JP3368494B2 - ボンディング装置 - Google Patents
ボンディング装置Info
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- JP3368494B2 JP3368494B2 JP22231298A JP22231298A JP3368494B2 JP 3368494 B2 JP3368494 B2 JP 3368494B2 JP 22231298 A JP22231298 A JP 22231298A JP 22231298 A JP22231298 A JP 22231298A JP 3368494 B2 JP3368494 B2 JP 3368494B2
- Authority
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- Japan
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- laser
- tool
- pressure tool
- light
- semiconductor chip
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップをリ
ードや基板へボンディングするボンディング装置の改良
に関するものであり、詳しくはボンディング装置におけ
る半導体チップの加圧ツールに対する加熱手段及び温度
検出手段の改良に関するものである。
ードや基板へボンディングするボンディング装置の改良
に関するものであり、詳しくはボンディング装置におけ
る半導体チップの加圧ツールに対する加熱手段及び温度
検出手段の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にボンディング装置における加圧ツ
ールに対する加熱は、セラミックス等の絶縁材料からな
る加圧ツールに金属の抵抗線をプリントし、この抵抗線
に電流を流すことにより発生するジュール熱によってい
た。ところが加圧ツールは、ボンディングに際して急激
に昇温させられる。しかし、加圧ツールと抵抗線との熱
膨張係数に違いがあるため抵抗線が頻繁に断線すること
があった。そこで、加圧ツールに接触することなく加熱
することができるレーザ発振器による加熱手段が採用さ
れるようになってきた。
ールに対する加熱は、セラミックス等の絶縁材料からな
る加圧ツールに金属の抵抗線をプリントし、この抵抗線
に電流を流すことにより発生するジュール熱によってい
た。ところが加圧ツールは、ボンディングに際して急激
に昇温させられる。しかし、加圧ツールと抵抗線との熱
膨張係数に違いがあるため抵抗線が頻繁に断線すること
があった。そこで、加圧ツールに接触することなく加熱
することができるレーザ発振器による加熱手段が採用さ
れるようになってきた。
【０００３】他方、ボンディングに際する温度制御のた
め、加圧ツールの温度の検出をする必要があるが、この
ためには熱電対が用いられるのが一般的だった。しか
し、熱電対も加圧ツールとの熱膨張係数の違いがあるた
め装着された加圧ツールから外れる危険を有していた。
また、加圧ツールは消耗品であり、頻繁に交換する必要
があったが、加圧ツールに装着された熱電対も一緒に交
換しなければならないとう無駄が生じていた。
め、加圧ツールの温度の検出をする必要があるが、この
ためには熱電対が用いられるのが一般的だった。しか
し、熱電対も加圧ツールとの熱膨張係数の違いがあるた
め装着された加圧ツールから外れる危険を有していた。
また、加圧ツールは消耗品であり、頻繁に交換する必要
があったが、加圧ツールに装着された熱電対も一緒に交
換しなければならないとう無駄が生じていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、加圧
ツールに接触することなく加圧ツールの加熱及び加圧ツ
ールの温度検出を行なうことにより、抵抗線の断線や熱
電対の脱落による温度制御の不安定さや対応の遅れをな
くして安定した加熱を可能とし、更に熱電対のような温
度検出手段の無駄な交換をなくそうとするものである。
ツールに接触することなく加圧ツールの加熱及び加圧ツ
ールの温度検出を行なうことにより、抵抗線の断線や熱
電対の脱落による温度制御の不安定さや対応の遅れをな
くして安定した加熱を可能とし、更に熱電対のような温
度検出手段の無駄な交換をなくそうとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、半導体チップを半田バンプ等の接続材を用い
てリードや基板にボンディングするボンディング装置に
おいて、半導体チップに当接する加圧ツールと、該加圧
ツールにレーザ光を照射し加熱するレーザ発振器と、加
熱された加圧ツールからの輻射光を特定の波長の光だけ
が通過できる赤外線フィルタを通して赤外線センサによ
って感知して温度を検出する温度検出手段とを有し、前
記加圧ツールは半導体チップにレーザ光が直接当たらな
いように半導体チップを吸着保持するとともに、前記温
度検出手段にて検出された値によりレーザ発振器の出力
を制御することを特徴とするボンディング装置を提供す
る。
本発明は、半導体チップを半田バンプ等の接続材を用い
てリードや基板にボンディングするボンディング装置に
おいて、半導体チップに当接する加圧ツールと、該加圧
ツールにレーザ光を照射し加熱するレーザ発振器と、加
熱された加圧ツールからの輻射光を特定の波長の光だけ
が通過できる赤外線フィルタを通して赤外線センサによ
って感知して温度を検出する温度検出手段とを有し、前
記加圧ツールは半導体チップにレーザ光が直接当たらな
いように半導体チップを吸着保持するとともに、前記温
度検出手段にて検出された値によりレーザ発振器の出力
を制御することを特徴とするボンディング装置を提供す
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図示の実施例に従い、発明
の実施の形態について説明する。本発明は、半導体チッ
プを半田バンプ等の接続材を用いてリードや基板にボン
ディングするボンディング装置である。実施例はフリッ
プチップボンディング装置であり、半導体チップ３が加
圧ツール４に吸着され、下面に半田ボールをつけ、位置
決めをして基板に搭載される。基板へ半導体チップ３を
搭載した後、加圧ツール４を加熱し、半導体チップ３を
介して半田ボールが溶融して接続したところで冷却して
固定する。
の実施の形態について説明する。本発明は、半導体チッ
プを半田バンプ等の接続材を用いてリードや基板にボン
ディングするボンディング装置である。実施例はフリッ
プチップボンディング装置であり、半導体チップ３が加
圧ツール４に吸着され、下面に半田ボールをつけ、位置
決めをして基板に搭載される。基板へ半導体チップ３を
搭載した後、加圧ツール４を加熱し、半導体チップ３を
介して半田ボールが溶融して接続したところで冷却して
固定する。
【０００７】本発明は、上記のようなボンディング装置
における加熱手段及びその温度検出手段に特徴を有する
もので、図１は、本発明の特徴部分であるレーザヒート
ツール１の説明図である。
における加熱手段及びその温度検出手段に特徴を有する
もので、図１は、本発明の特徴部分であるレーザヒート
ツール１の説明図である。
【０００８】レーザヒートツール１のヒータ支持部２内
に、半導体チップ３と当接して半導体チップ３を吸着保
持する加圧ツール４を設け、レーザヒートツール１のレ
ーザ支持部５内に、該加圧ツール４にレーザ光２０、２
１を照射し加熱するレーザ発振器６を設け、レーザヒー
トツール１の上部に温度検出手段７を設けたものであ
る。ボンディング装置全体としては温度検出手段７にて
検出された値によりレーザ発振器６の出力を制御するこ
とを特徴とするものである。
に、半導体チップ３と当接して半導体チップ３を吸着保
持する加圧ツール４を設け、レーザヒートツール１のレ
ーザ支持部５内に、該加圧ツール４にレーザ光２０、２
１を照射し加熱するレーザ発振器６を設け、レーザヒー
トツール１の上部に温度検出手段７を設けたものであ
る。ボンディング装置全体としては温度検出手段７にて
検出された値によりレーザ発振器６の出力を制御するこ
とを特徴とするものである。
【０００９】本実施例における加圧ツール４は、セラミ
ックス板が用いられる。加圧ツール４の吸着面（加圧ツ
ール４の下面）は電気的に絶縁物で且つ平坦であること
が必要である。加圧ツール４としてセラミックス板が用
いられるのは熱ストレスに強く、安価で加工がしやすい
ためである。
ックス板が用いられる。加圧ツール４の吸着面（加圧ツ
ール４の下面）は電気的に絶縁物で且つ平坦であること
が必要である。加圧ツール４としてセラミックス板が用
いられるのは熱ストレスに強く、安価で加工がしやすい
ためである。
【００１０】実施例における加圧ツール４は、半導体チ
ップ３への加圧、加熱とともに、半導体チップ３を吸着
保持する役割を有する。従って、加圧ツール４には吸着
穴８が穿設されている。吸着穴８は、図示されていない
真空吸引装置と真空吸引ライン９により接続されてい
る。
ップ３への加圧、加熱とともに、半導体チップ３を吸着
保持する役割を有する。従って、加圧ツール４には吸着
穴８が穿設されている。吸着穴８は、図示されていない
真空吸引装置と真空吸引ライン９により接続されてい
る。
【００１１】加圧ツール４の吸着穴８は、通常垂直に穿
設されているが、本実施例における吸着穴８は、通常と
は異なり、図示されるように斜めに穿設されている。吸
着された半導体チップ３にレーザ発振器６からのレーザ
光２０、２１が直接当たらないようにするためである。
設されているが、本実施例における吸着穴８は、通常と
は異なり、図示されるように斜めに穿設されている。吸
着された半導体チップ３にレーザ発振器６からのレーザ
光２０、２１が直接当たらないようにするためである。
【００１２】半導体チップ３にレーザ光２０、２１が直
接当たらないようにする他の手段として、後述する集光
レンズ１２にマスクを掛け、加圧ツール４の吸着穴８部
分にレーザ光２０、２１を当てない方法や、加圧ツール
４を、焼結金属の様な光の透過性がなく通気性を有する
多孔質材にて形成して、レーザ光２０、２１の透過を阻
止する方法も考えられる。
接当たらないようにする他の手段として、後述する集光
レンズ１２にマスクを掛け、加圧ツール４の吸着穴８部
分にレーザ光２０、２１を当てない方法や、加圧ツール
４を、焼結金属の様な光の透過性がなく通気性を有する
多孔質材にて形成して、レーザ光２０、２１の透過を阻
止する方法も考えられる。
【００１３】加圧ツール４を加熱する手段としては、レ
ーザ発振器６を用いる。レーザ発振器６からのレーザ光
２０、２１を加圧ツール４に照射し、加圧ツール４を加
熱するのである。レーザ発振器６は、レーザヒートツー
ル１のレーザ支持部５内に図示されていない水冷冷却機
構を付設して配置されている。レーザ発振器６として
は、小型で大出力であり且つ安価な上、加圧ツール４を
均一に加熱することができる半導体レーザ発振器を用い
る。半導体レーザ発振器を用いると、出力２００Ｗのも
ので十分対応でき、その大きさも約１センチメートル位
と小型なものとなる。
ーザ発振器６を用いる。レーザ発振器６からのレーザ光
２０、２１を加圧ツール４に照射し、加圧ツール４を加
熱するのである。レーザ発振器６は、レーザヒートツー
ル１のレーザ支持部５内に図示されていない水冷冷却機
構を付設して配置されている。レーザ発振器６として
は、小型で大出力であり且つ安価な上、加圧ツール４を
均一に加熱することができる半導体レーザ発振器を用い
る。半導体レーザ発振器を用いると、出力２００Ｗのも
ので十分対応でき、その大きさも約１センチメートル位
と小型なものとなる。
【００１４】図中１０は、ビームコレクティングレンズ
である。半導体レーザ発振器からのレーザ光２０、２１
は指向性が悪く、また非常に扁平な楕円状の断面をして
いるので、そのままでは加圧ツール４を加熱する用途に
は不向きである。そこで半導体レーザ発振器の直後にビ
ームコレクティングレンズ１０を設けて、レーザ光２
０、２１の指向性を調整しているのである。
である。半導体レーザ発振器からのレーザ光２０、２１
は指向性が悪く、また非常に扁平な楕円状の断面をして
いるので、そのままでは加圧ツール４を加熱する用途に
は不向きである。そこで半導体レーザ発振器の直後にビ
ームコレクティングレンズ１０を設けて、レーザ光２
０、２１の指向性を調整しているのである。
【００１５】図中１１は、ダイクロイックミラーであ
り、ビームコレクティングレンズ１０にて整光されたレ
ーザ光２０、２１は、ダイクロイックミラー１１へと向
かう。ダイクロイックミラー１１は、ある波長の光は通
して、ある波長の光は通さないという選択的透過及び反
射することができるものである。半導体レーザ発振器か
らの半導体レーザ光は近赤外線レベルの可視光に近い波
長の光であり、後述する加圧ツール４からの輻射光は約
１μｍ以上の赤外線であるため、その波長差により容易
に透過または反射の選択ができる。
り、ビームコレクティングレンズ１０にて整光されたレ
ーザ光２０、２１は、ダイクロイックミラー１１へと向
かう。ダイクロイックミラー１１は、ある波長の光は通
して、ある波長の光は通さないという選択的透過及び反
射することができるものである。半導体レーザ発振器か
らの半導体レーザ光は近赤外線レベルの可視光に近い波
長の光であり、後述する加圧ツール４からの輻射光は約
１μｍ以上の赤外線であるため、その波長差により容易
に透過または反射の選択ができる。
【００１６】実施例では、レーザ発振器６のレーザ光の
照射方向が直接加圧ツール４へと向かうものでないの
で、ダイクロイックミラー１１は，レーザ光２０、２１
は通さず反射してレーザ光２０、２１を加圧ツール４へ
と向かわせ、後述する加圧ツール４の輻射光３０、３
１、３２、３３は通すものを用いている。ダイクロイッ
クミラー１１によりレーザ発振器６と温度検出手段７と
を異なる位置に配置することが可能となる。
照射方向が直接加圧ツール４へと向かうものでないの
で、ダイクロイックミラー１１は，レーザ光２０、２１
は通さず反射してレーザ光２０、２１を加圧ツール４へ
と向かわせ、後述する加圧ツール４の輻射光３０、３
１、３２、３３は通すものを用いている。ダイクロイッ
クミラー１１によりレーザ発振器６と温度検出手段７と
を異なる位置に配置することが可能となる。
【００１７】ダイクロイックミラー１１にて反射された
レーザ光２０、２１は集光レンズ１２へと向かう。集光
レンズ１２は、ヒータ支持部２のやや上方に上下動可能
に装着されている。これは加圧ツール４に対してレーザ
光２０、２１を照射する面積を半導体チップ３の大きさ
に合わせて変更するためである。
レーザ光２０、２１は集光レンズ１２へと向かう。集光
レンズ１２は、ヒータ支持部２のやや上方に上下動可能
に装着されている。これは加圧ツール４に対してレーザ
光２０、２１を照射する面積を半導体チップ３の大きさ
に合わせて変更するためである。
【００１８】以上のようにして集光レンズ１２を通過し
たレーザ発振器６からのレーザ光２０、２１は、加圧ツ
ール４を照射し、加熱する。加熱された加圧ツール４
は、輻射光３０、３１、３２、３３を発生する。加圧ツ
ール４からの輻射光３０、３１、３２、３３は温度によ
り光の強度が変わる。この輻射光３２、３３の強度を温
度検出手段７で感知し、加圧ツール４に接触することな
く加圧ツール４の温度を検出するのである。
たレーザ発振器６からのレーザ光２０、２１は、加圧ツ
ール４を照射し、加熱する。加熱された加圧ツール４
は、輻射光３０、３１、３２、３３を発生する。加圧ツ
ール４からの輻射光３０、３１、３２、３３は温度によ
り光の強度が変わる。この輻射光３２、３３の強度を温
度検出手段７で感知し、加圧ツール４に接触することな
く加圧ツール４の温度を検出するのである。
【００１９】温度検出手段７は、赤外線センサ１３と赤
外線フィルタ１４によりなる。実施例では赤外線センサ
１３として、サーモパイルを用いる。サーモパイルによ
り、加圧ツール４の温度を高応答で連続的に測定でき
る。赤外線フィルタ１４は、ダイクロイックミラー１１
を通過した輻射光３０、３１、３２、３３の内、特定の
波長の光だけを通すようにするものである。
外線フィルタ１４によりなる。実施例では赤外線センサ
１３として、サーモパイルを用いる。サーモパイルによ
り、加圧ツール４の温度を高応答で連続的に測定でき
る。赤外線フィルタ１４は、ダイクロイックミラー１１
を通過した輻射光３０、３１、３２、３３の内、特定の
波長の光だけを通すようにするものである。
【００２０】温度検出手段７は、ヒータ支持部２の上方
にアパチャ１５を設け、アパチャ１５の上方に配置され
ている。アパチャ１５は輻射光３２、３３を通す穴を開
けてあるもので、表面は光を吸収するようにブラストな
どでざらざらにしてあったり、黒くしてあったりする。
にアパチャ１５を設け、アパチャ１５の上方に配置され
ている。アパチャ１５は輻射光３２、３３を通す穴を開
けてあるもので、表面は光を吸収するようにブラストな
どでざらざらにしてあったり、黒くしてあったりする。
【００２１】加圧ツール４の輻射光３０、３１、３２、
３３は、まず集光レンズ１２を通過し、次にダイクロイ
ックミラー１１を通過し、アパチャ１５から進入し、赤
外線フィルタ１４にて特定波長の光だけに絞られ、赤外
線センサ１３により感知され、温度として検出されるの
である。検出された温度の値は図示されていない制御回
路に入力され、レーザ発振器６への電流をコントロール
することにより、レーザ発振器６からのレーザ出力を制
御する。
３３は、まず集光レンズ１２を通過し、次にダイクロイ
ックミラー１１を通過し、アパチャ１５から進入し、赤
外線フィルタ１４にて特定波長の光だけに絞られ、赤外
線センサ１３により感知され、温度として検出されるの
である。検出された温度の値は図示されていない制御回
路に入力され、レーザ発振器６への電流をコントロール
することにより、レーザ発振器６からのレーザ出力を制
御する。
【００２２】尚、加圧ツール４に対する加熱は、約３秒
で約５００度まで加熱され、６乃至７秒で約１００度ま
で冷却することを繰り返す。図中１６は、そのためヒー
タ支持部２に配置された急速強制冷却装置であり、冷却
装置１６における冷却媒体には水又は液体窒素などが使
用される。
で約５００度まで加熱され、６乃至７秒で約１００度ま
で冷却することを繰り返す。図中１６は、そのためヒー
タ支持部２に配置された急速強制冷却装置であり、冷却
装置１６における冷却媒体には水又は液体窒素などが使
用される。
【００２３】尚、本実施例では、温度検出手段７が、レ
ーザヒートツール１の上方（加圧ツール４の真上）に位
置し、レーザ発振器６が、その側方に位置するが、ダイ
クロイックミラー１１の作用を逆にすることにより、レ
ーザ発振器６と温度検出手段７の位置を逆にすることも
できる。
ーザヒートツール１の上方（加圧ツール４の真上）に位
置し、レーザ発振器６が、その側方に位置するが、ダイ
クロイックミラー１１の作用を逆にすることにより、レ
ーザ発振器６と温度検出手段７の位置を逆にすることも
できる。
【００２４】即ち、レーザ発振器６を、レーザーヒート
ツール１の上方（加圧ツール４の真上）に位置させ、温
度検出手段７を、その側方に位置するようにすることも
できる。この場合、レーザ発振器６のレーザ光が直接加
圧ツール４へと向かうものとなるので、ダイクロイック
ミラー１１はレーザ光を反射せず通し、直接加圧ツール
４に対してレーザ光を照射し加圧ツール４を加熱する。
他方、加熱された加圧ツール４から発生した輻射光はダ
イクロイックミラー１１にて反射して、反射方向側に位
置する温度検出手段７で感知し、加圧ツール４の温度を
検出するものである。
ツール１の上方（加圧ツール４の真上）に位置させ、温
度検出手段７を、その側方に位置するようにすることも
できる。この場合、レーザ発振器６のレーザ光が直接加
圧ツール４へと向かうものとなるので、ダイクロイック
ミラー１１はレーザ光を反射せず通し、直接加圧ツール
４に対してレーザ光を照射し加圧ツール４を加熱する。
他方、加熱された加圧ツール４から発生した輻射光はダ
イクロイックミラー１１にて反射して、反射方向側に位
置する温度検出手段７で感知し、加圧ツール４の温度を
検出するものである。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、如上のように構成されるた
め、次のような効果を発揮する。第１に、ボンデイング
装置における加熱手段としてレーザ発振器を使用するこ
とにより加圧ツールと接触することなく加圧ツールを均
一に加熱することが可能となった。従って加圧ツールと
の熱膨張率の相違により加熱手段が切断するといった事
態の発生はなくなった。
め、次のような効果を発揮する。第１に、ボンデイング
装置における加熱手段としてレーザ発振器を使用するこ
とにより加圧ツールと接触することなく加圧ツールを均
一に加熱することが可能となった。従って加圧ツールと
の熱膨張率の相違により加熱手段が切断するといった事
態の発生はなくなった。
【００２６】第２に、温度検出手段も加圧ツールの輻射
光により温度を検出することができるので、加圧ツール
の加熱により、熱電対が脱落して正確な温度検出ができ
なくなるような事態はなくなった。更に、加圧ツールの
交換時に温度検出手段も交換しなければならないといっ
た無駄もなくなった。
光により温度を検出することができるので、加圧ツール
の加熱により、熱電対が脱落して正確な温度検出ができ
なくなるような事態はなくなった。更に、加圧ツールの
交換時に温度検出手段も交換しなければならないといっ
た無駄もなくなった。
【００２７】第３に、加熱手段及び温度検出手段とも加
圧ツールと接触することを必要としていないため加熱手
段や温度検出手段、更には加圧ツールの耐久性を高める
ことができるものとなった。
圧ツールと接触することを必要としていないため加熱手
段や温度検出手段、更には加圧ツールの耐久性を高める
ことができるものとなった。
【００２８】第４に、従来例には、直接半導体チップに
レーザ光を照射して加熱するものもあるが、半導体チッ
プ自体の表面には光の吸収性の良い箇所と悪い箇所があ
り、半導体チップに温度差が生じてしまい接続不良とな
ることがあるが、本発明は加圧ツールにレーザ光を照射
して加熱するものであるので、半導体チップに対して均
等なる加熱が可能となった。
レーザ光を照射して加熱するものもあるが、半導体チッ
プ自体の表面には光の吸収性の良い箇所と悪い箇所があ
り、半導体チップに温度差が生じてしまい接続不良とな
ることがあるが、本発明は加圧ツールにレーザ光を照射
して加熱するものであるので、半導体チップに対して均
等なる加熱が可能となった。
【００２９】第５に、本実施例ではレーザ光及び輻射光
を選択的に反射及び透過する選択性透過反射鏡を用いて
いるので、レーザ光と輻射光を分岐させることができ、
レーザ発振器と温度検出手段を異なる位置に配置するこ
とが可能となり、容易に両手段を加圧ツールと非接触に
することができる。
を選択的に反射及び透過する選択性透過反射鏡を用いて
いるので、レーザ光と輻射光を分岐させることができ、
レーザ発振器と温度検出手段を異なる位置に配置するこ
とが可能となり、容易に両手段を加圧ツールと非接触に
することができる。
【００３０】第６に、レーザ発振器として半導体レーザ
発振器を用いることにより、ボンディング装置がコンパ
クトでかつ安価に製造することができた。
発振器を用いることにより、ボンディング装置がコンパ
クトでかつ安価に製造することができた。
【００３１】第７に、赤外線センサにサーモパイルを使
用することにより、温度検出の応答時間がきわめて高速
となり、更に集光レンズを設けることにより、温度上昇
をさせる加圧ツール部分の質量を極限まで小さくするこ
とができ、加圧ツールの加熱、冷却が短時間で行いうる
ものとなった。
用することにより、温度検出の応答時間がきわめて高速
となり、更に集光レンズを設けることにより、温度上昇
をさせる加圧ツール部分の質量を極限まで小さくするこ
とができ、加圧ツールの加熱、冷却が短時間で行いうる
ものとなった。
【図１】レーザヒートツールの説明図
１．．．．．．．．．．．．．レーザヒートツール
２．．．．．．．．．．．．．ヒータ支持部
３．．．．．．．．．．．．．半導体チップ
４．．．．．．．．．．．．．加圧ツール
５．．．．．．．．．．．．．レーザ支持部
６．．．．．．．．．．．．．レーザ発振器
７．．．．．．．．．．．．．温度検出手段
８．．．．．．．．．．．．．吸着穴
９．．．．．．．．．．．．．真空吸引ライン
１０．．．．．．．．．．．．ビームコレクティングレ
ンズ １１．．．．．．．．．．．．ダイクロイックミラー １２．．．．．．．．．．．．集光レンズ １３．．．．．．．．．．．．赤外線センサ １４．．．．．．．．．．．．赤外線フィルタ １５．．．．．．．．．．．．アパチャ １６．．．．．．．．．．．．冷却装置 ２０、２１．．．．．．．．．レーザ光 ３０、３１、３２、３３．．．輻射光
ンズ １１．．．．．．．．．．．．ダイクロイックミラー １２．．．．．．．．．．．．集光レンズ １３．．．．．．．．．．．．赤外線センサ １４．．．．．．．．．．．．赤外線フィルタ １５．．．．．．．．．．．．アパチャ １６．．．．．．．．．．．．冷却装置 ２０、２１．．．．．．．．．レーザ光 ３０、３１、３２、３３．．．輻射光
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
Claims (3)
- 【請求項１】半導体チップを半田バンプ等の接続材を用
いてリードや基板にボンディングするボンディング装置
において、半導体チップに当接する加圧ツールと、該加
圧ツールにレーザ光を照射し加熱するレーザ発振器と、
加熱された加圧ツールからの輻射光を特定の波長の光だ
けが通過できる赤外線フィルタを通して赤外線センサに
よって感知して温度を検出する温度検出手段とを有し、
前記加圧ツールは半導体チップにレーザ光が直接当たら
ないように半導体チップを吸着保持するとともに、前記
温度検出手段にて検出された値によりレーザ発振器の出
力を制御することを特徴とするボンディング装置。 - 【請求項２】上記レーザ発振器は半導体レーザ発振器で
ある請求項１に記載のボンディング装置。 - 【請求項３】上記赤外線センサはサーモパイルである請
求項１または２に記載のボンディング装置。
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1998
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