JP2563293B2 - 複合ろう材のろう付方法 - Google Patents

複合ろう材のろう付方法

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JP2563293B2
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    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/3013Au as the principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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    • H01L2924/36Material effects
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子部品組立に用いて特に有用な複合ろう
材のろう付方法に関する。
〔従来の技術〕
各産業分野において、合理化および自動化は急速に進
んでいるが、これ等合理化や自動化は極めて精度の高い
制御によらなければ得られないものであり、この高精度
の制御装置に非常に重要な役割を果しているものに電子
部品がある。
上記制御装置等に多用されているセラミックを基板と
した電子部品は、ますます短小化と軽量化が要求される
と共に高精度化が求められ、それに伴なって部品組立が
複雑化する傾向にある。
セラミックを基板とした電子部品の組立には、ICチッ
プの担持,リード線の固定,シーリングの封着などがあ
り、その周辺部品には例えば80%Au−Sn合金などのろう
材が用いられている。
例えば、セラミックパッケージICの製造工程におい
て、セラミック基板と入出力電気接続用ピンを従来の高
融点である銀ろうにより接合後、チップ担持基板にイン
ナーリード用の薄膜加工を施すことは工作上非常に困難
で不可能に近いものであり、そのために薄膜加工後に入
出力電気接続用ピンの接合を行なうことになる。ところ
がこの接合においては、薄膜特性を損なうような高温加
熱を施してはならないために上記銀ろうは好ましくな
い。
そこで、この接合に上記した80Au−Sn合金を用いるも
ので、融点が280℃であるために比較的低温での接合が
可能である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明した80Au−Sn合金は比較的低温での接合がで
きるが、セラミック基板にICチップを担持する際のチッ
プダイボンディングやワイヤーボンディングおよびキャ
ップシールの次加工工程において、構造体全体が比較的
高い温度中にさらされるために80Au−Sn合金によって接
合された入出力電気接続用ピンが動くか傾いて不整列に
なってしまう問題がある。
しかも、良好な接合に必要なNiメッキ層とSnとが金属
間化合物を形成し、Niメッキ層が消失して入出力電気接
続用ピンと基板間の接合強度が全体的に弱まってしまう
という重大な問題がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、Au粉末とSn−In合金粉末とを混合した複合
ろう材で、Auが重量比で45〜90%の範囲とした融点が20
0℃以上の複合ろう材を用い、被ろう付材を先ず120〜18
0℃の温度範囲でInを主体としたろう付けを行い、つぎ
に、220〜280℃に加熱してSn−In合金とAuを拡散させ、
その温度域を移動調節してSn−In合金とAuの拡散状態を
安定化させるようにしたことを特徴とする。
〔作 用〕
上記複合ろう材を用い、被ろう付材を先ず120〜180℃
の温度範囲でSn−In合金を主体としたろう付けを行な
い、次に220〜280℃に加熱してSn−In合金とAuを拡散さ
せ、ろう付面積に応じてさらに温度を上昇させてSn−In
合金とAuの拡散状態を安定化することにより段階的に融
点を高め、処理完了時にこの複合ろう材の融点を200℃
以上とするもので、拡散を促し、処理後の接合部の融点
を段階的に高めて結果として比較的高い温度に保持され
ても必要な強度を得ることができることになり、さらに
Sn−In合金を用いることにより低温度域における被接合
面との初期ねれ性を向上させることとなる。
上記説明において、Au量を重量比で45〜90%にした理
由は、Au量が90%を超えるとAuに対するSn−Inの拡散が
緩慢になり、処理終了時においても希望とする融点や組
織が得られないためであり、また、Au量が45%未満では
脆い金属間化合物が生成し易くなると共に耐蝕性が低下
することになる。
一方、ろう付け温度の第1段階を120〜180℃の範囲に
設定する理由は、Sn−In合金の融点が117℃でその温度
を越えて溶融させるためであり、180℃を越える温度で
はSn−In合金が急激に流動するため適正なろう付状態が
得られないためである。また、次の処理を220〜280℃あ
るいはそれ以上の温度で加熱する理由は、AuへのSn−In
合金の拡散を段階的に行なおうとするものである。すな
わち、一挙に高い温度で処理すると、Sn−In合金が急激
に流動して理想的な状態が得られないことになる。
また、加熱段階をもっと増加しても一向に差し支えな
く、むしろ良い結果が期待できる。
〔実施例〕
以下に本発明の実施例を説明する。
100〜200メッシュのAu粉50gと10重量%Sn−In粉50gと
をボールミルで2時間混合した後、アルコール系バイン
ダと練和して複合粉としたペースト状のろう材とした。
次に、上記複合ろう材を用いたろう付けの方法を説明
する。
メタライズされたセラミック基板とNi−Auメッキされ
たFe−Ni−Co合金からなる被ろう付材との間に約0.5mg
の複合粉を塗布し、連続的に移動する電気炉を用いて体
積混合比10%H2−90%N2の雰囲気で165℃×2分間相当
の条件でろう付け処理を行ない、次に段階的に高い温度
域に移動させて最終通過温度300℃の拡散安定化処理を
行なって冷却させた。
以上の本発明を以下に示す従来例によるろう材と接合
強度を比較した。
従来例として、80Au−Sn合金からなるろう材を上記の
雰囲気にて300℃×2分間の条件でろう付処理を行なっ
た。
第2図は接合強度を行なうための試料の斜視図であ
り、被ろう付材であるピン1をろう材2で接合したセラ
ミック基板3を60゜に傾け、上記の雰囲気で200〜380℃
の各温度に加熱し、静的にピンの位置ずれの程度をもっ
て接合強度の優劣とした。
〔発明の効果〕 以上説明した本発明によると、Au粉末とSn−In合金粉
末とを混合して複合ろう材としたことにより、低温度で
被ろう付材のろう付けを行なうことができ、その後、低
温拡散処理により高温での接合強度が得られるという効
果を有する。
また、従来の80Au−Sn合金の場合のように良好な接合
に必要なNiメッキ層がSnの拡散によるNi−Sn金属間化合
物の形成により消失するという現象がなく、金属間化合
物の特徴である脆さを生じない効果がある。
さらに、被接合部のAuメッキ層の厚さに応じてAuおよ
びSn−In合金の重量比を変えることにより適正な接合が
行なえるという利点を有する。
【図面の簡単な説明】 図面はテスト試料の斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭48−14552(JP,A) 特開 昭55−92287(JP,A) 特開 昭57−52590(JP,A) 特開 昭46−48400(JP,A) 特開 昭58−100992(JP,A) 特開 昭51−16260(JP,A) 米国特許2438967(US,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Au粉末とSn−In合金粉末とを混合した複合
    ろう材で、Auが重量比で45〜90%の範囲とした融点が20
    0℃以上の複合ろう材を用い、被ろう付材を先ず120〜18
    0℃の温度範囲でInを主体としたろう付けを行い、つぎ
    に、220〜280℃に加熱してSn−In合金とAuを拡散させ、
    その温度域を移動調節してSn−In合金とAuの拡散状態を
    安定化させるようにしたことを特徴とする複合ろう材の
    ろう付方法。
JP31295086A 1986-12-29 1986-12-29 複合ろう材のろう付方法 Expired - Lifetime JP2563293B2 (ja)

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