JP3034147B2 - 耐食性摺接部材およびその製造方法 - Google Patents
耐食性摺接部材およびその製造方法Info
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- JP3034147B2 JP3034147B2 JP10552593A JP10552593A JP3034147B2 JP 3034147 B2 JP3034147 B2 JP 3034147B2 JP 10552593 A JP10552593 A JP 10552593A JP 10552593 A JP10552593 A JP 10552593A JP 3034147 B2 JP3034147 B2 JP 3034147B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば遮断器の操作
機構などに多用されるリンク機構の摺接部材に関し、特
にメンテナンスを必要としない耐食性の摺接部材及びそ
の製造方法に関する。
機構などに多用されるリンク機構の摺接部材に関し、特
にメンテナンスを必要としない耐食性の摺接部材及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来の摺接部材を示す断面図で
あり、図において、１は摺接部基材、８はグリースであ
る。さらに、図１３は特開昭６１ー１７１９６４号公報
に示された従来の摺接部材を示す断面図であり、図にお
いて、１は摺接部基材、９は硬質耐摩材、１０は黒鉛で
ある。
あり、図において、１は摺接部基材、８はグリースであ
る。さらに、図１３は特開昭６１ー１７１９６４号公報
に示された従来の摺接部材を示す断面図であり、図にお
いて、１は摺接部基材、９は硬質耐摩材、１０は黒鉛で
ある。
【０００３】次に動作について説明する。摺接部材が摺
接部基材１のままならば、例えば、リンク機構の摺接部
で、経年的に酸化劣化や腐食などが発生するだけでな
く、異常摩耗、焼付きが発生し、動作不良のような不具
合が発生する。そこでこれらの対策として、図１２の例
のように、グリース８を設けることにより、基材の耐食
性を保つと同時に、摺接部材どうしが接触するのを避け
ようとする方法がとられている。また、図１３の例のよ
うに、黒鉛１０を内在させた摺接部基材１を用い、その
表面に多数の凹部を形成し、そこに硬質耐摩材９を充填
する方法がとられている。
接部基材１のままならば、例えば、リンク機構の摺接部
で、経年的に酸化劣化や腐食などが発生するだけでな
く、異常摩耗、焼付きが発生し、動作不良のような不具
合が発生する。そこでこれらの対策として、図１２の例
のように、グリース８を設けることにより、基材の耐食
性を保つと同時に、摺接部材どうしが接触するのを避け
ようとする方法がとられている。また、図１３の例のよ
うに、黒鉛１０を内在させた摺接部基材１を用い、その
表面に多数の凹部を形成し、そこに硬質耐摩材９を充填
する方法がとられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
に示す例のように、グリースを塗布したものでは、使用
環境や経年的な酸化により劣化し、これに起因して動作
特性を損なうだけでなく、動作不良をおこすこともあ
り、定期的なグリース補給という保守点検をしなければ
ならない等の問題がある。また、図１３に示す例では、
摺接部材の製造が面倒でコストが高くなるだけでなく、
耐食性に乏しいため、経年的に劣化する等の問題があ
る。
に示す例のように、グリースを塗布したものでは、使用
環境や経年的な酸化により劣化し、これに起因して動作
特性を損なうだけでなく、動作不良をおこすこともあ
り、定期的なグリース補給という保守点検をしなければ
ならない等の問題がある。また、図１３に示す例では、
摺接部材の製造が面倒でコストが高くなるだけでなく、
耐食性に乏しいため、経年的に劣化する等の問題があ
る。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、リンク機構等の摺接部材にグ
リースを塗布することなく、メンテナンスなしで長期間
に渡って動作特性を安定させ、製作が容易な耐食性の摺
接部材を得ることを目的とする。
るためになされたもので、リンク機構等の摺接部材にグ
リースを塗布することなく、メンテナンスなしで長期間
に渡って動作特性を安定させ、製作が容易な耐食性の摺
接部材を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係る耐食性摺接部材は、基材上に、ＮｉもしくはＮｉ
基、またはＣｒもしくはＣｒ基よりなる金属中に、硬質
粒子が分散した耐食性被膜を形成すると共に、基材近傍
の硬質粒子の分散密度を、基材より離れた被膜内部の硬
質粒子の分散密度より大きくなるようにしたものであ
る。
係る耐食性摺接部材は、基材上に、ＮｉもしくはＮｉ
基、またはＣｒもしくはＣｒ基よりなる金属中に、硬質
粒子が分散した耐食性被膜を形成すると共に、基材近傍
の硬質粒子の分散密度を、基材より離れた被膜内部の硬
質粒子の分散密度より大きくなるようにしたものであ
る。
【０００７】請求項２に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、ＰもしくはＢあるいはＷとＮｉの金属間化合物か
らなる微細粒子を、基材近傍の分散密度が被膜表面の分
散密度より大きくなるように密度勾配を設けた微細分散
粒子を含んだ構造を持つＮｉ基合金からなる被膜を基材
に形成したものである。
材は、ＰもしくはＢあるいはＷとＮｉの金属間化合物か
らなる微細粒子を、基材近傍の分散密度が被膜表面の分
散密度より大きくなるように密度勾配を設けた微細分散
粒子を含んだ構造を持つＮｉ基合金からなる被膜を基材
に形成したものである。
【０００８】請求項３に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、基材に施された耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子
の分散密度が基材近傍より被膜表面の方が多くなるよう
に、分散密度に勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性
被膜を形成したものである。
材は、基材に施された耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子
の分散密度が基材近傍より被膜表面の方が多くなるよう
に、分散密度に勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性
被膜を形成したものである。
【０００９】請求項４に記載の発明に係る耐食性摺接部
材は、基材に施された耐食性被膜内部の硬質粒子の分散
密度が被膜表面より基材近傍の方が多くなるように、分
散密度に勾配がある硬質粒子をもち、かつ、基材に施さ
れた耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子の分散密度が、基
材近傍より被膜表面の方が多くなるように、分散密度に
勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性被膜を形成した
ものである。
材は、基材に施された耐食性被膜内部の硬質粒子の分散
密度が被膜表面より基材近傍の方が多くなるように、分
散密度に勾配がある硬質粒子をもち、かつ、基材に施さ
れた耐食性被膜内部の自己潤滑性粒子の分散密度が、基
材近傍より被膜表面の方が多くなるように、分散密度に
勾配がある自己潤滑性粒子をもつ耐食性被膜を形成した
ものである。
【００１０】請求項５に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を非晶質
状態のままで被膜形成した後、上記被膜に光照射し、非
晶質Ｎｉを残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被
膜中に析出したものである。
材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を非晶質
状態のままで被膜形成した後、上記被膜に光照射し、非
晶質Ｎｉを残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被
膜中に析出したものである。
【００１１】請求項６に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、基材にＮｉを非晶質状態のままで被膜
形成した後、イオンを注入し、上記被膜中に非晶質Ｎｉ
を残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被膜中に析
出したものである。
材の製造方法は、基材にＮｉを非晶質状態のままで被膜
形成した後、イオンを注入し、上記被膜中に非晶質Ｎｉ
を残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被膜中に析
出したものである。
【００１２】請求項７に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、硬質粒子を懸濁させためっき液中に基
材を浸漬し、被膜形成中にめっき液中の硬質粒子濃度を
減少させ、上記被膜中の硬質粒子に密度勾配を形成した
ものである。
材の製造方法は、硬質粒子を懸濁させためっき液中に基
材を浸漬し、被膜形成中にめっき液中の硬質粒子濃度を
減少させ、上記被膜中の硬質粒子に密度勾配を形成した
ものである。
【００１３】請求項８に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を被膜形
成する時にめっき液のＮｉ化合物の濃度を変化させるこ
とにより、被膜表面になるにつれて、Ｎｉ化合物の含有
率を小さくなるように被膜形成した後、加熱処理を加え
ることにより、Ｎｉ化合物の微細粒子に密度勾配を持た
せて析出したものである。
材の製造方法は、基材にＮｉ基析出硬化型合金を被膜形
成する時にめっき液のＮｉ化合物の濃度を変化させるこ
とにより、被膜表面になるにつれて、Ｎｉ化合物の含有
率を小さくなるように被膜形成した後、加熱処理を加え
ることにより、Ｎｉ化合物の微細粒子に密度勾配を持た
せて析出したものである。
【００１４】請求項９に記載の発明に係る耐食性摺接部
材の製造方法は、自己潤滑性粒子を懸濁させためっき液
中に基材を浸漬し、被膜形成中にめっき液中の自己潤滑
性粒子濃度を増加させ、上記被膜中の自己潤滑性粒子に
密度勾配を形成したものである。
材の製造方法は、自己潤滑性粒子を懸濁させためっき液
中に基材を浸漬し、被膜形成中にめっき液中の自己潤滑
性粒子濃度を増加させ、上記被膜中の自己潤滑性粒子に
密度勾配を形成したものである。
【００１５】請求項１０に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々が
懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成に伴
い、めっき液中の硬質粒子濃度を減少させるとともに、
めっき液中の自己潤滑性粒子濃度を増加させたものであ
る。
部材の製造方法は、硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々が
懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成に伴
い、めっき液中の硬質粒子濃度を減少させるとともに、
めっき液中の自己潤滑性粒子濃度を増加させたものであ
る。
【００１６】請求項１１に記載の発明に係る耐食性摺接
部材の製造方法は、金属を被覆した硬質粒子となにも被
覆していない自己潤滑性粒子を懸濁した電気めっき液中
に基材を浸漬し被膜を形成したものである。
部材の製造方法は、金属を被覆した硬質粒子となにも被
覆していない自己潤滑性粒子を懸濁した電気めっき液中
に基材を浸漬し被膜を形成したものである。
【００１７】
【作用】請求項１記載の発明における耐食性摺接部材
は、基材上に、ＮｉもしくはＮｉ基、またはＣｒもしく
はＣｒ基よりなる金属中に、硬質粒子が分散した耐食性
被膜を形成することにより、摺動部の硬度が向上するの
で、耐摩耗性が向上し、その耐食性が長期間保たれる。
また、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、耐食
性を長期間維持できる。
は、基材上に、ＮｉもしくはＮｉ基、またはＣｒもしく
はＣｒ基よりなる金属中に、硬質粒子が分散した耐食性
被膜を形成することにより、摺動部の硬度が向上するの
で、耐摩耗性が向上し、その耐食性が長期間保たれる。
また、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、耐食
性を長期間維持できる。
【００１８】請求項２記載の発明における耐食性摺接部
材は、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物が基板近傍に多く析出
しているため、摺接部材で負荷する力により作用する被
膜内部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、
非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間維持できる。
材は、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物が基板近傍に多く析出
しているため、摺接部材で負荷する力により作用する被
膜内部の応力が緩和され、リンク機構等が動作しても、
非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間維持できる。
【００１９】請求項３記載の発明における耐食性摺接部
材は、耐食性被膜の表面に自己潤滑性粒子が多く存在し
ているため、リンク機構等の動作が円滑に行われ、耐食
性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性を長期間維持でき
る。
材は、耐食性被膜の表面に自己潤滑性粒子が多く存在し
ているため、リンク機構等の動作が円滑に行われ、耐食
性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性を長期間維持でき
る。
【００２０】請求項４記載の発明における耐食性摺接部
材は、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、さらに、被膜の表面に自己潤滑性
粒子が多く存在しているため、リンク機構等の動作が円
滑に行われ、耐食性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性
を長期間維持できる。
材は、耐食性被膜の基板近傍に硬質粒子が多く存在して
いるため、摺接部材で負荷する力により作用する被膜内
部の応力が緩和され、さらに、被膜の表面に自己潤滑性
粒子が多く存在しているため、リンク機構等の動作が円
滑に行われ、耐食性の被膜が剥がれにくくなり、耐食性
を長期間維持できる。
【００２１】請求項５記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｗ等の析
出硬化型合金を被膜形成した後、ＹＡＧ、ＣＯ２等のレ
ーザを上記被膜に照射するため、耐食性の非晶質Ｎｉが
存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記被膜
中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上する
ので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持できる。
材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｗ等の析
出硬化型合金を被膜形成した後、ＹＡＧ、ＣＯ２等のレ
ーザを上記被膜に照射するため、耐食性の非晶質Ｎｉが
存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記被膜
中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上する
ので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持できる。
【００２２】請求項６記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、Ｎｉ基合金、もしくは、Ｎｉを被膜形
成した後、イオン注入装置により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のイオ
ンを上記被膜に注入することにより、耐食性の非晶質Ｎ
ｉが存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記
被膜中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上
するので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持でき
る。
材の製造方法は、Ｎｉ基合金、もしくは、Ｎｉを被膜形
成した後、イオン注入装置により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のイオ
ンを上記被膜に注入することにより、耐食性の非晶質Ｎ
ｉが存在した状態で、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を上記
被膜中に析出形成するため被膜全体としての硬度が向上
するので、簡単な被膜の製造で耐食性を長期間維持でき
る。
【００２３】請求項７記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、硬質粒子が懸濁した耐食性のめっき液
中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴って、めっき
液中の硬質粒子の濃度を減少させるているので、摺接部
材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が緩和さ
れるので、簡単な製造で耐食性を長期間維持できる。
材の製造方法は、硬質粒子が懸濁した耐食性のめっき液
中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴って、めっき
液中の硬質粒子の濃度を減少させるているので、摺接部
材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が緩和さ
れるので、簡単な製造で耐食性を長期間維持できる。
【００２４】請求項８記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｗ等の析
出硬化型合金を基材近傍から被膜表面になるにつれて、
Ｐ、Ｂ、Ｗ等の含有率を小さくなるように被覆した後、
加熱処理により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を密度勾配
を設けて析出させているので、摺接部材で負荷する力に
より作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡単な
製造で耐食性を長期間維持できる。
材の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｗ等の析
出硬化型合金を基材近傍から被膜表面になるにつれて、
Ｐ、Ｂ、Ｗ等の含有率を小さくなるように被覆した後、
加熱処理により、Ｐ、Ｂ、Ｗ等のＮｉ化合物を密度勾配
を設けて析出させているので、摺接部材で負荷する力に
より作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡単な
製造で耐食性を長期間維持できる。
【００２５】請求項９記載の発明における耐食性摺接部
材の製造方法は、自己潤滑性粒子が懸濁した耐食性のめ
っき液中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴って、
めっき液中の自己潤滑性粒子の濃度を増加させるている
ので、潤滑性がよくなり、リンク機構等の動作が円滑に
行われるので、被膜の損傷を防ぐことになり、簡単な製
造で耐食性を長期間維持できる。
材の製造方法は、自己潤滑性粒子が懸濁した耐食性のめ
っき液中に基材を浸漬し、被膜の形成の進行に伴って、
めっき液中の自己潤滑性粒子の濃度を増加させるている
ので、潤滑性がよくなり、リンク機構等の動作が円滑に
行われるので、被膜の損傷を防ぐことになり、簡単な製
造で耐食性を長期間維持できる。
【００２６】請求項１０記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々が
懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜形成中に、自
己潤滑性粒子を多く含むめっき液を追加することによ
り、硬質粒子が基材近傍に多く存在し、表面になるにつ
れて自己潤滑性粒子が多く存在するようになるため、潤
滑性がよくなり、リンク機構等の動作が円滑に行われ、
被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子のため摺
接部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が緩
和されるので、簡単な製造で耐食性を長期間維持でき
る。
部材の製造方法は、硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々が
懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜形成中に、自
己潤滑性粒子を多く含むめっき液を追加することによ
り、硬質粒子が基材近傍に多く存在し、表面になるにつ
れて自己潤滑性粒子が多く存在するようになるため、潤
滑性がよくなり、リンク機構等の動作が円滑に行われ、
被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子のため摺
接部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が緩
和されるので、簡単な製造で耐食性を長期間維持でき
る。
【００２７】請求項１１記載の発明における耐食性摺接
部材の製造方法は、粒子表面に金属が被覆されている硬
質粒子となにも被覆していない自己潤滑性粒子の各々が
懸濁した電気めっき液中に基材を浸漬し被膜を形成する
ため、導電性をもった金属を被覆した硬質粒子が基材近
傍に多く存在し、表面になるにつれて自己潤滑性粒子が
多く存在するようになるため、潤滑性がよくなり、リン
ク機構等の動作が円滑に行われ、被膜の損傷を防ぎ、か
つ、基材近傍の硬質粒子のため摺接部材で負荷する力に
より作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡単な
製造で耐食性を長期間維持できる。
部材の製造方法は、粒子表面に金属が被覆されている硬
質粒子となにも被覆していない自己潤滑性粒子の各々が
懸濁した電気めっき液中に基材を浸漬し被膜を形成する
ため、導電性をもった金属を被覆した硬質粒子が基材近
傍に多く存在し、表面になるにつれて自己潤滑性粒子が
多く存在するようになるため、潤滑性がよくなり、リン
ク機構等の動作が円滑に行われ、被膜の損傷を防ぎ、か
つ、基材近傍の硬質粒子のため摺接部材で負荷する力に
より作用する被膜内部の応力が緩和されるので、簡単な
製造で耐食性を長期間維持できる。
【００２８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１はこの発明の実施例１による耐食性摺接部材を示す
断面図である。 図において、１は摺接部基材でこの場合
は鉄鋼材料であり、２は耐食性被膜でこの場合はＣｒ系
非晶質合金電気めっきであり、３は耐摩耗性被膜でこの
場合はＴｉＮのイオンプレーティングである。
る。 実施例１．図１はこの発明の実施例１による耐食性摺接部材を示す
断面図である。 図において、１は摺接部基材でこの場合
は鉄鋼材料であり、２は耐食性被膜でこの場合はＣｒ系
非晶質合金電気めっきであり、３は耐摩耗性被膜でこの
場合はＴｉＮのイオンプレーティングである。
【００２９】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、ＴｉＮの耐摩耗性被膜３がある
ため、被膜は摩耗しにくくなる。また、経年的な耐食性
はＣｒ系非晶質合金電気めっき２で摺接基材１が保護さ
れている。さらに耐摩耗性被膜３が耐食性被膜２の表面
側にあるため、耐食性被膜２は損傷せず、耐食性を長期
間保つことができるようになる。
摺接部材が摺動するが、ＴｉＮの耐摩耗性被膜３がある
ため、被膜は摩耗しにくくなる。また、経年的な耐食性
はＣｒ系非晶質合金電気めっき２で摺接基材１が保護さ
れている。さらに耐摩耗性被膜３が耐食性被膜２の表面
側にあるため、耐食性被膜２は損傷せず、耐食性を長期
間保つことができるようになる。
【００３０】なお、Ｃｒ系非晶質合金電気めっきは膜厚
が５〜５０ミクロン、ＴｉＮのイオンプレーティングの
膜厚は、１ミクロン以上あれば十分に効果がある。ま
た、摺接部基材は鉄鋼材料に限らないことはいうまでも
ない。
が５〜５０ミクロン、ＴｉＮのイオンプレーティングの
膜厚は、１ミクロン以上あれば十分に効果がある。ま
た、摺接部基材は鉄鋼材料に限らないことはいうまでも
ない。
【００３１】実施例２．実施例２は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実
施例１との相違点に限って説明する。
施例１との相違点に限って説明する。
【００３２】前記実施例１では、耐食性被膜２にはＣｒ
系非晶質合金電気めっきとしたが、Ｃｒ系非晶質合金無
電解めっきでもよく、Ｎｉ系非晶質合金電気めっき、Ｎ
ｉ系非晶質合金無電解めっき等であってもよく、また、
耐摩耗性被膜３としてＴｉＮのイオンプレーティングだ
けでなく、ＴｉＣやＴｉＮやダイヤモンドのような高硬
度の被膜であればよく、上記実施例１と同様の効果を奏
する。
系非晶質合金電気めっきとしたが、Ｃｒ系非晶質合金無
電解めっきでもよく、Ｎｉ系非晶質合金電気めっき、Ｎ
ｉ系非晶質合金無電解めっき等であってもよく、また、
耐摩耗性被膜３としてＴｉＮのイオンプレーティングだ
けでなく、ＴｉＣやＴｉＮやダイヤモンドのような高硬
度の被膜であればよく、上記実施例１と同様の効果を奏
する。
【００３３】実施例３．図２はこの発明の実施例３による耐食性摺接部材を示す
断面図である。 図において、１は摺接部基材でこの場合
は鉄鋼材料のＳＵＳ４４０Ｃ（ＪＩＳ規格）であり、２
は耐食性被膜でこの場合は膜厚５０ミクロンのＮｉ−Ｐ
の非晶質合金無電解めっきであり、４はＮｉ化合物でこ
の場合はＮｉ３Ｐである。
断面図である。 図において、１は摺接部基材でこの場合
は鉄鋼材料のＳＵＳ４４０Ｃ（ＪＩＳ規格）であり、２
は耐食性被膜でこの場合は膜厚５０ミクロンのＮｉ−Ｐ
の非晶質合金無電解めっきであり、４はＮｉ化合物でこ
の場合はＮｉ３Ｐである。
【００３４】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、Ｎｉ化合物４（Ｎｉ３Ｐ）が析
出しているため、耐食性被膜であるＮｉ−Ｐの非晶質合
金無電解めっき２の被膜全体としての硬度が向上し、例
えば４１Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザを照射しＮｉ３Ｐを
析出させると、被膜全体のマイクロビッカース硬度は約
９００Ｈｖ（実測値）になるため、被膜全体としての耐
摩耗性が向上し（Ｎｉ３Ｐが析出していない基の非晶質
合金の硬度は４２０Ｈｖ）、Ｎｉ−Ｐの非晶質合金無電
解めっき部分が摺動によっても損傷しにくくなり、その
耐食性が長期間保たれることになる。なお、摺接部基材
は鉄鋼材料に限らないことはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、Ｎｉ化合物４（Ｎｉ３Ｐ）が析
出しているため、耐食性被膜であるＮｉ−Ｐの非晶質合
金無電解めっき２の被膜全体としての硬度が向上し、例
えば４１Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザを照射しＮｉ３Ｐを
析出させると、被膜全体のマイクロビッカース硬度は約
９００Ｈｖ（実測値）になるため、被膜全体としての耐
摩耗性が向上し（Ｎｉ３Ｐが析出していない基の非晶質
合金の硬度は４２０Ｈｖ）、Ｎｉ−Ｐの非晶質合金無電
解めっき部分が摺動によっても損傷しにくくなり、その
耐食性が長期間保たれることになる。なお、摺接部基材
は鉄鋼材料に限らないことはいうまでもない。
【００３５】実施例４．実施例４は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実
施例３との相違点に限って説明する。
施例３との相違点に限って説明する。
【００３６】前記実施例３では、ＮｉーＰの非晶質無電
解めっきの膜厚は５０ミクロンであったが、５ミクロン
以上の膜厚であれば上記実施例３と同様の効果を奏す
る。
解めっきの膜厚は５０ミクロンであったが、５ミクロン
以上の膜厚であれば上記実施例３と同様の効果を奏す
る。
【００３７】実施例５．実施例５は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実
施例３との相違点に限って説明する。
施例３との相違点に限って説明する。
【００３８】前記実施例３では、耐食性被膜２はＮｉ−
Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶質電
気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、Ｎ
ｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解め
っき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。ま
た、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場合に
は、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５Ｐ
２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何でも
よい。さらに、Ｎｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっき
の場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれ
ば、何でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっ
きの場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＷとの化合物であれ
ば、何でもよい。また、それらの耐食性被膜の膜厚は実
施例４で記述したように５ミクロン以上であればよい。
何れの場合でも上記実施例３と同様の効果を奏する。
Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶質電
気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、Ｎ
ｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解め
っき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。ま
た、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場合に
は、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５Ｐ
２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何でも
よい。さらに、Ｎｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっき
の場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれ
ば、何でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっ
きの場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＷとの化合物であれ
ば、何でもよい。また、それらの耐食性被膜の膜厚は実
施例４で記述したように５ミクロン以上であればよい。
何れの場合でも上記実施例３と同様の効果を奏する。
【００３９】実施例６．図３はこの発明の実施例６による耐食性摺接部材を示す
断面図であり、請求項１に係わる実施例である。 図にお
いて、１は摺接部基材でこの場合は銅合金であり、２は
耐食性被膜でこの場合は膜厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ
の無電解めっきであり、５は硬質粒子でこの場合は直径
５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子である。ＳｉＣ粒子５は
図３に示すように、被膜表面より基材近傍の方が多くな
るように分散密度に勾配がつけられている。
断面図であり、請求項１に係わる実施例である。 図にお
いて、１は摺接部基材でこの場合は銅合金であり、２は
耐食性被膜でこの場合は膜厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ
の無電解めっきであり、５は硬質粒子でこの場合は直径
５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子である。ＳｉＣ粒子５は
図３に示すように、被膜表面より基材近傍の方が多くな
るように分散密度に勾配がつけられている。
【００４０】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、耐食性を持った
非晶質Ｎｉの無電解めっきが摺動によってもあまり損傷
を受けずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基
材は銅合金に限らないことはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、耐食性を持った
非晶質Ｎｉの無電解めっきが摺動によってもあまり損傷
を受けずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基
材は銅合金に限らないことはいうまでもない。
【００４１】実施例７．実施例７は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実
施例６との相違点に限って説明する。
施例６との相違点に限って説明する。
【００４２】前記実施例６では耐食性被膜として、膜厚
４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜厚
は１５ミクロン以上であれば、上記実施例６と同様の効
果を奏する。
４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜厚
は１５ミクロン以上であれば、上記実施例６と同様の効
果を奏する。
【００４３】実施例８．実施例８は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実
施例６との相違点に限って説明する。
施例６との相違点に限って説明する。
【００４４】前記実施例６では、硬質粒子５には直径５
〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であれ
ば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。また、膜厚は実施例７で記述したように１５ミクロ
ン以上であればよい。何れの場合でも上記実施例６と同
様の効果を奏する。
〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であれ
ば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。また、膜厚は実施例７で記述したように１５ミクロ
ン以上であればよい。何れの場合でも上記実施例６と同
様の効果を奏する。
【００４５】実施例９．実施例９は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記実
施例６との相違点に限って説明する。
施例６との相違点に限って説明する。
【００４６】前記実施例６では耐食性被膜として、非晶
質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等の
非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ基
電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ基
電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であればよ
い。また、実施例８で記述したように硬質粒子はＳｉ
Ｃ、ダイヤモンド、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。何れの場合でも上記実施例６と同様の効果を奏す
る。
質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等の
非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ基
電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ基
電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であればよ
い。また、実施例８で記述したように硬質粒子はＳｉ
Ｃ、ダイヤモンド、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であってもよ
い。何れの場合でも上記実施例６と同様の効果を奏す
る。
【００４７】実施例１０．図４はこの発明の実施例１０による耐食性摺接部材を示
す断面図であり、請求項２に係わる実施例である。 図に
おいて、１は摺接部基材でこの場合は銅合金であり、２
は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０ミクロンの非晶質Ｎ
ｉ−Ｐ無電解めっきであり、６はＮｉ化合物でこの場合
はＮｉ３Ｐである。
す断面図であり、請求項２に係わる実施例である。 図に
おいて、１は摺接部基材でこの場合は銅合金であり、２
は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０ミクロンの非晶質Ｎ
ｉ−Ｐ無電解めっきであり、６はＮｉ化合物でこの場合
はＮｉ３Ｐである。
【００４８】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、析出したＮｉ３Ｐのため耐食性
の被膜である非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきの硬度が被膜
全体として向上し、とりわけ、基材近傍にＮｉ３Ｐの析
出物が多いため、基材近傍に近ずくにつれて被膜硬度が
上昇する。また、Ｎｉ３Ｐの析出のため被膜内部の応力
が緩和され、摺動に伴う被膜全体としての損傷が少なく
なり、耐食性が長く保たれるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、析出したＮｉ３Ｐのため耐食性
の被膜である非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきの硬度が被膜
全体として向上し、とりわけ、基材近傍にＮｉ３Ｐの析
出物が多いため、基材近傍に近ずくにつれて被膜硬度が
上昇する。また、Ｎｉ３Ｐの析出のため被膜内部の応力
が緩和され、摺動に伴う被膜全体としての損傷が少なく
なり、耐食性が長く保たれるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
【００４９】実施例１１．実施例１１は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記
実施例１０との相違点に限って説明する。
実施例１０との相違点に限って説明する。
【００５０】前記実施例１０では、ＮｉーＰの非晶質無
電解めっきの膜厚は４０ミクロンであったが、５ミクロ
ン以上の膜厚であれば上記実施例１０と同様の効果を奏
する。
電解めっきの膜厚は４０ミクロンであったが、５ミクロ
ン以上の膜厚であれば上記実施例１０と同様の効果を奏
する。
【００５１】実施例１２．実施例１２は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記
実施例１０との相違点に限って説明する。
実施例１０との相違点に限って説明する。
【００５２】前記実施例１０では、耐食性被膜２にはＮ
ｉ−Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶
質電気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっ
き、Ｎｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無
電解めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよ
い。また、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場
合には、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５
Ｐ２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何で
もよい。さらにＮｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっき
の場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれば
何でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっきの
場合もＮｉ化合物６は、ＮｉとＷとの化合物であれば、
何でもよい。また、それらの膜厚は実施例１１で記述し
たように５ミクロン以上であればよい。何れの場合でも
上記実施例１０と同様の効果を奏する。
ｉ−Ｐの非晶質無電解めっきとしたが、Ｎｉ−Ｐの非晶
質電気めっきでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっ
き、Ｎｉ−Ｂの非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無
電解めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよ
い。また、Ｎｉ−Ｐの無電解めっき及び電気めっきの場
合には、Ｎｉ化合物４は、Ｎｉ３Ｐでなくても、Ｎｉ５
Ｐ２、Ｎｉ８Ｐ３等ＮｉとＰとの化合物であれば、何で
もよい。さらにＮｉ−Ｂの無電解めっき及び電気めっき
の場合もＮｉ化合物４は、ＮｉとＢとの化合物であれば
何でもよく、Ｎｉ−Ｗの無電解めっき及び電気めっきの
場合もＮｉ化合物６は、ＮｉとＷとの化合物であれば、
何でもよい。また、それらの膜厚は実施例１１で記述し
たように５ミクロン以上であればよい。何れの場合でも
上記実施例１０と同様の効果を奏する。
【００５３】実施例１３．図５はこの発明の実施例１３による耐食性摺接部材を示
す断面図であり、請求項３に係わる実施例である。 図に
おいて１は摺接部基材で、この場合は銅合金であり、２
は耐食性被膜で、この場合は膜厚４０ミクロンの非晶質
Ｎｉ無電解めっきであり、７は自己潤滑性粒子で、この
場合は５〜１５ミクロンの４ふっ化エチレン重合体（Ｐ
ＴＦＥ）粒子である。
す断面図であり、請求項３に係わる実施例である。 図に
おいて１は摺接部基材で、この場合は銅合金であり、２
は耐食性被膜で、この場合は膜厚４０ミクロンの非晶質
Ｎｉ無電解めっきであり、７は自己潤滑性粒子で、この
場合は５〜１５ミクロンの４ふっ化エチレン重合体（Ｐ
ＴＦＥ）粒子である。
【００５４】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、被膜表面に多く存在する自己潤
滑性粒子のために、機構等の動作が円滑に行われるよう
になり、被膜内部に多く存在する耐食性の非晶質Ｎｉ無
電解めっきが剥がれにくくなり、その耐食性を長く保つ
ようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限らないのは
いうまでもない。
摺接部材が摺動するが、被膜表面に多く存在する自己潤
滑性粒子のために、機構等の動作が円滑に行われるよう
になり、被膜内部に多く存在する耐食性の非晶質Ｎｉ無
電解めっきが剥がれにくくなり、その耐食性を長く保つ
ようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限らないのは
いうまでもない。
【００５５】実施例１４．実施例１４は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記
実施例１３との相違点に限って説明する。
実施例１３との相違点に限って説明する。
【００５６】前記実施例１３では耐食性被膜として、膜
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１３と同様
の効果を奏する。
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１３と同様
の効果を奏する。
【００５７】実施例１５．実施例１５は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記
実施例１３との相違点に限って説明する。
実施例１３との相違点に限って説明する。
【００５８】前記実施例１３では、自己潤滑性粒子７に
は直径５〜１５ミクロンのＰＴＦＥとしたが、同程度の
直径であれば、グラファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、
ＢＮ等であってもよい。また、膜厚は１５ミクロン以上
であればよい。何れの場合でも上記実施例１３と同様の
効果を奏する。
は直径５〜１５ミクロンのＰＴＦＥとしたが、同程度の
直径であれば、グラファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、
ＢＮ等であってもよい。また、膜厚は１５ミクロン以上
であればよい。何れの場合でも上記実施例１３と同様の
効果を奏する。
【００５９】実施例１６．実施例１６は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記
実施例１３との相違点に限って説明する。
実施例１３との相違点に限って説明する。
【００６０】前記実施例１３では耐食性被膜として、非
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、自己潤滑性粒子はＰＴＦＥ、グラファイト
や（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよい。何れ
の場合でも上記実施例１３と同様の効果を奏する。
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、自己潤滑性粒子はＰＴＦＥ、グラファイト
や（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよい。何れ
の場合でも上記実施例１３と同様の効果を奏する。
【００６１】実施例１７．図６はこの発明の実施例１７による耐食性摺接部材を示
す断面図であり、請求項４に係わる実施例である。 図に
おいて、１は摺接部基材でこの場合は銅合金であり、２
は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０ミクロンの非晶質Ｎ
ｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子でこの場合は直
径５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子であり、７は自己潤滑
性粒子で、この場合は直径５〜１５ミクロンのポリテト
ラフルオエチレン（ＰＴＦＥ）である。
す断面図であり、請求項４に係わる実施例である。 図に
おいて、１は摺接部基材でこの場合は銅合金であり、２
は耐食性被膜でこの場合は膜厚４０ミクロンの非晶質Ｎ
ｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子でこの場合は直
径５〜１０ミクロンのＳｉＣ粒子であり、７は自己潤滑
性粒子で、この場合は直径５〜１５ミクロンのポリテト
ラフルオエチレン（ＰＴＦＥ）である。
【００６２】リンク機構等の動作が行われると機構内の
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、また、被膜表面
に多く存在するＰＴＦＥ粒子のため機構等の動作が円滑
に行われ、被膜の主成分である耐食性を持った非晶質Ｎ
ｉの無電解めっきが、摺動によってもあまり損傷を受け
ずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基材は銅
合金に限らないのはいうまでもない。
摺接部材が摺動するが、基材近傍に多く存在するＳｉＣ
粒子のため、摺接部材で負荷しなければならない力によ
り作用する被膜内部の応力が緩和され、また、被膜表面
に多く存在するＰＴＦＥ粒子のため機構等の動作が円滑
に行われ、被膜の主成分である耐食性を持った非晶質Ｎ
ｉの無電解めっきが、摺動によってもあまり損傷を受け
ずに長期間保たれるようになる。なお、摺接部基材は銅
合金に限らないのはいうまでもない。
【００６３】実施例１８．実施例１８は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記
実施例１７との相違点に限って説明する。
実施例１７との相違点に限って説明する。
【００６４】前記実施例１７では耐食性被膜として、膜
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１７と同様
の効果を奏する。
厚４０ミクロンの非晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、膜
厚は１５ミクロン以上であれば、上記実施例１７と同様
の効果を奏する。
【００６５】実施例１９．実施例１９は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記
実施例１７との相違点に限って説明する。
実施例１７との相違点に限って説明する。
【００６６】前記実施例１７では、硬質粒子５には直径
５〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であ
れば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ
２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であって
も、さらに自己潤滑性粒子７には直径５〜１５ミクロン
のＰＴＦＥ粒子としたが、同程度の直径であれば、グラ
ファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよ
い。また、膜厚は１５ミクロン以上であればよい。何れ
の場合でも上記実施例１７と同様の効果を奏する。
５〜１０ミクロンのＳｉＣとしたが、同程度の直径であ
れば、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ
２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ等であって
も、さらに自己潤滑性粒子７には直径５〜１５ミクロン
のＰＴＦＥ粒子としたが、同程度の直径であれば、グラ
ファイトや（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ等であってもよ
い。また、膜厚は１５ミクロン以上であればよい。何れ
の場合でも上記実施例１７と同様の効果を奏する。
【００６７】実施例２０．実施例２０は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記
実施例１７との相違点に限って説明する。
実施例１７との相違点に限って説明する。
【００６８】前記実施例１７では耐食性被膜として、非
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、硬質粒子はＳｉＣ、ダイヤモンド、ＳｉＯ
２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、Ｗ
Ｃ、Ｂ４Ｃ等であってもよく、さらに自己潤滑性粒子は
ＰＴＦＥ、グラファイト、（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ
等であってもよい。何れの場合でも上記実施例１７と同
様の効果を奏する。
晶質Ｎｉ無電解めっきとしたが、Ｎｉ−ＰやＮｉ−Ｗ等
の非晶質のＮｉ基無電解めっきでもよく、非晶質のＮｉ
基電気めっき、非晶質Ｃｒ基無電解めっき、非晶質Ｃｒ
基電気めっき等でも、膜厚が１５ミクロン以上であれば
よい。また、硬質粒子はＳｉＣ、ダイヤモンド、ＳｉＯ
２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、Ｗ
Ｃ、Ｂ４Ｃ等であってもよく、さらに自己潤滑性粒子は
ＰＴＦＥ、グラファイト、（ＣＦ）ｘ、ＭｏＳ２、ＢＮ
等であってもよい。何れの場合でも上記実施例１７と同
様の効果を奏する。
【００６９】実施例２１．実施例２１は 耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であ
り、図１は実施例２１の方法によって製造された耐食性
摺接部材を示す断面図である。図において、１は摺接部
基材でこの場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの
場合は非晶質のＷ−Ｃｏの電気めっきであり、３は結晶
質のＷ−Ｃｏの電気めっきである。
り、図１は実施例２１の方法によって製造された耐食性
摺接部材を示す断面図である。図において、１は摺接部
基材でこの場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの
場合は非晶質のＷ−Ｃｏの電気めっきであり、３は結晶
質のＷ−Ｃｏの電気めっきである。
【００７０】図７は、Ｃｏ−Ｗ合金電気めっきの電流密
度と浴濃度をパラメータにしためっき被膜の結晶状態を
示す図である。図中のＡｍ．は非晶質状態を示し、Ｃｒ
ｙ．は結晶質状態を示し、Ｍｉｘ．はこれらの混合状態
を示す。図７から明らかなように、７０ａｔ％以上のＷ
濃度を持つＣｏ−Ｗ合金の電気めっきでは、めっき製造
中の電流密度によって非晶質状態になったり、結晶質状
態なったりすることができる。
度と浴濃度をパラメータにしためっき被膜の結晶状態を
示す図である。図中のＡｍ．は非晶質状態を示し、Ｃｒ
ｙ．は結晶質状態を示し、Ｍｉｘ．はこれらの混合状態
を示す。図７から明らかなように、７０ａｔ％以上のＷ
濃度を持つＣｏ−Ｗ合金の電気めっきでは、めっき製造
中の電流密度によって非晶質状態になったり、結晶質状
態なったりすることができる。
【００７１】そこで、７０ａｔ％以上のＷ濃度を持つＣ
ｏ−Ｗ合金の電気めっき被膜形成中に、例えば、８０ａ
ｔ％のＷ濃度の場合に電流密度を６０Ａ／ｄｍ２から１
０Ａ／ｄｍ２に減少すれば、基材の上には非晶質のＣｏ
−Ｗ電気めっきが形成された上に結晶質のＣｏ−Ｗ電気
めっきが形成される。非晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐
食性があり、結晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐摩耗性が
あるので、基材表面の上に耐食性被膜を形成した後、さ
らに、耐摩耗性被膜を形成することができる。その結
果、耐食性を長期間保つことができるようになる。な
お、摺接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもな
い。
ｏ−Ｗ合金の電気めっき被膜形成中に、例えば、８０ａ
ｔ％のＷ濃度の場合に電流密度を６０Ａ／ｄｍ２から１
０Ａ／ｄｍ２に減少すれば、基材の上には非晶質のＣｏ
−Ｗ電気めっきが形成された上に結晶質のＣｏ−Ｗ電気
めっきが形成される。非晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐
食性があり、結晶質のＣｏ−Ｗ電気めっきは耐摩耗性が
あるので、基材表面の上に耐食性被膜を形成した後、さ
らに、耐摩耗性被膜を形成することができる。その結
果、耐食性を長期間保つことができるようになる。な
お、摺接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもな
い。
【００７２】実施例２２．実施例２２は 耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であ
り、請求項５に記載の発明に係わるものである。図２は
実施例２２の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉ−Ｐの無電解めっきであり、４はＮｉ化合物で
この場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
り、請求項５に記載の発明に係わるものである。図２は
実施例２２の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉ−Ｐの無電解めっきであり、４はＮｉ化合物で
この場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
【００７３】まず、摺接基材１に非晶質の無電解Ｎｉ−
Ｐめっきを５０ミクロンだけ施し、その後、４１Ｊ／ｃ
ｍ２の強度を持つＹＡＧレーザを上記めっき表面に照射
する。図８はこの実施例による被膜層の結晶構造を示す
Ｘ線回折結果のグラフで、縦軸がＸ線強度、横軸はブラ
ッグ角の２倍を表している。この図から明らかなよう
に、被膜層には、Ｎｉ３Ｐが析出していることがわか
る。このＮｉ３Ｐが図２中のＮｉ化合物である。また、
図８からＮｉは十分に結晶化しておらず、非晶質のＮｉ
が残存していることがわかる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非
晶質Ｎｉ被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、
耐摩耗性を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐
食性が保たれる効果がある。
Ｐめっきを５０ミクロンだけ施し、その後、４１Ｊ／ｃ
ｍ２の強度を持つＹＡＧレーザを上記めっき表面に照射
する。図８はこの実施例による被膜層の結晶構造を示す
Ｘ線回折結果のグラフで、縦軸がＸ線強度、横軸はブラ
ッグ角の２倍を表している。この図から明らかなよう
に、被膜層には、Ｎｉ３Ｐが析出していることがわか
る。このＮｉ３Ｐが図２中のＮｉ化合物である。また、
図８からＮｉは十分に結晶化しておらず、非晶質のＮｉ
が残存していることがわかる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非
晶質Ｎｉ被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、
耐摩耗性を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐
食性が保たれる効果がある。
【００７４】なお、この実施例では、耐食性被膜として
非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきを一例として示したが、実
施例５で記述したように、耐食性被膜２にはＮｉ−Ｐの
非晶質無電解めっき以外に、Ｎｉ−Ｐの非晶質電気めっ
きでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、Ｎｉ−Ｂ
の非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。また、摺
接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
非晶質Ｎｉ−Ｐ無電解めっきを一例として示したが、実
施例５で記述したように、耐食性被膜２にはＮｉ−Ｐの
非晶質無電解めっき以外に、Ｎｉ−Ｐの非晶質電気めっ
きでもよく、Ｎｉ−Ｂの非晶質無電解めっき、Ｎｉ−Ｂ
の非晶質電気めっき、Ｎｉ−Ｗの非晶質無電解めっき、
Ｎｉ−Ｗの非晶質電気めっきであってもよい。また、摺
接部基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
【００７５】実施例２３．実施例２３は 耐食性摺接部材の製造方法の他の実施例で
あり、前記実施例２２との相違点に限って説明する。
あり、前記実施例２２との相違点に限って説明する。
【００７６】前記実施例２２では、耐食性被膜２の膜厚
は５０ミクロンとしたが、５ミクロン以上でればよく、
また、ＹＡＧレーザの強度は４１Ｊ／ｃｍ２としたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーであれ
ば、非晶質Ｎｉが残存した状態でＮｉ３Ｐが析出するた
め、十分に効果がある。
は５０ミクロンとしたが、５ミクロン以上でればよく、
また、ＹＡＧレーザの強度は４１Ｊ／ｃｍ２としたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーであれ
ば、非晶質Ｎｉが残存した状態でＮｉ３Ｐが析出するた
め、十分に効果がある。
【００７７】実施例２４．実施例２４は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記
実施例２２との相違点に限って説明する。
実施例２２との相違点に限って説明する。
【００７８】前記実施例２２では、Ｎｉ化合物を析出さ
せるために４１Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザを用いたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーを持つＣ
Ｏ２レーザであっても上記実施例２２と同等の効果を奏
する。
せるために４１Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザを用いたが、
Ｎｉ３Ｐが析出するに十分なビームエネルギーを持つＣ
Ｏ２レーザであっても上記実施例２２と同等の効果を奏
する。
【００７９】実施例２５．実施例２５は 耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であ
り、請求項６に記載の発明に係わるものである。図２は
実施例２５の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉ−Ｐの無電解めっきであり、４はＮｉ化合物で
この場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
り、請求項６に記載の発明に係わるものである。図２は
実施例２５の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉ−Ｐの無電解めっきであり、４はＮｉ化合物で
この場合はＮｉ３Ｐの析出物である。
【００８０】まず、摺接基材１に非晶質の無電解Ｎｉめ
っきを施し、その後、Ｐイオンをイオン注入装置によっ
て被膜に注入する。その結果、被膜内にＮｉ化合物を形
成することができる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非晶質Ｎｉ
被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、耐摩耗性
を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐食性が保
たれる効果がある。なお、摺接部基材は銅合金に限らな
いのはいうまでもない。
っきを施し、その後、Ｐイオンをイオン注入装置によっ
て被膜に注入する。その結果、被膜内にＮｉ化合物を形
成することができる。そのため、Ｎｉ３Ｐが非晶質Ｎｉ
被膜中に析出し、被膜全体の硬度を向上させ、耐摩耗性
を向上させ、かつ、非晶質のＮｉ被膜により耐食性が保
たれる効果がある。なお、摺接部基材は銅合金に限らな
いのはいうまでもない。
【００８１】実施例２６．実施例２６は 耐食性摺接部材の他の実施例であり、前記
実施例２５との相違点に限って説明する。
実施例２５との相違点に限って説明する。
【００８２】前記実施例２５では、イオン注入装置によ
り注入したイオンはＰイオンであったが、ＢイオンやＷ
イオンであっても、ＢとＮｉとの化合物やＷとＮｉとの
化合物が非晶質Ｎｉ被膜に形成されるだけであり、上記
実施例２５と同等の効果を奏する。
り注入したイオンはＰイオンであったが、ＢイオンやＷ
イオンであっても、ＢとＮｉとの化合物やＷとＮｉとの
化合物が非晶質Ｎｉ被膜に形成されるだけであり、上記
実施例２５と同等の効果を奏する。
【００８３】実施例２７．実施例２７は 耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であ
り、請求項７に記載の発明に係わるものである。図３は
実施例２７の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子でこの場
合はＳｉＣ粒子である。
り、請求項７に記載の発明に係わるものである。図３は
実施例２７の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子でこの場
合はＳｉＣ粒子である。
【００８４】図９はＮｉの無電解めっき液にＳｉＣを分
散させた場合のめっき液中の粒子濃度と被膜の粒子含有
率との関係を示した図である。図９から明らかなよう
に、めっき液の濃度を減少させることにより、被膜中の
ＳｉＣ含有率が小さくなることがわかる。
散させた場合のめっき液中の粒子濃度と被膜の粒子含有
率との関係を示した図である。図９から明らかなよう
に、めっき液の濃度を減少させることにより、被膜中の
ＳｉＣ含有率が小さくなることがわかる。
【００８５】そこで、めっき形成中にめっき液中のＳｉ
Ｃ濃度を２００ｇ／ｌから２５ｇ／ｌになるように変化
させると、具体的にはＳｉＣを含まないめっき液をめっ
き被膜中にめっき液に多量に注ぐことにより、被膜内で
ＳｉＣ粒子の含有率を変化させることができ、被膜表面
ではＳｉＣの濃度を小さく形成することができる。その
結果、基材近傍にはＳｉＣが多く存在することになり、
摺接部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が
緩和され、機構等が動作しても耐食性を長期間保つこと
ができるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限ら
ないのは言うまでもない。
Ｃ濃度を２００ｇ／ｌから２５ｇ／ｌになるように変化
させると、具体的にはＳｉＣを含まないめっき液をめっ
き被膜中にめっき液に多量に注ぐことにより、被膜内で
ＳｉＣ粒子の含有率を変化させることができ、被膜表面
ではＳｉＣの濃度を小さく形成することができる。その
結果、基材近傍にはＳｉＣが多く存在することになり、
摺接部材で負荷する力により作用する被膜内部の応力が
緩和され、機構等が動作しても耐食性を長期間保つこと
ができるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限ら
ないのは言うまでもない。
【００８６】また、この実施例では、硬質粒子としてＳ
ｉＣを取り上げたが、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２
Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ
等の他の硬質粒子であっても図９と同様の傾向をもつた
め、本実施例と同様の効果を奏する。
ｉＣを取り上げたが、ダイヤモンドやＳｉＯ２、Ａｌ２
Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＣ、Ｂ４Ｃ
等の他の硬質粒子であっても図９と同様の傾向をもつた
め、本実施例と同様の効果を奏する。
【００８７】実施例２８．実施例２８は 耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であ
り、請求項８に記載の発明に係わるものである。図４は
実施例２８の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉーＰの無電解めっきであり、６はＮｉ化合物で
ある。
り、請求項８に記載の発明に係わるものである。図４は
実施例２８の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉーＰの無電解めっきであり、６はＮｉ化合物で
ある。
【００８８】図１０は無電解のＮｉめっきにおいて、め
っき液のｐＨとＰ含有率との関係を示した図である。図
１０から明かなように、ｐＨの濃度が増加することによ
り、Ｐ含有率が減少していることがわかる。
っき液のｐＨとＰ含有率との関係を示した図である。図
１０から明かなように、ｐＨの濃度が増加することによ
り、Ｐ含有率が減少していることがわかる。
【００８９】そこで、めっき形成中にめっき液中のｐＨ
を３．５ｗｔ％から５．５ｗｔ％に変化させると、被膜
内でＰの含有率を変化させることができ、被膜表面では
Ｐの濃度を小さく形成することができる。その結果、め
っき被膜形成後、加熱処理を加えることにより析出する
ＮｉとＰとの化合物の被膜内部の分布が図１１に示すよ
うな勾配を形成する。そのため、摺接部材で負荷する力
により作用する被膜内部の応力が緩和され、機構等が動
作しても、非晶質Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことが
できるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限らな
いのはいうまでもない。
を３．５ｗｔ％から５．５ｗｔ％に変化させると、被膜
内でＰの含有率を変化させることができ、被膜表面では
Ｐの濃度を小さく形成することができる。その結果、め
っき被膜形成後、加熱処理を加えることにより析出する
ＮｉとＰとの化合物の被膜内部の分布が図１１に示すよ
うな勾配を形成する。そのため、摺接部材で負荷する力
により作用する被膜内部の応力が緩和され、機構等が動
作しても、非晶質Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことが
できるようになる。なお、摺接部基材は銅合金に限らな
いのはいうまでもない。
【００９０】また、この実施例では耐食性被膜として、
非晶質のＮｉ−Ｐの無電解めっきを示したが、非晶質の
Ｎｉ−Ｐの電気めっき、非晶質のＮｉ−Ｂの無電解や電
気のめっき、非晶質のＮｉ−Ｗの無電解や電気のめっき
でも図１０のような傾向を示すため、本実施例と同様の
効果を奏する。
非晶質のＮｉ−Ｐの無電解めっきを示したが、非晶質の
Ｎｉ−Ｐの電気めっき、非晶質のＮｉ−Ｂの無電解や電
気のめっき、非晶質のＮｉ−Ｗの無電解や電気のめっき
でも図１０のような傾向を示すため、本実施例と同様の
効果を奏する。
【００９１】実施例２９．実施例２９は 耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であ
り、請求項９に記載の発明に係わるものである。図５は
実施例２９の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、７は自己潤滑性粒子で
ある。
り、請求項９に記載の発明に係わるものである。図５は
実施例２９の方法によって製造された耐食性摺接部材を
示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこの
場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非晶
質のＮｉの無電解めっきであり、７は自己潤滑性粒子で
ある。
【００９２】自己潤滑性粒子も図９に示した傾向、すな
わち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜に形成され
る粒子含有率が増大する傾向がある。
わち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜に形成され
る粒子含有率が増大する傾向がある。
【００９３】そこで、めっき形成中にめっき液中の自己
潤滑性粒子の濃度を増加させると、具体的には自己潤滑
性粒子だけをめっき被膜中のめっき液に多量に追加する
ことにより、被膜内で自己潤滑性粒子の含有率を変化さ
せることができ、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度を
大きく形成することができる。その結果、被膜表面に自
己潤滑性粒子を多く存在することになり、機構等の動作
が円滑に行われ、耐食性被膜が剥がれにくくなり、耐食
性を長期間保つことができるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
潤滑性粒子の濃度を増加させると、具体的には自己潤滑
性粒子だけをめっき被膜中のめっき液に多量に追加する
ことにより、被膜内で自己潤滑性粒子の含有率を変化さ
せることができ、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度を
大きく形成することができる。その結果、被膜表面に自
己潤滑性粒子を多く存在することになり、機構等の動作
が円滑に行われ、耐食性被膜が剥がれにくくなり、耐食
性を長期間保つことができるようになる。なお、摺接部
基材は銅合金に限らないのはいうまでもない。
【００９４】また、この実施例では、耐食性被膜として
非晶質のＮｉの無電解めっきの場合を示したが、非晶質
のＮｉ基の無電解や電気めっきであればよく、さらに、
非晶質のＣｒ基の無電解や電気めっきでも、本実施例と
同様の効果を奏する。
非晶質のＮｉの無電解めっきの場合を示したが、非晶質
のＮｉ基の無電解や電気めっきであればよく、さらに、
非晶質のＣｒ基の無電解や電気めっきでも、本実施例と
同様の効果を奏する。
【００９５】実施例３０．実施例３０は 耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であ
り、請求項１０に記載の発明に係わるものである。図５
は実施例３０の方法によって製造された耐食性摺接部材
を示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこ
の場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非
晶質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子であ
り、７は自己潤滑性粒子である。
り、請求項１０に記載の発明に係わるものである。図５
は実施例３０の方法によって製造された耐食性摺接部材
を示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこ
の場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非
晶質のＮｉの無電解めっきであり、５は硬質粒子であ
り、７は自己潤滑性粒子である。
【００９６】硬質粒子も自己潤滑性粒子も図９に示した
傾向、すなわち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜
に形成される粒子含有率が増大する傾向がある。
傾向、すなわち、めっき液中の粒子濃度を上げると被膜
に形成される粒子含有率が増大する傾向がある。
【００９７】そこで、硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々
が懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜形成中に、
自己潤滑性粒子を多く含むめっき液を追加することによ
り、めっき形成中にめっき液中の硬質粒子の濃度を減少
させ、かつ、自己潤滑性粒子の濃度を増加させることが
でき、被膜内で硬質粒子と自己潤滑性粒子のそれぞれの
含有率を変化させることができ、基材近傍では硬質粒子
の濃度を大きくし、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度
を大きく形成することができる。その結果、潤滑性がよ
くなり、被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子
にため被膜内部の応力が緩和され、耐食性を長期間保つ
ことができるようになる。
が懸濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜形成中に、
自己潤滑性粒子を多く含むめっき液を追加することによ
り、めっき形成中にめっき液中の硬質粒子の濃度を減少
させ、かつ、自己潤滑性粒子の濃度を増加させることが
でき、被膜内で硬質粒子と自己潤滑性粒子のそれぞれの
含有率を変化させることができ、基材近傍では硬質粒子
の濃度を大きくし、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度
を大きく形成することができる。その結果、潤滑性がよ
くなり、被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子
にため被膜内部の応力が緩和され、耐食性を長期間保つ
ことができるようになる。
【００９８】実施例３１．実施例３１は 耐食性摺接部材の製造方法の一実施例であ
り、請求項１１に記載の発明に係わるものである。図６
は実施例３１の方法によって製造された耐食性摺接部材
を示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこ
の場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非
晶質のＮｉの電気めっきであり、５は金属が被覆された
硬質粒子であり、７は何も被覆されていない自己潤滑性
粒子である。
り、請求項１１に記載の発明に係わるものである。図６
は実施例３１の方法によって製造された耐食性摺接部材
を示す断面図である。図において、１は摺接部基材でこ
の場合は銅合金であり、２は耐食性被膜でこの場合は非
晶質のＮｉの電気めっきであり、５は金属が被覆された
硬質粒子であり、７は何も被覆されていない自己潤滑性
粒子である。
【００９９】金属が被覆された硬質粒子と何も被覆され
ていない自己潤滑性粒子の各々が懸濁しためっき液中に
基材を浸漬し、電気メッキにより被膜を形成すると、め
っき形成中にめっき液中の硬質粒子のみが基材近傍に引
き寄せられて、基材近傍では硬質粒子の濃度が大きくな
り、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度が大きく形成さ
れ、被膜内で硬質粒子と自己潤滑性粒子のそれぞれの含
有率を変化させることができる。その結果、潤滑性がよ
くなり、被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子
にため被膜内部の応力が緩和され、耐食性を長期間保つ
ことができるようになる。
ていない自己潤滑性粒子の各々が懸濁しためっき液中に
基材を浸漬し、電気メッキにより被膜を形成すると、め
っき形成中にめっき液中の硬質粒子のみが基材近傍に引
き寄せられて、基材近傍では硬質粒子の濃度が大きくな
り、被膜表面では自己潤滑性粒子の濃度が大きく形成さ
れ、被膜内で硬質粒子と自己潤滑性粒子のそれぞれの含
有率を変化させることができる。その結果、潤滑性がよ
くなり、被膜の損傷を防ぎ、かつ、基材近傍の硬質粒子
にため被膜内部の応力が緩和され、耐食性を長期間保つ
ことができるようになる。
【０１００】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、基材上に、ＮｉもしくはＮｉ基、またはＣｒも
しくはＣｒ基よりなる金属中に、硬質粒子が分散した耐
食性被膜が形成されているので、摺動部の硬度が向上
し、耐摩耗性が向上するため、その耐食性が長期間保た
れる。また、基材近傍に多く存在する硬質粒子のため
に、摺接部で負荷する力の作用する被膜内部の応力が緩
和され、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つことが
できる。
よれば、基材上に、ＮｉもしくはＮｉ基、またはＣｒも
しくはＣｒ基よりなる金属中に、硬質粒子が分散した耐
食性被膜が形成されているので、摺動部の硬度が向上
し、耐摩耗性が向上するため、その耐食性が長期間保た
れる。また、基材近傍に多く存在する硬質粒子のため
に、摺接部で負荷する力の作用する被膜内部の応力が緩
和され、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つことが
できる。
【０１０１】また、請求項２に記載の発明によれば、密
度勾配をもたせて析出させたＮｉ化合物のために、基材
近傍の硬度が被膜表面の硬度より大きくなり、非晶質の
Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことができる。
度勾配をもたせて析出させたＮｉ化合物のために、基材
近傍の硬度が被膜表面の硬度より大きくなり、非晶質の
Ｎｉ被膜の耐食性を長期間保つことができる。
【０１０２】また、請求項３に記載の発明によれば、被
膜表面に多く存在する自己潤滑性粒子のために、摺動を
円滑に動作させることになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食
性を長期間保つことができる。
膜表面に多く存在する自己潤滑性粒子のために、摺動を
円滑に動作させることになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食
性を長期間保つことができる。
【０１０３】また、請求項４に記載の発明によれば、基
材近傍に多く存在する硬質粒子と被膜表面に多く存在す
る自己潤滑性粒子のために、負荷力により作用する被膜
内部の応力が緩和され、かつ、摺動を円滑に動作させる
ことになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができる。
材近傍に多く存在する硬質粒子と被膜表面に多く存在す
る自己潤滑性粒子のために、負荷力により作用する被膜
内部の応力が緩和され、かつ、摺動を円滑に動作させる
ことになり、非晶質のＮｉ被膜の耐食性を長期間保つこ
とができる。
【０１０４】また、請求項５に記載の発明によれば、非
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
【０１０５】また、請求項６に記載の発明によれば、非
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
晶質Ｎｉ被膜の中に簡単に、かつ、自由にＮｉ化合物を
形成することができ、耐食性を長期間保つことができる
効果がある。
【０１０６】また、請求項７に記載の発明によれば、め
っき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むことが
でき、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つことが
できる効果がある。
っき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むことが
でき、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つことが
できる効果がある。
【０１０７】また、請求項８に記載の発明によれば、め
っき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むことが
でき、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つことが
できる効果がある。
っき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むことが
でき、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つことが
できる効果がある。
【０１０８】また、請求項９に記載の発明によれば、め
っき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むことが
でき、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つことが
できる効果がある。
っき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むことが
でき、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つことが
できる効果がある。
【０１０９】また、請求項１０に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【０１１０】また、請求項１１に記載の発明によれば、
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
めっき被膜形成の一プロセスとして簡単に取り込むこと
ができ、低コストで製造でき、耐食性を長期間保つこと
ができる効果がある。
【図１】この発明の実施例１における耐食性摺接部材を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】この発明の実施例３における耐食性摺接部材を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】この発明の実施例６における耐食性摺接部材を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】この発明の実施例１０における耐食性摺接部材
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】この発明の実施例１３における耐食性摺接部材
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】この発明の実施例１７における耐食性摺接部材
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】この発明の実施例２１におけるＣｏ−Ｗ合金電
気めっきの電流密度と浴濃度をパラメータにしためっき
被膜の結晶状態を示す説明図である。
気めっきの電流密度と浴濃度をパラメータにしためっき
被膜の結晶状態を示す説明図である。
【図８】この発明の実施例２２における被膜の結晶構造
を示すＸ線回折結果の説明図である。
を示すＸ線回折結果の説明図である。
【図９】この発明の実施例２７におけるめっき液にＳｉ
Ｃを分散させた場合のめっき液中の粒子濃度と被膜の粒
子含有率との関係を説明した説明図である。
Ｃを分散させた場合のめっき液中の粒子濃度と被膜の粒
子含有率との関係を説明した説明図である。
【図１０】この発明の実施例２８におけるめっき液のｐ
ＨとＰ含有率との関係を説明した説明図である。
ＨとＰ含有率との関係を説明した説明図である。
【図１１】この発明の実施例２８におけるＮｉとＰとの
化合物の被膜内部の分布を説明した説明図である。
化合物の被膜内部の分布を説明した説明図である。
【図１２】従来の摺接部材を示す断面図である。
【図１３】他の従来の摺接部材を示す断面図である。
１ 摺接部基材 ２ 耐食性被膜 ３ 耐摩耗性被膜 ４ Ｎｉ化合物 ５ 硬質粒子 ６ 加熱により形成されたＮｉ化合物 ７ 自己潤滑性粒子 ８ グリース ９ 硬質耐摩材 １０ 黒鉛
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 七田 浩一 丸亀市蓬莱町８番地 三菱電機株式会社 丸亀製作所内 (56)参考文献 特開 平５−106124（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 28/00 C23C 18/52 C25D 15/00
Claims (11)
- 【請求項１】 基材上に、ＮｉもしくはＮｉ基、または
ＣｒもしくはＣｒ基よりなる金属中に、硬質粒子が分散
した耐食性被膜を形成すると共に、基材近傍の硬質粒子
の分散密度を、基材より離れた被膜内部の硬質粒子の分
散密度より大きくなるようにしたことを特徴とする耐食
性摺接部材。 - 【請求項２】 ＰもしくはＢあるいはＷとＮｉの金属間
化合物からなる微細粒子を基材近傍の分散密度が、被膜
表面の分散密度より大きくなるように密度勾配を設けた
微細分散粒子を含んだ構造を持つＮｉ基合金からなる被
膜を、基材に形成したことを特徴とする耐食性摺接部
材。 - 【請求項３】 被膜内部の自己潤滑性粒子の分散密度
を、基材近傍より被膜表面の方が大きくなるように分散
密度に勾配を設けた自己潤滑性粒子が分散した構造を持
つ耐食性被膜を、基材に形成したことを特徴とする耐食
性摺接部材。 - 【請求項４】 被膜内部の硬質粒子の分散密度を、被膜
表面より基材近傍の方が大きくなるように分散密度に勾
配を設けた硬質粒子が分散し、かつ、被膜内部の自己潤
滑性粒子の分散密度を、基材近傍より被膜表面の方が大
きくなるように分散密度に勾配を設けた自己潤滑性粒子
が分散した構造を持つ耐食性被膜を、基材に形成したこ
とを特徴とする耐食性摺接部材。 - 【請求項５】 基材にＮｉ基析出硬化型合金を、非晶質
状態で被膜形成した後、上記被膜に光照射し、非晶質Ｎ
ｉを残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記被膜中に
析出したことを特徴とする耐食性摺接部材の製造方法。 - 【請求項６】 基材にＮｉ基合金、もしくはＮｉを非晶
質状態で被膜形成した後、イオンを注入し、上記被膜に
非晶質Ｎｉを残した状態で、これらのＮｉ化合物を上記
被膜中に析出したことを特徴とする耐食性摺接部材の製
造方法。 - 【請求項７】 硬質粒子が懸濁しためっき液中に基材を
浸漬し、被膜の形成に伴いめっき液中の硬質粒子濃度を
減少させることを特徴とする耐食性摺接部材の製造方
法。 - 【請求項８】 基材にＮｉ基析出硬化型合金を、基材近
傍から被膜表面になるにつれて、Ｎｉ化合物の含有率を
小さくなるように被膜した後、加熱することにより上記
Ｎｉ化合物の微細粒子を密度勾配を設けて析出させるこ
とを特徴とする耐食性摺接部材の製造方法。 - 【請求項９】 自己潤滑性粒子が懸濁しためっき液中に
基材を浸漬し、被膜の形成に伴い、めっき液中の自己潤
滑性粒子濃度を増加させることを特徴とする耐食性摺接
部材の製造方法。 - 【請求項１０】 硬質粒子と自己潤滑性粒子の各々が懸
濁しためっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成に伴い、
めっき液中の硬質粒子濃度を減少させるとともに、めっ
き液中の自己潤滑性粒子濃度を増加させることを特徴と
する耐食性摺接部材の製造方法。 - 【請求項１１】 粒子表面に金属が被覆されている硬質
粒子と、なにも被覆されていない自己潤滑性粒子の各々
が懸濁した電気めっき液中に基材を浸漬し、被膜の形成
を行うことを特徴とする耐食性摺接部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10552593A JP3034147B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 耐食性摺接部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10552593A JP3034147B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 耐食性摺接部材およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06322557A JPH06322557A (ja) | 1994-11-22 |
| JP3034147B2 true JP3034147B2 (ja) | 2000-04-17 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10552593A Expired - Lifetime JP3034147B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 耐食性摺接部材およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3034147B2 (ja) |
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-
1993
- 1993-05-06 JP JP10552593A patent/JP3034147B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH06322557A (ja) | 1994-11-22 |
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