JPH03176654A

JPH03176654A - はんだ付部の検査方法、及び同装置

Info

Publication number: JPH03176654A
Application number: JP31441989A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Suzuki; 隆之鈴木; Kyoko Kurahashi; 倉橋　恭子; Takeshi Tsurumi; 剛鶴見
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-12-05
Filing date: 1989-12-05
Publication date: 1991-07-31

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、回路基板に実装された電子部品のはんだ付部
を検査する方法、および検査装置に関するものである。

〔従来の技術〕

回路基板等の組立において、部品挿入やはんだ付等の作
業の自動化はかなり進んでいる。しかしながら、はんだ
付部の検査作業の自動化は遅れており、多くは人手によ
る検査を行っているのが現状である。このため、はんだ
付部の検査は、生産量の大幅な増加や原価低減等の障害
の要因となっていた。また、作業者によって検査精度に
ばらつきがあり、安定して高品質の製品を得ることば困
難であった。

はんだ付検査作業の自動化に関しては、これまでに様々
な方式が提案されている。

（ｉ）　　特開昭５７−１９６１４０号公報、及び特開
昭５７−３３３０４号公報では、光学的画像を利用して
欠陥を検出する検査方法、及び装置を提案している。

（ｊｊ）　　特開昭６２−１５９０６２号公報記載の検
査方式は、回路基板のはんだ付部を一定温度まで加熱し
、その後の温度下降速度を計測することによりはんだ付
部の良否を判定するものである。

（］■）特開昭６２−２３７３４６号公報記載の検査方
式は。

配線パターンを選択的に一定時間加熱後自然冷却して、
その過程の任意時間にはんだ付部の温度分布を計測し、
良品データとの比較により良否の判定を行うものである
。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記（ｉ）の公知技術（光学的画像によるもの）につい
ては、効率の面と確実性の点に問題があった。すなちわ
、はんだ何部周辺の基板の文字・記号、及び配線等が画
面上ではんだの判別を困難にし、これらの影響を取り除
くためには基板作成時の材料に関する処理、検査時のデ
ータ処理等が必要となって、処理工程が増えてしまった
。更にはんだ表面の凹凸や、はんだのぬれ状態にも大き
く影響され、その影響を取り除くことは非常に困難であ
り、検査データの信頼度が低かった。

また、前記（５Ｘ）の公知技術（＋！ｉ度降下速度によ
るもの）については、加熱−自然冷却・温度測定という
一連の作業を回路基板上のはんだ付部毎に行なわなけれ
ばならないこと、温度変化を計測すること等から、回路
基板全体の検査に多大な時間を要するという点に問題が
あった。

また前記（ｎｉ）の公知技術（Ｉｌ！ｌ分度によるもの
）については、直線はんだを加熱しないためにはんだ付
された電子部品の熱容量によって放熱条件が異なり、は
んだに温度差が生じるので、検出結果の信頼度に問題が
あった６本発明は上述の事情に鑑みて為されたもので。

簡単で容易な手法を用いて、迅速、確実にはんだ付欠陥
を検出できる検査方法、および、上記の方法を実施する
のに好適な検査装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕本発明の方法、および本発明の装置について、その基本
的原理を略述すると次の如くである。

即ち本発明では、赤外線を用いることによって、計測時
に画像上ではんだ付部分の周辺部に映る基板の文字・記
号や配線等の影響を受けずに、はんだの有る部分のみを
抽出して、確実な欠陥検出を可能とする。この場合、赤
外線計測には赤外線量を画像（分布）として取り込むた
めに赤外線二次元走査装置（いわゆる赤外線カメラ）を
用いると好適である。

上述の原理を実用面に適応させるための具体的な要件と
して、本発明に係るはんだ付部の第Ｉの検査方法は、は
んだ付部から放射される赤外線を計測し、上記の放射赤外線の計測値に基づいてはんだ付欠陥の有
無を判別し。

回路基板のはんだ付部に赤外線を照射し、上記の照射赤
外線の反射赤外線量を計測し、上記反射赤外線量の計測
値に基づいてはんだ付欠陥の状態を判別する。

また、本発明に係るはんだ付部の第２の検査方法は、電
子部品をはんだ付実装した回路基板を所定温度に加熱し
。

前記はんだ付部から放射される赤外線量の分布を計測し
、上記放射赤外線量の計測値に基づいてはんだ付欠陥の種
類と位置とを算出し、前記はんだ付部に対し、基板に垂直でない方向から赤外
線を照射し。

上記照射赤外線の反射赤外線量の分布を、基板に垂直な
方向から計測し、上記反射赤外線量の計測値に基づいてはんだ付欠陥の種
類と位置とを算出する。

そして、上記の発明方法を実施するために構成した本発
明に係るはんだ付部の検査装置は、回路基板を加熱する
手段と。

回路基板のはんだ付部に向けて赤外線を照射する手段と
、上記回路基板を、上記照射手段によって照射される位置
に位置決めする手段と、上記回路基板から反射してくる反射赤外線量の分布、お
よび該回路基板から放射される放射赤外ｍ：ｆｉｔの分
布を計測する手段と。

上記計測手段による検出値に基づき、これを解析しては
んだ付部の欠陥を算出する演算手段と、を設けた。

〔作用〕

以下に、前記はんだ付部の検査方法、および同装置にお
けるはんだ付欠陥の検出原理を説明する。

電子部品を実装した回路基板を、第１図に示すように赤
外線計測手段１６（例えば検出送信がＩｎＳｂ　。

ＨｇＣｄＴｅなどの赤外線カメラ）で計測すると、はん
だ付部分のみが選択的に抽出される。その理由は第２図
に示すように、はんだ４とその他の基板構成部材（すな
わち基板１．配線２．チップ部品３など）との放射率の
違いや、熱伝導率の違いなどによってそれぞれの放射赤
外線量が違うためである。さらに詳述すると、回路基板
の温度と、その温度におけるはんだ４と基板１．配線２
．チップ部品３との放射赤外線量との関係は、第２図に
示すように１回路基板の温度が高くなればなる程、はん
だ４とその他の各基板構成部材１，２．３との放射赤外
線量の差が大きくなり、それぞれの識別を容易に行うこ
とができる。

＼た、加熱した回路基板１に赤外線を照射し、その反射
赤外線を赤外線計測手段１６で計測すると。

はんだの有る部分のみが選択的に抽出される。この理由
は、以下の３つである。

第１には、第３図に示すように、はんだ４とその他の基
板構成部材（基板１．配線２等）との反射率の違いによ
り赤外線の反射量が違ってくるためである。赤外線を照
射した際、はんだは基板・配線等に比して反射量が多い
。

第２には、基板構成部材（基板１．配線２．はんだ４．
チップ部品３等）の形状の違いによって。

赤外線が反射する方向が異なるためである。赤外線照射
光源１５が斜め上方にある場合、反射赤外線は第４図に
示すようになる。すなわち基板１．配線２は、第４図（
ａ）のように平坦な形状をしているため、斜め上方から
入射した赤外線は図のように反射して、計測手段１６に
は計測されない、一方、（ｂ）図のはんだ４や（ｃ）図
のチップ部品３のように突起した形状の場合、はんだは
フィレット部がチップ部品はエツジ部のはんだ付部分が
図のように反射し、計測手段１６で反射光が計測される
。

第３には、反射赤外線は放射赤外線に比べ、計測される
赤外線量が大きいためである。

その理由を次に述べる。

基板加熱温度は部品の耐熱性を考慮して、１００℃以下
であるため、放射赤外線の最大値は１００℃以下である
。これに比して赤外線照射光源により照射される赤外線
は、光源の温度に影響されるが。

この温度は１５０℃以上に設定できるため、反射赤外線
の最大値は１５０℃以上となり、反射赤外線は放射赤外
線と区別することができる。

以上の３点の理由により、はんだの有る部分を判別する
ことができる。

そこで、放射赤外線検出と反射赤外線検出の２つの検出
方式を併用し、それぞれの検出方式で効果的なはんだ付
欠陥を検査することで、多種のはんだ付欠陥を正確かつ
迅速に検査することができる。

また、赤外線量分布を計測し、良品のそれと比較しては
んだ付欠陥を検出することにより検出アルゴリズムの簡
素化をはかることができる６また、加熱手段は加熱槽を
用いて基板全体を均一に加熱するので、加熱の均一化を
はかることができる。

また、加熱手段ははんだ何時に使用するはんだ槽内にて
基板を加熱するように構成したので、装置の簡素化およ
び経済性の向上をはかることができる。

赤外線照射手段においては、検査部分に対して真上より
ややずれた斜め上方向から照射することにより、はんだ
付部分の形状差を検出し、はんだを容易に判別できる。

更に、照射装置を検査部分の中心の真上に中心をおく円
環状にすることによって、赤外線の検査部分への均等な
照射を図ることができる。

上記の真上とは、基板に対して垂直な方向の意である。

また、上述の赤外線照射は計測時のみに行うため短時間
であり、基板温度の著しい上昇を生じないことから、温
度上昇による放射赤外線の変動を防ぐことができる。

赤外線照射・計測手段においては、照射装置にカバーを
設けて、赤外線カメラへの照射赤外線の直接入射を防ぐ
。この処理により基板から反射された赤外線のみが計測
でき、正確な情報を得ることができる。

はんだ付欠陥の検出手段においては、赤外線反射像を用
いることによって基板各部材の反射率の違いにより、は
んだと周辺部材とを明確に判別できる。従って、はんだ
材部周辺の文字・記号、及び配線等の影響を受けずには
んだ付部の欠陥検査を短時間でかつ容易に行うことがで
きる。

〔実施例〕

第５図は本発明に係るはんだ付部の検査装置の一実施例
を示す斜視図、第６図は同じくブロック図である。

検査対象物である回路基板は１図示しない前工程のはん
だ付装置によって電子部品をはんだ付けされ、反転手段
１１に搬入される。

上記の反転手段１１は、該回路基板のはんだ付部が上方
を向くように、要すれば回路基板を上下反転させる。

１２は加熱手段であって、回路基板を加熱する加熱槽（
図示せず）を備えている。

１４は、加熱された回路基板を載置して位置ぎめするた
めのＸ−Ｙ−Ｚステージである。

上記ｘ−ｙ−ｚステージ上に載置された回路基板１に赤
外線を照射する照射手段１５が設けられている。本例の
赤外線照射手段１５はリング状に構成されている。

上記回路基板１から放射される放射赤外線および該回路
基板１で反射される反射赤外線を計測する赤外線計測手
段１６を、前記リング状の赤外線照射手段の上方に設置
する。

１８はリペアステーションであって、前記回路基板１の
はんだ付欠陥箇所を修理する機能を備えている。

１３は搬送手段で、前記の回路基板１を矢印ａ方向に搬
送する。

図示の１０は自動演算機能および自動制御機能を備えた
処理装置であって、前述の反転手段１１．加熱手段１２
．　Ｘ−Ｙ−Ｚステージ１４．赤外線照射手段１５．お
よび赤外線計測手段１６を制御するとともに、前記赤外
線計測手段１６の出力信号を演算処理する。第６図に示
した記憶手段１７については第７図を参照して後述する
。第５図および第６図に示したデイスプレー１８ａおよ
びスポット光源ｉ８ｂについては後述する。

次に、上記の如く構成された本実施例の作用を説明する
。前記の加熱手段１２は、加熱槽内の加熱温度および加
熱時間を制御して内部の回路基板１を一定温度で均一に
加熱する。加熱された回路基板ｌは加熱槽内から取出さ
れてＸ−Ｙ−Ｚステージ１４に固定され、赤外線計測手
段１６に対して計測するはんだ付部が所定位置に位置決
めされたのち、赤外線計測手段にて赤外線量分布を計測
してデータ処理を行なったのち、照射装置１５により赤
外線を照射し、反射赤外線を計測してデータ処理を行な
う。

データ処理は、赤外線計測手段１６からの情報がアナロ
グ信号であるので、第７図に示すようにＡ／Ｄ変換回路
１０ａによりディジタル信号に変換する。これを演算回
路１０ｂに送信し各種演算処理（例えば最大値、最小値
、平均値等の算出）を行って比較回路１０ｃに送信する
。比較回路では、記憶手段１７に入力されている検査対
象と同条件の良品の赤外線量の分布の情報を取り出し、
演算回路からの情報と比較して、各種はんだ付欠陥の特
徴を抽出し、はんだ付欠陥を検出する。上記演算回路１
０ｂ、比較回路１０ｅおよび記憶手段１７は、第５図に
示した処理袋［１０に組み込まれている。

このはんだ付欠陥の検出について、さらに具体例を挙げ
て詳述する。ここで用いる第８図から第１２図において
は、（ａ）図は欠陥と良品とのモデルの断面、（ｂ）図
は計測される赤外線量の分布の画像、（ｃ）、　（ｄ）
＠は直線Ａ−Ａ’又は直ｍＢ−Ｂ’上の赤外線分布を示
す。

次に、はんだ付欠陥を分類し、それぞれのはんだ付欠陥
の検出についての具体例を説明する（大分類Ａ）放射赤
外線検出が有効な欠陥（小分類Ａ−１）ブリッジ欠陥第８図（ａ）は、はんだ付欠陥であるブリッジＣを生じ
た部分と、ブリッジの無い正常な部分ｄとを対比して示
した模式的な断面図である。

図において、列設されたリード６は、基板ｌ上の配線２
に対して、はんだ４によって接合されている。

第８図（ｂ）は、上記（ａ）図を該図の右方から見た赤
外線像である。

上記（ｂ）図に示した直線Ａ−Ａ’上の赤外線量の分布
は（Ｃ）図のようになり、直線Ｂ−Ｂ’上の赤外線量の
分布は（ｄ）図のようになる。

上記（ｄ）図においては、ブリッジ欠陥に相当する箇所
ｅが低い値となっている。

以上の特徴をふまえると、検査対象のはんだ何部間にお
いて赤外線量の分布を計測し、第８図（ｄ）に示す様な
ΔＥの有無を求めることで、ブリッジが検出できる。

（小分類Ａ−２）穴あき欠陥第９図（ａ）において、２は配線、６はリード。

４ははんだであり、ｆは欠陥の無い正常なはんだ付部、
ｇは空洞７を生じた空あき欠陥の有るはんだ付部である
。

第９図（ｂ）は、（ａ）図を図の下方から見た赤外線像
であって、そのＡ−Ａ’編線上赤外線量分布を第９図（
ｃ）、　（ｄ）に示した。

（ｂ）図により、穴あき欠陥部は赤外線量が増加するこ
とが解る。

（ｄ）図において、赤外線量が突出している部分りが穴
あき欠陥を示している。これは、放射赤外線が空洞７内
で多重反射により高い放射率を示し、高い放射赤外線を
出すためである。

この特徴を抽出することにより穴あき欠陥が検出可能と
なる。

（大分類Ｂ）反射赤外線検出が有効な欠陥（小分類Ｂ−
１）はんだ無し欠陥第１Ｏ図（ａ）において、３はチップ部品であり。

ｉは正常なはんだ付部である０図示のｊ部は、はんだ無
し欠陥部である。

同図（ｂ）は、上記（ａ）Ｉｉｉｆｆの下方から見たと
きの赤外線像である。そのＡ−Ａ’編線上赤外線量分布
を同図（Ｃ）に示した。

（ｃ）図に表われているように、はんだの有る部分ｉ′
は基板よりも高い赤外線を示すが、はんだの無い部分ｊ
′は基板より低い赤外線量を示す。

これは、はんだ無しの部分が基板よりも放射率が低く、
かつ、はんだよりも反射率の低い材料によって形成され
た配線２であるためと、形状が平坦なために反射赤外線
がほとんど検出されないためである。

以上の特徴を抽出することにより、はんだなし欠陥の検
出が可能となる。

（小分類Ｂ−２）はんだ過多欠陥第１１図（ａ）において２は配線、６はリードピン。

４ははんだであり、ｋ部は正常なはんだ付部である。

巴は、必要以上にはんだが形成されたはんだ過多欠陥部
である。

赤外線像を示した（ｂ）図、およびそのＡ−Ａ’編線上
赤外線量分布を示した（Ｃ）図から、はんだ過多部αは
正常部ｋに比して赤外線量の最大値部分が狭いことが解
る。その理由は次の如くである。

はんだ過多欠陥部αは、はんだが碗状に盛り上がってそ
の頂上部がほぼ水平となり１反射赤外線が赤外線カメラ
に入射しないからである。水平な平坦面による反射赤外
線が赤外線カメラ（赤外線計測手段１６）に入射しない
ことについては、第４図（ａ）について説明したごとく
である。

この特徴を抽出することよりはんだ過多欠陥が検出可能
となる。

（小分類Ｂ−３）はんだ過少欠陥第１２図（ａ）において２は配線、４ははんだ、６はリ
ードである０図示ｑ部は正常なはんだ付部を示し、ｒは
はんだ過少欠陥を示している。

赤外線像を示した（ｂ）図により、はんだ過少欠陥部は
正常部に比して赤外線量が最大となる部分が中央に集中
し、かつ狭いことが解る。

同図（ｃ）、　（ｄ）は上記（ｂ）図のＡ−Ａ’線上の
赤外線量分布を示している。

正常なはんだの場合の最大値区域の径寸法ｔははんだ過
少部の最大値区域の径寸法■に比して大きく、かつ、中
央部の径寸法Ｕの区域は最大値よりも赤外線量が少なく
なっている。

はんだ過少欠陥が有る場合、赤外線量の最大である区域
（径寸法Ｖの区域）が狭いのは、はんだのぬれ状態が悪
いので正常なフィレットを形成せず、リード６周辺のみ
が赤外線を反射するためである。

よってこの特徴を抽出することよりはんだ過少欠陥が検
出可能となる。

以上のようなデータ処理で欠陥が検出されると、第６図
、第７図の記憶手段１７（例えばＲＡＭ、ＦＤ等）に基
板番号と欠陥個所の位置・種類などの情報を出力する。

この出力は他の装置への送信も可能である。

例えば欠陥情報を前工程であるはんだ付作業ステーショ
ンにフィードバックして、該はんだ付作業ステーション
の作業条件（はんだ溶融温度や噴出圧力など）を改善さ
せることも有効であり、また１重大欠陥が続発したとき
は前工程を緊急停止せしめることも考えられる。

本実施例においては、はんだ付部の欠陥情報をリペアス
テーション（第５図に示した図面参照番号１８）に伝達
する。

リペアステーションでは１作業者にデイスプレィ１８ａ
によって欠陥箇所及び種類を表示する。更に、処理装置
１０（第５図参照）の命令で送信された出力に基づいて
、スポット光源１８ｂにより欠陥箇所を作業者に指示す
ることもできる。

第１３図は前記実施例におけるはんだ付部の検査工程を
示すフローチャートである。

このように、本実施例のはんだ付検査装置によれば１回
路基板を加熱し、回路基板から発生する放射赤外線を計
測した後、赤外線を照射し、その反射赤外線を計測する
という単純な構成と容易な操作で、従来困難であった回
路基板のはんだ付検査が自動化可能となる。このことに
より１回路基板の検査効率向上１品質向上を図ることが
できる。

第１４図はりペアステーションにおける修正作業を示す
フローチャートである。

また更に、赤外線照射手段に以下のような機能を持たせ
ることにより５検出端度を上げることができる。第１５
図によりその機能の例を説明する。

図（ａ）は第５図におけるＡ矢視図を示し、図（ｂ）は
図（ａ）におけるＢ矢視図を示す。

この赤外線照射装置１５′は、反射面１５ａを有するカ
バー１５ｂが設けられている。これにより該赤外線照射
装置１５′から投射された赤外線が赤外線計測手段１６
へ直接入射する虞が無く、出射された赤外線は有効に回
路基板に向けて照射される。

この実施例の赤外線照射手段１５′はシャッタ１５ｃを
備えている。これは、シャッタ１５ｃを設けることによ
り反射光計測時のみ赤外線を照射し、基板への赤外線照
射を短時間にするというものである。

シャッタ１５ｃは１台形の複数の平板で構成され、シャ
ツタ軸１５ｄを中心にして付記した往復円弧矢印のよう
に往復回動する。このシャッタ１５ｃは伝動手段（例え
ばワイヤ等）によりモータ（図示せず）に接続し、開閉
駆動を可能とする。シャッタ１５ｃの開閉は赤外線照射
と同期して処理装置１０（第５図参照）によって制御さ
れる。

赤外線照射を長時間行うと、基板が加熱されて放射赤外
線が増加し、良い計測結果を得ることが困難になる。だ
が上記の処理により、最小限の赤外線照射で照射による
基板の加熱を防げるため、検査の精度を上げることがで
きる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の検査装置を用いて本発明
の検査方法を実施すると、簡単な装置。

簡単で容易な手法を用いて、自動的にかつ迅速。

確実にはんだ付欠陥を検出することができる。特に、ａ、赤外線、を利用することにより、可視光線を利用し
たときに問題となる。環境（周辺）等の影響を除去する
ことができる。すなわち、はんだ形状の画像による計測
の際、基板の印刷文字・記号や配線等の影響がほとんど
ない、よって、検査結果の信頼度の向上を図ることがで
きる。

ｂ、放射赤外線検出方式と反射赤外線検出方式のそれぞ
れの長所を生かすことができるため、多種類の欠陥を精
度よく検査することが可能である。

Ｃ０赤外線を対象に対して垂直ではなくやや角度を持た
せた斜上方向より照射することによって。

はんだ付部のフィレット等の形状を明確に計測すること
ができる。

ｄ、計測手段に赤外線カメラを利用して検査対象の情報
を画像として取り込むことによって、広範囲の検査を行
うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る方法および同装置の基本原理を
説明するための模式的なブロック図である。第２図は、はんだと他の基板構成部材との放射赤外線量
の比較を示すグラフである。第３図は、はん−だと他の基板構成部材との照射赤外線
量による反射赤外線量の比較を示すグラフである。第４図は、基板各部材に赤外線を照射した場合の反射方
向を示している。同図（ａ）は基板、（ｂ）ははんだ付
部、（ｃ）はチップ部品にそれぞれ赤外線を照射したと
きの反射光の方向を示す光路図である。第５図は、本発明によるはんだ付検査装置の一実施例の
外観を示す斜視図で、第６図はその装置構成を示すブロ
ック図である。第７図は同じく信号処理機構を示すブロック図である。第８図乃至第１２図は、はんだ付欠陥検出方法の具体例
を示す。第８図は、ブリッジ欠陥を示し、（ａ）はその断面図、
（ｂ）はその赤外線量の分布の計測画像の平面図、　（
ｃ）、　（ｄ）は各々直線ＡＡ’、ＢＢ’上の赤外線量
の分布を示す図表である。第９図（ａ）は穴あき欠陥の断面図、同ｖ４（ｂ）はそ
の赤外線画像の平面図、同図（ｃ）、　（ｄ）は直線Ａ
−Ａ′上の赤外線量分布を示す図表である。第１０図（ａ）ははんだ無し欠陥の断面図、同図（ｂ）
はその赤外線画像の平面図、同図（ｃ）は直線Ａ−Ａ′
上の赤外線量分布を示す図表である。Ａ′上の赤外線量分布を示す図表である。Ａ′上の赤外線量分布を示す図表である。第１３図は、はんだ付検査手順を示すフローチャート、
第１４図は、はんだ付欠陥の修正処理手順を示すフロー
チャートである。第１５図（ａ）は前記と異なる実施例における赤外線照
射手段を示す模式的な断面図、同図（′ｂ）はそのＢ矢
視図である。１・・・回路基板、２・・・配線、３・・・チップ部品
、４・・・はんだ、６・・・リード、１０・・・処理装
置、１０ａ・・・Ａ／Ｄ変換回路、１０ｂ・・・演算回
路、１０Ｃ・・・比較回路。１１・・・反転手段、１２・・・加熱手段、１４・・・
Ｘ−Ｙ−Ｚステージ、１５・・・赤外線照射手段、１６
・・・赤外線計測手段、１７・・・記憶手段、１８・・
・欠陥表示・修正手段、１８ａ・・・デイスプレィ、１
８ｂ・・・スポット発光手段。

Claims

【特許請求の範囲】１、電子部品をはんだ付実装した回路基板のはんだ付部
を検査する方法において、はんだ付部から放射される赤外線量を計測し、上記の放
射赤外線の計測値に基づいてはんだ付欠陥の有無を判別
し、回路基板のはんだ付部に赤外線を照射し、上記の照射赤外線の反射赤外線量を計測し、上記反射赤
外線量の計測値に基づいてはんだ付欠陥の状態を判別す
ることを特徴とするはんだ付部の検査方法。２、電子部品をはんだ付実装した回路基板のはんだ付部
を検査する方法において上記回路基板を所定温度に加熱し、前記はんだ付部から放射される赤外線量の分布を計測し
、上記放射赤外線量の計測値に基づいてはんだ付欠陥の種
類と位置とを算出し、前記はんだ付部に対し、基板に垂直でない方向から赤外
線を照射し、上記照射赤外線の反射赤外線量の分布を、基板に垂直な
方向から計測し、上記反射赤外線量の計測値に基づいてはんだ付欠陥の種
類と位置とを算出することを特徴とするはんだ付部の検
査方法。３、電子部品をはんだ付実装した回路基板のはんだ付部
を検査する装置において、回路基板を加熱する手段と、回路基板のはんだ付部に向けて赤外線を照射する手段と
、上記回路基板を、上記照射手段によって照射される位置
に位置決めする手段と、上記回路基板から反射してくる反射赤外線量の分布、お
よび該回路基板から放射される放射赤外線量の分布を計
測する手段と、上記計測手段による計測値に基づき、これを解析しては
んだ付部の欠陥を算出する演算手段と、が設けられてい
ることを特徴とする、はんだ付部の検査装置。４、前記回路基板を所定温度に加熱した後、該回路基板
と加熱雰囲気外に取り出すことを特徴とする、請求項２
に記載のはんだ付部の検査方法。５、前記反射赤外線量の計測値に基づくはんだ付欠陥の
状態の判別は、予め計測して記憶してあった良品の計測
値と検査対象物の計測値とを比較して行うことを特徴と
する請求項１に記載のはんだ付部の検査方法。６、前記反射赤外線量の計測値に基づくはんだ付部の欠
陥の状態の判別は、赤外線量の分布の計測結果に演算処
理を施したデータと、記憶装置内に記憶しておいた同条
件における良品の計測結果に演算処理を施したデータと
を比較して行うことを特徴とする請求項５に記載のはん
だ付部の検査方法。７、前記の加熱手段は、はんだ付用のはんだ槽を兼用し
、該はんだ槽内で基板を加熱するように構成したもので
あることを特徴とする、請求項３に記載のはんだ付部の
検査装置。８、前記の加熱手段は、回路基板を加熱槽内に収容して
、該回路基板全体を均一に加熱する構造であることを特
徴とする、請求項３に記載のはんだ付部の検査装置。９、前記の赤外線を照射する手段は、リング状の赤外線
照射機構であることを特徴とする、請求項３に記載のは
んだ付部の検査装置。１０、前記の赤外線を照射する手段は、出射された赤外
線が前記の計測手段に直接入射しないように覆うカバー
を設けており、かつ、該カバーの内面には赤外線を反射
させて回路基板に向かわせる反射面が形成されているこ
とを特徴とする、請求項３に記載のはんだ付部の検査装
置。１１、前記反射面を形成したカバーは、赤外線の通過を
時間的に制御するシャッタ機構を備えたものであること
を特徴とする、請求項１０に記載のはんだ付部の検査装
置。１２、前記赤外線量の分布を計測する手段は赤外線カメ
ラであることを特徴とする、請求項３に記載のはんだ付
部の検査装置。１３、赤外線量の分布を計測したデータに演算処理を施
した結果を記憶する手段を備えていることを特徴とする
、請求項３に記載のはんだ付部の検査装置。１４、前記のデータを記憶する手段は、検査対象物であ
る回路基板のデータ、及び、比較対照用の良品回路基板
のデータの双方を記憶し得る機能を有するものであり、
かつ、上記双方のデータを比較する演算手段が設けられ
ていることを特徴とする、請求項１３に記載のはんだ付
部の検査装置。１５、前記のはんだ付部の欠陥を算出する演算手段に、
算出した欠陥の内容を表示する手段が備えられているこ
とを特徴とする、請求項３に記載のはんだ付部の検査装
置。１６、前記のはんだ付部の欠陥を算出する演算手段は、
算出データを他の装置へ送信することのできる出力手段
を備えていることを特徴とする、請求項３に記載のはん
だ付部の検査装置。１７、前記の他の装置は、はんだ付の修正を行う装置で
あることを特徴とする、請求項１６に記載のはんだ付部
の検査装置。１８、前記の他の装置ははんだ付を行う装置であること
を特徴とする、請求項１６に記載のはんだ付部の検査装
置。