JPH0645426A - 半導体素子摘出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ペレットから発生したダストを除去することが
可能な半導体素子摘出装置を提供することにある。 【構成】移動可能なア−ムにピックアップコレットを支
持してなり、ウエハテ−ブル上に並べられた半導体ペレ
ットをピックアップコレットに吸着して摘出する半導体
素子摘出装置において、ピックアップコレットが突出し
た状態でピックアップコレットを囲う口部と、可撓性を
有し口部の、ピックアップコレットの吸気側の反対側の
部分に接続されたフレキシブルパイプと、このフレキシ
ブルパイプを介して口部と連通しピックアップコレット
の周囲を吸気する吸気手段とからなるダスト除去手段を
設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、ウエハテ−ブ
ル上に並べられた半導体ペレットをピックアップコレッ
トにより吸着して摘出する半導体素子摘出装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば、図３に示すような半導体素子摘
出装置（以下、摘出装置と称する）１が知られている。
この摘出装置１は、上下動および水平方向への回転が可
能なピックアップア−ム２を有している。そして、摘出
装置１はこのピックアップア−ム２の先端部に、下方へ
延びて下端面を開口し、その内部に真空吸引路を形成さ
れたピックアップコレット３を有している。

【０００３】さらに、摘出装置１は、ピックアップコレ
ット３にシリコンチュ−ブ４の一端部を連結しており、
このシリコンチュ−ブ４を介して、ピックアップコレッ
ト３と図示しない真空源とを接続している。

【０００４】つまり、この摘出装置１はピックアップア
−ム２を駆動し、このピックアップア−ム２を、貼着式
のマウントテ−プ５を保持したウエハテ−ブル６の上方
へ移動させる。そして、摘出装置１はピックアップア−
ム２を下降させ、ピックアップコレット３を、マウント
テ−プ５がエクスパンドされて拡がることに伴い分離し
ウエハテ−ブル５上に並んだ半導体ペレット（以下、ペ
レットと称する）７…に近付ける。

【０００５】そして、摘出装置１は、図示しない例えば
４本の針によってマウントテ−プ６の裏面側から突上げ
られた所定のペレット７の表面に、ピックアップコレッ
ト３の下端面を当接させる。そして、摘出装置１は、所
定のペレット７をピックアップコレット３に真空吸着
し、ピックアップア−ム２を上昇させ、所定のペレット
７を複数の中から１つずつ摘出する。

【０００６】そして、摘出装置１はピックアップア−ム
２を回動させ、摘出されたペレットを次の位置、即ちペ
レットゲ−ジングステ−ションが設けられた位置、或い
は、リ−ドフレ−ムやパッケ−ジがマウントされた位置
等へ移送する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハテ−
ブル６上に並んだペレット７…においては、分離の際
に、ペレット７…の裏面の端部に微小なクラックや欠け
が生じていることがある。そして、この様な場合には、
ペレット７…の微小なクラックや欠けを原因として、シ
リコン屑ダストが発生する。

【０００８】これらのシリコン屑ダストは、一般に鋭利
な角を有しており、ペレット７…上に付着した場合に
は、シリコン屑ダストを除去することは困難である。特
に、ペレット７…が、固体撮像素子や紫外線消去型メモ
リ等のようにその光学的特性がその機能に大きく影響す
る素子である場合、シリコン屑ダストによってこれらの
素子の光学的特性が悪影響を受け、歩留りが著しく低下
してしまう。

【０００９】さらに、近年の高集積化に伴い、画素サイ
ズ或いはメモリサイズを５μｍ以下に設定された素子も
ある。そして、４ＭＤＲＡＭや１６ＭＤＲＡＭ等のよう
に光学的特性を要求されない素子においても、素子自身
やパッシベ−ション膜がシリコン屑ダストによって傷付
けられることがあった。

【００１０】本発明の目的とするところは、ペレットか
ら発生したダストを除去することが可能な半導体素子摘
出装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために本発明は、移動可能なア−ムにピックアッ
プコレットを支持してなり、ウエハテ−ブル上に並べら
れた半導体ペレットをピックアップコレットに吸着して
摘出する半導体素子摘出装置において、ピックアップコ
レットが突出した状態でピックアップコレットを囲う口
部と、可撓性を有し口部の、ピックアップコレットの吸
気側の反対側の部分に接続されたフレキシブルパイプ
と、このフレキシブルパイプを介して口部と連通しピッ
クアップコレットの周囲を吸気する吸気手段とからなる
ダスト除去手段を設けたことにある。

【００１２】こうすることによって本発明は、ペレット
から発生したダストをピックアップコレットの周囲の気
流により除去できるようにしたことにある。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
基づいて説明する。なお、従来の技術の項で説明したも
のと重複するものについては同一番号を付し、その説明
は省略する。

【００１４】図１および図２は本発明の一実施例の要部
を示すもので、両図中１１はウエハテ−ブル６上に並ん
だ半導体ペレット（以下、ペレットと称する）７…を１
つずつ摘出する半導体素子摘出装置である。この摘出装
置１１は、上下動および水平方向への回転が可能なピッ
クアップア−ム１２を有している。そして、摘出装置１
１はこのピックアップア−ム１２の先端部にピックアッ
プコレット１３を有しており、このピックアップコレッ
ト１３を略真下へ延ばしている。

【００１５】また、摘出装置１１は、ピックアップア−
ム１２とピックアップコレット１３との内部に、両部材
１２、１３に跨がって延びピックアップコレット１３の
下端面に開口する真空吸引路１４を形成している。そし
て、摘出装置１１は、ピックアップア−ム１２にシリコ
ンチュ−ブ１５の一端部を連結しており、このシリコン
チュ−ブ１５を介して、真空吸引路１４と図示しない真
空源とを連通させている。

【００１６】さらに、両図中に１６で示すのはダスト除
去手段である。このダスト除去手段１６は、筒状に成形
された口部としての吸引口１７、蛇腹状のフレキシブル
パイプ１８、および、ピックアップア−ム１２から十分
に離間した位置に配置された吸気手段としての真空ポン
プ１９とを備えている。

【００１７】ダスト除去手段１６は、吸引口１７をピッ
クアップア−ム１２の先端部に配置しており、吸引口１
７によってピックアップコレット１３を同心的に囲って
いる。さらに、ダスト除去手段１６はピックアップア−
ム１２の先端部に、環状で且つねじ締め式の取付治具２
０を有している。そして、ダスト除去手段１６は吸引口
１７を、取付治具２０により外側から押え付けてピック
アップア−ム１２に固定している。

【００１８】そして、ダスト除去手段１６は吸引口１７
の内側に、ピックアップコレット１３を略中央に位置さ
せた吸引用の空間部２１を形成している。また、ダスト
除去手段１６は、吸引口１７の下端部をピックアップコ
レット１３の下端面よりも上方に位置させており、ピッ
クアップコレット１３の先端部を吸引口１７から下方に
幾分突出させている。

【００１９】また、ダスト除去手段１６は、吸引口１７
にフレキシブルパイプ１８の一端部を接続している。ま
た、ダスト除去手段１６はフレキシブルパイプ１８の他
端部を真空ポンプ１９に接続している。そして、ダスト
除去手段１６はフレキシブルパイプ１８を介して真空ポ
ンプ１９と吸引口１７の内側の空間部２１とを連通させ
ており、真空ポンプ１９を駆動して吸引口１７に流入す
る気流を発生させる。

【００２０】ここで、フレキシブルパイプ１８とシリコ
ンチュ−ブ１５との配設は両部材１５、１８が互いに干
渉しないよう設定されており、シリコンチュ−ブ１５
は、フレキシブルパイプ１８が接続された位置、即ちピ
ックアップア−ム２の先端部に対して十分に離間した位
置に接続されている。

【００２１】また、真空ポンプ１９は、摘出作業中には
常時ＯＮされている。このような構成の摘出装置１１
は、ピックアップア−ム１２を駆動してウエハテ−ブル
６の上方へ移動させる。さらに、摘出装置１１はピック
アップア−ム１２を、貼着式のマウントテ−プ５に貼付
いてウエハテ−ブル６上に並んだ複数のペレット７…の
うちの所定のペレット７ａに向けて下降させる。そし
て、摘出装置１１は、図１中に矢印Ａ、Ａで示すように
吸引口１７の内部に向かう気流を発生させながら、ピッ
クアップコレット１３および吸引口１７をペレット７ａ
に近付ける。

【００２２】そして、摘出装置１１は、ペレット７ａの
表面や周囲に生じているシリコン屑ダストを吸引口１７
に吸込み、フレキシブルパイプ１８内に導いて、ウエハ
テ−ブル６上から除去する。そして、摘出装置１１は、
その表面や周囲からシリコン屑ダストを除去され裏面側
から突上げられたペレット７ａをピックアップコレット
１３に真空吸着し、ピックアップア−ム１２を上昇させ
て、所定のペレット７ａを複数のペレット７…の中から
摘出する。

【００２３】そして、摘出装置１１はピックアップア−
ム１２を回動させ、摘出されたペレット７ａを次の位
置、即ちペレットゲ−ジングステ−ションが設けられた
位置、或いは、リ−ドフレ−ムやパッケ−ジがマウント
された位置等へ移送する。すなわち、このような摘出装
置１１においては、ダスト除去手段１６を設けているの
で、ウエハテ−ブル６上に発生したシリコン屑ダストを
除去することができる。したがって、互いに分離して次
の工程に搬送されるペレット７…に、分離時等に発生し
たシリコン屑ダストが付着することを防止できる。そし
て、固体撮像素子や紫外線消去型メモリ、および、個別
半導体であるフォトダイオ−ド等のように光学的特性を
要求される素子、或いは、４ＭＤＲＡＭや１６ＭＤＲＡ
Ｍ等のように高集積化された素子がシリコン屑ダストに
よって特性に悪影響を受けることを防止できる。

【００２４】なお、ペレット７…のサイズや吸引口１７
のサイズ、および、ダスト除去手段１６の吸引時の圧力
等によっては、ペレット７…が吸引口１７に吸付けられ
てしまうことが考えられる。したがって、このような場
合には、フレキシブルパイプ１８の途中の部位に切換弁
を設け、ピックアップコレット１３からペレット７…を
離す際にダスト除去手段１６による吸引を停止すれば、
ペレット７を確実に解放することができ、信頼性が向上
する。

【００２５】また、本実施例では、吸気手段として真空
ポンプ１９を採用しているが、本発明はこれに限定され
ず、吸気手段として例えばブロアを採用してもよい。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、移動可能
なア−ムにピックアップコレットを支持してなり、ウエ
ハテ−ブル上に並べられた半導体ペレットをピックアッ
プコレットに吸着して摘出する半導体素子摘出装置にお
いて、ピックアップコレットが突出した状態でピックア
ップコレットを囲う口部と、可撓性を有し口部の、ピッ
クアピコレットの反対側の部分に接続されたフレキシブ
ルパイプと、このフレキシブルパイプを介して口部と連
通しピックアップコレットの周囲を吸気する吸気手段と
からなるダスト除去手段を設けたものである。

【００２７】したがって本発明は、ペレットから発生し
たダストをピックアップコレットの周囲の気流により除
去できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の要部を概略的に示す側断面
図。

【図２】同じく本発明の一実施例の要部を概略的に示す
下方からの平面図。

【図３】従来の半導体素子摘出装置を概略的に示す斜視
図。

【符号の説明】

６…ウエハテ−ブル、７、７ａ…半導体ペレット、１１
…半導体素子摘出装置、１２…ピックアップア−ム（ア
−ム）、１３…ピックアップコレット、１６…ダスト除
去手段、１７…吸引口（口部）、１８…フレキシブルパ
イプ、１９…真空ポンプ（吸気手段）。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 移動可能なア−ムにピックアップコレッ
   トを支持してなり、ウエハテ−ブル上に並べられた半導
   体ペレットを上記ピックアップコレットに吸着して摘出
   する半導体素子摘出装置において、上記ピックアップコ
   レットが突出した状態で上記ピックアップコレットを囲
   う口部と、可撓性を有し上記口部の、上記ピックアップ
   コレットの吸着側の反対側の部分に接続されたフレキシ
   ブルパイプと、このフレキシブルパイプを介して上記口
   部と連通し上記ピックアップコレットの周囲を吸気する
   吸気手段とからなるダスト除去手段を設けたことを特徴
   とする半導体素子摘出装置。