JPH06321645A - チタン酸バリウム系磁器半導体の製造方法及びそれに用いる融着防止剤の固定液 - Google Patents
チタン酸バリウム系磁器半導体の製造方法及びそれに用いる融着防止剤の固定液Info
- Publication number
- JPH06321645A JPH06321645A JP5108046A JP10804693A JPH06321645A JP H06321645 A JPH06321645 A JP H06321645A JP 5108046 A JP5108046 A JP 5108046A JP 10804693 A JP10804693 A JP 10804693A JP H06321645 A JPH06321645 A JP H06321645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ptc
- molded
- barium titanate
- molded body
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 チタン酸バリウム系半導体からなる成形体２
…の表面に、各成形体２…間の融着を防止するジルコニ
ア粉末３を散布するとともに、上記ジルコニア粉末３を
成形体２…表面に固定する、少なくともポリビニルアル
コールを含有する固定液を噴霧もしくは塗布した後、各
成形体２…の正面もしくは背面が接触するように並べて
焼成する。 【効果】 成形体表面に融着防止剤を固定することがで
きるので、成形体を縦並べに載置して焼成することが可
能となり、これによって、成形体の融着を低減し、チタ
ン酸バリウム系磁器半導体の収率を向上させることがで
きる。
…の表面に、各成形体２…間の融着を防止するジルコニ
ア粉末３を散布するとともに、上記ジルコニア粉末３を
成形体２…表面に固定する、少なくともポリビニルアル
コールを含有する固定液を噴霧もしくは塗布した後、各
成形体２…の正面もしくは背面が接触するように並べて
焼成する。 【効果】 成形体表面に融着防止剤を固定することがで
きるので、成形体を縦並べに載置して焼成することが可
能となり、これによって、成形体の融着を低減し、チタ
ン酸バリウム系磁器半導体の収率を向上させることがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＴＣ（Positive Tem
perature Coefficient) 特性を有する、例えばチタン酸
バリウム系半導体からなる成形体を焼成してなるチタン
酸バリウム系磁器半導体の製造方法及びそれに用いる融
着防止剤の固定液に関するものである。
perature Coefficient) 特性を有する、例えばチタン酸
バリウム系半導体からなる成形体を焼成してなるチタン
酸バリウム系磁器半導体の製造方法及びそれに用いる融
着防止剤の固定液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、チタン酸バリウム系磁器半導
体は、例えば図２に示すように、ジルコニア板１１上に
チタン酸バリウム系半導体からなる成形体（以下、ＰＴ
Ｃ成形体と称する）１２を積み上げて載置した後、焼成
して製造される。尚、各ＰＴＣ成形体１２…が焼成時に
互いに融着しないように、通常、融着防止剤としてジル
コニア粉末１３を各ＰＴＣ成形体１２…間に介在させて
焼成している。
体は、例えば図２に示すように、ジルコニア板１１上に
チタン酸バリウム系半導体からなる成形体（以下、ＰＴ
Ｃ成形体と称する）１２を積み上げて載置した後、焼成
して製造される。尚、各ＰＴＣ成形体１２…が焼成時に
互いに融着しないように、通常、融着防止剤としてジル
コニア粉末１３を各ＰＴＣ成形体１２…間に介在させて
焼成している。
【０００３】ところが、一般に、焼成前のＰＴＣ成形体
１２は、粘土のように柔らかいものが多く、図２に示す
ように、ＰＴＣ成形体１２…を積み上げて載置した場
合、上方側に載置されたＰＴＣ成形体１２…の重みによ
り、下方側に載置されているＰＴＣ成形体１２が変形す
る虞れがあり、これによって、ＰＴＣ成形体１２…の載
置数は限られる。通常、その載置数は、ＰＴＣ成形体１
２の厚み、また、焼成装置の大きさ等にもよるが、１０
以下が望ましい。
１２は、粘土のように柔らかいものが多く、図２に示す
ように、ＰＴＣ成形体１２…を積み上げて載置した場
合、上方側に載置されたＰＴＣ成形体１２…の重みによ
り、下方側に載置されているＰＴＣ成形体１２が変形す
る虞れがあり、これによって、ＰＴＣ成形体１２…の載
置数は限られる。通常、その載置数は、ＰＴＣ成形体１
２の厚み、また、焼成装置の大きさ等にもよるが、１０
以下が望ましい。
【０００４】また、このようにＰＴＣ成形体１２…を積
み上げて載置した場合、その最上段のＰＴＣ成形体１２
は、他のＰＴＣ成形体１２…よりも空気との接触面積が
大きくなる。これによって、焼成後の抵抗特性等の物性
が、最上段と他のＰＴＣ成形体１２…とでは異なる。一
方、最下段のＰＴＣ成形体１２は、ジルコニア板１１と
接触していることから、焼成時に、その接触面で僅かに
反応が見られるため、焼成後の抵抗特性等の物性が、他
のＰＴＣ成形体１２…とは異なる。このため、少なくと
も、最上段及び最下段のＰＴＣ成形体１２・１２は廃棄
され、残りのＰＴＣ成形体１２…の焼成体がチタン酸バ
リウム系磁器半導体として使用される。
み上げて載置した場合、その最上段のＰＴＣ成形体１２
は、他のＰＴＣ成形体１２…よりも空気との接触面積が
大きくなる。これによって、焼成後の抵抗特性等の物性
が、最上段と他のＰＴＣ成形体１２…とでは異なる。一
方、最下段のＰＴＣ成形体１２は、ジルコニア板１１と
接触していることから、焼成時に、その接触面で僅かに
反応が見られるため、焼成後の抵抗特性等の物性が、他
のＰＴＣ成形体１２…とは異なる。このため、少なくと
も、最上段及び最下段のＰＴＣ成形体１２・１２は廃棄
され、残りのＰＴＣ成形体１２…の焼成体がチタン酸バ
リウム系磁器半導体として使用される。
【０００５】ところが、上記の製造方法では、常に、最
上段及び最下段の焼成体を除いたものを物性の均一なチ
タン酸バリウム系磁器半導体として使用しているので、
その収率は、ＰＴＣ成形体１２…の載置段数を１０段と
すれば、最大でも８０％にしかならず、多くの場合、焼
成すればＰＴＣ成形体間の融着等の問題が生じるので、
８０％よりも低くなる。したがって、ＰＴＣ成形体を積
み上げて焼成する方法では、製造されるチタン酸バリウ
ム系磁器半導体の、少なくとも２０％が廃棄されるの
で、物性の均一なチタン酸バリウム系磁器半導体の収率
を、８０％以上に向上させることができないという問題
が生じている。
上段及び最下段の焼成体を除いたものを物性の均一なチ
タン酸バリウム系磁器半導体として使用しているので、
その収率は、ＰＴＣ成形体１２…の載置段数を１０段と
すれば、最大でも８０％にしかならず、多くの場合、焼
成すればＰＴＣ成形体間の融着等の問題が生じるので、
８０％よりも低くなる。したがって、ＰＴＣ成形体を積
み上げて焼成する方法では、製造されるチタン酸バリウ
ム系磁器半導体の、少なくとも２０％が廃棄されるの
で、物性の均一なチタン酸バリウム系磁器半導体の収率
を、８０％以上に向上させることができないという問題
が生じている。
【０００６】そこで、例えば図３に示すように、ジルコ
ニア板１１上に、ＰＴＣ成形体１２を縦並べに載置して
焼成してチタン酸バリウム系磁器半導体を製造する方法
が考えられる。この方法では、両端に載置されているＰ
ＴＣ成形体１２・１２の空気との接触面積が、他のＰＴ
Ｃ成形体１２…よりも大きくなり、焼成後の物性が、他
のＰＴＣ成形体１２…と異なるので、両端のＰＴＣ成形
体１２・１２の焼成体は、常に廃棄される。
ニア板１１上に、ＰＴＣ成形体１２を縦並べに載置して
焼成してチタン酸バリウム系磁器半導体を製造する方法
が考えられる。この方法では、両端に載置されているＰ
ＴＣ成形体１２・１２の空気との接触面積が、他のＰＴ
Ｃ成形体１２…よりも大きくなり、焼成後の物性が、他
のＰＴＣ成形体１２…と異なるので、両端のＰＴＣ成形
体１２・１２の焼成体は、常に廃棄される。
【０００７】それにもかかわらず、ＰＴＣ成形体１２を
縦並べに載置した場合、ＰＴＣ成形体１２…の載置数
は、ジルコニア板１１の大きさ及び焼成装置の大きさに
よっても変わるが、少なくとも上記の積み上げ載置の場
合の１０段よりも多くすることができるので、物性の均
一なチタン酸バリウム系磁器半導体の収率を、少なくと
も８０％以上にすることができる。
縦並べに載置した場合、ＰＴＣ成形体１２…の載置数
は、ジルコニア板１１の大きさ及び焼成装置の大きさに
よっても変わるが、少なくとも上記の積み上げ載置の場
合の１０段よりも多くすることができるので、物性の均
一なチタン酸バリウム系磁器半導体の収率を、少なくと
も８０％以上にすることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の製造
方法において、ＰＴＣ成形体１２…縦並べに載置する
と、融着防止剤が脱落して、ＰＴＣ成形体１２…が融着
を起こす虞れがある。そこで、ＰＴＣ成形体１２…から
の融着防止剤の脱落を防ぐために、融着防止剤として使
用するジルコニア粉末１３の粒径を非常に小さくするこ
とで、静電気等によってＰＴＣ成形体１２…に融着防止
剤を付着させる方法が考えられる。しかしながら、この
場合、ジルコニア粉末１３の比表面積が大きくなるの
で、それに伴い、表面エネルギーが大きくなり、これに
よって、ＰＴＣ成形体１２とジルコニア粉末１３とが焼
成時に反応し、焼成後のＰＴＣ成形体の物性が変化す
る。このことから、表面エネルギーを小さくするため
に、ジルコニア粉末１３の粒径を大きくする必要が生じ
る。
方法において、ＰＴＣ成形体１２…縦並べに載置する
と、融着防止剤が脱落して、ＰＴＣ成形体１２…が融着
を起こす虞れがある。そこで、ＰＴＣ成形体１２…から
の融着防止剤の脱落を防ぐために、融着防止剤として使
用するジルコニア粉末１３の粒径を非常に小さくするこ
とで、静電気等によってＰＴＣ成形体１２…に融着防止
剤を付着させる方法が考えられる。しかしながら、この
場合、ジルコニア粉末１３の比表面積が大きくなるの
で、それに伴い、表面エネルギーが大きくなり、これに
よって、ＰＴＣ成形体１２とジルコニア粉末１３とが焼
成時に反応し、焼成後のＰＴＣ成形体の物性が変化す
る。このことから、表面エネルギーを小さくするため
に、ジルコニア粉末１３の粒径を大きくする必要が生じ
る。
【０００９】しかしながら、ジルコニア粉末１３の粒径
が大きくなれば、ＰＴＣ成形体１２表面から、ジルコニ
ア粉末１３が脱落しやすくなり、これによって、焼成
後、各ＰＴＣ成形体１２…間が融着を起こす虞れがある
ので、チタン酸バリウム系磁器半導体の収率を低下させ
るという問題が生じている。
が大きくなれば、ＰＴＣ成形体１２表面から、ジルコニ
ア粉末１３が脱落しやすくなり、これによって、焼成
後、各ＰＴＣ成形体１２…間が融着を起こす虞れがある
ので、チタン酸バリウム系磁器半導体の収率を低下させ
るという問題が生じている。
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であって、その目的は、焼成時のＰＴＣ成形体間の融着
を低減させ、これによって、チタン酸バリウム系磁器半
導体の収率を向上させるようなチタン酸バリウム系磁器
半導体の製造方法を提供することにある。
であって、その目的は、焼成時のＰＴＣ成形体間の融着
を低減させ、これによって、チタン酸バリウム系磁器半
導体の収率を向上させるようなチタン酸バリウム系磁器
半導体の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のチタン酸
バリウム系半導体からなる成形体の焼成方法は、上記の
課題を解決するために、チタン酸バリウム系半導体から
なる成形体の表面に、各成形体間の融着を防止する融着
防止剤を散布するとともに、この融着防止剤を成形体表
面に固定する、少なくともポリビニルアルコールを含有
する固定液を噴霧もしくは塗布した後、各成形体を互い
に接触するように並べて焼成することを特徴としてい
る。
バリウム系半導体からなる成形体の焼成方法は、上記の
課題を解決するために、チタン酸バリウム系半導体から
なる成形体の表面に、各成形体間の融着を防止する融着
防止剤を散布するとともに、この融着防止剤を成形体表
面に固定する、少なくともポリビニルアルコールを含有
する固定液を噴霧もしくは塗布した後、各成形体を互い
に接触するように並べて焼成することを特徴としてい
る。
【００１２】また、請求項２記載の融着防止剤の固定液
は、ポリビニルアルコール、イオン交換水もしくは蒸留
水、およびアルコールを混合してなることを特徴として
いる。
は、ポリビニルアルコール、イオン交換水もしくは蒸留
水、およびアルコールを混合してなることを特徴として
いる。
【００１３】ここで、上記融着防止剤としては、チタン
酸バリウム系半導体との反応性の低い、ジルコニアの粉
末が好適に使用される。このジルコニアの粉末の粒径
は、５０μｍ以上のものが好ましく、さらに、５０〜３
００μｍの範囲のものが好ましい。
酸バリウム系半導体との反応性の低い、ジルコニアの粉
末が好適に使用される。このジルコニアの粉末の粒径
は、５０μｍ以上のものが好ましく、さらに、５０〜３
００μｍの範囲のものが好ましい。
【００１４】尚、上記ジルコニア粉末の粒径が５０μｍ
より小さければ、上記の固定液を使用せずとも、静電気
等によってジルコニア粉末を成形体表面に付着すること
ができる。しかしながら、この場合、ジルコニア粉末の
比表面積が大きく、これによって、表面エネルギーが大
きくなるので、焼成時にチタン酸バリウム系半導体と反
応する虞れがある。したがって、ジルコニアの粉末は、
その表面エネルギーを低減させるために、粒径を５０μ
ｍ以上とする必要がある。
より小さければ、上記の固定液を使用せずとも、静電気
等によってジルコニア粉末を成形体表面に付着すること
ができる。しかしながら、この場合、ジルコニア粉末の
比表面積が大きく、これによって、表面エネルギーが大
きくなるので、焼成時にチタン酸バリウム系半導体と反
応する虞れがある。したがって、ジルコニアの粉末は、
その表面エネルギーを低減させるために、粒径を５０μ
ｍ以上とする必要がある。
【００１５】一方、粒径が３００μｍ以上であれば、成
形体の表面にジルコニア粉末を固定した場合、ジルコニ
ア層が厚くなり、成形体を接触させながら載置するとき
に、同一載置台での成形体の載置数が減少し、成形体の
載置効率を低減させる。
形体の表面にジルコニア粉末を固定した場合、ジルコニ
ア層が厚くなり、成形体を接触させながら載置するとき
に、同一載置台での成形体の載置数が減少し、成形体の
載置効率を低減させる。
【００１６】また、上記融着防止剤の固定液に含まれ
る、ポリビニルアルコール、イオン交換水もしくは蒸留
水、アルコールの混合比は、固体のポリビニルアルコー
ルの重量比１に対して、イオン交換水もしくは蒸留水は
１０以上、アルコールは３０以下とするのが望ましい。
る、ポリビニルアルコール、イオン交換水もしくは蒸留
水、アルコールの混合比は、固体のポリビニルアルコー
ルの重量比１に対して、イオン交換水もしくは蒸留水は
１０以上、アルコールは３０以下とするのが望ましい。
【００１７】尚、上記のアルコールの重量比が、ポリビ
ニルアルコール１に対して３０よりも大きければ、固定
液がゲル化して全体の粘性が増し、噴霧及び塗布するこ
とが困難となり、作業効率を低下させる。また、アルコ
ールの重量比が３０以下でも、上記のイオン交換水もし
くは蒸留水の重量比が１０よりも小さければこの場合
も、固定液の粘性が増し、噴霧及び塗布することが困難
となり、作業効率を低下させる。
ニルアルコール１に対して３０よりも大きければ、固定
液がゲル化して全体の粘性が増し、噴霧及び塗布するこ
とが困難となり、作業効率を低下させる。また、アルコ
ールの重量比が３０以下でも、上記のイオン交換水もし
くは蒸留水の重量比が１０よりも小さければこの場合
も、固定液の粘性が増し、噴霧及び塗布することが困難
となり、作業効率を低下させる。
【００１８】また、ポリビニルアルコールに含有させる
アルコールとしては、固定液を噴霧もしくは塗布した場
合の乾燥促進性等により、炭素数の少ないメタノールも
しくはエタノール等の低級アルコールが望ましいが、こ
れに限定することなく、他のアルコールでもよい。
アルコールとしては、固定液を噴霧もしくは塗布した場
合の乾燥促進性等により、炭素数の少ないメタノールも
しくはエタノール等の低級アルコールが望ましいが、こ
れに限定することなく、他のアルコールでもよい。
【００１９】また、上記ポリビニルアルコールは、通
常、チタン酸バリウム系半導体の成形体に使用されるバ
インダー液として使用されているので、焼成後、ＰＴＣ
成形体の焼成体表面に残留してもその物性に影響を与え
ることはない。
常、チタン酸バリウム系半導体の成形体に使用されるバ
インダー液として使用されているので、焼成後、ＰＴＣ
成形体の焼成体表面に残留してもその物性に影響を与え
ることはない。
【００２０】
【作用】請求項１記載のチタン酸バリウム系磁器半導体
の製造方法によれば、チタン酸バリウム系半導体からな
る成形体の表面に、融着防止剤を固定することで、融着
防止剤が成形体表面から脱落するのを防止することがで
きるので、成形体を縦並べに載置することができる。こ
れによって、焼成後の成形体の融着数を低減させるとと
もに、チタン酸バリウム系磁器半導体の収率を、成形体
を積み上げて載置した場合のチタン酸バリウム系磁器半
導体の収率よりも増加させることができる。
の製造方法によれば、チタン酸バリウム系半導体からな
る成形体の表面に、融着防止剤を固定することで、融着
防止剤が成形体表面から脱落するのを防止することがで
きるので、成形体を縦並べに載置することができる。こ
れによって、焼成後の成形体の融着数を低減させるとと
もに、チタン酸バリウム系磁器半導体の収率を、成形体
を積み上げて載置した場合のチタン酸バリウム系磁器半
導体の収率よりも増加させることができる。
【００２１】また、請求項２記載の融着防止剤の固定液
によれば、この固定液に用いられているポリビニルアル
コールはチタン酸バリウム系半導体の成形体を成形する
際のバインダー液として使用されているので、この固定
液に含まれるポリビニルアルコールは、焼成後の成形体
の物性に影響を与えない。また、この固定液に含まれる
アルコールによって、成形体表面に噴霧もしくは塗布さ
れた固定液の乾燥時間が短くなり、これによって、チタ
ン酸バリウム系磁器半導体の製造時間が短縮し、製造効
率を向上させることができる。
によれば、この固定液に用いられているポリビニルアル
コールはチタン酸バリウム系半導体の成形体を成形する
際のバインダー液として使用されているので、この固定
液に含まれるポリビニルアルコールは、焼成後の成形体
の物性に影響を与えない。また、この固定液に含まれる
アルコールによって、成形体表面に噴霧もしくは塗布さ
れた固定液の乾燥時間が短くなり、これによって、チタ
ン酸バリウム系磁器半導体の製造時間が短縮し、製造効
率を向上させることができる。
【００２２】
【実施例】本発明の一実施例について図１に基づいて説
明すれば、以下の通りである。
明すれば、以下の通りである。
【００２３】本実施例に係るチタン酸バリウム系磁器半
導体は、以下の手順に従って製造されたものである。
導体は、以下の手順に従って製造されたものである。
【００２４】まず、チタン酸バリウム系基体組成物に、
半導体化剤を加えて、チタン酸バリウム系半導体とした
粉末状原料と、ポリビニルアルコールからなるバインダ
ー液とを混練したものを、直径１６．３ｍｍ、厚さ２．
５ｍｍ、重量１．６３ｇの円板状に成形した。以下、こ
の成形体をＰＴＣ成形体と称する。
半導体化剤を加えて、チタン酸バリウム系半導体とした
粉末状原料と、ポリビニルアルコールからなるバインダ
ー液とを混練したものを、直径１６．３ｍｍ、厚さ２．
５ｍｍ、重量１．６３ｇの円板状に成形した。以下、こ
の成形体をＰＴＣ成形体と称する。
【００２５】尚、上記の粉末状原料の組成は、BaTiO3(8
0mol%),SrTiO3(20mol%),Dy2O3(0.13mol%),MnO2(0.15mol
%),SiO2(0.1mol%)である。
0mol%),SrTiO3(20mol%),Dy2O3(0.13mol%),MnO2(0.15mol
%),SiO2(0.1mol%)である。
【００２６】次に、図１（ａ）に示すように、複数の、
上記ＰＴＣ成形体２…を、正面もしくは背面を上側に向
けて配列し、その上に、融着防止剤としてのジルコニア
粉末３（第一希元素工業（株）製ＡＳ−２１００（粒度
５０〜３００μｍ））をほぼ均一となるように散布し
た。次いで、ジルコニア粉末３の散布されたＰＴＣ成形
体２…の表面に、ポリビニルアルコールの重量比１に対
して、イオン交換水１２、エタノール１９を混合した固
定液を、霧吹きによって噴霧した。そして、１０分間放
置して、上記固定液を乾燥させた。
上記ＰＴＣ成形体２…を、正面もしくは背面を上側に向
けて配列し、その上に、融着防止剤としてのジルコニア
粉末３（第一希元素工業（株）製ＡＳ−２１００（粒度
５０〜３００μｍ））をほぼ均一となるように散布し
た。次いで、ジルコニア粉末３の散布されたＰＴＣ成形
体２…の表面に、ポリビニルアルコールの重量比１に対
して、イオン交換水１２、エタノール１９を混合した固
定液を、霧吹きによって噴霧した。そして、１０分間放
置して、上記固定液を乾燥させた。
【００２７】次いで、図１（ｂ）に示すように、アルミ
ナ製のサヤ１上にＰＴＣ成形体２…の正面もしくは背面
が接触するように縦並べに載置した。このとき、一つの
サヤには、ＰＴＣ成形体２…を３８０個載置し、このサ
ヤ５段を焼成装置に入れて、焼成を行った。
ナ製のサヤ１上にＰＴＣ成形体２…の正面もしくは背面
が接触するように縦並べに載置した。このとき、一つの
サヤには、ＰＴＣ成形体２…を３８０個載置し、このサ
ヤ５段を焼成装置に入れて、焼成を行った。
【００２８】尚、このときの焼成工程は、はじめ１時間
に１８０℃の割合で１３５０℃まで昇温し、１３５０℃
で２時間保持し、その後、１時間に１５０℃の割合で降
温するようになっている。
に１８０℃の割合で１３５０℃まで昇温し、１３５０℃
で２時間保持し、その後、１時間に１５０℃の割合で降
温するようになっている。
【００２９】最後に、焼成後のＰＴＣ成形体２…を室温
まで冷却した後、例えば、正面もしくは背面に、オーミ
ック性の銀電極（デグサ社製）を塗布し、５８０℃にお
いて５分間、焼き付けて電極を形成し、その電極上にカ
バー電極（デグサ社製）を塗布し、５６０℃において５
分間さらに焼き付けを行って、チタン酸バリウム系磁器
半導体を得た。
まで冷却した後、例えば、正面もしくは背面に、オーミ
ック性の銀電極（デグサ社製）を塗布し、５８０℃にお
いて５分間、焼き付けて電極を形成し、その電極上にカ
バー電極（デグサ社製）を塗布し、５６０℃において５
分間さらに焼き付けを行って、チタン酸バリウム系磁器
半導体を得た。
【００３０】そこで、上記製造方法において得られた焼
成後のＰＴＣ成形体２…の融着個数を調べるとともに、
上記の実施例の比較例として、ＰＴＣ成形体２…に融着
防止剤の固定液を用いずに焼成を行い、この場合の、焼
成後のＰＴＣ成形体２…の融着個数を調べた（比較例
１）。
成後のＰＴＣ成形体２…の融着個数を調べるとともに、
上記の実施例の比較例として、ＰＴＣ成形体２…に融着
防止剤の固定液を用いずに焼成を行い、この場合の、焼
成後のＰＴＣ成形体２…の融着個数を調べた（比較例
１）。
【００３１】さらに、上記の実施例の他の比較例とし
て、ＰＴＣ成形体２…の融着防止剤の固定液としてアセ
トンを用いて焼成を行い、この場合の、焼成後のＰＴＣ
成形体２…の融着個数を調べた（比較例２）。
て、ＰＴＣ成形体２…の融着防止剤の固定液としてアセ
トンを用いて焼成を行い、この場合の、焼成後のＰＴＣ
成形体２…の融着個数を調べた（比較例２）。
【００３２】以上の実施例、比較例１、２のＰＴＣ成形
体の融着数を表１に示す。
体の融着数を表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１から、比較例１では、融着防止剤の固
定液を使用していないので、ＰＴＣ成形体２…表面から
殆どの融着防止剤が剥がれるため、３８０個中殆どのＰ
ＴＣ成形体が融着していることが分かる。
定液を使用していないので、ＰＴＣ成形体２…表面から
殆どの融着防止剤が剥がれるため、３８０個中殆どのＰ
ＴＣ成形体が融着していることが分かる。
【００３５】また、比較例２では、融着防止剤の固定液
としてアセトンを使用しており、初期の頃は融着防止剤
を固定することができるが、アセトンは揮発性が強いの
で、すぐに融着防止剤が脱落しやすい状態となる。この
ため、比較例２と同様に、３８０個中殆どのＰＴＣ成形
体が融着していることが分かる。
としてアセトンを使用しており、初期の頃は融着防止剤
を固定することができるが、アセトンは揮発性が強いの
で、すぐに融着防止剤が脱落しやすい状態となる。この
ため、比較例２と同様に、３８０個中殆どのＰＴＣ成形
体が融着していることが分かる。
【００３６】ところが、本実施例では、焼成後のＰＴＣ
成形体２…の融着数が、上記比較例１及び比較例２に比
べて遥かに少ないことから、融着防止剤として、ポリビ
ニルアルコールを含む固定液を使用することで、焼成
中、融着防止剤がＰＴＣ成形体表面に固定されているこ
とが分かる。
成形体２…の融着数が、上記比較例１及び比較例２に比
べて遥かに少ないことから、融着防止剤として、ポリビ
ニルアルコールを含む固定液を使用することで、焼成
中、融着防止剤がＰＴＣ成形体表面に固定されているこ
とが分かる。
【００３７】また、本実施例では、融着防止剤の固定液
に含まれているエタノールによって固定液の乾燥時間を
短縮させているので、融着防止剤の固定を迅速に行うこ
とができ、結果として、チタン酸バリウム系磁器半導体
の製造時間を短縮させることができる。
に含まれているエタノールによって固定液の乾燥時間を
短縮させているので、融着防止剤の固定を迅速に行うこ
とができ、結果として、チタン酸バリウム系磁器半導体
の製造時間を短縮させることができる。
【００３８】また、上記の製造方法によれば、ＰＴＣ成
形体２…を立てた状態で接触させながら並べて焼成する
ことができるので、ＰＴＣ成形体２…の載置数を多くす
ることができ、且つ、ＰＴＣ成形体２…を縦並べに載置
しているにもかかわらず、融着防止材としてのジルコニ
ア粉末３を固定することができるので、融着を低減させ
ることができる。その結果、均一な抵抗特性を有するチ
タン酸バリウム系磁器半導体を収率良く製造することが
できる。
形体２…を立てた状態で接触させながら並べて焼成する
ことができるので、ＰＴＣ成形体２…の載置数を多くす
ることができ、且つ、ＰＴＣ成形体２…を縦並べに載置
しているにもかかわらず、融着防止材としてのジルコニ
ア粉末３を固定することができるので、融着を低減させ
ることができる。その結果、均一な抵抗特性を有するチ
タン酸バリウム系磁器半導体を収率良く製造することが
できる。
【００３９】
【発明の効果】請求項１記載の発明のチタン酸バリウム
系磁器半導体の製造方法は、以上のように、チタン酸バ
リウム系半導体からなる成形体の表面に、各成形体間の
融着を防止する融着防止剤を散布するとともに、上記融
着防止剤を成形体表面に固定する、少なくともポリビニ
ルアルコールを含有する固定液を噴霧もしくは塗布した
後、焼成するものである。
系磁器半導体の製造方法は、以上のように、チタン酸バ
リウム系半導体からなる成形体の表面に、各成形体間の
融着を防止する融着防止剤を散布するとともに、上記融
着防止剤を成形体表面に固定する、少なくともポリビニ
ルアルコールを含有する固定液を噴霧もしくは塗布した
後、焼成するものである。
【００４０】これによって、成形体表面に融着防止剤を
固定することができるので、成形体を縦並べに載置して
も、融着防止剤の脱落を防止することができる。
固定することができるので、成形体を縦並べに載置して
も、融着防止剤の脱落を防止することができる。
【００４１】それゆえ、成形体を効率良く載置すること
ができるので、チタン酸バリウム系磁器半導体の収率を
向上させることができるという効果を奏する。
ができるので、チタン酸バリウム系磁器半導体の収率を
向上させることができるという効果を奏する。
【００４２】また、請求項２記載の融着防止剤の固定液
は、ポリビニルアルコール、イオン交換水もしくは蒸留
水、およびアルコールを混合してなる構成である。
は、ポリビニルアルコール、イオン交換水もしくは蒸留
水、およびアルコールを混合してなる構成である。
【００４３】これによって、融着防止剤を成形体表面に
安定して固定することができ、また、固定液の乾燥時間
を短縮することが可能となる。
安定して固定することができ、また、固定液の乾燥時間
を短縮することが可能となる。
【００４４】それゆえ、チタン酸バリウム系磁器半導体
の製造時間が短縮され、製造効率が向上するという効果
を奏する。
の製造時間が短縮され、製造効率が向上するという効果
を奏する。
【図１】本発明の一実施例のチタン酸バリウム系磁器半
導体の製造方法を示すものであって、同図（ａ）はチタ
ン酸バリウム系半導体からなる成形体の表面に融着防止
剤を固定している状態を示す説明図であり、同図（ｂ）
は上記の成形体を縦並べに載置している状態を示す説明
図である。
導体の製造方法を示すものであって、同図（ａ）はチタ
ン酸バリウム系半導体からなる成形体の表面に融着防止
剤を固定している状態を示す説明図であり、同図（ｂ）
は上記の成形体を縦並べに載置している状態を示す説明
図である。
【図２】従来のチタン酸バリウム系磁器半導体の製造方
法における、チタン酸バリウム系半導体からなる成形体
の載置状態を示す説明図である。
法における、チタン酸バリウム系半導体からなる成形体
の載置状態を示す説明図である。
【図３】従来のチタン酸バリウム系磁器半導体の製造方
法における、チタン酸バリウム系半導体からなる成形体
の他の載置状態を示す説明図である。
法における、チタン酸バリウム系半導体からなる成形体
の他の載置状態を示す説明図である。
２ ＰＴＣ成形体（チタン酸バリウム系半導体からな
る成形体） ３ ジルコニア粉末（融着防止剤）
る成形体） ３ ジルコニア粉末（融着防止剤）
Claims (2)
- 【請求項１】チタン酸バリウム系半導体からなる成形体
の表面に、各成形体間の融着を防止する融着防止剤を散
布するとともに、上記融着防止剤を成形体表面に固定す
る、少なくともポリビニルアルコールを含有する固定液
を噴霧もしくは塗布した後、各成形体の正面もしくは背
面が接触するように並べて焼成することを特徴とするチ
タン酸バリウム系磁器半導体の製造方法。 - 【請求項２】ポリビニルアルコール、イオン交換水もし
くは蒸留水、およびアルコールを混合してなることを特
徴とする融着防止剤の固定液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5108046A JPH06321645A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | チタン酸バリウム系磁器半導体の製造方法及びそれに用いる融着防止剤の固定液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5108046A JPH06321645A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | チタン酸バリウム系磁器半導体の製造方法及びそれに用いる融着防止剤の固定液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06321645A true JPH06321645A (ja) | 1994-11-22 |
Family
ID=14474564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5108046A Pending JPH06321645A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | チタン酸バリウム系磁器半導体の製造方法及びそれに用いる融着防止剤の固定液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06321645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008130679A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Nichicon Corp | サーミスタ素子の焼成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136677A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Fuji Electric Co Ltd | 圧電セラミツクス薄板の製造方法 |
| JPS63230583A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-27 | 日産化学工業株式会社 | セラミツクス基板の処理法 |
| JPH0524935A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-02 | Kawasaki Refract Co Ltd | 焼成工程における耐火物の溶着防止方法 |
| JPH05105530A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-04-27 | Ishizuka Glass Co Ltd | 焼成用敷粉およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP5108046A patent/JPH06321645A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136677A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Fuji Electric Co Ltd | 圧電セラミツクス薄板の製造方法 |
| JPS63230583A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-27 | 日産化学工業株式会社 | セラミツクス基板の処理法 |
| JPH0524935A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-02 | Kawasaki Refract Co Ltd | 焼成工程における耐火物の溶着防止方法 |
| JPH05105530A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-04-27 | Ishizuka Glass Co Ltd | 焼成用敷粉およびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008130679A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Nichicon Corp | サーミスタ素子の焼成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0170089B1 (en) | Dielectric compositions | |
| US3495996A (en) | Ceramic composition,improved electronic devices employing same,and method of fabrication | |
| US3004197A (en) | Ceramic capacitor and method of making it | |
| JP2762309B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを使用した電子部品 | |
| JPH06321645A (ja) | チタン酸バリウム系磁器半導体の製造方法及びそれに用いる融着防止剤の固定液 | |
| EP0486827B1 (en) | Dielectric material and capacitor made from the same | |
| US3103441A (en) | Ceramic materials having flat temperature characteristics | |
| JP2520699B2 (ja) | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 | |
| CA1215440A (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| JP2926827B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2808758B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の焼成方法 | |
| JPH0360788B2 (ja) | ||
| Reynolds et al. | Ceramic capacitor materials | |
| JP3599645B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2642390B2 (ja) | 厚膜コンデンサ | |
| JPS61232260A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| GB2247014A (en) | Ceramic dielectric composition for multilayer capacitor | |
| JPH02229701A (ja) | 超電導セラミック酸化物組体 | |
| JPS6149269B2 (ja) | ||
| JP2937024B2 (ja) | 半導体磁器組成物とその製造方法 | |
| Buchanan | Thomas G. Reynolds III | |
| JPH0115128B2 (ja) | ||
| JPH0246712A (ja) | 半導体磁器素子の製造方法 | |
| JPH07187814A (ja) | セラミックの焼成方法 | |
| JPH02229416A (ja) | 半導体磁器の粒界層形成方法 |