JP2798088B2 - サージ吸収素子 - Google Patents
サージ吸収素子Info
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- JP2798088B2 JP2798088B2 JP61126798A JP12679886A JP2798088B2 JP 2798088 B2 JP2798088 B2 JP 2798088B2 JP 61126798 A JP61126798 A JP 61126798A JP 12679886 A JP12679886 A JP 12679886A JP 2798088 B2 JP2798088 B2 JP 2798088B2
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- Japan
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- resistor
- slags
- resistor element
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、過渡的に加わるサージ電圧から種々の電
子回路を保護するために使用されるサージ吸収素子に関
する。 （ロ）従来の技術 従来よりよく知られたサージ吸収素子としては、第３
図に示すものがある（特開昭55−128283号）。このサー
ジ吸収素子は、比誘電率が１よりも大きい、例えばアル
ミナ磁器等の円柱状の絶縁体21の表面に導電性薄膜22を
形成し、さらに導電性薄膜22を幅200μｍ以下の周溝23
により２個の部分に分割し、分割した導電性薄膜22、22
の両端にそれぞれ電極24、24を設け、電極24、24にはそ
れぞれリード線25、25を接続し、ガラス等の封止材26で
絶縁体21、電極24、24、リード線25、25を封止してい
る。そして、封止材26の内部には、不活性ガスが封入さ
れて構成されている。 このサージ吸収素子では、リード線25、25間に所定以
上の電圧が印加されると、周溝23の負電圧側から電子が
放出され、この電子により周溝23の正電圧側と負電圧側
との間に沿面放電が生起され、続いて、この沿面放電が
電極24、24間のアーク放電に移行し、このアーク放電に
より、サージ電圧が吸収される。 （ハ）発明が解決しようとする問題点 従来のサージ吸収素子は、上記したように、絶縁体21
の表面に導電性薄膜22を形成し、かつサージ吸収体を２
分する周溝23を形成するとともに、両端に電極24、24を
設けて構成されるものであり、製造上、周溝23を形成す
るため、絶縁体21のカッティング作業が入るが、このカ
ッティング作業に失敗すると、その絶縁体21全体が使用
不可になるという問題があった。 この発明は、上記に鑑み、製造過程でたとえ作業失敗
が生じても、部品を有効に利用し得るサージ吸収素子を
提供することを目的としている。 （ニ）問題点を解決するための手段及び作用 この発明のサージ吸収素子は、胴部とこの胴部より細
径の先端部とからなる絶縁体の胴部周囲に導電性薄膜が
形成されてなる第１の抵抗素体と、この第１の抵抗素体
の胴部と同径の柱状絶縁体の周囲に導電性薄膜が形成さ
れてなる第２の抵抗素体と、それぞれ第１及び第２の抵
抗素体より太径で、外端にリード線を有する１対の円柱
状のスラグと、前記第１及び第２の抵抗素体並びに１対
のスラグを内包し、内方により形成される空間に不活性
ガスを封止する筒状の封止材とを備え、第１の抵抗素体
の先端部を介して第１の抵抗素体の胴部の内端面と第２
の抵抗素体の内端面との間に間隙が形成されるように、
第１の抵抗素体の先端部の端面と第２の抵抗素体の内端
面が圧接され、この第１及び第２の抵抗素体を介して両
スラグの内端面間に間隙が形成されるように、各スラグ
の内端面がそれぞれ第１及び第２の抵抗素体の外端面に
圧接され、この円柱状の両スラグの外周面に筒状の封止
材が密着して形成され、この封止材、第１及び第２の抵
抗素体並びに１対のスラグで形成される空間に不活性ガ
スが封止されることを特徴とする。 このサージ吸収素子では、第１の抵抗素体の先端部を
介して第１の抵抗素体の胴部の内端面と第２の抵抗素体
の内端面との間に間隙（細溝）が形成されると共に、第
１及び第２の抵抗素体を介して両スラグの内端面間に間
隙が形成される。従って、リード線間に比較的小さいサ
ージ電圧が印加されると、まず細溝を介して第１及び第
２の抵抗素体の導電性薄膜間で放電が開始され、更によ
り大きいサージ電圧が印加されると、全空間を介して１
対のスラグの内端面間での全面放電に移行する。つま
り、本発明のサージ吸収素子は、二段放電型である。な
お、サージ吸収用の抵抗素体は第１と第２の２個に分割
され、一方のみをカッティングするので、カッティング
に失敗しても、他の抵抗素体を活かすことができる。 （ホ）実施例 以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明す
る。 第１図は、この発明の一実施例を示すサージ吸収素子
の断面図である。このサージ吸収素子は、サージを吸収
する１対の抵抗素体１、２と、１対のスラグ３、４と、
ガラスのような封止材５を備えている。 一方の抵抗素体１は、円柱状の胴部1aと、この胴部1a
よりも細径の円柱状の先端部1bとからなり、胴部1a、先
端部1bともムライト磁器、アルミナ磁器、セラミックス
のような絶縁物質1cで構成され、胴部1aの外周面に炭素
又は金属酸化物或いはTaN等の窒化物の導電性薄膜1dが
形成されている。先端部1bの外周面には、導電性薄膜が
形成されていない。 他方の抵抗素体２は、抵抗素体１の胴部1aと同径の円
柱状であり、抵抗素体１と同様の絶縁物質2cの外周に導
電性薄膜2dが形成されている。 スラグ３、４は、電極を兼ねるものであり、抵抗素体
１、２よりも大径の円柱状に構成され、外端にリード線
６、７を有するとともに、内端面が抵抗素体１、２の外
端を圧接している。このスラグ３、４は、Ni＋Feからな
る基体円周面にCu層が形成されている。封止材５は、抵
抗素体１、２及びスラグ３、４を機密に外被している。
この封止材５とスラグ３、４の内端面、抵抗素体１の胴
部1a、先端部1b及び抵抗素体２の外周面で空室８を形成
し、この空室８内にアルゴン、ヘリウム、ネオン、チッ
ソ等の不活性ガスが封入されている。 次に、上記サージ吸収素子の製造方法を概説する。 先ず、第２図（ａ）に示すように、同一大の円柱状の
絶縁物質1c、2cを準備し、続いて、この絶縁物質1c、2c
の外周面に導電性薄膜1d、2dを形成する〔第２図（ｂ）
参照〕。次に、絶縁物質1cの方のみ胴部1aを残し、先端
部1bの微小な長さ及び深さに亘りレーザカッティングを
行い、胴部1aよりも細径の先端部1bを形成する〔第２図
（ｃ）参照〕。そして、抵抗素体１を先端部1bの端面と
抵抗素体２の端面を第２図（ｄ）のように圧接し、細溝
９を形成する。その後、図示していないが、抵抗素体
１、２の外端面からスラグ３、４を圧接するとともに、
これら抵抗素体１、２及びスラグ３、４を封止材５で密
封封入すると、第１図に示すサージ吸収素子が得られ
る。 以上の製造過程において、抵抗素体１のカッティング
に失敗しても、他方の抵抗素体２は、そのまま有効に使
用できる。 この実施例サージ吸収素子において、リード線６、７
間に規定以上の電圧が加わると、先ず、抵抗素体１の胴
部1aと抵抗素体２の外周面間の微小ギャップで放電が開
始され、さらに電流値が大きくなると、スラグ３、４の
内端面間に全面放電へと移行する。 （ヘ）発明の効果 この発明によれば、胴部と細径の先端部からなる絶縁
体の胴部周面に導電性薄膜が形成されてなる第１の抵抗
素体と、この第１の抵抗素体の胴部と同径の極状絶縁物
体の周囲に導電性薄膜が形成されてなる第２の抵抗素体
とを圧接して、サージ吸収体を形成するものであるか
ら、細溝（細径の先端部）を形成するのに、一方の抵抗
素体のカッティングのみでよいから、カッティッグに失
敗しても、他方はその後も使用でき、部品を有効に活か
すことができる。また、切削幅のコントロールも容易と
なる。更に、円柱状の両スラグの外周面に筒状の封止材
が密着して形成されているため、二段放電型のサージ吸
収素子を小形化できる。
子回路を保護するために使用されるサージ吸収素子に関
する。 （ロ）従来の技術 従来よりよく知られたサージ吸収素子としては、第３
図に示すものがある（特開昭55−128283号）。このサー
ジ吸収素子は、比誘電率が１よりも大きい、例えばアル
ミナ磁器等の円柱状の絶縁体21の表面に導電性薄膜22を
形成し、さらに導電性薄膜22を幅200μｍ以下の周溝23
により２個の部分に分割し、分割した導電性薄膜22、22
の両端にそれぞれ電極24、24を設け、電極24、24にはそ
れぞれリード線25、25を接続し、ガラス等の封止材26で
絶縁体21、電極24、24、リード線25、25を封止してい
る。そして、封止材26の内部には、不活性ガスが封入さ
れて構成されている。 このサージ吸収素子では、リード線25、25間に所定以
上の電圧が印加されると、周溝23の負電圧側から電子が
放出され、この電子により周溝23の正電圧側と負電圧側
との間に沿面放電が生起され、続いて、この沿面放電が
電極24、24間のアーク放電に移行し、このアーク放電に
より、サージ電圧が吸収される。 （ハ）発明が解決しようとする問題点 従来のサージ吸収素子は、上記したように、絶縁体21
の表面に導電性薄膜22を形成し、かつサージ吸収体を２
分する周溝23を形成するとともに、両端に電極24、24を
設けて構成されるものであり、製造上、周溝23を形成す
るため、絶縁体21のカッティング作業が入るが、このカ
ッティング作業に失敗すると、その絶縁体21全体が使用
不可になるという問題があった。 この発明は、上記に鑑み、製造過程でたとえ作業失敗
が生じても、部品を有効に利用し得るサージ吸収素子を
提供することを目的としている。 （ニ）問題点を解決するための手段及び作用 この発明のサージ吸収素子は、胴部とこの胴部より細
径の先端部とからなる絶縁体の胴部周囲に導電性薄膜が
形成されてなる第１の抵抗素体と、この第１の抵抗素体
の胴部と同径の柱状絶縁体の周囲に導電性薄膜が形成さ
れてなる第２の抵抗素体と、それぞれ第１及び第２の抵
抗素体より太径で、外端にリード線を有する１対の円柱
状のスラグと、前記第１及び第２の抵抗素体並びに１対
のスラグを内包し、内方により形成される空間に不活性
ガスを封止する筒状の封止材とを備え、第１の抵抗素体
の先端部を介して第１の抵抗素体の胴部の内端面と第２
の抵抗素体の内端面との間に間隙が形成されるように、
第１の抵抗素体の先端部の端面と第２の抵抗素体の内端
面が圧接され、この第１及び第２の抵抗素体を介して両
スラグの内端面間に間隙が形成されるように、各スラグ
の内端面がそれぞれ第１及び第２の抵抗素体の外端面に
圧接され、この円柱状の両スラグの外周面に筒状の封止
材が密着して形成され、この封止材、第１及び第２の抵
抗素体並びに１対のスラグで形成される空間に不活性ガ
スが封止されることを特徴とする。 このサージ吸収素子では、第１の抵抗素体の先端部を
介して第１の抵抗素体の胴部の内端面と第２の抵抗素体
の内端面との間に間隙（細溝）が形成されると共に、第
１及び第２の抵抗素体を介して両スラグの内端面間に間
隙が形成される。従って、リード線間に比較的小さいサ
ージ電圧が印加されると、まず細溝を介して第１及び第
２の抵抗素体の導電性薄膜間で放電が開始され、更によ
り大きいサージ電圧が印加されると、全空間を介して１
対のスラグの内端面間での全面放電に移行する。つま
り、本発明のサージ吸収素子は、二段放電型である。な
お、サージ吸収用の抵抗素体は第１と第２の２個に分割
され、一方のみをカッティングするので、カッティング
に失敗しても、他の抵抗素体を活かすことができる。 （ホ）実施例 以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明す
る。 第１図は、この発明の一実施例を示すサージ吸収素子
の断面図である。このサージ吸収素子は、サージを吸収
する１対の抵抗素体１、２と、１対のスラグ３、４と、
ガラスのような封止材５を備えている。 一方の抵抗素体１は、円柱状の胴部1aと、この胴部1a
よりも細径の円柱状の先端部1bとからなり、胴部1a、先
端部1bともムライト磁器、アルミナ磁器、セラミックス
のような絶縁物質1cで構成され、胴部1aの外周面に炭素
又は金属酸化物或いはTaN等の窒化物の導電性薄膜1dが
形成されている。先端部1bの外周面には、導電性薄膜が
形成されていない。 他方の抵抗素体２は、抵抗素体１の胴部1aと同径の円
柱状であり、抵抗素体１と同様の絶縁物質2cの外周に導
電性薄膜2dが形成されている。 スラグ３、４は、電極を兼ねるものであり、抵抗素体
１、２よりも大径の円柱状に構成され、外端にリード線
６、７を有するとともに、内端面が抵抗素体１、２の外
端を圧接している。このスラグ３、４は、Ni＋Feからな
る基体円周面にCu層が形成されている。封止材５は、抵
抗素体１、２及びスラグ３、４を機密に外被している。
この封止材５とスラグ３、４の内端面、抵抗素体１の胴
部1a、先端部1b及び抵抗素体２の外周面で空室８を形成
し、この空室８内にアルゴン、ヘリウム、ネオン、チッ
ソ等の不活性ガスが封入されている。 次に、上記サージ吸収素子の製造方法を概説する。 先ず、第２図（ａ）に示すように、同一大の円柱状の
絶縁物質1c、2cを準備し、続いて、この絶縁物質1c、2c
の外周面に導電性薄膜1d、2dを形成する〔第２図（ｂ）
参照〕。次に、絶縁物質1cの方のみ胴部1aを残し、先端
部1bの微小な長さ及び深さに亘りレーザカッティングを
行い、胴部1aよりも細径の先端部1bを形成する〔第２図
（ｃ）参照〕。そして、抵抗素体１を先端部1bの端面と
抵抗素体２の端面を第２図（ｄ）のように圧接し、細溝
９を形成する。その後、図示していないが、抵抗素体
１、２の外端面からスラグ３、４を圧接するとともに、
これら抵抗素体１、２及びスラグ３、４を封止材５で密
封封入すると、第１図に示すサージ吸収素子が得られ
る。 以上の製造過程において、抵抗素体１のカッティング
に失敗しても、他方の抵抗素体２は、そのまま有効に使
用できる。 この実施例サージ吸収素子において、リード線６、７
間に規定以上の電圧が加わると、先ず、抵抗素体１の胴
部1aと抵抗素体２の外周面間の微小ギャップで放電が開
始され、さらに電流値が大きくなると、スラグ３、４の
内端面間に全面放電へと移行する。 （ヘ）発明の効果 この発明によれば、胴部と細径の先端部からなる絶縁
体の胴部周面に導電性薄膜が形成されてなる第１の抵抗
素体と、この第１の抵抗素体の胴部と同径の極状絶縁物
体の周囲に導電性薄膜が形成されてなる第２の抵抗素体
とを圧接して、サージ吸収体を形成するものであるか
ら、細溝（細径の先端部）を形成するのに、一方の抵抗
素体のカッティングのみでよいから、カッティッグに失
敗しても、他方はその後も使用でき、部品を有効に活か
すことができる。また、切削幅のコントロールも容易と
なる。更に、円柱状の両スラグの外周面に筒状の封止材
が密着して形成されているため、二段放電型のサージ吸
収素子を小形化できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の一実施例を示すサージ吸収素子の
断面図、第２図は、同サージ吸収素子の製造方法を説明
するための図、第３図は、従来のサージ吸収素子を示す
断面図である。 １・2:抵抗素体、1a:胴部、 1b:先端部、３・4:スラグ、 5:封止材、６・7:リード線。
断面図、第２図は、同サージ吸収素子の製造方法を説明
するための図、第３図は、従来のサージ吸収素子を示す
断面図である。 １・2:抵抗素体、1a:胴部、 1b:先端部、３・4:スラグ、 5:封止材、６・7:リード線。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．胴部とこの胴部より細径の先端部とからなる絶縁体
の胴部周囲に導電性薄膜が形成されてなる第１の抵抗素
体と、この第１の抵抗素体の胴部と同径の柱状絶縁体の
周囲に導電性薄膜が形成されてなる第２の抵抗素体と、
それぞれ第１及び第２の抵抗素体より太径で、外端にリ
ード線を有する１対の円柱状のスラグと、前記第１及び
第２の抵抗素体並びに１対のスラグを内包し、内方によ
り形成される空間に不活性ガスを封止する筒状の封止材
とを備え、第１の抵抗素体の先端部を介して第１の抵抗
素体の胴部の内端面と第２の抵抗素体の内端面との間に
間隙が形成されるように、第１の抵抗素体の先端部の端
面と第２の抵抗素体の内端面が圧接され、この第１及び
第２の抵抗素体を介して両スラグの内端面間に間隙が形
成されるように、各スラグの内端面がそれぞれ第１及び
第２の抵抗素体の外端面に圧接され、この円柱状の両ス
ラグの外周面に筒状の封止材が密着して形成され、この
封止材、第１及び第２の抵抗素体並びに１対のスラグで
形成される空間に不活性ガスが封止されることを特徴と
するサージ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126798A JP2798088B2 (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | サージ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126798A JP2798088B2 (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | サージ吸収素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62283584A JPS62283584A (ja) | 1987-12-09 |
| JP2798088B2 true JP2798088B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=14944214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61126798A Expired - Lifetime JP2798088B2 (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | サージ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798088B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128283U (ja) * | 1979-03-06 | 1980-09-10 | ||
| JPS5866592U (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-06 | 松下電器産業株式会社 | サ−ジ吸収器 |
| JPS58198884A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-18 | 三菱鉱業セメント株式会社 | サ−ジ吸収素子 |
-
1986
- 1986-05-31 JP JP61126798A patent/JP2798088B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62283584A (ja) | 1987-12-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |