JPH06322557A - 耐食性摺接部材およびその製造方法 - Google Patents
耐食性摺接部材およびその製造方法Info
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- JPH06322557A JPH06322557A JP10552593A JP10552593A JPH06322557A JP H06322557 A JPH06322557 A JP H06322557A JP 10552593 A JP10552593 A JP 10552593A JP 10552593 A JP10552593 A JP 10552593A JP H06322557 A JPH06322557 A JP H06322557A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 メンテナンスを必要としなくとも経年的に長
期間動作が可能な、耐食性を保つ摺接部材を提供する。 【構成】 基材にＮｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｗ等の析
出硬化型合金を非晶質状態で被膜形成し、非晶質状態を
残したままで、これらのＮｉ化合物を上記被膜中に析出
した摺接部材。
期間動作が可能な、耐食性を保つ摺接部材を提供する。 【構成】 基材にＮｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｗ等の析
出硬化型合金を非晶質状態で被膜形成し、非晶質状態を
残したままで、これらのＮｉ化合物を上記被膜中に析出
した摺接部材。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば遮断器の操作
機構などに多用されるリンク機構の摺接部材に関し、特
にメンテナンスを必要としない耐食性の摺接部材及びそ
の製造方法に関する。
機構などに多用されるリンク機構の摺接部材に関し、特
にメンテナンスを必要としない耐食性の摺接部材及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来の摺接部材を示す断面図で
あり、図において、１は摺接部基材、８はグリースであ
る。さらに、図１３は特開昭６１ー１７１９６４号公報
に示された従来の摺接部材を示す断面図であり、図にお
いて、１は摺接部基材、９は硬質耐摩材、１０は黒鉛で
ある。
あり、図において、１は摺接部基材、８はグリースであ
る。さらに、図１３は特開昭６１ー１７１９６４号公報
に示された従来の摺接部材を示す断面図であり、図にお
いて、１は摺接部基材、９は硬質耐摩材、１０は黒鉛で
ある。
【０００３】次に動作について説明する。摺接部材が摺
接部基材１のままならば、例えば、リンク機構の摺接部
で、経年的に酸化劣化や腐食などが発生するだけでな
く、異常摩耗、焼付きが発生し、動作不良のような不具
合が発生する。そこでこれらの対策として、図１２の例
のように、グリース８を設けることにより、基材の耐食
性を保つと同時に、摺接部材どうしが接触するのを避け
ようとする方法がとられている。また、図１３の例のよ
うに、黒鉛１０を内在させた摺接部基材１を用い、その
表面に多数の凹部を形成し、そこに硬質耐摩材９を充填
する方法がとられている。
接部基材１のままならば、例えば、リンク機構の摺接部
で、経年的に酸化劣化や腐食などが発生するだけでな
く、異常摩耗、焼付きが発生し、動作不良のような不具
合が発生する。そこでこれらの対策として、図１２の例
のように、グリース８を設けることにより、基材の耐食
性を保つと同時に、摺接部材どうしが接触するのを避け
ようとする方法がとられている。また、図１３の例のよ
うに、黒鉛１０を内在させた摺接部基材１を用い、その
表面に多数の凹部を形成し、そこに硬質耐摩材９を充填
する方法がとられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
に示す例のように、グリースを塗布したものでは、使用
環境や経年的な酸化により劣化し、これに起因して動作
特性を損なうだけでなく、動作不良をおこすこともあ
り、定期的なグリース補給という保守点検をしなければ
ならない等の問題がある。また、図１３に示す例では、
摺接部材の製造が面倒でコストが高くなるだけでなく、
耐食性に乏しいため、経年的に劣化する等の問題があ
る。
に示す例のように、グリースを塗布したものでは、使用
環境や経年的な酸化により劣化し、これに起因して動作
特性を損なうだけでなく、動作不良をおこすこともあ
り、定期的なグリース補給という保守点検をしなければ
ならない等の問題がある。また、図１３に示す例では、
摺接部材の製造が面倒でコストが高くなるだけでなく、
耐食性に乏しいため、経年的に劣化する等の問題があ
る。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、リンク機構等の摺接部材にグ
リースを塗布することなく、メンテナンスなしで長期間
に渡って動作特性を安定させ、製作が容易な耐食性の摺
接部材を得ることを目的とする。
るためになされたもので、リンク機構等の摺接部材にグ
リースを塗布することなく、メンテナンスなしで長期間
に渡って動作特性を安定させ、製作が容易な耐食性の摺
接部材を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係る耐食性摺接部材は、基材表面に耐食性被膜と耐摩耗
性被膜の二層構造被膜を形成したものである。
係る耐食性摺接部材は、基材表面に耐食性被膜と耐摩耗
性被膜の二層構造被膜を形成したものである。
【０００７】請求項２に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、Ｎｉ基析出硬化型合金のＮｉ化合物が析出した非
晶質状態のＮｉ基合金の被膜を基材に形成したものであ
る。
材は、Ｎｉ基析出硬化型合金のＮｉ化合物が析出した非
晶質状態のＮｉ基合金の被膜を基材に形成したものであ
る。
【０００８】請求項３に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、基材に施された耐食性被膜内部の硬質粒子の分散
密度が、被膜表面より基材近傍の方が多くなるように、
分散密度に勾配がある硬質粒子をもつ耐食性被膜を形成
したものである。
材は、基材に施された耐食性被膜内部の硬質粒子の分散
密度が、被膜表面より基材近傍の方が多くなるように、
分散密度に勾配がある硬質粒子をもつ耐食性被膜を形成
したものである。
【０００９】請求項４に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、ＰもしくはＢあるいはＷとＮｉの金属間化合物か
らなる微細粒子を、基材近傍の分散密度が被膜表面の分
散密度より大きくなるように密度勾配を設けた微細分散
粒子を含んだ構造を持つＮｉ基合金からなる被膜を基材
に形成したものである。
材は、ＰもしくはＢあるいはＷとＮｉの金属間化合物か
らなる微細粒子を、基材近傍の分散密度が被膜表面の分
散密度より大きくなるように密度勾配を設けた微細分散
粒子を含んだ構造を持つＮｉ基合金からなる被膜を基材
に形成したものである。
【００１０】請求項５に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、基材に施された耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子
の分散密度が基材近傍より被膜表面の方が多くなるよう
に、分散密度に勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性
被膜を形成したものである。
材は、基材に施された耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子
の分散密度が基材近傍より被膜表面の方が多くなるよう
に、分散密度に勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性
被膜を形成したものである。
【００１１】請求項６に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、基材に施された耐食性被膜内部の硬質粒子の分散
密度が被膜表面より基材近傍の方が多くなるように、分
散密度に勾配がある硬質粒子をもち、かつ、基材に施さ
れた耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子の分散密度が、基
材近傍より被膜表面の方が多くなるように、分散密度に
勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性被膜を形成した
ものである。
材は、基材に施された耐食性被膜内部の硬質粒子の分散
密度が被膜表面より基材近傍の方が多くなるように、分
散密度に勾配がある硬質粒子をもち、かつ、基材に施さ
れた耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子の分散密度が、基
材近傍より被膜表面の方が多くなるように、分散密度に
勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性被膜を形成した
ものである。
【００１２】請求項７に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、電気めっき被膜形成途中に電流密度を
小さくした過程をもった７０ａｔ％以上のＷ濃度をもつ
Ｃｏ−Ｗ合金電気めっき被膜を基材に被膜することによ
り、同一めっき液のままで、基材の上に耐食性めっき被
膜を形成した表面に耐摩耗性のめっき被膜を形成したも
のである。
材の製造方法は、電気めっき被膜形成途中に電流密度を
小さくした過程をもった７０ａｔ％以上のＷ濃度をもつ
Ｃｏ−Ｗ合金電気めっき被膜を基材に被膜することによ
り、同一めっき液のままで、基材の上に耐食性めっき被
膜を形成した表面に耐摩耗性のめっき被膜を形成したも
のである。
【００１３】請求項８に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を非晶質
状態のままで被膜形成した後、上記被膜に光照射し、非
晶質Ｎｉを残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被
膜中に析出したものである。
材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を非晶質
状態のままで被膜形成した後、上記被膜に光照射し、非
晶質Ｎｉを残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被
膜中に析出したものである。
【００１４】請求項９に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、基材にＮｉを非晶質状態のままで被膜
形成した後、イオンを注入し、上記被膜中に非晶質Ｎｉ
を残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被膜中に析
出したものである。
材の製造方法は、基材にＮｉを非晶質状態のままで被膜
形成した後、イオンを注入し、上記被膜中に非晶質Ｎｉ
を残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被膜中に析
出したものである。
【００１５】請求項１０に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、硬質粒子を懸濁させためっき液中に
基材を浸漬し、被膜形成中に硬質粒子を含まないめっき
液を追加することにより、めっき液中の硬質粒子濃度を
減少させ、上記被膜中の硬質粒子に密度勾配を形成した
ものである。
部材の製造方法は、硬質粒子を懸濁させためっき液中に
基材を浸漬し、被膜形成中に硬質粒子を含まないめっき
液を追加することにより、めっき液中の硬質粒子濃度を
減少させ、上記被膜中の硬質粒子に密度勾配を形成した
ものである。
【００１６】請求項１１に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を被膜
形成する時にめっき液のＮｉ化合物の濃度を変化させる
ことにより、被膜表面になるにつれて、Ｎｉ化合物の含
有率を小さくなるように被膜形成した後、加熱処理を加
えることにより、Ｎｉ化合物の微細粒子に密度勾配を持
たせて析出したものである。
部材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を被膜
形成する時にめっき液のＮｉ化合物の濃度を変化させる
ことにより、被膜表面になるにつれて、Ｎｉ化合物の含
有率を小さくなるように被膜形成した後、加熱処理を加
えることにより、Ｎｉ化合物の微細粒子に密度勾配を持
たせて析出したものである。
【００１７】請求項１２に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、自己潤滑性粒子を懸濁させためっき
液中に基材を浸漬し、被膜形成中に自己潤滑性粒子を多
く含むめっき液を追加することにより、めっき液中の自
己潤滑性粒子濃度を増加させ、上記被膜中の自己潤滑性
粒子に密度勾配を形成したものである。
部材の製造方法は、自己潤滑性粒子を懸濁させためっき
液中に基材を浸漬し、被膜形成中に自己潤滑性粒子を多
く含むめっき液を追加することにより、めっき液中の自
己潤滑性粒子濃度を増加させ、上記被膜中の自己潤滑性
粒子に密度勾配を形成したものである。
【００１８】請求項１３に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、金属を被覆した硬質粒子となにも被
覆していない自己潤滑性粒子を懸濁した電気めっき液中
に基材を浸漬し被膜を形成したものである。
部材の製造方法は、金属を被覆した硬質粒子となにも被
覆していない自己潤滑性粒子を懸濁した電気めっき液中
に基材を浸漬し被膜を形成したものである。
【００１９】
【作用】請求項１記載の発明における耐食性摺接部材
は、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜を持つ構造をなし
ているので、リンク機構等が動作しても耐摩耗性被膜の
存在のため摩耗しにくくなり、耐食性が長期間維持でき
る。
は、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜を持つ構造をなし
ているので、リンク機構等が動作しても耐摩耗性被膜の
存在のため摩耗しにくくなり、耐食性が長期間維持でき
る。
【００２０】請求項２記載の発明における耐食性摺接部
材は、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物が析出した構造を持つ
ことにより、被膜層全体としての硬度を向上させ、耐摩
耗性を向上させられるので、非晶質のＮｉ被膜の耐食性
を長期間維持できる。
材は、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物が析出した構造を持つ
ことにより、被膜層全体としての硬度を向上させ、耐摩
耗性を向上させられるので、非晶質のＮｉ被膜の耐食性
を長期間維持できる。
【００２１】請求項３記載の発明における耐食性摺接部
材は、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、耐食
性を長期間維持できる。
材は、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、耐食
性を長期間維持できる。
【００２２】請求項４記載の発明における耐食性摺接部
材は、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物が基板近傍に多く析出
しているため、摺接部材で負荷する力により作用する被
膜内部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、
非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間維持できる。
材は、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物が基板近傍に多く析出
しているため、摺接部材で負荷する力により作用する被
膜内部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、
非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間維持できる。
【００２３】請求項５記載の発明における耐食性摺接部
材は、耐食性被膜の表面に自己潤滑性粒子が多く存在し
ているため、リンク機構等の動作が円滑に行われ、耐食
性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性を長期間維持でき
る。
材は、耐食性被膜の表面に自己潤滑性粒子が多く存在し
ているため、リンク機構等の動作が円滑に行われ、耐食
性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性を長期間維持でき
る。
【００２４】請求項６記載の発明における耐食性摺接部
材は、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、さらに、被膜の表面に自己潤滑性
粒子が多く存在しているため、リンク機構等の動作が円
滑に行われ、耐食性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性
を長期間維持できる。
材は、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、さらに、被膜の表面に自己潤滑性
粒子が多く存在しているため、リンク機構等の動作が円
滑に行われ、耐食性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性
を長期間維持できる。
【００２５】請求項７記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、７０ａｔ％以上のＷ濃度を持つＣｏ−
Ｗ合金を基材に電気めっきで被膜することにより耐食性
被膜を形成し、さらに、その電気めっきの電流密度を小
さくすることにより、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜
を形成するので、同一のめっき液を使用した簡単な製造
方法になり、耐食性を長期間維持できる。
材の製造方法は、７０ａｔ％以上のＷ濃度を持つＣｏ−
Ｗ合金を基材に電気めっきで被膜することにより耐食性
被膜を形成し、さらに、その電気めっきの電流密度を小
さくすることにより、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜
を形成するので、同一のめっき液を使用した簡単な製造
方法になり、耐食性を長期間維持できる。
【００２６】請求項８記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｗ等の析
出硬化型合金を被膜形成した後、ＹＡＧ、ＣＯ２等のレ
ーザを上記被膜に照射するため、耐食性の非晶質Ｎｉが
存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記被膜
中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上する
ので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持できる。
材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｗ等の析
出硬化型合金を被膜形成した後、ＹＡＧ、ＣＯ２等のレ
ーザを上記被膜に照射するため、耐食性の非晶質Ｎｉが
存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記被膜
中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上する
ので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持できる。
【００２７】請求項９記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、Ｎｉ基合金、もしくは、Ｎｉを被膜形
成した後、イオン注入装置により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のイオ
ンを上記被膜に注入することにより、耐食性の非晶質Ｎ
ｉが存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記
被膜中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上
するので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持でき
る。
材の製造方法は、Ｎｉ基合金、もしくは、Ｎｉを被膜形
成した後、イオン注入装置により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のイオ
ンを上記被膜に注入することにより、耐食性の非晶質Ｎ
ｉが存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記
被膜中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上
するので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持でき
る。
【００２８】請求項１０記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、硬質粒子が懸濁した耐食性のめっき
液中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴って、めっ
き液中の硬質粒子の濃度を減少させるているので、摺接
部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が緩和
されるので、簡単な製造で耐食性を長期間維持できる。
部材の製造方法は、硬質粒子が懸濁した耐食性のめっき
液中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴って、めっ
き液中の硬質粒子の濃度を減少させるているので、摺接
部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が緩和
されるので、簡単な製造で耐食性を長期間維持できる。
【００２９】請求項１１記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｗ等の
析出硬化型合金を基材近傍から被膜表面になるにつれ
て、Ｐ、Ｂ、Ｗ等の含有率を小さくなるように被覆した
後、加熱処理により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を密度
勾配を設けて析出させているので、摺接部材で負荷する
力により作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡
単な製造で耐食性を長期間維持できる。
部材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｗ等の
析出硬化型合金を基材近傍から被膜表面になるにつれ
て、Ｐ、Ｂ、Ｗ等の含有率を小さくなるように被覆した
後、加熱処理により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を密度
勾配を設けて析出させているので、摺接部材で負荷する
力により作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡
単な製造で耐食性を長期間維持できる。
【００３０】請求項１２記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、自己潤滑性粒子が懸濁した耐食性の
めっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴っ
て、めっき液中の自己潤滑性粒子の濃度を増加させるて
いるので、潤滑性がよくなり、リンク機構等の動作が円
滑に行われるので、被膜の損傷を防ぐことになり、簡単
な製造で耐食性を長期間維持できる。
部材の製造方法は、自己潤滑性粒子が懸濁した耐食性の
めっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴っ
て、めっき液中の自己潤滑性粒子の濃度を増加させるて
いるので、潤滑性がよくなり、リンク機構等の動作が円
滑に行われるので、被膜の損傷を防ぐことになり、簡単
な製造で耐食性を長期間維持できる。
【００３１】請求項１３記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、粒子表面に金属が被覆されている硬
質粒子となにも被覆していない自己潤滑性粒子の各々が
懸濁した電気めっき液中に基材を浸漬し被膜を形成する
ため、導電性をもった金属を被覆した硬質粒子が基材近
傍に多く存在し、表面になるにつれて自己潤滑性粒子が
多く存在するようになるため、潤滑性がよくなり、リン
ク機構等の動作が円滑に行われ、被膜の損傷を防ぎ、か
つ、基材近傍の硬質粒子のため摺接部材で負荷する力に
より作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡単な
製造で耐食性を長期間維持できる。
部材の製造方法は、粒子表面に金属が被覆されている硬
質粒子となにも被覆していない自己潤滑性粒子の各々が
懸濁した電気めっき液中に基材を浸漬し被膜を形成する
ため、導電性をもった金属を被覆した硬質粒子が基材近
傍に多く存在し、表面になるにつれて自己潤滑性粒子が
多く存在するようになるため、潤滑性がよくなり、リン
ク機構等の動作が円滑に行われ、被膜の損傷を防ぎ、か
つ、基材近傍の硬質粒子のため摺接部材で負荷する力に
より作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡単な
製造で耐食性を長期間維持できる。
【００３２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．請求項１に記載の発明における耐食性摺接部
材の一実施例であり、図１はこの発明を示す断面図で、
図において、１は摺接部基材でこの場合は鉄鋼材料であ
り、２は耐食性被膜でこの場合はＣｒ系非晶質合金電気
めっきであり、３は耐摩耗性被膜でこの場合はＴｉＮの
イオンプレーティングである。
る。 実施例１．請求項１に記載の発明における耐食性摺接部
材の一実施例であり、図１はこの発明を示す断面図で、
図において、１は摺接部基材でこの場合は鉄鋼材料であ
り、２は耐食性被膜でこの場合はＣｒ系非晶質合金電気
めっきであり、３は耐摩耗性被膜でこの場合はＴｉＮの
イオンプレーティングである。
【００３３】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、３のＴｉＮの耐摩耗性被膜があ
るため、被膜は摩耗しにくくなる。また、経年的な耐食
性は２のＣｒ系非晶質合金電気めっきで摺接基材１が保
護されている。さらに耐摩耗性被膜３が耐食性被膜２の
表面側にあるため、耐食性被膜２は損傷せず、耐食性を
長期間保つことができるようになる。
摺接部材が摺動するが、３のＴｉＮの耐摩耗性被膜があ
るため、被膜は摩耗しにくくなる。また、経年的な耐食
性は２のＣｒ系非晶質合金電気めっきで摺接基材１が保
護されている。さらに耐摩耗性被膜３が耐食性被膜２の
表面側にあるため、耐食性被膜２は損傷せず、耐食性を
長期間保つことができるようになる。
【００３４】なお、Ｃｒ系非晶質合金電気めっきは膜厚
が５〜５０ミクロン、ＴｉＮのイオンプレーティングの
膜厚は、１ミクロン以上あれば十分に効果がある。ま
た、摺接部基材は鉄鋼材料に限らないことはいうまでも
ない。
が５〜５０ミクロン、ＴｉＮのイオンプレーティングの
膜厚は、１ミクロン以上あれば十分に効果がある。ま
た、摺接部基材は鉄鋼材料に限らないことはいうまでも
ない。
【００３５】実施例２．請求項１に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１との
相違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１との
相違点に限って説明する。
【００３６】前記実施例１では、耐食性被膜２にはＣｒ
系非晶質合金電気めっきとしたが、Ｃｒ系非晶質合金無
電解めっきでもよく、Ｎｉ系非晶質合金電気めっき、Ｎ
ｉ系非晶質合金無電解めっき等であってもよく、また、
耐摩耗性被膜３としてＴｉＮのイオンプレーティングだ
けでなく、ＴｉＣやＴｉＮやダイヤモンドのような高硬
度の被膜であればよく、上記実施例１と同様の効果を奏
する。
系非晶質合金電気めっきとしたが、Ｃｒ系非晶質合金無
電解めっきでもよく、Ｎｉ系非晶質合金電気めっき、Ｎ
ｉ系非晶質合金無電解めっき等であってもよく、また、
耐摩耗性被膜３としてＴｉＮのイオンプレーティングだ
けでなく、ＴｉＣやＴｉＮやダイヤモンドのような高硬
度の被膜であればよく、上記実施例１と同様の効果を奏
する。
【００３７】実施例３．請求項２に記載の発明における
耐食性摺接部材の一実施例であり、図２はこの発明を示
す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合は
鉄鋼材料のＳＵＳ４４０Ｃ（ＪＩＳ規格）であり、２は
耐食性被膜でこの場合は膜厚５０ミクロンのＮｉ−Ｐの
非晶質合金無電解めっきであり、４はＮｉ化合物でこの
場合はＮｉ３Ｐである。
耐食性摺接部材の一実施例であり、図２はこの発明を示
す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合は
鉄鋼材料のＳＵＳ４４０Ｃ（ＪＩＳ規格）であり、２は
耐食性被膜でこの場合は膜厚５０ミクロンのＮｉ−Ｐの
非晶質合金無電解めっきであり、４はＮｉ化合物でこの
場合はＮｉ３Ｐである。
【００３８】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、４のＮｉ３Ｐが析出しているた
め、耐食性被膜である３のＮｉ−Ｐの非晶質合金無電解
めっきの被膜全体としての硬度が向上し、例えば４１Ｊ
／ｃｍ２のＹＡＧレーザを照射しＮｉ３Ｐを析出させる
と、被膜全体のマイクロビッカース硬度は約９００Ｈｖ
（実測値）になるため、被膜全体としての耐摩耗性が向
上し、Ｎｉ−Ｐの非晶質合金無電解めっき部分が摺動に
よっても損傷しにくくなり、その耐食性が長期間保たれ
ることになる。なお、摺接部基材は鉄鋼材料に限らない
ことはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、４のＮｉ３Ｐが析出しているた
め、耐食性被膜である３のＮｉ−Ｐの非晶質合金無電解
めっきの被膜全体としての硬度が向上し、例えば４１Ｊ
／ｃｍ２のＹＡＧレーザを照射しＮｉ３Ｐを析出させる
と、被膜全体のマイクロビッカース硬度は約９００Ｈｖ
（実測値）になるため、被膜全体としての耐摩耗性が向
上し、Ｎｉ−Ｐの非晶質合金無電解めっき部分が摺動に
よっても損傷しにくくなり、その耐食性が長期間保たれ
ることになる。なお、摺接部基材は鉄鋼材料に限らない
ことはいうまでもない。
【００３９】実施例４．請求項２に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例３との
相違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例３との
相違点に限って説明する。
【００４０】前記実施例３では、ＮｉーＰの非晶質無電
解めっきの膜厚は５０ミクロンであったが、５ミクロン
以上の膜厚であれば上記実施例３と同様の効果を奏す
る。
解めっきの膜厚は５０ミクロンであったが、５ミクロン
以上の膜厚であれば上記実施例３と同様の効果を奏す
る。
【００４１】実施例５．請求項２に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例３との
相違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例３との
相違点に限って説明する。
【００４２】前記実施例３では、耐食性被膜２にはＮｉ
−Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶質
電気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解
めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。
また、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場合に
は、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５Ｐ
２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何でも
よい。さらに、Ｎｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっき
の場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれ
ば、何でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっ
きの場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＷとの化合物であれ
ば、何でもよい。また、それらの耐食性被膜の膜厚は実
施例４で記述したように５ミクロン以上であればよい。
何れの場合でも上記実施例３と同様の効果を奏する。
−Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶質
電気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解
めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。
また、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場合に
は、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５Ｐ
２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何でも
よい。さらに、Ｎｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっき
の場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれ
ば、何でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっ
きの場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＷとの化合物であれ
ば、何でもよい。また、それらの耐食性被膜の膜厚は実
施例４で記述したように５ミクロン以上であればよい。
何れの場合でも上記実施例３と同様の効果を奏する。
【００４３】実施例６．請求項３に記載の発明における
耐食性摺接部材の一実施例であり、図３はこの発明を示
す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合は
銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０ミ
クロンの非晶質Ｎｉの無電解めっきであり、５は硬質粒
子でこの場合は直径５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子であ
る。
耐食性摺接部材の一実施例であり、図３はこの発明を示
す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合は
銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０ミ
クロンの非晶質Ｎｉの無電解めっきであり、５は硬質粒
子でこの場合は直径５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子であ
る。
【００４４】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、耐食性を持った
非晶質Ｎｉの無電解めっきが摺動によってもあまり損傷
を受けずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基
材は銅合金に限らないことはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、耐食性を持った
非晶質Ｎｉの無電解めっきが摺動によってもあまり損傷
を受けずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基
材は銅合金に限らないことはいうまでもない。
【００４５】実施例７．請求項３に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施６との相
違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施６との相
違点に限って説明する。
【００４６】前記実施例６では耐食性被膜として、膜厚
４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜厚
は１５ミクロン以上であれば、上記実施例６と同様の効
果を奏する。
４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜厚
は１５ミクロン以上であれば、上記実施例６と同様の効
果を奏する。
【００４７】実施例８．請求項３に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例６との
相違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例６との
相違点に限って説明する。
【００４８】前記実施例６では、硬質粒子５には直径５
〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であれ
ば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。また、膜厚は実施例７で記述したように１５ミクロ
ン以上であればよい。何れの場合でも上記実施例６と同
様の効果を奏する。
〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であれ
ば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。また、膜厚は実施例７で記述したように１５ミクロ
ン以上であればよい。何れの場合でも上記実施例６と同
様の効果を奏する。
【００４９】実施例９．請求項３に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施６との相
違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施６との相
違点に限って説明する。
【００５０】前記実施例６では耐食性被膜として、非晶
質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等の
非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ基
電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ基
電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であればよ
い。また、実施例８で記述したように硬質粒子はＳｉ
Ｃ、ダイヤモンド、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。何れの場合でも上記実施例６と同様の効果を奏す
る。
質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等の
非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ基
電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ基
電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であればよ
い。また、実施例８で記述したように硬質粒子はＳｉ
Ｃ、ダイヤモンド、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。何れの場合でも上記実施例６と同様の効果を奏す
る。
【００５１】実施例１０．請求項４に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図４はこの発明を
示す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０
ミクロンの非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきであり、６はＮ
ｉ化合物でこの場合はＮｉ３Ｐである。
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図４はこの発明を
示す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０
ミクロンの非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきであり、６はＮ
ｉ化合物でこの場合はＮｉ３Ｐである。
【００５２】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、析出したＮｉ３Ｐのため耐食性
の被膜である非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきの硬度が被膜
全体として向上し、とりわけ、基材近傍にＮｉ３Ｐの析
出物が多いため、基材近傍に近ずくにつれて被膜硬度が
上昇する。また、Ｎｉ３Ｐの析出のため被膜内部の応力
が緩和され、摺動に伴う被膜全体としての損傷が少なく
なり、耐食性が長く保たれるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、析出したＮｉ３Ｐのため耐食性
の被膜である非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきの硬度が被膜
全体として向上し、とりわけ、基材近傍にＮｉ３Ｐの析
出物が多いため、基材近傍に近ずくにつれて被膜硬度が
上昇する。また、Ｎｉ３Ｐの析出のため被膜内部の応力
が緩和され、摺動に伴う被膜全体としての損傷が少なく
なり、耐食性が長く保たれるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
【００５３】実施例１１．請求項４に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１０と
の相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１０と
の相違点に限って説明する。
【００５４】前記実施例９では、ＮｉーＰの非晶質無電
解めっきの膜厚は４０ミクロンであったが、５ミクロン
以上の膜厚であれば上記実施例１０と同様の効果を奏す
る。
解めっきの膜厚は４０ミクロンであったが、５ミクロン
以上の膜厚であれば上記実施例１０と同様の効果を奏す
る。
【００５５】実施例１２．請求項４に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１０
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１０
との相違点に限って説明する。
【００５６】前記実施例４では、耐食性被膜２にはＮｉ
−Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶質
電気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解
めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。
また、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場合に
は、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５Ｐ
２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何でも
よい。さらにＮｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっきの
場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれば何
でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっきの場
合もＮｉ化合物６は、ＮｉとＷとの化合物であれば、何
でもよい。また、それらの膜厚は実施例１１で記述した
ように５ミクロン以上であればよい。何れの場合でも上
記実施例１０と同様の効果を奏する。
−Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶質
電気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解
めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。
また、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場合に
は、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５Ｐ
２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何でも
よい。さらにＮｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっきの
場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれば何
でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっきの場
合もＮｉ化合物６は、ＮｉとＷとの化合物であれば、何
でもよい。また、それらの膜厚は実施例１１で記述した
ように５ミクロン以上であればよい。何れの場合でも上
記実施例１０と同様の効果を奏する。
【００５７】実施例１３．請求項５に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図５はこの発明を
示す断面図で、図において１は摺接部基材で、この場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜で、この場合は膜厚４
０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきであり、７は自己
潤滑性粒子で、この場合は５〜１５ミクロンの４ふっ化
エチレン重合体（ＰＴＦＥ）粒子である。
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図５はこの発明を
示す断面図で、図において１は摺接部基材で、この場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜で、この場合は膜厚４
０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきであり、７は自己
潤滑性粒子で、この場合は５〜１５ミクロンの４ふっ化
エチレン重合体（ＰＴＦＥ）粒子である。
【００５８】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、被膜表面に多く存在する自己潤
滑性粒子のために、機構等の動作が円滑に行われるよう
になり、被膜内部に多く存在する耐食性の非晶質Ｎｉ無
電解めっきが剥がれにくくなり、その耐食性を長く保つ
ようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限らないのは
いうまでもない。
摺接部材が摺動するが、被膜表面に多く存在する自己潤
滑性粒子のために、機構等の動作が円滑に行われるよう
になり、被膜内部に多く存在する耐食性の非晶質Ｎｉ無
電解めっきが剥がれにくくなり、その耐食性を長く保つ
ようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限らないのは
いうまでもない。
【００５９】実施例１４．請求項５に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１３と
の相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１３と
の相違点に限って説明する。
【００６０】前記実施例１３では耐食性被膜として、膜
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１３と同様
の効果を奏する。
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１３と同様
の効果を奏する。
【００６１】実施例１５．請求項５に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１３
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１３
との相違点に限って説明する。
【００６２】前記実施例１３では、自己潤滑性粒子７に
は直径５〜１５ミクロンのＰＴＦＥとしたが、同程度の
直径であれば、グラファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、
ＢＮ等であってもよい。また、膜厚は１５ミクロン以上
であればよい。何れの場合でも上記実施例１３２と同様
の効果を奏する。
は直径５〜１５ミクロンのＰＴＦＥとしたが、同程度の
直径であれば、グラファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、
ＢＮ等であってもよい。また、膜厚は１５ミクロン以上
であればよい。何れの場合でも上記実施例１３２と同様
の効果を奏する。
【００６３】実施例１６．請求項５に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１３と
の相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１３と
の相違点に限って説明する。
【００６４】前記実施例１３では耐食性被膜として、非
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、自己潤滑性粒子はＰＴＦＥ、グラファイト
や（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよい。何れ
の場合でも上記実施例１３と同様の効果を奏する。
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、自己潤滑性粒子はＰＴＦＥ、グラファイト
や（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよい。何れ
の場合でも上記実施例１３と同様の効果を奏する。
【００６５】実施例１７．請求項６に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図６はこの発明を
示す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０
ミクロンの非晶質Ｎｉの無電解めっきであり、５は硬質
粒子でこの場合は直径５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子で
あり、７は自己潤滑性粒子で、この場合は直径５〜１５
ミクロンのポリテトラフルオエチレン（ＰＴＦＥ）であ
る。
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図６はこの発明を
示す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０
ミクロンの非晶質Ｎｉの無電解めっきであり、５は硬質
粒子でこの場合は直径５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子で
あり、７は自己潤滑性粒子で、この場合は直径５〜１５
ミクロンのポリテトラフルオエチレン（ＰＴＦＥ）であ
る。
【００６６】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、また、被膜表面
に多く存在するＰＴＦＥ粒子のため機構等の動作が円滑
に行われ、被膜の主成分である耐食性を持った非晶質Ｎ
ｉの無電解めっきが、摺動によってもあまり損傷を受け
ずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基材は銅
合金に限らないのはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、また、被膜表面
に多く存在するＰＴＦＥ粒子のため機構等の動作が円滑
に行われ、被膜の主成分である耐食性を持った非晶質Ｎ
ｉの無電解めっきが、摺動によってもあまり損傷を受け
ずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基材は銅
合金に限らないのはいうまでもない。
【００６７】実施例１８．請求項６に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１７と
の相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１７と
の相違点に限って説明する。
【００６８】前記実施例１７では耐食性被膜として、膜
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１７と同様
の効果を奏する。
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１７と同様
の効果を奏する。
【００６９】実施例１９．請求項６に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１７
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１７
との相違点に限って説明する。
【００７０】前記実施例１７では、硬質粒子５には直径
５〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であ
れば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ
２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であって
も、さらに自己潤滑性粒子７には直径５〜１５ミクロン
のＰＴＦＥ粒子としたが、同程度の直径であれば、グラ
ファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよ
い。また、膜厚は１５ミクロン以上であればよい。何れ
の場合でも上記実施例１７と同様の効果を奏する。
５〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であ
れば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ
２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であって
も、さらに自己潤滑性粒子７には直径５〜１５ミクロン
のＰＴＦＥ粒子としたが、同程度の直径であれば、グラ
ファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよ
い。また、膜厚は１５ミクロン以上であればよい。何れ
の場合でも上記実施例１７と同様の効果を奏する。
【００７１】実施例２０．請求項６に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１７と
の相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１７と
の相違点に限って説明する。
【００７２】前記実施例１７では耐食性被膜として、非
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、硬質粒子はＳｉＣ、ダイヤモンド、ＳｉＯ
２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、Ｗ
Ｃ、Ｂ４Ｃ等であってもよく、さらに自己潤滑性粒子は
ＰＴＦＥ、グラファイト、（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ
等であってもよい。何れの場合でも上記実施例１７と同
様の効果を奏する。
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、硬質粒子はＳｉＣ、ダイヤモンド、ＳｉＯ
２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、Ｗ
Ｃ、Ｂ４Ｃ等であってもよく、さらに自己潤滑性粒子は
ＰＴＦＥ、グラファイト、（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ
等であってもよい。何れの場合でも上記実施例１７と同
様の効果を奏する。
【００７３】実施例２１．請求項７に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図１は
この発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示
す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場
合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質
のＷ−Ｃｏの電気めっきであり、３は結晶質のＷ−Ｃｏ
の電気めっきである。
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図１は
この発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示
す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場
合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質
のＷ−Ｃｏの電気めっきであり、３は結晶質のＷ−Ｃｏ
の電気めっきである。
【００７４】図７は、Ｃｏ−Ｗ合金電気めっきの電流密
度と浴濃度をパラメータにしためっき被膜の結晶状態を
示す図である。図中のＡｍ．は非晶質状態を示し、Ｃｒ
ｙ．は結晶質状態を示し、Ｍｉｘ．はこれらの混合状態
を示す。図７から明らかなように、７０ａｔ％以上のＷ
濃度を持つＣｏ−Ｗ合金の電気めっきでは、めっき製造
中の電流密度によって非晶質状態になったり、結晶質状
態なったりすることができる。
度と浴濃度をパラメータにしためっき被膜の結晶状態を
示す図である。図中のＡｍ．は非晶質状態を示し、Ｃｒ
ｙ．は結晶質状態を示し、Ｍｉｘ．はこれらの混合状態
を示す。図７から明らかなように、７０ａｔ％以上のＷ
濃度を持つＣｏ−Ｗ合金の電気めっきでは、めっき製造
中の電流密度によって非晶質状態になったり、結晶質状
態なったりすることができる。
【００７５】そこで、７０ａｔ％以上のＷ濃度を持つＣ
ｏ−Ｗ合金の電気めっき被膜形成中に、例えば、８０ａ
ｔ％のＷ濃度の場合に電流密度を６０Ａ／ｄｍ２から１
０Ａ／ｄｍ２に減少すれば、基材の上には非晶質のＣｏ
−Ｗ電気めっきが形成された上に結晶質のＣｏ−Ｗ電気
めっきが形成される。非晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐
食性があり、結晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐摩耗性が
あるので、基材表面の上に耐食性被膜を形成した後、さ
らに、耐摩耗性被膜を形成することができる。その結
果、耐食性を長期間保つことができるようになる。な
お、摺接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもな
い。
ｏ−Ｗ合金の電気めっき被膜形成中に、例えば、８０ａ
ｔ％のＷ濃度の場合に電流密度を６０Ａ／ｄｍ２から１
０Ａ／ｄｍ２に減少すれば、基材の上には非晶質のＣｏ
−Ｗ電気めっきが形成された上に結晶質のＣｏ−Ｗ電気
めっきが形成される。非晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐
食性があり、結晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐摩耗性が
あるので、基材表面の上に耐食性被膜を形成した後、さ
らに、耐摩耗性被膜を形成することができる。その結
果、耐食性を長期間保つことができるようになる。な
お、摺接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもな
い。
【００７６】実施例２２．請求項８に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図２は
この発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示
す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場
合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質
のＮｉ−Ｐの無電解めっきであり、３はＮｉ化合物でこ
の場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図２は
この発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示
す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場
合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質
のＮｉ−Ｐの無電解めっきであり、３はＮｉ化合物でこ
の場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
【００７７】まず、摺接基材１に非晶質の無電解Ｎｉ−
Ｐめっきを５０ミクロンだけ施し、その後、４１Ｊ／ｃ
ｍ２の強度を持つＹＡＧレーザを上記めっき表面に照射
する。図８はこの実施例による被膜層の結晶構造を示す
Ｘ線回折結果のグラフで、縦軸がＸ線強度、横軸はブラ
ッグ角の２倍を表している。この図から明らかなよう
に、被膜層には、Ｎｉ３Ｐが析出していることがわか
る。このＮｉ３Ｐが図２中のＮｉ化合物である。また、
図８からＮｉは十分に結晶化しておらず、非晶質のＮｉ
が残存していることがわかる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非
晶質Ｎｉ被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、
耐摩耗性を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐
食性が保たれる効果がある。
Ｐめっきを５０ミクロンだけ施し、その後、４１Ｊ／ｃ
ｍ２の強度を持つＹＡＧレーザを上記めっき表面に照射
する。図８はこの実施例による被膜層の結晶構造を示す
Ｘ線回折結果のグラフで、縦軸がＸ線強度、横軸はブラ
ッグ角の２倍を表している。この図から明らかなよう
に、被膜層には、Ｎｉ３Ｐが析出していることがわか
る。このＮｉ３Ｐが図２中のＮｉ化合物である。また、
図８からＮｉは十分に結晶化しておらず、非晶質のＮｉ
が残存していることがわかる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非
晶質Ｎｉ被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、
耐摩耗性を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐
食性が保たれる効果がある。
【００７８】なお、この実施例では、耐食性被膜として
非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきを一例として示したが、実
施例５で記述したように、耐食性被膜２にはＮｉ−Ｐの
非晶質無電解めっき以外に、Ｎｉ−Ｐの非晶質電気めっ
きでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、Ｎｉ−Ｂ
の非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。また、摺
接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきを一例として示したが、実
施例５で記述したように、耐食性被膜２にはＮｉ−Ｐの
非晶質無電解めっき以外に、Ｎｉ−Ｐの非晶質電気めっ
きでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、Ｎｉ−Ｂ
の非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。また、摺
接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
【００７９】実施例２３．請求項８に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の製造方法の他の実施例であり、前記
実施例２２との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の製造方法の他の実施例であり、前記
実施例２２との相違点に限って説明する。
【００８０】前記実施例２１では、耐食性被膜２の膜厚
は５０ミクロンとしたが、５ミクロン以上でればよく、
また、ＹＡＧレーザの強度は４１Ｊ／ｃｍ２としたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーであれ
ば、非晶質Ｎｉが残存した状態でＮｉ３Ｐが析出するた
め、十分に効果がある。
は５０ミクロンとしたが、５ミクロン以上でればよく、
また、ＹＡＧレーザの強度は４１Ｊ／ｃｍ２としたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーであれ
ば、非晶質Ｎｉが残存した状態でＮｉ３Ｐが析出するた
め、十分に効果がある。
【００８１】実施例２４．請求項８に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例２２
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例２２
との相違点に限って説明する。
【００８２】前記実施例２１では、Ｎｉ化合物を析出さ
せるために４１Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザを用いたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーを持つＣ
Ｏ２レーザであっても上記実施例２２と同等の効果を奏
する。
せるために４１Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザを用いたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーを持つＣ
Ｏ２レーザであっても上記実施例２２と同等の効果を奏
する。
【００８３】実施例２５．請求項９に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図２こ
の発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示す
断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質の
Ｎｉ−Ｐの無電解めっきであり、３はＮｉ化合物でこの
場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図２こ
の発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示す
断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質の
Ｎｉ−Ｐの無電解めっきであり、３はＮｉ化合物でこの
場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
【００８４】まず、摺接基材１に非晶質の無電解Ｎｉめ
っきを施し、その後、Ｐイオンをイオン注入装置によっ
て被膜に注入する。その結果、被膜内にＮｉ化合物を形
成することができる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非晶質Ｎｉ
被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、耐摩耗性
を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐食性が保
たれる効果がある。なお、摺接部基材は銅合金に限らな
いのはいうまでもない。
っきを施し、その後、Ｐイオンをイオン注入装置によっ
て被膜に注入する。その結果、被膜内にＮｉ化合物を形
成することができる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非晶質Ｎｉ
被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、耐摩耗性
を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐食性が保
たれる効果がある。なお、摺接部基材は銅合金に限らな
いのはいうまでもない。
【００８５】実施例２６．請求項９に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例２５
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例２５
との相違点に限って説明する。
【００８６】前記実施例２５では、イオン注入装置によ
り注入したイオンはＰイオンであったが、ＢイオンやＷ
イオンであっても、ＢとＮｉとの化合物やＷとＮｉとの
化合物が非晶質Ｎｉ被膜に形成されるだけであり、上記
実施例２５と同等の効果を奏する。
り注入したイオンはＰイオンであったが、ＢイオンやＷ
イオンであっても、ＢとＮｉとの化合物やＷとＮｉとの
化合物が非晶質Ｎｉ被膜に形成されるだけであり、上記
実施例２５と同等の効果を奏する。
【００８７】実施例２７．請求項１０に記載の発明にお
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図３
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子でこの場
合はＳｉＣ粒子である。
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図３
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子でこの場
合はＳｉＣ粒子である。
【００８８】図９はＮｉの無電解めっき液にＳｉＣを分
散させた場合のめっき液中の粒子濃度と被膜の粒子含有
率との関係を示した図である。図９から明らかなよう
に、めっき液の濃度を減少させることにより、被膜中の
ＳｉＣ含有率が小さくなることがわかる。
散させた場合のめっき液中の粒子濃度と被膜の粒子含有
率との関係を示した図である。図９から明らかなよう
に、めっき液の濃度を減少させることにより、被膜中の
ＳｉＣ含有率が小さくなることがわかる。
【００８９】そこで、めっき形成中にめっき液中のＳｉ
Ｃ濃度を２００ｇ／ｌから２５ｇ／ｌになるように変化
させると、具体的にはＳｉＣを含まないめっき液をめっ
き被膜中にめっき液に多量に注ぐことにより、被膜内で
ＳｉＣ粒子の含有率を変化させることができ、被膜表面
ではＳｉＣの濃度を小さく形成することができる。その
結果、基材近傍にはＳｉＣが多く存在することになり、
摺接部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が
緩和され、機構等が動作しても耐食性を長期間保つこと
ができるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限ら
ないのは言うまでもない。
Ｃ濃度を２００ｇ／ｌから２５ｇ／ｌになるように変化
させると、具体的にはＳｉＣを含まないめっき液をめっ
き被膜中にめっき液に多量に注ぐことにより、被膜内で
ＳｉＣ粒子の含有率を変化させることができ、被膜表面
ではＳｉＣの濃度を小さく形成することができる。その
結果、基材近傍にはＳｉＣが多く存在することになり、
摺接部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が
緩和され、機構等が動作しても耐食性を長期間保つこと
ができるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限ら
ないのは言うまでもない。
【００９０】また、この実施例では、硬質粒子としてＳ
ｉＣを取り上げたが、ダイヤモンドやＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｃｒ3Ｃ2、ＷＣ、Ｂ4Ｃ 等
の他の硬質粒子であっても図９と同様の傾向をもつた
め、本実施例と同様の効果を奏する。
ｉＣを取り上げたが、ダイヤモンドやＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｃｒ3Ｃ2、ＷＣ、Ｂ4Ｃ 等
の他の硬質粒子であっても図９と同様の傾向をもつた
め、本実施例と同様の効果を奏する。
【００９１】実施例２８．請求項１１に記載の発明にお
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図４
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉーＰの無電解めっきであり、６はＮｉ化合物で
ある。
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図４
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉーＰの無電解めっきであり、６はＮｉ化合物で
ある。
【００９２】図１０は無電解のＮｉめっきにおいて、め
っき液のｐＨとＰ含有率との関係を示した図である。図
１０から明かなように、ｐＨの濃度が増加することによ
り、Ｐ含有率が減少していることがわかる。
っき液のｐＨとＰ含有率との関係を示した図である。図
１０から明かなように、ｐＨの濃度が増加することによ
り、Ｐ含有率が減少していることがわかる。
【００９３】そこで、めっき形成中にめっき液中のｐＨ
を３．５ｗｔ％から５．５ｗｔ％に変化させると、被膜
内でＰの含有率を変化させることができ、被膜表面では
Ｐの濃度を小さく形成することができる。その結果、め
っき被膜形成後、加熱処理を加えることにより析出する
ＮｉとＰとの化合物の被膜内部の分布が図１１に示すよ
うな勾配を形成する。そのため、摺接部材で負荷する力
により作用する被膜内部の応力がかんわされ、機構等が
どうさしても、非晶質Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限
らないのはいうまでもない。
を３．５ｗｔ％から５．５ｗｔ％に変化させると、被膜
内でＰの含有率を変化させることができ、被膜表面では
Ｐの濃度を小さく形成することができる。その結果、め
っき被膜形成後、加熱処理を加えることにより析出する
ＮｉとＰとの化合物の被膜内部の分布が図１１に示すよ
うな勾配を形成する。そのため、摺接部材で負荷する力
により作用する被膜内部の応力がかんわされ、機構等が
どうさしても、非晶質Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限
らないのはいうまでもない。
【００９４】また、この実施例では耐食性被膜として、
非晶質のＮｉ−Ｐの無電解めっきを示したが、非晶質の
Ｎｉ−Ｐの電気めっき、非晶質のＮｉ−Ｂの無電解や電
気のめっき、非晶質のＮｉ−Ｗの無電解や電気のめっき
でも図１０のような傾向を示すため、本実施例と同様の
効果を奏する。
非晶質のＮｉ−Ｐの無電解めっきを示したが、非晶質の
Ｎｉ−Ｐの電気めっき、非晶質のＮｉ−Ｂの無電解や電
気のめっき、非晶質のＮｉ−Ｗの無電解や電気のめっき
でも図１０のような傾向を示すため、本実施例と同様の
効果を奏する。
【００９５】実施例２９．請求項１２に記載の発明にお
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図５
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、７は自己潤滑性粒子で
ある。
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図５
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、７は自己潤滑性粒子で
ある。
【００９６】自己潤滑性粒子も図９に示した傾向、すな
わち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜に形成され
る粒子含有率が増大する傾向がある。
わち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜に形成され
る粒子含有率が増大する傾向がある。
【００９７】そこで、めっき形成中にめっき液中の自己
潤滑性粒子の濃度を増加させると、具体的には自己潤滑
性粒子だけをめっき被膜中のめっき液に多量に追加する
ことにより、被膜内で自己潤滑性粒子の含有率を変化さ
せることができ、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度を
大きく形成することができる。その結果、被膜表面に自
己潤滑性粒子を多く存在することになり、機構等の動作
が円滑に行われ、耐食性被膜が剥がれにくくなり、耐食
性を長期間保つことができるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
潤滑性粒子の濃度を増加させると、具体的には自己潤滑
性粒子だけをめっき被膜中のめっき液に多量に追加する
ことにより、被膜内で自己潤滑性粒子の含有率を変化さ
せることができ、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度を
大きく形成することができる。その結果、被膜表面に自
己潤滑性粒子を多く存在することになり、機構等の動作
が円滑に行われ、耐食性被膜が剥がれにくくなり、耐食
性を長期間保つことができるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
【００９８】また、この実施例では、耐食性被膜として
非晶質のＮｉの無電解めっきの場合を示したが、非晶質
のＮｉ基の無電解や電気めっきであればよく、さらに、
非晶質のＣｒ基の無電解や電気めっきでも、本実施例と
同様の効果を奏する。
非晶質のＮｉの無電解めっきの場合を示したが、非晶質
のＮｉ基の無電解や電気めっきであればよく、さらに、
非晶質のＣｒ基の無電解や電気めっきでも、本実施例と
同様の効果を奏する。
【００９９】実施例３０．請求項１３に記載の発明にお
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図６
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子であり、
７は自己潤滑性粒子である。
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図６
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子であり、
７は自己潤滑性粒子である。
【０１００】硬質粒子も自己潤滑性粒子も図９に示した
傾向、すなわち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜
に形成される粒子含有率が増大する傾向がある。
傾向、すなわち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜
に形成される粒子含有率が増大する傾向がある。
【０１０１】そこで、めっき形成中にめっき液中の硬質
粒子の濃度を減少させ、かつ、自己潤滑性粒子の濃度を
増加させると、被膜内で硬質粒子と自己潤滑性粒子のそ
れぞれの含有率を変化させることができ、基材近傍では
硬質粒子の濃度を大きくし、被膜表面では自己潤滑性粒
子の濃度を大きく形成することができる。その結果、潤
滑性がよくなり、被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の
硬質粒子にため被膜内部の応力が緩和され、耐食性を長
期間保つことができるようになる。
粒子の濃度を減少させ、かつ、自己潤滑性粒子の濃度を
増加させると、被膜内で硬質粒子と自己潤滑性粒子のそ
れぞれの含有率を変化させることができ、基材近傍では
硬質粒子の濃度を大きくし、被膜表面では自己潤滑性粒
子の濃度を大きく形成することができる。その結果、潤
滑性がよくなり、被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の
硬質粒子にため被膜内部の応力が緩和され、耐食性を長
期間保つことができるようになる。
【０１０２】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜が形成されて
いるために、耐食性被膜の損傷が少なくなり、耐食性を
長期間保つことができる。
よれば、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜が形成されて
いるために、耐食性被膜の損傷が少なくなり、耐食性を
長期間保つことができる。
【０１０３】また、請求項２に記載の発明によれば、析
出したＮｉ化合物のために、被膜全体としての硬度が上
昇するので、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができる。
出したＮｉ化合物のために、被膜全体としての硬度が上
昇するので、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができる。
【０１０４】また、請求項３に記載の発明によれば、基
材近傍に多く存在する硬質粒子のために、摺接部で負荷
する力の作用する被膜内部の応力が緩和され、非晶質の
Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことができる。
材近傍に多く存在する硬質粒子のために、摺接部で負荷
する力の作用する被膜内部の応力が緩和され、非晶質の
Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことができる。
【０１０５】また、請求項４に記載の発明によれば、密
度勾配をもたせて析出させたＮｉ化合物のために、基材
近傍の硬度が被膜表面の硬度より大きくなり、非晶質の
Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことができる。
度勾配をもたせて析出させたＮｉ化合物のために、基材
近傍の硬度が被膜表面の硬度より大きくなり、非晶質の
Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことができる。
【０１０６】また、請求項５に記載の発明によれば、被
膜表面に多く存在する自己潤滑性粒子のために、摺動を
円滑に動作させることになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食
性を長期間保つことができる。
膜表面に多く存在する自己潤滑性粒子のために、摺動を
円滑に動作させることになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食
性を長期間保つことができる。
【０１０７】また、請求項６に記載の発明によれば、基
材近傍に多く存在する硬質粒子と被膜表面に多く存在す
る自己潤滑性粒子のために、負荷力により作用する被膜
内部の応力が緩和され、かつ、摺動を円滑に動作させる
ことになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができる。
材近傍に多く存在する硬質粒子と被膜表面に多く存在す
る自己潤滑性粒子のために、負荷力により作用する被膜
内部の応力が緩和され、かつ、摺動を円滑に動作させる
ことになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができる。
【０１０８】また、請求項７に記載の発明によれば、同
一のめっき液で耐食性と耐摩耗性の被膜を形成すること
ができ、耐食性を長期間保つことができ、簡単に低コス
トで製造できる効果がある。
一のめっき液で耐食性と耐摩耗性の被膜を形成すること
ができ、耐食性を長期間保つことができ、簡単に低コス
トで製造できる効果がある。
【０１０９】また、請求項８に記載の発明によれば、非
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
【０１１０】また、請求項９に記載の発明によれば、非
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
【０１１１】また、請求項１０に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【０１１２】また、請求項１１に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【０１１３】また、請求項１２に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【０１１４】また、請求項１３に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【０１１５】
【図１】この発明の実施例１における耐食性摺接部材を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】この発明の実施例３における耐食性摺接部材を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】この発明の実施例６における耐食性摺接部材を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】この発明の実施例１０における耐食性摺接部材
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】この発明の実施例１３における耐食性摺接部材
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】この発明の実施例１７における耐食性摺接部材
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】この発明の実施例２１におけるＣｏ−Ｗ合金電
気めっきの電流密度と浴濃度をパラメータにしためっき
被膜の結晶状態を示す説明図である。
気めっきの電流密度と浴濃度をパラメータにしためっき
被膜の結晶状態を示す説明図である。
【図８】この発明の実施例２２における被膜の結晶構造
を示すＸ線回折結果の説明図である。
を示すＸ線回折結果の説明図である。
【図９】この発明の実施例２７におけるめっき液にＳｉ
Ｃを分散させた場合のめっき液中の粒子濃度と被膜の粒
子含有率との関係を説明した説明図である。
Ｃを分散させた場合のめっき液中の粒子濃度と被膜の粒
子含有率との関係を説明した説明図である。
【図１０】この発明の実施例２８におけるめっき液のｐ
ＨとＰ含有率との関係を説明した説明図である。
ＨとＰ含有率との関係を説明した説明図である。
【図１１】この発明の実施例２８におけるＮｉとＰとの
化合物の被膜内部の分布を説明した説明図である。
化合物の被膜内部の分布を説明した説明図である。
【図１２】従来の摺接部材を示す断面図である。
【図１３】他の従来の摺接部材を示す断面図である。
１ 摺接部基材 ２ 耐食性被膜 ３ 耐摩耗性被膜 ４ Ｎｉ化合物 ５ 硬質粒子 ６ 加熱により形成されたＮｉ化合物 ７ 自己潤滑性粒子 ８ グリース ９ 硬質耐摩材 １０ 黒鉛
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば遮断器の操作
機構などに多用されるリンク機構の摺接部材に関し、特
にメンテナンスを必要としない耐食性の摺接部材及びそ
の製造方法に関する。
機構などに多用されるリンク機構の摺接部材に関し、特
にメンテナンスを必要としない耐食性の摺接部材及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来の摺接部材を示す断面図で
あり、図において、１は摺接部基材、８はグリースであ
る。さらに、図１３は特開昭６１ー１７１９６４号公報
に示された従来の摺接部材を示す断面図であり、図にお
いて、１は摺接部基材、９は硬質耐摩材、１０は黒鉛で
ある。
あり、図において、１は摺接部基材、８はグリースであ
る。さらに、図１３は特開昭６１ー１７１９６４号公報
に示された従来の摺接部材を示す断面図であり、図にお
いて、１は摺接部基材、９は硬質耐摩材、１０は黒鉛で
ある。
【０００３】次に動作について説明する。摺接部材が摺
接部基材１のままならば、例えば、リンク機構の摺接部
で、経年的に酸化劣化や腐食などが発生するだけでな
く、異常摩耗、焼付きが発生し、動作不良のような不具
合が発生する。そこでこれらの対策として、図１２の例
のように、グリース８を設けることにより、基材の耐食
性を保つと同時に、摺接部材どうしが接触するのを避け
ようとする方法がとられている。また、図１３の例のよ
うに、黒鉛１０を内在させた摺接部基材１を用い、その
表面に多数の凹部を形成し、そこに硬質耐摩材９を充填
する方法がとられている。
接部基材１のままならば、例えば、リンク機構の摺接部
で、経年的に酸化劣化や腐食などが発生するだけでな
く、異常摩耗、焼付きが発生し、動作不良のような不具
合が発生する。そこでこれらの対策として、図１２の例
のように、グリース８を設けることにより、基材の耐食
性を保つと同時に、摺接部材どうしが接触するのを避け
ようとする方法がとられている。また、図１３の例のよ
うに、黒鉛１０を内在させた摺接部基材１を用い、その
表面に多数の凹部を形成し、そこに硬質耐摩材９を充填
する方法がとられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
に示す例のように、グリースを塗布したものでは、使用
環境や経年的な酸化により劣化し、これに起因して動作
特性を損なうだけでなく、動作不良をおこすこともあ
り、定期的なグリース補給という保守点検をしなければ
ならない等の問題がある。また、図１３に示す例では、
摺接部材の製造が面倒でコストが高くなるだけでなく、
耐食性に乏しいため、経年的に劣化する等の問題があ
る。
に示す例のように、グリースを塗布したものでは、使用
環境や経年的な酸化により劣化し、これに起因して動作
特性を損なうだけでなく、動作不良をおこすこともあ
り、定期的なグリース補給という保守点検をしなければ
ならない等の問題がある。また、図１３に示す例では、
摺接部材の製造が面倒でコストが高くなるだけでなく、
耐食性に乏しいため、経年的に劣化する等の問題があ
る。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、リンク機構等の摺接部材にグ
リースを塗布することなく、メンテナンスなしで長期間
に渡って動作特性を安定させ、製作が容易な耐食性の摺
接部材を得ることを目的とする。
るためになされたもので、リンク機構等の摺接部材にグ
リースを塗布することなく、メンテナンスなしで長期間
に渡って動作特性を安定させ、製作が容易な耐食性の摺
接部材を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係る耐食性摺接部材は、基材表面に耐食性被膜と耐摩耗
性被膜の二層構造被膜を形成したものである。
係る耐食性摺接部材は、基材表面に耐食性被膜と耐摩耗
性被膜の二層構造被膜を形成したものである。
【０００７】請求項２に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、Ｎｉ化合物が析出した非晶質状態のＮｉ、または
Ｎｉ基析出硬化型合金よりなる被膜を、基材に形成した
ものである。
材は、Ｎｉ化合物が析出した非晶質状態のＮｉ、または
Ｎｉ基析出硬化型合金よりなる被膜を、基材に形成した
ものである。
【０００８】請求項３に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、基材に施された耐食性被膜内部の硬質粒子の分散
密度が、被膜表面より基材近傍の方が多くなるように、
分散密度に勾配がある硬質粒子をもつ耐食性被膜を形成
したものである。
材は、基材に施された耐食性被膜内部の硬質粒子の分散
密度が、被膜表面より基材近傍の方が多くなるように、
分散密度に勾配がある硬質粒子をもつ耐食性被膜を形成
したものである。
【０００９】請求項４に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、ＰもしくはＢあるいはＷとＮｉの金属間化合物か
らなる微細粒子を、基材近傍の分散密度が被膜表面の分
散密度より大きくなるように密度勾配を設けた微細分散
粒子を含んだ構造を持つＮｉ基合金からなる被膜を基材
に形成したものである。
材は、ＰもしくはＢあるいはＷとＮｉの金属間化合物か
らなる微細粒子を、基材近傍の分散密度が被膜表面の分
散密度より大きくなるように密度勾配を設けた微細分散
粒子を含んだ構造を持つＮｉ基合金からなる被膜を基材
に形成したものである。
【００１０】請求項５に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、基材に施された耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子
の分散密度が基材近傍より被膜表面の方が多くなるよう
に、分散密度に勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性
被膜を形成したものである。
材は、基材に施された耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子
の分散密度が基材近傍より被膜表面の方が多くなるよう
に、分散密度に勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性
被膜を形成したものである。
【００１１】請求項６に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、基材に施された耐食性被膜内部の硬質粒子の分散
密度が被膜表面より基材近傍の方が多くなるように、分
散密度に勾配がある硬質粒子をもち、かつ、基材に施さ
れた耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子の分散密度が、基
材近傍より被膜表面の方が多くなるように、分散密度に
勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性被膜を形成した
ものである。
材は、基材に施された耐食性被膜内部の硬質粒子の分散
密度が被膜表面より基材近傍の方が多くなるように、分
散密度に勾配がある硬質粒子をもち、かつ、基材に施さ
れた耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子の分散密度が、基
材近傍より被膜表面の方が多くなるように、分散密度に
勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性被膜を形成した
ものである。
【００１２】請求項７に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、電気めっき被膜形成途中に電流密度を
小さくした過程をもった７０ａｔ％以上のＷ濃度をもつ
Ｃｏ−Ｗ合金電気めっき被膜を基材に被膜することによ
り、同一めっき液のままで、基材の上に耐食性めっき被
膜を形成した表面に耐摩耗性のめっき被膜を形成したも
のである。
材の製造方法は、電気めっき被膜形成途中に電流密度を
小さくした過程をもった７０ａｔ％以上のＷ濃度をもつ
Ｃｏ−Ｗ合金電気めっき被膜を基材に被膜することによ
り、同一めっき液のままで、基材の上に耐食性めっき被
膜を形成した表面に耐摩耗性のめっき被膜を形成したも
のである。
【００１３】請求項８に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を非晶質
状態のままで被膜形成した後、上記被膜に光照射し、非
晶質Ｎｉを残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被
膜中に析出したものである。
材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を非晶質
状態のままで被膜形成した後、上記被膜に光照射し、非
晶質Ｎｉを残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被
膜中に析出したものである。
【００１４】請求項９に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、基材にＮｉを非晶質状態のままで被膜
形成した後、イオンを注入し、上記被膜中に非晶質Ｎｉ
を残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被膜中に析
出したものである。
材の製造方法は、基材にＮｉを非晶質状態のままで被膜
形成した後、イオンを注入し、上記被膜中に非晶質Ｎｉ
を残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被膜中に析
出したものである。
【００１５】請求項１０に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、硬質粒子を懸濁させためっき液中に
基材を浸漬し、被膜形成中にめっき液中の硬質粒子濃度
を減少させ、上記被膜中の硬質粒子に密度勾配を形成し
たものである。
部材の製造方法は、硬質粒子を懸濁させためっき液中に
基材を浸漬し、被膜形成中にめっき液中の硬質粒子濃度
を減少させ、上記被膜中の硬質粒子に密度勾配を形成し
たものである。
【００１６】請求項１１に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を被膜
形成する時にめっき液のＮｉ化合物の濃度を変化させる
ことにより、被膜表面になるにつれて、Ｎｉ化合物の含
有率を小さくなるように被膜形成した後、加熱処理を加
えることにより、Ｎｉ化合物の微細粒子に密度勾配を持
たせて析出したものである。
部材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を被膜
形成する時にめっき液のＮｉ化合物の濃度を変化させる
ことにより、被膜表面になるにつれて、Ｎｉ化合物の含
有率を小さくなるように被膜形成した後、加熱処理を加
えることにより、Ｎｉ化合物の微細粒子に密度勾配を持
たせて析出したものである。
【００１７】請求項１２に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、自己潤滑性粒子を懸濁させためっき
液中に基材を浸漬し、被膜形成中にめっき液中の自己潤
滑性粒子濃度を増加させ、上記被膜中の自己潤滑性粒子
に密度勾配を形成したものである。
部材の製造方法は、自己潤滑性粒子を懸濁させためっき
液中に基材を浸漬し、被膜形成中にめっき液中の自己潤
滑性粒子濃度を増加させ、上記被膜中の自己潤滑性粒子
に密度勾配を形成したものである。
【００１８】請求項１３に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々が
懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成に伴
い、めっき液中の硬質粒子濃度を減少させるとともに、
めっき液中の自己潤滑性粒子濃度を増加させたものであ
る。
部材の製造方法は、硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々が
懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成に伴
い、めっき液中の硬質粒子濃度を減少させるとともに、
めっき液中の自己潤滑性粒子濃度を増加させたものであ
る。
【００１９】請求項１４に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、金属を被覆した硬質粒子となにも被
覆していない自己潤滑性粒子を懸濁した電気めっき液中
に基材を浸漬し被膜を形成したものである。
部材の製造方法は、金属を被覆した硬質粒子となにも被
覆していない自己潤滑性粒子を懸濁した電気めっき液中
に基材を浸漬し被膜を形成したものである。
【００２０】
【作用】請求項１記載の発明における耐食性摺接部材
は、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜を持つ構造をなし
ているので、リンク機構等が動作しても耐摩耗性被膜の
存在のため摩耗しにくくなり、耐食性が長期間維持でき
る。
は、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜を持つ構造をなし
ているので、リンク機構等が動作しても耐摩耗性被膜の
存在のため摩耗しにくくなり、耐食性が長期間維持でき
る。
【００２１】請求項２記載の発明における耐食性摺接部
材は、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物が析出した構造を持つ
ことにより、被膜層全体としての硬度を向上させ、耐摩
耗性を向上させられるので、非晶質のＮｉ被膜の耐食性
を長期間維持できる。
材は、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物が析出した構造を持つ
ことにより、被膜層全体としての硬度を向上させ、耐摩
耗性を向上させられるので、非晶質のＮｉ被膜の耐食性
を長期間維持できる。
【００２２】請求項３記載の発明における耐食性摺接部
材は、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、耐食
性を長期間維持できる。
材は、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、耐食
性を長期間維持できる。
【００２３】請求項４記載の発明における耐食性摺接部
材は、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物が基板近傍に多く析出
しているため、摺接部材で負荷する力により作用する被
膜内部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、
非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間維持できる。
材は、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物が基板近傍に多く析出
しているため、摺接部材で負荷する力により作用する被
膜内部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、
非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間維持できる。
【００２４】請求項５記載の発明における耐食性摺接部
材は、耐食性被膜の表面に自己潤滑性粒子が多く存在し
ているため、リンク機構等の動作が円滑に行われ、耐食
性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性を長期間維持でき
る。
材は、耐食性被膜の表面に自己潤滑性粒子が多く存在し
ているため、リンク機構等の動作が円滑に行われ、耐食
性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性を長期間維持でき
る。
【００２５】請求項６記載の発明における耐食性摺接部
材は、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、さらに、被膜の表面に自己潤滑性
粒子が多く存在しているため、リンク機構等の動作が円
滑に行われ、耐食性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性
を長期間維持できる。
材は、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、さらに、被膜の表面に自己潤滑性
粒子が多く存在しているため、リンク機構等の動作が円
滑に行われ、耐食性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性
を長期間維持できる。
【００２６】請求項７記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、７０ａｔ％以上のＷ濃度を持つＣｏ−
Ｗ合金を基材に電気めっきで被膜することにより耐食性
被膜を形成し、さらに、その電気めっきの電流密度を小
さくすることにより、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜
を形成するので、同一のめっき液を使用した簡単な製造
方法になり、耐食性を長期間維持できる。
材の製造方法は、７０ａｔ％以上のＷ濃度を持つＣｏ−
Ｗ合金を基材に電気めっきで被膜することにより耐食性
被膜を形成し、さらに、その電気めっきの電流密度を小
さくすることにより、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜
を形成するので、同一のめっき液を使用した簡単な製造
方法になり、耐食性を長期間維持できる。
【００２７】請求項８記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｗ等の析
出硬化型合金を被膜形成した後、ＹＡＧ、ＣＯ２等のレ
ーザを上記被膜に照射するため、耐食性の非晶質Ｎｉが
存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記被膜
中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上する
ので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持できる。
材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｗ等の析
出硬化型合金を被膜形成した後、ＹＡＧ、ＣＯ２等のレ
ーザを上記被膜に照射するため、耐食性の非晶質Ｎｉが
存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記被膜
中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上する
ので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持できる。
【００２８】請求項９記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、Ｎｉ基合金、もしくは、Ｎｉを被膜形
成した後、イオン注入装置により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のイオ
ンを上記被膜に注入することにより、耐食性の非晶質Ｎ
ｉが存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記
被膜中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上
するので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持でき
る。
材の製造方法は、Ｎｉ基合金、もしくは、Ｎｉを被膜形
成した後、イオン注入装置により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のイオ
ンを上記被膜に注入することにより、耐食性の非晶質Ｎ
ｉが存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記
被膜中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上
するので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持でき
る。
【００２９】請求項１０記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、硬質粒子が懸濁した耐食性のめっき
液中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴って、めっ
き液中の硬質粒子の濃度を減少させるているので、摺接
部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が緩和
されるので、簡単な製造で耐食性を長期間維持できる。
部材の製造方法は、硬質粒子が懸濁した耐食性のめっき
液中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴って、めっ
き液中の硬質粒子の濃度を減少させるているので、摺接
部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が緩和
されるので、簡単な製造で耐食性を長期間維持できる。
【００３０】請求項１１記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｗ等の
析出硬化型合金を基材近傍から被膜表面になるにつれ
て、Ｐ、Ｂ、Ｗ等の含有率を小さくなるように被覆した
後、加熱処理により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を密度
勾配を設けて析出させているので、摺接部材で負荷する
力により作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡
単な製造で耐食性を長期間維持できる。
部材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｗ等の
析出硬化型合金を基材近傍から被膜表面になるにつれ
て、Ｐ、Ｂ、Ｗ等の含有率を小さくなるように被覆した
後、加熱処理により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を密度
勾配を設けて析出させているので、摺接部材で負荷する
力により作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡
単な製造で耐食性を長期間維持できる。
【００３１】請求項１２記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、自己潤滑性粒子が懸濁した耐食性の
めっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴っ
て、めっき液中の自己潤滑性粒子の濃度を増加させるて
いるので、潤滑性がよくなり、リンク機構等の動作が円
滑に行われるので、被膜の損傷を防ぐことになり、簡単
な製造で耐食性を長期間維持できる。
部材の製造方法は、自己潤滑性粒子が懸濁した耐食性の
めっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴っ
て、めっき液中の自己潤滑性粒子の濃度を増加させるて
いるので、潤滑性がよくなり、リンク機構等の動作が円
滑に行われるので、被膜の損傷を防ぐことになり、簡単
な製造で耐食性を長期間維持できる。
【００３２】請求項１３記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々が
懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜形成中に、自
己潤滑性粒子を多く含むめっき液を追加することによ
り、硬質粒子が基材近傍に多く存在し、表面になるにつ
れて自己潤滑性粒子が多く存在するようになるため、潤
滑性がよくなり、リンク機構等の動作が円滑に行われ、
被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子のため摺
接部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が緩
和されるので、簡単な製造で耐食性を長期間維持でき
る。
部材の製造方法は、硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々が
懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜形成中に、自
己潤滑性粒子を多く含むめっき液を追加することによ
り、硬質粒子が基材近傍に多く存在し、表面になるにつ
れて自己潤滑性粒子が多く存在するようになるため、潤
滑性がよくなり、リンク機構等の動作が円滑に行われ、
被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子のため摺
接部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が緩
和されるので、簡単な製造で耐食性を長期間維持でき
る。
【００３３】請求項１４記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、粒子表面に金属が被覆されている硬
質粒子となにも被覆していない自己潤滑性粒子の各々が
懸濁した電気めっき液中に基材を浸漬し被膜を形成する
ため、導電性をもった金属を被覆した硬質粒子が基材近
傍に多く存在し、表面になるにつれて自己潤滑性粒子が
多く存在するようになるため、潤滑性がよくなり、リン
ク機構等の動作が円滑に行われ、被膜の損傷を防ぎ、か
つ、基材近傍の硬質粒子のため摺接部材で負荷する力に
より作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡単な
製造で耐食性を長期間維持できる。
部材の製造方法は、粒子表面に金属が被覆されている硬
質粒子となにも被覆していない自己潤滑性粒子の各々が
懸濁した電気めっき液中に基材を浸漬し被膜を形成する
ため、導電性をもった金属を被覆した硬質粒子が基材近
傍に多く存在し、表面になるにつれて自己潤滑性粒子が
多く存在するようになるため、潤滑性がよくなり、リン
ク機構等の動作が円滑に行われ、被膜の損傷を防ぎ、か
つ、基材近傍の硬質粒子のため摺接部材で負荷する力に
より作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡単な
製造で耐食性を長期間維持できる。
【００３４】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．請求項１に記載の発明における耐食性摺接部
材の一実施例であり、図１はこの発明を示す断面図で、
図において、１は摺接部基材でこの場合は鉄鋼材料であ
り、２は耐食性被膜でこの場合はＣｒ系非晶質合金電気
めっきであり、３は耐摩耗性被膜でこの場合はＴｉＮの
イオンプレーティングである。
る。 実施例１．請求項１に記載の発明における耐食性摺接部
材の一実施例であり、図１はこの発明を示す断面図で、
図において、１は摺接部基材でこの場合は鉄鋼材料であ
り、２は耐食性被膜でこの場合はＣｒ系非晶質合金電気
めっきであり、３は耐摩耗性被膜でこの場合はＴｉＮの
イオンプレーティングである。
【００３５】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、３のＴｉＮの耐摩耗性被膜があ
るため、被膜は摩耗しにくくなる。また、経年的な耐食
性は２のＣｒ系非晶質合金電気めっきで摺接基材１が保
護されている。さらに耐摩耗性被膜３が耐食性被膜２の
表面側にあるため、耐食性被膜２は損傷せず、耐食性を
長期間保つことができるようになる。
摺接部材が摺動するが、３のＴｉＮの耐摩耗性被膜があ
るため、被膜は摩耗しにくくなる。また、経年的な耐食
性は２のＣｒ系非晶質合金電気めっきで摺接基材１が保
護されている。さらに耐摩耗性被膜３が耐食性被膜２の
表面側にあるため、耐食性被膜２は損傷せず、耐食性を
長期間保つことができるようになる。
【００３６】なお、Ｃｒ系非晶質合金電気めっきは膜厚
が５〜５０ミクロン、ＴｉＮのイオンプレーティングの
膜厚は、１ミクロン以上あれば十分に効果がある。ま
た、摺接部基材は鉄鋼材料に限らないことはいうまでも
ない。
が５〜５０ミクロン、ＴｉＮのイオンプレーティングの
膜厚は、１ミクロン以上あれば十分に効果がある。ま
た、摺接部基材は鉄鋼材料に限らないことはいうまでも
ない。
【００３７】実施例２．請求項１に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１との
相違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１との
相違点に限って説明する。
【００３８】前記実施例１では、耐食性被膜２にはＣｒ
系非晶質合金電気めっきとしたが、Ｃｒ系非晶質合金無
電解めっきでもよく、Ｎｉ系非晶質合金電気めっき、Ｎ
ｉ系非晶質合金無電解めっき等であってもよく、また、
耐摩耗性被膜３としてＴｉＮのイオンプレーティングだ
けでなく、ＴｉＣやＴｉＮやダイヤモンドのような高硬
度の被膜であればよく、上記実施例１と同様の効果を奏
する。
系非晶質合金電気めっきとしたが、Ｃｒ系非晶質合金無
電解めっきでもよく、Ｎｉ系非晶質合金電気めっき、Ｎ
ｉ系非晶質合金無電解めっき等であってもよく、また、
耐摩耗性被膜３としてＴｉＮのイオンプレーティングだ
けでなく、ＴｉＣやＴｉＮやダイヤモンドのような高硬
度の被膜であればよく、上記実施例１と同様の効果を奏
する。
【００３９】実施例３．請求項２に記載の発明における
耐食性摺接部材の一実施例であり、図２はこの発明を示
す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合は
鉄鋼材料のＳＵＳ４４０Ｃ（ＪＩＳ規格）であり、２は
耐食性被膜でこの場合は膜厚５０ミクロンのＮｉ−Ｐの
非晶質合金無電解めっきであり、４はＮｉ化合物でこの
場合はＮｉ３Ｐである。
耐食性摺接部材の一実施例であり、図２はこの発明を示
す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合は
鉄鋼材料のＳＵＳ４４０Ｃ（ＪＩＳ規格）であり、２は
耐食性被膜でこの場合は膜厚５０ミクロンのＮｉ−Ｐの
非晶質合金無電解めっきであり、４はＮｉ化合物でこの
場合はＮｉ３Ｐである。
【００４０】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、４のＮｉ３Ｐが析出しているた
め、耐食性被膜である３のＮｉ−Ｐの非晶質合金無電解
めっきの被膜全体としての硬度が向上し、例えば４１Ｊ
／ｃｍ２のＹＡＧレーザを照射しＮｉ３Ｐを析出させる
と、被膜全体のマイクロビッカース硬度は約９００Ｈｖ
（実測値）になるため、被膜全体としての耐摩耗性が向
上し（Ｎｉ３Ｐが析出していない基の非晶質合金の硬度
は４２０Ｈｖ）、Ｎｉ−Ｐの非晶質合金無電解めっき部
分が摺動によっても損傷しにくくなり、その耐食性が長
期間保たれることになる。なお、摺接部基材は鉄鋼材料
に限らないことはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、４のＮｉ３Ｐが析出しているた
め、耐食性被膜である３のＮｉ−Ｐの非晶質合金無電解
めっきの被膜全体としての硬度が向上し、例えば４１Ｊ
／ｃｍ２のＹＡＧレーザを照射しＮｉ３Ｐを析出させる
と、被膜全体のマイクロビッカース硬度は約９００Ｈｖ
（実測値）になるため、被膜全体としての耐摩耗性が向
上し（Ｎｉ３Ｐが析出していない基の非晶質合金の硬度
は４２０Ｈｖ）、Ｎｉ−Ｐの非晶質合金無電解めっき部
分が摺動によっても損傷しにくくなり、その耐食性が長
期間保たれることになる。なお、摺接部基材は鉄鋼材料
に限らないことはいうまでもない。
【００４１】実施例４．請求項２に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例３との
相違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例３との
相違点に限って説明する。
【００４２】前記実施例３では、ＮｉーＰの非晶質無電
解めっきの膜厚は５０ミクロンであったが、５ミクロン
以上の膜厚であれば上記実施例３と同様の効果を奏す
る。
解めっきの膜厚は５０ミクロンであったが、５ミクロン
以上の膜厚であれば上記実施例３と同様の効果を奏す
る。
【００４３】実施例５．請求項２に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例３との
相違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例３との
相違点に限って説明する。
【００４４】前記実施例３では、耐食性被膜２にはＮｉ
−Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶質
電気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解
めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。
また、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場合に
は、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５Ｐ
２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何でも
よい。さらに、Ｎｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっき
の場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれ
ば、何でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっ
きの場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＷとの化合物であれ
ば、何でもよい。また、それらの耐食性被膜の膜厚は実
施例４で記述したように５ミクロン以上であればよい。
何れの場合でも上記実施例３と同様の効果を奏する。
−Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶質
電気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解
めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。
また、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場合に
は、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５Ｐ
２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何でも
よい。さらに、Ｎｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっき
の場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれ
ば、何でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっ
きの場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＷとの化合物であれ
ば、何でもよい。また、それらの耐食性被膜の膜厚は実
施例４で記述したように５ミクロン以上であればよい。
何れの場合でも上記実施例３と同様の効果を奏する。
【００４５】実施例６．請求項３に記載の発明における
耐食性摺接部材の一実施例であり、図３はこの発明を示
す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合は
銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０ミ
クロンの非晶質Ｎｉの無電解めっきであり、５は硬質粒
子でこの場合は直径５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子であ
る。ＳｉＣ粒子５は図３に示すように、被膜表面より基
材近傍の方が多くなるように分散密度に勾配がつけられ
ている。
耐食性摺接部材の一実施例であり、図３はこの発明を示
す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合は
銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０ミ
クロンの非晶質Ｎｉの無電解めっきであり、５は硬質粒
子でこの場合は直径５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子であ
る。ＳｉＣ粒子５は図３に示すように、被膜表面より基
材近傍の方が多くなるように分散密度に勾配がつけられ
ている。
【００４６】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、耐食性を持った
非晶質Ｎｉの無電解めっきが摺動によってもあまり損傷
を受けずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基
材は銅合金に限らないことはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、耐食性を持った
非晶質Ｎｉの無電解めっきが摺動によってもあまり損傷
を受けずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基
材は銅合金に限らないことはいうまでもない。
【００４７】実施例７．請求項３に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施６との相
違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施６との相
違点に限って説明する。
【００４８】前記実施例６では耐食性被膜として、膜厚
４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜厚
は１５ミクロン以上であれば、上記実施例６と同様の効
果を奏する。
４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜厚
は１５ミクロン以上であれば、上記実施例６と同様の効
果を奏する。
【００４９】実施例８．請求項３に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例６との
相違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例６との
相違点に限って説明する。
【００５０】前記実施例６では、硬質粒子５には直径５
〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であれ
ば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。また、膜厚は実施例７で記述したように１５ミクロ
ン以上であればよい。何れの場合でも上記実施例６と同
様の効果を奏する。
〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であれ
ば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。また、膜厚は実施例７で記述したように１５ミクロ
ン以上であればよい。何れの場合でも上記実施例６と同
様の効果を奏する。
【００５１】実施例９．請求項３に記載の発明における
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施６との相
違点に限って説明する。
耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施６との相
違点に限って説明する。
【００５２】前記実施例６では耐食性被膜として、非晶
質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等の
非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ基
電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ基
電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であればよ
い。また、実施例８で記述したように硬質粒子はＳｉ
Ｃ、ダイヤモンド、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。何れの場合でも上記実施例６と同様の効果を奏す
る。
質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等の
非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ基
電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ基
電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であればよ
い。また、実施例８で記述したように硬質粒子はＳｉ
Ｃ、ダイヤモンド、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。何れの場合でも上記実施例６と同様の効果を奏す
る。
【００５３】実施例１０．請求項４に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図４はこの発明を
示す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０
ミクロンの非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきであり、６はＮ
ｉ化合物でこの場合はＮｉ３Ｐである。
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図４はこの発明を
示す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０
ミクロンの非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきであり、６はＮ
ｉ化合物でこの場合はＮｉ３Ｐである。
【００５４】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、析出したＮｉ３Ｐのため耐食性
の被膜である非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきの硬度が被膜
全体として向上し、とりわけ、基材近傍にＮｉ３Ｐの析
出物が多いため、基材近傍に近ずくにつれて被膜硬度が
上昇する。また、Ｎｉ３Ｐの析出のため被膜内部の応力
が緩和され、摺動に伴う被膜全体としての損傷が少なく
なり、耐食性が長く保たれるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、析出したＮｉ３Ｐのため耐食性
の被膜である非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきの硬度が被膜
全体として向上し、とりわけ、基材近傍にＮｉ３Ｐの析
出物が多いため、基材近傍に近ずくにつれて被膜硬度が
上昇する。また、Ｎｉ３Ｐの析出のため被膜内部の応力
が緩和され、摺動に伴う被膜全体としての損傷が少なく
なり、耐食性が長く保たれるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
【００５５】実施例１１．請求項４に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１０と
の相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１０と
の相違点に限って説明する。
【００５６】前記実施例１０では、ＮｉーＰの非晶質無
電解めっきの膜厚は４０ミクロンであったが、５ミクロ
ン以上の膜厚であれば上記実施例１０と同様の効果を奏
する。
電解めっきの膜厚は４０ミクロンであったが、５ミクロ
ン以上の膜厚であれば上記実施例１０と同様の効果を奏
する。
【００５７】実施例１２．請求項４に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１０
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１０
との相違点に限って説明する。
【００５８】前記実施例１０では、耐食性被膜２にはＮ
ｉ−Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶
質電気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっ
き、Ｎｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無
電解めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよ
い。また、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場
合には、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５
Ｐ２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何で
もよい。さらにＮｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっき
の場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれば
何でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっきの
場合もＮｉ化合物６は、ＮｉとＷとの化合物であれば、
何でもよい。また、それらの膜厚は実施例１１で記述し
たように５ミクロン以上であればよい。何れの場合でも
上記実施例１０と同様の効果を奏する。
ｉ−Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶
質電気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっ
き、Ｎｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無
電解めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよ
い。また、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場
合には、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５
Ｐ２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何で
もよい。さらにＮｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっき
の場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれば
何でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっきの
場合もＮｉ化合物６は、ＮｉとＷとの化合物であれば、
何でもよい。また、それらの膜厚は実施例１１で記述し
たように５ミクロン以上であればよい。何れの場合でも
上記実施例１０と同様の効果を奏する。
【００５９】実施例１３．請求項５に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図５はこの発明を
示す断面図で、図において１は摺接部基材で、この場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜で、この場合は膜厚４
０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきであり、７は自己
潤滑性粒子で、この場合は５〜１５ミクロンの４ふっ化
エチレン重合体（ＰＴＦＥ）粒子である。
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図５はこの発明を
示す断面図で、図において１は摺接部基材で、この場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜で、この場合は膜厚４
０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきであり、７は自己
潤滑性粒子で、この場合は５〜１５ミクロンの４ふっ化
エチレン重合体（ＰＴＦＥ）粒子である。
【００６０】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、被膜表面に多く存在する自己潤
滑性粒子のために、機構等の動作が円滑に行われるよう
になり、被膜内部に多く存在する耐食性の非晶質Ｎｉ無
電解めっきが剥がれにくくなり、その耐食性を長く保つ
ようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限らないのは
いうまでもない。
摺接部材が摺動するが、被膜表面に多く存在する自己潤
滑性粒子のために、機構等の動作が円滑に行われるよう
になり、被膜内部に多く存在する耐食性の非晶質Ｎｉ無
電解めっきが剥がれにくくなり、その耐食性を長く保つ
ようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限らないのは
いうまでもない。
【００６１】実施例１４．請求項５に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１３と
の相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１３と
の相違点に限って説明する。
【００６２】前記実施例１３では耐食性被膜として、膜
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１３と同様
の効果を奏する。
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１３と同様
の効果を奏する。
【００６３】実施例１５．請求項５に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１３
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１３
との相違点に限って説明する。
【００６４】前記実施例１３では、自己潤滑性粒子７に
は直径５〜１５ミクロンのＰＴＦＥとしたが、同程度の
直径であれば、グラファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、
ＢＮ等であってもよい。また、膜厚は１５ミクロン以上
であればよい。何れの場合でも上記実施例１３２と同様
の効果を奏する。
は直径５〜１５ミクロンのＰＴＦＥとしたが、同程度の
直径であれば、グラファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、
ＢＮ等であってもよい。また、膜厚は１５ミクロン以上
であればよい。何れの場合でも上記実施例１３２と同様
の効果を奏する。
【００６５】実施例１６．請求項５に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１３と
の相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１３と
の相違点に限って説明する。
【００６６】前記実施例１３では耐食性被膜として、非
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、自己潤滑性粒子はＰＴＦＥ、グラファイト
や（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよい。何れ
の場合でも上記実施例１３と同様の効果を奏する。
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、自己潤滑性粒子はＰＴＦＥ、グラファイト
や（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよい。何れ
の場合でも上記実施例１３と同様の効果を奏する。
【００６７】実施例１７．請求項６に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図６はこの発明を
示す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０
ミクロンの非晶質Ｎｉの無電解めっきであり、５は硬質
粒子でこの場合は直径５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子で
あり、７は自己潤滑性粒子で、この場合は直径５〜１５
ミクロンのポリテトラフルオエチレン（ＰＴＦＥ）であ
る。
る耐食性摺接部材の一実施例であり、図６はこの発明を
示す断面図で、図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０
ミクロンの非晶質Ｎｉの無電解めっきであり、５は硬質
粒子でこの場合は直径５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子で
あり、７は自己潤滑性粒子で、この場合は直径５〜１５
ミクロンのポリテトラフルオエチレン（ＰＴＦＥ）であ
る。
【００６８】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、また、被膜表面
に多く存在するＰＴＦＥ粒子のため機構等の動作が円滑
に行われ、被膜の主成分である耐食性を持った非晶質Ｎ
ｉの無電解めっきが、摺動によってもあまり損傷を受け
ずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基材は銅
合金に限らないのはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、また、被膜表面
に多く存在するＰＴＦＥ粒子のため機構等の動作が円滑
に行われ、被膜の主成分である耐食性を持った非晶質Ｎ
ｉの無電解めっきが、摺動によってもあまり損傷を受け
ずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基材は銅
合金に限らないのはいうまでもない。
【００６９】実施例１８．請求項６に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１７
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１７
との相違点に限って説明する。
【００７０】前記実施例１７では耐食性被膜として、膜
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１７と同様
の効果を奏する。
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１７と同様
の効果を奏する。
【００７１】実施例１９．請求項６に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１７
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例１７
との相違点に限って説明する。
【００７２】前記実施例１７では、硬質粒子５には直径
５〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であ
れば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ
２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であって
も、さらに自己潤滑性粒子７には直径５〜１５ミクロン
のＰＴＦＥ粒子としたが、同程度の直径であれば、グラ
ファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよ
い。また、膜厚は１５ミクロン以上であればよい。何れ
の場合でも上記実施例１７と同様の効果を奏する。
５〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であ
れば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ
２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であって
も、さらに自己潤滑性粒子７には直径５〜１５ミクロン
のＰＴＦＥ粒子としたが、同程度の直径であれば、グラ
ファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよ
い。また、膜厚は１５ミクロン以上であればよい。何れ
の場合でも上記実施例１７と同様の効果を奏する。
【００７３】実施例２０．請求項６に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１７と
の相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施１７と
の相違点に限って説明する。
【００７４】前記実施例１７では耐食性被膜として、非
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、硬質粒子はＳｉＣ、ダイヤモンド、ＳｉＯ
２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、Ｗ
Ｃ、Ｂ４Ｃ等であってもよく、さらに自己潤滑性粒子は
ＰＴＦＥ、グラファイト、（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ
等であってもよい。何れの場合でも上記実施例１７と同
様の効果を奏する。
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、硬質粒子はＳｉＣ、ダイヤモンド、ＳｉＯ
２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、Ｗ
Ｃ、Ｂ４Ｃ等であってもよく、さらに自己潤滑性粒子は
ＰＴＦＥ、グラファイト、（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ
等であってもよい。何れの場合でも上記実施例１７と同
様の効果を奏する。
【００７５】実施例２１．請求項７に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図１は
この発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示
す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場
合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質
のＷ−Ｃｏの電気めっきであり、３は結晶質のＷ−Ｃｏ
の電気めっきである。
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図１は
この発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示
す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場
合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質
のＷ−Ｃｏの電気めっきであり、３は結晶質のＷ−Ｃｏ
の電気めっきである。
【００７６】図７は、Ｃｏ−Ｗ合金電気めっきの電流密
度と浴濃度をパラメータにしためっき被膜の結晶状態を
示す図である。図中のＡｍ．は非晶質状態を示し、Ｃｒ
ｙ．は結晶質状態を示し、Ｍｉｘ．はこれらの混合状態
を示す。図７から明らかなように、７０ａｔ％以上のＷ
濃度を持つＣｏ−Ｗ合金の電気めっきでは、めっき製造
中の電流密度によって非晶質状態になったり、結晶質状
態なったりすることができる。
度と浴濃度をパラメータにしためっき被膜の結晶状態を
示す図である。図中のＡｍ．は非晶質状態を示し、Ｃｒ
ｙ．は結晶質状態を示し、Ｍｉｘ．はこれらの混合状態
を示す。図７から明らかなように、７０ａｔ％以上のＷ
濃度を持つＣｏ−Ｗ合金の電気めっきでは、めっき製造
中の電流密度によって非晶質状態になったり、結晶質状
態なったりすることができる。
【００７７】そこで、７０ａｔ％以上のＷ濃度を持つＣ
ｏ−Ｗ合金の電気めっき被膜形成中に、例えば、８０ａ
ｔ％のＷ濃度の場合に電流密度を６０Ａ／ｄｍ２から１
０Ａ／ｄｍ２に減少すれば、基材の上には非晶質のＣｏ
−Ｗ電気めっきが形成された上に結晶質のＣｏ−Ｗ電気
めっきが形成される。非晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐
食性があり、結晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐摩耗性が
あるので、基材表面の上に耐食性被膜を形成した後、さ
らに、耐摩耗性被膜を形成することができる。その結
果、耐食性を長期間保つことができるようになる。な
お、摺接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもな
い。
ｏ−Ｗ合金の電気めっき被膜形成中に、例えば、８０ａ
ｔ％のＷ濃度の場合に電流密度を６０Ａ／ｄｍ２から１
０Ａ／ｄｍ２に減少すれば、基材の上には非晶質のＣｏ
−Ｗ電気めっきが形成された上に結晶質のＣｏ−Ｗ電気
めっきが形成される。非晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐
食性があり、結晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐摩耗性が
あるので、基材表面の上に耐食性被膜を形成した後、さ
らに、耐摩耗性被膜を形成することができる。その結
果、耐食性を長期間保つことができるようになる。な
お、摺接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもな
い。
【００７８】実施例２２．請求項８に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図２は
この発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示
す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場
合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質
のＮｉ−Ｐの無電解めっきであり、４はＮｉ化合物でこ
の場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図２は
この発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示
す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場
合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質
のＮｉ−Ｐの無電解めっきであり、４はＮｉ化合物でこ
の場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
【００７９】まず、摺接基材１に非晶質の無電解Ｎｉ−
Ｐめっきを５０ミクロンだけ施し、その後、４１Ｊ／ｃ
ｍ２の強度を持つＹＡＧレーザを上記めっき表面に照射
する。図８はこの実施例による被膜層の結晶構造を示す
Ｘ線回折結果のグラフで、縦軸がＸ線強度、横軸はブラ
ッグ角の２倍を表している。この図から明らかなよう
に、被膜層には、Ｎｉ３Ｐが析出していることがわか
る。このＮｉ３Ｐが図２中のＮｉ化合物である。また、
図８からＮｉは十分に結晶化しておらず、非晶質のＮｉ
が残存していることがわかる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非
晶質Ｎｉ被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、
耐摩耗性を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐
食性が保たれる効果がある。
Ｐめっきを５０ミクロンだけ施し、その後、４１Ｊ／ｃ
ｍ２の強度を持つＹＡＧレーザを上記めっき表面に照射
する。図８はこの実施例による被膜層の結晶構造を示す
Ｘ線回折結果のグラフで、縦軸がＸ線強度、横軸はブラ
ッグ角の２倍を表している。この図から明らかなよう
に、被膜層には、Ｎｉ３Ｐが析出していることがわか
る。このＮｉ３Ｐが図２中のＮｉ化合物である。また、
図８からＮｉは十分に結晶化しておらず、非晶質のＮｉ
が残存していることがわかる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非
晶質Ｎｉ被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、
耐摩耗性を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐
食性が保たれる効果がある。
【００８０】なお、この実施例では、耐食性被膜として
非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきを一例として示したが、実
施例５で記述したように、耐食性被膜２にはＮｉ−Ｐの
非晶質無電解めっき以外に、Ｎｉ−Ｐの非晶質電気めっ
きでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、Ｎｉ−Ｂ
の非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。また、摺
接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきを一例として示したが、実
施例５で記述したように、耐食性被膜２にはＮｉ−Ｐの
非晶質無電解めっき以外に、Ｎｉ−Ｐの非晶質電気めっ
きでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、Ｎｉ−Ｂ
の非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。また、摺
接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
【００８１】実施例２３．請求項８に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の製造方法の他の実施例であり、前記
実施例２２との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の製造方法の他の実施例であり、前記
実施例２２との相違点に限って説明する。
【００８２】前記実施例２２では、耐食性被膜２の膜厚
は５０ミクロンとしたが、５ミクロン以上でればよく、
また、ＹＡＧレーザの強度は４１Ｊ／ｃｍ２としたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーであれ
ば、非晶質Ｎｉが残存した状態でＮｉ３Ｐが析出するた
め、十分に効果がある。
は５０ミクロンとしたが、５ミクロン以上でればよく、
また、ＹＡＧレーザの強度は４１Ｊ／ｃｍ２としたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーであれ
ば、非晶質Ｎｉが残存した状態でＮｉ３Ｐが析出するた
め、十分に効果がある。
【００８３】実施例２４．請求項８に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例２２
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例２２
との相違点に限って説明する。
【００８４】前記実施例２２では、Ｎｉ化合物を析出さ
せるために４１Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザを用いたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーを持つＣ
Ｏ２レーザであっても上記実施例２２と同等の効果を奏
する。
せるために４１Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザを用いたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーを持つＣ
Ｏ２レーザであっても上記実施例２２と同等の効果を奏
する。
【００８５】実施例２５．請求項９に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図２こ
の発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示す
断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質の
Ｎｉ−Ｐの無電解めっきであり、４はＮｉ化合物でこの
場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
る耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図２こ
の発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を示す
断面図である。図において、１は摺接部基材でこの場合
は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶質の
Ｎｉ−Ｐの無電解めっきであり、４はＮｉ化合物でこの
場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
【００８６】まず、摺接基材１に非晶質の無電解Ｎｉめ
っきを施し、その後、Ｐイオンをイオン注入装置によっ
て被膜に注入する。その結果、被膜内にＮｉ化合物を形
成することができる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非晶質Ｎｉ
被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、耐摩耗性
を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐食性が保
たれる効果がある。なお、摺接部基材は銅合金に限らな
いのはいうまでもない。
っきを施し、その後、Ｐイオンをイオン注入装置によっ
て被膜に注入する。その結果、被膜内にＮｉ化合物を形
成することができる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非晶質Ｎｉ
被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、耐摩耗性
を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐食性が保
たれる効果がある。なお、摺接部基材は銅合金に限らな
いのはいうまでもない。
【００８７】実施例２６．請求項９に記載の発明におけ
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例２５
との相違点に限って説明する。
る耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実施例２５
との相違点に限って説明する。
【００８８】前記実施例２５では、イオン注入装置によ
り注入したイオンはＰイオンであったが、ＢイオンやＷ
イオンであっても、ＢとＮｉとの化合物やＷとＮｉとの
化合物が非晶質Ｎｉ被膜に形成されるだけであり、上記
実施例２５と同等の効果を奏する。
り注入したイオンはＰイオンであったが、ＢイオンやＷ
イオンであっても、ＢとＮｉとの化合物やＷとＮｉとの
化合物が非晶質Ｎｉ被膜に形成されるだけであり、上記
実施例２５と同等の効果を奏する。
【００８９】実施例２７．請求項１０に記載の発明にお
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図３
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子でこの場
合はＳｉＣ粒子である。
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図３
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子でこの場
合はＳｉＣ粒子である。
【００９０】図９はＮｉの無電解めっき液にＳｉＣを分
散させた場合のめっき液中の粒子濃度と被膜の粒子含有
率との関係を示した図である。図９から明らかなよう
に、めっき液の濃度を減少させることにより、被膜中の
ＳｉＣ含有率が小さくなることがわかる。
散させた場合のめっき液中の粒子濃度と被膜の粒子含有
率との関係を示した図である。図９から明らかなよう
に、めっき液の濃度を減少させることにより、被膜中の
ＳｉＣ含有率が小さくなることがわかる。
【００９１】そこで、めっき形成中にめっき液中のＳｉ
Ｃ濃度を２００ｇ／ｌから２５ｇ／ｌになるように変化
させると、具体的にはＳｉＣを含まないめっき液をめっ
き被膜中にめっき液に多量に注ぐことにより、被膜内で
ＳｉＣ粒子の含有率を変化させることができ、被膜表面
ではＳｉＣの濃度を小さく形成することができる。その
結果、基材近傍にはＳｉＣが多く存在することになり、
摺接部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が
緩和され、機構等が動作しても耐食性を長期間保つこと
ができるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限ら
ないのは言うまでもない。
Ｃ濃度を２００ｇ／ｌから２５ｇ／ｌになるように変化
させると、具体的にはＳｉＣを含まないめっき液をめっ
き被膜中にめっき液に多量に注ぐことにより、被膜内で
ＳｉＣ粒子の含有率を変化させることができ、被膜表面
ではＳｉＣの濃度を小さく形成することができる。その
結果、基材近傍にはＳｉＣが多く存在することになり、
摺接部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が
緩和され、機構等が動作しても耐食性を長期間保つこと
ができるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限ら
ないのは言うまでもない。
【００９２】また、この実施例では、硬質粒子としてＳ
ｉＣを取り上げたが、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２
Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ
等の他の硬質粒子であっても図９と同様の傾向をもつた
め、本実施例と同様の効果を奏する。
ｉＣを取り上げたが、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２
Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ
等の他の硬質粒子であっても図９と同様の傾向をもつた
め、本実施例と同様の効果を奏する。
【００９３】実施例２８．請求項１１に記載の発明にお
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図４
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉーＰの無電解めっきであり、６はＮｉ化合物で
ある。
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図４
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉーＰの無電解めっきであり、６はＮｉ化合物で
ある。
【００９４】図１０は無電解のＮｉめっきにおいて、め
っき液のｐＨとＰ含有率との関係を示した図である。図
１０から明かなように、ｐＨの濃度が増加することによ
り、Ｐ含有率が減少していることがわかる。
っき液のｐＨとＰ含有率との関係を示した図である。図
１０から明かなように、ｐＨの濃度が増加することによ
り、Ｐ含有率が減少していることがわかる。
【００９５】そこで、めっき形成中にめっき液中のｐＨ
を３．５ｗｔ％から５．５ｗｔ％に変化させると、被膜
内でＰの含有率を変化させることができ、被膜表面では
Ｐの濃度を小さく形成することができる。その結果、め
っき被膜形成後、加熱処理を加えることにより析出する
ＮｉとＰとの化合物の被膜内部の分布が図１１に示すよ
うな勾配を形成する。そのため、摺接部材で負荷する力
により作用する被膜内部の応力がかんわされ、機構等が
どうさしても、非晶質Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限
らないのはいうまでもない。
を３．５ｗｔ％から５．５ｗｔ％に変化させると、被膜
内でＰの含有率を変化させることができ、被膜表面では
Ｐの濃度を小さく形成することができる。その結果、め
っき被膜形成後、加熱処理を加えることにより析出する
ＮｉとＰとの化合物の被膜内部の分布が図１１に示すよ
うな勾配を形成する。そのため、摺接部材で負荷する力
により作用する被膜内部の応力がかんわされ、機構等が
どうさしても、非晶質Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限
らないのはいうまでもない。
【００９６】また、この実施例では耐食性被膜として、
非晶質のＮｉ−Ｐの無電解めっきを示したが、非晶質の
Ｎｉ−Ｐの電気めっき、非晶質のＮｉ−Ｂの無電解や電
気のめっき、非晶質のＮｉ−Ｗの無電解や電気のめっき
でも図１０のような傾向を示すため、本実施例と同様の
効果を奏する。
非晶質のＮｉ−Ｐの無電解めっきを示したが、非晶質の
Ｎｉ−Ｐの電気めっき、非晶質のＮｉ−Ｂの無電解や電
気のめっき、非晶質のＮｉ−Ｗの無電解や電気のめっき
でも図１０のような傾向を示すため、本実施例と同様の
効果を奏する。
【００９７】実施例２９．請求項１２に記載の発明にお
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図５
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、７は自己潤滑性粒子で
ある。
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図５
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、７は自己潤滑性粒子で
ある。
【００９８】自己潤滑性粒子も図９に示した傾向、すな
わち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜に形成され
る粒子含有率が増大する傾向がある。
わち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜に形成され
る粒子含有率が増大する傾向がある。
【００９９】そこで、めっき形成中にめっき液中の自己
潤滑性粒子の濃度を増加させると、具体的には自己潤滑
性粒子だけをめっき被膜中のめっき液に多量に追加する
ことにより、被膜内で自己潤滑性粒子の含有率を変化さ
せることができ、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度を
大きく形成することができる。その結果、被膜表面に自
己潤滑性粒子を多く存在することになり、機構等の動作
が円滑に行われ、耐食性被膜が剥がれにくくなり、耐食
性を長期間保つことができるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
潤滑性粒子の濃度を増加させると、具体的には自己潤滑
性粒子だけをめっき被膜中のめっき液に多量に追加する
ことにより、被膜内で自己潤滑性粒子の含有率を変化さ
せることができ、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度を
大きく形成することができる。その結果、被膜表面に自
己潤滑性粒子を多く存在することになり、機構等の動作
が円滑に行われ、耐食性被膜が剥がれにくくなり、耐食
性を長期間保つことができるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
【０１００】また、この実施例では、耐食性被膜として
非晶質のＮｉの無電解めっきの場合を示したが、非晶質
のＮｉ基の無電解や電気めっきであればよく、さらに、
非晶質のＣｒ基の無電解や電気めっきでも、本実施例と
同様の効果を奏する。
非晶質のＮｉの無電解めっきの場合を示したが、非晶質
のＮｉ基の無電解や電気めっきであればよく、さらに、
非晶質のＣｒ基の無電解や電気めっきでも、本実施例と
同様の効果を奏する。
【０１０１】実施例３０．請求項１３に記載の発明にお
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図６
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子であり、
７は自己潤滑性粒子である。
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図６
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子であり、
７は自己潤滑性粒子である。
【０１０２】硬質粒子も自己潤滑性粒子も図９に示した
傾向、すなわち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜
に形成される粒子含有率が増大する傾向がある。
傾向、すなわち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜
に形成される粒子含有率が増大する傾向がある。
【０１０３】そこで、硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々
が懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜形成中に、
自己潤滑性粒子を多く含むめっき液を追加することによ
り、めっき形成中にめっき液中の硬質粒子の濃度を減少
させ、かつ、自己潤滑性粒子の濃度を増加させることが
でき、被膜内で硬質粒子と自己潤滑性粒子のそれぞれの
含有率を変化させることができ、基材近傍では硬質粒子
の濃度を大きくし、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度
を大きく形成することができる。その結果、潤滑性がよ
くなり、被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子
にため被膜内部の応力が緩和され、耐食性を長期間保つ
ことができるようになる。
が懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜形成中に、
自己潤滑性粒子を多く含むめっき液を追加することによ
り、めっき形成中にめっき液中の硬質粒子の濃度を減少
させ、かつ、自己潤滑性粒子の濃度を増加させることが
でき、被膜内で硬質粒子と自己潤滑性粒子のそれぞれの
含有率を変化させることができ、基材近傍では硬質粒子
の濃度を大きくし、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度
を大きく形成することができる。その結果、潤滑性がよ
くなり、被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子
にため被膜内部の応力が緩和され、耐食性を長期間保つ
ことができるようになる。
【０１０４】実施例３１．請求項１４に記載の発明にお
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図６
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの電気めっきであり、５は金属が被覆された硬
質粒子であり、７は何も被覆されていない自己潤滑性粒
子である。
ける耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であり、図６
はこの発明の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの電気めっきであり、５は金属が被覆された硬
質粒子であり、７は何も被覆されていない自己潤滑性粒
子である。
【０１０５】金属が被覆された硬質粒子と何も被覆され
ていない自己潤滑性粒子の各々が懸濁しためっき液中に
基材を浸漬し、電気メッキにより被膜を形成すると、め
っき形成中にめっき液中の硬質粒子のみが基材近傍に引
き寄せられて、基材近傍では硬質粒子の濃度が大きくな
り、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度が大きく形成さ
れ、被膜内で硬質粒子と自己潤滑性粒子のそれぞれの含
有率を変化させることができる。その結果、潤滑性がよ
くなり、被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子
にため被膜内部の応力が緩和され、耐食性を長期間保つ
ことができるようになる。
ていない自己潤滑性粒子の各々が懸濁しためっき液中に
基材を浸漬し、電気メッキにより被膜を形成すると、め
っき形成中にめっき液中の硬質粒子のみが基材近傍に引
き寄せられて、基材近傍では硬質粒子の濃度が大きくな
り、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度が大きく形成さ
れ、被膜内で硬質粒子と自己潤滑性粒子のそれぞれの含
有率を変化させることができる。その結果、潤滑性がよ
くなり、被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子
にため被膜内部の応力が緩和され、耐食性を長期間保つ
ことができるようになる。
【０１０６】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜が形成されて
いるために、耐食性被膜の損傷が少なくなり、耐食性を
長期間保つことができる。
よれば、耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜が形成されて
いるために、耐食性被膜の損傷が少なくなり、耐食性を
長期間保つことができる。
【０１０７】また、請求項２に記載の発明によれば、析
出したＮｉ化合物のために、被膜全体としての硬度が上
昇するので、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができる。
出したＮｉ化合物のために、被膜全体としての硬度が上
昇するので、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができる。
【０１０８】また、請求項３に記載の発明によれば、基
材近傍に多く存在する硬質粒子のために、摺接部で負荷
する力の作用する被膜内部の応力が緩和され、非晶質の
Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことができる。
材近傍に多く存在する硬質粒子のために、摺接部で負荷
する力の作用する被膜内部の応力が緩和され、非晶質の
Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことができる。
【０１０９】また、請求項４に記載の発明によれば、密
度勾配をもたせて析出させたＮｉ化合物のために、基材
近傍の硬度が被膜表面の硬度より大きくなり、非晶質の
Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことができる。
度勾配をもたせて析出させたＮｉ化合物のために、基材
近傍の硬度が被膜表面の硬度より大きくなり、非晶質の
Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことができる。
【０１１０】また、請求項５に記載の発明によれば、被
膜表面に多く存在する自己潤滑性粒子のために、摺動を
円滑に動作させることになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食
性を長期間保つことができる。
膜表面に多く存在する自己潤滑性粒子のために、摺動を
円滑に動作させることになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食
性を長期間保つことができる。
【０１１１】また、請求項６に記載の発明によれば、基
材近傍に多く存在する硬質粒子と被膜表面に多く存在す
る自己潤滑性粒子のために、負荷力により作用する被膜
内部の応力が緩和され、かつ、摺動を円滑に動作させる
ことになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができる。
材近傍に多く存在する硬質粒子と被膜表面に多く存在す
る自己潤滑性粒子のために、負荷力により作用する被膜
内部の応力が緩和され、かつ、摺動を円滑に動作させる
ことになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができる。
【０１１２】また、請求項７に記載の発明によれば、同
一のめっき液で耐食性と耐摩耗性の被膜を形成すること
ができ、耐食性を長期間保つことができ、簡単に低コス
トで製造できる効果がある。
一のめっき液で耐食性と耐摩耗性の被膜を形成すること
ができ、耐食性を長期間保つことができ、簡単に低コス
トで製造できる効果がある。
【０１１３】また、請求項８に記載の発明によれば、非
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
【０１１４】また、請求項９に記載の発明によれば、非
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
【０１１５】また、請求項１０に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【０１１６】また、請求項１１に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【０１１７】また、請求項１２に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【０１１８】また、請求項１３に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【０１１９】また、請求項１４に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ１０Ｎ 30:12 40:02 50:08 (72)発明者 七田 浩一 丸亀市蓬莱町８番地 三菱電機株式会社丸 亀製作所内
Claims (13)
- 【請求項１】 基材に接した面に耐食性被膜層を持ち、
かつ、上記耐食性被膜の表面に耐摩耗性被膜を持った二
層構造被膜を基材表面に形成したことを特徴とする耐食
性摺接部材。 - 【請求項２】 Ｎｉ基析出硬化型合金のＮｉ化合物が析
出した非晶質状態のＮｉ基合金で、基材に被膜形成した
ことを特徴とする耐食性摺接部材。 - 【請求項３】 被膜内部の硬質粒子の分散密度を、被膜
表面より基材近傍の方が大きくなるように分散密度に勾
配を設けた硬質粒子が分散した構造を持つ耐食性被膜
を、基材に形成したことを特徴とする耐食性摺接部材。 - 【請求項４】 ＰもしくはＢあるいはＷとＮｉの金属間
化合物からなる微細粒子を基材近傍の分散密度が、被膜
表面の分散密度より大きくなるように密度勾配を設けた
微細分散粒子を含んだ構造を持つＮｉ基合金からなる被
膜を、基材に形成したことを特徴とする耐食性摺接部
材。 - 【請求項５】 被膜内部の自己潤滑性粒子の分散密度
を、基材近傍より被膜表面の方が大きくなるように分散
密度に勾配を設けた自己潤滑性粒子が分散した構造を持
つ耐食性被膜を、基材に形成したことを特徴とする耐食
性摺接部材。 - 【請求項６】 被膜内部の硬質粒子の分散密度を、被膜
表面より基材近傍の方が大きくなるように分散密度に勾
配を設けた硬質粒子が分散し、かつ、被膜内部の自己潤
滑性粒子の分散密度を、基材近傍より被膜表面の方が大
きくなるように分散密度に勾配を設けた自己潤滑性粒子
が分散した構造を持つ耐食性被膜を、基材に形成したこ
とを特徴とする耐食性摺接部材。 - 【請求項７】 電気めっき被膜形成途中に電流密度を小
さくする過程をもった７０ａｔ％以上のＷ濃度をもつＣ
ｏ−Ｗ合金電気めっき被膜を基材に被膜することによ
り、基材表面に耐食性めっき被膜を形成した表面に、耐
摩耗性被膜を形成したことを特徴とする耐食性摺接部材
の製造方法。 - 【請求項８】 基材にＮｉ基析出硬化型合金を、非晶質
状態で被膜形成した後、上記被膜に光照射し、非晶質Ｎ
ｉを残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被膜中に
析出したことを特徴とする耐食性摺接部材の製造方法。 - 【請求項９】 基材にＮｉ基合金、もしくはＮｉを非晶
質状態で被膜形成した後、イオンを注入し、上記被膜に
非晶質Ｎｉを残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記
被膜中に析出したことを特徴とする耐食性摺接部材の製
造方法。 - 【請求項１０】 硬質粒子が懸濁しためっき液中に基材
を浸漬し、被膜の形成に伴いめっき液中の硬質粒子濃度
を減少させることを特徴とする耐食性摺接部材の製造方
法。 - 【請求項１１】 基材にＮｉ基析出硬化型合金を、基材
近傍から被膜表面になるにつれて、Ｎｉ化合物の含有率
を小さくなるように被膜した後、加熱することにより上
記Ｎｉ化合物の微細粒子を密度勾配を設けて析出させる
ことを特徴とする耐食性摺接部材の製造方法。 - 【請求項１２】 自己潤滑性粒子が懸濁しためっき液中
に基材を浸漬し、被膜の形成に伴い、めっき液中の自己
潤滑性粒子濃度を増加させることを特徴とする耐食性摺
接部材の製造方法。 - 【請求項１３】 粒子表面に金属が被覆されている硬質
粒子と、なにも被覆されていない自己潤滑性粒子の各々
が懸濁した電気めっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成
を行うことを特徴とする耐食性摺接部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10552593A JP3034147B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 耐食性摺接部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10552593A JP3034147B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 耐食性摺接部材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06322557A true JPH06322557A (ja) | 1994-11-22 |
| JP3034147B2 JP3034147B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=14410011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10552593A Expired - Lifetime JP3034147B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 耐食性摺接部材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3034147B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016079483A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社中山アモルファス | 摺動用皮膜、摺動部品およびそれらの製造方法 |
| WO2016151793A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 三菱重工業株式会社 | 回転機械の羽根車、コンプレッサ、過給機及び回転機械の羽根車の製造方法 |
| JP2017222922A (ja) * | 2016-06-17 | 2017-12-21 | アイテック株式会社 | めっき被膜の表面改質方法 |
| JP2020029946A (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 日本製鉄株式会社 | 管用ねじ継手及び管用ねじ継手の製造方法 |
| US11015250B2 (en) | 2015-03-17 | 2021-05-25 | Mitsubishi Heavy Industries Engine & Turbocharger, Ltd. | Impeller for rotary machine, compressor, supercharger, and method for producing impeller for rotary machine |
| US11920703B2 (en) | 2020-02-19 | 2024-03-05 | Nippon Steel Corporation | Threaded connection for pipes and method for producing threaded connection for pipes |
-
1993
- 1993-05-06 JP JP10552593A patent/JP3034147B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
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| CN114060101A (zh) * | 2015-03-25 | 2022-02-18 | 三菱重工发动机和增压器株式会社 | 旋转机械的叶轮、压缩机、增压器以及旋转机械的叶轮的制造方法 |
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|---|---|
| JP3034147B2 (ja) | 2000-04-17 |
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