射させるための発光素子と、対象
物で反射された反射光を集光させるだめの集光素子と、
受光面が前記検出光の光軸と平行となるように配置され
た受光素子とからなることを特徴としている。
また、この領域限定反射型光電センサには、前記集光素
子を通過して受光素子に入射する光線の領域を限定させ
るための手段を付加してもよい。
[作用] 本発明の反射型光電センサにあっては、受光素子の受光
面を検出光の光軸と平行に配置したのて、対象物が移動
して検出距離が変化すると、受光素子における受光位置
(もしくは、反射光の受光面への入射位置)が受光面に
沿って移動する。
従って、受光素子の受光面の寸法及び位置によって受光
素子に入射する反射光の領域を限定することができ、こ
れによって検出距離を一定範囲に限定することができる
。あるいは、反射光の一部をマヌキングもしくはトリミ
ングする手段を設けることにより、受光素子に入射する
反射光の領域を限定させることができ、これによっても
検出距離を一定範囲に限定することができる。しかも、
本発明によれば、対象物の表面状態等に影響されること
なく、正確に領域限定して対象物の有無を検知すること
ができる。
[実施例] 第1図に示すものは、本発明の第一実施例の反射型光電
センサ1である。ステム2の内面に設けられたヒートシ
ンクブロック3の上面には、半導体レーザや発光ダイオ
ード等の発光素子4が搭載されており、ヒートシンクブ
ロック3の前面には投光用フレネルレンズ5を設けられ
たレンズ基板6が取り付けられている。この発光素子4
は、投光用フレネルレンズ5の光軸α上に配置されてお
り、発光素子4から放射された検出光7は投光用フレネ
ルレンズ5で収束させられ、対象物8に向けて垂直に出
射される。また、ヒートシンクブロック3の下面には、
フォトダイオードやフォトトランジスタ等の受光素子9
が取り付けられており、受光素子9の受光面10は、投
光用フレネルレンズ5の光軸αと平行となるようにして
下方へ向けられている。さらに、ヒートシンクブロック
3の下方には、ガラスや光学樹脂等の透明材料によって
形成された透明ブロック11が配設されている。
透明ブロック11は、その上平面及び上平面が互いに平
行となっており、しかも、上下面を光軸α及び受光面1
0と平行となるように配置されている。この透明ブロッ
ク11の前端部下面には、集光用の反射型フレネルレン
ズ12が設けられており、反射型フレネルレンズ12の
光軸は、投光用フレネルレンズ5の光軸αと垂直な方向
を向けられている。さらに、透明ブロック11の上面に
は、光を反射もしくは吸収する不透過なマスク13が、
蒸着もしくはコーティングによって形成されており、反
射型フレネルレンズ12と受光素子9を結ぶ箇所には、
一定の幅Q1の窓14が開口されている。更に、投光用
フレネルレンズ5の光軸α上から出た光線は、反射型フ
レネルレンズ12で上方へ反射されると共に集光され、
透明ブロック11の上面(もしくは、窓14の位置)で
焦点を結ぶように配置しである(すなわち、光軸α上の
点光源は、透明ブロック11の上面に結像される)。
なお、この反射型光電センサ1は、ステム2に固着され
たキャップ15によって覆われており、キャップ15の
開口は、透明ガラス板]6によって塞がれている。
しかして、発光素子4から放射された検圧光7は、投光
用フレネルレンズ5で収束させられて対象物8の表面に
照射される。対象物8の表面で反射された反射光17は
、反射型フレネルレンズ12で反射及び集光され、透明
ブロック11の上面に焦点を結ぶ。ここで、対象物8が
A −+ B−+Cと移動すると、透明ブロック11上
面における反射光17の焦点位置もa−+b−+Cと移
動する。しかし、透明ブロック11の上面には、マスク
13が形成されているので、マスク13の下面に焦点?
結ぶ反射光17は受光素子9側へ透過できず、マスク1
3の窓14に焦点を結ぶ反射光17のみが受光素子θ側
へ透過して受光素子9に検圧される。
従って、窓14の縁a、cに焦点を結ばせる時の対象物
8の位置AとCの中間では対象物8の有無が検知される
が、この範囲外では、対象物8が存在していても反射光
17はマスク13に遮られて受光素子9に入射せず、対
象物8の有無は判断されない。しかも、この実施例では
、投光用フレネルレンズ5の光軸αと透明ブロック11
の上面(あるいは、マスク13)とが平行となっており
反射型フレネルレンズ12の光軸がこれらと垂直となっ
ており、反射光17が常に検出距離の範囲を限定する機
能を有するマスク13の位置で焦点を結ぶように配置さ
れているので、分解能が向上し、検出距離の範囲を高精
度で設定することができる。なお、この実施例ては、受
光素子9の受光面10は、マスク13の窓14を透過し
た反射光17を全て受光でとるよう、充分な面積を有し
ているのはもちろんである。また、対象物8の変位量と
焦点の変位量とが比例するので、マスク13の設計も容
易に行なえる。
第2図は、本発明の第二実施例の反射型光電センサ18
を示す断面図である。この実施例でも、受光素子9は、
受光面10を下にしてヒートシンクブロック3の下面に
取り付けられており、受光面10が検出光7の光軸αと
平行となるように配置されている。また、ヒートシンク
ブロック3の下方には、上平面と上平面とが平行な透明
ブロック11か配設されており、透明ブロック11の前
端部の下面には、光軸が検出光7の光軸αと垂直になる
ようにして集光用の反射型フレネルレンズ12が設けら
れており、透明ブロック11の前端部の上面には、蒸着
等によって反射膜19が形成され、さらに、透明ブロッ
ク11の中央部下面には一定の幅Q2のトリミング用反
射膜2oが形成されて−いる。なお、受光素子9は、透
明ブロック11の後端部の上方に位置している。
しかして、対象物8の表面で反射された反射光17は、
透明ブロック11内に入射し、反射型フレネルレンズ1
2で上方へ反射されると共に集光され、ついで透明ブロ
ック11の上面の反射膜19で下方へ反射され、透明ブ
ロック11の下面に焦点が結ばれる。この時、トリミン
グ用反射膜20の上に焦点を結んだ反射光17は、上方
へ反射されて受光面10へ入射され、受光素子9によっ
て検知されるが、トリミング用反射膜20の外で焦点を
結んだ反射光17は、透明ブロック11の下面から下方
へ射出して受光素子9に検知されない。したがって、ト
リミング用反射膜20の幅Q2を適当な幅に設定してお
くことにより、検出距離を一定範囲内に限定することが
できる。また、この実施例では、投光用フレネルレンズ
5の光軸αとトリミング用反射膜20とを平行にし、こ
れらと反射型フレネルレンズ12の光軸とを垂直にし、
対象物8で反射した反射光17がトリミング用反射膜2
0の上で焦点を結ぶようにしているので、検出距離を高
精度で限定させることができる。
第3図に示すものは、本発明の第三実施例の反射型光電
センサ2]である。この実施例では、発光素子4な搭載
されたヒートシンクブロック3の前方に縦に長い透明な
レンズ基板22を配置し、レンズ基板22の前面に発光
素子4と対向させて投光用フレネルレンズ5を一体に設
け、レンズ基板22の前面の投光用フレネルレンズ5の
下方に、集光用フレネルレンズ23を一体に設けである
さらに、ヒートシンクブロック3の下面側に設けられた
素子取付台24の上面には発光素子4が搭載されており
、発光素子4の受光面10は検出光7の光軸αと平行に
して上方に向けられている。
さらに、受光素子9の受光面10には、一定幅Ω3の窓
25を形成するようにマスク26を設けてあり、受光素
子9には、この窓25を通してのみ反射光17が入射で
とるようになっている。
この実施例では、集光用フレネルレンズ23の光軸は、
検出光7の光軸αと垂直でなく、平行となっているので
、第一の実施例のように、対象物8の位置に拘らず常に
受光面10の上に焦点を結ぶということはないが、受光
素子9の受光面10が検出光7の光軸αと平行になって
いるので、対象物8の変位に伴って反射光17の受光面
10−・の入射位置も移動し、窓25の部分に入射した
反射光17のみが受光素子9で検知される。従って、こ
の窓25の幅Q、1を適当に決定することにより、一定
範囲の検出距離にある対象物8のみが検出される。
第4図に示すものは、本発明の第四実施例の反射型光電
センサ27である。この実施例では、ヒートシンクブロ
ック3の下面に受光面1oを下に向けて受光素子9を取
り付け、受光面10を一定幅Q4の窓25を開口された
マスク26によって覆っである。また、ヒートシンクプ
ロ・ツク3の下方には、ヒートシンクプロ・ツク3の下
面と対向させてミラー28な設けである。
しかして、対象物8の表面で反射された反射光17は、
集光用フレネルレンズ23によって集光され、ミラー2
8で反射されて受光素子9へ入射される。この時、マス
ク26の窓25に入射した反射光17は、受光素子9に
入射して対象物8が検知されるが、マスク26の上に入
射した反射光17は、受光素子9に検出されない。した
がって、マスク26の開口の幅Q4を適当に設定するこ
とにより検出距離を一定範囲内に限定することかできる
第5図に示すものは、本発明の第五実施例の反射型光電
センサ29であって、マスク26等な用いることなく、
受光面10の幅Q、、 Qfl+ Q7そのものによっ
て検出距離を一定範囲に限定させるようにしたものであ
る。すなわち、ヒートシンクブロック3の下方に配設さ
れた素子取付台24の上面に比較的小さな複数個の受光
素子9a、9b9cを隣接させて(あるいは、多分割型
の受光素子を)取り付けたものである。この実施例では
、マスク26等を用いていないが、対象物8が検出可能
な範囲内にある場合には、反射光17が受光素子9a、
9b、9cの受光面10に入射され、対象物8が検出可
能な範囲外にある場合には、反射光17が受光素子9a
、θb、9cの受光面10から外れることにより検出距
離が一定範囲に限定されるようになっている。しかも、
この実施例では、複数個の受光素子9a、9b、9cを
備え、各受光素子9a、9b、9cが一定の検圧距離の
範囲を有しているので、複数の検出距離の範囲のうちい
ずれの範囲内で対象物8が検知されたかを知ることがで
きる。
第6図は、本発明の第六実施例の反射型光電センサ3o
である。これは、ヒートシンクブロック3の下面に複数
個の受光素子9a、9b、9c(もしくは、多分割型の
受光素子)を設け、ヒートシンクブロック3の下方にミ
ラー28を設けたものである。
しかして、対象物8で反射された反射光17は集光用フ
レネルレンズ23で集光され、ミラー28で反射されて
受光素子9a、9b、9cへ入射される。そして、いず
れかの受光素子9a、9b。
9cで検出された場合には、対象物8かいずれかの検出
距離の範囲内にあると判断されるものである。
なお、本発明は上記実施例以外にも種々の実施例が可能
である。例えば、第5図もしくは第6図の実施例におい
て、受光素子は1個だけにしてもよい。また、集光素子
の光軸を検出光の光軸と垂直にしたタイプにおいて、検
出距離を受光素子の受光面の寸法そのものによって限定
させるようにしてもよい。
[発明の効果コ 本発明によれば、受光素子の受光面の寸法及び位置によ
って受光素子に入射する反射光の領域を限定することが
でき、これによって検出距離を一定範囲に限定すること
ができる。あるいは、反射光の一部をマスキングもしく
は)・リミングする手段を設けることにより、受光素子
に入射する反射光の領域を限定させることができ、これ
によっても検出距離を一定範囲に限定することができる
従って、本発明によると、対象物の表面状態等に影響さ
れることなく、検出距離の範囲を限定して対象物の有無
を正確に検知することかできる小型の反射型光電センサ
を製作することかでざる。
しかも、光学的構成によって検出距離の範囲を限定して
おり、電気的処理を行なうことなく検出距離を限定させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一の実施例を示す断面図、第2図は
本発明の第二の実施例を示す断面図、第3図は本発明の
第三の実施例を示す断面図、第4図は本発明の第四の実
施例を示す断面図、第5図は本発明の第五の実施例を示
す断面図、第6図は本発明の第六の実施例を示す断面図
、第7図は従来例の概略図である。 4・・・発光素子 5・・・投光用フレネルレンズ 7・・・検出光 8・・・対象物 9.9a、9b、9cm=受光素子 10・・・受光面 12・・・反射型フレネルレンズ 13・・・マスク 17・・・反射光 20・・・トリミング用反射膜 23・・・集光用フレネルレンズ 26・・・マスク α・・・投光用フレネルレンズの光軸

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)対象物に対してほぼ垂直に検出光を投射させるた
    めの発光素子と、 対象物で反射された反射光を集光させるための集光素子
    と、 受光面が前記検出光の光軸と平行となるように配置され
    た受光素子とからなる領域限定反射型光電センサ。
  2. (2)前記集光素子を通過して受光素子に入射する光線
    の領域を限定させるための手段を備えた請求項1に記載
    の領域限定反射型光電センサ。
JP2181725A 1990-07-09 1990-07-09 領域限定反射型光電センサ Pending JPH0469528A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2181725A JPH0469528A (ja) 1990-07-09 1990-07-09 領域限定反射型光電センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2181725A JPH0469528A (ja) 1990-07-09 1990-07-09 領域限定反射型光電センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0469528A true JPH0469528A (ja) 1992-03-04

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ID=16105790

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2181725A Pending JPH0469528A (ja) 1990-07-09 1990-07-09 領域限定反射型光電センサ

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JP (1) JPH0469528A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000258243A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Sharp Corp 反射光検出用光結合装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2000258243A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Sharp Corp 反射光検出用光結合装置

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