JPH0642357Y2 - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

Info

Publication number
JPH0642357Y2
JPH0642357Y2 JP1987056275U JP5627587U JPH0642357Y2 JP H0642357 Y2 JPH0642357 Y2 JP H0642357Y2 JP 1987056275 U JP1987056275 U JP 1987056275U JP 5627587 U JP5627587 U JP 5627587U JP H0642357 Y2 JPH0642357 Y2 JP H0642357Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
semiconductor device
semiconductor substrate
optical semiconductor
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1987056275U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63164264U (ja
Inventor
修 米山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP1987056275U priority Critical patent/JPH0642357Y2/ja
Publication of JPS63164264U publication Critical patent/JPS63164264U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0642357Y2 publication Critical patent/JPH0642357Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、発光素子が形成された光半導体装置に関す
る。
〔考案の概要〕
本考案は、発光素子を有する光半導体装置（いわゆる光
IC）において、機能素子が形成された半導体基板上にダ
イアモンド膜を介して発光素子を一体に設けると共に、
半導体基板とダアヤモンド膜間にストレス緩和膜を介在
させて構成することにより、発光素子に対する良好な電
気的絶縁性と熱伝導性が得られ、且つ半導体基板と発光
素子間でのストレスを緩和して高信頼性化を図るように
したものである。
〔従来の技術〕
第２図に示すように、機能素子としてのホトダイオード
（１）（又はホトトランジスタ、IC等）が形成されたＮ
型Si基板（２）上に金属より成るハンダ層（６）を介し
て発光素子である例えばレーザダイオード（７）が設け
られた光半導体装置（いわゆる光IC）（８）が提案され
ている。（３）は、SiO2層である。
〔考案が解決しようとする問題点〕
従来の光半導体装置（８）においては、第２図に示すよ
うにNPN構造のSi基板（２）上にレーザダイオード
（７）を設け、接合に逆バイアスをかけることにより、
電気的絶縁を図っている。しかし、レーザダイオード
（７）からの光が入射することにより、又は他の場所で
発生した光電流との干渉によりNPN構造にリークが生じ
ることがある。また、レーザダイオードのような発光素
子は、熱による特性の変動が大きいという欠点を有して
いる。
本考案は、上記問題点を解決することができる光半導体
装置を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案は、機能素子（１）が形成された半導体基板
（２）上にダイアモンド膜（５）を介して発光素子
（７）を一体に設け、且つ、半導体基板（２）とダイア
モンド膜（５）との間にストレス緩和膜（９）を介在し
て構成する。
〔作用〕
ダイアモンドは、電気的な絶縁物であると同時に熱的な
良導体である。従って、発光素子（７）を半導体基板
（２）上にダイアモンド膜（５）を介して設けることに
より、発光素子（７）に対する電気的絶縁性が得られ、
同時に熱伝導率が良いため発光素子（７）の熱による特
性の変動を抑えることができる。
また、ストレス緩和膜（９）によって、半導体基板
（２）とダイアモンド膜（５）間で生ずるストレス緩和
され、従って、発光素子（７）と半導体基板（２）間で
のストレス発生が緩和され、信頼性の高い光半導体装置
が得られる。
〔実施例〕
本考案においては、第１図に示すように機能素子として
のホトダイオード（１）（又はホトトランジスタ、IC
等）が形成されたＮ型Si基板（２）上のSiO2層（３）に
開口部（４）を形成し、周囲のSiO2層（３）の一部も覆
うように開口部（４）にダイアモンドの薄膜（５）をCV
D（化学気相成長）法で形成し、金属等より成るハンダ
層（６）を介して発光素子である例えばレーザダイオー
ド（７）を設けることにより、光半導体装置（いわゆる
光IC）（８）を構成する。ダイアモンドの薄膜（５）
は、Si基板（２）の上に直接形成しないで、ストレスを
緩和するために薄いSiO2層、ポリシリコン層等のストレ
ス緩和膜（９）を介して形成する。
なお、必要に応じてハンダ層（６）を配線層としてSiO2
層（３）上に延在し、適当な機能素子と接続することも
できる。
〔考案の効果〕
本考案によれば、発光素子が電気的絶縁物であり、且つ
熱的良導体であるダイアモンド膜を介して設けられてい
るため、発光素子と半導体基板とは電気的に絶縁分離さ
れ、且つ発光素子の発熱はダイアモンド膜を通じて半導
体基板に放熱されることになり、特性の良好な光半導体
装置が得られる。
また、ダイアモンド膜は半導体基板に直接形成されず、
ストレス緩和膜を介して形成されているので、半導体基
板とダイアモンド膜間で生ずるストレスが緩和され、従
って、半導体基板と発光素子間でのストレス発生が緩和
され、信頼性の高い光半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例の断面図、第２図は従来例の断面図であ
る。 （１）はホトダイオード、（２）は基板、（３）はSiO2
層、（４）は開口部、（５）はダイアモンド薄膜、
（６）はハンダ層、（７）はレーザダイオード、（８）
は光半導体装置、（９）はストレス緩和膜である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】機能素子が形成された半導体基板上にダイ
    ヤモンド膜を介して発光素子が一体に設けられ、且つ、
    上記半導体基板と上記ダイヤモンド膜との間にストレス
    緩和膜が介在されて成る光半導体装置。
JP1987056275U 1987-04-14 1987-04-14 光半導体装置 Expired - Lifetime JPH0642357Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987056275U JPH0642357Y2 (ja) 1987-04-14 1987-04-14 光半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987056275U JPH0642357Y2 (ja) 1987-04-14 1987-04-14 光半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63164264U JPS63164264U (ja) 1988-10-26
JPH0642357Y2 true JPH0642357Y2 (ja) 1994-11-02

Family

ID=30884947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1987056275U Expired - Lifetime JPH0642357Y2 (ja) 1987-04-14 1987-04-14 光半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0642357Y2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2596927Y2 (ja) * 1990-11-22 1999-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 電子装置
EP1324396A4 (en) * 2000-09-29 2008-10-22 Sanyo Electric Co OPTICAL RECEPTION SYSTEM AND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME
JP2015191894A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 京セラ株式会社 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6112260U (ja) * 1984-06-27 1986-01-24 日本電気株式会社 半導体レ−ザアレイ装置
JPS6112261U (ja) * 1984-06-27 1986-01-24 日本電気株式会社 半導体レ−ザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63164264U (ja) 1988-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS644084A (en) Semiconductor light emitting device
WO1997002592A3 (en) Power semiconductor devices
JPS57113235A (en) Semiconductor device
JPH0642357Y2 (ja) 光半導体装置
JP3688162B2 (ja) 光モジュール
JPS594853B2 (ja) 半導体装置
JPH01214048A (ja) 半導体集積装置
KR950012701A (ko) 박막 저항체를 갖는 반도체 장치
GB1204805A (en) Semiconductor device
JPS5826675B2 (ja) ハンドウタイソウチ
JPS5858785A (ja) 半導体レ−ザ−装置
KR950000120B1 (ko) 레이저 다이오드 온 포토 다이오드
JPS6240757A (ja) 半導体装置
JP3497608B2 (ja) 半導体装置
JPS5811269U (ja) 半導体装置
JPH0187547U (ja)
EP0404109A3 (en) Diode used in reference potential generating circuit for dram
JPH0539473Y2 (ja)
KR890005932A (ko) 온도검지기를 내장한 반도체레이저(semi-conductor laser)
JPS6197896U (ja)
JPS57122560A (en) Semiconductor device
JPH0334560A (ja) 半導体装置
JPH05110116A (ja) ダイオードチツプの構造
JPS6489334A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS55163878A (en) Insulated gate type field effect transistor