JPH01307650A - はんだ付け検査方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明ははんだ付け検査方法およびその装置に係り、と
くにはんだ付け欠陥検査および修正の自動化に好適なは
んだ付け検査方法およびその装置に関する。

［従来の技術］ 従来、たとえばプリント基板の組立においては、部品挿
入作業、はんだ付け作業などの自動化はかなり進んでい
るが、はんだ付けの検査作業の自動化は遅れており、こ
れに多くの人員を必要としていた。

このため、はんだ付け検査作業は、生産量の変動への対
応あるいは原価低減に大きな阻害要因になっていた。

従来、この種の作業の自動化に関連するものとしては、
たとえば特開昭６１−２４１６４１号公報および特開昭
６２−１５９０６２号公報に記載されているように、プ
リント基板上のはんだ付け部を加熱し、その部分の温度
上昇の時間的変化を測定し、その測定結果とあらかじめ
測定された正常なはんだ付け部の変化分とで比較しては
んだ付け部の良否を検査する装置が提案されている。

また、従来たとえば特開昭５７−３３３０４号公報およ
び特開昭５７−１９６１４号公報に記載されているよう
に、光学的画像からはんだ付けの欠陥を抽出するものが
提案されている。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の前者のはんだ付け検査装置においては。

はんだ付け部を局部的に加熱するため、プリント基板全
体を検査するのに多くの時間を要する問題があった。

また、従来の後者のはんだ付け検査方法およびその装置
においては、はんだ表面の微妙な形状変化、背景などに
影響されやすく、この影響を除くための手段を行なうの
が困難となる問題があった。

本発明の目的は、簡単な構成にて短時間で確実にはんだ
付け欠陥を検出可能とするはんだ付け検査方法およびそ
の装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため１本発明のはんだ付け検査方法
では、基板を加熱する工程と、基板の加熱時に発生する
赤外線輻射エネルギー分布を計測する工程と、計測結果
に基いてはんだ付け部分の欠陥を検出する工程とを有す
るものである。

また、はんだ付け部分欠陥検査方法は、検出アルゴリズ
ム（Ａ　Ｉｇｏｒｉｔｈｍ）の簡素化をはかるため。

計測結果に基いて良品の基板の赤外線輻射エネルギー分
布と比較してはんだ付け部分の欠陥を検出するものであ
る。

また、加熱工程は、基板構成材に温度差をもたせて検出
率の向上をはかるため、基板を所定温度に加熱したのち
、加熱雰囲気以外に取出す工程を有するものである。

また、加熱工程は、加熱の均一化をはかるため、加熱槽
を用いて基板全体を均一に加熱するものである。

また、赤外線輻射エネルギー分布計測工程は、計測温度
の安定化をはかるため、加熱槽内から取出さないで、基
板の赤外線輻射エネルギー分布を計測するものである。

また、赤外線輻射エネルギー分布計測工程は、基板構成
材に温度差をもたせて検出率の向上をはかるため、加熱
槽内より取出した基板の赤外線輻射エネルギー分布を計
測するものである。

また、赤外線輻射エネルギー分布計測工程は。

赤外線輻射エネルギーを画像（分布）としてとらえるた
め、赤外線カメラを用いて赤外線輻射エネルギー分布を
計測するものである。

また、部品をはんだ付けによって実装した基板は、生産
量の変動あるいは原価低減が強く要求される電子部品を
はんだ付けによって実装したプリント基板に適用したも
のである。

また、はんだ付け検査装置としては簡単な構成にて自動
的にはんだ付け検査をするため、部品をはんだ付けによ
って実装した基板のはんだ付け検査装置において、基板
を加熱する手段と、基板を反転する手段と、基板の赤外
線輻射エネルギー分布を計測する手段と、計測結果に基
いてはんだ付け部分の欠陥を検出する手段と、上記各手
段を自動制御する手段とを備えたものである。

また、加熱手段は構□成の簡素化および経済性の向上を
はかるため、はんだ付け時に使用するはんだ槽内にて基
板を加熱するように構成したものである。

また、赤外線輻射エネルギー分布計測手段は、構成の簡
素化および経済性の向上をはかるため。

はんだ槽内の基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測し
うるように構成したものである。

また、赤外線輻射エネルギー分布計測手段は、簡単な構
成にて計測温度の安定化をはかるため。

加熱槽内の基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測しう
るように構成したものである。

また、赤外線輻射エネルギー分布計測手段は、簡単な構
成にて画像（分布）としてとらえるため、赤外線輻射エ
ネルギー分布を赤外線カメラにて計測するように構成し
たものである。

［作用］ 上記の方法によるはんだ付け検査方法においては、つぎ
のような検出原理に基くものである。

電子部品を実装したプリント基板を加熱し、その冷却過
程のある時点において、第１３図に示すように赤外線カ
メラ（たとえば検出素子がＩｎＳｂ。

Ｈｇ　Ｃｄ　Ｔ　ｅなど）１５１で計測すると、はんだ
付け部分のみが選択的に抽出される。その理由は、第１
４図に示すように、はんだ３とその他の基板構成部材す
なわち基板１、配線２．チップ部品４などとの輻射率の
違いや、熱伝導率の違いなどによってそれぞれの赤外線
輻射エネルギーが違うからである。さらに詳述すると、
プリント基板の温度と、その温度におけるはんだ３と基
板１、配線２．チップ部品４との赤外線輻射エネルギー
との関係は。

第１４図に示すように、プリント基板の温度が高くなれ
ばなる程、はんだ３とその他の各基板構成部材１．２．
４との赤外線輻射エネルギーの差が大きくなり、それぞ
れの識別を容易に行なうことができる。

このように、たとえば６０℃以上でのプリント基板の所
定の検査個所での赤外線輻射エネルギー分布を計測し、
この計測結果に基いて短時間に容易にかつ正確にはんだ
付け欠陥を検出することができる。

また、赤外線輻射エネルギー分布を計測し、良品のそれ
と比較してはんだ付け欠陥を検出することにより検出ア
ルゴリズムの簡素化をはかることができる。

また、加熱工程は基板を所定温度に加熱したのち、加熱
雰囲気以外に取出す工程を有するので、基板構成材に温
度差をもたせて検出率の向上をはかることができる。

また、加熱工程は加熱槽を用いて基板全体を均一に加熱
するので、加熱の均一化をはかることができる。

また、赤外線輻射エネルギー分布計測工程は、加熱槽内
の基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測するので、計
測温度の安定化をはかることができる。

また、赤外線輻射エネルギー分布計測工程は、加熱槽内
より取出した基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測す
るので、基板構成材に温度差をもたせて検出率の向上を
はかることができる。

また、上記のように構成されたはんだ付け検査装置にお
いては、簡単な構成にて自動的にはんだ付け検査をする
ことができる。

また、加熱手段ははんだ付け時に使用するはんだ槽内に
て基板を加熱するように構成したので、構成の簡素化お
よび経済性の向上をはかることができる。

また、赤外線輻射エネルギー分布計測手段は、はんだ槽
内の基板の率外線輻射エネルギー分布を計測するように
構成したので、構成の簡素化および経済性の向上をはか
ることができる。

［実施例コ 以下、本発明の一実施例を第１図乃至第５図について説
明する。

第１図に示すように、本実施例におけるはんだ付け装置
においては、前工程（図示せず）で部品（図示せず）を
はんだ付けしたプリント基板１をそのはんだ付け面が上
方に向くように反転させる反転手段１２と、プリント基
板１を加熱槽１３１内に挿入して加熱する加熱手段１３
と、加熱槽１３１から取出されたプリント基板１を互い
に直角な３方向（ｘ、ｙ、ｚ方向）に移動してそのはん
だ付け部を所定位置に位置決めするＸ−Ｙ−Ｚステージ
１４と、はんだ付け部分の赤外線輻射エネルギーを赤外
線カメラ１５１にて計測する赤外線計測手段１５と、各
手段の自動制御および赤外線計測手段１５からの信号を
処理するはんだ付け部分欠陥検出手段を構成するコント
ローラ１６と、プリント基板１のはんだ付け欠陥個所を
修理するりペアステーション１７とから構成されている
。なお、加熱槽１３１内には、該加熱槽１３１内を貫通
して反転手段１２と、Ｘ−Ｙ−２ステージ１４とに接続
する搬送手段１３２を設けている。

つぎに、第２図乃至第５図により動作を説明する。

部品が実装されたはんだ付け面を下方に向けて前工程か
らプリント基板１が送られてきたことをフォトセンサな
どからなるセンサ１６１で検出すると、反°転手段１２
がプリント基板１を把持し、はんだ面が上方に向くよう
に反転して加熱手段１３に送で均一に加熱する。加熱さ
れたプリント基板１は加熱槽１３１内から取出されてＸ
−Ｙ−Ｚステージ１４に送られると、Ｘ−Ｙ−Ｚステー
ジ１４に固定され、赤外線カメラ１５１に対して計測す
るはんだ付け部が所定位置に位置決めされたのち、赤外
線カメラ１５１にて赤外線輻射エネルギー分布を計測し
てデータ処理を行なう。

データ処理は、第３図に示すように、赤外線カメラ１５
１からの赤外線輻射エネルギー分布信号がアナログ信号
であるので、このアナログ信号をＡ／Ｄ変換回路１６２
によりディジタル信号に変換し、このディジタル信号を
演算回路１６３により各種演算処理たとえば平均値、最
大値、最小値の検出を行って比較回路１６４に送る。比
較回路１６４では記憶回路１６６に入力されている良品
の赤外線輻射エネルギー分布のデータと、演算回路１６
３からの信号とを比較し、各種はんだ付け欠陥の特徴を
抽出してはんだ付け欠陥の有無を検出する。

このはんだ付け欠陥の有無の検出についてさらに具体例
を挙げて詳述する。

たとえば、第６図（ａ）に示すように、配線２とリード
５とのはんだ３による付け部間が短縮した欠陥いわゆる
ブリッジの場合には、第６図（ｂ）に示すようにＢ−Ｂ
’間にはんだ３があるため、ブリッジの生じたはんだ付
け部間での赤外線輻射エネルギー分布は、はんだ３が存
在するので、第６図（ｄ）に示すように、低い値を示す
特徴のパターンをしている。

これに対して良品の場合には、第６図（ｂ）に示すよう
にＡ−Ａ’間にはんだ３が存在しないため、はんだ付け
部間の赤外線輻射エネルギー分布は、第６図（ｅ）に示
すようにフラットな分布パターンをしている。

したがって、検査対象のはんだ付け部間において、赤外
線輻射エネルギー分布を計測し、第６図（ｄ）に示すよ
うに赤外線輻射エネルギー分布のたとえばブリッジの幅
で変化するΔＥの有無を求めることによりブリッジを検
出することができる。

また、第７図（ａ）に示すように、配線２とチップ部品
４との間の一部にはんだがついていない欠陥、いわゆる
はんだなしの場合には、第７図（ｂ）に示すように赤外
線輻射エネルギー分布の計測図において、図の左側の低
エネルギ一部が正常なはんだ付け個所、右側の低エネル
ギ一部がはんだなしの個所であり、Ａ−Ａ’間の赤外線
輻射エネルギー分布において、第７図（ｃ）に示す左側
の凹部と右側の凹部とを比較すると、右側の方が左側よ
りもΔＥだけ赤外線輻射エネルギーが高い、これは、は
んだなしの個所はばんだ３よりも輻射率の高い材料で形
成された配線２が露出しているためで、このΔＥの差を
求めることにより、はんだなしを検出することができる
。

また、第８図（ａ）に示す良品の場合のように配線２と
リード５との間のはんだ３が適量形成され。

リード５にそうて配線２の穴２ａ内に喰い込んでいると
きには、その赤外線輻射エネルギーの計測図は第８図（
ｂ）に示すように形成され、かつＡ−へ′間の赤外線輻
射エネルギー分布は、第８図（ｃ）に示すようにはんだ
付け部の両端に凹部が形成されている。

これに対して第９図（ａ）に示すように、リード５とは
んだ３との付け部の一部に空洞ができているいわゆる穴
あきの場合には、第８図（ｂ）に示すようにはんだ付け
部の一部に高エネルギ一部６が形成される。そのため、
Ａ−Ａ’間の赤外線輻射エネルギー分布は第９図（ｃ）
に示すように高エネルギ一部６に相当する部分がプリン
ト基板１と同等の赤外線輻射エネルギーの高くなる特徴
の分布パターンをしている。これは、高エネルギ一部６
を通してプリント基板１からの高い赤外線輻射エネルギ
ーを計測するためである。

したがって、はんだ付け部の赤外線輻射エネルギー分布
からこの特徴を抽出することによって穴あきを検出する
ことができる。

また、第１θ図（ａ）に示すように、はんだ３が必要量
以上に形成され、はんだ３のぬれ状態が悪い欠陥いわゆ
るはんだ過多の場合には、第１Ｏ図（ｂ）に示すＡ−Ａ
’間の赤外線輻射エネルギー分布は、第１０図（ｃ）に
示すように、はんだ付け部の中心にだけ凹部があり全体
的に赤外線輻射エネルギーの値が高くなる特徴の分布パ
ターンをしている。これは、はんだ過多の場合には、第
１０図（ａ）に示すようにはんだ付け部が碗形状をして
いるため、プリント基板１からの高い赤外線輻射エネル
ギーをはんだ付け部が反射し、その反射したものを計測
するためである。

したがって、はんだ付け部の赤外線輻射エネルギー分布
から、この特徴を抽出することによって、はんだ過多を
検出することができる。

また、第１１図（ａ）に示すようにはんだ３が、少ない
欠陥いわゆる過少の場合には、第１１図（ｂ）に示すＡ
−Ａ’間の赤外線輻射エネルギー分布は。

第１０図（Ｃ）に示すようにリード５の周辺部に赤外線
輻射エネルギーの高い部分がないのを特徴とする分布パ
ターンをしている。これは、はんだ過少の場合には、ぬ
れ状態が悪いので、第１１図（ａ）に示すように、リー
ド５とはんだ３との接触部の角部が大きくなり、リード
５の周辺部分からの赤外線輻射エネルギーが少なくなる
ためである。

したがって、はんだ付け部の赤外線輻射エネルギー分布
からこの特徴を抽出することによって、はんだ過少を検
出することができる。

このようにしてデータ処理の結果、欠陥が検出された場
合には、第２図に示すように、たとえばＲＡＭ、ＦＤな
どの記憶手段１７３にプリント基板１の番号と、欠陥個
所の位置データを記憶させ。

プリント基板１をリペアステーション１７に送り。

欠陥がない場合１こは１次工程にプリント基板１を送る
。

リペアステーション１７では、第１図に示すように作業
者にデイスプレィ１７１により作業手順およびプリント
基板１の番号などの指示をするとともに、記憶手段１７
３内のデータに基いて欠陥個所をスポット光照射手段１
７２により照射することにより作業者に知らせることが
できる。

したがって、本実施例のはんだ付け検査装置では、加熱
したプリント基板の赤外線輻射エネルギーの分布を計測
するという容易な操作と簡単な構成にて従来困難であっ
たプリント基板のはんだ付け欠陥検査を行うことができ
るので、プリント基板組立の効率向上および品質向上を
はかることができる。

つぎに、本発明の他の一実施例を示す第１２図により説
明する。

第１２図に示す実施例が第１図に示す実施例と相違する
点は、加熱手段１３’を構成する加熱槽１３１′の上方
部に窓１３２を形成し、この窓１３２から加熱槽１３１
′内に赤外線検出手段１５′を構成する赤外線カメラ１
５１′を向けて加熱槽１３１′内で加熱中のプリント基
板１のはんだ付け部の赤外線輻射エネルギーを検出する
点であり、これ以外は第１図に示すものと同一である。

したがって１本実施例においては第１図に示す実施例の
効果以外に、ｘ−ｙ−ｚステージ１４が不要になるので
、簡単な構成となって経済性の向上をはかることができ
、かつ計測温度の安定化をはかることができる。

なお、本実施例においては、加熱手段に加熱槽を用いた
場合について説明したが、これに限定されるものでなく
、たとえばはんだ槽、恒温槽を用いることも考えられる
。

［発明の効果］ 本発明は以上説明したように構成されているので、以下
に記載されるような効果を奏する。

簡単な構成にて従来困難であったプリント基板のはんだ
付け検査を短時間に正確に検出することができかつ自動
化することができるので、プリント基板組立の効率向上
９品質向上をはかることができ机 また、赤外線輻射エネルギー分布を計測し、良品のそれ
と比較してはんだ付け欠陥を検出するので、検出アルゴ
リズムの簡素化をはかることができる。

また、基板を所定温度に加熱したのち、加熱雰囲気以外
に取出して赤外線を検出するので、基板構成材に温度差
をもたせ、検出率の向上をはかることができる。

また、加熱槽を用いて基板全体を均一に加熱するので、
加熱の均一化をはかることができる。

また、加熱槽内で加熱された基板の赤外線検出を行うの
で、計測温度の安定化をはかることができ、かつ構成の
簡素化および経済性の向上をはかることができる。

また、はんだ槽内で加熱された基板の赤外線検出を行う
ことが可能なので、構成の簡素化および経済性の向上を
はかることができる。

また、赤外線輻射エネルギー計測を赤外線カメラを用い
て画像（分布）としてとらえるので、短時間で計測する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるはんだ付け検査装置に
示す斜視図、第２図はコントローラの自動制御機構を示
すブロック図、第３図はコントローラの信号処理機構を
示すブロック図、第４図ははんだ付け検査順序を示すフ
ローチャート、第５図は修理動作順序を示すフローチャ
ート、第６図ははんだ付け部分がブリッジの場合を示す
説明図にして、その（ａ）は断面図、その（ｂ）は赤外
線輻射エネルギー分布の計測図、その（Ｃ）は良品の場
合の赤外線輻射エネルギー分布図、その（ｄ）はブリッ
ジの場合の赤外線輻射エネルギー分布図、第７図は、は
んだ付け部分がはんだなしの場合の説明図にして、その
（ａ）は断面図、その（ｂ）は赤外線輻射エネルギー分
布の計測図、その（Ｃ）は赤外線輻射エネルギー分布図
、第８図は、はんだ付け部分が良品の場合の説明図にし
て、その（ａ）は断面図、その（ｂ）は赤外線輻射エネ
ルギー分布の計測図、その（ｃ）は赤外線輻射エネルギ
ー分布図、第９図は、はんだ付け部分に穴あきがある場
合の説明図にして、その（ａ）は断面図、その（ｂ）は
赤外線輻射エネルギー分布の計測図、その（Ｃ）は赤外
線輻射エネルギー分布図、第１０図は、はんだ付け部分
のはんだ過多の場合の説明図にして、その（ａ）は断面
図、その（ｂ）は赤外線輻射エネルギー分布の計測図、
その（Ｃ）は赤外線輻射エネルギー分布図、第１１図は
、はんだ付け部分のはんだ過少の場合の説明図にして、
その（ａ）は断面図、その（ｂ）は赤外線輻射エネルギ
ー分布の計測図、その（ｃ）は赤外線輻射エネルギー分
布図、第１２図は本発明の他の一実施例であるはんだ付
け検査装置の加熱手段と赤外線輻射エネルギー分布計測
手段とを示す斜視図、第１３図は本発明によるはんだ付
け検査方法を説明するための図、第１，４図ははんだと
基板構成部分との赤外線輻射エネルギー比較図である。 １・・・プリント基板、２・・・配線、３・・・はんだ
、４・・・チップ部品、１２・・・反転手段、１３・・
・加熱手段、１４・・・Ｘ−Ｙ−Ｚステージ、１５・・
・赤外線計測手段、１６・・・コントローラ、１７・・
・リペアステーション。 代理人　弁理士　　秋　本　正　実 弟１２ １−・−アルド蟇４文　＋４−Ｘ−Ｙ−Ｚ　ステージ　
　１７−−−へ°アスデーション１２−ｉＮ＋Ｊ’ｉ　
　　１５−、ｔＪ）！ｔｉ：ｔｌ↑段　＋３３１−７ｉ
１　庸１３−−−卯燕シ子役　　１６−−−コントロー
ラ　　　　　＋３２−一一鴇え送予準え第　２２ 第　３　＋′−１ 〆 ＋２−−−４１軸しす１乏　　　　　　１６−−−コン
トローラ　　　　　＋６３−−−；寅Ｘ回路＋３−−−
ＮＯ熱＋ｔえ　　　　　１７−−−−へ・アステーショ
ン　　＋６４−−−を校回峯１＋４−−−Ｘ−Ｙ−Ｚス
ｙ−ジ　　１６１−−−センｆｆ−１６６−！憔、１％
１５−−一示タト２菜、τ士１戸１う堵え　１６２−Ａ
／　Ｄ夛１デ耐団ｉ＋５１−ｍ−木タトオ専し方メラ第
４図　　　第５図 第　６，５Ｊ （ｃ　）　　　　　　　　　　　　　（ｄ　）１−−−
アリント基ぞｔ　　　　３−−−＋ｚん乙゛２−・Ｅ！
−５−・−リード 努　７７ （ａ）　　　　　　　　　　　　　　　　（ｂ）（Ｃ） １−一一アリント蟇狡　　３・−１話に２−・−９己ｔ
　　　　　　　４−−−す、フ゛者ｒ品第　８７ｉ （ａ）　　　　　　　　　　　　　　　（ｂ）（Ｃ） １−−−アリント基板　　３−−−１）んに２−−一富
コｆｌ　ゴｉｌ　　　　　　　　　５−−・　・ノード
第　９　図 （ａ　）　　　　　　　　　　　　（ｂ　）（Ｃ） １−・−ア１ルト基）ｉＬ　３・・−１まん仁’　　６
−゛穴２−−−配君」　　　　　５−・−リード第　１
０　図 （ａ）　　　　　　　　　　　　　　（ｂ）（Ｃ） １−−−　フ゛りント基濯え　　　３−−−　＋まんｔ
；゛２−−−就ｊｌ　　　　　　　５−−−リード第１
１図 （ａ）　　　　　　　　　　　　（ｂ）（Ｃ） １−−−　ブラント基しフＬ　　　　３−ｉＪんビ２−
−−配鋒　　　　５−・−１）−ド第　１２　　：′Ｊ １　−−−−７’ルト［Ｋ　　　　　　　　　　１３１
’−一加ＰＬ、８１３　’−−加竺乎役　　　　　＋３
２−３・＋５’−−一示分木（百丁、？１子反　　１５
１町−小外ネ虻刀メク第１３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、部品をはんだ付けによって実装した基板のはんだ付
   け検査方法において、基板を加熱する工程と、基板から
   発生する赤外線輻射エネルギー分布を計測する工程と、
   計測結果に基いてはんだ付け部分の欠陥を検出する工程
   とを有するはんだ付け検査方法。 ２、はんだ付け欠陥検出工程は、赤外線輻射エネルギー
   分布計測工程の計測結果に基いて良品の基板の赤外線輻
   射エネルギー分布と比較してはんだ付け部分の欠陥を検
   出する請求項１記載のはんだ付け検査方法。 ３、加熱工程は、基板を所定温度に加熱したのち、加熱
   雰囲気以外に取出す工程を有する請求項１記載のはんだ
   付け検査方法。 ４、加熱工程は、加熱槽を用いて基板全体を均一に加熱
   する請求項１記載のはんだ付け検査方法。 ５、赤外線輻射エネルギー分布計測工程は、加熱槽内の
   基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測する請求項１記
   載のはんだ付け検査方法。 ６、赤外線輻射エネルギー分布計測工程は、加熱槽内よ
   り取出した基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測する
   請求項１記載のはんだ付け検査方法。 ７、赤外線輻射エネルギー分布計測工程は、赤外線カメ
   ラを用いて基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測する
   請求項１もしくは５もしくは６記載のはんだ付け検査方
   法。 ８、部品をはんだ付けによって実装した基板は、電子部
   品をはんだ付けによって実装したプリント基板である請
   求項１もしくは２もしくは３もしくは４もしくは５もし
   くは６もしくは７記載のはんだ付け検査方法。 ９、部品をはんだ付けによって実装した基板のはんだ付
   け検査装置において、基板を加熱する手段と、基板を反
   転する手段と、基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測
   する手段と、計測結果に基いてはんだ付け部分の欠陥を
   検出する手段と、上記各手段を自動制御する手段とを備
   えたはんだ付け検査装置。 １０、加熱手段は、はんだ付け時に使用するはんだ槽内
   にて基板を加熱するように構成した請求項９記載のはん
   だ付け検査装置。 １１、赤外線輻射エネルギー分布計測手段は、はんだ槽
   内の基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測するように
   構成した請求項９記載のはんだ付け検査装置。 １２、加熱手段は、基板全体を均一に加熱しうる加熱槽
   を設けた請求項９記載のはんだ付け検査装置。 １３、赤外線輻射エネルギー分布計測手段は、加熱槽内
   の基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測するように構
   成した請求項９記載のはんだ付け検査装置。 １４、赤外線輻射エネルギー分布計測手段は、赤外線カ
   メラにて基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測するよ
   うに構成した請求項９もしくは１１もしくは１３記載の
   はんだ付け検査装置。 １５、はんだ付け部分欠陥検出手段は、赤外線輻射エネ
   ルギー分布計測手段による計測結果に基いてあらかじめ
   計測した良品の基板の赤外線輻射エネルギー分布と比較
   してはんだ付け部分の欠陥を検出するように構成した請
   求項９記載のはんだ付け検査装置。 １６、部品をはんだ付けによって実装した基板は、電子
   部品をはんだ付けによって実装したプリント基板である
   請求項９もしくは１０もしくは１１もしくは１２もしく
   は１３もしくは１４もしくは１５記載のはんだ付け検査
   装置。 １７、部品をはんだ付けによって実装した基板のはんだ
   付け検査装置において、基板を加熱する手段と基板を反
   転する手段と、基板を赤外線計測位置に位置決めする手
   段と、基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測する手段
   と、計測結果に基いてはんだ付け部分の欠陥を検出する
   手段と、上記各手段を自動制御する手段とを備えたはん
   だ付け検査装置。 １８、加熱手段は、基板を所定温度に加熱したのち、加
   熱雰囲気以外に取出す手段を設けた請求項１７記載のは
   んだ付け検査装置。 １９、加熱手段は、基板のはんだ付け時に使用するはん
   だ槽内にて基板を加熱するように構成した請求項１７も
   しくは１８記載のはんだ付け検査装置。 ２０、加熱手段は、基板全体を均一に加熱しうる加熱槽
   を設けた請求項１７もしくは１８記載のはんだ付け検査
   装置。 ２１、赤外線輻射エネルギー分布計測手段は、赤外線カ
   メラを用いて基板の赤外線輻射エネルギー分布を計測す
   るように構成した請求項１７記載のはんだ付け検査装置
   。 ２２、はんだ付け部分欠陥検出手段は、赤外線輻射エネ
   ルギー分布計測手段による計測結果に基いてあらかじめ
   計測した良品の基板の赤外線輻射エネルギー分布と比較
   してはんだ付け部分の欠陥を検出するように構成した請
   求項１７記載のはんだ付け検査装置。 ２３、部品をはんだ付けによって実装した基板は、電子
   部品をはんだ付けによって実装したプリント基板である
   請求項１７もしくは１８もしくは１９もしくは２０もし
   くは２１もしくは２２記載のはんだ付け検査装置。