JPH06349604A - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
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- JPH06349604A JPH06349604A JP5281352A JP28135293A JPH06349604A JP H06349604 A JPH06349604 A JP H06349604A JP 5281352 A JP5281352 A JP 5281352A JP 28135293 A JP28135293 A JP 28135293A JP H06349604 A JPH06349604 A JP H06349604A
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- Japan
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- thermistor
- composition
- temperature coefficient
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 室温比抵抗ρ25が小さくかつ、αが大きい安
定な特性を持つサーミスタを提供する。 【構成】 本発明では、サーミスタ本体を構成する半導
体の組成をＢａＴｉＯ3 系ペロブスカイト型化合物にお
いて、Ｔｉ量を過剰にするのがよいとされていた組成
を、Ｔｉ量を化学量論比よりも不足させた組成にしたこ
とを特徴とする。
定な特性を持つサーミスタを提供する。 【構成】 本発明では、サーミスタ本体を構成する半導
体の組成をＢａＴｉＯ3 系ペロブスカイト型化合物にお
いて、Ｔｉ量を過剰にするのがよいとされていた組成
を、Ｔｉ量を化学量論比よりも不足させた組成にしたこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、正特性サーミスタに係
り、特にサーミスタ本体の組成に関する。
り、特にサーミスタ本体の組成に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＢａＴｉＯ3 系ペロブスカイト
型化合物からなる磁器は誘電性、圧電性、焦電性、異常
抵抗性などの電気的に利用価値がある性質を有し、種々
の電子デバイスに広く用いられている。
型化合物からなる磁器は誘電性、圧電性、焦電性、異常
抵抗性などの電気的に利用価値がある性質を有し、種々
の電子デバイスに広く用いられている。
【０００３】なかでもＢａＴｉＯ3 に、Ｙ，Ｎｄ等を
０．１〜０．３at％添加した酸化物半導体は大きな正の
温度係数を有することから、正特性サーミスタと呼ばれ
る。この正特性サーミスタは、大きな正の温度係数を有
する温度領域をＳｒ，Ｐｂ等の添加で調整することがで
きることから、温度の測定および過電流防止、モータ起
動、カラーＴＶ消磁用等の回路素子および低温発熱ヒー
タ等、広く様々な分野でなくてはならないものとなって
いる。
０．１〜０．３at％添加した酸化物半導体は大きな正の
温度係数を有することから、正特性サーミスタと呼ばれ
る。この正特性サーミスタは、大きな正の温度係数を有
する温度領域をＳｒ，Ｐｂ等の添加で調整することがで
きることから、温度の測定および過電流防止、モータ起
動、カラーＴＶ消磁用等の回路素子および低温発熱ヒー
タ等、広く様々な分野でなくてはならないものとなって
いる。
【０００４】また、実用に際しては図３に示した室温比
抵抗（以下ρ25）、抵抗温度係数（以下α）、抵抗変化
幅（以下Ｊ）を目的に適合するように組成面、製法面か
ら制御しなければならない。
抵抗（以下ρ25）、抵抗温度係数（以下α）、抵抗変化
幅（以下Ｊ）を目的に適合するように組成面、製法面か
ら制御しなければならない。
【０００５】例えば、抵抗温度係数αを大きくかつ、抵
抗変化幅Ｊを高くするために結晶粒界の表面準位を制御
する元素であるＭｎなどを添加する方法（特公昭４１−
１２１４６号、特公昭４２−３８５５号）や、室温比抵
抗ρ25を低くするためにＳｉＯ2 を添加する方法（特公
昭５１−１９５９９号）、Ｔｉ量を過剰にする方法（特
公昭４１−２１８６９号）などが知られている。
抗変化幅Ｊを高くするために結晶粒界の表面準位を制御
する元素であるＭｎなどを添加する方法（特公昭４１−
１２１４６号、特公昭４２−３８５５号）や、室温比抵
抗ρ25を低くするためにＳｉＯ2 を添加する方法（特公
昭５１−１９５９９号）、Ｔｉ量を過剰にする方法（特
公昭４１−２１８６９号）などが知られている。
【０００６】
【発明を解決しようとする課題】ＢａＴｉＯ3 系の正特
性サーミスタを実用に供する場合、室温比抵抗ρ25が小
さいこと、抵抗温度係数αが大きいこと、抵抗変化幅Ｊ
が高いことが要求されるが、ρ25とαには正の相関関係
があり、ρ25が小さくかつαが大きいサーミスタを得よ
うとしても、（α／ｌｏｇρ25）〜10という限界があっ
た。
性サーミスタを実用に供する場合、室温比抵抗ρ25が小
さいこと、抵抗温度係数αが大きいこと、抵抗変化幅Ｊ
が高いことが要求されるが、ρ25とαには正の相関関係
があり、ρ25が小さくかつαが大きいサーミスタを得よ
うとしても、（α／ｌｏｇρ25）〜10という限界があっ
た。
【０００７】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、室温比抵抗ρ25が小さくかつ、抵抗温度係数αが大
きい安定な特性を持つサーミスタを提供することを目的
とする。
で、室温比抵抗ρ25が小さくかつ、抵抗温度係数αが大
きい安定な特性を持つサーミスタを提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、サー
ミスタ本体を構成する半導体の組成をＢａＴｉＯ3ペロ
ブスカイト型化合物において、Ｔｉ量を過剰にするのが
よいとされていた組成を、Ｔｉ量を化学量論比よりも不
足させた組成にしたことを特徴とする。
ミスタ本体を構成する半導体の組成をＢａＴｉＯ3ペロ
ブスカイト型化合物において、Ｔｉ量を過剰にするのが
よいとされていた組成を、Ｔｉ量を化学量論比よりも不
足させた組成にしたことを特徴とする。
【０００９】すなわち、次式を満たすように形成された
チタン酸バリウム系半導体からなるサーミスタ本体と、
前記サーミスタ本体に取り付けられた給電用の電極とを
具備したことを特徴とする。
チタン酸バリウム系半導体からなるサーミスタ本体と、
前記サーミスタ本体に取り付けられた給電用の電極とを
具備したことを特徴とする。
【００１０】 （Ｂａ1-x-y Ｓx Ｍy ）Ｔｉz Ｏ3 ＋ｎＡ ０≦x ＜1 ，0 ＜y ＜1 ，0.99≦z ＜1 ，0 ≦ｎ＜0.002 （式） Ｓ：Ｓｒ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｐｂから選ばれる少なく
とも１種の元素 Ｍ：Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔ
ｈ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙから選ばれる少なくとも１
種の元素 Ａ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｋ，Ｖ
から選ばれる少なくとも１種の元素
とも１種の元素 Ｍ：Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔ
ｈ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙから選ばれる少なくとも１
種の元素 Ａ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｋ，Ｖ
から選ばれる少なくとも１種の元素
【００１１】
【作用】本発明者らは、組成比を変化させて種々の実験
を重ねた結果、Ｔｉ量を化学量論比よりも不足させた組
成がよいことを発見した。本発明はこれに着目してなさ
れてもので、上記組成を用いることにより、室温比抵抗
ρ25が小さくかつ、αが大きい安定な特性を持つサーミ
スタを提供することが可能となる。
を重ねた結果、Ｔｉ量を化学量論比よりも不足させた組
成がよいことを発見した。本発明はこれに着目してなさ
れてもので、上記組成を用いることにより、室温比抵抗
ρ25が小さくかつ、αが大きい安定な特性を持つサーミ
スタを提供することが可能となる。
【００１２】上記組成中、Ｓの元素は、主としてキュリ
ー温度を制御する作用を有し、Ｍの元素は、主として組
成を半導体化する作用を有し、Ａの元素は結晶粒界の表
面準位を制御するものであると考えられている。
ー温度を制御する作用を有し、Ｍの元素は、主として組
成を半導体化する作用を有し、Ａの元素は結晶粒界の表
面準位を制御するものであると考えられている。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００１４】実施例１ 図１は本発明実施例の正特性サーミスタを示す図であ
る。
る。
【００１５】この正特性サーミスタは、サーミスタ本体
１の組成が次式に示すように構成したことを特徴とする
ものである。
１の組成が次式に示すように構成したことを特徴とする
ものである。
【００１６】 （Ｂａ0.7737Ｓｒ0.2221Ｙ0.0042）Ｔｉ0.9955Ｏ3 ＋０．００１Ｍｎ （式） すなわちこの正特性サーミスタは、チタン酸バリウムを
主成分とする上記組成のサーミスタ本体１と、その上面
と下面に、外周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくる
ように形成されたＮｉ蒸着層からなる第１の電極層２
ａ，２ｂと、この上層に第１の電極層２ａ，２ｂと端縁
が一致するように形成された銀を主成分とする第２の電
極層３ａ，３ｂとから構成されている。
主成分とする上記組成のサーミスタ本体１と、その上面
と下面に、外周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくる
ように形成されたＮｉ蒸着層からなる第１の電極層２
ａ，２ｂと、この上層に第１の電極層２ａ，２ｂと端縁
が一致するように形成された銀を主成分とする第２の電
極層３ａ，３ｂとから構成されている。
【００１７】次にこの正特性サーミスタの製造工程につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１８】まず、ＴｉＣｌ4 原液を体積が２倍になる
ように蒸留水で希釈し，ＴｉＣｌ4の一部が水和し、濃
度がＴｉ１モルあたり２３９．６ｇになるＴｉＣｌ4 水
和物を調合した。ここで濃度はクペロン分析法によって
定量した。
ように蒸留水で希釈し，ＴｉＣｌ4の一部が水和し、濃
度がＴｉ１モルあたり２３９．６ｇになるＴｉＣｌ4 水
和物を調合した。ここで濃度はクペロン分析法によって
定量した。
【００１９】次に、このＴｉＣｌ4 水和物２３８．３ｇ
（Ｔｉ：０．９９４モル）を採取し、さらに蒸留水４０
０ｇを加えてＴｉＣｌ4 水溶液とした。
（Ｔｉ：０．９９４モル）を採取し、さらに蒸留水４０
０ｇを加えてＴｉＣｌ4 水溶液とした。
【００２０】さらに１２．７wt% ＢａＣｌ2 水溶液１１
４５ｇ（Ｂａ：０．５９５モル）、１６．５wt% ＳｒＣ
ｌ2 水溶液４７９．２ｇ（Ｓｒ：０．２９７モル）、
４．５３wt% ＹＣｌ3 水溶液１０４．７ｇ（Ｙ：０．０
１５６モル）を調合し、４種の水溶液を混合した。
４５ｇ（Ｂａ：０．５９５モル）、１６．５wt% ＳｒＣ
ｌ2 水溶液４７９．２ｇ（Ｓｒ：０．２９７モル）、
４．５３wt% ＹＣｌ3 水溶液１０４．７ｇ（Ｙ：０．０
１５６モル）を調合し、４種の水溶液を混合した。
【００２１】そして、７５℃±０．５℃に維持した１
６．７wt% Ｈ2 Ｃ2 Ｏ4 （蓚酸）水溶液１４４０ｇ（Ｈ
2 Ｃ2 Ｏ4 ：１．９０２モル）にこの混合液を４時間か
けて滴下し、共沈物として（ＢａＳｒＹ）ＴｉＯ（Ｃ2
Ｏ4 ）2 ・４Ｈ2 Ｏなる蓚酸塩を得た。
６．７wt% Ｈ2 Ｃ2 Ｏ4 （蓚酸）水溶液１４４０ｇ（Ｈ
2 Ｃ2 Ｏ4 ：１．９０２モル）にこの混合液を４時間か
けて滴下し、共沈物として（ＢａＳｒＹ）ＴｉＯ（Ｃ2
Ｏ4 ）2 ・４Ｈ2 Ｏなる蓚酸塩を得た。
【００２２】この蓚酸塩を濾過・水洗後、１１５０℃１
時間の仮焼を行った。仮焼粉にＭｎ（ＮＯ3 ）2 を（Ｂ
ａＳｒＹ）ＴｉＯ3 全体のモル数に対して０．１モル％
添加後、遊星型ボールミルで１時間湿式粉砕を行いスラ
リーを得た。
時間の仮焼を行った。仮焼粉にＭｎ（ＮＯ3 ）2 を（Ｂ
ａＳｒＹ）ＴｉＯ3 全体のモル数に対して０．１モル％
添加後、遊星型ボールミルで１時間湿式粉砕を行いスラ
リーを得た。
【００２３】ついでスプレードライヤーにより造粒粉が
６０μm 以下になるようにし、油圧プレスでペレット状
に成型、１４１０℃で１時間焼成し、半導体磁器を得
た。この磁器に電極を付け、温度抵抗特性を測定した。
その結果を表１に示す。
６０μm 以下になるようにし、油圧プレスでペレット状
に成型、１４１０℃で１時間焼成し、半導体磁器を得
た。この磁器に電極を付け、温度抵抗特性を測定した。
その結果を表１に示す。
【００２４】 実施例２ 次に、サーミスタ本体１の組成が次式に示すように構成
した。
した。
【００２５】 （Ｂａ0.7744Ｓｒ0.2217Ｙ0.0039）Ｔｉ0.9961Ｏ3 ＋０．００１Ｍｎ （式） 次にこの正特性サーミスタの製造工程について説明す
る。
る。
【００２６】実施例１と同様、ＴｉＣｌ4 原液を蒸留水
で希釈し，濃度がＴｉ１モルあたり２４５．０ｇになる
ＴｉＣｌ4 水和物を調合し、このＴｉＣｌ4 水和物１２
２．１ｇ（Ｔｉ：０．４９９モル）を採取し、さらに蒸
留水２００ｇを加えてＴｉＣｌ4 水溶液とした。
で希釈し，濃度がＴｉ１モルあたり２４５．０ｇになる
ＴｉＣｌ4 水和物を調合し、このＴｉＣｌ4 水和物１２
２．１ｇ（Ｔｉ：０．４９９モル）を採取し、さらに蒸
留水２００ｇを加えてＴｉＣｌ4 水溶液とした。
【００２７】さらにこの水溶液に１２．８wt% ＢａＣｌ
2 水溶液５７３．３ｇ（Ｂａ：０．４００モル）、１
６．６wt% ＳｒＣｌ2 水溶液２３９．７ｇ（Ｓｒ：０．
１４９モル）、３．５０wt% ＹＣｌ3 水溶液５１．８ｇ
（Ｙ：５．９８×１０-3モル）を混合し、７５℃±０．
５℃に保った１６．７wt% Ｈ2 Ｃ2 Ｏ4 水溶液７２０．
３ｇ（Ｈ2 Ｃ2 Ｏ4 ：０．９５４モル）にこの混合液を
２．５時間かけて滴下し、蓚酸塩を得た。
2 水溶液５７３．３ｇ（Ｂａ：０．４００モル）、１
６．６wt% ＳｒＣｌ2 水溶液２３９．７ｇ（Ｓｒ：０．
１４９モル）、３．５０wt% ＹＣｌ3 水溶液５１．８ｇ
（Ｙ：５．９８×１０-3モル）を混合し、７５℃±０．
５℃に保った１６．７wt% Ｈ2 Ｃ2 Ｏ4 水溶液７２０．
３ｇ（Ｈ2 Ｃ2 Ｏ4 ：０．９５４モル）にこの混合液を
２．５時間かけて滴下し、蓚酸塩を得た。
【００２８】そして実施例１と同様にして素子をつく
り、特性を測定した。その結果を表１に示す。
り、特性を測定した。その結果を表１に示す。
【００２９】実施例３ 次に、サーミスタ本体１の組成が次式に示すように構成
した。
した。
【００３０】 （Ｂａ0.7731Ｓｒ0.2228Ｙ0.0041）Ｔｉ0.9964Ｏ3 ＋０．００１Ｍｎ （式） この組成のサーミスタ素子を実施例２と同様の方法で作
成し、特性を測定した結果を表１に示す。
成し、特性を測定した結果を表１に示す。
【００３１】実施例４ 次に、サーミスタ本体１の組成が次式に示すように構成
した。
した。
【００３２】 （Ｂａ0.7707Ｓｒ0.2254Ｙ0.0039）Ｔｉ0.9972Ｏ3 ＋０．００１Ｍｎ （式） この組成のサーミスタ素子を実施例２，３と同様の方法
で作成した。結果を表１に示す。
で作成した。結果を表１に示す。
【００３３】比較例Ａ 次に比較例として、サーミスタ本体１の組成が次式に示
すように構成した。
すように構成した。
【００３４】 （Ｂａ0.7778Ｓｒ0.2180Ｙ0.0042）Ｔｉ1.0033Ｏ3 ＋０．００１Ｍｎ （式） この組成はＴｉの組成範囲の上限を越えるものである。
【００３５】次にこの正特性サーミスタの製造工程につ
いて説明する。
いて説明する。
【００３６】まず、濃度がＴｉ１モルあたり２４４．５
ｇになるＴｉＣｌ4 水和物を、ＴｉＣｌ4 水和物２４
３．４ｇ（Ｔｉ：０．９９５４モル）に、さらに蒸留水
４００ｇを加えてＴｉＣｌ4 水溶液とした。
ｇになるＴｉＣｌ4 水和物を、ＴｉＣｌ4 水和物２４
３．４ｇ（Ｔｉ：０．９９５４モル）に、さらに蒸留水
４００ｇを加えてＴｉＣｌ4 水溶液とした。
【００３７】このＴｉＣｌ4 水溶液に混合するＢａＣｌ
2 水溶液以下各々の水溶液の濃度と混合量は実施例１と
同じである。また、混合水溶液の滴下以後の素子の製造
方法も実施例１と同様である。このサーミスタ素子の特
性の測定結果を表１に示す。 比較例Ｂ 次に比較例として、サーミスタ本体１の組成が次式に示
すように構成した。
2 水溶液以下各々の水溶液の濃度と混合量は実施例１と
同じである。また、混合水溶液の滴下以後の素子の製造
方法も実施例１と同様である。このサーミスタ素子の特
性の測定結果を表１に示す。 比較例Ｂ 次に比較例として、サーミスタ本体１の組成が次式に示
すように構成した。
【００３８】 （Ｂａ0.7703Ｓｒ0.2249Ｙ0.0048）Ｔｉ0.9879Ｏ3 ＋０．００１Ｍｎ （式） この組成はＴｉの組成範囲の下限を越えるものである。
【００３９】次にこの正特性サーミスタの製造に際して
は、７０℃±０．５℃に維持したＨ2 Ｃ2 Ｏ4 （蓚酸）
水溶液を用いた他は実施例１と同様に形成した。このサ
ーミスタ素子の特性の測定結果を比較例Ｂとして表１に
示す。
は、７０℃±０．５℃に維持したＨ2 Ｃ2 Ｏ4 （蓚酸）
水溶液を用いた他は実施例１と同様に形成した。このサ
ーミスタ素子の特性の測定結果を比較例Ｂとして表１に
示す。
【００４０】表１から明らかなように特許請求の範囲の
うちＴｉの組成範囲Ｔｉz ：０．９９≦ｚ＜１を満たし
た組成を持つ正特性サーミスタ素子を製造した場合、ρ
25が１２．５〜２６．５Ωｃｍと小さくかつαが２４．
００％以上であり、なおかつＪが６桁台の特性をもつこ
とがわかった。図２にＴｉ量（Ｔｉ／（Ｂａ＋Ｓｒ＋
Ｙ））とα／ｌｏｇρ25との関係を測定した結果を示す
ように、従来例（比較例）では、α／ｌｏｇρ25が１０
程度であったのに対して本発明によれば２倍以上の値を
とることが可能となる。
うちＴｉの組成範囲Ｔｉz ：０．９９≦ｚ＜１を満たし
た組成を持つ正特性サーミスタ素子を製造した場合、ρ
25が１２．５〜２６．５Ωｃｍと小さくかつαが２４．
００％以上であり、なおかつＪが６桁台の特性をもつこ
とがわかった。図２にＴｉ量（Ｔｉ／（Ｂａ＋Ｓｒ＋
Ｙ））とα／ｌｏｇρ25との関係を測定した結果を示す
ように、従来例（比較例）では、α／ｌｏｇρ25が１０
程度であったのに対して本発明によれば２倍以上の値を
とることが可能となる。
【００４１】このように本発明によればρ25が小さくα
が大きいよりすぐれた正特性サーミスタを得ることが可
能となる。
が大きいよりすぐれた正特性サーミスタを得ることが可
能となる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、サーミスタ本体を構成するＢａＴｉＯ3 系ペロブス
カイト型化合物の組成をＴｉ量を化学的量論比よりも不
足するようにしているためρ25が小さくαが大きい正特
性サーミスタを得ることが可能となる。
ば、サーミスタ本体を構成するＢａＴｉＯ3 系ペロブス
カイト型化合物の組成をＴｉ量を化学的量論比よりも不
足するようにしているためρ25が小さくαが大きい正特
性サーミスタを得ることが可能となる。
【図１】本発明実施例の正特性サーミスタを示す図
【図２】本発明実施例および従来例の正特性サーミスタ
の組成比と室温比抵抗および抵抗温度係数との関係を示
す図
の組成比と室温比抵抗および抵抗温度係数との関係を示
す図
【図３】正特性サーミスタの異常抵抗性を示す図
１ サーミスタ本体 ２ａ，２ｂ 第１の電極層 ３ａ，３ｂ 第２の電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 卓司 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内 (72)発明者 田村 政利 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 次式を満たすように形成されたチタン酸
バリウム系半導体からなるサーミスタ本体と、 前記サーミスタ本体に取り付けられた給電用の電極とを
具備したことを特徴とする正特性サーミスタ。 （Ｂａ1-x-y Ｓx Ｍy ）Ｔｉz Ｏ3 ＋ｎＡ （式） ０≦x ＜1 ，0 ＜y ＜1 ，0.99≦z ＜1 ，0 ≦ｎ＜0.002 Ｓ：Ｓｒ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｐｂから選ばれる少なく
とも１種の元素 Ｍ：Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔ
ｈ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙから選ばれる少なくとも１
種の元素 Ａ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｋ，Ｖ
から選ばれる少なくとも１種の元素
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5281352A JPH06349604A (ja) | 1993-04-14 | 1993-11-10 | 正特性サーミスタ |
| KR1019950704028A KR960701453A (ko) | 1993-04-14 | 1994-04-14 | 정특성 서미스터 |
| PCT/JP1994/000622 WO1994024680A1 (en) | 1993-04-14 | 1994-04-14 | Positive characteristic thermistor |
| EP94912679A EP0694930A4 (en) | 1993-04-14 | 1994-04-14 | THERMISTOR WITH POSITIVE CHARACTERISTICS |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-87550 | 1993-04-14 | ||
| JP8755093 | 1993-04-14 | ||
| JP5281352A JPH06349604A (ja) | 1993-04-14 | 1993-11-10 | 正特性サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349604A true JPH06349604A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=26428814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5281352A Pending JPH06349604A (ja) | 1993-04-14 | 1993-11-10 | 正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349604A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010110331A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物、発熱体及び発熱モジュール |
| JP2010241684A (ja) * | 2010-05-25 | 2010-10-28 | Hitachi Metals Ltd | 半導体磁器組成物 |
| US8870735B2 (en) | 2012-05-17 | 2014-10-28 | Strategic Environmental & Energy Resources, Inc. | Waste disposal |
| CN112420296A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-02-26 | 句容市双诚电子有限公司 | 一种高稳定性耐压ntc陶瓷热敏电阻及其制备工艺 |
-
1993
- 1993-11-10 JP JP5281352A patent/JPH06349604A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010110331A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物、発熱体及び発熱モジュール |
| JP5626204B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-11-19 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物、発熱体及び発熱モジュール |
| JP2010241684A (ja) * | 2010-05-25 | 2010-10-28 | Hitachi Metals Ltd | 半導体磁器組成物 |
| US8870735B2 (en) | 2012-05-17 | 2014-10-28 | Strategic Environmental & Energy Resources, Inc. | Waste disposal |
| US9393519B2 (en) | 2012-05-17 | 2016-07-19 | Strategic Environmental & Energy Resources, Inc. | Waste disposal |
| CN112420296A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-02-26 | 句容市双诚电子有限公司 | 一种高稳定性耐压ntc陶瓷热敏电阻及其制备工艺 |
| CN112420296B (zh) * | 2020-12-02 | 2022-08-05 | 句容市双诚电子有限公司 | 一种高稳定性耐压ntc陶瓷热敏电阻及其制备工艺 |
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