JPH0645395A - フィルムキャリア型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フィルムキャリア型半導体装置におけるフィ
ルムキャリアテ−プの反りを低減し、実装性を向上させ
ることを目的とする。 【構成】 フィルムキャリア型半導体装置において、ア
ウタ−リ−ド孔１０６と樹脂１１２との間のベ−スフィ
ルム１０４に窪み１１３を形成したことを特徴としてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フィルムキャリア型半
導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６ａは、従来のフィルムキャリア型半
導体装置の平面図である。図６ｂは図６ａをＡＢ線に沿
って矢印し方向から眺めた図である。また、図７は、フ
ィルムキャリアテ−プのインナ−リ−ドボンディング工
程を示す図である。従来のフィルムキャリア型半導体装
置は、図６に示すように、フィルムキャリアテ−プ２０
１及びあらかじめ電極端子上に金属突起物であるバンプ
２０２を設けた半導体チップ２０３及び半導体チップ２
０３とフィルムキャリアテ−プ２０１の接続部を覆う樹
脂から構成される。フィルムキャリアテ−プ２０１は、
ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ガラスエポキシ等
より成るベ−スフィルム２０４をもとに製造される。こ
のベ−スフィルム２０４には、フィルムキャリアテ−プ
２０１のほぼ中心線にそって半導体チップ２０３を搭載
するためのデバイスホ−ル２０５が設けられると共に、
デバイスホ−ル２０５の周囲には所定の間隔をおいてア
ウタ−リ−ド孔２０６が設けられている。また、ベ−ス
フィルム２０４の両サイドにはテ−プ製造時、半導体チ
ップ２０３実装時に搬送や位置合わせのために用いられ
るスプロケットホ−ル２０７が所定のピッチで連設され
ている。そして、ベ−スフィルム２０４上には、リ−ド
２０８がその端部すなわちインナ−リ−ド２０８ａをデ
バイスホ−ル２０５の開口部に突き出すようにすなわち
オ−バ−ハング状態で形成されており、そのインナ−リ
−ド２０８ａの先端と半導体チップ２０３のバンプ２０
２が接合されるようになっている。また、リ−ド２０８
のアウタ−リ−ド２０８ｂは、デバイスホ−ル２０５の
周囲に設けられたアウタ−リ−ド孔２０６を横架するよ
うに形成されており、アウタ−リ−ド２０８ｂを所定の
位置で切断するとともに所定の形状に加工してプリント
配線板の端子部に接合するようになっている。次に、こ
のように構成されたフィルムキャリアテ−プ２０１の製
造方法について説明する。

【０００３】まず、ベ−スフィルム２０４にデバイスホ
−ル２０５、アウタ−リ−ド孔２０６、スプロケットホ
−ル２０７等を設ける。次に、ベ−スフィルム２０４の
面上に接着剤を付けその上にメッキ等によって金属箔例
えばＣｕ箔を形成した後、この金属箔から例えばパタ−
ン焼き付け、エッチング、メッキ等の各工程を経て、所
定パタ−ンを形成する。この時、ベ−スフィルム２０４
の面上に金属からなるリ−ド２０８が形成される。

【０００４】そして、図７に示すように、フィルムキャ
リアテ−プ２０１のリ−ド２０８と半導体チップ２０３
のバンプ２０２とを熱圧着法または共晶法等によりイン
ナ−リ−ドボンディングして半導体チップ２０３を搭載
する。インナ−リ−ドボンディングする時、ボンディン
グツ−ル温度は４００乃至６００℃に設定し、時間は１
乃至３秒加熱する。ツ−ル２１１からリ−ド２０８ａ、
バンプ２０２に熱が伝わり接合する。半導体チップ２０
３をボンディングした後、デバイスホ−ル２０５を形成
するベ−スフィルム２０４の端から２乃至３ミリメ−ト
ルの領域にあるベ−スフィルム２０４上まで樹脂２１２
で保護してフィルムキャリア型半導体装置を完成する。

【０００５】このように、フィルムキャリア型半導体装
置は、ボンディングがリ−ドの数と無関係に一度で可能
であるため、ボンディングスピ−ドが速いこと、フィル
ムキャリアテ−プ２０１を使用するためボンディング等
の組み立て等、自動化がはかれ量産性が優れている等の
利点を有している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記したようなフィル
ムキャリア型半導体装置では、フィルムキャリアテ−プ
２０１が連続してつながって帯状になっており、また、
デバイスホ−ル２０５を形成するベ−スフィルム２０４
の端から２乃至３ミリメ−トルの領域を樹脂２１２で覆
う。ベ−スフィルム２０４上を樹脂２１２で覆うと、樹
脂２１２が収縮しベ−スフィルム２０４に応力が発生
し、樹脂２１２の周辺のフィルムキャリアテ−プ２０１
において、フィルムキャリアテ−プ２０１の反りが大き
く発生してしまう。一方、半導体装置の微細化に伴いア
ウタ−リ−ドピッチの狭小化が起こる。すなわち、フィ
ルムキャリアテ−プの反りにより、ますます狭小化した
アウタ−リ−ド間での接触が起き、ショ−トしてしまう
等の問題があった。

【０００７】例えば、３４４Ｐｉｎの半導体装置におい
ては、フィルムキャリアテ−プの反り量が８００乃至１
０００ミクロンとなり、実装性のマ−ジンがない状態で
ある。そこで、本発明は、フィルムキャリア型半導体装
置におけるフィルムキャリアテ−プの反りを低減し、実
装性を向上させることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、デバイスホ−ル及びアウタ−リ−ド孔
を有するベ−スフィルムと、このベ−スフィルムの面上
に形成され前記デバイスホ−ル内に先端が突出したイン
ナ−リ−ドとこのインナ−リ−ドと接続して前記アウタ
−リ−ド孔を横切って外方に延びるアウタ−リ−ドを有
するリ−ドと、前記インナ−リ−ドの先端と接続された
半導体チップと、前記デバイスホ−ル内に充填し、前記
半導体チップ及び前記インナ−リ−ドとの接続部を保護
する樹脂とを具備するフィルムキャリア型半導体装置に
おいて、前記アウタ−リ−ド孔と樹脂との間の前記ベ−
スフィルムに窪みを形成したことを特徴としている。

【０００９】

【作用】以上のように、窪みは、アウタ−リ−ド孔１０
６と樹脂１１２の間のベ−スフィルム１０４に形成され
ている。

【００１０】樹脂の収縮による応力が発生しても、ベ−
スフィルム内に窪みを有するので窪みを境として応力が
削減され、フィルムキャリアテ−プの反りを低減し、実
装性を向上させることができる。

【００１１】

【実施例】この発明の実施例を図１乃至図５を用いて、
詳細に説明する。

【００１２】図１ａは、本発明の実施例におけるのフィ
ルムキャリア型半導体装置の平面図である。図１ｂは図
１ａをＡＢ線に沿って矢印し方向から眺めた図である。
また、図２は、フィルムキャリアテ−プのインナ−リ−
ドボンディング工程を示す図である。

【００１３】本発明のフィルムキャリア型半導体装置
は、図１に示すように、フィルムキャリアテ−プ１０１
及びあらかじめ電極端子上に金属突起物であるバンプ１
０２を設けた半導体チップ１０３及び半導体チップ１０
３とフィルムキャリアテ−プ１０１の接続部を覆う樹脂
１１２から構成される。フィルムキャリアテ−プ１０１
は、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ガラスエポキ
シ等より成るベ−スフィルム１０４をもとに製造され
る。このベ−スフィルム１０４には、フィルムキャリア
テ−プ１０１のほぼ中心線にそって半導体チップ１０３
を搭載するためのデバイスホ−ル１０５が設けられると
共に、デバイスホ−ル１０５の周囲には所定の間隔をお
いてアウタ−リ−ド孔１０６が設けられている。また、
デバイスホ−ル１０５を形成するベ−スフィルム１０４
の端から２乃至３ミリメ−トルの領域の外側で且つアウ
タ−リ−ド孔１０６より内側に窪み１１３が設けられて
いる。本例での窪み１１３はデバイスホ−ル１０５及び
アウタ−リ−ド孔１０６と同様にベ−スフィルム１０４
を貫通している。また、この窪み１１３は、例えばデバ
イスホ−ル１０５の周囲を包囲するリング状に形成され
る。また、ベ−スフィルム１０４の両サイドにはテ−プ
製造時、半導体チップ１０３実装時に搬送や位置合わせ
のために用いられるスプロケットホ−ル１０７が長手方
向に所定のピッチで連設されている。そして、ベ−スフ
ィルム１０４上には、リ−ド１０８がその端部すなわち
インナ−リ−ド１０８ａをデバイスホ−ル１０５の開口
部に突き出すようにオ−バ−ハング状態で形成されてお
り、そのインナ−リ−ド１０８ａと半導体チップ１０３
の先端が接合されるようになっている。また、リ−ド１
０８のアウタ−リ−ド１０８ｂは、デバイスホ−ル１０
５の周囲に設けられたアウタ−リ−ド孔１０６を横架す
るように形成されている。例えばこのようなリ−ドの太
さ（幅）はインナ−リ−ド１０８ａよりアウタ−リ−ド
１０８ｂのほうが厚くなっている。また、インナ−リ−
ド１０８ａとアウタ−リ−ド１０８ｂのピッチはそれぞ
れ８０ミクロン、２００ミクロンとなっている。そし
て、アウタ−リ−ド１０８ｂを所定の位置で切断すると
ともに所定の形状に加工してプリント配線板の端子部に
接合するようになっている。次に、このように構成され
たフィルムキャリア型半導体装置の製造方法は特に限定
されるものではないが、特に上記に示した例において説
明する。

【００１４】まず、ベ−スフィルム１０４にデバイスホ
−ル１０５、アウタ−リ−ド孔１０６、スプロケットホ
−ル１０７、窪み１１３等を設ける。次に、ベ−スフィ
ルム１０４の面上にメッキ等によって金属箔例えばＣｕ
箔を形成した後、この金属箔から例えばパタ−ン焼き付
け、エッチング、メッキ等の各工程を経て、所定パタ−
ンを形成する。この時、ベ−スフィルム１０４の面上に
金属からなるリ−ド１０８が形成される。

【００１５】そして、図２に示すように、フィルムキャ
リアテ−プ１０１のリ−ド１０８と半導体チップ１０３
のバンプ１０２とを熱圧着法または共晶法等によりイン
ナ−リ−ドボンディングして半導体チップ１０３を搭載
する。インナ−リ−ドボンディングする時、ボンディン
グツ−ル温度は４００乃至６００℃に設定し、時間は１
乃至３秒加熱する。ツ−ル１１１からリ−ド１０８ａそ
してバンプ１０２に熱が伝わり接合する。半導体チップ
１０３をボンディングした後、デバイスホ−ル１０５を
形成するベ−スフィルム１０４の端から２乃至３ミリメ
−トルの領域にあるベ−スフィルム１０４上まで樹脂１
１２で保護する。すなわち、窪み１１３は、アウタ−リ
−ド孔１０６と樹脂１１２の間のベ−スフィルム１０４
に設けられる。言い換えれば、樹脂１１２と窪み１１３
とアウタ−リ−ド孔１０６の相互の関係は次のようにな
る。半導体チップ１０３からの距離をそれぞれＬａ、Ｌ
ｂ、Ｌｃとすると、Ｌａ＜Ｌｂ＜Ｌｃとなる。また、樹
脂１１２と窪み１１３とは接しても良い。しかし、窪み
１１３中に樹脂１１２が入ってはいけない。

【００１６】また、他の窪みの形状を図３乃至図５に示
す。図面上に図示した符号は上記と同様とする。図３ａ
乃至図５ａは、種々の窪みを有するフィルムキャリア型
半導体装置の平面図である。図３ｂ乃至図５ｂはそれぞ
れ図３ａ乃至図５ａをＡＢ線に沿って矢印し方向から眺
めた図である。

【００１７】図３は、デバイスホ−ル１０５を形成する
ベ−スフィルム１０４の端から２乃至３ミリメ−トルの
領域の外側で、すなわち、アウタ−リ−ド孔１０６と樹
脂１１２の間のベ−スフィルム１０４に２本の窪み１１
３が設けられている。この２本の窪み１１３は、例えば
デバイスホ−ル１０５の周囲を包囲し、リング状に形成
される。このように、窪みの本数は何本であっても良
く、窪みの本数が多いほどフィルムキャリアテ−プの反
りは低減される。この際、樹脂は少なくとも、一番アウ
タ−リ−ド１０８ｂ側の窪み１１３は覆わないようにす
る。

【００１８】図４に示すような窪み１１３は、デバイス
ホ−ル１０５を形成するベ−スフィルム１０４の端から
２乃至３ミリメ−トルの領域の外側で、すなわち、アウ
タ−リ−ド孔１０６と樹脂１１２の間のベ−スフィルム
１０４に、デバイスホ−ル１０５の周囲を包囲して個別
に形成される。

【００１９】図５に示すような窪み１１３は、デバイス
ホ−ル１０５を形成するベ−スフィルム１０４の端から
２乃至３ミリメ−トルの領域の外側で、すなわち、アウ
タ−リ−ド孔１０６と樹脂１１２の間のベ−スフィルム
１０４に、デバイスホ−ル１０５の周囲に、窪みを点在
させて形成させる。以上のように図３乃至図５の窪みも
図１に示した窪みと同様、窪みはアウタ−リ−ド孔１０
６と樹脂１１２の間のベ−スフィルム１０４に形成され
ている。また、以上述べた窪みは、選択的にベ−スフィ
ルムを貫通しリ−ドに達した窪みであるが、貫通せずに
リ−ドに達しない窪みでも良い。

【００２０】

【発明の効果】以上のように、窪みは、アウタ−リ−ド
孔１０６と樹脂１１２の間のベ−スフィルム１０４に形
成されている。そのため、樹脂の収縮によるフィルムキ
ャリアテ−プの反りを低減し、実装性を向上させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例におけるフィルムキャリア型半
導体装置を示す図である。

【図２】フィルムキャリアテ−プのインナ−リ−ドボン
ディング工程を示す図である。

【図３】本発明の実施例におけるフィルムキャリア型半
導体装置を示す図である。

【図４】本発明の実施例におけるフィルムキャリア型半
導体装置を示す図である。

【図５】本発明の実施例におけるフィルムキャリア型半
導体装置を示す図である。

【図６】従来におけるフィルムキャリア型半導体装置を
示す図である。

【図７】フィルムキャリアテ−プのインナ−リ−ドボン
ディング工程を示す図である。

【符号の説明】

１０１、 ２０１ フィルムキャリアテ
−プ １０２、 ２０２ バンプ １０３、 ２０３ 半導体チップ １０４、 ２０４ ベ−スフィルム １０５、 ２０５ デバイスホ−ル １０６、 ２０６ アウタ−リ−ド孔 １０７、 ２０７ スプロケットホ−ル １０８、 ２０８ リ−ド １０８ａ、２０８ａ インナ−リ−ド １０８ｂ、２０８ｂ アウタ−リ−ド １１１、 ２１１ ツ−ル １１２、 ２１２ 樹脂 １１３ 窪み

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 デバイスホ−ル及びアウタ−リ−ド孔を
   有するベ−スフィルムと、このベ−スフィルムの面上に
   形成され前記デバイスホ−ル内に先端が突出したインナ
   −リ−ドとこのインナ−リ−ドと接続して前記アウタ−
   リ−ド孔を横切って外方に延びるアウタ−リ−ドを有す
   るリ−ドと、前記インナ−リ−ドの先端と接続された半
   導体チップと、前記デバイスホ−ル内に充填し、前記半
   導体チップ及び前記インナ−リ−ドとの接続部を保護す
   る樹脂とを具備するフィルムキャリア型半導体装置にお
   いて、 前記アウタ−リ−ド孔と樹脂との間の前記ベ−スフィル
   ムに窪みを形成したことを特徴とするフィルムキャリア
   型半導体装置。