JPH032650A - はんだ付検査方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔注業上の利用分野〕 本発明は、はんだ付検査方法、及びそのｇ７に係り、特
にはんだ付欠陥検査の自動化に好適な検査方法、及びそ
の装置に関する。

〔従来の技術〕

回路基板等の組立において、部品挿入やはんだ付等の作
業の自動化はかなり進んでいる。しかしながら、はんだ
付の検査作業の自動化は遅れており、多くは人手による
検査を行っているのが現状である。このため、はんだ付
検査は、生産量の大幅な増加や原価低減等の障害の要因
となっていた。

また、作業者によって検査にばらつきがあり、安定して
高品質の製品を得ることも困難であった。

はんだ何検査作業の自動化に関しては、これまでに様々
な方式が提案されている。

（１）％開昭５７−１９６１４　号公報、及び特開昭５
７７１５５０４号公法では、光学的画像を利用して欠陥
を検出する検査方法、及び装置を提案しているヶ１２）
　　特開昭６２−１５９０６２号公報記載の検査方式は
。

回路基板のはんだ何部を一定温度まで加熱し、その後の
温度下降速匿を計測することによりはんだ何部の良否を
判定するものである。

（３）　　特開昭６２−２５７５４６号公報記載の検査
方式は、配線パターンを選択的に一定時間加熱後自然冷
却して、その過程の任意時間にはんだ何部の温度分布を
計測し、良品データとの比較により艮−否の判定を行う
ものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術の（１）には、効率の面と確実性の点に課
題が残されている。すなわち、はんだ何部周辺の基板の
文字・記号・及び配？ＩＭ等が画面上ではんだの判別を
困難にし、これらの影響を取り除くためには基板作成時
の材料に関する処理、検査時のデータ処理等が必要とな
って、処理工程が増えてしまうことがある。更に、はん
だ表面の凹凸や、はんだのぬれ状態にも大きく影響され
、その影響を取り除くことは非常に困難であり、検査デ
ータの信頼度が低くなる場合がある。

また、上記従来技術のは）には、加熱−自然冷却・温度
測定という一連の作業を回路基板上のはんだ何部毎に行
なわなければならないこと、温度変化を計測すること等
から１回路基板全体の検査に多大な時間を要するという
点に課題がある。

さらに、上記従来技術の（３）Ｋは、直接はんだを加熱
しないために、はんだ付された′１子部品の熱容量によ
って放熱条件が異なり、はんだに温度差が生じるので、
検出結果の信頼度に課題が残されている。

本発明の目的は、簡単なデータ処理により、確実に短時
間ではんだ付欠陥の検出が可能となるはんだ付検査方法
及びその装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

この目的を達成するため、本発明では、検査部分に赤外
殊を照射してその反射量の分布を計測し、その計測結果
に基づいてはんだ付欠陥を検出する方法を用いるもので
ある。

また、基板のはんだ付面に赤外線を照射する手段と、基
板より反射して（る赤外＠ｉｔを計測する手段と、計測
データに基づいてはんだ付部分の欠陥を検出する手段と
を備えたはんだ付欠陥検量装置を用いるものである。

さらに、赤外線計測には赤外巌童を画像（分布）として
取り込むために赤外線二次元走査ａａ＜いわゆる赤外線
カメラ）などを用いるものである。

〔作用〕

本発明を用いると基板の加熱千時間的変化の測定等の必
要がないため、温度変化計測方式や温度変化計測方式と
比奴して夜食時間はかなり短縮される。

また、本発明では、赤外線を用いることによって、計測
時に画像上ではんだ付部分の周辺部に映る基板の文字・
記号や部側等の影響を受けずに、はんだのある部分のみ
を抽出して、確実な欠陥検出を可能とする。

以下に上記のはんだ何検査方法の検出原理を示す。

第１図に示すよ５に、Ｘ−Ｙステージ１４上の、電子部
品を実装した回路基板１のはんだ付面に赤外線照射手段
１５より赤外線を照射し、その反射赤外線を赤外線計測
手段（例えば検出素子がＩｎ５ｂ　ａＥｌＣｔＴ４　　
などの赤外線カメラ）１６で計測すると、はんだのある
部分のみが選択的に抽出され、処理手段１０、記憶手段
１７、及び出力手段１８により処理、出力される。この
理由は、以下の２つである。

の他の基板構成部材（基板２．配線５等）との反射率の
違いにより赤外線の反射−が違つ℃くるためである。赤
外線を照射した際、はんだは基板番配線等に対して反射
証が多い。

第２には、基板構成部材（基板２．配線５．はんだ４．
チップ部品５等）の形状の違いによって、赤外線の反射
光の方向が異なるためである。赤外線照射光源１５が斜
め上方にある場合、反射光は第５図に示すようになる。

すなわち、基板２、配線３は、第５図（α）のように平
坦な形状をしているため、斜め上方から入射した赤外線
は図のように反射して、計測手段１６には計測されない
。一方、（りのはんだ４やＣＣ）のチップ部品５のよう
に突起した形状の場合、はんだはフィレット部がチップ
部品はエツジ部のはんだ付部分が図のよ５に反射し、計
測手段１６で反射光が計測される。以上の２点の理由に
より、はんだのある部分を判別することができる。

次に、検出方法について詳述する。

赤外線照射手段においては、検ｉ部分に対して真上より
ややずれた斜め上方向から照射することにより、はんだ
付部分の形状浬を検出し、はんだを容易に判別できる。

更に、照射装置を検査部分の中心の真上に中心をおく円
環状にすることによって、赤外線の検査部分への均等な
照射を図ることができる。

また同手段において、赤外縁照射は計測時のみに行うた
め短時間であり、基板温度の著しい上昇を生じないこと
から、温良上昇による放射赤外線の影響を防ぐことがで
きる。

赤外線照射・計測手段においては、照射装置にカバーを
設けて、赤外線カメラへの照射赤外線の直接入射を防ぐ
。この処理により基板から反射された赤外線のみが計測
でき、正確な情報を得ることができる。

はんだ欠陥の検出手段においては、赤外縁反射像を用い
ることによりて基板各部材の反射率の違いにより、はん
だと周辺部材とを８Ａ確に判別できる。従って、はんだ
何部周辺の文字・記号、及び短時間でかつ容易に行うこ
とができる。

〔実施例〕

以下１本発明の一実施例−を第４図から第６図を用い【
説明する。

第４図、第５囚に本英厖例におけるはんだ付検査装置を
示す。第４図は装置の外観、第５図は装置の構成を示し
ている。前工程で部品（図示せず）をはんだ付され、は
んだ付面が上方に向くように基板ストレージ１２に格納
された回路基板１は、基板番号入力後％搬送手段１３α
によりて照射嶺＃１５下（Ｘ−Ｙステージ１４上）に送
られる。この基板番号の入力は、ストレージ屑鉄時に情
報な嶋み込んだりあるいはキーボード入力するほか、搬
送過程においてバーコードリーダ等で胱入込む寺が可能
である。ｋ−ｙステージ１４により基板の検査部分を位
置決めした後、照射機構１５により赤外線を照射し、基
板より反射された赤外＆！倉を赤外線計測手段１６によ
り計測する。計測された赤外ｆ１Ｍ量の分布は処理装置
１０に送信され、データ処理が行われる。

処理装置１０におけるデータ処理は、第６図に示すよう
に、赤外線計測手段１６からのｔ＃報がアナログ信号で
あるので、Ａ／Ｄ変侠回路１０αによりディジタル４Ｆ
！号に変換する。これを演算回路１０ｂニ送信し各植演
昇処理（例えは最大値、最小値、平均値等の算出）を行
りて、比較回路１０Ｃに送信する。比較回路１０Ｃでは
、記憶手段１７に入力さ扛ている検査対象と同条件の良
品の赤外ｍｔの分布の情報を取り出し、演算回路１０ｂ
からの情報と比較して、各棟はんだ付欠陥の特徴を抽出
し、はんだ付欠陥を検出する。

このはんだ付欠陥の検出について、さらに具体例を挙げ
て詳述する。ここで用いる第７図から第１１図において
は、（ｃＬ）は欠陥と良品とのモテルの断面、Ｃｂ）は
計則される赤外線の分布の画像、ＣＣ）　、　Ｃｄ）は
各直嶽上の赤外戯分布を示す０（１）　　　ブリッジ 第７図は、はんだ何部間の短絡した欠陥、いわゆるブリ
ッジ欠陥を示すものである。第７図の配稼３に接合され
ている。良品すなわちはんだ間に短絡のない場合は、上
方２つのはんだ何部間のようにはんだが存在しない。こ
れは第７図Ｃｂ）において容易に確認できる。そして第
７図（ｂ）の直森ＡＡ′位置での赤外線量の分布は、第
７図（Ｃ）が示すようにフラットなものとなる。

一方、ブリッジ欠陥の場合は、下方２つのはんだ何部間
のようにはんだが存在する。（これは、上記同様に第７
図Ｃｂ）において容易に確認できる。）そのため、その
はんだ付ＨＩＩ間のＴＪｉＬ嶽ＢＢ’位置における赤外
載量の分布は、巣７図ｆＬｉ１が示すようにはんだの在
る部分のみ高い値を示すものとなる。

以上の特徴をふまえると、検査対象のはんだ何部間にお
いて赤外ｉｎの分布を計則し、第７図（ｃＬ）に示す様
なΔＥの有無を求めることで、ブリッジが検出できる。

（２）　　はんだなし 第８図には、チップ・配線間がはんだ付されていない欠
陥、いわゆるはんだなし欠陥を示す。

第８図（α）においてチップ５は、はんだ４で基板２上
の配線３に接合されている。良品すなわちはんだがある
場合がチップの左方、はんだなしの欠陥の場合がチップ
の右方である。

第８図（ｂ）において、はんだのある部分、はんだのな
い配線部分はいずれも基板より高い計測値を示す。しか
しながら直稼ＡＡ’上の赤外線量の分布を示す第８図（
Ｃ）において、はんだなしの部分（右方）は正常なはん
だ付部（左方）より差ＡＥだけ低い計測値を示している
。これは、はんだなしの部分がはんだよりも反射率の低
い材料によって形成された配謙３であるためである。

以上の特徴を抽出することにより、はんだなし欠陥の検
出か可能となる。

（５）　　穴あき 第９図（Ｇ）右方はリード６と配線５とのはんだ付部の
一部に空洞７がある場合、いわゆる穴あき欠陥、左方は
良品である。リード６は、はんだ４で基板２上の配線３
に楼台され、空ｆ！Ｕ７を生じている。

第９図Ｃｂ）より、良品はんだ（左方）と比較して欠陥
はんだ（右方）は空洞７で赤外線量が激減することが判
る。第９図（ｄ）において第９図（Ｃ）と比較して赤外
線量が極端に落ちこんでいる部分が上述の部分にあたる
。これは、照射赤外線が空洞７を通過、あるいは穴内面
で吸収されてしまい、反射してこないためである。

この特徴を抽出することにより穴あき欠陥が検出可能と
なる。

（４〕　　はんだ過多 第１０図（α）右方は、はんだ付部に必要以上にはんだ
が形成された場合のいわゆるはんだ壇多欠陥、左方は良
品である。リード６は、はんだ４によりて基板２上の配
線３に接合されている。

第１０図（りより、右方は左方よりも赤外ｉｉｉの多い
部分が少ないことがＮ認できる。

第１０図Ｃｂ）の直）ｉｌｉ！　Ａ　Ａ’位置での欠陥
部分の赤外線量の分布は、纂１ｏ図（ｃＬ）に示すよう
に良品部分の纂１０図ＣＯ）と比較してリード６周辺（
山形の中央部分）が減少した形になる。この落ちこみは
良品には現われないので、この欠陥の特徴ということが
できる。これは、はんだ付部分が碗状に盛り上がって頂
上部がほぼ水平になり。

斜め方向から照射した際に反射光がカメラに入射しない
ためである。

この特徴を抽出することによりはんだ過多欠陥が検出可
能となる。

（５）　　はんだ過少 第１１図（α）右方は、はんだが適切な童に達していな
い場合のいわゆるはんだ過少欠陥、左方は良品を示す。

リード６は、はんだ４によって基板２上の配線５に接合
されている。第１１図（ｂｌより、右方は左方よりも全
体的に赤外ｍｔの分布が低いことがｌＮ認できる。

ｍ１１図（りの直線Ａ　Ａ’位置での欠陥部分の赤外線
蓋の分布は、第１１図（ｄ−）に示すように、良品部分
の＠１１図（りと比較してリード付近の赤外線量の増７
１０部分がない。これは、はんだのぬれ状態が悪いので
、正常なフィレットを形成せずに平面に近い形状をして
いるためである。

よってこの特徴を抽出することよりはんだ過少欠陥が検
出可能となる。

次に、計測データの処理についての例を第１２図から第
１４図を用いて詳述する。第１２図から第１４図の各図
の（α）は取込む画面を示す図、（ｂ）ｔｔｃα）のラ
イン上の赤外線量の分布を示す図、ＣＣ）は検出アルゴ
リズムの７ｏ−チャートである。なおここで定数Ｐ、Ｑ
、Ｓは、実験等により得た適正値を用いる。

纂１２図はブリッジ欠陥に関する検査処理で、全はんだ
何部間で行う。第１２図（α）におけるｙ＝ノ。

のラインＬ上で赤外ａｆｔの分布を計測しく１０４゜１
０６）、その値が全であるしきい値Ｐ以上となる場合（
１１２）、ブリッジとして判断する（１１６）。

計測は、データのばらつきによる誤認識を避けるため、
ｙｏ−ｇ≦ノ°≦＋６の範囲で行い（１０２へ１１０）
、判断はその総合による。これは各検査処理について共
通である。

纂１５図は２極チツプのはんだなし欠陥に関する検量処
理で、各チップ実装部において行う。菖１５図（α）に
おけるｙ＝ノ°のラインＬ上で赤外線蓋Ｅを計測（２０
４）、チップ部品の位置を検出しく２０６）、はんだ何
部範囲を算出する（　２０８　）。はんだ付部は左右２
箇所存在するので左右の赤外線量の差ΔＥを算出しく２
１０）％ΔＥがしきい値Ｐ以上になる場合（２１Ｂ）、
はんだなしと判断する（２２０）。

２極チツプのはんだなし欠陥はチップ両側同時にはほと
んど生じないので、このような判別方法が有効となる。

第１４因は穴あき欠陥に関する検査処理で、谷リード部
品実装部において行う。帛１４図（α）におけるｙ＝ｊ
のラインＬ上で赤外＆ｆｆｉの分布を計画」シ（５０４
）、しきい値Ｑを用いてはんだ付部分を抽出する（　５
０６　）。はんだ付部の範囲において、赤外＃ｊｔＥｊ
Ｃｔ）があるしきい値Ｐ以下となる２を一定値Ｓ以上確
認すると（５０８〜３１８）、穴あき欠陥と判断する（
　５２０　）。

他の検出方法としては、ｌｔｔ測超来と良品との歩走を
生じる場合欠陥として検出するという方法も考えられる
。

以上のようなデータ処理で欠陥が検出されると、第５図
、第６図の記憶手段１７（例えはＲＡＭ、ＦＤ等）Ｋ基
板番号と欠陥個所の位置・種類などの情報を出力する。

この出方は他の装置への送旧も可能である。

例えば、第４図、第５図に示すように、本発明による検
査装置の後にはんだ付欠陥を修正するりペアステージＷ
７１８を設けた場合について説明する。欠陥のない回路
基板１は、リペアステーションを通過するかまたは通ら
ない。欠陥のある場合リペアステージ菅ン１８に送られ
る。リペアステーション１８では、作業者にティスプレ
ィ１８αによって欠陥置所及び種類を表示する。更に、
処理装置の命令で送信された出方に基づいて、スポット
元源１８Ａにより欠陥箇所を作業者に指示することもで
きる。

あるいは、出力光をそのラインのはんだ槽とすることも
可能である。はんだ檜にそのラインにおけるはんだ付状
態の情報をリアルタイムに提供し。

はんだ槽温腿や噴出強度等を最良状態として欠陥はんだ
の発生を防ぐことかできる。

以上の検査工程を示すフローチャートが第１５図、修正
工程を示すそれが第１６図である。

第１５図において、まず、第４図、第５図に示す処理装
置１０では、搬送手段１３を制御し、回路基板１をＸ−
Ｙテーブル１４上に送り（４０２）　、固定、位置決め
を行な５　（４０６）。しかる恢、赤外線照射手段１５
及び赤外線計測手段１６を制御して赤外線の照射、計測
を行ない（４ｏ８）、第６図で示したような信号処理が
行なわれ（ａｌＯ）、欠陥があれは、記憶手段１７にそ
の情報が記憶される（４１す。

また、第１６図における処理は、リペアステーシヨン１
８で行なわれ、先の処理装置１０の制御により。

欠陥のある回路基板１について、その欠陥個Ｐｇ′ｒ等
が記憶手段１７より読み出される（　５０６　）。する
と、それに対応してスポット光源１８αが制御され、欠
陥個所にスポット光が照射されることで、作朶者基づき
欠陥が修正されると、スポット光が消灯し、他の欠陥が
なければ、次の処理に移行する（５１２〜５１８）。

このように１本実施例のはんだ付検査装置によれば、赤
外線を照射し、その反射赤外線を計測するという単純な
構成と容易な操作で、従来困難であった回路基板のはん
だ付検査が自動化可能となる。このことより、回路基板
の検査効率向上、品質向上を図ることができる。

また更に、赤外線照射手段１５に以下のよ５な機能を持
たせることにより、検出精度を上げることができる。第
１７図によりその機能の例を説明する。

第１７図（α）は第４図におゆるｌ矢視図を示し、纂１
７図（りは第１７図（りにおけるＢ矢視図を示す。

この赤外憩照射装！１５′はシャッタ１５αを設けるこ
とにより反射光計測時のみ赤外線を照射し、基板への赤
外線照射を短時間にするというものである。シャッタ１
５ａは台盤の複数の平板で構成され、軸１５．６を中心
に矢印のように回転運動する。

これは赤外線照射手段の基板側に設けられ、運動示達手
段（例えばワイヤ等）によりモータ（図示せず）に接続
し、開閉駆動を可能とする。シャッタ１５ｇの開閉は赤
外憇照射と同期して処理装置１１０によって制御される
。

赤外縁照射を長時間行うと、基板が加熱されて放射赤外
−が増加し、良い計測結果を得ることが国難になる。だ
が上記の処理により、最小限の赤外線照射で照射による
基板の加熱を防げるため、検査の梢匿を上げることがで
きる。

また他にも、カバー内面（照射手段側）を反射率の島い
材料とすることで、照射の効率を向上させることが可能
である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれは、以下のような効
果を得ることができる。

１、赤外線を利用することにより、可視光疎を利用した
とぎに問題となる。環境（周辺）等の影響を除去するこ
とができる。すなわち、はんだ形状の画像による計測の
際、基板の即刷文字・検査結果のＩ積度の向上を図るこ
とができる。

２、基板加熱弐検歪方法と比較して、加熱等に起因する
検査環境の変化が少なく、また加熱時間が不要となるた
め、安定した検査結果を短時間で得ることが可能である
。

５、赤外線を対象に対して垂直ではなくやや角度を持た
せた斜、上方向より照射することによって、はんだ何部
のフィレット等の形状を明確に計測することができる。

４、計測手段に赤外線カメラを利用して検査対象の情報
を画像として取り込むことによって、広範囲の検査を行
うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１因は１本発明のはんだ付検査方式を示す図、纂２図
は、はんだと他の基板構ｇ部材との照射赤外線ｔｉｃよ
る反射赤外線量の比較を示す図、第５図（す、（邊）　
、　（ｃ）は、基板／？！ｒＳ材に赤外線を照射した場
合の反射方向を示す図で、　（ｃＬ）は基板、Ｃｂ）は
はんだ何部、（Ｃ）はチップ部品くそれぞれ赤外、岬＼
照射したときの反射光の方向を示す図、艙蒐１ 第４図は、本発Ｑｌ［よるはんだ付検査装置の外観を示
す斜視図、第５図は第４図の装！栴成を示す図、第６図
は篤４図の信号処理機構を示す図、纂７図から第１１図
は、はんだ付欠陥検出方法の具体例を示し、第７図（す
、（す、　（Ｃ）　、　Ｃｄ）は、ブリッジ欠陥の場合
を示す図で、（α〕はその断面図。 （ｊ）はその赤外装置の分布の計測画像を示す図、（す
、（ｄ）は各々直線ＡＡ’、ＢＢ’上の赤外麹蓋の分布
を示す図、第８図（α）　ｔ　（ｂ）　ｅ　（りは、は
んだなし欠陥の場合を示す図で、帛９図（α）ｅ　Ｃｂ
）。 ＣＤ）　　Ｃｄ）は、穴あき欠陥の場合を示す図、第１
０図（す、　Ｃｂ）　、　ＣＣ）　Ｉ　Ｃｄ）は、はん
だ過多欠陥の場合を示す図、諾１１図（す、（す、（す
、（ｄ）は。 はんだ過少欠陥の場合を示す図で、第８図ないし第１１
図の各々ＣＧ）はその断面図、（りはその赤外腺濾の分
布の計測１渾を示す図、ＣＤ）　＃　Ｃｄ）は直載ＡＡ
’における赤外線量の分布を示す図、第１２図から第１
４図は、はんだ付欠陥の検量アルゴリズムの実施例を示
す図で、第１２図（α）　、　（Ａ）　、　ＣＣ）は、
ブリッジ欠陥、第１３図（α）　、　Ｃｂ）　、　Ｃ（
：）は、はんだなし欠陥、第１４図（α）　ｊ　Ｃｂ）
　＃　ＣＣ）は、穴あき欠陥の例を示し、各々（Ｇ）は
取込み画面を示す図、Ｃｂ）は（Ｗ）　Ｋおけるライン
Ｌ上の赤外ｉｔの分布を示す図、（Ｃ）は検出アルゴリ
ズムのフローチャート、藁１５図は、はんだ付検査手順
を示すフローチャート、篤１６図は、はんだ欠陥の修正
処理手順を示す７ｃｘ−チャート、第１７図（α）、（
りは、本発明の改良機能を設置した赤外線照射装置を示
す脂で、（α）はあ４図くおけるＡ矢視図、（りは（α
）におけるＢ矢視図である。 １・・・回路基板　　　　　２・一基板５・−配線　　
　　　　　４・・・はんだ５−チップ部品　　　　６・
・・リードピン１０・・・処理装置　　　　　１０α・
−Ａ　／　Ｄ変換回路１０ｂ・−演ｎ回路　　　　１０
ｃ・−比較回路１２・一基板ストレージ　　１５・−搬
送手段１４−Ｘ−Ｙステージ　　１５・・・赤外線照射
手段１６！−赤外線計測手段　　１７・−記憶手段１８
・−欠陥表示・修正手段１８α・・・デイスプレィ１８
ｂ−スポット発光手段 χ　１　図 晃　３　シ 篤　２　図 、肴、　　夕ｈｓ曳　Ｇ、　　射　１Ｅ５　テンプ部 場　４１０ （乙ン ｔ１ハ′二Ｌニイヱ１五 １３８１エイｉコＬ量 下　５　図 充　８　口 （Ｑ） （トン （Ｃ） ＡＡ’　上イｎ６叫１ 名９図 （ＣＬ） ＡＡ’　よメ立ｌ ハム″上イ立！ 図 （α） ハム エコ！ ハム′上４１工 届　１０　　図 （α） Ａ ニＡユｉ ＡＡ’ｕニイｈａ 図 ５　１３　　図 ｒｌう２ ら図 ヱ　１午　図 （ＣＬ） 第１７０ （ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電子部品をはんだ付実装した回路基板のはんだ付検
   査方法において、検査対象部分に赤外線を照射する工程
   と、その照射により前記検査対象部分から反射してくる
   赤外線量を測定する工程と、その測定された赤外線量に
   基づきはんだ付欠陥の有無を判別する工程とを有するこ
   とを特徴とするはんだ付検査方法。 ２、回路基板のはんだ付検査方法において、はんだ付部
   分に斜め上方から赤外線を照射し、検査対象部分より反
   射された赤外線量の分布を同じ側の垂直上方から計測し
   、計測データよりはんだ付欠陥の種類と位置を検出する
   ことを特徴とするはんだ付検査方法。 ３、基板のはんだ付面に赤外線を照射する手段と基板よ
   り反射してくる赤外線量を計測する手段と、計測データ
   に基づいてはんだ付部分の欠陥を検出する手段とを備え
   たはんだ付欠陥検査装置。 ４、はんだ付部分への赤外線照射手段として、リング状
   の赤外線照射機構を用いる、請求項３記載のはんだ付検
   査装置。 ５、赤外線照射の際、赤外線が計測手段に直接入射する
   のを防ぐカバーを設けた照射手段を用いる、請求項３記
   載のはんだ付検査装置。 ６、赤外線照射の際、照射時以外の赤外線をさえぎるシ
   ャッタ機構を基板側に設けた照射手段を用いる、請求項
   ３記載のはんだ付検査装置。 ７、反射赤外線量の分布の計測手段として、赤外線二次
   元走査装置を用いる、請求項３記載のはんだ付検査装置
   。 ８、反射赤外線量分布計測結果に演算処理を施したデー
   タと、記憶装置内に記憶してある同条件による良品基板
   の演算データとを比較することにより、はんだ付部分の
   欠陥を判別する請求項２記載のはんだ付検査方法。 ９、反射赤外線量の分布計測結果と、記憶手段内に記憶
   済の同条件による良品基板の計測結果とを比較すること
   により、はんだ付部分の欠陥を判別する請求項２記載の
   はんだ付検査方法。 １０、計測データの処理により欠陥部分の有無で基板を
   分類し、欠陥基板について検出した欠陥部分を表示する
   機能を持つ、請求項３記載のはんだ付検査装置。 １１、検出した欠陥の情報を他の装置へ送信することの
   できる出力手段を備えた、請求項３記載のはんだ付検査
   装置。 １２、検出した欠陥の情報の送信先が、はんだ付の修正
   を行うステーシヨンである、請求項１１記載のはんだ付
   検査装置。