JPH0643141A - 超音波測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ほぼ平行に存在する０．１μｍ以下の欠陥の
厚さを測定することができる超音波測定装置を提供する
ことにある。 【構成】 駆動パルス電圧の変化に対する音圧の変化率
がギャップの厚さに応じて変わるという特性を利用し
て、駆動パルス電圧の変化に対する被検体の音圧変化率
を算出しているので、被検体内部のギャップの厚さを測
定することができる。その結果、各種の被検体内部の欠
陥の厚さ測定が超音波により可能になり、特に、電子部
品の検査に利用すれば、より信頼性の高い部品を提供す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、超音波測定装置に関
し、詳しくは、樹脂パッケージ化されたＩＣ等の電子部
品の電極等の剥がれによる内部欠陥や内部間隙の厚さを
測定することができるような超音波測定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】超音波測定装置の１つである超音波映像
検査装置（これには焦点合わせ型のプローブを用いる超
音波映像探査装置が含まれる。) は、電子部品等を検査
するためにその内部の状態をＢスコープ像やＣスコープ
像として映像表示することが可能である。より鮮明な映
像を採取するために、この種の映像装置は、プローブの
音響特性や媒体、被検体内部でのそのときの温度による
音速等の各種の測定条件を入力し、それに応じて被検体
内の所望の深さにプローブの焦点を設定して超音波測定
を行う。

【０００３】この種の測定装置は、エコー受信信号（又
はビデオ信号、ＲＦ信号、あるいはこれらのＡ／Ｄ変換
データ）の任意の位置でゲートがかけられるようになっ
ていて、例えば、エコー受信信号の欠陥波の位置（焦点
型では焦点位置）にゲートをかけて抽出したエコー受信
信号に対してそのピークレベル等を得て、その値の大き
さで欠陥の大きさを判定している。さらに、得られた欠
陥よりの受信波の大きさに応じて色分けした表示データ
を生成して測定位置対応にＢスコープ像やＣスコープ像
の測定画像を表示する。

【０００４】一方、超音波測定では、超音波厚み測定計
などで代表されるように、表面エコーと底面エコーとの
間の時間を計測してその厚さあるいは幅を計ることも行
われる。また、底面開口欠陥等の開口高さを計ることも
可能である。しかし、内部に存在する欠陥についてその
厚さを計ることは未だ考えられていないと思われる。前
述したように、現在のところ、単に、エコーのピークレ
ベルからその大きさを表示する程度である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】超音波映像検査装置に
よりＩＣ等の電子部品の検査を行う場合には、樹脂パッ
ケージされた内部での電極の剥がれやチップと基板との
接着状態などが検査対象とされ、それらの欠陥よりの受
信波の大きさに応じて色分けされた映像が表示される。
しかし、これは、エコーのピークレベルに基づいて欠陥
の大きさを表示しているので、この映像を見ても欠陥が
接着剤に存在するバブルなのか、接着不良なのか、電極
剥がれなのか、はたまたどの程度の空間がそこに存在し
ているのか判然としない。

【０００６】しかし、この種の検査では、現実には、欠
陥の大きさのみならず、その厚さも問題にしなければ、
より信頼性の高い検査ができない。なぜなら、パッケー
ジ化されたＩＣ等の電子部品の内部に存在する空間の厚
さ（いわゆる空気層、以下ギャップ）は、部品内部の水
分の浸透問題に発展するからである。水分が浸透した場
合に、ＩＣ等の部品は、故障の原因になったり、その動
作が保証されない。ＩＣの検査等において測定されるべ
きギャップの厚さは、通常、０．１μｍ以下であり、現
在のところ超音波測定において、０．１μｍ以下で内部
欠陥の厚さを測定する技術は知られていない。この発明
の目的は、前記のような欠陥の厚さ測定の要請に応える
ものであって、ほぼ平行に存在する０．１μｍ以下の欠
陥の厚さを測定することができる超音波測定装置を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るためのこの発明の超音波測定装置における手段は、被
検体内部の欠陥の厚さを測定する超音波測定装置におい
て、超音波探触子をパルス駆動して厚さに対してほぼ垂
直な方向から欠陥に超音波を照射し、欠陥からの反射波
音圧あるいは透過波音圧を採取するものであって、パル
スの電圧を変化させて複数回測定し、測定した結果得ら
れる複数の音圧に基づきパルス電圧に対する音圧変化率
を算出し、この変化率に対してあらかじめ求められた変
化率と厚さとの関係式あるいは関係値により欠陥の厚さ
を得るものである。

【０００８】

【作用】このように、駆動パルス電圧の変化に対する被
検体の音圧変化率を算出することにより被検体内部のギ
ャップの厚さを測定するものであるが、これは、駆動パ
ルス電圧の変化に対する音圧の変化率がギャップの厚さ
に応じて変わるという特性を発見したことによる。

【０００９】次に、何故、このような特性が得られる
か、これについて、まず、説明する。図４（ａ）は、プ
ローブ１６における超音波振動子１６ａと、被検体内部
１８の内部欠陥１８ａとの関係を示している。なお、内
部欠陥１８ａは、電極とパッケージ材料との剥離などに
より生じるほぼ平行なギャップとする。通常、超音波振
動子１６ａにより発生する超音波は、縦波Ｌとなって被
検体１８の内部に伝搬し、ギャップＧに到達する。そし
てギャップＧの上面ＧS でその一部が反射し、他が透過
する。この場合、従来の伝搬モデルでは、図５の
（ａ），（ｂ）に示すように、１０^-2〜１０^-1ｎｍ程度
の剥離層における超音波の透過率の変化は、材質に応じ
て多少その特性が異なるにしても、厚さが増加するに応
じて順次透過率が減少するカーブを描くことになってい
る。なお、図中、Ｔは送信波、Ｐi は入射超音波、Ｐr
は反射超音波、Ｐt は透過超音波を示していて、Ｚ1 ，
Ｚ2 ，Ｚ3 は、それぞれ伝搬媒質の音響インピーダン
ス、ｌは媒質２の厚さである。

【００１０】しかし、これは、実際に１０^-2〜１０^-1ｎ
ｍ程度の剥離が発生しているギャップの状態を考慮に入
れたものではなく、単に、理論上から導いた結果に過ぎ
ない。なぜなら、現実には、ギャップは均一で平坦な平
面を持つものであることはほとんどないからである。マ
クロ的な見地からミクロのギャップをみればこれでも正
しいのかも知れないが、実際のギャップをミクロ的な見
地でみると、図（ｃ）に示すように、その内側表面は、
剥離等によって生じた凹凸の激しい面が存在していると
考えられる。したがって、前記の理論をそのまま適用す
ると問題が生じる場合がある。

【００１１】その場合とは、ギャップの幅がこの凹凸の
変化の幅Ｄ1 ，Ｄ2 を無視できない程度になると、ギャ
ップＧは、平行な平面からなるギャップとみなすことは
できなくなる。すなわち、超音波によりギャップに振動
エネルギーが加えられたときに、ギャップの上面ＧS と
下面ＧB とがその振幅に応じて近づき、あるいは離れ
る。その結果、近づいたときに前記凹凸面の突起部分の
一部が接触する現象が発生すると考えられる。上面内側
と下面内側がその一部において部分的に接触した場合に
は、その部分では、先の従来からの理論は適用できな
い。超音波は、その部分では反射することなく、ほぼ１
００％透過する。したがって、そこで反射するエコーの
レベルは低下する。

【００１２】以上のように考えると、加わる振動エネル
ギーの振幅を大きくとれば、それだけギャップの上面内
側と下面内側との接触する時間は長くなり、また、接触
範囲も大きくなる。さらに、ギャップの幅に応じて接触
する領域あるいはその数が増加する。したがって、振動
エネルギーの振幅がパルス印加電圧に比例して大きくな
るので印加電圧を大きくして振動エネルギーの振幅を増
加させれば超音波の透過率が増加し、逆にエコーの反射
率は低下する。したがって、この反射率または透過率の
変化は、被検体内部のギャップの厚さの関数になる。こ
の関数は、後述する図２に示すように受信音圧の変化率
として捉えることができる。よって、前記の構成により
ＩＣ等の電子部品の内部に存在する０．１μｍ以下の剥
離等によるギャップの測定が可能になる。

【００１３】

【実施例】図１は、この発明を適用した超音波測定装置
の一実施例のブロック図であり、図２は、送信波駆動電
圧とギャップとの関係、ギャップと欠陥エコーのピーク
値との関係の説明図、図３は、ＩＣサンプルにおける実
測された剥離厚さと受信電圧比との特性を示す説明図、
図４は、この発明の原理についての説明図、図５は、従
来の剥離層における超音波の伝達特性とこの発明におけ
るギャップについての考え方の説明図である。図１にお
いて、１０は、超音波測定装置であって、１は、その探
傷器部である。この探傷器部１は、出力電圧が外部から
設定できるパルサ１ａと、レシーバ、ゲート回路等から
構成される受信部１ｂ等で構成され、マイクロプロセッ
サ（ＭＰＵ）５からバス１１を介して制御信号を受け
て、この制御信号に応じて制御される。

【００１４】パルサ１ａは、送信端子１２からプローブ
１６にパルス駆動による送信波Ｔを発生し、受信部１ｂ
は、プローブ１６からエコー受信信号を受信端子１３で
受けてそれをそのレシーバで増幅し、検波する。さら
に、検波された信号のうち設定されたゲート範囲のもの
がここで抽出され、それがＡ／Ｄ変換回路２に送出され
る。なお、パルサ１ａは、その出力パルス電圧がデジタ
ル値で設定され、連続的に制御できる可変電圧発生回路
１ｃを内蔵していて可変電圧発生回路１ｃの電圧がＭＰ
Ｕ５からの制御信号に応じて選択されあるいはスキャン
される。

【００１５】ここで、プローブ１６は、例えば、中心周
波数が２５ＭＨｚ程度の狭帯域の焦点型プローブであ
り、ＸＹＺ走査機構１５により支持されていて、被検体
１８は、例えば、電子部品の１つであるＩＣであって、
水槽１７の中に浸漬されている。

【００１６】Ａ／Ｄ変換回路２は、ＭＰＵ５からの制御
信号に応じて探傷器部１から得られる欠陥波、底面波等
についてエコー受信信号の包絡線検波信号（ＲＦ信号を
検波して得られるビデオ信号、ただし、サンプリング周
波数によってはＲＦ信号のままでも可）を、例えば、２
０ＧHz程度の高い周波数で１０００点程度サンプリング
し、これによりアナログの検波出力をデジタル値に変換
して波形データメモリ３に順次送出する。

【００１７】波形データメモリ３は、Ａ／Ｄ変換回路２
によりサンプリングされたデータを順次そのアドレスを
更新（インクリメント）しながら記憶していく。そし
て、Ａ／Ｄ変換回路２によりサンプリングされたデータ
数が所定の最終アドレスまで記憶されると、言い換えれ
ば、前記１０００点のサンプリングデータを記憶する
と、ＭＰＵ５にサンプリング終了信号を送出する。これ
により波形データメモリ３には測定データが採取され
る。

【００１８】ＭＰＵ５は、波形データメモリ３からサン
プリング終了信号を受けるとＡ／Ｄ変換回路２のサンプ
リング処理を停止してバス１１を介して波形データメモ
リ３に採取した測定データを参照してその最大ピーク値
を得て、それをそのときの送信パルスの電圧のデータと
ともにＲＡＭ６に記憶する。そして、この測定を送信パ
ルスの電圧を変えて複数回を行い。その結果得られた複
数の最大ピーク値について後述する処理をして被検体１
８の内部に存在するギャップの厚さを求める。

【００１９】４は、ゲインダイヤル，カーソルダイヤ
ル，表示位置指定つまみ，シートキー等を有する操作パ
ネルであって、バス１１に接続されている。ＭＰＵ５
は、この回路からバス１１を介してダイヤルにより設定
される設定値及びギャップ測定機能キー等、各種のキー
入力信号を受ける。ゲインダイヤルにより受信部１ｂの
レシーバに対するゲイン設定値（調整値）が入力される
と、ＭＰＵ５は、受信部１ｂのレシーバ（その高周波増
幅器）のゲイン（増幅率）を制御し、ゲインダイヤルに
より入力されたゲイン設定値に対応するゲインになるよ
うにレシーバのゲインを設定する。

【００２０】６は、ＲＡＭであって、バス１１に接続さ
れ、Ａ／Ｄ変換されたエコー受信信号についてのデジタ
ルの表示データと外部からロードされた各種のアプリケ
ーション処理プログラムと入力キーにより指定された探
傷モードを示すフラグ等の各種の情報や種々のデータが
格納される。このＲＡＭ６には採取条件パラメータ等を
記憶したパラメータ等記憶領域６２、そして受信音圧傾
き−ギャップテーブル６３とが設けられている。

【００２１】７は、ＲＯＭであり、これにはＭＰＵ５が
実行する、Ｂ，Ｃスコープ画像等演算処理プログラム７
１，最大ピーク値採取プログラム７２、受信音圧傾き・
ギャップ算出プログラム７３、表示プログラム７４等
と、各種の基本プログラムが記憶されている。なお、こ
れらプログラムは、ＲＯＭ６の記憶領域に外部からロー
ドされてもよい。ＣＲＴ表示装置（ＣＲＴ）８は、測定
画像等のほか、各種の測定値を表示し、内蔵のビデオメ
モリインタフェースを介してバス１１に接続されてい
る。スキャンコントローラ１４は、バス１１を介してＭ
ＰＵ５に接続され、ＭＰＵ５からの制御に応じてＸＹＺ
走査機構１５を駆動し、プローブ１６を測定位置に設定
する。

【００２２】ここで、最大ピーク値採取プログラム７２
は、ギャップ測定機能キーの入力により設定されるギャ
ップ測定モードにおいて、波形データメモリ３から測定
データ採取終了を受けたＭＰＵ５により起動される。ま
た、このプログラムの実行によりＭＰＵ５は、前記の測
定開始時点で、まず、パラメータ等記憶領域６２に記憶
されている送信波Ｔ（図４参照）を発生する駆動パルス
電圧値を設定する最初のデータを参照する。例えば、こ
のときの最初のデータが駆動電圧値を６０［Ｖ］に設定
するものとする。このプログラムの実行によりＭＰＵ５
は、この電圧を設定するデータを可変電圧発生回路１ｃ
に送出してパルサ１ｂが発生するパルス電圧値を６０
［Ｖ］にする。その後に、パルサ１ｂに駆動信号を送出
する制御を行い、６０［Ｖ］の波高値で駆動された送信
波Ｔを被検体１８に放射する。

【００２３】また、測定データが波形データメモリ３に
採取されたときに、そのデータのうちの最大ピーク値Ｐ
0 の値をそのときの音圧として得て、そのときに設定し
たパルス電圧値６０［Ｖ］のデータとともにＲＡＭ６に
記憶し、さらに、パラメータ等記憶領域６２に記憶され
ている次の送信波Ｔを発生する駆動パルス電圧値のデー
タを参照してそれを可変電圧発生回路１ｃに送出してパ
ルサ１ｂが発生するパルス電圧値の設定をする。例え
ば、この、次の設定電圧値を１２０［Ｖ］とする。そし
て、先と同様にこの電圧でプローブ１６をパルス駆動し
て超音波を被検体１８に放射し、波形データメモリ３に
測定データを採取する。ＭＰＵ５は、得られた測定デー
タを参照してその最大ピーク値Ｐ1 と前記の設定電圧値
１２０［Ｖ］のデータとをＲＡＭ６に記憶する。同様な
測定を設定電圧値１７０［Ｖ］と２１０［Ｖ］について
行い。それぞれについて最大ピーク値Ｐ2 ，Ｐ3 と電圧
値のデータとをＲＡＭ６に記憶する。この後、受信音圧
傾き・ギャップ算出プログラム７３を起動する。

【００２４】なお、以上の場合、パラメータ等記憶領域
６２には、送信波Ｔを発生させる駆動パルスの電圧値と
して、６０［Ｖ］，１２０［Ｖ］，１７０［Ｖ］，２１
０［Ｖ］の各電圧を設定するパラメータとなるデータが
順に記憶されているものとする。この記憶領域には、こ
のほかに、測定周期や測定範囲、測定モードを設定する
各種のフラグ情報、現在設定されているレシーバのゲイ
ンのデータなどが記憶されている。

【００２５】受信音圧傾き・ギャップ算出プログラム７
３は、最大ピーク値採取プログラム７２の実行後にＭＰ
Ｕ５により起動される。ＭＰＵ５は、このプログラムを
実行して、まず、ＲＡＭ６に記憶された設定電圧値と最
大ピーク値のデータを参照して図２（ａ）に示すよう
な、電圧変化に対する受信電圧比Ｒp （音圧比）の傾き
Ｋを算出する。なお、この場合の受信電圧比Ｒp は、６
０［Ｖ］のときの最大ピーク値の比である。このように
ある電圧を基準電圧としてその音圧との比を採る理由
は、測定装置のゲインが測定状態に応じて設定されるの
で、このゲインの影響を排除することにある。このよう
にすれば、後述する受信音圧傾き−ギャップテーブル６
３の値を実験値で得た場合でも、これとのずれもほとん
どなくなる。

【００２６】さて、受信電圧比Ｒp の傾きＫ（図のＫ
ａ，Ｋｂ，Ｋｃに対応）は、ここでは、次の式より３つ
の平均値として算出されるが、必ずしも平均値を採る必
要はない。したがって、測定データが３点あればよい。 Ｋ＝（Ｋ1 ＋Ｋ2 ＋Ｋ3 ）／３ ただし、 Ｋ1 ＝（Ｐ2/Ｐ0 −Ｐ1 ／Ｐ0 ）／（１７０−１２０） Ｋ2 ＝（Ｐ3/Ｐ0 −Ｐ2 ／Ｐ0 ）／（２１０−１７０） Ｋ3 ＝（Ｐ3/Ｐ0 −Ｐ1 ／Ｐ0 ）／（２１０−１２０） 次に、算出された傾きＫの値から受信音圧傾き−ギャッ
プテーブル６３を参照して傾きに対応するギャップの厚
さｔを求める。

【００２７】受信音圧傾き−ギャップテーブル６３は、
後述するようにサンプルから実験的に求められるもので
あるが、説明の都合上、まず、図２（ａ）に示すクリス
タルガラスに対して採取したものから説明する。この特
性グラフは、いわゆる、焦点距離の長い凸レンズを平坦
化したクリスタルガラス（被測定材料）の表面に重ねて
単色光を照射してニュートンリングを形成し、各リング
に対応して間隙を求めておき、この、各間隙に対応する
位置で前記傾きＫを測定して得たものである。傾きＫ
（Ｋａ，Ｋｂ，Ｋｃ，・・・）とギャップの厚さｔとの
関係は図示のようになる。

【００２８】（ａ）の特性グラフから理解できるよう
に、送信パルスの電圧をパラメータとして約６０［Ｖ］
（実際には５８［Ｖ］）の音圧を基準として正規化した
場合、クリスタルガラスでは、その受信音圧としての最
大ピーク値の受信電圧とギャップの厚さｔとの関係は、
ギャップの厚さｔが大きくなるほど傾きＫが大きくな
り、直線的な特性を示す。そして、ギャップが０．６μ
ｍ程度でほぼ一定値になる。

【００２９】図２の（ｂ）は、前記のクリスタルグラス
について、送信パルスの電圧を一定にした場合にギャッ
プと受信電圧比Ｒp との関係を示す特性グラフである。
この特性グラフに示されるように、ギャップが０．１μ
ｍを越えると、受信電圧比Ｒp の特性は飽和状態にな
る。

【００３０】図２の（ｃ）は、測定対象をクリスタルグ
ラスから樹脂に替えて、パッケージ樹脂とリードフレー
ム間でギャップの厚さｔと受信電圧比Ｒp を測定した場
合の特性Ａ、同様にパッケージ樹脂とシリコンチップに
ついて同様に受信電圧比Ｒpとの関係を測定した特性
Ｂ、そしてパッケージ樹脂同士におけるギャップについ
て測定した特性Ｃを示している。なお、ギャップの厚さ
ｔについては、実際に電極剥がれ等によってギャップが
形成された複数のサンプルについて受信電圧比の傾きＲ
p を測定し、そのサンプルのギャップの厚さｔを電子顕
微鏡にて測定したものである。

【００３１】受信音圧傾き−ギャップテーブル６３は、
このようにして被検体サンプルを測定して得られる受信
電圧比Ｒp とギャップ厚さｔについてのテーブルであっ
て、パッケージ樹脂とリードフレーム間、パッケージ樹
脂とシリコンチップ間、パッケージ樹脂同士とそれぞれ
異なるパラメータに対応して３つのテーブルが形成され
ている。これらのテーブルのうちいずれかを参照するか
は、まず、Ｂ，Ｃスコープ画像等演算処理プログラム７
１により測定画像を表示して、その結果表示されたエリ
アに応じて前記いずれかのテーブルを選択するか、その
パラメータをオペレータが操作パネル４からキー入力
し、キー入力されたパラメータにより選択すればよい。

【００３２】以上説明してきたが、実施例では、反射エ
コーを採取してその最大ピーク値によりギャップの厚さ
ｔを測定する例を説明してきたが、この発明は、被検体
を挟んでプローブと反対側に受信センサを設けて被検体
を透過する透過波の最小ピーク値を採取してギャップの
厚さｔを測定するようにしてもよい。さらに、実施例で
は、基準電圧を設定し、これの最大ピーク値との比を採
取しているが、ゲインが一定の測定装置では、必ずし
も、比を採る必要はなく、単に、音圧の変化率を測定す
れば足りる。

【００３３】実施例では、実測値に基づいて受信音圧傾
き−ギャップテーブルを作成して受信電圧比Ｒp からギ
ャップ厚さｔを求めているが、傾きとギャップ厚さの関
係が数式で表現できればテーブルを用いる必要はなく、
また、数値演算により求められれば、それを利用しても
よい。

【００３４】また、実施例では、波形データメモリは、
Ａ／Ｄ変換回路とＭＰＵとの間に挿入しているが、ＭＰ
Ｕの処理速度が高速であれば、Ａ／Ｄ変換回路のデータ
をＭＰＵで一旦受けて、波形データメモリあるいはＲＡ
Ｍ等に転送して測定データを採取するようにすることも
できる。また、実施例では、探傷器部の測定データをＡ
／Ｄ変換して波形データメモリに記憶しているが、探傷
器部にピーク値検出回路を設けて、これにより得られた
ピーク値のデータをＡ／Ｄ変換してその値をＭＰＵが得
て、ＲＡＭに記憶してギャップの厚さを求めるような処
理をしてもよい。

【００３５】

【発明の効果】以上の説明から理解できるように、この
発明にあっては、駆動パルス電圧の変化に対する音圧の
変化率がギャップの厚さに応じて変わるという特性を利
用して、駆動パルス電圧の変化に対する被検体の音圧変
化率を算出しているので、被検体内部のギャップの厚さ
を測定することができる。その結果、各種の被検体内部
の欠陥の厚さ測定が超音波により可能になり、特に、電
子部品の検査に利用すれば、より信頼性の高い部品を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、この発明を適用した超音波測定装置
の一実施例のブロック図である。

【図２】 図２は、バースト信号で駆動された場合の送
信波と表面エコー等の説明図である。

【図３】 図３は、ＩＣサンプルにおける実測された剥
離厚さと受信電圧比との特性を示す説明図である。

【図４】 図４は、この発明の原理についての説明図で
ある。

【図５】 図５は、従来の剥離層における超音波の伝達
特性とこの発明におけるギャップについての考え方の説
明図である。

【符号の説明】

１…超音波探傷器部、１ａ…パルサ、１ｂ…受信部、２
…Ａ／Ｄ変換回路、３…波形データメモリ、４…操作パ
ネル、５…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、６…ＲＡ
Ｍ、７…ＲＯＭ、８…ＣＲＴ表示装置、１６…プロー
ブ、１８…被検体、１０…超音波測定装置、６１…画像
メモリ部、６２…パラメータ等記憶領域、６３…受信音
圧傾き−ギャップテーブル、７１…Ｂ，Ｃスコープ画像
等演算処理プログラム、７２…最大ピーク値採取プログ
ラム、７３…受信音圧傾き・ギャップ算出プログラム、
７４…表示プログラム。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被検体内部の欠陥の厚さを測定する超音波
   測定装置において、超音波探触子をパルス駆動して前記
   厚さに対してほぼ垂直な方向から前記欠陥に超音波を照
   射し、前記欠陥からの反射波音圧あるいは透過波音圧を
   採取するものであって、前記パルスの電圧を変化させて
   複数回測定し、測定した結果得られる複数の前記音圧に
   基づき前記パルス電圧に対する音圧変化率を算出し、こ
   の変化率に対してあらかじめ求められた変化率と厚さと
   の関係式あるいは関係値により前記欠陥の厚さを得る超
   音波測定装置。
2. 【請求項２】被検体内部の欠陥の厚さを測定する超音波
   測定装置において、超音波探触子をパルス駆動して前記
   厚さに対してほぼ垂直な方向から前記欠陥に超音波を照
   射し、前記欠陥からのエコーの最大ピーク値を採取する
   ものであって、前記パルスの電圧をあらかじめ決められ
   た基準の電圧に設定して前記最大ピーク値を採取し、さ
   らに前記パルスの電圧を変化させて前記最大ピーク値を
   複数回採取し、得られた最大ピーク値に対して前記基準
   の電圧において採取された最大ピーク値との比を採り、
   この比の前記パルス電圧に対する傾きを算出して、この
   傾きに対してあらかじめ求められた傾きと厚さとの関係
   式あるいは関係値により前記欠陥の厚さを得る超音波測
   定装置。
3. 【請求項３】欠陥からのエコーの最大ピーク値に替えて
   透過波を採取するものであって、透過波の最小ピーク値
   を最大ピーク値に替えて採取する請求項２記載の超音波
   測定装置。