JPH0636617A - 絶縁電線 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 可撓性に優れ、しかも損傷し難い絶縁被膜を
有し、耐加工性に優れた絶縁電線を提供する。 【構成】 下記一般式(I)(II) または(III) で表される
芳香族ジアミン化合物を含むジアミン成分と、少なくと
も酸クロライドを含む酸成分とからなるポリアミドイミ
ド系塗料、または、上記ジアミン成分と、下記一般式(I
V)(V) または(VI)で表される芳香族ジイソシアネート化
合物を含むジイソシアネート成分と、酸成分とからなる
ポリアミドイミド系塗料の塗布、焼付けにより、電線の
表面に絶縁被膜を形成する。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、たとえばモータのコア
に捲き付けられる、耐加工性にすぐれた絶縁電線に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、機器の小型化、軽量化の傾向に伴
い、モータについても、より小型、軽量で、しかも高性
能のものが要求されるようになってきた。この要求に答
えるには、モータのコアにより多くの絶縁電線を捲き付
ける必要があるが、コアのスロット内に絶縁電線を強引
に詰め込むことになり、捲線工程で絶縁被膜に損傷を生
じる危険性がある。そして、絶縁被膜に損傷が生じる
と、レアー不良やアース不良等が発生し、モータの電気
特性に不具合を生じるという問題がある。

【０００３】そこで、通常は、ポリアミドイミド系の塗
料の塗布、焼付けにより形成された、機械的強度にすぐ
れた絶縁被膜を有する絶縁電線が、上記用途に使用され
ている。なお、ポリアミドイミドとしては、ジフェニル
メタン−４，４′−ジイソシアネートとトリメリット酸
無水物との反応生成物が、一般的に使用される（たとえ
ば特公昭４４−１９２７４号公報、特公昭４５−２７６
１１号公報等参照）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、最近ではさら
に小型、軽量で性能の良いモータが要求され、それに対
応すべく、絶縁電線の捲線量がさらに増大する傾向にあ
り、ポリアミドイミド系の絶縁被膜でも損傷を生じるこ
とが多くなってきた。そこで、絶縁被膜の損傷を少しで
も減少させるために、たとえば有機または無機の潤滑剤
等を塗料に配合して、絶縁被膜の表面に潤滑性を付与す
ることが検討されているが、この方法では、絶縁被膜の
損傷を根本的に解決することはできない。

【０００５】絶縁被膜の機械的強度をさらに向上すれば
損傷の発生を減少できるが、単に機械的強度を向上させ
たのでは、被膜が剛直で可撓性に劣るものとなり、電線
を曲げた際に割れたり剥離したりしやすくなって、絶縁
電線の加工性が悪化するという問題がある。本発明は、
以上の事情に鑑みてなされたものであって、可撓性にす
ぐれ、しかも損傷し難い絶縁被膜を有し、耐加工性にす
ぐれた絶縁電線を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するため、本発明者らは、ポリアミドイミドの構造に
ついて検討を行い、その結果、ポリアミドイミドの構造
中に、ベンゼン、ビフェニルまたはベンズアニリドの構
造を導入すると、絶縁被膜の弾性率が向上して、可撓性
にすぐれ、しかも、損傷し難い絶縁被膜を形成できるこ
とを見出した。そして、上記の構造をどの程度の割合で
構造中に導入すればよいかをさらに検討した結果、本発
明を完成するに至った。すなわち本発明の絶縁電線は、
少なくとも酸クロライドを含む酸成分と、ジアミン成分
とを原料とするポリアミドイミド系塗料の塗布、焼付け
により形成された絶縁被膜を有する絶縁電線において、
原料としてのジアミン成分が、下記一般式(I) ：

【０００７】

【化７】

【０００８】［上記式中Ｒ¹ は、水素原子、アルキル
基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。ｎは１〜
４の数を示す。］、下記一般式(II)：

【０００９】

【化８】

【００１０】［上記式中Ｒ² ，Ｒ³ は、同一または異な
って、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す。ｐ，ｑは同一または異なって１〜４の
数を示す。］、および下記一般式(III) ：

【００１１】

【化９】

【００１２】［上記式中Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ は、同一または異な
って、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す。ｒ，ｓは同一または異なって１〜４の
数を示す。］で表される芳香族ジアミン化合物のうちの
少なくとも１種を含有し、かつ原料としてのジアミン成
分における、これら芳香族ジアミン化合物の合計の含有
割合が１０〜８０モル％であることを特徴とする。

【００１３】また本発明の他の絶縁電線は、ジアミン成
分と酸成分との反応生成物であるイミドジカルボン酸
と、ジイソシアネート成分とを原料とするポリアミドイ
ミド系塗料の塗布、焼付けにより形成された絶縁被膜を
有する絶縁電線において、原料としてのジアミン成分、
ジイソシアネート成分が、上記一般式(I)(II) および(I
II) で表される芳香族ジアミン化合物、並びに下記一般
式(IV)：

【００１４】

【化１０】

【００１５】［上記式中Ｒ⁶ は、水素原子、アルキル
基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。ｔは１〜
４の数を示す。］、下記一般式(V) ：

【００１６】

【化１１】

【００１７】［上記式中Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は、同一または異な
って、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す。ｕ，ｖは同一または異なって１〜４の
数を示す。］、および下記一般式(VI)：

【００１８】

【化１２】

【００１９】［上記式中Ｒ⁹ ，Ｒ¹⁰は、同一または異な
って、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す。ｗ，ｘは同一または異なって１〜４の
数を示す。］で表される芳香族ジイソシアネート化合物
のうちの少なくとも１種を含有し、かつ原料としてのジ
アミン成分およびジイソシアネート成分の総量に対す
る、これら芳香族ジアミン化合物、芳香族ジイソシアネ
ート化合物の合計の含有割合が１０〜８０モル％である
ことを特徴とする。

【００２０】本発明のうち前者の、少なくとも酸クロラ
イドを含む酸成分とジアミン成分とから１段階の反応に
よりポリアミドイミドを製造する場合に、原料としての
ジアミン成分に含有される、前記一般式(I) で表される
芳香族ジアミン化合物としては、下記一般式(Ia)：

【００２１】

【化１３】

【００２２】［上記式中Ｒ¹ は前記と同じ基を示し、ｎ
は１〜４である。］で表されるｐ−フェニレンジアミン
誘導体が好適に使用される。ｐ−フェニレンジアミン誘
導体の具体例としては、たとえばｐ−フェニレンジアミ
ン、２−メチル−ｐ−フェニレンジアミン、２−エチル
−ｐ−フェニレンジアミン、２−メトキシ−ｐ−フェニ
レンジアミン、２−エトキシ−ｐ−フェニレンジアミ
ン、２−クロロ−ｐ−フェニレンジアミン、２−ブロモ
−ｐ−フェニレンジアミン等があげられる。これらは単
独で、あるいは２種以上混合して使用される。

【００２３】また、前記一般式(I) で表される芳香族ジ
アミン化合物としては、ｍ−フェニレンジアミンおよび
その誘導体、ｏ−フェニレンジアミンおよびその誘導体
等を使用することもできる。上記各芳香族ジアミン化合
物の中でも、入手のしやすさやコスト等の点で、下記式
(1) で表されるｐ−フェニレンジアミンが、本発明に最
も好適に使用される。

【００２４】

【化１４】

【００２５】前記一般式(II)で表される芳香族ジアミン
化合物の具体例としては、たとえばベンジジン、３−メ
チル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメ
チル−４，４′−ジアミノビフェニル、２，３′−ジメ
チル−４，４′−ジアミノビフェニル、２，２′−ジメ
チル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメ
チル−３，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメ
チル−３，３′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジエ
チル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメ
トキシ−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジ
エトキシ−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−
ジクロロ−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−
ジブロモ−４，４′−ジアミノビフェニル等があげられ
る。これらは単独で、あるいは２種以上混合して使用さ
れる。

【００２６】上記各芳香族ジアミン化合物の中でも、入
手のしやすさやコスト等の点で、下記式(2) で表される
３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル
が、本発明に最も好適に使用される。

【００２７】

【化１５】

【００２８】前記一般式(III) で表される芳香族ジアミ
ン化合物の具体例としては、たとえば４，４′−ジアミ
ノベンズアニリド、３，４′−ジアミノベンズアニリ
ド、３，３′−ジアミノベンズアニリド、２′−メチル
−４，４′−ジアミノベンズアニリド、３′−メチル−
４，４′−ジアミノベンズアニリド、２，２′−ジメチ
ル−４，４′−ジアミノベンズアニリド、３，２′−ジ
メチル−４，４′−ジアミノベンズアニリド、３，３′
−ジメチル−４，４′−ジアミノベンズアニリド、２′
−エチル−４，４′−ジアミノベンズアニリド、３′−
エチル−４，４′−ジアミノベンズアニリド、２′−メ
トキシ−４，４′−ジアミノベンズアニリド、３′−メ
トキシ−４，４′−ジアミノベンズアニリド、２，２′
−ジメトキシ−４，４′−ジアミノベンズアニリド、
３，２′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノベンズアニ
リド、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノベン
ズアニリド、２′−エトキシ−４，４′−ジアミノベン
ズアニリド、３′−エトキシ−４，４′−ジアミノベン
ズアニリド、２′−クロロ−４，４′−ジアミノベンズ
アニリド、２，２′−ジクロロ−４，４′−ジアミノベ
ンズアニリド、２′−ブロモ−４，４′−ジアミノベン
ズアニリド、２，２′−ジブロモ−４，４′−ジアミノ
ベンズアニリド等があげられる。これらは単独で、ある
いは２種以上混合して使用される。

【００２９】上記各芳香族ジアミン化合物の中でも、入
手のしやすさやコスト等の点で、下記式(3) で表される
４，４′−ジアミノベンズアニリドが、本発明に最も好
適に使用される。

【００３０】

【化１６】

【００３１】一般式(I)(II) または(III) で表される芳
香族ジアミン化合物とともにジアミン成分中に含まれる
他のジアミンとしては、たとえば４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフエニルメタン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルス
ルフィド、４，４′−ジアミノジベンゾフェノン、４，
４′−ジアミノジフェニルプロパン、４，４′−ジアミ
ノジフェニルヘキサフルオロプロパン、４，４′−〔ビ
ス（４−アミノフェノキシ）〕ビフェニル、４，４′−
〔ビス（４−アミノフェノキシ）〕ジフェニルエーテ
ル、４，４′−〔ビス（４−アミノフェノキシ）〕ジフ
ェニルスルホン、４，４′−〔ビス（４−アミノフェノ
キシ）〕ジフェニルメタン、４，４′−〔ビス（４−ア
ミノフェノキシ）〕ジフェニルプロパン、４，４′−
〔ビス（４−アミノフェノキシ）〕ジフェニルヘキサフ
ルオロプロパン等、従来公知の種々のジアミン化合物が
あげられる。これらは単独で、あるいは２種以上混合し
て使用される。

【００３２】上記各ジアミン化合物の中でも、絶縁被膜
の高強度化の点で、４，４′−ジアミノジフェニルエー
テルが、好適に使用される。一般式(I)(II) または(II
I) で表される芳香族ジアミン化合物の、ジアミン成分
中における割合は１０〜８０モル％に限定される。詳細
に説明すると、上記各芳香族ジアミン化合物のうちのい
ずれか１種を単独でジアミン成分に含有させる場合に
は、そのジアミン成分中に占める割合が１０〜８０モル
％に限定される。また、上記各芳香族ジアミン化合物の
２種以上を併用する場合には、その合計の割合が１０〜
８０モル％に限定される。

【００３３】芳香族ジアミン化合物の割合が１０モル％
未満では、当該芳香族ジアミン化合物の添加効果が得ら
れず、絶縁被膜が損傷しやすいものとなってしまう。一
方、芳香族ジアミン化合物の割合が８０モル％を超える
と、絶縁被膜が剛直で可撓性に劣り、割れたり剥離した
りしやすいものとなってしまう。なお芳香族ジアミン化
合物の、ジアミン成分中に占める割合は、上記範囲の中
でもとくに、３０〜７０モル％の範囲内であるのが好ま
しい。

【００３４】上記ジアミン成分と、１段階の反応によっ
てポリアミドイミドを生成する酸クロライドの具体例と
しては、トリメリット酸クロライドまたはその誘導体が
あげられる。また、テレフタル酸クロライドやイソフタ
ル酸クロライドを添加することもできる。上記酸クロラ
イドを含む酸成分とジアミン成分とから、本発明に使用
されるポリアミドイミド系塗料を製造するには、たとえ
ば、略化学量論量のジアミン成分と酸成分とを適当な有
機溶媒中で共重合させる、従来のポリアミドイミド系塗
料と同様の製造方法を採用することができる。

【００３５】より詳細には、一般式(I)(II) または(II
I) で表される芳香族ジアミン化合物を前記の割合で配
合したジアミン成分を、略等モル量の酸成分とともに、
適当な有機溶媒中で０〜２００℃の温度で１〜２４時間
反応させると、ジアミン成分と酸成分との反応生成物で
あるポリアミドイミドが、反応液中に生成する。この反
応液には、副生成物である塩酸も含まれているので、ポ
リアミドイミドを、ろ過、沈澱等の方法で反応液中から
取り出すか、または反応液ごと、多量の水で洗浄した
後、乾燥させる。そして、乾燥後のポリアミドイミドを
再び有機溶媒に溶解すると、ポリアミドイミド系塗料が
得られる。

【００３６】また、本発明に使用されるポリアミドイミ
ド系塗料としては、一般式(I)(II)または(III) で表さ
れる芳香族ジアミン化合物を、上記範囲を超えて含有す
るジアミン成分と、酸成分とを原料として製造したポリ
アミドイミド系塗料と、芳香族ジアミン化合物を含有し
ないか、または上記範囲未満のごく少量含有するジアミ
ン成分と酸成分とを原料として製造したポリアミドイミ
ド系塗料とを配合したものも使用可能である。この場合
には、原料としての全ジアミン成分中の芳香族ジアミン
化合物の割合が前記範囲内になるように、両塗料の配合
割合を調整すればよい。

【００３７】本発明のうち後者の、ジアミン成分と酸成
分とを反応させてイミドジカルボン酸を得、このイミド
ジカルボン酸とジイソシアネート成分とを反応させてポ
リアミドイミドを製造する２段階の反応の場合には、前
記一般式(I)(II) または(III) で表される芳香族ジアミ
ン化合物、並びに一般式(IV)(V) または(VI)で表される
芳香族ジイソシアネート化合物のいずれかが使用され
る。これら化合物の組み合わせとしては、下記〜の
いずれかが採用される。 ジアミン成分中に、一般式(I)(II) または(III) で
表される芳香族ジアミン化合物のうちの１種または２種
以上を含有させる。ジイソシアネート成分中には、一般
式(IV)(V) または(VI)で表される芳香族ジイソシアネー
ト化合物を含有させない。 ジイソシアネート成分中に、一般式(IV)(V) または
(VI)で表される芳香族ジイソシアネート化合物のうちの
１種または２種以上を含有させる。ジアミン成分中に
は、一般式(I)(II) または(III) で表される芳香族ジア
ミン化合物を含有させない。 ジアミン成分中に、一般式(I)(II) または(III) で
表される芳香族ジアミン化合物のうちの１種または２種
以上を含有させるとともに、ジイソシアネート成分中
に、一般式(IV)(V) または(VI)で表される芳香族ジイソ
シアネート化合物のうちの１種または２種以上を含有さ
せる。

【００３８】上記またはの組み合わせにおいて、原
料としてのジイソシアネート成分に含有される、一般式
(IV)で表される芳香族ジイソシアネート化合物として
は、下記一般式(IVa) ：

【００３９】

【化１７】

【００４０】［上記式中Ｒ⁶ は前記と同じ基を示し、ｔ
は１〜４である。］で表されるｐ−フェニレンジイソシ
アネート誘導体が好適に使用される。ｐ−フェニレンジ
イソシアネート誘導体の具体例としては、たとえばｐ−
フェニレンジイソシアネート、２−フルオロ−ｐ−フェ
ニレンジイソシアネート、２−クロロ−ｐ−フェニレン
ジイソシアネート、２−ブロモ−ｐ−フェニレンジイソ
シアネート、２，３−ジクロロ−ｐ−フェニレンジイソ
シアネート、２，５−ジクロロ−ｐ−フェニレンジイソ
シアネート、２，６−ジクロロ−ｐ−フェニレンジイソ
シアネート、２，３，５−トリクロロ−ｐ−フェニレン
ジイソシアネート、２，３，５，６−テトラクロロ−ｐ
−フェニレンジイソシアネート、２−メチル−ｐ−フェ
ニレンジイソシアネート、２−エチル−ｐ−フェニレン
ジイソシアネート、２−ブチル−ｐ−フェニレンジイソ
シアネート、２，３−ジメチル−ｐ−フェニレンジイソ
シアネート、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジイソ
シアネート、２，６−ジメチル−ｐ−フェニレンジイソ
シアネート、２−メトキシ−ｐ−フェニレンジイソシア
ネート、２−エトキシ−ｐ−フェニレンジイソシアネー
ト、２−ブトキシ−ｐ−フェニレンジイソシアネート、
２，３−ジメトキシ−ｐ−フェニレンジイソシアネー
ト、２，５−ジメトキシ−ｐ−フェニレンジイソシアネ
ート、２，６−ジメトキシ−ｐ−フェニレンジイソシア
ネート等があげられる。これらは単独で、あるいは２種
以上混合して使用される。

【００４１】また、前記一般式(IV)で表される芳香族ジ
イソシアネート化合物としては、ｍ−フェニレンジイソ
シアネートおよびその誘導体、ｏ−フェニレンジイソシ
アネートおよびその誘導体等を使用することもできる。
上記各芳香族ジイソシアネート化合物の中でも、入手の
しやすさやコスト等の点で、下記式(4) で表されるｐ−
フェニレンジイソシアネートが、本発明に最も好適に使
用される。

【００４２】

【化１８】

【００４３】前記一般式(V) で表される芳香族ジイソシ
アネート化合物の具体例としては、たとえばビフェニル
−４，４′−ジイソシアネート、ビフェニル−３，３′
−ジイソシアネート、ビフェニル−３，４′−ジイソシ
アネート、３，３′−ジクロロビフェニル−４，４′−
ジイソシアネート、２，２′−ジクロロビフェニル−
４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジブロモビフ
ェニル−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−ジブ
ロモビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、３，
３′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジイソシアネー
ト、２，２′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジイソ
シアネート、２，３′−ジメチルビフェニル−４，４′
−ジイソシアネート、３，３′−ジエチルビフェニル−
４，４′−ジイソシアネート、２，２′−ジエチルビフ
ェニル−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジメ
トキシビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、２，
２′−ジメトキシビフェニル−４，４′−ジイソシアネ
ート、２，３′−ジメトキシビフェニル−４，４′−ジ
イソシアネート、３，３′−ジエトキシビフェニル−
４，４′−ジイソシアネート、２，２′−ジエトキシビ
フェニル−４，４′−ジイソシアネート、２，３′−ジ
エトキシビフェニル−４，４′−ジイソシアネート等が
あげられる。これらは単独で、あるいは２種以上混合し
て使用される。

【００４４】上記各芳香族ジイソシアネート化合物の中
でも、入手のしやすさやコスト等の点で、下記式(5) で
表される３，３′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジ
イソシアネートが、本発明に最も好適に使用される。

【００４５】

【化１９】

【００４６】前記一般式(VI)で表される芳香族ジイソシ
アネート化合物の具体例としては、たとえばベンズアニ
リド−４，４′−ジイソシアネート、ベンズアニリド−
３，４′−ジイソシアネート、ベンズアニリド−３，
３′−ジイソシアネート、２′−メチルベンズアニリド
−４，４′−ジイソシアネート、３′−メチルベンズア
ニリド−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−ジメ
チルベンズアニリド−４，４′−ジイソシアネート、
３，２′−ジメチルベンズアニリド−４，４′−ジイソ
シアネート、３，３′−ジメチルベンズアニリド−４，
４′−ジイソシアネート、２′−エチルベンズアニリド
−４，４′−ジイソシアネート、３′−エチルベンズア
ニリド−４，４′−ジイソシアネート、２′−メトキシ
ベンズアニリド−４，４′−ジイソシアネート、３′−
メトキシベンズアニリド−４，４′−ジイソシアネー
ト、２，２′−ジメトキシベンズアニリド−４，４′−
ジイソシアネート、３，２′−ジメトキシベンズアニリ
ド−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジメトキ
シベンズアニリド−４，４′−ジイソシアネート、２′
−エトキシベンズアニリド−４，４′−ジイソシアネー
ト、３′−エトキシベンズアニリド−４，４′−ジイソ
シアネート、２′−クロロベンズアニリド−４，４′−
ジイソシアネート、２，２′−ジクロロベンズアニリド
−４，４′−ジイソシアネート、２′−ブロモベンズア
ニリド−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−ジブ
ロモベンズアニリド−４，４′−ジイソシアネート等が
あげられる。これらは単独で、あるいは２種以上混合し
て使用される。

【００４７】上記各芳香族ジイソシアネート化合物の中
でも、入手のしやすさやコスト等の点で、下記式(6) で
表されるベンズアニリド−４，４′−ジイソシアネート
が、本発明に最も好適に使用される。

【００４８】

【化２０】

【００４９】前記またはの組み合わせにおいて、一
般式(IV)(V) または(VI)で表される芳香族ジイソシアネ
ート化合物とともにジイソシアネート成分中に含まれ、
の組み合わせにおいて、ジイソシアネート成分として
使用される他のジイソシアネートとしては、たとえばジ
フェニルメタン−４，４′−ジイソシアネート、ジフェ
ニルメタン−３，３′−ジイソシアネート、ジフェニル
メタン−３，４′−ジイソシアネート、ジフェニルエー
テル−４，４′−ジイソシアネート、ベンゾフェノン−
４，４′−ジイソシアネート、ジフェニルスルホン−
４，４′−ジイソシアネート、トリレン−２，４−ジイ
ソシアネート、トリレン−２，６−ジイソシアネート、
ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、ｍ−キシリレ
ンジイソシアネート、ｐ−キシリレンジイソシアネート
等、従来公知の種々のジイソシアネート化合物があげら
れる。これらは単独で、あるいは２種以上混合して使用
される。

【００５０】上記各ジイソシアネート化合物の中でも、
入手のしやすさやコスト等の点で、ジフェニルメタン−
４，４′−ジイソシアネートが、好適に使用される。一
般式(I)(II) または(III) で表される芳香族ジアミン化
合物、および一般式(IV)(V) または(VI)で表される芳香
族ジイソシアネート化合物の合計の含有割合は、原料と
してのジアミン成分およびジイソシアネート成分の総量
に対し１０〜８０モル％に限定される。

【００５１】両化合物の合計の含有割合が１０モル％未
満では、絶縁被膜が損傷しやすいものとなってしまう。
一方、両化合物の合計の含有割合が８０モル％を超えた
場合には、絶縁被膜が剛直で可撓性に劣り、割れたり剥
離したりしやすいものとなってしまう。なお芳香族ジア
ミン化合物、芳香族ジイソシアネート化合物の合計の含
有割合は、上記範囲の中でもとくに、３０〜７０モル％
の範囲内であるのが好ましい。

【００５２】芳香族ジアミン化合物および芳香族ジイソ
シアネート化合物それぞれの含有割合の上限はとくに限
定されず、ジアミン成分の全量が芳香族ジアミン化合物
であっても、またジイソシアネート成分の全量が芳香族
ジイソシアネート化合物であってもよい。ただし両者の
合計の含有割合は、前記のように８０モル％を超えない
ようにする必要があるので、ジアミン成分の全量が芳香
族ジアミン化合物で、かつジイソシアネート成分の全量
が芳香族ジイソシアネート化合物であってはならない。

【００５３】イミドジカルボン酸を経由する２段階の反
応においては、ジアミン成分とジイソシアネート成分が
略等モル量使用される。このため、たとえばジアミン成
分の全量が芳香族ジアミン化合物である場合には、原料
としてのジアミン成分およびジイソシアネート成分の総
量に対する芳香族ジアミン化合物の含有割合は約５０モ
ル％前後となるので、芳香族ジイソシアネート化合物の
含有割合は約３０モル％以下でなければならない。ジイ
ソシアネート成分の全量が芳香族ジイソシアネート化合
物である場合も同様であって、この場合には、原料とし
てのジアミン成分およびジイソシアネート成分の総量に
対する芳香族ジイソシアネート化合物の含有割合は約５
０モル％前後となるので、芳香族ジアミン化合物の含有
割合は約３０モル％以下でなければならない。

【００５４】芳香族ジアミン化合物および芳香族ジイソ
シアネート化合物それぞれの含有割合の下限もとくに限
定されないが、前記のように、両化合物の合計の含有割
合が１０モル％を下回らないようにする必要があるの
で、たとえば上記両化合物のうちいずれか一方の含有割
合が０モル％である場合（前記の組み合わせに相当
する）には、他方の含有割合は１０モル％以上である必
要がある。また両化合物の含有割合がともに０モル％で
ない場合（前記の組み合わせに相当）には、いずれか
一方または両方が１０モル％未満であってもよいが、両
者の合計は１０モル％以上でなければならない。

【００５５】上記ジアミン成分およびジイソシアネート
成分と、２段階の反応によってポリアミドイミドを生成
する酸成分としては、トリメリット酸、トリメリット酸
無水物、トリメリット酸クロライド、または、トリメリ
ット酸の誘導体のうちの三塩基酸等があげられる。また
酸成分中には、テトラカルボン酸無水物や二塩基酸、た
とえば、ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物、テレフタル酸、イソフタル酸、スルホテレフタル
酸、ジクエン酸、２，５−チオフェンジカルボン酸、
４，５−フェナントレンジカルボン酸、ベンゾフェノン
−４，４′−ジカルボン酸、フタルジイミドジカルボン
酸、ビフェニルジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカ
ルボン酸、ジフェニルスルホン−４，４′−ジカルボン
酸、アジピン酸等を、一部添加することもできる。

【００５６】上記ジアミン成分、ジイソシアネート成分
および酸成分から、本発明に使用されるポリアミドイミ
ド系塗料を製造するには、たとえば、略化学量論量のジ
アミン成分と酸成分とを適当な有機溶媒中で反応させて
イミドジカルボン酸を生成させ、これを、略化学量論量
のジイソシアネート成分と共重合させる、従来のポリア
ミドイミド系塗料と同様の製造方法を採用することがで
きる。

【００５７】より詳細には、ジアミン成分を、略２倍モ
ル量の酸成分とともに、適当な有機溶媒中で０〜１５０
℃の温度で１〜２４時間反応させると、ジアミン成分と
酸成分との反応生成物であるイミドジカルボン酸が、反
応液中に生成する。つぎにこの反応液に、略等モル量の
ジイソシアネート成分を添加して、０〜１５０℃の温度
で１〜２４時間反応させると、ポリアミドイミドが有機
溶媒中に溶解または分散したポリアミドイミド系塗料が
得られる。この場合には、原料としてのジアミン成分お
よびジイソシアネート成分の総量に対する、芳香族ジア
ミン化合物および芳香族ジイソシアネート化合物の合計
の含有割合が前記範囲内になるように、両化合物の配合
割合を調整すればよい。

【００５８】また、ポリアミドイミド系塗料としては、
一般式(I)(II) または(III) で表される芳香族ジアミン
化合物および／または一般式(IV)(V) または(VI)で表さ
れる芳香族ジイソシアネート化合物を、上記範囲を超え
て含有するポリアミドイミド系塗料と、両化合物を含有
しないか、または上記範囲未満のごく少量含有するポリ
アミドイミド系塗料とを配合したものも使用可能であ
る。

【００５９】さらに、ジアミン成分中に芳香族ジアミン
化合物を含有するが、ジイソシアネート成分中に芳香族
ジイソシアネートを含有しないポリアミドイミド系塗料
と、逆にジイソシアネート成分中に芳香族ジイソシアネ
ートを含有するが、ジアミン成分中に芳香族ジアミン化
合物を含有しないポリアミドイミド系塗料とを配合した
ものも、ポリアミドイミド系塗料として使用することが
できる。

【００６０】これらの場合には、原料としてのジアミン
成分およびジイソシアネート成分の総量に対する、芳香
族ジアミン化合物および芳香族ジイソシアネート化合物
の合計の含有割合が前記範囲内になるように、両塗料の
配合割合を調整すればよい。なお、本発明に使用される
ポリアミドイミド系塗料には、さらに必要に応じて、顔
料、染料、無機または有機のフィラー、潤滑剤等の各種
添加剤を添加してもよい。

【００６１】本発明の絶縁電線は、上記ポリアミドイミ
ド系塗料を電線の表面に塗布し、焼付けて絶縁被膜を形
成することで製造される。絶縁被膜の膜厚については本
発明ではとくに限定されず、電線のサイズ等に応じて、
従来と同程度の膜厚に形成することができる。絶縁被膜
の下層には、当該絶縁被膜および電線との密着性のよい
材料からなる下地層を設けることもできる。

【００６２】下地層としては、ポリウレタン系、ポリエ
ステル系、ポリエステルイミド系、ポリエステルアミド
イミド系、ポリアミドイミド系、ポリイミド系等、従来
公知の種々の絶縁塗料の塗布、焼付けにより形成される
絶縁膜があげられる。中でも、電線や絶縁被膜との密着
性、或いは、被膜の機械的強度等の観点から、ジフェニ
ルメタン−４，４′−ジイソシアネートとトリメリット
酸無水物とを含むポリアミドイミド系塗料の塗布、焼付
けにより形成される下地層が好ましい。

【００６３】下地層の膜厚についても本発明ではとくに
限定されないが、被膜の機械的強度等を考慮すれば、絶
縁被膜と下地層との膜厚の比が１／１０〜１０／１の範
囲内であることが好ましい。絶縁被膜の上層には、絶縁
被膜の表面に潤滑性を付与すべく、表面潤滑層を設けて
もよい。

【００６４】表面潤滑層としては、流動パラフィン、固
形パラフィンといったパラフィン類の塗膜も使用できる
が、耐久性等を考慮すると、各種ワックス、ポリエチレ
ン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の潤滑剤をバインダ
ー樹脂で結着した表面潤滑層がより好ましい。

【００６５】

【実施例】以下に、本発明の絶縁電線を、実施例並びに
比較例に基づいて説明する。実施例１ 温度計、冷却管、塩化カルシウム充填管、攪拌器、窒素
吹き込み管を取り付けたフラスコ中に、上記窒素吹き込
み管から毎分１５０mlの窒素ガスを流しながら、０．５
モルのトリメリット酸クロライド（以下「ＴＭＣ」とい
う）と、０．１モルのｐ−フェニレンジアミン（以下
「ｐ−ＰＤＡ」という）と、０．４モルの４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル（以下「ＤＤＥ」という）と
を投入した。ｐ−ＰＤＡの全ジアミン中に占める割合は
２０モル％であった。

【００６６】つぎに、上記フラスコ中に、固形分濃度が
２５％となるようにＮ−メチル−２−ピロリドンを入
れ、攪拌器で攪拌しつつ８０℃で２時間、さらに１４０
℃で２時間加熱し、その後放冷した。つぎにこの反応液
を多量の水中に投入し、ポリアミドイミドを析出させる
とともに洗浄して副生成物である塩酸を除去した後、１
００℃で３時間乾燥させた。そして、乾燥後のポリアミ
ドイミドを再び、固形分濃度が２５％となるようにＮ−
メチル−２−ピロリドンに溶解して、ポリアミドイミド
系塗料を得た。

【００６７】このポリアミドイミド系塗料を、直径１．
０mmの銅線表面に、常法によって塗布、焼付けして、膜
厚３５μｍの絶縁被膜を有する絶縁電線を作製した。実施例２ ポリアミドイミド系塗料作製時のｐ−ＰＤＡおよびＤＤ
Ｅの仕込み量を、ｐ−ＰＤＡ＝０．２５モル、ＤＤＥ＝
０．２５モル、ｐ−ＰＤＡの全ジアミン中に占める割合
を５０モル％としたこと以外は、上記実施例１と同様に
して絶縁電線を作製した。

【００６８】実施例３ ポリアミドイミド系塗料作製時のｐ−ＰＤＡおよびＤＤ
Ｅの仕込み量を、ｐ−ＰＤＡ＝０．３５モル、ＤＤＥ＝
０．１５モル、ｐ−ＰＤＡの全ジアミン中に占める割合
を７０モル％としたこと以外は、上記実施例１と同様に
して絶縁電線を作製した。

【００６９】比較例１ ポリアミドイミド系塗料作製時にｐ−ＰＤＡを仕込ま
ず、ＤＤＥを０．５モル仕込んだこと以外は、上記実施
例１と同様にして絶縁電線を作製した。比較例２ ポリアミドイミド系塗料作製時にＤＤＥを仕込まず、ｐ
−ＰＤＡを０．５モル仕込んだこと以外は、上記実施例
１と同様にして絶縁電線を作製した。

【００７０】実施例４ 直径１．０mmの銅線表面に、ジフェニルメタン−４，
４′−ジイソシアネートとＴＭＡとを含む市販のポリア
ミドイミド系塗料（日立化成社製の品番ＨＩ−４００）
を常法によって塗布、焼付けして、膜厚８μｍの下地層
を形成した。つぎにこの下地層上に、実施例２で使用し
たのと同じポリアミドイミド系塗料を常法によって塗
布、焼付けして、膜厚２７μｍの絶縁被膜を形成し、絶
縁電線を作製した。実施例５ 比較例１で作製した、ジアミン成分としてＤＤＥのみを
含むポリアミドイミド系塗料と、比較例２で作製した、
ジアミン成分としてｐ−ＰＤＡのみを含むポリアミドイ
ミド系塗料とを、原料段階でのｐ−ＰＤＡとＤＤＥとの
モル比がｐ−ＰＤＡ／ＤＤＥ＝５０／５０となるように
配合し、十分に攪拌混合してポリアミドイミド系塗料を
作製した。そして、このポリアミドイミド系塗料を使用
して、上記実施例２と同様にして絶縁電線を作製した。

【００７１】実施例６ 実施例２で作製した絶縁電線の絶縁被膜上に、焼付型水
溶性潤滑塗料（東芝ケミカル社製の品番ＴＥＣ−９６０
１）を常法によって塗布、焼付けして表面潤滑層を形成
したこと以外は、上記実施例２と同様にして絶縁電線を
作製した。上記各実施例、比較例の絶縁電線について、
以下の各試験を行った。

【００７２】弾性率測定 実施例、比較例の絶縁電線から銅線をエッチング除去
し、残った絶縁被膜（長さ６cm）を、引張試験機を用い
て、チャック間隔３cm、引張速度１mm／分の条件で引張
試験し、得られたＳ−Ｓカーブがら弾性率（kg／mm² ）
を求めた。可撓性試験 実施例、比較例の絶縁電線に、直径１mmのものから１mm
ずつ段階的に直径が大きくなる複数の丸棒を順次あてが
って、電線を丸棒の外形に対応させて曲げた際の、絶縁
被膜の割れや剥離を観察し、絶縁被膜に異状が見られな
かった最小の丸棒の直径ｄ（mm）を記録した。

【００７３】急伸切断試験 実施例、比較例の絶縁電線を両端から急速に引っ張り、
急伸させて切断した後、切断部分における、被膜の銅線
からの浮き量（mm）を測定した。ピアノ線損傷荷重測定 実施例、比較例の絶縁電線に直交させてピアノ線を重ね
合わせ、ピアノ線に種々の重さの荷重をかけた状態でピ
アノ線を引抜き、絶縁被膜が損傷する荷重を記録した。

【００７４】以上の結果を表１に示す。

【００７５】

【表１】

【００７６】上記表１の結果より、ジアミン成分として
ｐ−ＰＤＡを含有しない比較例１の絶縁電線では、絶縁
被膜の弾性率が低く、また、ピアノ線損傷荷重測定の結
果より、絶縁被膜が損傷し易いことが判った。一方、ジ
アミン成分が１００％ｐ−ＰＤＡである比較例２の絶縁
電線は、焼付けの段階で被膜が電線から剥落してしま
い、絶縁被膜を形成することができなかった。

【００７７】これに対し実施例１〜３の絶縁電線は何れ
も、損傷し難く、しかも、可撓性にすぐれるとともに、
銅線から剥離し難い絶縁被膜を有することが判った。ま
た、上記各実施例の結果より、ｐ−ＰＤＡの割合が高く
なる程、絶縁被膜の弾性率が向上し、かつ、絶縁被膜が
損傷し難くなるが、絶縁被膜の可撓性や密着性は、ｐ−
ＰＤＡの割合が低い程好ましいことが判った。

【００７８】またｐ−ＰＤＡの割合が同じ実施例２と実
施例４の結果を比較すると、実施例４は、実施例２に比
べて急伸切断試験による絶縁被膜の浮き量が小さいこと
から、下地層を形成することで、他の特性をそのまま維
持しつつ、被膜の密着性をさらに向上できることが判っ
た。同様にｐ−ＰＤＡの割合が同じ実施例２と実施例５
の結果を比較すると、両者はほぼ同じ特性を示し、この
ことから、ポリアミドイミド系塗料を、ｐ−ＰＤＡを含
むものと含まないものの混合により製造しても、共重合
により製造された塗料とほぼ同じ結果が得られることが
判った。

【００７９】さらにｐ−ＰＤＡの割合が同じ実施例２と
実施例６の結果を比較すると、絶縁被膜上に表面潤滑層
を形成することにより、他の特性はそのまま維持しつ
つ、絶縁被膜をさらに損傷し難くできることが判った。実施例７ ｐ−ＰＤＡに代えて、０．１モルの３，３′−ジメチル
−４，４′−ジアミノビフェニル（以下「ＤＢＲＢ」と
いう）を使用したこと以外は、前記実施例１と同様にし
て絶縁電線を作製した。

【００８０】実施例８ ポリアミドイミド系塗料作製時のＤＢＲＢおよびＤＤＥ
の仕込み量を、ＤＢＲＢ＝０．２５モル、ＤＤＥ＝０．
２５モル、ＤＢＲＢの全ジアミン中に占める割合を５０
モル％としたこと以外は、上記実施例７と同様にして絶
縁電線を作製した。

【００８１】実施例９ ポリアミドイミド系塗料作製時のＤＢＲＢおよびＤＤＥ
の仕込み量を、ＤＢＲＢ＝０．３５モル、ＤＤＥ＝０．
１５モル、ＤＢＲＢの全ジアミン中に占める割合を７０
モル％としたこと以外は、上記実施例７と同様にして絶
縁電線を作製した。

【００８２】比較例３ ポリアミドイミド系塗料作製時にＤＤＥを仕込まず、Ｄ
ＢＲＢを０．５モル仕込んだこと以外は、上記実施例７
と同様にして絶縁電線を作製した。実施例１０ 直径１．０mmの銅線表面に、前記実施例４で使用したの
と同じポリアミドイミド系塗料を常法によって塗布、焼
付けして、膜厚８μｍの下地層を形成した。

【００８３】つぎにこの下地層上に、実施例８で使用し
たのと同じポリアミドイミド系塗料を常法によって塗
布、焼付けして、膜厚２７μｍの絶縁被膜を形成し、絶
縁電線を作製した。上記各実施例、比較例の絶縁電線に
ついて、前記弾性率測定、可撓性試験、急伸切断試験お
よびピアノ線損傷荷重測定の各試験を行った。以上の結
果を、ジアミン成分としてＤＢＲＢを配合しなかったも
のに相当する前記比較例１の結果と併せて表２に示す。

【００８４】

【表２】

【００８５】上記表２の結果より、ジアミン成分が１０
０％ＤＢＲＢである比較例３の絶縁電線は、可撓性試験
の結果より、絶縁被膜の可撓性が悪く、また、急伸切断
試験の結果より、絶縁被膜が銅線から剥離し易いことが
判った。これに対し実施例７〜９の絶縁電線は何れも、
損傷し難く、しかも、可撓性にすぐれるとともに、銅線
から剥離し難い絶縁被膜を有することが判った。また、
上記各実施例の結果より、ＤＢＲＢの割合が高くなる
程、絶縁被膜の弾性率が向上し、かつ、絶縁被膜が損傷
し難くなるが、絶縁被膜の可撓性や密着性は、ＤＢＲＢ
の割合が低い程好ましいことが判った。

【００８６】またＤＢＲＢの割合が同じ実施例８と実施
例１０の結果を比較すると、実施例１０は、実施例８に
比べて急伸切断試験による絶縁被膜の浮き量が小さいこ
とから、下地層を形成することで、他の特性をそのまま
維持しつつ、被膜の密着性をさらに向上できることが判
った。実施例１１ ｐ−ＰＤＡに代えて、０．１モルの４，４′−ジアミノ
ベンズアニリド（以下「ＤＡＢＡＮ」という）を使用し
たこと以外は、前記実施例１と同様にして絶縁電線を作
製した。

【００８７】実施例１２ ポリアミドイミド系塗料作製時のＤＡＢＡＮおよびＤＤ
Ｅの仕込み量を、ＤＡＢＡＮ＝０．２５モル、ＤＤＥ＝
０．２５モル、ＤＡＢＡＮの全ジアミン中に占める割合
を５０モル％としたこと以外は、上記実施例１１と同様
にして絶縁電線を作製した。

【００８８】実施例１３ ポリアミドイミド系塗料作製時のＤＡＢＡＮおよびＤＤ
Ｅの仕込み量を、ＤＡＢＡＮ＝０．３５モル、ＤＤＥ＝
０．１５モル、ＤＡＢＡＮの全ジアミン中に占める割合
を７０モル％としたこと以外は、上記実施例１１と同様
にして絶縁電線を作製した。

【００８９】比較例４ ポリアミドイミド系塗料作製時にＤＤＥを仕込まず、Ｄ
ＡＢＡＮを０．５モル仕込んだこと以外は、上記実施例
１１と同様にして絶縁電線を作製した。実施例１４ 直径１．０mmの銅線表面に、前記実施例４で使用したの
と同じポリアミドイミド系塗料を常法によって塗布、焼
付けして、膜厚８μｍの下地層を形成した。

【００９０】つぎにこの下地層上に、実施例１２で使用
したのと同じポリアミドイミド系塗料を常法によって塗
布、焼付けして、膜厚２７μｍの絶縁被膜を形成し、絶
縁電線を作製した。上記各実施例、比較例の絶縁電線に
ついて、前記弾性率測定、可撓性試験、急伸切断試験お
よびピアノ線損傷荷重測定の各試験を行った。以上の結
果を、ジアミン成分としてＤＡＢＡＮを配合しなかった
ものに相当する前記比較例１の結果と併せて表３に示
す。

【００９１】

【表３】

【００９２】上記表３の結果より、ジアミン成分が１０
０％ＤＡＢＡＮである比較例４の絶縁電線は、可撓性試
験の結果より、絶縁被膜の可撓性が悪く、また、急伸切
断試験の結果より、絶縁被膜が銅線から剥離し易いこと
が判った。これに対し実施例１１〜１３の絶縁電線は何
れも、損傷し難く、しかも、可撓性にすぐれるととも
に、銅線から剥離し難い絶縁被膜を有することが判っ
た。また、上記各実施例の結果より、ＤＡＢＡＮの割合
が高くなる程、絶縁被膜の弾性率が向上し、かつ、絶縁
被膜が損傷し難くなるが、絶縁被膜の可撓性や密着性
は、ＤＡＢＡＮの割合が低い程好ましいことが判った。

【００９３】またＤＡＢＡＮの割合が同じ実施例１２と
実施例１４の結果を比較すると、実施例１４は、実施例
１２に比べて急伸切断試験による絶縁被膜の浮き量が小
さいことから、下地層を形成することで、他の特性をそ
のまま維持しつつ、被膜の密着性をさらに向上できるこ
とが判った。実施例１５ 温度計、冷却管、塩化カルシウム充填管、攪拌器、窒素
吹き込み管を取り付けたフラスコ中に、上記窒素吹き込
み管から毎分１５０mlの窒素ガスを流しながら、０．５
モルのトリメリット酸無水物（以下「ＴＭＡ」という）
と、０．２５モルのｐ−ＰＤＡとを投入した。

【００９４】つぎに、上記フラスコ中にＮ−メチル−２
−ピロリドンを入れ、攪拌器で攪拌しつつ８０℃で２時
間加熱して、イミドジカルボン酸を生成させた。つぎに
上記反応液中に、０．２５モルのジフェニルメタン−
４，４′−ジイソシアネート（以下「ＭＤＩ」という）
を添加し、攪拌器で攪拌しつつ８０℃で２時間、１４０
℃で２時間、さらに１８０℃で２時間加熱し、その後放
冷して、固形分濃度２５％のポリアミドイミド系塗料を
得た。

【００９５】そして、このポリアミドイミド系塗料を使
用して、前記実施例１と同様にして絶縁電線を作製し
た。なお原料段階における、ジアミン成分およびジイソ
シアネート成分の総量に対するｐ−ＰＤＡの割合は５０
モル％であった。実施例１６ ポリアミドイミド系塗料作製時のｐ−ＰＤＡの仕込み量
を０．１モルにするとともに０．１５モルのＤＤＥを添
加し、ジアミン成分およびジイソシアネート成分の総量
に対するｐ−ＰＤＡの割合を２０モル％としたこと以外
は、上記実施例１５と同様にして絶縁電線を作製した。

【００９６】実施例１７ ポリアミドイミド系塗料作製時のｐ−ＰＤＡ、ＤＤＥお
よびＭＤＩの仕込み量を、ｐ−ＰＤＡ＝０．１５モル、
ＤＤＥ＝０．１モル、ＭＤＩ＝０．１５モルにするとと
もに０．１モルのｐ−フェニレンジイソシアネート（以
下「ＰＰＤＩ」という）を添加し、ジアミン成分および
ジイソシアネート成分の総量に対するｐ−ＰＤＡおよび
ＰＰＤＩの合計の割合を５０モル％としたこと以外は、
上記実施例１６と同様にして絶縁電線を作製した。

【００９７】実施例１８ ポリアミドイミド系塗料作製時にｐ−ＰＤＡとＭＤＩを
仕込まず、ＤＤＥおよびＰＰＤＩの仕込み量を、ＤＤＥ
＝０．２５モル、ＰＰＤＩ＝０．２５モル、ジアミン成
分およびジイソシアネート成分の総量に対するＰＰＤＩ
の割合を５０モル％としたこと以外は、上記実施例１７
と同様にして絶縁電線を作製した。

【００９８】比較例５ ポリアミドイミド系塗料作製時にｐ−ＰＤＡを仕込ま
ず、ＤＤＥを０．２５モル仕込んだこと以外は、上記実
施例１５と同様にして絶縁電線を作製した。比較例６ ポリアミドイミド系塗料作製時にＭＤＩを仕込まず、Ｐ
ＰＤＩを０．２５モル仕込んだこと以外は、上記実施例
１５と同様にして絶縁電線を作製した。

【００９９】実施例１９ 直径１．０mmの銅線表面に、ジフェニルメタン−４，
４′−ジイソシアネートとＴＭＡとを含む市販のポリア
ミドイミド系塗料（日立化成社製の品番ＨＩ−４００）
を常法によって塗布、焼付けして、膜厚８μｍの下地層
を形成した。つぎにこの下地層上に、実施例１７で使用
したのと同じポリアミドイミド系塗料を常法によって塗
布、焼付けして、膜厚２７μｍの絶縁被膜を形成し、絶
縁電線を作製した。

【０１００】実施例２０ 比較例５で作製した、ジアミン成分としてＤＤＥのみを
含み、ジイソシアネート成分としてＭＤＩのみを含むポ
リアミドイミド系塗料と、比較例６で作製した、ジアミ
ン成分としてｐ−ＰＤＡのみを含み、ジイソシアネート
成分としてＰＰＤＩのみを含むポリアミドイミド系塗料
とを、原料段階での、ジアミン成分およびジイソシアネ
ート成分の総量に対するｐ−ＰＤＡおよびＰＰＤＩの合
計の割合が５０モル％となるように配合し、十分に攪拌
混合してポリアミドイミド系塗料を作製した。そして、
このポリアミドイミド系塗料を使用して、上記実施例１
５と同様にして絶縁電線を作製した。

【０１０１】実施例２１ 実施例１５で作製した、ジアミン成分としてｐ−ＰＤＡ
のみを含むポリアミドイミド系塗料と、実施例１８で作
製した、ジイソシアネート成分としてＰＰＤＩのみを含
むポリアミドイミド系塗料とを、原料段階でのｐ−ＰＤ
ＡとＰＰＤＩとのモル比がｐ−ＰＤＡ／ＰＰＤＩ＝３０
／２０、ジアミン成分およびジイソシアネート成分の総
量に対するｐ−ＰＤＡおよびＰＰＤＩの合計の割合が５
０モル％となるように配合し、十分に攪拌混合してポリ
アミドイミド系塗料を作製した。そして、このポリアミ
ドイミド系塗料を使用して、上記実施例１５と同様にし
て絶縁電線を作製した。

【０１０２】実施例２２ 実施例１７で作製した絶縁電線の絶縁被膜上に、焼付型
水溶性潤滑塗料（東芝ケミカル社製の品番ＴＥＣ−９６
０１）を常法によって塗布、焼付けして表面潤滑層を形
成したこと以外は、上記実施例１７と同様にして絶縁電
線を作製した。上記各実施例、比較例の絶縁電線につい
て、前記弾性率測定、可撓性試験、急伸切断試験および
ピアノ線損傷荷重測定の各試験を行った。以上の結果を
表４に示す。

【０１０３】

【表４】

【０１０４】上記表４の結果より、ジアミン成分として
ｐ−ＰＤＡを含有せず、かつジイソシアネート成分とし
てＰＰＤＩを含有しない比較例５の絶縁電線では、絶縁
被膜の弾性率が低く、また、ピアノ線損傷荷重測定の結
果より、絶縁被膜が損傷し易いことが判った。一方、ジ
アミン成分およびジイソシアネート成分の総量に対する
ｐ−ＰＤＡおよびＰＰＤＩの合計の割合が１００モル％
である比較例６の絶縁電線は、可撓性試験の結果より、
絶縁被膜の可撓性が悪く、また、急伸切断試験の結果よ
り、絶縁被膜が銅線から剥離し易いことが判った。

【０１０５】これに対し実施例１５〜１８の絶縁電線は
何れも、損傷し難く、しかも、可撓性にすぐれるととも
に、銅線から剥離し難い絶縁被膜を有することが判っ
た。またｐ−ＰＤＡの割合が同じ実施例１７と実施例１
９の結果を比較すると、実施例１９は、実施例１７に比
べて急伸切断試験による絶縁被膜の浮き量が小さいこと
から、下地層を形成することで、他の特性をそのまま維
持しつつ、被膜の密着性をさらに向上できることが判っ
た。

【０１０６】同様にｐ−ＰＤＡおよびＰＰＤＩの合計の
割合が同じ実施例１７と実施例１９，２０の結果を比較
すると、これらはほぼ同じ特性を示し、このことから、
ポリアミドイミド系塗料を混合により製造しても、共重
合により製造された塗料とほぼ同じ結果が得られること
が判った。さらにｐ−ＰＤＡの割合が同じ実施例１７と
実施例２２の結果を比較すると、絶縁被膜上に表面潤滑
層を形成することにより、他の特性はそのまま維持しつ
つ、絶縁被膜をさらに損傷し難くできることが判った。

【０１０７】実施例２３ ｐ−ＰＤＡに代えて、０．２５モルのＤＢＲＢを使用し
たこと以外は、前記実施例１５と同様にして絶縁電線を
作製した。実施例２４ ポリアミドイミド系塗料作製時のＤＢＲＢの仕込み量を
０．１モルにするとともに０．１５モルのＤＤＥを添加
し、ジアミン成分およびジイソシアネート成分の総量に
対するＤＢＲＢの割合を２０モル％としたこと以外は、
上記実施例２３と同様にして絶縁電線を作製した。

【０１０８】実施例２５ ポリアミドイミド系塗料作製時のＤＢＲＢ、ＤＤＥおよ
びＭＤＩの仕込み量を、ＤＢＲＢ＝０．１５モル、ＤＤ
Ｅ＝０．１モル、ＭＤＩ＝０．１５モルにするとともに
０．１モルのＰＰＤＩを添加し、ジアミン成分およびジ
イソシアネート成分の総量に対するＤＢＲＢおよびＰＰ
ＤＩの合計の割合を５０モル％としたこと以外は、上記
実施例２４と同様にして絶縁電線を作製した。

【０１０９】実施例２６ ＰＰＤＩに代えて、０．１モルの３，３′−ジメチルビ
フェニル−４，４′−ジイソシアネート（以下「ＴＯＤ
Ｉ」という）を使用したこと以外は、上記実施例２５と
同様にして絶縁電線を作製した。実施例２７ ポリアミドイミド系塗料作製時にＤＢＲＢとＭＤＩを仕
込まず、ＤＤＥおよびＴＯＤＩの仕込み量を、ＤＤＥ＝
０．２５モル、ＴＯＤＩ＝０．２５モル、ジアミン成分
およびジイソシアネート成分の総量に対するＴＯＤＩの
割合を５０モル％としたこと以外は、上記実施例２６と
同様にして絶縁電線を作製した。

【０１１０】比較例７ ポリアミドイミド系塗料作製時にＭＤＩを仕込まず、Ｔ
ＯＤＩを０．２５モル仕込んだこと以外は、上記実施例
２３と同様にして絶縁電線を作製した。上記各実施例、
比較例の絶縁電線について、前記弾性率測定、可撓性試
験、急伸切断試験およびピアノ線損傷荷重測定の各試験
を行った。以上の結果を、ジアミン成分としてＤＢＲＢ
を配合せず、かつジイソシアネート成分としてＰＰＤＩ
およびＴＯＤＩを配合しなかったものに相当する前記比
較例５の結果と併せて表５に示す。

【０１１１】

【表５】

【０１１２】上記表５の結果より、ジアミン成分および
ジイソシアネート成分の総量に対するＤＢＲＢおよびＴ
ＯＤＩの合計の割合が１００モル％である比較例７の絶
縁電線は、可撓性試験の結果より、絶縁被膜の可撓性が
悪く、また、急伸切断試験の結果より、絶縁被膜が銅線
から剥離し易いことが判った。これに対し実施例２３〜
２７の絶縁電線は何れも、損傷し難く、しかも、可撓性
にすぐれるとともに、銅線から剥離し難い絶縁被膜を有
することが判った。

【０１１３】実施例２８ ｐ−ＰＤＡに代えて、０．２５モルのＤＡＢＡＮを使用
したこと以外は、前記実施例１５と同様にして絶縁電線
を作製した。実施例２９ ポリアミドイミド系塗料作製時のＤＡＢＡＮの仕込み量
を０．１モルにするとともに０．１５モルのＤＤＥを添
加し、ジアミン成分およびジイソシアネート成分の総量
に対するＤＡＢＡＮの割合を２０モル％としたこと以外
は、上記実施例２８と同様にして絶縁電線を作製した。

【０１１４】実施例３０ ポリアミドイミド系塗料作製時のＤＡＢＡＮ、ＤＤＥお
よびＭＤＩの仕込み量を、ＤＡＢＡＮ＝０．１５モル、
ＤＤＥ＝０．１モル、ＭＤＩ＝０．１５モルにするとと
もに０．１モルのＰＰＤＩを添加し、ジアミン成分およ
びジイソシアネート成分の総量に対するＤＡＢＡＮおよ
びＰＰＤＩの合計の割合を５０モル％としたこと以外
は、上記実施例２９と同様にして絶縁電線を作製した。

【０１１５】実施例３１ ＰＰＤＩに代えて、０．１モルのベンズアニリド−４，
４′−ジイソシアネート（以下「ＢＡＤＩ」という）を
使用したこと以外は、上記実施例３０と同様にして絶縁
電線を作製した。実施例３２ ポリアミドイミド系塗料作製時にＤＡＢＡＮとＭＤＩを
仕込まず、ＤＤＥおよびＢＡＤＩの仕込み量を、ＤＤＥ
＝０．２５モル、ＢＡＤＩ＝０．２５モル、ジアミン成
分およびジイソシアネート成分の総量に対するＢＡＤＩ
の割合を５０モル％としたこと以外は、上記実施例３１
と同様にして絶縁電線を作製した。

【０１１６】比較例８ ポリアミドイミド系塗料作製時にＭＤＩを仕込まず、Ｂ
ＡＤＩを０．２５モル仕込んだこと以外は、上記実施例
２８と同様にして絶縁電線を作製した。上記各実施例、
比較例の絶縁電線について、前記弾性率測定、可撓性試
験、急伸切断試験およびピアノ線損傷荷重測定の各試験
を行った。以上の結果を、ジアミン成分としてＤＡＢＡ
Ｎを配合せず、かつジイソシアネート成分としてＰＰＤ
ＩおよびＢＡＤＩを配合しなかったものに相当する前記
比較例５の結果と併せて表６に示す。

【０１１７】

【表６】

【０１１８】上記表６の結果より、ジアミン成分および
ジイソシアネート成分の総量に対するＤＡＢＡＮおよび
ＢＡＤＩの合計の割合が１００モル％である比較例８の
絶縁電線は、可撓性試験の結果より、絶縁被膜の可撓性
が悪く、また、急伸切断試験の結果より、絶縁被膜が銅
線から剥離し易いことが判った。これに対し実施例２８
〜３２の絶縁電線は何れも、損傷し難く、しかも、可撓
性にすぐれるとともに、銅線から剥離し難い絶縁被膜を
有することが判った。

【０１１９】

【発明の効果】本発明の絶縁電線によれば、ポリイミド
の構造中にベンゼン、ビフェニルまたはベンズアニリド
の構造を導入して、絶縁被膜の弾性率を向上させること
で、可撓性にすぐれ、しかも、損傷し難い絶縁被膜を形
成することができる。したがって、本発明の絶縁電線は
耐加工性にすぐれており、たとえばモータの捲線に使用
する場合には、コアへの捲線量を従来より増大させて
も、捲線工程で絶縁被膜に損傷を生じるおそれがなく、
より小型、軽量で性能の良いモータの要求に対応するこ
とができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも酸クロライドを含む酸成分と、
   ジアミン成分とを原料とするポリアミドイミド系塗料の
   塗布、焼付けにより形成された絶縁被膜を有する絶縁電
   線において、原料としてのジアミン成分が、下記一般式
   (I) ： 【化１】 ［上記式中Ｒ¹ は、水素原子、アルキル基、アルコキシ
   基またはハロゲン原子を示す。ｎは１〜４の数を示
   す。］、下記一般式(II)： 【化２】 ［上記式中Ｒ² ，Ｒ³ は、同一または異なって、水素原
   子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示
   す。ｐ，ｑは同一または異なって１〜４の数を示
   す。］、および下記一般式(III) ： 【化３】 ［上記式中Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ は、同一または異なって、水素原
   子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示
   す。ｒ，ｓは同一または異なって１〜４の数を示す。］
   で表される芳香族ジアミン化合物のうちの少なくとも１
   種を含有し、かつ原料としてのジアミン成分における、
   これら芳香族ジアミン化合物の合計の含有割合が１０〜
   ８０モル％であることを特徴とする絶縁電線。
2. 【請求項２】ジアミン成分と酸成分との反応生成物であ
   るイミドジカルボン酸と、ジイソシアネート成分とを原
   料とするポリアミドイミド系塗料の塗布、焼付けにより
   形成された絶縁被膜を有する絶縁電線において、原料と
   してのジアミン成分、ジイソシアネート成分が、上記一
   般式(I)(II) および(III) で表される芳香族ジアミン化
   合物、並びに下記一般式(IV)： 【化４】 ［上記式中Ｒ⁶ は、水素原子、アルキル基、アルコキシ
   基またはハロゲン原子を示す。ｔは１〜４の数を示
   す。］、下記一般式(V) ： 【化５】 ［上記式中Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は、同一または異なって、水素原
   子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示
   す。ｕ，ｖは同一または異なって１〜４の数を示
   す。］、および下記一般式(VI)： 【化６】 ［上記式中Ｒ⁹ ，Ｒ¹⁰は、同一または異なって、水素原
   子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示
   す。ｗ，ｘは同一または異なって１〜４の数を示す。］
   で表される芳香族ジイソシアネート化合物のうちの少な
   くとも１種を含有し、かつ原料としてのジアミン成分お
   よびジイソシアネート成分の総量に対する、これら芳香
   族ジアミン化合物、芳香族ジイソシアネート化合物の合
   計の含有割合が１０〜８０モル％であることを特徴とす
   る絶縁電線。