JP2003100417A

JP2003100417A - チップ型サージアブソーバ

Info

Publication number: JP2003100417A
Application number: JP2001291051A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Shiyatou; 康弘社藤; Masahisa Sawada; 昌久澤田; Hiroshi Ishii; 石井　　博; Yoshiyuki Tanaka; 芳幸田中
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2001-09-25
Filing date: 2001-09-25
Publication date: 2003-04-04

Abstract

(57)【要約】【課題】蓋体の壁面に伝導性のパスが形成されるの
を防ぎ、絶縁抵抗の劣化を抑える。【解決手段】各基端部３ａ、４ａから飛散する金属
を、蓋体５の両側面６、７及び上面１０から放電電極
３、４に向かって突き出した凸部８、９、１１、１２、
１３、１４によって塞き止める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、雷や静電気によっ
て発生したサージ電圧から、半導体や電気機器を保護す
るために使用されるチップ型サージアブソーバに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】チップ型サージアブソーバは、電話機や
モデム等の電気機器が外部からの信号や電力を得る入力
部に接続され、外部からの異常電圧が入力部から電気機
器に侵入する前に、異常電圧をその内部に吸収すること
で、異常電圧により電気機器が破壊されるのを未然に防
ぐものである。

【０００３】従来のチップ型サージアブソーバは、図４
に示すように、絶縁体からなる絶縁性基板２１と、この
絶縁性基板２１の上面に放電間隙２２を介して互いに対
向するように配置された放電電極２３、２４とを備えて
いる。これら放電電極２３、２４は、銅、銀、アルミニ
ウム、ニッケルなどの低抵抗の金属から構成されてい
る。

【０００４】絶縁性基板２１の上には、絶縁性物質から
なる箱状の蓋体２５が、その開口部を下に向けて設置さ
れ、放電電極２３、２４の上方に放電空間２６を形成し
ている。この放電空間２６には、放電に好適な所定のガ
スが充填される。

【０００５】また、蓋体２５と絶縁性基板２１との両端
部には、図５に示すように、これら両端部を被覆するよ
うに端子電極２７ａ、２７ｂが設置されている。これら
端子電極２７ａ、２７ｂは、蓋体２５と絶縁性基板２１
と接する内面を各放電電極２３、２４に接続されてい
る。

【０００６】そして、上記チップ型サージアブソーバに
異常電圧が印加されると、放電空間２６内が絶縁破壊を
起こし、図５中符号ａに示すように、放電間隙２２を介
して、放電電極２３、２４の先端間でグロー放電が発生
する。この放電は、矢印ｂで示すように、次第に各放電
電極２３、２４の先端から基端部２９、３０へと伸展
し、この基端部２９、３０間でアーク放電する。これに
より、異常電圧が上記チップ型サージアブソーバに吸収
されるようになっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記チップ
型サージアブソーバは、アーク放電時において、各放電
電極２３、２４の基端部２９、３０にアーク電流が点状
態となって流れ込むため、基端部２９、３０が局所的に
電流密度が高い状態となる。そのため、基端部２９、３
０が局所的に高温となり、この熱によって放電電極２
３、２４を構成する金属が融解する。この融解した金属
は金属蒸気となって、図５中矢印ｄに示すように、基端
部２９、３０から四方へ直線状に飛散する。

【０００８】そのため、上記チップ型サージアブソーバ
では、アーク放電が繰り返し行われると、基端部２９、
３０から金属が飛散して、放電空間２６の内壁を汚損
し、放電電極２３、２４間の絶縁抵抗値を低下させると
いう問題があった。

【０００９】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、放電電極間の絶縁抵抗値が低下しにくく、寿命の
長いチップ型サージアブソーバを提供することを目的と
している。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載のチップ型サージアブソーバは、蓋体
の内部壁面には、各基端部の近傍に、放電電極の一部の
上方を囲むように内方へ突出した凸部が設けられている
ことを特徴としている。

【００１１】したがって、各基端部から蓋体の内面に向
かって飛散した金属は、基端部と凸部とで形成される窓
によって、その飛散方向が制御され、絶縁を保つべき各
放電電極間の壁面における飛散金属の付着が非常に少な
くなる。このため、各放電電極間の絶縁抵抗の低下が少
なくなり、チップ型サージアブソーバの寿命を延ばすこ
とができる。

【００１２】請求項２記載のチップ型サージアブソーバ
は、凸部が、正面視アーチ型に形成されていることを特
徴としている。したがって、凸部の表面積が大きくな
り、さらに金属の飛散を防止することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係るチ
ップ型サージアブソーバについて、図１及び図２を参照
して、説明する。図１は、本発明の実施形態に係るチッ
プ型サージアブソーバＡの上部横断面図である。このチ
ップ型サージアブソーバＡは、絶縁体からなる絶縁性基
板１と、この絶縁性基板１の上面に放電間隙２を介して
互いに対向するように配置された放電電極３、４とを備
えている。これら放電電極３、４は、銅、銀、アルミニ
ウム、ニッケルなどの低抵抗の金属から構成されてい
る。そして、絶縁性基板１には、放電電極３、４の上部
を覆うように、絶縁性物質からなる箱状の蓋体５が、そ
の開口部を絶縁性基板１に向けて設置されて、絶縁性基
板１上に放電空間を形成する。この放電空間には、放電
に好適な所定のガスが充填される。このチップ型サージ
アブソーバＡの大きさは、高さが１．６mm程度、横幅が
１．６mm程度、放電電極３、４に沿う長手方向の長さが
３mm程度となっている。

【００１４】蓋体５の内部の両側面６、７には、図１及
び図２に示すように、放電電極３の基端部３ａから０．
５mmほど離れた箇所に、放電電極３に向かって０．２mm
突き出し、横幅が０．３mmの長方形状をした凸部８、９
が、各面の縦方向に沿って形成されている。また、蓋体
５の内部の上面１０には、放電電極３に向かって０．２
５mm突き出し、凸部８と凸部９を繋ぐ凸部１１が設けら
れ、これら凸部８、９、１１が、放電電極３の上方を囲
んでいる。また、放電電極４側にも、同様な凸部１２、
１３、１４が設けられている。なお、蓋体５の上面１０
に設けられた凸部１１、１４は、基端部３ａ、４ａで形
成されるアーク放電を妨げない大きさとされている。

【００１５】また、蓋体５と絶縁性基板１との両端部に
は、これら両端部を被覆するように端子電極１５、１６
が設置されている。これら端子電極１５、１６は、蓋体
５と絶縁性基板１と接する内面が各放電電極３、４に接
続されている。

【００１６】そして、上記構造のチップ型サージアブソ
ーバＡに異常電圧が印加されると、放電空間内が絶縁破
壊を起こし、放電間隙２を介して、放電電極３、４の先
端間でグロー放電がトリガされる。この放電は、次第に
各放電電極３、４の基端部３ａ、４ａまで伸展し、この
基端部３ａ、４ａ間でアーク放電する。

【００１７】すると、このアーク電流により高温となっ
た基端部３ａ、４ａから、融解して金属蒸気となった放
電電極３、４を構成する金属、図２中矢印ｅに示すよう
に、基端部３ａ、４ａから放電空間へ向かって飛散す
る。

【００１８】一方の基端部３ａから飛散した金属のう
ち、蓋体５の両側面６、７及び上面１０へ向かって飛散
した金属は、基端部３ａと凸部８、９、１１の間にある
両側面６、７、及び上面１０、並びに凸部８、９、１１
の基端部３ａ側の壁面に付着し、蓋体５の端面、両側面
６、７、上面１０並びに凸部８、９、１１とで囲まれる
空間１９ａ内に留まる。

【００１９】他方の基端部４ａから蓋体５の両側面６、
７及び上面１０へ向かって飛散した金属も、同様にし
て、蓋体５の端面、両側６、７、上面１０並びに凸部１
２、１３、１４とで囲まれる空間１９ｂ内に留まる。

【００２０】このように、上記チップ型サージアブソー
バＡによれば、基端部３ａ、４ａから蓋体５の両側面
６、７及び上面１０に向かって飛散した金属は、空間１
９ａ、１９ｂ内に留まるので、放電間隙２付近の蓋体５
の両側面６、７及び上面１０に付着する金属の割合が減
少し、放電電極３、４間の絶縁抵抗の低下が防止され
て、チップ型サージアブソーバＡの寿命が延ばされる。

【００２１】図３には、他の実施形態に係るチップ型サ
ージアブソーバＢが示されている。このチップ型サージ
アブソーバＢは、上記チップ型サージアブソーバＡにお
いて、蓋体５の内部に設けられた凸部が、正面視アーチ
状に形成されたものである。チップ型サージアブソーバ
Ｂの各凸部の大きさは、チップ型サージアブソーバＡと
同様に、アーク放電を妨げない大きさとされている。

【００２２】このチップ型サージアブソーバＢによれ
ば、アーク放電を妨げることなく、凸部の表面積を増加
させることができるので、さらに金属の飛散を防止する
ことができる。

【００２３】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１記載の
チップ型サージアブソーバによれば、蓋体の内部壁面に
は、各基端部の近傍に、両側面及び上面から放電電極に
向かって突き出し、放電電極の上方空間を囲むような凸
部が設けられているので、各基端部から蓋体の両側面及
び上面へ向かって飛散した金属は、基端部と凸部の間に
ある両側面及び上面、並びに凸部の基端部側の壁面に付
着し、蓋体の端面、両側、上面並びに凸部で囲まれる空
間内に留まるので、放電空間の内部壁面の汚損により放
電電極間の絶縁抵抗値が低下するのを防ぐことができ、
チップ型サージアブソーバの寿命を延ばすことができ
る。

【００２４】請求項２記載のチップ型サージアブソーバ
によれば、凸部を正面視アーチ型に形成することによ
り、凸部の表面積が大きくなるので、さらに金属の飛散
を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係るチップ型サージアブ
ソーバの横断面図である。

【図２】本発明の実施形態に係るチップ型サージアブ
ソーバの斜視図である。

【図３】本発明の他の実施形態に係るチップ型サージ
アブソーバの斜視図である。

【図４】従来のチップ型サージアブソーバの斜視図で
ある。

【図５】従来のチップ型サージアブソーバの縦断面図
である。

【符号の説明】

１絶縁性基板２放電間隙３、４放電電極３ａ、４ａ基端部５蓋体６、７側面１０上面８、９、１１、１２、１３、１４凸部Ａ、Ｂチップ型サージアブソーバ

フロントページの続き (72)発明者澤田昌久埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地三菱マテリアル株式会社セラミックス工場電子デバイス開発センター内 (72)発明者石井博埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地三菱マテリアル株式会社セラミックス工場電子デバイス開発センター内 (72)発明者田中芳幸埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地三菱マテリアル株式会社セラミックス工場電子デバイス開発センター内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上に、放電間隔を介して互い
に対向するように配置された放電電極と、前記それぞれの放電電極の基端部を含む前記絶縁性基板
の外周部にその周縁部を接着されて、前記絶縁性基板上
に空間を形成する蓋体とを備えたチップ型サージアブソ
ーバにおいて、前記蓋体の内部壁面には、各前記基端部の近傍に、前記
放電電極の一部の上方を囲むように内方へ突出した凸部
が設けられていることを特徴とするチップ型サージアブ
ソーバ。
【請求項２】前記凸部は、正面視アーチ型に形成され
ていることを特徴とする請求項１記載のチップ型サージ
アブソーバ。