JPS62232880A - サ−ジ吸収素子 - Google Patents
サ−ジ吸収素子Info
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- JPS62232880A JPS62232880A JP7492486A JP7492486A JPS62232880A JP S62232880 A JPS62232880 A JP S62232880A JP 7492486 A JP7492486 A JP 7492486A JP 7492486 A JP7492486 A JP 7492486A JP S62232880 A JPS62232880 A JP S62232880A
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- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、種々の電子回路に過渡的に印加されるサー
ジ電圧から保護するために使用されるサージ吸収素子に
関する。
ジ電圧から保護するために使用されるサージ吸収素子に
関する。
（ロ）従来の技術
従来より知られたサージ吸収素子としては、第３図に示
すものがある。このサージ吸収素子は、比誘電率が１よ
りも大きい、例えばアルミナ磁気等の円柱状の絶縁体２
１の表面に導電性薄膜２２を形成し、さらに導電性薄膜
２２を幅２００μｍ以下の周溝２３により２個の部分に
分割し、分割した導電性薄膜２２．２２の両端にそれぞ
れ電極２４．２４を設け、電極２４．２４にはそれぞれ
リード線２５．２５を接続し、ガラス等の封止材２６で
絶縁体２１、電極２４．２４、リード線２５．２５を封
止している。そして、封止材２６の内部には、不活性ガ
スが封入されて構成されている。
すものがある。このサージ吸収素子は、比誘電率が１よ
りも大きい、例えばアルミナ磁気等の円柱状の絶縁体２
１の表面に導電性薄膜２２を形成し、さらに導電性薄膜
２２を幅２００μｍ以下の周溝２３により２個の部分に
分割し、分割した導電性薄膜２２．２２の両端にそれぞ
れ電極２４．２４を設け、電極２４．２４にはそれぞれ
リード線２５．２５を接続し、ガラス等の封止材２６で
絶縁体２１、電極２４．２４、リード線２５．２５を封
止している。そして、封止材２６の内部には、不活性ガ
スが封入されて構成されている。
このサージ吸収素子では、リード線２５．２５間に所定
以上の電圧が印加されると、周溝２３の負電圧側から電
子が成田され、この電子により周溝２３の正電圧側と負
電圧側との間で沿面放電が生起され、続いてこの沿面放
電が電極２４．２４間のアーク放電に移行し、このアー
ク放電によりサージ電圧が吸収される。
以上の電圧が印加されると、周溝２３の負電圧側から電
子が成田され、この電子により周溝２３の正電圧側と負
電圧側との間で沿面放電が生起され、続いてこの沿面放
電が電極２４．２４間のアーク放電に移行し、このアー
ク放電によりサージ電圧が吸収される。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
従来のサージ吸収素子は、上記したように、絶縁体２１
の表面に導電性薄膜２２を形成し、かつサージ吸収体を
２分する周溝２３を形成するとともに、両端に電極２４
．２４を設けて構成されるものであり、これをガラス等
の封止材２６で封止するものであるから、構造が複雑と
なり、特に内部素体２１を小さくするには限度があり、
そのため対応して、絶縁体を基体とするサージ吸収体の
長さを小さくすることも限界があり、素子を小型化する
ことが出来なかった。
の表面に導電性薄膜２２を形成し、かつサージ吸収体を
２分する周溝２３を形成するとともに、両端に電極２４
．２４を設けて構成されるものであり、これをガラス等
の封止材２６で封止するものであるから、構造が複雑と
なり、特に内部素体２１を小さくするには限度があり、
そのため対応して、絶縁体を基体とするサージ吸収体の
長さを小さくすることも限界があり、素子を小型化する
ことが出来なかった。
また、周溝２３や電極２４．２４は素子の品質確保」二
、複雑な組立が要請され、コスト高となる問題があった
。
、複雑な組立が要請され、コスト高となる問題があった
。
この発明は、上記に鑑み、小型化され、かつ安価に製作
できるサージ吸収素子を提供することを目的とする。
できるサージ吸収素子を提供することを目的とする。
（ニ）問題点を解決するための手段及び作用この発明の
サージ吸収素子は、外端にリード線を有するスラグと、
このスラグの内端面に先端が対設される針状電極と、こ
の針状電極のリード線を外部に導出するとともに針状電
極を保持する電極保持部と、前記スラグ、針状電極及び
電極保持部を囲撓して内室部を形成し、前記スラグと針
状電極の接触状態で、前記内室部に不活性ガスを封止す
る封止材と、封止後に前記リード間に通電して前記スラ
グの内端面と前記針状電極の先端間に形成されるマイク
ロギャップとから構成されている。
サージ吸収素子は、外端にリード線を有するスラグと、
このスラグの内端面に先端が対設される針状電極と、こ
の針状電極のリード線を外部に導出するとともに針状電
極を保持する電極保持部と、前記スラグ、針状電極及び
電極保持部を囲撓して内室部を形成し、前記スラグと針
状電極の接触状態で、前記内室部に不活性ガスを封止す
る封止材と、封止後に前記リード間に通電して前記スラ
グの内端面と前記針状電極の先端間に形成されるマイク
ロギャップとから構成されている。
このサージ吸収素子では、リード線間にサージ電圧が印
加されると、針状電極とスラグ内端面のマイクロギャッ
プで放電が開始され、サージ電圧が吸収される。
加されると、針状電極とスラグ内端面のマイクロギャッ
プで放電が開始され、サージ電圧が吸収される。
（ホ）実施例
以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明する
。
。
第１図は、この発明の一実施例を示すサージ吸収素子の
断面図である。このサージ吸収素子は、スラグｌと、針
状電極２と、電極保持部３と、スラグ１の内端面と針状
電極２の先端間に形成されるマイクロギヤノブ４と、ガ
ラスのような封止材５を備えている。
断面図である。このサージ吸収素子は、スラグｌと、針
状電極２と、電極保持部３と、スラグ１の内端面と針状
電極２の先端間に形成されるマイクロギヤノブ４と、ガ
ラスのような封止材５を備えている。
スラグｌは、一方の電極を兼ねるものであり、ＮｉとＦ
ｅとからなる基体の周囲にＣｕが形成される円筒状のも
のであり、外端にリード線６ａを有する。
ｅとからなる基体の周囲にＣｕが形成される円筒状のも
のであり、外端にリード線６ａを有する。
針状電極２は、タングステン等で構成され、屈曲部を有
するが、これは真直なものであってもよい。この針状電
極２は、予めリード線６ｂの先端に溶着されている。電
極保持部３はガラスで構成され、リード線６ｂを保持し
、従って針状電極２を保持している。封止材５は、スラ
グ１、針状電極２及び電極保持部３を囲撓し、気密に外
被している。この封止材５とスラグｌ及び電極保持部３
の内端面で空室７を形成し、この空室７内にアルゴン、
ヘリュウム、ネオン、チッソ等の不活性ガスが封入され
ている。
するが、これは真直なものであってもよい。この針状電
極２は、予めリード線６ｂの先端に溶着されている。電
極保持部３はガラスで構成され、リード線６ｂを保持し
、従って針状電極２を保持している。封止材５は、スラ
グ１、針状電極２及び電極保持部３を囲撓し、気密に外
被している。この封止材５とスラグｌ及び電極保持部３
の内端面で空室７を形成し、この空室７内にアルゴン、
ヘリュウム、ネオン、チッソ等の不活性ガスが封入され
ている。
マイクロギヤツブ４は、１０〜１００μｍの微小値であ
り、これは第２図に示すように、当初、スラグ１の内端
面に針状電極２の先端を圧接接触した状態で封止材５で
封止しておき、リード線６ａ、（ｉｂを通して１．００
０〜２，０００アンペア程度の衝撃電流を流して、接触
部の電気抵抗によるスポット溶断て形成する。
り、これは第２図に示すように、当初、スラグ１の内端
面に針状電極２の先端を圧接接触した状態で封止材５で
封止しておき、リード線６ａ、（ｉｂを通して１．００
０〜２，０００アンペア程度の衝撃電流を流して、接触
部の電気抵抗によるスポット溶断て形成する。
以上のように構成されるサージ吸収素子において、リー
ド線６ａと６ｂ間に規定以上の電圧が印加されると、ス
ラグ１の内端面と針状電極２の先端間に形成されるマイ
クロギヤツブ４で放電が開始され、サージ電圧が吸収さ
れる。
ド線６ａと６ｂ間に規定以上の電圧が印加されると、ス
ラグ１の内端面と針状電極２の先端間に形成されるマイ
クロギヤツブ４で放電が開始され、サージ電圧が吸収さ
れる。
（へ）発明の効果
この発明によれば、スラグの内端面と針状電極の先端間
で形成されるマイクロギャップで放電を生じさせるもの
であるから、従来のサージ吸収素子のような抵抗素体と
、これに設けられる周溝及び電極からなる内部素子が不
要となり、超小型化が実現できる。また、内部素子が不
要となるので、その分、安価なサージ吸収素子を得るこ
とができる。
で形成されるマイクロギャップで放電を生じさせるもの
であるから、従来のサージ吸収素子のような抵抗素体と
、これに設けられる周溝及び電極からなる内部素子が不
要となり、超小型化が実現できる。また、内部素子が不
要となるので、その分、安価なサージ吸収素子を得るこ
とができる。
第１図は、この発明の一実施例を示すサージ吸収素子の
断面図、第２図は、同サージ吸収素子のマイクロギャッ
プの形成を説明するための断面図、第３図は、従来のサ
ージ吸収素子を示す断面図である。 １ニスラグ、 ２：針状電極、 ３：電極保持部、４：マイクロギャップ、５：封止材、
６ａ・６ｂ：リード線。 特許出願人 ローム株式会社代理人
弁理士 中 村 茂 信第１図 第２図
断面図、第２図は、同サージ吸収素子のマイクロギャッ
プの形成を説明するための断面図、第３図は、従来のサ
ージ吸収素子を示す断面図である。 １ニスラグ、 ２：針状電極、 ３：電極保持部、４：マイクロギャップ、５：封止材、
６ａ・６ｂ：リード線。 特許出願人 ローム株式会社代理人
弁理士 中 村 茂 信第１図 第２図
Claims (1)
- （１）外端にリード線を有するスラグと、このスラグの
内端面に先端が対設される針状電極と、この針状電極の
リード線を外部に導出するとともに針状電極を保持する
電極保持部と、前記スラグ、針状電極及び電極保持部を
囲撓して内室部を形成し、前記スラグと針状電極の接触
状態で、前記内室部に不活性ガスを封止する封止材と、
封止後に前記リード間に通電して前記スラグの内端面と
前記針状電極の先端間に形成されるマイクロギャップと
からなるサージ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61074924A JPH0773072B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | サ−ジ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61074924A JPH0773072B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | サ−ジ吸収素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232880A true JPS62232880A (ja) | 1987-10-13 |
| JPH0773072B2 JPH0773072B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=13561400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61074924A Expired - Lifetime JPH0773072B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | サ−ジ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773072B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008210733A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Kyushu Institute Of Technology | 真空アーク放電発生方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4712435U (ja) * | 1971-03-09 | 1972-10-14 | ||
| JPS5249439A (en) * | 1975-09-18 | 1977-04-20 | Reliable Electric Co | Surge arrester |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61074924A patent/JPH0773072B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4712435U (ja) * | 1971-03-09 | 1972-10-14 | ||
| JPS5249439A (en) * | 1975-09-18 | 1977-04-20 | Reliable Electric Co | Surge arrester |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008210733A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Kyushu Institute Of Technology | 真空アーク放電発生方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0773072B2 (ja) | 1995-08-02 |
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