JPH0632251B2 - サ−ジ吸収素子 - Google Patents

サ−ジ吸収素子

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JPH0632251B2
JPH0632251B2 JP60288364A JP28836485A JPH0632251B2 JP H0632251 B2 JPH0632251 B2 JP H0632251B2 JP 60288364 A JP60288364 A JP 60288364A JP 28836485 A JP28836485 A JP 28836485A JP H0632251 B2 JPH0632251 B2 JP H0632251B2
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JP
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surge absorber
discharge
surge
cap
absorber
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嘉夫 山内
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Rohm Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、各種電子回路に過渡的に加わるサージ電圧か
ら該電子回路を保持するのに使用するサージ吸収素子に
関する。
<従来の技術> 従来、過渡的に加わるサージ電圧を放電により吸収する
サージ吸収素子としては、第2図の断面図に示す構造の
ものがある。このサージ吸収素子は、絶縁体を導電性皮
膜で覆ってなるサージ吸収体10と、サージ吸収体10の両
端に被嵌したキャップ電極22,20と、各キャップ電極20
から引き出されたリード30,30と、サージ吸収体10およ
びキャップ電極20,20を封止するガラスのような封止材4
0とからなり、封止材40の内部には不活性ガスが封入さ
れている。サージ吸収体10は、セラミックのような絶縁
性物質で構成された円筒状の基体の外周面に導電膜が形
成されたものであって、その長手方向の中央位置には、
周溝状の放電ギャップ50が形成されている。
しかして、このサージ吸収素子では、リード30,30間に
規定以上の電圧が印加されると、まず、放電ギャップ50
の陰極側から電子が放出されて、この電子により放電ギ
ャップ50の陽極側と陰極側キャップ電極20との間で沿面
放電が行なわれ、次いでこの沿面放電がキャップ電極
20,20間のアーク放電に移行し、このアーク放電により
サージ電圧が吸収される。
<発明が解決しようとする問題点> しかしながら、従来のサージ吸収素子では、上記したよ
うに、サージ吸収体10に黄銅、銅などからなるキヤップ
電極20を被嵌する構造のために、製造上でも特性の上で
も問題があった。
すなわち、一般にサージ吸収体10とキヤップ電極20との
間に少なからず隙間sがあって、キヤップ電極20がサー
ジ吸収体10の径方向にずれたり、サージ吸収体10の長手
方向に対して傾いたりしやすく、サージ吸収体10に精度
よくキヤップ電極20を被嵌することが困難であった。こ
れに対して、キヤップ電極の被嵌精度を上げようとすれ
ば、組み立てコストが上昇する。
しかも、放電ギャップ50とギヤップ電極20との端面間隔
d0によって放電開始電圧が決まるのであるが、上記した
ように、サージ吸収体10に対するキヤップ電極20の被嵌
精度が悪いと、放電ギャップ50とキヤップ電極20との端
面間隔d0が所定の値に正確に設定されず、ばらつくた
め、製品毎に放電開始電圧にばらつきが生じる。放電開
始電圧のばらつきが大きいと、サージ吸収の動作電圧が
定格以上にばらつき、品質および信頼性の点で好ましく
なかった。
さらに、キヤップ電極が内部に設けられることと、サー
ジ吸収体10自体が比較的に長寸、大径であることのため
に、素子全体を小型化することが困難であった。
このほか、キヤップ電極は封止材の内部において封止材
より大きい熱膨張率で膨張もしくは収縮するので、熱サ
イクルにより封止材40に損傷を与えることがあり、これ
によって全体が破壊されるおそれがあった。
ところで、従来のサージ吸収素子において、サージ吸収
体10にキヤップ電極20を被嵌していたのは、これまでの
技術ではサージ吸収体10自体が、その外周に形成すべき
放電間隔に比べて大きいためであって、サージ吸収体10
のキヤップ電極20を被嵌することにより、キヤップ電極
20と放電ギャップ50との間の間隔を、サージ吸収体10
大きさに比べ狭小な間隔に設定していた。
これに対して、最近は技術の進展によりサージ吸収体自
体を小型化することが可能となった。
本発明は、小型化されたサージ吸収体を有効に利用すべ
く、この小型化したサージ吸収体に適応する構成を採用
することによって、キヤップ電極を省略し、製造工程を
簡略化してコストの低減を図るとともに、製品毎の放電
開始電圧のばらつきをなくし、特性の揃った製品を得ら
れるようにすることを目的とする。
<問題点を解決するための手段> 本発明は、上記の目的を達成するために、絶縁体の表面
が導電性皮膜で覆われ該導電性皮膜に放電ギャップが形
成されてなるサージ吸収体の両端に、それぞれ該サージ
吸収体より内端面の面積が大きくかつ外端にリードを有
するスラグを直接的に圧接し、前記サージ吸収体の周囲
で両スラグ間に不活性ガスが存在する状態で両スラグお
よびサージ吸収体を封止材で封止してサージ吸収素子を
構成したものである。
<実施例> 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。この実施例
のサージ吸収素子は、サージ吸収体1と、一対のスラグ
2,2と、ガラスのような封止材3とを備える。
サージ吸収体1は、ムライト磁気やセラミックのような
絶縁性物質で構成された円筒状の基体の外周面に、炭素
またはSnO2などの金属酸化物、あるいはTaNなどの
窒化物の導電膜が形成されたものであって、その長手方
向の中央位置には、周溝状の放電ギャップ4が形成され
ている。各スラグ2は、それぞれ外端にリード2aを一
体に有する。これらのスラグ2,2は放電電極を兼ねる
ものであって、その内端面がそれぞれ前記サージ吸収体
1の各端部に直接的に圧接している。スラグ2の内端面
はサージ吸収体1より大径であって、スラグ2の内端面
周部はサージ吸収体1より外周側に張り出している。封
止材3は、サージ吸収体1とその両端にあるスラグ2,
2とを気密状に外被している。この封止材1の内部で
は、サージ吸収体1の外周に空室5が形成され、この数
室5内にアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスが封入され
ている。また、両スラグ2,2の内端面の周部は、空室
5を間に互いに対向している。
上記の構成において、リード2a,2a間に規定以上の電
圧が印加されると、まず、放電ギャップ4で初期放電が
始まり、放電ギャップ4の陰極側から電子が放出され
る。電流値が小さいときは、グロー放電となり、放電ギ
ャップ4の陽極側と陰極側スラグ2との間で沿面放電が
発生する。電流値が大きくなるとともに、前記の沿面放
電からスラグ2,2間のアーク放電に移行する。このア
ーク放電によりサージ電圧が吸収される。
このように、本発明のサージ吸収素子では、スラグ2が
放電電極として作用する。初期の沿面放電時の放電間隔
は、放電キャップ4とスラグ2との間隔dであって、こ
の間隔dは、サージ吸収体1の端部にスラグ2,2を圧
接することによって設定される。スラグ2がサージ吸収
体1の長手方向に位置ずれすることはないから、結局、
放電間隔dは、サージ吸収体1の長手方向寸法および放
電ギャップ4の形成位置、すなわちサージ吸収体1の寸
法精度に応じて正確に決まる。したがって、放電ギャッ
プ4とスラグ2との間の放電間隔dにより決まる放電開
始電圧は一定する。
<発明の効果> 以上のように、本発明は、サージ吸収体に直接的にスラ
グを圧接して設け、該スラグが放電電極として作用する
ようにしたものであって、従来のサージ吸収素子に用い
られていたキヤップ電極が省略されるから、キヤップ電
極の使用に伴なう種々の不都合をことごとく解消するこ
とができる。
すなわち、初期の沿面放電時の放電間隔は、サージ吸収
体の端部にスラグを圧接するだけで正確に決まるので、
製品毎の放電開始電圧のばらつきがなくなる。また、キ
ヤップ電極をサージ吸収体に被嵌する面倒な工程が略さ
れるので、製造工程が簡略化し、また材料費も削減され
るので、コストの低減を図ることができる。
さらに本発明では、小型化したサージ吸収体を利用すべ
く、キヤップ電極を省略しているから、キヤップ電極の
省略と小型のサージ吸収体の使用とにより、素子全体を
小型化することができる。このほか、キヤップ電極の熱
膨張に起因する破損を回避することができる。
本出願人の実験結果によれば、従来のキャップ電極付き
のものに比べ、放電開始電圧の変動幅がほぼ60%以下
に低下した。また、キャップ電極を使用しないので、サ
ージ吸収体の外径をその分小さくすることができ、断面
縮減により静電容量の低減が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は従来例の
断面図である。 1……サージ吸収体、2……スラグ、2a……リード、
3……封止材、4……放電ギャップ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁体の表面が導電性皮膜で覆われ該導電
    性皮膜に放電ギャップが形成されてなるサージ吸収体の
    両端に、それぞれ該サージ吸収体より内端面の面積が大
    きくかつ外端にリードを有するスラグを直接的に圧接
    し、前記サージ吸収体の周囲で両スラグ間に不活性ガス
    が存在する状態で両スラグおよびサージ吸収体を封止材
    で封止したことを特徴とするサージ吸収素子。
JP60288364A 1985-12-20 1985-12-20 サ−ジ吸収素子 Expired - Lifetime JPH0632251B2 (ja)

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JPS62147680A JPS62147680A (ja) 1987-07-01
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0355784A (ja) * 1989-07-24 1991-03-11 Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd サージ吸収素子
JPH03138882A (ja) * 1989-10-23 1991-06-13 Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd サージ吸収素子及びその製造方法
JP2007112526A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Tooa Eito Kk 自走式小型クレーン

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JPS55128283A (en) * 1979-03-27 1980-10-03 Mitsubishi Mining & Cement Co Surge absorbing element
JPS60167293A (ja) * 1984-02-09 1985-08-30 三菱マテリアル株式会社 サ−ジ吸収素子

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