JP3455011B2

JP3455011B2 - サージアブソーバおよびその製造方法

Info

Publication number: JP3455011B2
Application number: JP11263896A
Authority: JP
Inventors: 義人佐々木
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1996-05-07
Filing date: 1996-05-07
Publication date: 2003-10-06
Anticipated expiration: 2016-05-07
Also published as: JPH09306635A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子回路や電子部品
をサージから保護するためのサージアブソーバに係り、
特に、補助電極層間の微小な放電ギャップを、比較的簡
単な工程で高精度に形成でき、低電圧にて安定した放電
を発生させることができるサージアブソーバおよびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図７は、エッチング工程で製造すること
が可能なサージアブソーバの断面図である。このサージ
アブソーバは、ガラスなどの絶縁性の基板１の表面に抵
抗材料層がスパッタなどの手段で成膜され、この抵抗材
料層の一部がエッチング工程などで除去され一定間隔の
隙間が形成される。この隙間が放電ギャップ２ａとな
り、この放電ギャップ２ａの両側に残された前記抵抗材
料層が補助電極層２，２となる。基板１の両端面には、
各補助電極層２，２に導通する低抵抗の電極層３，３が
形成される。

【０００３】そして、前記電極層３，３にジメット（銅
の表面に酸化銅膜が形成されているもの）により形成さ
れた主電極４，４が接合され、全体がガラス管などの封
止体６内に密閉され、封止体６の内部にアルゴン（Ａ
ｒ），ヘリウム（Ｈｅ），ネオン（Ｎｅ）などの不活性
ガスが充填される。前記主電極４、４の外面にはリード
線５，５が接合されており、このリード線５，５が封止
体（ケース）６の外方に延びている。

【０００４】このサージアブソーバでは、リード線５，
５から両主電極４，４間にサージが印加されると、補助
電極層２，２の電気抵抗を通して所定の静電容量を持つ
放電ギャップ２ａに充電され始める。放電ギャップ２ａ
での放電開始電圧は、ギャップ長Ｇおよびガラス封止体
６内のガス圧などにより決められるが、前記放電ギャッ
プ２ａでの充電電圧が放電開始電圧（パッシェン最低電
圧）に至ると、放電ギャップ２ａの部分で補助電極層２
と２の間に放電が開始される。放電ギャップ２ａでの放
電は正放電または負放電であり、この放電は補助電極層
２，２の表面を移動し、最終的には主電極４，４間がア
ークで橋絡される。

【０００５】

【発明が解しようとする課題】しかし、図７に示すサー
ジアブソーバでは以下に列記する問題点がある。（１）サージアブソーバの放電開始電圧は放電ギャップ
２ａのギャップ長Ｇにより左右される。コンピュータな
どの電子装置において比較的低電圧のサージが印加され
たときにこのサージを放電により吸収できるようにする
ためには、前記ギャップ長Ｇを短くすることが必要であ
る。図７に示すように、補助電極層となる抵抗材料層を
成膜した後にエッチング工程によって放電ギャップ２ａ
を形成するものでは、ギャップ長Ｇを１０μｍ以下の短
いものにできる。しかし薄膜のエッチング工程では、前
記ギャップ長Ｇを最短でも４μｍまたは５μｍ程度とす
ることが限界であり、１μｍや２μｍの超微小ギャップ
を形成することは困難である。したがって放電開始電圧
を低下させるのにも限界がある。

【０００６】（２）エッチング工程によりギャップ長Ｇ
を数μｍのオーダにて形成するためには、抵抗材料層が
成膜された後に、その表面にマスク層を成膜し、このマ
スク層にエッチングのための微小な隙間を形成すること
が必要である。ギャップ長Ｇが数μｍの場合には、マス
ク層の隙間も数μｍに設定しなくてはならない。しかし
マスク層に前記数μｍの隙間を高精度に設定するのは技
術的にみてきわめて困難である。そのため、放電ギャッ
プ２ａのギャップ長Ｇを数μｍのオーダでばらつきがな
く高精度に且つ均一に形成するのは難しい。ギャップ長
Ｇにばらつきが生じると、個々のサージアブソーバにお
いて放電開始電圧に大きな差が発生しやすく、品質が安
定しなくなる。

【０００７】（３）補助電極層２が薄膜であるため、１
回サージが印加され放電ギャップ２ａにて放電が開始さ
れると、この放電が開始された部分で、薄膜の補助電極
層２が破損しやすい。よって、サージ印加回数が多くな
ると安定した放電開始ができなくなり、寿命の短いもの
となる。

【０００８】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、放電ギャップの超微小のギャップ長を高精度に決
めやすく、またそのための製造工程も比較的簡単であ
り、放電開始電圧を低くし且つ安定させることができ、
さらにはサージ印加回数に対する寿命を向上することが
可能なサージアブソーバおよびその製造方法を提供する
ことを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のサージアブソー
バは、間隔を開けて配置された一対の主電極と、この主
電極間に設けられた絶縁性の基体と、この基体の表面に
隙間を開けて設けられそれぞれが前記主電極に導通して
いる対を成す補助電極層とが設けられ、それぞれの前記
補助電極層は、前記隙間を介して対向する対向面を有
し、その対向面は、間隔寸法が補助電極層の厚さ方向に
向かって変化するように傾斜して形成されて、前記隙間
の最も間隔寸法の短い部分が、両補助電極層間で放電が
開始される放電ギャップとされており、前記対向面は、
補助電極層の結晶面に基づいて一定のテーパ角を有する
ように異方性エッチングされた傾斜面であることを特徴
とするものである。

【００１０】例えば、前記隙間の間隔寸法は、補助電極
層の表面側で長く、基体との境界部で短くなるように、
両補助電極層の対向面が互いに対称な向きで傾斜してい
るものとなる。

【００１１】また、本発明のサージアブソーバの製造方
法は、絶縁性の基体に抵抗体を重ねる工程と、抵抗体の
表面に一定の間隔を開けてマスク層を形成する工程と、
前記マスク層の間隔部分から前記抵抗体に対して異方性
エッチングを施し前記抵抗体に厚さ方向に向かって間隔
寸法が相違する隙間を形成する工程と、前記隙間により
分離された両抵抗体を補助電極層として各補助電極層に
主電極を導通させる工程と、基体と補助電極層を密閉す
る工程とを有し、前記隙間の間隔寸法の最も短い部分が
放電ギャップとなるサージアブソーバを製造するもので
ある。

【００１２】上記方法において、補助電極層となる抵抗
体の表面に残るマスク層の上に電子を放出しやすい材料
層を形成し、この材料層を放電ギャップの近傍にて補助
電極層に導通させる工程を含むようにすることが可能で
ある。

【００１３】本発明では、ガラス基板などの基体（また
は基板）の表面に一定の厚さの抵抗体が接合されこの抵
抗体が補助電極層となるが、この抵抗体は薄膜ではな
く、前記基体に接合できるようなある程度の板厚寸法を
有する抵抗板である。この抵抗板としては、例えばボロ
ン（Ｂ）などをドーピングして電気抵抗値を低下させた
シリコン基板などが用いられる。この抵抗板の表面に間
隔を開けてマスク層を形成し、間隔部分から異方性エッ
チングを施すと、抵抗体の結晶構造に基づくテーパ角に
基づいて一定の角度の傾斜面となるようにエッチングさ
れる。したがってマスク層の間隔が広くても、エッチン
グの結果最も間隔の短くなる放電ギャップの部分ではギ
ャップ長を高精度に設定でき、また１μｍや２μｍ程度
の超微小な放電ギャップを安定して形成することができ
る。すなわち異方性エッチングではその材料に応じてエ
ッチングの傾斜角度が決められるため、マスク層の間隔
寸法を設定しておけば、超微小の放電ギャップを高精度
に形成できる。またマスク層の間隔はギャップ長よりも
十分に長くできるため、その間隔を高精度に設定しやす
くなる。

【００１４】このサージアブソーバでは、例えば上記の
異方性エッチングを用いることにより、放電ギャップを
１μｍや２μｍにできるため、放電開始電圧を低くでき
る。また放電ギャップのギャップ長が高精度にて安定す
るため、個々のサージアブソーバにて放電電圧のばらつ
きが生じにくくなる。また、補助電極層は抵抗板などの
比較的厚いものとなるため、放電開始部分の損傷が少な
く、よって繰返しのサージ印加に対して強いものとな
り、長寿命となる。また補助電極層が厚いため、図７に
示す従来例のように主電極と接続するための電極層３，
３を設けなくても、図１に示すように、補助電極層を主
電極に直接に導通させることができ、構造を簡単にでき
る。

【００１５】また、異方性エッチングにより放電ギャッ
プを形成する際、抵抗体の表面に設けられているマスク
層がＳｉＯ₂などの非導電体膜である場合には、エッチ
ング完了後にこのマスク層を除去する。ただし、このマ
スク層を残しておき、図４や図５に示すように、マスク
層の上に電子を放出しやすいＭｇＯ（酸化マグネシウ
ム）などの材料層を設け、この材料層を放電ギャップの
近傍にて補助電極層に導通させておくと、放電ギャップ
にて発生した放電が前記材料層の表面を伝わって主電極
間に至り、主電極間での放電に発展させることができ
る。また前記材料層は電子を放出しやすいものであるた
め、放電がこの材料層を伝わって主電極に至る時間も短
くなり、主電極間の放電に至るまでの放電開始時間を短
縮化でき、応答性のよいものとなる。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の構成例で
のサージアブソーバを示す断面図である。基体１１は絶
縁性であり、例えば平板状のガラス基板である。この基
体１１の表面には、補助電極層１２，１２が設けられて
いる。この補助電極層１２，１２は、シリコン（Ｓｉ）
基板などの抵抗体であり、その板厚Ｔは、前記基体１１
を構成するガラス基板と同程度あるいはガラス基板より
も厚い寸法である。また、補助電極層１２，１２を構成
しているシリコン（Ｓｉ）基板は、ボロン（Ｂ）などの
金属材料がドーピングされ、電気抵抗が下げられてお
り、シリコン（Ｓｉ）に比べて低抵抗となっている。補
助電極層１２となる抵抗体は、異方性エッチングを行な
ったときに、結晶面に基づき所定のテーパ角を設定して
エッチングできるものであればどのようなものであって
もよい。

【００１７】補助電極層１２，１２には、図１の紙面に
直交する方向の全長に渡って前記抵抗体が異方性エッチ
ングにより除去された隙間１３が形成されている。この
隙間１３では、対向する前記対を成す補助電極層１２，
１２の対向面１４，１４が一定のテーパ角αの傾斜面と
なっている。その結果、隙間１３の間隔寸法が補助電極
層１２の厚さ方向において相違しており、補助電極層１
２の表面側では間隔寸法が長く（広く）、基体１１との
境界部では間隔寸法が短く（狭く）なっている。基体１
１との境界部での最も間隔寸法の短くなっている部分
が、放電電圧を決める放電ギャップ１３ａであり、その
ギャップ長Ｇは例えば１μｍや２μｍ程度であり、超微
小ギャップが形成されている。

【００１８】基体１１の両側はジメットなどで形成され
た主電極１５，１５によって挟まれている。基体１１の
表面に設けられた前記補助電極層１２，１２は板状の抵
抗体により形成されたものでその肉厚寸法Ｔが大きいた
め、基体１１と補助電極層１２に主電極１５を接合する
と、図７に示す従来の電極層３，３を設けなくても、補
助電極層１２と主電極１５とを導通させることができ
る。よって構造を図７に示す従来例よりも単純化でき
る。また、主電極１５，１５の外面にはリード線１６，
１６が半田付けまたは溶接などにより取り付けられてい
る。間隔を開けて配置された一対の主電極１５，１５の
外周面にはガラス管による封止体１７が嵌着されて、基
体１１および補助電極層１２の存在する空間が密封され
ている。またこの空間内にはアルゴンガスなどの不活性
ガスが充填されている。

【００１９】このサージアブソーバでは、リード線１
６，１６から両主電極１５，１５間にサージが印加され
ると、補助電極層１２，１２の電気抵抗を通して所定の
静電容量を持つ放電ギャップ１３ａに充電され始める。
放電ギャップ１３ａでの放電開始電圧は、ギャップ長Ｇ
およびガラス封止体１７内のガス圧などにより決められ
るが、前記放電ギャップ１３ａでの充電電圧が放電開始
電圧（パッシェン最低電圧）に至ると、放電ギャップ１
３ａにおいて、補助電極層１２と１２の間で放電が開始
される。放電ギャップ１３ａでの放電は正放電または負
放電であり、この放電は補助電極層１２，１２の表面を
伝わり、最終的には主電極１５，１５間がアークで橋絡
される。

【００２０】図１に示すサージアブソーバでは、放電ギ
ャップ１３ａのギャップ長Ｇを１μｍまたは２μｍ程度
の超微小ギャップにできるため、放電開始電圧を低下さ
せることができ、低電圧のサージに対応できるものとな
る。また補助電極層１２，１２の肉厚Ｔが大きいため、
放電ギャップ１３ａで放電が行われたときに、補助電極
層１２の放電による損傷が少なく、よって繰返しのサー
ジ印加に対する寿命が長くなる。

【００２１】図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、上記サージア
ブソーバの製造工程の一部を示している。図３（Ａ）で
は、ガラス基板などの基体１１の表面に抵抗体１２ａを
接合する。この抵抗体１２ａは、板厚Ｔが０．１ｍｍ以
上または０．３ｍｍ以上あるいは０．５ｍｍ以上または
１ｍｍ程度の厚さ寸法を有するシリコン基板である。こ
のシリコン基板には基体１１との接合工程の前にボロン
（Ｂ）などの金属が熱処理などによりドーピングされ、
シリコン（Ｓｉ）のみの抵抗体よりも低抵抗とされる。
基体１１と抵抗体１２ａとが接合された後に、抵抗体１
２ａの表面にマスク層２１が形成される。このマスク層
は高分子材料またはＳｉＯ₂などであり、コーティング
またはスパッタなどで成膜される。

【００２２】次に、図３（Ｂ）に示すように、前記マス
ク層２１が一定の間隔で且つ一定の長さＬ分だけ除去さ
れて間隔２１ａが形成される。この間隔２１ａの部分
で、下層である前記抵抗体１２ａが露出している。マス
ク層２１に間隔２１ａが形成された状態で、湿式エッチ
ングにより間隔２１ａの間から異方性エッチングを施
し、間隔２１ａから露出している抵抗体１２ａを部分的
に除去する。その結果、図３（Ｃ）に示すように、抵抗
体１２ａに逆Ｖ字形状の隙間１３が形成され、隙間１３
の両側に残った抵抗体が補助電極層１２となる。異方性
エッチングにより隙間１３を介して対向する補助電極層
１２，１２の対向面１４，１４は平面的な傾斜面とな
り、基体１１との境界面では、間隔が最も狭くなり、こ
の部分に放電ギャップ１３ａが形成される。

【００２３】異方性エッチング工程の後に、マスク層２
１が分解液または除去液などにより除去される。そして
隙間１３が形成された部分を中心として左右均等となる
寸法Ｓで切り出すと、１個のサージアブソーバを構成す
る基体１１および補助電極層１２が得られる。この基体
１１および補助電極層１２の両端部に、図１に示す主電
極１５，１５を接合し、内部に不活性ガスを充填しなが
ら封止体１７により封止し、サージアブソーバが完成す
る。

【００２４】前記異方性エッチング工程では、図２に拡
大して示すように、隙間１３を介して対向する両補助電
極層１２，１２の対向面１４，１４が傾斜面となるが、
シリコン（Ｓｉ）基板では、異方性エッチングのテーパ
角αが（１００）面で５４．７度と決まっている。した
がって、放電ギャップ１３ａのギャップ長Ｇを１μｍに
するためには、抵抗体１２ａの肉厚Ｔを１ｍｍとする
と、マスク層２１の間隔２１ａの長さＬを０．７４４ｍ
ｍに設定すればよい。すなわち、図３（Ｂ）の工程にお
いて、マスク層２１の間隔２１ａの長さＬを０．７４４
ｍｍに設定すれば、異方性エッチング工程により、放電
ギャップ１３ａのギャップ長Ｇを高精度に１μｍとなる
ように仕上げることができる。マスク層２１に０．７４
４ｍｍの間隔２１ａを設定することは困難ではなく、例
えばマスク層２１に１μｍの間隔を形成することに比べ
ればマスク層２１の寸法の設定がきわめて容易になる。
この０．７４４ｍｍ程度の間隔２１ａの寸法の設定は高
精度にできるため、異方性エッチング後の放電ギャップ
１３ａのギャップ長Ｇの寸法を高精度に１μｍとなるよ
うに決めることが可能である。本発明のサージアブソー
バでは、放電ギャップ１３ａを１μｍまたは数μｍのオ
ーダ、さらには１μｍ以下のとなるように高精度に決め
ることができるため、放電開始電圧を低くでき、また個
々のサージアブソーバごとに放電開始電圧のばらつきが
発生しにくくなる。

【００２５】図４および図５は本発明の第２の構成例に
よるサージアブソーバを放電ギャップ１３ａの部分を中
心として部分的に示したものである。図４に示すサージ
アブソーバでは、図３（Ａ）の工程において、抵抗体１
２ａの表面に形成されるマスク層２１がＳｉＯ2などで
あり、このマスク層２１がスパッタなどにより成膜され
る。そして、異方性エッチングが完了した図３（Ｃ）の
工程において、マスク層２１を除去せず、隙間１３とマ
スク層２１の上面の全域に電子放出材料層２２をスパッ
タなどで成膜する。この材料層２２は、ＭｇＯ（酸化マ
グネシウム）などの電子を放出しやすい導電性材料であ
る。マスク層２１を残し材料層２２を成膜した後にサー
ジアブソーバの単体の寸法Ｓにて切り出し、図１に示す
主電極１５，１５を接合するなどしてサージアブソーバ
を製造する。

【００２６】前記材料層２２は、マスク層２１の上を覆
っており、その一部が隙間１３の部分で補助電極層１
２，１２の対向面１４の全域を覆いこの部分で補助電極
層１２，１２に導通されている。また図４の左右両端で
は、前記材料層２２が主電極１５，１５の部分に延び、
主電極１５，１５と導通されている。前記材料層２２の
電気抵抗を補助電極層１２の電気抵抗よりも十分に高く
設定しておくと、主電極１５，１５間にサージが印加し
たときに、このサージが主に補助電極層１２を伝わり、
放電ギャップ１３ａの部分で補助電極１２，１２間での
放電が開始される。この放電は、電子を放出しやすい材
料層２２の表面を伝わって両側の主電極１５，１５に至
り、主電極１５と１５の間の放電に発展する。放電ギャ
ップ１３ａで発生した放電が、電子を放出しやすい材料
層２２の表面を伝達するため、放電が主電極１５に至る
までの時間を短縮でき、放電ギャップ１３ａで放電が開
始されてから主電極１５，１５間の放電に至る時間を短
縮でき、応答性のよいサージアブソーバを構成できる。

【００２７】ただし、図４では放電ギャップ１３ａの部
分が前記材料層２２に覆われているため、放電ギャップ
１３ａの部分において、補助電極層１２，１２間で放電
が発生しにくくなる場合が予測される。したがって、図
５に示すように、電子を放出しやすい材料層２２が、放
電ギャップ１３ａを覆うことなく、放電ギャップ１３ａ
の近傍の対向面１４，１４においてのみ、前記材料層２
２が補助電極層１２に導通する形状とすることが好まし
い。図４では、前記材料層２２の電気抵抗を補助電極層
１２よりも十分に高くしなければならないため、材料層
２２として使用できる材料に制約があるが、図５に示す
ものでは、放電ギャップ１３ａの部分で前記材料層２２
が短絡されていないため、材料層２２の電気抵抗を比較
的低いものにでき、材料選択の自由度がある。

【００２８】図６は本発明の第３の構成例のサージアブ
ソーバの放電ギャップの部分を示す拡大側面図である。
この構成例では、対を成す補助電極層１２と１２との隙
間おいて、対向面１４と１４の傾斜方向が図１などに示
した前記構成例と逆向きになっている。すなわち、補助
電極層１２，１２の表面側にて間隔１３の長さが短くな
り、この部分に放電ギャップ１３ａが形成されている。
また基体１１との境界部では補助電極層１２と１２との
距離が長くなっている。この種のサージアブソーバで
は、補助電極１２と１２との間に放電が発生するときに
補助電極層１２の抵抗体が放電によるスパッタ現象によ
り放出され、放出された抵抗材料が隙間１３の底部に溜
まることがあり得る。図１に示した構成例では隙間１３
の底部が１μｍ程度の放電ギャップ１３ａになっている
ため、この部分に前記抵抗材料が溜まると、補助電極１
２と１２が短絡され、サージアブソーバとして動作でき
ないことがあり得る。しかし、図６に示す実施例では隙
間１３の底部１３ｂの間隔が広くなっているため、この
部分に前記抵抗材料が溜まっても、両側の補助電極層１
２と１２とが短絡しにくくなり、この点においても長寿
命化を期待できる。

【００２９】

【発明の効果】以上のように本発明では、補助電極層間
に形成される放電ギャップを１μｍや２μｍの超微小ギ
ャップに設定することが容易になり、放電開始電圧の低
いサージアブソーバを構成できる。また放電ギャップの
ギャップ長を安定できるため、個々のサージアブソーバ
での放電開始電圧にばらつきが発生するのを防止でき
る。さらに、製造工程では、超微小な放電ギャップを形
成するためのマスク層の間隔を広くでき、マスク層の形
成も容易である。

【００３０】また補助電極層の肉厚が大きいため、繰返
しのサージ印加に対して補助電極層の劣化が生じにく
く、寿命を長くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のサージアブソーバの第１の構成例を示
す縦断面図、

【図２】図１に示すサージアブソーバの放電ギャップの
部分を示す拡大図、

【図３】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は図１に示すサージアブソ
ーバの製造方法の工程の一部を示す側面図、

【図４】本発明の第２の構成例を示すサージアブソーバ
の放電ギャップの部分を示す拡大図、

【図５】本発明の第２の構成例を示すサージアブソーバ
の放電ギャップの部分を示す拡大図、

【図６】本発明の第３の構成例のサージアブソーバの放
電ギャップの部分を示す拡大図、

【図７】従来の他のサージアブソーバの全体構造を示す
断面図、

【符号の説明】

１１基体１２補助電極層１３隙間１３ａ放電ギャップ１４対向面１５主電極１６リード線１７封止体

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】間隔を開けて配置された一対の主電極
と、この主電極間に設けられた絶縁性の基体と、この基
体の表面に隙間を開けて設けられそれぞれが前記主電極
に導通している対を成す補助電極層とが設けられ、それぞれの前記補助電極層は、前記隙間を介して対向す
る対向面を有し、その対向面は、間隔寸法が補助電極層
の厚さ方向に向かって変化するように傾斜して形成され
て、前記隙間の最も間隔寸法の短い部分が、両補助電極
層間で放電が開始される放電ギャップとされており、前記対向面は、補助電極層の結晶面に基づいて一定のテ
ーパ角を有するように異方性エッチングされた傾斜面で
あることを特徴とするサージアブソーバ。
【請求項２】前記隙間の間隔寸法は、補助電極層の表
面側で長く、基体との境界部で短くなるように、前記補
助電極層の対向面が互いに対称な向きで傾斜している請
求項１記載のサージアブソーバ。
【請求項３】前記補助電極層は、シリコン（Ｓｉ）膜
である請求項１または２記載のサージアブソーバ。
【請求項４】前記隙間の最小寸法が１〜２μｍである
請求項１ないし３のいずれかに記載のサージアブソー
バ。
【請求項５】絶縁性の基体に抵抗体を重ねる工程と、
抵抗体の表面に一定の間隔を開けてマスク層を形成する
工程と、前記マスク層の間隔部分から前記抵抗体に対し
て異方性エッチングを施し前記抵抗体に厚さ方向に向か
って間隔寸法が相違する隙間を形成する工程と、前記隙
間により分離された両抵抗体を補助電極層として各補助
電極層に主電極を導通させる工程と、基体と補助電極層
を密閉する工程とを有し、前記隙間の間隔寸法の最も短
い部分が放電ギャップとなるサージアブソーバを製造す
る方法。
【請求項６】前記異方性エッチングにより、前記補助
電極層の前記隙間を介して対向する対向面を、補助電極
層の結晶面に基づく一定のテーパ角を有する傾斜面とす
る請求項５記載のサージアブソーバを製造する方法。
【請求項７】補助電極層となる抵抗体の表面に残るマ
スク層の上に電子を放出しやすい材料層を形成し、この
材料層を放電ギャップの近傍にて補助電極層に導通させ
る工程を含む請求項５または６記載のサージアブソーバ
の製造方法。