JPH04192279A - サージ吸収素子 - Google Patents
サージ吸収素子Info
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- JPH04192279A JPH04192279A JP2320898A JP32089890A JPH04192279A JP H04192279 A JPH04192279 A JP H04192279A JP 2320898 A JP2320898 A JP 2320898A JP 32089890 A JP32089890 A JP 32089890A JP H04192279 A JPH04192279 A JP H04192279A
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- Japan
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- electrode
- gap
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- arc discharge
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T4/00—Overvoltage arresters using spark gaps
- H01T4/10—Overvoltage arresters using spark gaps having a single gap or a plurality of gaps in parallel
- H01T4/12—Overvoltage arresters using spark gaps having a single gap or a plurality of gaps in parallel hermetically sealed
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、マイクロギャップ式サージ吸収素子に関し、
特に、サージの繰り返し印加又は大電流サージ印加に対
して、寿命特性の向上したマイクロギャップ式サージ吸
収素子に関する。
特に、サージの繰り返し印加又は大電流サージ印加に対
して、寿命特性の向上したマイクロギャップ式サージ吸
収素子に関する。
[従来の技術]
サージ吸収素子は、電話機、ファクシミリ、電話交換機
等の通信回線に接続される機器等をサージから守るため
のものである。
等の通信回線に接続される機器等をサージから守るため
のものである。
従来のサージ吸収素子では、第2図に示すように、表面
に導電性被膜1を形成した碍子の中央にマイクロギャッ
プ2を形成し、その両端にリード線付きキャップ電極3
を取り付け、不活性ガス4で満たされたガラス管5内に
封入した構造のものである。即ち、従来の過電圧過電流
保護機能のサージ吸収素子は、特公昭63−20502
6号に開示される第2図に示すような構造を有するもの
である。
に導電性被膜1を形成した碍子の中央にマイクロギャッ
プ2を形成し、その両端にリード線付きキャップ電極3
を取り付け、不活性ガス4で満たされたガラス管5内に
封入した構造のものである。即ち、従来の過電圧過電流
保護機能のサージ吸収素子は、特公昭63−20502
6号に開示される第2図に示すような構造を有するもの
である。
従来のマイクロギャップ式サージ吸収素子は、印加され
る電圧が、マイクロギャップの放電開始電圧を超えると
、遅れなく、マイクロギャップ付近でグロー放電が開始
し、このグロー放電をキャップ電極間に伸展させた後に
、キャップ電極間でアーク放電を形成して、サージを吸
収するものである。従って、サージを吸Cしているとき
には、アーク放電がマイクロギャップの近傍に形成され
るために、綴り返しサージが印加されたつ、大電流のサ
ージが印加された後には、マイクロギャップが傷み、サ
ージ吸収素子としての特性が劣化した。
る電圧が、マイクロギャップの放電開始電圧を超えると
、遅れなく、マイクロギャップ付近でグロー放電が開始
し、このグロー放電をキャップ電極間に伸展させた後に
、キャップ電極間でアーク放電を形成して、サージを吸
収するものである。従って、サージを吸Cしているとき
には、アーク放電がマイクロギャップの近傍に形成され
るために、綴り返しサージが印加されたつ、大電流のサ
ージが印加された後には、マイクロギャップが傷み、サ
ージ吸収素子としての特性が劣化した。
本発明は、マイクロギャップの近傍でアーク放電が形成
されないような構造を有するマイクロギャップ式サージ
吸収素子を提供することを目的とする。
されないような構造を有するマイクロギャップ式サージ
吸収素子を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明の要旨とするものは、ギャップ式又はマイクロギ
ャップ式サージ吸収素子において、内径がマイクロギャ
ップ或いはギャップを形成した外被体碍子の直径より大
きく、長さが、該マイクロギャップ或いはギャップを十
分におおう長さの円筒形の第3の電極を取り付け、アー
ク放電の電流を該マイクロギャップ或いはギャップ付近
では、前記第3の電極に流すような構造を有することを
特徴とするマイクロギャップ式又はギヤツブ式す−ジ吸
収業子である。
ャップ式サージ吸収素子において、内径がマイクロギャ
ップ或いはギャップを形成した外被体碍子の直径より大
きく、長さが、該マイクロギャップ或いはギャップを十
分におおう長さの円筒形の第3の電極を取り付け、アー
ク放電の電流を該マイクロギャップ或いはギャップ付近
では、前記第3の電極に流すような構造を有することを
特徴とするマイクロギャップ式又はギヤツブ式す−ジ吸
収業子である。
本発明では、マイクロギャップの近傍でアーク放電が形
成されないように、第1図に示すように、従来の封入方
式ではガラス管内に第3を極を固定することが困難なた
めに、封入ガラス管を分割して、そのガラスとガラスと
の間に、第3電極を固定した。
成されないように、第1図に示すように、従来の封入方
式ではガラス管内に第3を極を固定することが困難なた
めに、封入ガラス管を分割して、そのガラスとガラスと
の間に、第3電極を固定した。
従来のマイクロギャップ式サージ吸収素子が、サージを
吸収するときには、第2図の断面図において、マイクロ
ギャップ2付近で開始された放電が、導電性被膜1の上
を進展し、キャップ電極3a、3bに達した後、キャッ
プ電極3a、3b間でアーク放電を形成するものである
。このために、アーク放電がマイクロギャップの近傍に
形成され、マイクロギャップが熱的に傷み、特性が劣化
するものであった。
吸収するときには、第2図の断面図において、マイクロ
ギャップ2付近で開始された放電が、導電性被膜1の上
を進展し、キャップ電極3a、3bに達した後、キャッ
プ電極3a、3b間でアーク放電を形成するものである
。このために、アーク放電がマイクロギャップの近傍に
形成され、マイクロギャップが熱的に傷み、特性が劣化
するものであった。
本発明では、第1図に示すように、第3を極6を設け、
封入ガラス5によって固定することにより、マイクロギ
ャップ2付近で開始された放電が、導電性被膜1上を進
展し、キャップ電極3a、3bに達した時点で、キャッ
プ電極3a、3bから各々第3電極6の表面へ放電を伸
ばし、最終的にアーク放電が、キャップ電極3a−第3
電極−キャップ電極3bの経路で、形成する。従って、
マイクロギャップの近傍では、アーク放電電流は、第3
電極6の中を流れるために、マイクロギャップを形成す
る導電性被膜は、アーク放電の熱の影響を受けなくなる
。
封入ガラス5によって固定することにより、マイクロギ
ャップ2付近で開始された放電が、導電性被膜1上を進
展し、キャップ電極3a、3bに達した時点で、キャッ
プ電極3a、3bから各々第3電極6の表面へ放電を伸
ばし、最終的にアーク放電が、キャップ電極3a−第3
電極−キャップ電極3bの経路で、形成する。従って、
マイクロギャップの近傍では、アーク放電電流は、第3
電極6の中を流れるために、マイクロギャップを形成す
る導電性被膜は、アーク放電の熱の影響を受けなくなる
。
本発明のサージ吸収素子は、電力線のサージ対策等に利
用され得る。
用され得る。
次に、本発明のサージ吸収素子を具体的な実施例により
、説明するが、本発明は、その説明により限定されるも
のではない。
、説明するが、本発明は、その説明により限定されるも
のではない。
[寒膏■ユ]
第3図A、Bは、本発明のサージ吸収素子の1例を示す
第3図Aの断面図に示すように、導電性被膜31を着膜
した長さ5.5M、径]、7はΦの円柱形碍子の両端に
内径1.68−Φ、外径2.1閣Φのキャップ電極32
を機械的に圧入し、導電性被膜の中央に幅30μm程度
のマイクロギャップ3を1本、レーザを用いて、加工形
成する。
した長さ5.5M、径]、7はΦの円柱形碍子の両端に
内径1.68−Φ、外径2.1閣Φのキャップ電極32
を機械的に圧入し、導電性被膜の中央に幅30μm程度
のマイクロギャップ3を1本、レーザを用いて、加工形
成する。
次に、内径2.2闘Φでツバ状径l○、0IllI11
Φのガラスとの封着部の長さ2mのコバール金属で作製
されたキャップ34a;内径10.0IΦ、外径11.
3nm、長さ3.0Uの円筒形ガラス35a;外径11
.3fflllΦ、内径4nIffiΦ、半径5.65
〜3.75−の部分の厚さ0.4叩、半径3.75〜2
.0帥の部分の長さが1.5蕪のコバール製の第3を極
36;内径1O11工Φ、外径11,3MΦ、長さ3.
O−の円筒形ガラスを、この順序でセットし、これにマ
イクロギャップを形成した導電性被膜を形成された円筒
形素子を挿入し、コバール製電極34b(サイズは34
aと同じ)をセットし、最後にアルゴンガス37を満た
した状態で、加熱して封入する。
Φのガラスとの封着部の長さ2mのコバール金属で作製
されたキャップ34a;内径10.0IΦ、外径11.
3nm、長さ3.0Uの円筒形ガラス35a;外径11
.3fflllΦ、内径4nIffiΦ、半径5.65
〜3.75−の部分の厚さ0.4叩、半径3.75〜2
.0帥の部分の長さが1.5蕪のコバール製の第3を極
36;内径1O11工Φ、外径11,3MΦ、長さ3.
O−の円筒形ガラスを、この順序でセットし、これにマ
イクロギャップを形成した導電性被膜を形成された円筒
形素子を挿入し、コバール製電極34b(サイズは34
aと同じ)をセットし、最後にアルゴンガス37を満た
した状態で、加熱して封入する。
本実施例によって作製されたものと、従来技術で作製さ
れたものについて、サージ耐量を測定した結果を第1表
に示す。サージ耐量は、JEC−212(電気学会、電
気規格調査会標準規格)に示されている[8X20]μ
秒の電流サージを用いて測定した。
れたものについて、サージ耐量を測定した結果を第1表
に示す。サージ耐量は、JEC−212(電気学会、電
気規格調査会標準規格)に示されている[8X20]μ
秒の電流サージを用いて測定した。
1上1
従来品A 従来品B 去」1倒」工碍子素体 ムラ
イト ムライト ムライト被膜 TiN
TiN TiNリード線径0.4は
O16■ −外被体径 6. Omm
6.0mm 11.3rMn外被体長さ21.0
肛 21.0閣 6.4閣!−ノ耐量 15
00A 3000A 100OOA肇昂開
始 、。OV 300V 300V第
1表に示されているように、従来技術では、サージ耐量
が3000A程度で限界であったのに対して、本発明の
サージ吸収素子では、100OOAまで耐えることがで
きる。
イト ムライト ムライト被膜 TiN
TiN TiNリード線径0.4は
O16■ −外被体径 6. Omm
6.0mm 11.3rMn外被体長さ21.0
肛 21.0閣 6.4閣!−ノ耐量 15
00A 3000A 100OOA肇昂開
始 、。OV 300V 300V第
1表に示されているように、従来技術では、サージ耐量
が3000A程度で限界であったのに対して、本発明の
サージ吸収素子では、100OOAまで耐えることがで
きる。
[茅し搾UぼL影コ
第4図A、Bは、本発明のサージ吸収素子の1例を示す
第4図Aに示すように、導電性被膜41を着膜した長さ
5. 501111、径1.7−Φの円柱形碍子の両端
に内径1.68mmΦ、外径2.1賦Φのキャップ電極
42を機械的に圧入し、導電性被膜の中央に輻30μm
程度のマイクロギャップ43を1本、レーザを用いて、
加工形成する。
5. 501111、径1.7−Φの円柱形碍子の両端
に内径1.68mmΦ、外径2.1賦Φのキャップ電極
42を機械的に圧入し、導電性被膜の中央に輻30μm
程度のマイクロギャップ43を1本、レーザを用いて、
加工形成する。
次に、内径2.2m1Φでツバ状径10.0@mΦのガ
ラスとの封着部の長さ2鵬のコバール金属で作製された
キャップ44a;内径10.111110Φ、外径11
.3倒m、長さ2.5mmの円筒形ガラス45a;外径
11.31111+1Φ、長さ1.4Mのコパール製の
第3電極46;内径10.1閣Φ、外径11.3−Φ、
長さ2.5髄の円筒形ガラス45bをこの順序でセット
し、これにマイクロギャップを形成した素子を挿入し、
コバール製電極44b (サイズは44aと同じ)をセ
ットし、最後にアルゴンガス47を満たした状態で、加
熱して封入する。
ラスとの封着部の長さ2鵬のコバール金属で作製された
キャップ44a;内径10.111110Φ、外径11
.3倒m、長さ2.5mmの円筒形ガラス45a;外径
11.31111+1Φ、長さ1.4Mのコパール製の
第3電極46;内径10.1閣Φ、外径11.3−Φ、
長さ2.5髄の円筒形ガラス45bをこの順序でセット
し、これにマイクロギャップを形成した素子を挿入し、
コバール製電極44b (サイズは44aと同じ)をセ
ットし、最後にアルゴンガス47を満たした状態で、加
熱して封入する。
本実施例によって作製されたものと、従来技術で作製さ
れたものとの、サージ耐量を測定した結果を第2表に示
す。
れたものとの、サージ耐量を測定した結果を第2表に示
す。
サージ耐量は、JEC−212(電気学会、電気規格調
査会標準規格)に示されている[8X20]μ秒の電流
サージを用いて測定した。
査会標準規格)に示されている[8X20]μ秒の電流
サージを用いて測定した。
1土1
従来品A 従来品B 書」1倒」工碍子業体 ムラ
イト ムライト ムライト被膜 TiN
TiN TiNリード線径0.4閣0.6m1
l+ −外被体径 6.0= 6.0閣
11,3論外被体長さ21. Own 21
. Owm 6.48雫−ノ耐量 1500A
3000A 100OOA肇早開始
、。OV 300V 300V第2表
に示されているように、従来技術では、サージ耐量が3
000A程度で限界であったのに対して、本発明のサー
ジ吸収素子では、1000OAまで耐えることができる
。
イト ムライト ムライト被膜 TiN
TiN TiNリード線径0.4閣0.6m1
l+ −外被体径 6.0= 6.0閣
11,3論外被体長さ21. Own 21
. Owm 6.48雫−ノ耐量 1500A
3000A 100OOA肇早開始
、。OV 300V 300V第2表
に示されているように、従来技術では、サージ耐量が3
000A程度で限界であったのに対して、本発明のサー
ジ吸収素子では、1000OAまで耐えることができる
。
[発明の効果コ
本発明のサージ吸収素子は、アーク放電がマイクロギャ
ップ近傍で形成しないために、以下のような著しい技術
的効果を得ることができた。
ップ近傍で形成しないために、以下のような著しい技術
的効果を得ることができた。
第1に、繰り返しサージが印加されたり、大電流のサー
ジが印加されても、サージ吸収素子としての特性が劣化
しないサージ吸収素子を提供できる。
ジが印加されても、サージ吸収素子としての特性が劣化
しないサージ吸収素子を提供できる。
第2に、また、第3電極に放電電流を流すために、封入
ガス内で放電が少なくなり、小型で大容量のサージ吸収
素子を提供できた。
ガス内で放電が少なくなり、小型で大容量のサージ吸収
素子を提供できた。
第3に、アーク放電が生じ難く、寿命が長くできるサー
ジ吸収素子を提供する。
ジ吸収素子を提供する。
第1図は、本発明のサージ吸収素子の構造を模式的に示
す一部透視斜視図である。 第2図は、従来のサージ吸収素子の構造を示す断面図で
ある。 第3図A、Bは、本発明のサージ吸収素子の構造を示す
断面図及び斜視図である。 第4図A、Bは、本発明のサージ吸収素子の構造を示す
断面図及び斜視図である。 [主要部分の符号の説明コ 1.31.41 、、、、、、、、導電性被膜2.33
.43 、、、、、、、、マイクロギャップ3a、3b
、32.42 、、、、、、、、キャップ電極4.37
.47 、、、、、、、、封入ガス5.35a、35b
、45 a、 45 b、、、、、、、。 封入用ガラス 34a、34 b、 44 a、 44 b、、、
、、、、。 封入用キャップ電極 6.36.46 、、、、、、、、第3電極特許出願人
三菱鉱業セメント株式会社代理人 弁理士 倉
持 裕 第1図 第2図 第3図 (Aン ダ 4a (B) 4b 第4図 (A) ダ 4tL 〒6
す一部透視斜視図である。 第2図は、従来のサージ吸収素子の構造を示す断面図で
ある。 第3図A、Bは、本発明のサージ吸収素子の構造を示す
断面図及び斜視図である。 第4図A、Bは、本発明のサージ吸収素子の構造を示す
断面図及び斜視図である。 [主要部分の符号の説明コ 1.31.41 、、、、、、、、導電性被膜2.33
.43 、、、、、、、、マイクロギャップ3a、3b
、32.42 、、、、、、、、キャップ電極4.37
.47 、、、、、、、、封入ガス5.35a、35b
、45 a、 45 b、、、、、、、。 封入用ガラス 34a、34 b、 44 a、 44 b、、、
、、、、。 封入用キャップ電極 6.36.46 、、、、、、、、第3電極特許出願人
三菱鉱業セメント株式会社代理人 弁理士 倉
持 裕 第1図 第2図 第3図 (Aン ダ 4a (B) 4b 第4図 (A) ダ 4tL 〒6
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ギャップ式又はマイクロギャップ式サージ吸収素子にお
いて、 内径がマイクロギャップ或いはギャップを形成した外被
体碍子の直径より大きく、長さが、該マイクロギャップ
或いはギャップを十分におおう長さの円筒形の第3の電
極を取り付け、アーク放電の電流を該マイクロギャップ
或いはギャップ付近では、前記第3の電極に流すような
構造を有することを特徴とするマイクロギャップ式又は
ギャップ式サージ吸収素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2320898A JPH04192279A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | サージ吸収素子 |
CA002056229A CA2056229C (en) | 1990-11-27 | 1991-11-26 | Microgap type surge absorber |
US07/798,528 US5184273A (en) | 1990-11-27 | 1991-11-26 | Microgap type surge absorber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2320898A JPH04192279A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | サージ吸収素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04192279A true JPH04192279A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18126503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2320898A Pending JPH04192279A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | サージ吸収素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5184273A (ja) |
JP (1) | JPH04192279A (ja) |
CA (1) | CA2056229C (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5444596A (en) * | 1992-03-31 | 1995-08-22 | Mitsubishi Materials Corporation | Surge absorber |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH076853A (ja) * | 1993-04-03 | 1995-01-10 | Patent Puromooto Center:Kk | ギャップ放電素子及びその製造方法 |
CN1044653C (zh) * | 1993-05-07 | 1999-08-11 | 专利促进中心有限公司 | 浪涌吸收器及其制造方法 |
CN2185466Y (zh) * | 1994-02-05 | 1994-12-14 | 杨炳霖 | 浪涌吸收管 |
DE4444515B4 (de) * | 1994-10-13 | 2009-10-01 | Epcos Ag | Gasgefüllter Drei-Elektroden-Überspannungsableiter für hohe Schaltleistungen |
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