JP2518536B2 - 半田接続装置及び方法 - Google Patents

半田接続装置及び方法

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JP2518536B2
JP2518536B2 JP5275333A JP27533393A JP2518536B2 JP 2518536 B2 JP2518536 B2 JP 2518536B2 JP 5275333 A JP5275333 A JP 5275333A JP 27533393 A JP27533393 A JP 27533393A JP 2518536 B2 JP2518536 B2 JP 2518536B2
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真司 渡辺
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品のリードと基板
のパッドとの半田接続を行う装置及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半田接続装置は、経験あるいはシ
ミュレーションにより半田付け条件を決定し、決定した
一定条件にて電子部品と基板との半田接続を行ってい
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザを加熱源
とする半田接続装置では、実験あるいはシミュレーショ
ン等の手段でレーザ照射条件を決定し、一定レーザパワ
ーあるいは一定レーザ照射時間にて電子部品を基板に接
続していた。しかし、クリーム半田・半田メッキ等の半
田供給方法の違いによりレーザの反射率は異なり、ま
た、同一の半田供給方法においても電子部品毎、または
同一部品内での各リードにおいてリード表面に施された
はんだのレーザ反射率は異なっている。そのため、従来
のような一定のレーザ照射条件では未半田やオーバーヒ
などの半田付け不良が発生しやすく、接続信頼性に
欠けるという問題があった。
【0004】そこで本発明では、半田付け部の品質の安
定性と高信頼性とを満足する半田接続装置を提供するこ
とにある.
【課題を解決するための手段】本発明の半田接続装置
は、レーザ装置のレーザ光を半田接続対象へ投光する投
光部と、レーザ光の前記半田接続対象からの反射光を受
光するディテクタと、前記ディテクタの受光量から求め
た前記半田接続対象の反射率に基づいて前記レーザ装置
及び投光部によるレーザ照射を選定する制御部とを備
えている。
【0005】本発明の半田接続方法は、レーザ装置の微
弱なレーザ光を投光部から半田接続対象へ投光して予備
加熱を行い、この予備加熱時の前記半田接続対象からの
レーザ光の反射光をディテクタで受光して前記半田接続
対象の反射率を求め、この反射率に応じて選定したレー
ザ照射に基づいて前記レーザ装置のレーザ光を前記投
光部から前記半田接続対象へ投光して半田接続を行うこ
とを特徴とする。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0007】図1は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。本実施例は電子部品に設けられたリード6と基板8
上のパッド7とパッド7上の半田とを半田付け温度まで
昇温させる加熱源であるレーザ光を照射するレーザ照射
投光部1と、レーザの発信源であるレーザ装置3と、半
田表面で乱反射した投光部1からのレーザ光の散乱光に
対し受光面が垂直となるように配置されたディテクタ2
と、ディテクタ2での受光量から反射量を測定する測定
部5と、その測定結果に基づき加熱制御を行う制御部4
とを備えている。レーザ光の半田接続対象における反射
率が大きい程、大きなレーザ出力又は長いレーザ照射時
間を必要とする。レーザ光の半田接続対象における反射
率に対するレーザ照射の出力、時間を予め定め制御部4
内に格納しておく。
【0008】次に実施例の動作について詳細に説明す
る。まずパッド7上のリード6の半田付け箇所へ半田が
溶融しない程度の微弱なレーザ光を照射し、半田付け箇
所の予備加熱を行うと同時に、ディテクタ2へ入射する
半田付け箇所で乱反射したレーザ散乱光を測定部5で測
定することによりパッド7上のリード6半田接続対象の
反射率をもとめ、この得られた反射率に基づきレーザ出
力及びレーザ照射時間等のレーザ照射条件を選定する。
次にその選定されたレーザ照射にてリード6、パッド
7及び半田を本加熱することにより、半田接続を行う。
【0009】
【発明の効果】以上で説明したように本発明は、電子部
品リードと基板パッドとのレーザを加熱源とする半田接
続において、レーザ照射対象である半田表面からのレー
ザ散乱光量を測定することにより、この測定値から最適
なレーザ照射の選定が可能となり、半田供給方法の違
いによるレーザの反射率の違い、あるいは電子部品毎、
または同一部品内での各リード表面に施された半田のレ
ーザ反射率のばらつきに左右されず、未半田やオーバー
ヒート等の半田接続不良の発生を抑制でき、接続信頼勢
が向上するという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
1 投光部 2 ディテクタ 3 レーザ装置 4 制御部 5 測定部 6 リード 7 パッド 8 基板

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ装置のレーザ光を半田接続対象へ
    投光する投光部と、レーザ光の前記半田接続対象からの
    反射光を受光するディテクタと、前記ディテクタの受光
    量から求めた前記半田接続対象の反射率に基づいて前記
    レーザ装置及び投光部によるレーザ照射を選定する制
    御部とを含むことを特徴とする半田接続装置。
  2. 【請求項2】 レーザ装置の微弱なレーザ光を投光部か
    ら半田接続対象へ投光して予備加熱を行い、この予備加
    熱時の前記半田接続対象からのレーザ光の反射光をディ
    テクタで受光して前記半田接続対象の反射率を求め、こ
    の反射率に応じて選定したレーザ照射に基づいて前記
    レーザ装置のレーザ光を前記投光部から前記半田接続対
    象へ投光して半田接続を行うことを特徴とする半田接続
    方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01224165A (ja) * 1988-03-02 1989-09-07 Fuji Electric Co Ltd 半田付け方法
JPH04242947A (ja) * 1991-01-08 1992-08-31 Fuji Electric Co Ltd フリップチップ接合装置

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JPH07131146A (ja) 1995-05-19

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