JPH0632671A - セラミックスと金属との接合用ロウ材及びその接合方法 - Google Patents

セラミックスと金属との接合用ロウ材及びその接合方法

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JPH0632671A
JPH0632671A JP21360192A JP21360192A JPH0632671A JP H0632671 A JPH0632671 A JP H0632671A JP 21360192 A JP21360192 A JP 21360192A JP 21360192 A JP21360192 A JP 21360192A JP H0632671 A JPH0632671 A JP H0632671A
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JP
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ceramics
brazing material
metal
temperature
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JP21360192A
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English (en)
Inventor
Nobuyuki Minami
信之 南
Yoichi Ishida
陽一 石田
Osamu Hanaoka
修 花岡
Senjo Yamagishi
千丈 山岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiheiyo Cement Corp
Original Assignee
Nihon Cement Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 接合の耐熱温度が450°Cを越え、セラミ
ックス及びメタライズパターンの強度特性を損なわず、
該セラミックスに金属を高強度で接合し得るセラミック
スと金属との接合用ロウ材及びその接合方法を提供する
こと。 【構成】 91.2〜93.0重量%の金と、8.8〜
7.0重量%のゲルマニウムとから成る接合用ロウ材、
及びこの接合用ロウ材を用い、580〜680°Cの温
度で、セラミックスのメタライズ面に金属を接合する方
法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックスと金属と
の接合用ロウ材及びその接合方法に関し、特に、例えば
電子部品用基板として利用する低温焼成のセラミックス
と、金属との接合にも利用できる接合用ロウ材及びその
接合方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、セラミックスと金属とを接合する
にあたっては、その接合材として、 融点が183°Cの錫−鉛ハンダ、 融点が370°Cの共晶組成の金−シリコンハン
ダ、 融点が356°Cの共晶組成の金−ゲルマニウムハ
ンダ、 融点が780°Cの共晶組成の銀ロウ、 銀−銅−インジウムロウ、 銀−銅−錫ロウ、 銀−インジウムロウ、 金−シリコンロウ、 等の接合材が用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ここで、セラミックス
を電子部品用基板として利用する場合においては、該セ
ラミックスに、例えばリード電極等の金属を接合した
後、ICを取り付けるダイボンディング工程等で更に該
セラミックスを400〜450°Cで加熱処理する場合
が存在する。
【0004】このような場合には、そのダイボンディン
グ工程以前のセラミックスと金属の接合には、上記40
0〜450°Cの加熱処理温度、特に450°Cの温度
でもその接合が外れないロウ材を用いて接続する必要が
あり、そのため、この用途では上記した接合材の内、
〜の溶融温度が450°C以下の接合材は用いず、
の溶融温度が780°Cの銀ロウを用いてセラミックス
と金属の接合を行っていた。
【0005】一方、近年、低温焼成のセラミックスを、
抵抗やコンデンサ等の電子部品を装着する電子部品用基
板として使用することが成され始めている。この低温焼
成のセラミックスは、その焼成温度が850〜1000
°Cと低いため、該セラミックスに例えばリード電極等
の金属を接合する場合、従来より広く用いられている上
記の溶融温度が780°Cの銀ロウを使用して行う
と、その溶融温度がセラミックスの焼成温度と近似する
ため、該セラミックス自体の強度が金属との接合時の熱
により低下し、実用に供し得るリード線付き基板を得る
ことができなかった。
【0006】また、上記低温焼成のセラミックスが、そ
の表面に銀−パラジウムでパターニングされたメタライ
ズ面が形成されたものである場合には、上記及びの
組成のロウ材では、該ロウ材中の銅と、メタライズパタ
ーン材料中のパラジウムとが固溶し、脆くなることか
ら、接合強度が低下し実用に供し得ないという課題があ
る。また、のロウ材については、上記メタライズ面と
の付着強度は2Kgf/mm2 にまで向上するが、該ロ
ウ材自体が脆く、接合したリード電極等の金属に外圧が
かかると、該ロウ材自体が破壊し、剥がれ落ちるという
課題がある。更に、のロウ材にあっては、上記課題は
かなり改善されるものの、このロウ材はセラミックスの
メタライズ面へのヌレ性が悪く、該ロウ材のメタライズ
面への付着部に小径の欠陥が生じると言った課題があ
る。
【0007】本発明は、上述した従来のセラミックスと
金属との接合用ロウ材及びその接合方法を、電子部品用
基板の製造に利用した場合の課題に鑑み成されたもので
あって、その目的は、接合の耐熱温度が450°Cを越
え、例え接合するセラミックスが低温焼成のセラミック
ス、或いは該セラミックスの表面に銀−パラジウムでパ
ターニングされたメタライズ面が形成されたセラミック
スであっても、該セラミックス及びメタライズパターン
の強度特性を損なわず、該セラミックスに金属を高強度
で接合し得るセラミックスと金属との接合用ロウ材及び
その接合方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、種々の試
験・研究の結果、金及びゲルマニウムの特定組成から成
るロウ材が、上記目的を達成し得るロウ材であることを
見いだし、本発明を完成させた。
【0009】即ち、本発明は、91.2〜93.0重量
%の金と、8.8〜7.0重量%のゲルマニウムとから
成る接合用ロウ材、及びこの接合用ロウ材を用い、58
0〜680°Cの温度で、セラミックスのメタライズ面
に金属を接合する方法を要旨とする。
【0010】本発明にかかる上記特定組成の接合用ロウ
材の溶融温度は、550〜650°Cとなることが試験
により判明した。そのため、この接合用ロウ材を用いれ
ば、580〜680°Cの温度範囲で、セラミックスの
メタライズ面に金属を接合することが可能となる。
【0011】その結果、本発明により接合したセラミッ
クスと金属との接合部の耐熱温度は、450°Cを遙か
に越えることとなり、接合後、ダイボンディング工程等
で更に該セラミックスを400〜450°Cで加熱処理
しても、その接合が外れることはない。
【0012】また、接合温度が580〜680°Cであ
るため、850〜1000°Cで焼成する低温焼成セラ
ミックスと金属との接合に、本発明にかかる接合用ロウ
材及びその接合方法を実施しても、該低温焼成セラミッ
クスの強度を低下させることはない。
【0013】更に、本発明においては、金及びゲルマニ
ウムから成るロウ材を使用するため、例え接合するセラ
ミックス表面に、銀−パラジウムでパターニングされた
メタライズ面が形成されたものであっても、該メタライ
ズ面の強度特性を損なわず、かつ柔軟性に富み、しかも
欠陥部分のない接合が可能となる。
【0014】なお、上記特定組成を外れる配合割合で調
合された金及びゲルマニウムとから成るロウ材は、その
溶融温度が550〜650°Cの範囲外となり、上記作
用・効果は達成できず、電子部品への応用範囲が狭いも
のとなり好ましくない。
【0015】ここで、本発明にかかる接合用ロウ材及び
その接合方法が実施できるセラミックスは、何ら限定さ
れるものではないが、アルミナを第一成分とし、850
〜1000°Cで焼成される低温焼成セラミックスに、
本発明を実施する場合に特に有効となる。
【0016】これは、低温焼成セラミックスは、近年、
抵抗やコンデンサ等の電子部品を装着する電子部品用基
板として使用することが成され始めており、上記した本
発明にかかる接合用ロウ材及びその接合方法の作用・効
果が有効に発揮され、かかる電子部品用基板の製造を可
能とするためである。
【0017】また、本発明によってセラミックスに接合
する金属、或いはセラミックス表面に形成されたメタラ
イズの種類は特に限定されず、任意に採用することがで
きるが、セラミックス表面に、銀−パラジウムでパター
ニングされたメタライズ面が形成されたセラミックスで
ある場合には、本発明において金及びゲルマニウムから
成るロウ材を用いた作用・効果が有効に発揮され、好ま
しい。
【0018】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と共に挙げ、
本発明を詳細に説明する。
【0019】ここで、実施例及び比較例で使用したロウ
材の原料は、金原料としては、株式会社高純度化学研究
所製の100メッシュ以下の還元金粉末を、ゲルマニウ
ム原料としては、同じく株式会社高純度化学研究所製の
325メッシュ以下のゲルマニウム粉末をそれぞれ用
い、各原料を表1に示す配合割合で各々混合し、ロウ材
を調合した。
【0020】接合試料としては、アルミナを第一成分と
し、900°Cで焼成された低温焼成セラミックスの表
面に、銀−パラジウムでパターニングされた2.5mm
角のランドを形成し、該ランドに50μmの厚みで上記
調合した各種のロウ材を塗布し、その塗布面上に幅2m
m,厚さ0.5mm,長さ10mmのニッケルと鉄の合
金である42アロイの先端を2mm重ね、セラミックス
と金属との接合面積が2mm×2mmとなる接合試料を
作成した。
【0021】上記接合試料を、1対9の混合割合の水素
と窒素の混合気中で昇温し、各ロウ材の溶け具合から、
その融点を測定した。測定結果を表1に示す。
【0022】また、上記融点の測定と共に、その接合具
合を評価した。接合具合を評価は、その融点温度に各接
合試料を5分間保持した後、降温し、これに対して行っ
た。
【0023】接合具合の評価方法は、上記降温した各接
合試料を再度窒素雰囲気中で450°Cまで加熱し、こ
の温度で5分間保持した後、25°Cまで冷却し、接合
された42アロイの否接合部分である8mm長さの部分
を90°外方に折り曲げ、この折り曲げ部を挟持して
0.5mm/secのスピードで基板に対し直角方向に
42アロイを引き剥がす試験を実施し、この時の破壊強
度から単位面積当たりの強度(Kgf/mm2 )を算出
し、その値を「接合強度」として評価した。その結果を
表1に示す。
【0024】
【表1】
【0025】表1に示す結果より、本発明にかかる配合
割合のロウ材(実施例1〜3)が、他の配合割合のロウ
材(比較例1〜3)に比し、優れた性質を有することが
判明する。
【0026】即ち、表1から明らかなように、本発明の
規定範囲内である配合比の実施例1〜3のロウ材では、
接合金属である42アロイの引き剥がし強度(接合強
度)は2Kgf/mm2 以上であり、実用に耐えうるも
のである。
【0027】これに対し、本発明の規定範囲外である配
合比の比較例1〜3のロウ材にあっては、42アロイの
引き剥がし強度(接合強度)は実用強度である1.5K
gf/mm2 に満たないものであり、特に、ゲルマニウ
ムの配合割合が多く融点の低い比較例2のロウ材では、
450°Cの再加熱処理においてロウ材が溶け、接合金
属がズレると言う問題が生じる。また、規定より金の配
合割合が多く融点の高い比較例3のロウ材では、接合時
の熱によりセラミックスが破壊され、実用に耐えないも
のとなった。
【0028】
【発明の効果】以上、説明した本発明にかかるセラミッ
クスと金属との接合用ロウ材及びその接合方法によれ
ば、その接合部の耐熱温度は450°Cを遙かに越える
こととなり、また、接合するセラミックスが低温焼成の
セラミックス、或いは該セラミックスの表面に銀−パラ
ジウムでパターニングされたメタライズ面が形成された
セラミックスであっても、該セラミックス及びメタライ
ズパターンの強度特性を損なうことなく、該セラミック
スに金属を高強度で接合することができ、電子部品用基
板の製造に広く利用できるセラミックスと金属との接合
用ロウ材及びその接合方法となる。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 91.2〜93.0重量%の金と、8.
    8〜7.0重量%のゲルマニウムとから成ることを特徴
    とするセラミックスと金属との接合用ロウ材。
  2. 【請求項2】 セラミックスのメタライズ面に、金及び
    ゲルマニウムとから成るロウ材を用い、580〜680
    °Cの温度で、金属を接合することを特徴とするセラミ
    ックスと金属との接合方法。
  3. 【請求項3】 上記セラミックスが、アルミナを第一成
    分とし、850〜1000°Cで焼成され、その表面に
    銀−パラジウムでパターニングされたメタライズ面が形
    成されたセラミックスであることを特徴とする、請求項
    2記載のセラミックスと金属との接合方法。
  4. 【請求項4】 上記金及びゲルマニウムとから成るロウ
    材が、請求項1記載のセラミックスと金属との接合用ロ
    ウ材であることを特徴とする、請求項2記載のセラミッ
    クスと金属との接合方法。
JP21360192A 1992-07-17 1992-07-17 セラミックスと金属との接合用ロウ材及びその接合方法 Pending JPH0632671A (ja)

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