JPH0642498B2 - レーザ・ワイヤ・ボンデイング装置におけるモニタ装置 - Google Patents
レーザ・ワイヤ・ボンデイング装置におけるモニタ装置Info
- Publication number
- JPH0642498B2 JPH0642498B2 JP63316574A JP31657488A JPH0642498B2 JP H0642498 B2 JPH0642498 B2 JP H0642498B2 JP 63316574 A JP63316574 A JP 63316574A JP 31657488 A JP31657488 A JP 31657488A JP H0642498 B2 JPH0642498 B2 JP H0642498B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- bonding
- wire
- signal
- reflected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
- B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05155—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45565—Single coating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45644—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48844—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78261—Laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/789—Means for monitoring the connection process
- H01L2224/78901—Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/8521—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
- H01L2224/85214—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/859—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0101—Neon [Ne]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01018—Argon [Ar]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20755—Diameter ranges larger or equal to 50 microns less than 60 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明はレーザ・ワイヤ・ボンディングに関し、さらに
具体的には、レーザ・ワイヤ・ボンディング中に、ボン
ディングされるワイヤの反射率の変化を利用してレーザ
処理を制御するという、フィードバック制御機構を含む
光プロセス・モニタに関するものである。
具体的には、レーザ・ワイヤ・ボンディング中に、ボン
ディングされるワイヤの反射率の変化を利用してレーザ
処理を制御するという、フィードバック制御機構を含む
光プロセス・モニタに関するものである。
B.従来技術 レーザ・ワイヤ・ボンディングは、従来、金属加工片を
相互に接合するのに使用され、具体的には電子回路の実
装で、コンタクト・パッドを微細なワイヤまたはリボン
と接合するのに使用されてきた。
相互に接合するのに使用され、具体的には電子回路の実
装で、コンタクト・パッドを微細なワイヤまたはリボン
と接合するのに使用されてきた。
このボンディング法では、光ファイバを用いてレーザ・
エネルギーをキャピラリー上のボンディング・チップに
供給することが必要である。レーザ・エネルギーでチッ
プが加熱され、この局所的加熱と、ワイヤを押しつけて
コンタクト・パッドと密着させるために加えられる圧力
とがあいまって、ワイヤがコンタクト・パッドにボンデ
ィングされる。レーザ・ボンディング工程を実施するた
めのこうした一つの装置が、本出願人と同一の出願に係
るN.G.エインズリー(Ainslie)等の“表面熱ボンデ
ィング装置(Apparatus for Thermo Bonding Surface
s)”と題する米国特許第4534811号に記載され
ている。
エネルギーをキャピラリー上のボンディング・チップに
供給することが必要である。レーザ・エネルギーでチッ
プが加熱され、この局所的加熱と、ワイヤを押しつけて
コンタクト・パッドと密着させるために加えられる圧力
とがあいまって、ワイヤがコンタクト・パッドにボンデ
ィングされる。レーザ・ボンディング工程を実施するた
めのこうした一つの装置が、本出願人と同一の出願に係
るN.G.エインズリー(Ainslie)等の“表面熱ボンデ
ィング装置(Apparatus for Thermo Bonding Surface
s)”と題する米国特許第4534811号に記載され
ている。
ボンディング工程はレーザ・エネルギーによって起こる
熱作用に基づくので、加えるエネルギーの出力レベルや
持続期間等、レーザ・エネルギーのある種の変数または
パラメータを制御することが重要である。加熱し過ぎる
と、ワイヤが融け過ぎたり、またコンタクト・パッドを
支持するセラミック基板内の熱応力によって亀裂が生じ
たりする恐れがある。加熱が不十分だと、ボンディング
が不十分となる。コンタクト・パッドの加熱条件は基板
上の位置によって変わるので、予め所定のレーザ出力レ
ベルとレーザ・パルス持続期間を用いて、様々な位置に
あるコンタクト・パッドをすべて十分にボンディングす
ることが必ずしも常に可能ではない。たとえば、ガラス
・セラミック基板上のコンタクト・パッドにワイヤをボ
ンディングするとき、ビアの真上にあるコンタクト・パ
ッドにボンディングする方がビアの上にないコンタクト
・パッドにボンディングするよりも2倍もエネルギーが
必要である。この所要エネルギーの違いは、ビア中にあ
る熱伝導率の高い銅の吸熱作用の結果である。コンタク
ト・パッドの下のワイヤ位置は十分に画定されていない
ことが多いので、様々なコンタクト・パッド位置でボン
ディングを行なうためのレーザ・エネルギーを制御する
モニタを設けることが重要である。
熱作用に基づくので、加えるエネルギーの出力レベルや
持続期間等、レーザ・エネルギーのある種の変数または
パラメータを制御することが重要である。加熱し過ぎる
と、ワイヤが融け過ぎたり、またコンタクト・パッドを
支持するセラミック基板内の熱応力によって亀裂が生じ
たりする恐れがある。加熱が不十分だと、ボンディング
が不十分となる。コンタクト・パッドの加熱条件は基板
上の位置によって変わるので、予め所定のレーザ出力レ
ベルとレーザ・パルス持続期間を用いて、様々な位置に
あるコンタクト・パッドをすべて十分にボンディングす
ることが必ずしも常に可能ではない。たとえば、ガラス
・セラミック基板上のコンタクト・パッドにワイヤをボ
ンディングするとき、ビアの真上にあるコンタクト・パ
ッドにボンディングする方がビアの上にないコンタクト
・パッドにボンディングするよりも2倍もエネルギーが
必要である。この所要エネルギーの違いは、ビア中にあ
る熱伝導率の高い銅の吸熱作用の結果である。コンタク
ト・パッドの下のワイヤ位置は十分に画定されていない
ことが多いので、様々なコンタクト・パッド位置でボン
ディングを行なうためのレーザ・エネルギーを制御する
モニタを設けることが重要である。
従来のボンディング監視方法では、熱電対センサを使っ
てボンディング部位の瞬間温度を測定していた。こうし
た配置は、P.チャルコ(Chalco)等の論文“レーザ・
エネルギーを用いた離散式ワイヤ・ボンディング(Disc
rete Wire Bonding Using Laser Energy)”、1987
年度国際マイクロエレクトロニクス・シンポジウム報告
要旨集(Proceedings of the 1987 International Symp
osium on Microelectronics)、1987年9月28−
30日のp.435以下に記載されている。
てボンディング部位の瞬間温度を測定していた。こうし
た配置は、P.チャルコ(Chalco)等の論文“レーザ・
エネルギーを用いた離散式ワイヤ・ボンディング(Disc
rete Wire Bonding Using Laser Energy)”、1987
年度国際マイクロエレクトロニクス・シンポジウム報告
要旨集(Proceedings of the 1987 International Symp
osium on Microelectronics)、1987年9月28−
30日のp.435以下に記載されている。
C.開示の概要 大部分の金属では、温度が上がるにつれて反射率が着実
に減少し、融点に達すると急激な低下が見られる。本発
明では、ボンディング中に温度変化と溶融されるワイヤ
の形状の変化とによって起こるワイヤの反射率の変化を
監視する。監視したワイヤの反射率を、レーザ・ワイヤ
・ボンディングに使用するレーザに対するフィードバッ
ク制御として処理する。こうした実時間モニタの仕様に
より、基板上のすべての位置でコンタクト・パッドに適
切なボンディングを行なうことが可能となる。
に減少し、融点に達すると急激な低下が見られる。本発
明では、ボンディング中に温度変化と溶融されるワイヤ
の形状の変化とによって起こるワイヤの反射率の変化を
監視する。監視したワイヤの反射率を、レーザ・ワイヤ
・ボンディングに使用するレーザに対するフィードバッ
ク制御として処理する。こうした実時間モニタの仕様に
より、基板上のすべての位置でコンタクト・パッドに適
切なボンディングを行なうことが可能となる。
したがって、本発明の主目的は、レーザ・ワイヤ・ボン
ディング装置でフィードバック制御を行なうための反射
率モニタを提供することである。
ディング装置でフィードバック制御を行なうための反射
率モニタを提供することである。
本発明の第2の目的は、レーザ・ワイヤ・ボンディング
装置で、ワイヤ・ボンディングに使うレーザの工程パラ
メータを制御するためのフィードバック信号を供給する
反射率モニタを提供することである。
装置で、ワイヤ・ボンディングに使うレーザの工程パラ
メータを制御するためのフィードバック信号を供給する
反射率モニタを提供することである。
本発明のその他の目的は、下記の明細書を添付の図面と
合わせ読めばさらに明らかになる。
合わせ読めばさらに明らかになる。
D.実施例 第1図には、基板18上のパッド14にワイヤ12をボ
ンディングするのに使うNd:YAGレーザ10(以下
ではYAGレーザと呼ぶこともある)を示す。通常、ワ
イヤ12は直径50ミクロンの銅線を2000Åの金属
で被覆したものであり、コンタクト・パッド14は0.
2ミクロンの金/ニッケル・パッドである。好ましい実
施例では、レーザは、波長1.06ミクロン、連続出力
レベル20ないし40ワットで動作する。Arイオン・
レーザ、CO2レーザ、Cu蒸気レーザなど、他の高出
力のパルス・レーザまたは連続波レーザをワイヤのボン
ディングに使ってもよい。
ンディングするのに使うNd:YAGレーザ10(以下
ではYAGレーザと呼ぶこともある)を示す。通常、ワ
イヤ12は直径50ミクロンの銅線を2000Åの金属
で被覆したものであり、コンタクト・パッド14は0.
2ミクロンの金/ニッケル・パッドである。好ましい実
施例では、レーザは、波長1.06ミクロン、連続出力
レベル20ないし40ワットで動作する。Arイオン・
レーザ、CO2レーザ、Cu蒸気レーザなど、他の高出
力のパルス・レーザまたは連続波レーザをワイヤのボン
ディングに使ってもよい。
上記のエインズリー等の特許に記載されているように、
タングステン製ボンディング・チップ18には中心孔2
0が付いている。孔20は、入口開口部22から出口孔
24へと先細形になっている。チップ先端または出口孔
24は、ワイヤ12の一般的寸法と合った形になってい
る。チップ18は、ワイヤに圧力をかけてコンタクト・
パッド14と密着させるため、図のように垂直方向に移
動する。ワイヤ12をコンタクト・パッド14にボンデ
ィングするのに必要な熱は、孔20の先細部分で形成さ
れる黒体円錐体から発生される。この円錐体は光ファイ
バ26を経てチップ18に伝わった入射レーザ光線のエ
ネルギーを吸収して、チップ先端部24の温度を上昇さ
せる。別法として、第1図のチップ18の破線32で示
すように、ファイバ26からワイヤ12に直接レーザ・
エネルギーを送ってもよい。加えた圧力と発生する熱が
あいまって、ワイヤをコンタクト・パッドにボンディン
グする。
タングステン製ボンディング・チップ18には中心孔2
0が付いている。孔20は、入口開口部22から出口孔
24へと先細形になっている。チップ先端または出口孔
24は、ワイヤ12の一般的寸法と合った形になってい
る。チップ18は、ワイヤに圧力をかけてコンタクト・
パッド14と密着させるため、図のように垂直方向に移
動する。ワイヤ12をコンタクト・パッド14にボンデ
ィングするのに必要な熱は、孔20の先細部分で形成さ
れる黒体円錐体から発生される。この円錐体は光ファイ
バ26を経てチップ18に伝わった入射レーザ光線のエ
ネルギーを吸収して、チップ先端部24の温度を上昇さ
せる。別法として、第1図のチップ18の破線32で示
すように、ファイバ26からワイヤ12に直接レーザ・
エネルギーを送ってもよい。加えた圧力と発生する熱が
あいまって、ワイヤをコンタクト・パッドにボンディン
グする。
ボンディングは、ワイヤ12とコンタクト・パッド14
の間で適切なボンディングを確保するために重要なレー
ザ10の諸パラメータを制御する熱過程である。
の間で適切なボンディングを確保するために重要なレー
ザ10の諸パラメータを制御する熱過程である。
YAGレーザ光線の反射率を測定することは可能である
が、光ファイバ26の先端28からの反射による背景信
号及び比較的大きなチップ寸法のために、反射信号の小
さな変化が観察し難くなり、別の測定法が必要である。
が、光ファイバ26の先端28からの反射による背景信
号及び比較的大きなチップ寸法のために、反射信号の小
さな変化が観察し難くなり、別の測定法が必要である。
好ましい別法は、YAGレーザの波長とは異なる波長で
動作する低出力He−Neレーザ30の使用と必要とす
るものである。好ましい実施例では、レーザ30は63
3nmの波長で動作する。レーザ30からの光経路はY
AGレーザ光線と共直線性であり、あるいは後で第3図
の実施例に関して説明するように、コールド・ミラーを
使ってYAGレーザ光線と合成する。633nm反射光
線の方が反射YAGレーザ光線よりも大きな信号の変化
が観察されるので、ボンディングの間、He−Neレー
ザ光線の反射率の変化を監視する。当業者には自明のこ
とであるが、ボンディングされたワイヤから反射される
低出力の可視レーザまたは赤外レーザを、He−Neレ
ーザ30の代わりに使ってもよい。
動作する低出力He−Neレーザ30の使用と必要とす
るものである。好ましい実施例では、レーザ30は63
3nmの波長で動作する。レーザ30からの光経路はY
AGレーザ光線と共直線性であり、あるいは後で第3図
の実施例に関して説明するように、コールド・ミラーを
使ってYAGレーザ光線と合成する。633nm反射光
線の方が反射YAGレーザ光線よりも大きな信号の変化
が観察されるので、ボンディングの間、He−Neレー
ザ光線の反射率の変化を監視する。当業者には自明のこ
とであるが、ボンディングされたワイヤから反射される
低出力の可視レーザまたは赤外レーザを、He−Neレ
ーザ30の代わりに使ってもよい。
YAGレーザ10からのレーザ・エネルギー・ビーム
は、ビーム・シャッタ11、ビーム・スプリッタ36及
びレンズ34を経て光ファイバ26に入る。光ファイバ
はレーザ・エネルギーをボンディング・チップ18のチ
ップ出口24及びパッド14にボンディングされるワイ
ヤ12の近傍に伝播する。
は、ビーム・シャッタ11、ビーム・スプリッタ36及
びレンズ34を経て光ファイバ26に入る。光ファイバ
はレーザ・エネルギーをボンディング・チップ18のチ
ップ出口24及びパッド14にボンディングされるワイ
ヤ12の近傍に伝播する。
レーザ30は、YAGレーザ光線と共直線性で出力レベ
ルが5ミリワット程度の連続波の形の線偏光ビームを光
ファイバ26を経て送る。チップ18中の破線32で示
すレーザ光線は、非偏光ビームとしてワイヤ12から反
射され、ファイバ26中を、ワイヤをボンディングする
ためのエネルギーを供給するレーザ光線の方向とは逆の
方向に伝播する。反射光線がレンズ34を通過して軸が
平行にされた後、光線の一部がビーム・スプリッタ36
で偏向される。偏向されたビームは直交偏光子38とも
う一つの集束レンズ40を経て反射鏡42に達し、そこ
で反射されてプリズム44に入り、そこで低出力レーザ
光線がYAGレーザ光線から空間的に分離され、絞り4
6を経てシリコン光検出器48または光電子倍増管上に
集束される。光検出器または光電子倍増管からの出力信
号は、反射された低出力レーザ光線の振幅に比例し、以
下ではこれを反射信号と呼ぶ。光電子倍増管は、1.0
6ミクロンの放射線に対する感度が非常に低い。光路中
の検出器48の前にHe−Ne線フィルタ50を置い
て、散乱したYAGレーザ光線を濾波することができ
る。
ルが5ミリワット程度の連続波の形の線偏光ビームを光
ファイバ26を経て送る。チップ18中の破線32で示
すレーザ光線は、非偏光ビームとしてワイヤ12から反
射され、ファイバ26中を、ワイヤをボンディングする
ためのエネルギーを供給するレーザ光線の方向とは逆の
方向に伝播する。反射光線がレンズ34を通過して軸が
平行にされた後、光線の一部がビーム・スプリッタ36
で偏向される。偏向されたビームは直交偏光子38とも
う一つの集束レンズ40を経て反射鏡42に達し、そこ
で反射されてプリズム44に入り、そこで低出力レーザ
光線がYAGレーザ光線から空間的に分離され、絞り4
6を経てシリコン光検出器48または光電子倍増管上に
集束される。光検出器または光電子倍増管からの出力信
号は、反射された低出力レーザ光線の振幅に比例し、以
下ではこれを反射信号と呼ぶ。光電子倍増管は、1.0
6ミクロンの放射線に対する感度が非常に低い。光路中
の検出器48の前にHe−Ne線フィルタ50を置い
て、散乱したYAGレーザ光線を濾波することができ
る。
He−Neレーザ光線経路中の直交偏光子38は、ファ
イバ26の前端部51から反射される偏光光線を打ち消
して、背景信号を大幅に減少させる。その上、ファイバ
26の先端28から反射される非偏光光線の振幅も、偏
光子38によって半減される。
イバ26の前端部51から反射される偏光光線を打ち消
して、背景信号を大幅に減少させる。その上、ファイバ
26の先端28から反射される非偏光光線の振幅も、偏
光子38によって半減される。
第2図に、第1図の実施例を用いたときの反射信号の波
形を示す。第2図で、曲線(a)はボンディング・チッ
プ18がワイヤ12と接触していないとき、光検出器4
8で検出される信号を示す。曲線(b)は、チップ18
がワイヤ12と接触し、YAGレーザが40ワットの出
力を60ミリ秒のパルスの形で送るときの反射信号を示
す。
形を示す。第2図で、曲線(a)はボンディング・チッ
プ18がワイヤ12と接触していないとき、光検出器4
8で検出される信号を示す。曲線(b)は、チップ18
がワイヤ12と接触し、YAGレーザが40ワットの出
力を60ミリ秒のパルスの形で送るときの反射信号を示
す。
曲線2(a)に示す信号は、チップ先端24とワイヤ1
2の間に接触がないときに発生し、He−Neビームが
ファイバ26の前端部28及びチップ18の狭い先端2
4から反射されることによる背景信号によるものであ
る。曲線2(b)に示す信号は、ワイヤ12から反射さ
れたレーザ光線と背景信号を合成したものである。当業
者には自明のことであるが、ボンディングの間のワイヤ
12の反射率の変化ははっきり見え、したがって測定可
能である。反射信号による信号レベルの増大は、ワイヤ
の融点に達するまではほぼ一定(領域52)のままであ
り、融点に達した後は、信号の振幅が比較的急激に減少
する(領域54)。
2の間に接触がないときに発生し、He−Neビームが
ファイバ26の前端部28及びチップ18の狭い先端2
4から反射されることによる背景信号によるものであ
る。曲線2(b)に示す信号は、ワイヤ12から反射さ
れたレーザ光線と背景信号を合成したものである。当業
者には自明のことであるが、ボンディングの間のワイヤ
12の反射率の変化ははっきり見え、したがって測定可
能である。反射信号による信号レベルの増大は、ワイヤ
の融点に達するまではほぼ一定(領域52)のままであ
り、融点に達した後は、信号の振幅が比較的急激に減少
する(領域54)。
第3図に示した別の好ましい実施例では、Nd:YAG
レーザ10がシャッタ11を通してレーザ・エネルギー
を伝える。シャッタ11の開閉は、反射信号に応答する
制御信号によって、あるいは、たとえば後で第5図に関
して説明するようにパーソナル・コンピュータから供給
される所定の時間持続する制御信号によって制御する。
シャッタ11を通過したレーザ光線は、コールド・ミラ
ー56を通過する。同時に、He−Neレーザ30から
出た低出力レーザ光線がビーム・スプリッタ58を経て
コールド・ミラー56に達し、そこでYAGレーザ10
からのレーザ光線とHe−Neレーザ30からのレーザ
光線が合成される。合成された光線はレンズ60を通っ
て光ファイバ26に入る。光線は、第1図の実施例に関
して説明したように、ボンディング・チップ18との間
をファイバ26に沿って伝播する。2つのレーザ光線の
アラインメントは、第3図に示した配置を用いると容易
に行なえる。
レーザ10がシャッタ11を通してレーザ・エネルギー
を伝える。シャッタ11の開閉は、反射信号に応答する
制御信号によって、あるいは、たとえば後で第5図に関
して説明するようにパーソナル・コンピュータから供給
される所定の時間持続する制御信号によって制御する。
シャッタ11を通過したレーザ光線は、コールド・ミラ
ー56を通過する。同時に、He−Neレーザ30から
出た低出力レーザ光線がビーム・スプリッタ58を経て
コールド・ミラー56に達し、そこでYAGレーザ10
からのレーザ光線とHe−Neレーザ30からのレーザ
光線が合成される。合成された光線はレンズ60を通っ
て光ファイバ26に入る。光線は、第1図の実施例に関
して説明したように、ボンディング・チップ18との間
をファイバ26に沿って伝播する。2つのレーザ光線の
アラインメントは、第3図に示した配置を用いると容易
に行なえる。
戻ってきた反射レーザ光線は、光ファイバ26を出てレ
ンズ60を通過し、コールド・ミラー56とビーム・ス
プリッタ58で反射される。次に、光線は偏光子62を
通過し、そこで光ファイバの前端部51から反射された
信号が除去される。偏光子62を通過したビームは光検
出器48で検出される。反射信号は、シャッタ11のフ
ィードバック制御信号として処理するために、あるいは
別の配置ではYAGレーザ10からの出力を制御するた
めに、導線66に沿って供給される。
ンズ60を通過し、コールド・ミラー56とビーム・ス
プリッタ58で反射される。次に、光線は偏光子62を
通過し、そこで光ファイバの前端部51から反射された
信号が除去される。偏光子62を通過したビームは光検
出器48で検出される。反射信号は、シャッタ11のフ
ィードバック制御信号として処理するために、あるいは
別の配置ではYAGレーザ10からの出力を制御するた
めに、導線66に沿って供給される。
第4図に、第3図の好ましい実施例を用いたときの反射
信号の波形を示す。これらの波形は、それぞれワイヤを
ボンディングする表面上に同じ厚さの層を備えた、アル
ミナ、サファイア及び石英基板での結果を示す。どの場
合にも、同じボンディング用レーザ出力を加える。第2
図の波形とは違って、融点での信号振幅の減少はずっと
顕著であり、ずっと検出しやすい。当業者には自明のこ
とであるが、比較的熱不良導体である石英基板にボンデ
ィングしたワイヤは、アルミナやサファイア基板上と熱
良導体にボンディングしたワイヤよりも早く融解する。
信号の波形を示す。これらの波形は、それぞれワイヤを
ボンディングする表面上に同じ厚さの層を備えた、アル
ミナ、サファイア及び石英基板での結果を示す。どの場
合にも、同じボンディング用レーザ出力を加える。第2
図の波形とは違って、融点での信号振幅の減少はずっと
顕著であり、ずっと検出しやすい。当業者には自明のこ
とであるが、比較的熱不良導体である石英基板にボンデ
ィングしたワイヤは、アルミナやサファイア基板上と熱
良導体にボンディングしたワイヤよりも早く融解する。
アルミナを主体とする基板での試験では、十分なボンデ
ィングを実現するために、ワイヤの表面融解が検出され
てから20ないし30ミリ秒の間YAGレーザでレーザ
・エネルギーを供給するのが好ましいことが観察され
た。“オン”タイムでYAGレーザ10の調節を行なう
ために、反射信号を導線66に沿ってコンピュータに供
給する。コンピュータは、後で説明するように、データ
獲得・割当てソフトウェアを用いて処理を行なう。各パ
ッド位置でワイヤの融解開始が検出されると、コンピュ
ータは、事前設定した時間後にシャッタ11を閉じて、
YAGレーザ10からの光線を遮断させる。第5図の配
置は、パッド位置の熱環境がどうであれ、十分なボンデ
ィングを保証する。同様に、後で第6図に関して説明す
るように、ボンディング・サイクル中にYAGレーザ1
0の出力を制御することができる。当業者には自明のよ
うに、レーザ10の監視と制御はソフトウェアを用いて
実施できる。
ィングを実現するために、ワイヤの表面融解が検出され
てから20ないし30ミリ秒の間YAGレーザでレーザ
・エネルギーを供給するのが好ましいことが観察され
た。“オン”タイムでYAGレーザ10の調節を行なう
ために、反射信号を導線66に沿ってコンピュータに供
給する。コンピュータは、後で説明するように、データ
獲得・割当てソフトウェアを用いて処理を行なう。各パ
ッド位置でワイヤの融解開始が検出されると、コンピュ
ータは、事前設定した時間後にシャッタ11を閉じて、
YAGレーザ10からの光線を遮断させる。第5図の配
置は、パッド位置の熱環境がどうであれ、十分なボンデ
ィングを保証する。同様に、後で第6図に関して説明す
るように、ボンディング・サイクル中にYAGレーザ1
0の出力を制御することができる。当業者には自明のよ
うに、レーザ10の監視と制御はソフトウェアを用いて
実施できる。
第5図に示した配置では、第3図のレーザ光線経路中の
レーザ10の前に置いたシャッタ11の開閉によって、
YAGレーザ光線のパルス振持続時間を制御する。
レーザ10の前に置いたシャッタ11の開閉によって、
YAGレーザ光線のパルス振持続時間を制御する。
アクチュエータ70からシャッタ制御装置72に信号が
送られると、ボンディング工程が開始する。アクチュエ
ータ70は、手動押ボタン始動スイッチでも、接合すべ
き部分が正しい位置にあることをセンサが感知するのに
応答する自動アクチュエータでも、あるいはレーザ・ワ
イヤ・ボンディングに使用される既知の他のアクチュエ
ータでもよい。
送られると、ボンディング工程が開始する。アクチュエ
ータ70は、手動押ボタン始動スイッチでも、接合すべ
き部分が正しい位置にあることをセンサが感知するのに
応答する自動アクチュエータでも、あるいはレーザ・ワ
イヤ・ボンディングに使用される既知の他のアクチュエ
ータでもよい。
第3図に関して先に説明したようなボンディング工程中
に、光電子倍増管48は反射He−Neレーザ光を連続
的に監視して、実時間アナログ信号を時間制御回路74
に供給する。好ましい実施例では時間制御回路は、パー
ソナル・コンピュータに内蔵された適当にプログラミン
グされたDACカードである。光電子倍増管48からの
反射信号は、導線66を経てアナログ・ディジタル変換
器76に送られ、そこで信号が2KHzの速度で抽出され
る。微分した反射信号の方が反射信号よりも融解開始を
示す指標として有用なことが認められた。したがって、
アナログ・ディジタル変換器76の出力信号を微分器7
8の入力端に供給し、その出力信号として、やはり速度
2KHzで入力信号の1次時間導関数を供給させる。微分
器78からの微分出力信号は速度比較回路80に供給さ
れ、比較回路80はその上限に達したとき時間遅延回路
82に開始信号を供給する。時間遅延回路はYAGレー
ザの出力に応じて設定することができ、通常は0から5
0ミリ秒の間の値をとる。時間遅延の完了後、シャッタ
制御装置72に停止信号が供給されてシャッタ11を閉
じ、あるいは他の方法でレーザ光線を妨害する。また、
通常のタイマ回路(図示せず)が設けられており、所定
の時間後に停止信号を供給する。この所定時間は、光電
子倍増管48からの信号の変化が時間制御回路74で検
出、測定されなかった場合に、予想制御時間を超える。
に、光電子倍増管48は反射He−Neレーザ光を連続
的に監視して、実時間アナログ信号を時間制御回路74
に供給する。好ましい実施例では時間制御回路は、パー
ソナル・コンピュータに内蔵された適当にプログラミン
グされたDACカードである。光電子倍増管48からの
反射信号は、導線66を経てアナログ・ディジタル変換
器76に送られ、そこで信号が2KHzの速度で抽出され
る。微分した反射信号の方が反射信号よりも融解開始を
示す指標として有用なことが認められた。したがって、
アナログ・ディジタル変換器76の出力信号を微分器7
8の入力端に供給し、その出力信号として、やはり速度
2KHzで入力信号の1次時間導関数を供給させる。微分
器78からの微分出力信号は速度比較回路80に供給さ
れ、比較回路80はその上限に達したとき時間遅延回路
82に開始信号を供給する。時間遅延回路はYAGレー
ザの出力に応じて設定することができ、通常は0から5
0ミリ秒の間の値をとる。時間遅延の完了後、シャッタ
制御装置72に停止信号が供給されてシャッタ11を閉
じ、あるいは他の方法でレーザ光線を妨害する。また、
通常のタイマ回路(図示せず)が設けられており、所定
の時間後に停止信号を供給する。この所定時間は、光電
子倍増管48からの信号の変化が時間制御回路74で検
出、測定されなかった場合に、予想制御時間を超える。
時間制御回路74に関して先に説明した諸要素は、適当
なハードウェアの設計及び適当なソフトウェアのプログ
ラミング技術の当業者には周知である。
なハードウェアの設計及び適当なソフトウェアのプログ
ラミング技術の当業者には周知である。
第6図に、出力制御式レーザ構成の好ましい実施例を示
す。第5図と共通の素子は同じ参照番号で示し、第5図
に関して先に説明したのと同じ機能を実行する。第6図
の実施例では、YAGレーザ10を制御するために、シ
ャッタ制御装置72の代わりに音響光学式変調ドライバ
90を使用する。同様に、音響光学式変調器は第1図及
び第3図のシャッタ11の代用にもなる。
す。第5図と共通の素子は同じ参照番号で示し、第5図
に関して先に説明したのと同じ機能を実行する。第6図
の実施例では、YAGレーザ10を制御するために、シ
ャッタ制御装置72の代わりに音響光学式変調ドライバ
90を使用する。同様に、音響光学式変調器は第1図及
び第3図のシャッタ11の代用にもなる。
始動信号がアクチュエータ70からランプ・エネーブル
回路84に供給されると、ボンディング工程が開始す
る。エネーブル回路84はランプ波形発生器86にエネ
ーブル信号を供給する。ランプ波形発生器86は、エネ
ーブル信号に応答して、予めプログラミングした勾配ま
たは上昇速度をもつ正に向かうランプ波形信号を発生さ
せる。発生器86から出たランプ波形信号は、ディジタ
ル・アナログ変換器88に供給される。ディジタル・ア
ナログ変換器88は、ランプ波形信号に比例する変換さ
れたアナログ信号をアナログ音響光ドライバ90に供給
する。ドライバ90は、ボンディング時間中、音響光変
調器(図示せず)に、YAGレーザ10の光線が、第1
図に関して一般的に説明したレーザ・ワイヤ・ボンディ
ング・システムを通過できるようにさせる。時間遅延回
路82がその遅延時間を完了した後、出力制御回路92
中で、発生器86に、負に向かうランプ波形出力信号を
ディジタル・アナログ変換器88に供給させるための信
号が、導線94に沿ってランプ波形発生器86に供給さ
れる。ディジタル・アナログ変換器88は、音響光変調
器にYAGレーザ10の光線を偏光させるための変換さ
れた信号をアナログ音響光ドライバ90に供給する。第
6図の好ましい実施例では、YAGレーザ10は連続的
に出力を発生させる。したがって、音響光変調器を含む
光学的構成は、さらに、音響光変調器の回析パターンの
使用されない閉塞部分と整列したビーム・ダンプまたは
ビーム負荷を含む。レーザ光線の出力は、出力制御回路
92及び音響光変調器のおかげで反射信号に応答して変
調される。
回路84に供給されると、ボンディング工程が開始す
る。エネーブル回路84はランプ波形発生器86にエネ
ーブル信号を供給する。ランプ波形発生器86は、エネ
ーブル信号に応答して、予めプログラミングした勾配ま
たは上昇速度をもつ正に向かうランプ波形信号を発生さ
せる。発生器86から出たランプ波形信号は、ディジタ
ル・アナログ変換器88に供給される。ディジタル・ア
ナログ変換器88は、ランプ波形信号に比例する変換さ
れたアナログ信号をアナログ音響光ドライバ90に供給
する。ドライバ90は、ボンディング時間中、音響光変
調器(図示せず)に、YAGレーザ10の光線が、第1
図に関して一般的に説明したレーザ・ワイヤ・ボンディ
ング・システムを通過できるようにさせる。時間遅延回
路82がその遅延時間を完了した後、出力制御回路92
中で、発生器86に、負に向かうランプ波形出力信号を
ディジタル・アナログ変換器88に供給させるための信
号が、導線94に沿ってランプ波形発生器86に供給さ
れる。ディジタル・アナログ変換器88は、音響光変調
器にYAGレーザ10の光線を偏光させるための変換さ
れた信号をアナログ音響光ドライバ90に供給する。第
6図の好ましい実施例では、YAGレーザ10は連続的
に出力を発生させる。したがって、音響光変調器を含む
光学的構成は、さらに、音響光変調器の回析パターンの
使用されない閉塞部分と整列したビーム・ダンプまたは
ビーム負荷を含む。レーザ光線の出力は、出力制御回路
92及び音響光変調器のおかげで反射信号に応答して変
調される。
当業者には自明のことであるが、第6図の実施例は、通
常の回路を用いても、また好ましいプログラミング手段
によっても構成することができる。
常の回路を用いても、また好ましいプログラミング手段
によっても構成することができる。
上記の反射モニタは、十分なワイヤ・ボンディングを確
保することに関して使用したが、この一般原理が適用で
きる適用分野は、他にも多数ある。たとえば、同じ原理
を応用して、タブ自動ボンディング用のレーザ・ボール
・テープ工程を制御することができる。さらに、加熱領
域から放出される赤外線を、光ファイバを経てボンディ
ング領域から赤外検出器に送り、YAGレーザを制御す
ることもできる。
保することに関して使用したが、この一般原理が適用で
きる適用分野は、他にも多数ある。たとえば、同じ原理
を応用して、タブ自動ボンディング用のレーザ・ボール
・テープ工程を制御することができる。さらに、加熱領
域から放出される赤外線を、光ファイバを経てボンディ
ング領域から赤外検出器に送り、YAGレーザを制御す
ることもできる。
もう一つの適用例では、検出された信号を使って、ファ
イバ26の前端の摩耗または劣化、あるいはファイバ末
端の損傷また研摩を監視することができる。上記の実施
例で濾波される、検出信号の様々な部分がこの目的で監
視される。
イバ26の前端の摩耗または劣化、あるいはファイバ末
端の損傷また研摩を監視することができる。上記の実施
例で濾波される、検出信号の様々な部分がこの目的で監
視される。
さらにもう一つの適用例では、モニタはワイヤの熱環境
を検出することができる。その端部領域またはその付近
でボンディングされたワイヤは、その長さ全体にわたっ
て1つの直線方向のみに熱を発散させる。端部領域から
離れた中心領域にボンディングされた別のワイヤは、ワ
イヤの長さ全体にわたって直線方向に両方向に熱を発散
させる。熱発散速度が異なるため、モニタは中心領域よ
りも端部領域に近い所でボンディングが行なわれるとき
の方がワイヤの融解を早く検出することができる。こう
した位置監視は、1本のワイヤによる多重ボンディン
グ、あるいはワイヤの長手方向に沿って所期の位置でボ
ンディングを行ないたい場合に有用である。
を検出することができる。その端部領域またはその付近
でボンディングされたワイヤは、その長さ全体にわたっ
て1つの直線方向のみに熱を発散させる。端部領域から
離れた中心領域にボンディングされた別のワイヤは、ワ
イヤの長さ全体にわたって直線方向に両方向に熱を発散
させる。熱発散速度が異なるため、モニタは中心領域よ
りも端部領域に近い所でボンディングが行なわれるとき
の方がワイヤの融解を早く検出することができる。こう
した位置監視は、1本のワイヤによる多重ボンディン
グ、あるいはワイヤの長手方向に沿って所期の位置でボ
ンディングを行ないたい場合に有用である。
第1図は、レーザ・ワイヤ・ボンディングの間に反射レ
ーザ光線を検出するための構成の概略図である。 第2図は、第1図の構成を使用するときのワイヤ・ボン
ディング工程中の反射レーザ光線のグラフである。 第3図は、本発明を実施するための別の構成の概略図で
ある。 第4図は、第3図の構成を使用するときのワイヤ・ボン
ディング工程中の反射レーザ光線のグラフである。 第5図は、レーザ・ワイヤ・ボンディング中にレーザの
持続時間制御を行なうための回路構成の概略図である。 第6図は、レーザ・ワイヤ・ボンディング中にレーザの
出力レベル制御を行なうための回路構成の概略図であ
る。 10……Nd:YAGレーザ、12……ワイヤ、14…
…コンタクト・パッド、16……基板、18……ボンデ
ィング・チップ、20……中心孔、22……入口開口、
24……出口孔、26……光ファイバ、28……ファイ
バ前端部、30……低出力He−Neレーザ、32……
レーザ光線、34、40、60……レンズ、36、58
……ビーム・スプリッタ、38、62……偏光子、4
2、56……ミラー、44……プリズム、46……絞
り、48……光検出器、50……線フィルタ。
ーザ光線を検出するための構成の概略図である。 第2図は、第1図の構成を使用するときのワイヤ・ボン
ディング工程中の反射レーザ光線のグラフである。 第3図は、本発明を実施するための別の構成の概略図で
ある。 第4図は、第3図の構成を使用するときのワイヤ・ボン
ディング工程中の反射レーザ光線のグラフである。 第5図は、レーザ・ワイヤ・ボンディング中にレーザの
持続時間制御を行なうための回路構成の概略図である。 第6図は、レーザ・ワイヤ・ボンディング中にレーザの
出力レベル制御を行なうための回路構成の概略図であ
る。 10……Nd:YAGレーザ、12……ワイヤ、14…
…コンタクト・パッド、16……基板、18……ボンデ
ィング・チップ、20……中心孔、22……入口開口、
24……出口孔、26……光ファイバ、28……ファイ
バ前端部、30……低出力He−Neレーザ、32……
レーザ光線、34、40、60……レンズ、36、58
……ビーム・スプリッタ、38、62……偏光子、4
2、56……ミラー、44……プリズム、46……絞
り、48……光検出器、50……線フィルタ。
Claims (1)
- 【請求項1】第1の波長における高出力レーザ・エネル
ギー・ビームを用いてボンディング・ワイヤをコンタク
ト・パッドにボンディングするためのレーザ・ワイヤ・
ボンディング装置における前記高出力レーザ・エネルギ
ーを制御するためのモニタ装置であって、 前記高出力レーザ・エネルギー・ビームと共通する線型
性を有し、ボンディング中にワイヤにより反射されるた
めの、第2の波長において低出力レーザ・エネルギーを
放出するレーザ手段と、 前記反射された低出力レーザ・エネルギーを検知すると
ともにその検知値に比例する反射信号を発する検知手段
と、 前記反射信号に応じて前記高出力レーザ・エネルギー・
ビームを制御する制御手段と、 を有するレーザ・ワイヤ・ボンディング装置におけるモ
ニタ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US165319 | 1980-07-02 | ||
US07/165,319 US4845354A (en) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | Process control for laser wire bonding |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01241139A JPH01241139A (ja) | 1989-09-26 |
JPH0642498B2 true JPH0642498B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=22598416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63316574A Expired - Lifetime JPH0642498B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-12-16 | レーザ・ワイヤ・ボンデイング装置におけるモニタ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4845354A (ja) |
EP (1) | EP0331891B1 (ja) |
JP (1) | JPH0642498B2 (ja) |
DE (1) | DE68902494D1 (ja) |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4927226A (en) * | 1989-03-27 | 1990-05-22 | General Electric Company | Multiplexer for high power CW lasers |
JP2798218B2 (ja) * | 1990-01-08 | 1998-09-17 | 三菱重工業株式会社 | レーザ溶接モニタリング装置 |
US5048953A (en) * | 1990-02-05 | 1991-09-17 | Industrial Technology Research Institute | Optical collimating, laser ray target position indicating and laser ray absorbing device of a laser system |
DE9004934U1 (ja) * | 1990-04-30 | 1991-08-29 | Rofin-Sinar Laser Gmbh, 2000 Hamburg, De | |
US5083007A (en) * | 1990-08-01 | 1992-01-21 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Bonding metal electrical members with a frequency doubled pulsed laser beam |
FR2667810B1 (fr) * | 1990-10-10 | 1995-02-17 | Framatome Sa | Procede et dispositif de travail au laser avec controle a distance. |
AT399117B (de) * | 1991-05-27 | 1995-03-27 | Schuoecker Dieter Dipl Ing Dr | Verfahren zur automatisierten qualitätskontrolle für die lasermaterialbearbeitung |
DE4137232C1 (ja) * | 1991-11-13 | 1993-05-06 | Deutsche Aerospace Ag, 8000 Muenchen, De | |
DE4333501C2 (de) * | 1993-10-01 | 1998-04-09 | Univ Stuttgart Strahlwerkzeuge | Verfahren zur Bestimmung der momentanen und Herbeiführung einer gewünschten Eindringtiefe eines Bearbeitungslaserstrahles in ein Werkstück sowie Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
US6204074B1 (en) * | 1995-01-09 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Chip design process for wire bond and flip-chip package |
US5731244A (en) * | 1996-05-28 | 1998-03-24 | Micron Technology, Inc. | Laser wire bonding for wire embedded dielectrics to integrated circuits |
US6112972A (en) * | 1996-12-19 | 2000-09-05 | Texas Instruments Incorporated | Wire bonding with capillary realignment |
US5938952A (en) * | 1997-01-22 | 1999-08-17 | Equilasers, Inc. | Laser-driven microwelding apparatus and process |
US6822187B1 (en) | 1998-09-09 | 2004-11-23 | Gsi Lumonics Corporation | Robotically operated laser head |
US6501043B1 (en) | 1999-10-22 | 2002-12-31 | Medtronic, Inc. | Apparatus and method for laser welding of ribbons |
US6747244B1 (en) * | 1999-11-30 | 2004-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser working apparatus, laser working method, method for producing ink jet recording head utilizing such laser working apparatus or method, and ink jet recording head formed by such producing method |
AU2001238090A1 (en) | 2000-04-01 | 2001-10-15 | Corning Incorporated | Heating method and device |
US6423928B1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-07-23 | Ase Americas, Inc. | Gas assisted laser cutting of thin and fragile materials |
US6520399B1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-02-18 | Raytheon Company | Thermosonic bonding apparatus, tool, and method |
ATE358547T1 (de) | 2003-05-13 | 2007-04-15 | Lasag Ag | Laser punktschweissverfahren und -vorrichtung zum wirksamen prüfen der schweissqualität |
EP1537938A3 (en) | 2003-12-02 | 2009-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device |
EP1553643A3 (en) * | 2003-12-26 | 2009-01-21 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and method for manufacturing crystalline semiconductor film |
EP1547719A3 (en) * | 2003-12-26 | 2009-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing crystalline semiconductor film |
JP2006066794A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Miyachi Technos Corp | ワイヤボンディング方法 |
CN101053079A (zh) | 2004-11-03 | 2007-10-10 | 德塞拉股份有限公司 | 堆叠式封装的改进 |
US7677432B2 (en) * | 2005-05-03 | 2010-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Spot heat wirebonding |
JP4710700B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2011-06-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
US8058101B2 (en) | 2005-12-23 | 2011-11-15 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
DE102007017363B4 (de) * | 2007-04-03 | 2010-09-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Bauteilen |
SG155779A1 (en) * | 2008-03-10 | 2009-10-29 | Micron Technology Inc | Apparatus and methods of forming wire bonds |
US8008615B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-08-30 | The Invention Science Fund I, Llc | Beam power with broadcaster impingement detection |
US8168930B2 (en) * | 2008-09-30 | 2012-05-01 | The Invention Science Fund I, Llc | Beam power for local receivers |
US7786419B2 (en) * | 2008-09-30 | 2010-08-31 | The Invention Science Fund I, Llc | Beam power with beam redirection |
US8026466B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-09-27 | The Invention Science Fund I | Beam power with receiver impingement detection |
US8803053B2 (en) * | 2008-09-30 | 2014-08-12 | The Invention Science Fund I, Llc | Beam power with multipoint reception |
US8264101B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-09-11 | The Invention Science Fund I, Llc | Beam power with multiple power zones |
US8058609B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-11-15 | The Invention Science Fund I, Llc | Beam power with multipoint broadcast |
US9159708B2 (en) | 2010-07-19 | 2015-10-13 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors |
US8482111B2 (en) | 2010-07-19 | 2013-07-09 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages |
US20120146206A1 (en) | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Tessera Research Llc | Pin attachment |
KR101128063B1 (ko) | 2011-05-03 | 2012-04-23 | 테세라, 인코포레이티드 | 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리 |
US8836136B2 (en) | 2011-10-17 | 2014-09-16 | Invensas Corporation | Package-on-package assembly with wire bond vias |
US8946757B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-02-03 | Invensas Corporation | Heat spreading substrate with embedded interconnects |
US8372741B1 (en) | 2012-02-24 | 2013-02-12 | Invensas Corporation | Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
US9349706B2 (en) | 2012-02-24 | 2016-05-24 | Invensas Corporation | Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
US8835228B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-09-16 | Invensas Corporation | Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect |
US9391008B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-07-12 | Invensas Corporation | Reconstituted wafer-level package DRAM |
US9502390B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | BVA interposer |
US8878353B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-11-04 | Invensas Corporation | Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface |
US9136254B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-09-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer |
US9167710B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-10-20 | Invensas Corporation | Embedded packaging with preformed vias |
US9685365B2 (en) | 2013-08-08 | 2017-06-20 | Invensas Corporation | Method of forming a wire bond having a free end |
US20150076714A1 (en) | 2013-09-16 | 2015-03-19 | Invensas Corporation | Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface |
US9263394B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-02-16 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
US9583456B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
US9379074B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-06-28 | Invensas Corporation | Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects |
US9583411B2 (en) | 2014-01-17 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing |
US10381326B2 (en) | 2014-05-28 | 2019-08-13 | Invensas Corporation | Structure and method for integrated circuits packaging with increased density |
US9412714B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-08-09 | Invensas Corporation | Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom |
US9735084B2 (en) | 2014-12-11 | 2017-08-15 | Invensas Corporation | Bond via array for thermal conductivity |
US9888579B2 (en) | 2015-03-05 | 2018-02-06 | Invensas Corporation | Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips |
US9502372B1 (en) | 2015-04-30 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer |
US9761554B2 (en) | 2015-05-07 | 2017-09-12 | Invensas Corporation | Ball bonding metal wire bond wires to metal pads |
US10490528B2 (en) | 2015-10-12 | 2019-11-26 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires |
US9490222B1 (en) | 2015-10-12 | 2016-11-08 | Invensas Corporation | Wire bond wires for interference shielding |
US10332854B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-06-25 | Invensas Corporation | Anchoring structure of fine pitch bva |
US10181457B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-01-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out |
US9911718B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-03-06 | Invensas Corporation | ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device |
US9659848B1 (en) | 2015-11-18 | 2017-05-23 | Invensas Corporation | Stiffened wires for offset BVA |
US9984992B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-05-29 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces |
US9935075B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-04-03 | Invensas Corporation | Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding |
US10299368B2 (en) | 2016-12-21 | 2019-05-21 | Invensas Corporation | Surface integrated waveguides and circuit structures therefor |
US11975405B2 (en) * | 2017-11-20 | 2024-05-07 | Ipg Photonics Corporation | System and method laser for processing of materials |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3485996A (en) * | 1967-01-11 | 1969-12-23 | Ibm | Laser welding |
JPS5641089A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-17 | Toshiba Corp | Laser welding method |
IT1138312B (it) * | 1981-05-06 | 1986-09-17 | Cise Spa | Interferometro con trasmissione in fibra ottica dell'informazione di fase utile |
JPS59174289A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-10-02 | Fujitsu Ltd | レ−ザ光の出力制御装置 |
US4657169A (en) * | 1984-06-11 | 1987-04-14 | Vanzetti Systems, Inc. | Non-contact detection of liquefaction in meltable materials |
-
1988
- 1988-03-08 US US07/165,319 patent/US4845354A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-16 JP JP63316574A patent/JPH0642498B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-27 EP EP89101369A patent/EP0331891B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-27 DE DE8989101369T patent/DE68902494D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0331891B1 (en) | 1992-08-19 |
EP0331891A3 (en) | 1990-03-14 |
US4845354A (en) | 1989-07-04 |
EP0331891A2 (en) | 1989-09-13 |
DE68902494D1 (de) | 1992-09-24 |
JPH01241139A (ja) | 1989-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0642498B2 (ja) | レーザ・ワイヤ・ボンデイング装置におけるモニタ装置 | |
US5774259A (en) | Photorestrictive device controller and control method therefor | |
US4657169A (en) | Non-contact detection of liquefaction in meltable materials | |
EP0150305B1 (en) | Apparatus and method for thermo bonding metallic surfaces | |
JP5378874B2 (ja) | レーザはんだ付け装置及びレーザはんだ付け方法 | |
JP2541753B2 (ja) | ボンディング方法及び装置 | |
EP0367705A2 (en) | Laser assisted ultrasonic bonding | |
JP4537763B2 (ja) | レーザ・ビームを使用したスポット溶接のための方法と装置 | |
US4389557A (en) | Semiconductor laser bonding technique | |
JP2006292424A (ja) | 光ファイバモニタ装置およびレーザ加工システム | |
JP3368494B2 (ja) | ボンディング装置 | |
JP2003273152A (ja) | ボンドワイヤ結合の生成と品質検査のための方法並びに装置 | |
JP2001252776A (ja) | 半導体レーザ加熱装置 | |
JPS58122175A (ja) | ハンダ付け装置 | |
CN110702689A (zh) | 一种对固体激光器的激光板条和热沉焊接面的检测系统 | |
JPH0658890A (ja) | はんだ濡れ性評価方法とその装置 | |
JPS58112327A (ja) | レ−ザアニ−ル装置 | |
US20050109746A1 (en) | Method for fluxless soldering of workpieces | |
US6680457B2 (en) | Reflowing of solder joints | |
JPH0783804A (ja) | ハンダ付け性試験装置 | |
JPH0456479B2 (ja) | ||
CA1152231A (en) | Semiconductor laser bonding technique | |
NL1016334C2 (nl) | Werkwijze voor het onder toepassing van een laser snijden van een composietstructuur met een of meer elektronische componenten. | |
JP2518536B2 (ja) | 半田接続装置及び方法 | |
JPH0259187A (ja) | レーザトリミング装置およびトリミング方法 |