JPH06331452A - パイロデテクター装置の製造方法 - Google Patents

パイロデテクター装置の製造方法

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JPH06331452A
JPH06331452A JP6125703A JP12570394A JPH06331452A JP H06331452 A JPH06331452 A JP H06331452A JP 6125703 A JP6125703 A JP 6125703A JP 12570394 A JP12570394 A JP 12570394A JP H06331452 A JPH06331452 A JP H06331452A
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JP
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main surface
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pyrodetector
electrolyte
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JP6125703A
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English (en)
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Rainer Bruchhaus
ブルツフハウス ライナー
Volker Lehmann
レーマン フオルカー
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
    • H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 充分な機械的安定性を持つ大面積のパイロデ
テクター装置も製造することができるようにする。 【構成】 ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る
基板２１の第１主面２２に電気化学的エッチングによっ
て孔構造２４を作り、それにより基板２１に構造化領域
２６を生成し、この構造化領域２６の上方において第１
主面２２上に少なくとも１つのパイロデテクター素子２
８を配置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパイロデテクター装置の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積パイロデテクター装置を製造する
際、個々のパイロデテクター素子が基板上に設けられ
る。パイロデテクター装置の用途に応じて、このパイロ
デテクター装置は４〜２５６×２５６個又はそれ以上の
パイロデテクター素子を含む。
【０００３】集積パイロデテクター装置を製造するため
には、パイロデテクター装置の敏感な応答を保証するた
めに、熱伝導が低くかつ熱容量が僅少な基板が必要であ
る。
【０００４】集積パイロデテクター装置を構成するため
に、表面に酸化シリコン及び窒化シリコンから成る薄い
ダイヤフラムが設けられたシリコン製基板を使用するこ
とは公知である。背面からこの基板には窪みがエッチン
グ形成され、この窪みの内部では酸化シリコン及び窒化
シリコンから成る薄いダイヤフラムが背面から露出させ
られる。ダイヤフラムは窪みを覆うように張られる。ダ
イヤフラムの表面上にはパイロデテクター素子が設けら
れる。このような方法は、ダイヤフラムが必要な機械的
安定性を有しないので、大面積のパイロデテクター装置
には適しない。他の方法では、基板表面に対して約１μ
ｍの僅かな間隔で薄いダイヤフラムが支持点に取付けら
れ、その後ダイヤフラム上に電極とパイロ活性層とが設
けられる。この方法はサーフイ０・マイクロマシニング
（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）に
て公知である（例えば、刊行物「アプライド、フィジク
ス、レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ）」１９９１年発行、第５９巻、第３５３９
頁〜第３５４１頁に掲載されたＤ．Ｌ．ポラ（Ｐｏｌｌ
ａ）等著の論文参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、充分
な機械的安定性を有する大面積のパイロデテクター装置
をも製造することが可能なパイロデテクター装置の製造
方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明によれば、ｎドーピングされた単結晶シリコ
ンから成る基板の第１主面の少なくとも一部分に電気化
学的エッチングによって多数の孔が作成され、それによ
り前記基板に多孔領域が生成され、その際前記電気化学
的エッチングは、前記基板が陽極として接続され前記第
１主面が電解液に接触させられそしてエッチング除去に
影響する電流密度が調整される電解液内で行われ、少な
くとも１つのパイロデテクター素子が前記第１主面の多
孔領域の上方に設けられる。
【０００７】本発明の他の構成は請求項２以降に記載さ
れている。
【０００８】本発明によれば、少なくとも１つのパイロ
デテクター素子を含むパイロデテクター装置が、電気化
学的エッチングによって形成された少なくとも１つの多
孔領域を含むシリコン製基板上に実現される。ｎドーピ
ングされた単結晶シリコンから成る基板がアノードとし
て接続され、基板の第１主面が電解液に接触させられ、
そしてエッチング除去に影響する電流密度が調整される
電解液内で電気化学的エッチングが行われることによっ
て、基板に孔構造が作られる。
【０００９】基板は電気化学的エッチングの際にアノー
ドとして接続されるので、ｎドーピングされたシリコン
内の少数電荷キャリヤは電解液に接触する第１主面へ移
動する。この第１主面には空間電荷領域が形成される。
表面の窪み領域の電界はその窪み領域の外の電界よりも
大きいので、少数電荷キャリヤは特にこれらの点へ移動
する。これによって第１主面の構造化が実現される。初
めは小さな非平坦性が電気化学的エッチングによって深
くされればされる程、多くの少数電荷キャリヤが大きな
電界強度のためにそこへ移動し、そしてこの個所でのエ
ッチング侵食がより一層強くなる。これによって、基板
内に結晶学の〈１００〉方向へ成長する孔構造が生成さ
れる。従って、〈１００〉方向を持つ基板を使用するこ
とは有利である。
【００１０】孔又は溝を作るためにｎドーピングされた
シリコンに電気化学的エッチングを行うことは例えばヨ
ーロッパ特許出願公開第０２９６３４８号公報によって
公知であり、この公報には特にＤＲＡＭセルのための溝
がこのようにして作られることが記載されている。しか
しながら、この公報においては、パイロデテクター装置
を製造する際に電気化学的エッチングを使用することは
考慮されていない。
【００１１】本発明による方法においては、パイロデテ
クター装置が設けられる基板には電気化学的エッチング
によって構造化領域が作られる。この構造化領域は孔構
造のために熱質量が僅かでありかつ熱伝導率が小さい。
それにも拘わらず、その構造化領域は機械的に充分に安
定しており、それゆえ構造化領域の表面には特に下部電
極とパイロ活性層と上部電極とからそれぞれ構成された
パイロデテクター素子を配置することができる。本発明
による製造方法によれば、２５６×２５６個、特に８×
８個のパイロデテクター素子を含むパイロデテクター装
置を特に製造することができる。
【００１２】基板の第１主面に同様に個々のパイロデテ
クター素子を読出すための読出回路を設けることは本発
明の枠内である。この読出回路は構造化領域の上方及び
構造化領域の外部に配置することができる。
【００１３】電気化学的エッチングは特にフッ化物を含
む酸性電解液内で行われる。エッチング侵食はその際基
板ウエハ内の電流密度と電解液内のフッ化物濃度とに依
存する。電解液内の電流密度を高めることによって、又
は電解液内のフッ化物濃度を減少させることによって、
エッチング侵食を増大させることができる。
【００１４】電流密度を調整するために、基板を第１主
面とは反対側に位置する第２主面側から光照射すること
は本発明の枠内である。
【００１５】電気化学的エッチングの前に第１主面に表
面トポロジーを設けることは本発明の枠内である。これ
によって第１主面に窪みが作られ、電気化学的エッチン
グの際この窪みのところからエッチング侵食が開始され
る。このようにして孔構造の配置が予め定められる。
【００１６】表面トポロジーは例えばホトラックマスク
を作り次にアルカリ性エッチングを行うことによって作
ることができる。
【００１７】構造化領域と基板のその他の部分との間の
熱伝導をさらに減少させるために、電気化学的エッチン
グの前に第１主面とは反対側に位置する第２主面に窪み
をエッチング形成することは本発明の枠内である。この
窪みは構造化領域の下方に配置されている。この窪みは
第１主面に対して平行に、構造化領域の面積と少なくと
も同じ大きさの広がりを有する。このようにして第１主
面に対して垂直な方向における構造化領域の広がりは１
０〜１００μｍに調整される。
【００１８】本発明の他の構成によれば、構造化領域と
基板のその他の部分との間の熱伝導は、孔構造の下部領
域に空所のネットワークが形成され、その場合その空所
の直径が上部領域の孔構造の直径よりも大きくなるよう
にすることによって、減少させられる。このために、電
気化学的エッチングの際孔構造の予め定められた深さに
到達したらプロセスパラメータが変えられ、孔構造の断
面積が大きくされる。上述のように、エッチング侵食は
孔構造の下部領域においてのみ行われる。孔構造の断面
積は上部領域では即ち第１主面の近傍では変化しない。
しかしながら、下部領域では孔構造は大きくなる。孔構
造の断面積のこの拡大は、特に、基板の背面からの光照
射量を変えることにより電解液内の電流密度を高めるこ
とによって、又は電解液内のフッ化物濃度を減少させる
ことによって行われる。
【００１９】孔構造は１〜２μｍの平均間隔で作るのが
有利である。孔構造は特に第１主面の領域では０．２〜
１μｍの直径を有するのが有利である。その際孔構造は
１〜３０μｍの深さに作られる。孔構造の下部領域にお
ける空所は０．５〜１．８μｍの直径に作られるのが有
利である。
【００２０】この構成では、基板のその他の部分への熱
伝導は空所の表面を酸化させることによってさらに減少
させることができる。
【００２１】他の構成によれば、構造化領域と基板のそ
の他の領域との間の熱伝導は、孔構造の下に大面積の空
所が作られ、第１主面に対して垂直に延びるシリコン製
支持部がその空所を通って延びるようにすることによっ
て、減少させられる。このために構造化領域内の孔構造
は均一な配分率で第１主面に作られる。均一な配分は特
に第１主面に作られた表面トポロジーによって予め与え
られる。電気化学的エッチングの際、ほぼ構造化領域の
深さに相当する孔構造の予め定められた深さに到達した
らプロセスパラメータが変えられ、それにより孔の断面
積が大きくなる。エッチングは孔構造の高密度領域にお
いて隣接する孔構造が空所を形成して連通するまで続け
られる。孔構造の低密度領域では隣接する孔構造の間に
シリコン製支持部が保持された状態にある。
【００２２】特にシリコン製支持部はパイロデテクター
素子がこの支持部の上方に配置されることがないように
配設される。パイロデテクター装置の充分な機械的安定
性を得るために、シリコン製支持部は１００〜５００μ
ｍの間隔で設けるのが有利である。
【００２３】空所を作るために、電解液内の電流密度を
高めるか、又は電解液内のフッ化物濃度を減少させるこ
とは本発明の枠内である。電解液内の電流密度を高める
ために、特に基板の第２主面に当てられる光照射量が変
えられるのが有利である。
【００２４】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
【００２５】ｎドーピングされた単結晶シリコンから成
る基板１１は第１主面１２及びこの第１主面１２とは反
対側に位置する第２主面１３を有し、第２主面１３側か
ら窪み１４が設けられている（図１参照）。基板１１は
例えば５Ωｃｍの抵抗率を有している。窪み１４は、例
えば、第２主面１３上にホトラックマスク（図示されて
いない）が設けられ、アルカリ性エッチングが行われる
ことによって作られる。
【００２６】次に、第１主面１２側から孔構造１５が窪
み１４の上の領域に作られる。このために基板１１は第
１主面１２がフッ化物を含む酸性電解液に接触させられ
る。この電解液は例えば１〜５０％、特に３％のフッ化
水素酸濃度を有する。第１主面１２上に水素泡が発生す
るのを防止するために、電解液には酸化剤、例えば過酸
化水素が添加される。
【００２７】基板１１はアノードとして接続される。基
板１１及び電解液に例えば０〜２０ボルト、特に３ボル
トの電圧が印加される。基板１１は第２主面１３側から
光を照射され、それにより例えば１０ｍＡ／ｃｍ2 の電
流密度に調整される。第１主面１２の非平坦性によりそ
の際に第１主面１２に対して垂直に延びる孔構造１５が
形成される。電気化学的エッチングは窪み１４上の孔構
造１５が基板１１全体を貫通するまで続けられる。この
ようにして、孔構造１５を含み窪み１４の上に配置され
た構造化領域１６が形成される。
【００２８】第１主面１２上には全面に亘って平面状層
１７が設けられる。この平面状層１７は例えばＳｉＯ2
から構成される。平面状層１７は例えば酸化又はスパッ
タリングによって設けられる。平面状層１７は孔構造１
５を第１主面１２側から塞ぐ。構造化領域１６の上には
平面状層１７上に、下部電極とパイロ活性層と上部電極
とをそれぞれ含むパイロデテクター素子１８が設けられ
る。例えば８個のパイロデテクター素子１８が設けられ
る。下部電極は例えば白金からそれぞれ構成され、パイ
ロ活性層は例えばチタン酸鉛又は適当にドーピングされ
たチタン酸鉛から構成され、上部電極は例えばニッケル
又はゴールドブラックからそれぞれ構成される。
【００２９】構造化領域１６は孔構造１５のために熱質
量が僅かでありかつ熱伝導率が小さい。窪み１４によっ
てさらに構造化領域１６と基板１１のその他の部分との
間の熱伝導が減少させられる。従って、パイロデテクタ
ー素子１８の全てを構造化領域１６の上に配置すること
が重要である。
【００３０】孔構造１５を第１主面１２内に分散させる
ことは、電気化学的エッチングの前に第１主面１２に施
されるトポロジーによって予め与えることができる。孔
構造１５が作られる第１主面１２の領域は、電気化学的
エッチングの前に設けられる例えばホトラックマスクに
よって規定される。このホトラックマスクは孔構造１５
を作った後に除去される。
【００３１】出発材料は第１主面２２とこの第１主面２
２とは反対側に位置する第２主面２３とを備えた基板２
１である（図２参照）。この基板２１はｎドーピングさ
れた単結晶シリコンから構成され、例えば〈１００〉方
向を有している。
【００３２】第１主面２２上にホトラックマスク（図示
されていない）が設けられる。このホトラックマスクは
第１主面２２の一部分だけを露出させ、この部分に次に
孔構造２４が作られる。
【００３３】第１主面２２のホトラックマスクによって
覆われない部分では第１主面２２が例えば規則的に配置
された窪みから構成された表面トポロジーを有してい
る。この表面トポロジーは孔構造２４の配分を決定す
る。
【００３４】第１主面２２が電解液に接触させられる。
この電解液はフッ化物を含み、酸性である。電解液は例
えば１〜５０％、特に３％のフッ化水素酸濃度を有す
る。第１主面２２上に水素泡が発生するのを抑制するた
めに、電解液には酸化剤、例えば過酸化水素が添加され
る。基板２１はアノードとして接続される。基板２１と
電解液との間には０〜２０ボルト、特に３ボルトの電圧
が印加される。基板２１は第２主面２３側から光を照射
され、それにより例えば１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度に
調整される。窪みの存在により電気化学的エッチングを
行うと第１主面２２に対して垂直に延びる孔構造２４が
作られる。
【００３５】孔構造２４は例えば１〜３０μｍ、特に１
５μｍの深さに作られる。３０μｍの深さは上記プロセ
スパラメータを用いると約６０分のエッチング時間で得
られる。
【００３６】この深さに到達後、アノードの電流密度が
例えば３０ｍＡ／ｃｍ2 に高められる。その際、電解液
と基板２１との間の電圧は２ボルトに減少させられる。
電流密度はさらに基板２１の第２主面への光照射によっ
て調整される。
【００３７】電気化学的エッチングの際プロセスパラメ
ータを変えることによって、孔構造２４の断面積を拡大
することができる。これによって孔構造２４の下部領域
にそれぞれ配置された空所２５を形成することができ
る。電気化学的エッチングは空所２５が例えば０．５μ
ｍの直径を有するまで続けられる。この直径は約１０分
後に達せられる。
【００３８】上部領域では孔構造は例えば０．２μｍの
直径を有している。隣接する孔構造２４の平均間隔は例
えば約１μｍ以上の大きさである。
【００３９】孔構造２４及び空所２５が基板２１の構造
化領域２６を形成する。空所２５はその下に位置する基
板２１に対して充分に熱絶縁の作用をする。
【００４０】第１主面２２上には平面状層２７が設けら
れる。この平面状層２７は孔構造２４を塞ぐ。この平面
状層２７は例えばＳｉＯ2 から構成され、酸化又はスパ
ッタリングによって作られる。構造化領域２６の上方に
おいて平面状層２７上にパイロデテクター素子２８が設
けられる。このパイロデテクター素子２８は例えば白金
から成る下部電極と、例えばチタン酸鉛又は添加物を添
加されたチタン酸鉛から成るパイロ活性層と、例えばニ
ッケル又はゴールドブラックから成る上部電極とからそ
れぞれ構成されている。パイロデテクター素子２８は専
ら構造化領域２６の上に配置されている。
【００４１】この実施例では、構造化領域２６から基板
２１のその他の部分への熱伝導は空所２５の表面の酸化
によってさらに減少させることができる。
【００４２】出発材料として第１主面３２とこの第１主
面３２とは反対側に位置する第２主面３３とを有しｎド
ーピングされた単結晶シリコンから成る基板３１が使用
される（図３参照）。この基板３１は例えば０．５Ωｃ
ｍの抵抗率を有する。第１主面３２はこの第１主面３２
上に不規則な間隔で密に配置された窪みから構成される
表面トポロジーを備える。
【００４３】孔構造３４を作るために第１主面３２がフ
ッ化物を含む酸性電解液に接触させられる。この電解液
は例えば１〜５０％、特に３％のフッ化水素酸濃度を有
する。第１主面３２上に水素泡が発生するのを抑制する
ために、電解液には酸化剤、例えば過酸化水素が添加さ
れる。
【００４４】基板３１はアノードとして接続される。基
板３１と電解液との間に０〜２０ボルト、特に３ボルト
の電圧が印加される。基板３１は第２主面３３側から光
を照射され、それにより例えば１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流
密度に調整される。表面トポロジーの窪みの存在により
電気化学的エッチングを行うと第１主面３２に対して垂
直に延びる孔構造３４が作られる。孔構造３４は例えば
０．２μｍの直径を有する。孔構造３４が１μｍの深さ
に到達すると、エッチングパラメータが変えられる。ア
ノードの電流密度は例えば３０ｍＡ／ｃｍ2 に高められ
る。電解液と基板３１との間の電圧はその際２ボルトに
減少させられる。電流密度はさらに基板３１の第２主面
３３の光照射によって調整される。
【００４５】電気化学的エッチングの際プロセスパラメ
ータを変えることによって、エッチングを継続して行う
と孔構造３４の断面積は下部領域において拡大する。孔
構造３４の底部に空洞状拡張部が形成される。エッチン
グは、孔構造３４が第１主面３２内において高密度を有
する領域において、隣接する空洞状拡張部を分離してい
るシリコンがエッチング除去されて大面積の空所３５が
生成されるまで続けられる。孔構造３４が低い面分布密
度で設けられている領域では、隣接する孔構造３４の間
に、基板３１の第１主面３２から第２主面３３まで延び
る支持部３６が存在している。この支持部３６を介して
基板３１の孔構造３４によって構造化領域３７が基板３
１のその他の部分と強固に結合されている。空所３５は
孔構造３４の下方において構造化領域３７の全体に亘っ
て延び、支持部３６によってのみ中断される。装置の充
分な機械的安定性を保証するために、支持部３６は例え
ば１００〜５００μｍの間隔で配置される。
【００４６】第１主面３２上に孔構造３４を塞ぐ平面状
層３８が設けられる。この平面状層３８は酸化又はスパ
ッタリングによって例えばＳｉＯ2 から作られる。平面
状層３８の表面上には、例えば白金から成る下部電極
と、例えばチタン酸鉛又は添加物を添加されたチタン酸
鉛から成るパイロ電気層と、例えばニッケル又はゴール
ドブラックから成る上部電極とからそれぞれ構成された
パイロデテクター素子３９が設けられる。例えば８個の
パイロデテクター素子が設けられる。
【００４７】パイロデテクター素子３９は、基板３１内
の支持部３６が隣接するパイロデテクター素子３９間に
配置されるように平面状層３８上に配置されるのが有利
である。このようにして、全てのパイロデテクター素子
３９が均一に熱絶縁されて設けられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】構造化領域が窪みの上に配置されたパイロデテ
クター装置の実施例の概略図である。
【図２】構造化領域の孔構造が下部に空所を有するパイ
ロデテクター装置の実施例の概略図である。
【図３】大面積の空所の上に配置された孔構造を含む構
造化領域を備えたパイロデテクター装置の実施例の概略
図である。
【符号の説明】
１１ 基板 １２ 第１主面 １３ 第２主面 １４ 窪み １５ 孔構造 １６ 構造化領域 １７ 平面状層 １８ パイロデテクター素子 ２１ 基板 ２２ 第１主面 ２３ 第２主面 ２５ 空所 ２６ 構造化領域 ２７ 平面状層 ２８ パイロデテクター素子 ３１ 基板 ３２ 第１主面 ３３ 第２主面 ３４ 孔 ３５ 空所 ３６ 支持部 ３７ 構造化領域 ３８ 平面状層 ３９ パイロデテクター素子

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ｎドーピングされた単結晶シリコンから
    成る基板（１１、２１、３１）の第１主面（１２、２
    ２、３２）の少なくとも一部分に電気化学的エッチング
    によって孔構造（１５、２４、３４）が作られ、それに
    より前記基板（１１、２１、３１）に構造化領域（１
    ６、２６、３７）が生成され、その際前記電気化学的エ
    ッチングは、前記基板（１１、２１、３１）がアノード
    として接続され前記第１主面（１２、２２、３２）が電
    解液に接触させられ、エッチング除去に影響する電流密
    度が調整される電解液内で行われ、少なくとも１つのパ
    イロデテクター素子（１８、２８、３９）が前記第１主
    面（１２、２２、３２）の構造化部分の上方に設けられ
    ることを特徴とするパイロデテクター装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 電気化学的エッチングはフッ化物を含む
    酸性電解液内で行われることを特徴とする請求項１記載
    の方法。
  3. 【請求項３】 基板（１１、２１、３１）は〈１００〉
    ウエハであることを特徴とする請求項１又は２記載の方
    法。
  4. 【請求項４】 電気化学的エッチングの前に、第１主面
    （１２、２２、３２）は孔構造（１５、２４、３４）の
    配置を決定する表面トポロジーが設けられることを特徴
    とする請求項１乃至３の１つに記載の方法。
  5. 【請求項５】 電流密度は基板（１１、２１、３１）の
    第１主面（１２、２２、３２）とは反対側に位置する第
    ２主面（１３、２３、３３）の光照射によって調整され
    ることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の方
    法。
  6. 【請求項６】 電解液は１〜５０％のフッ化水素酸（Ｈ
    Ｆ）を含むことを特徴とする請求項１乃至５の１つに記
    載の方法。
  7. 【請求項７】 電解液は酸化剤を含むことを特徴とする
    請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 構造化領域（１６）と基板（１１）のそ
    の他の部分との間の熱伝導を減少させるために、電気化
    学的エッチングの前に第２主面（１３）内に、前記構造
    化領域（１６）の下に配置され第１主面（１２）に平行
    な広がりが前記構造化領域（１６）の広がりと少なくと
    も同じ大きさである窪み（１４）がエッチング形成され
    ることを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の方
    法。
  9. 【請求項９】 窪み（１４）は構造化領域（１６）が第
    １主面（１２）に対して垂直に１０〜１００μｍの広が
    りを有するような深さに作られることを特徴とする請求
    項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 構造化領域（２６）と基板（２１）の
    その他の部分との間の熱伝導を減少させるために、電気
    化学的エッチングの際孔構造（２４）の予め定められた
    深さに到達したらプロセスパラメータが変えられ、前記
    孔（２４）の断面積が増大し、それにより前記孔構造
    （２４）の下部領域には空所（２５）のネットワークが
    生成されることを特徴とする請求項１乃至７の１つに記
    載の方法。
  11. 【請求項１１】 電解液内の電流密度が高められること
    を特徴とする請求項１０記載の方法。
  12. 【請求項１２】 電解液内のフッ化物濃度が減少させら
    れることを特徴とする請求項１０記載の方法。
  13. 【請求項１３】 空所（２５）の表面が酸化されること
    を特徴とする請求項１０乃至１２の１つに記載の方法。
  14. 【請求項１４】 孔構造（２４）が１〜２μｍの平均間
    隔で作られ、孔構造（２４）は第１主面（２２）の領域
    では０．２〜１μｍの直径を有し、孔構造（２４）は１
    〜３０μｍの深さに作られ、空所（２５）は０．５〜
    １．８μｍの直径に作られることを特徴とする請求項１
    ０乃至１３の１つに記載の方法。
  15. 【請求項１５】 構造化領域（３７）と基板（３１）の
    その他の部分との間の熱伝導は、前記構造化領域（３
    ７）の孔構造（３４）が均一な配分で第１主面（３２）
    に作られ、電気化学的エッチングの際前記孔構造（３
    ４）の予め定められた深さに到達したらプロセスパラメ
    ータが変えられ、前記孔構造（３４）の断面積が増大
    し、それにより前記孔構造（３４）の高密度領域におい
    ては隣接する孔構造（３４）は空所（３５）を形成して
    連通し、一方前記孔構造（３４）の低密度領域において
    は隣接する孔構造（３４）間にシリコン製支持部（３
    ６）が保持されることことによって、減少させられるこ
    とを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の方法。
  16. 【請求項１６】 電解液内の電流密度が高められること
    を特徴とする請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 電解液内のフッ化物濃度が減少させら
    れることを特徴とする請求項１５記載の方法。
  18. 【請求項１８】 パイロデテクター素子（３９）は支持
    部（３６）の側方に配置されることを特徴とする請求項
    １５乃至１７の１つに記載の方法。
  19. 【請求項１９】 構造化領域（３７）の表面は平面状層
    （３８）を設けられ、この平面状層（３８）上にパイロ
    デテクター素子（１８、２８、３９）のための下部電極
    とパイロ活性層と上部電極とが取付けられることを特徴
    とする請求項１乃至１８の１つに記載の方法。
  20. 【請求項２０】 平面状層（１７、２７、３８）はＳｉ
    Ｏ2 、下部電極は白金、パイロ活性層はチタン酸鉛また
    は添加物を添加されたチタン酸鉛、上部電極はニッケル
    又はゴールドブラックからそれぞれ形成されることを特
    徴とする請求項１９記載の方法。
JP6125703A 1993-05-19 1994-05-16 パイロデテクター装置の製造方法 Withdrawn JPH06331452A (ja)

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