JPH06317907A - ポジ型感光性レジスト組成物及びそれを用いた銅含有層のパターン形成方法 - Google Patents
ポジ型感光性レジスト組成物及びそれを用いた銅含有層のパターン形成方法Info
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- JPH06317907A JPH06317907A JP6031351A JP3135194A JPH06317907A JP H06317907 A JPH06317907 A JP H06317907A JP 6031351 A JP6031351 A JP 6031351A JP 3135194 A JP3135194 A JP 3135194A JP H06317907 A JPH06317907 A JP H06317907A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 銅含有基体上の露光領域において現像され
えないレジストを形成することがない感光性レジスト組
成物及びその用途を提供する。 【構成】 酸触媒存在下で反応する基を有するフィル
ム形成反応性ポリマー、例えば、ｔ−ブチルメタクリレ
ート／メチルメタクリレート／メタクリル酸のターポリ
マーと、フィルム形成反応性ポリマーの酸触媒作用を生
成するための、放射光に露光されることによって酸を発
生するヨードニウム開始剤又はトリフル酸を発生する非
イオン性フォトアシッド発生剤と、クエン酸の如き多官
能基有機カルボン酸と、を含有することを特徴とする組
成物。
えないレジストを形成することがない感光性レジスト組
成物及びその用途を提供する。 【構成】 酸触媒存在下で反応する基を有するフィル
ム形成反応性ポリマー、例えば、ｔ−ブチルメタクリレ
ート／メチルメタクリレート／メタクリル酸のターポリ
マーと、フィルム形成反応性ポリマーの酸触媒作用を生
成するための、放射光に露光されることによって酸を発
生するヨードニウム開始剤又はトリフル酸を発生する非
イオン性フォトアシッド発生剤と、クエン酸の如き多官
能基有機カルボン酸と、を含有することを特徴とする組
成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的には、レジスト組
成物に使用される、ポリマーとヨードニウムフォトアシ
ッド発生剤又は非イオン性トリフル酸（triflic acid）
発生剤との混合物に関し、詳しくは、酸触媒作用による
デプロテクションメカニズムによって機能する印刷され
たサーキットボードの製造に用いられる改良された感光
性レジスト組成物に関する。
成物に使用される、ポリマーとヨードニウムフォトアシ
ッド発生剤又は非イオン性トリフル酸（triflic acid）
発生剤との混合物に関し、詳しくは、酸触媒作用による
デプロテクションメカニズムによって機能する印刷され
たサーキットボードの製造に用いられる改良された感光
性レジスト組成物に関する。
【０００２】さらに詳細には、多官能基有機カルボンは
本発明の組成物中に使用され、現像されえないレジスト
を完全に取り除かないまでも、それを実質的に減少さ
せ、レジストの剥離性を向上させる。
本発明の組成物中に使用され、現像されえないレジスト
を完全に取り除かないまでも、それを実質的に減少さ
せ、レジストの剥離性を向上させる。
【０００３】
【従来の技術】酸触媒作用による連鎖反応（例えば、重
合、解重合、側鎖開裂等）を基にする化学的に増幅され
たレジストシステムの設計は、精密リトグラフにおける
高感度レジストシステムに到る実行可能なルートとして
認識されている。そのようなシステムは、例えば、Ｈ．
イトウ、Ｃ．Ｇ．ウィルソンらの「エレクトロニクスに
おけるポリマー（Polymers In Electronics ）」Ｔ．デ
ビットソン編集、ワシントン Ｄ．Ｃ．におけるＡＣＳ
シンポジウム シリーズ２４２、アメリカンケミカル
ソサエティー（American Chemical Society 、１９８
４年）第１１頁に記載されている。これらのシステム
は、化学的増幅を伴う高感度を提供するが、フリーラジ
カルを基にする欠点を回避する。このタイプのシステム
は、例えば、半導体への適用においてサブミクロンの如
き高解像度の能力を有する。それらは、酸素の影響を受
けないため、液状で薄いフィルムとして適用しうる。
合、解重合、側鎖開裂等）を基にする化学的に増幅され
たレジストシステムの設計は、精密リトグラフにおける
高感度レジストシステムに到る実行可能なルートとして
認識されている。そのようなシステムは、例えば、Ｈ．
イトウ、Ｃ．Ｇ．ウィルソンらの「エレクトロニクスに
おけるポリマー（Polymers In Electronics ）」Ｔ．デ
ビットソン編集、ワシントン Ｄ．Ｃ．におけるＡＣＳ
シンポジウム シリーズ２４２、アメリカンケミカル
ソサエティー（American Chemical Society 、１９８
４年）第１１頁に記載されている。これらのシステム
は、化学的増幅を伴う高感度を提供するが、フリーラジ
カルを基にする欠点を回避する。このタイプのシステム
は、例えば、半導体への適用においてサブミクロンの如
き高解像度の能力を有する。それらは、酸素の影響を受
けないため、液状で薄いフィルムとして適用しうる。
【０００４】酸触媒作用によるデプロテクションメカニ
ズムによって機能するフォトレジストは、ポジ型に機能
するポリマーを利用する。即ち、露光されないレジスト
は現像剤中で不溶であり、しかしながら、露光条件下で
は、可溶性の物質に変換される。化学的には、これは、
酸触媒作用の反応である熱的開裂によって、側基の化学
的性質を変化させることによって達成される。ヨードニ
ウム塩等の化合物は、光又は熱誘導分解により酸を発生
する。これらの物質は典型的には、特有の染料によっ
て、所望の波長に対して増感されている。
ズムによって機能するフォトレジストは、ポジ型に機能
するポリマーを利用する。即ち、露光されないレジスト
は現像剤中で不溶であり、しかしながら、露光条件下で
は、可溶性の物質に変換される。化学的には、これは、
酸触媒作用の反応である熱的開裂によって、側基の化学
的性質を変化させることによって達成される。ヨードニ
ウム塩等の化合物は、光又は熱誘導分解により酸を発生
する。これらの物質は典型的には、特有の染料によっ
て、所望の波長に対して増感されている。
【０００５】しかしながら、銅表面上でポジ型の挙動を
示すフォトレジスト中でヨードニウム塩及び非イオン性
トリフル酸発生剤を使用することは、銅表面の露光領域
に、レジストの現像されえない層を形成するため非実用
的である。さらに、フォトレジストは、しばしば、水酸
化ナトリウムの如き標準的な塩基性水溶液で剥離しにく
い。これらの問題を解決する試みとして、非電子化クロ
ーム又はニッケル処理による銅の不活性化方法、又は、
硫酸塩の如き代りのフォトアシッド発生剤の使用等が挙
げられる。あいにく、銅不活性化方法は、付加的なプロ
セスのステップを伴い、さらに、しばしば毒性の物質を
利用するため、非現実的である。同様に、硫酸塩類は、
可視光に対する増感が困難であり、このため写真スピー
ドが低いことから、良好に実行されなかった。
示すフォトレジスト中でヨードニウム塩及び非イオン性
トリフル酸発生剤を使用することは、銅表面の露光領域
に、レジストの現像されえない層を形成するため非実用
的である。さらに、フォトレジストは、しばしば、水酸
化ナトリウムの如き標準的な塩基性水溶液で剥離しにく
い。これらの問題を解決する試みとして、非電子化クロ
ーム又はニッケル処理による銅の不活性化方法、又は、
硫酸塩の如き代りのフォトアシッド発生剤の使用等が挙
げられる。あいにく、銅不活性化方法は、付加的なプロ
セスのステップを伴い、さらに、しばしば毒性の物質を
利用するため、非現実的である。同様に、硫酸塩類は、
可視光に対する増感が困難であり、このため写真スピー
ドが低いことから、良好に実行されなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記の如く、本発明の
目的は、ヨードニウム開始剤又は非イオン性トリフル酸
発生剤を含有するポジ型感光性レジスト組成物であっ
て、銅表面の露光領域において現像されえないレジスト
を形成するという前記の問題点に患わされないレジスト
組成物を提供することにある。
目的は、ヨードニウム開始剤又は非イオン性トリフル酸
発生剤を含有するポジ型感光性レジスト組成物であっ
て、銅表面の露光領域において現像されえないレジスト
を形成するという前記の問題点に患わされないレジスト
組成物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によって、多官能
基有機カルボン酸をポジ型挙動を示すフォトレジスト配
合物に添加剤として使用することにより、それらを銅合
金上で使用することが可能となり、さらに、これら感光
性レジストがヨードニウム開始剤及び／又は非イオン性
トリフル酸発生剤を使用できることが見出された。かか
るレジストが銅及び銅合金表面上に、残留レジストが出
現することなく使用されうる。
基有機カルボン酸をポジ型挙動を示すフォトレジスト配
合物に添加剤として使用することにより、それらを銅合
金上で使用することが可能となり、さらに、これら感光
性レジストがヨードニウム開始剤及び／又は非イオン性
トリフル酸発生剤を使用できることが見出された。かか
るレジストが銅及び銅合金表面上に、残留レジストが出
現することなく使用されうる。
【０００８】さらに、本発明によって、好ましい酸、ク
エン酸が、現像剤液中の露光されない領域の強度に悪影
響を与えることなく、レジストを剥離溶液中でさらに可
溶化させることが見出された。
エン酸が、現像剤液中の露光されない領域の強度に悪影
響を与えることなく、レジストを剥離溶液中でさらに可
溶化させることが見出された。
【０００９】さらに特異的には、本発明は以下の成分、
すなわち、酸触媒作用により反応する基を含むフィルム
形成性反応性ポリマー；フィルム形成性反応性ポリマー
の酸触媒作用を生成するように、放射光に露光すること
で、酸を発生するヨードニウム開始剤又はトリフル酸を
発生する非イオン性フォトアシッド発生剤；及び多官能
基性有機カルボン酸と、を含む陽極性の感光性レジスト
に関連している。
すなわち、酸触媒作用により反応する基を含むフィルム
形成性反応性ポリマー；フィルム形成性反応性ポリマー
の酸触媒作用を生成するように、放射光に露光すること
で、酸を発生するヨードニウム開始剤又はトリフル酸を
発生する非イオン性フォトアシッド発生剤；及び多官能
基性有機カルボン酸と、を含む陽極性の感光性レジスト
に関連している。
【００１０】加えて、本発明は前記組成物を銅及び銅合
金の基体上で使用することに関する。
金の基体上で使用することに関する。
【００１１】本発明は以下の成分を含むポジ型の感光性
レジスト組成物に関連している、すなわち、酸触媒作用
により反応する基を含むフィルム形成性反応性ポリマー
及び放射光に露光ことにより、酸を発生する開始剤、そ
れによってフィルム形成性反応性ポリマーの酸触媒作用
を生成する。該開始剤としては、ヨードニウム開始剤又
はトリフル酸を発生する非イオン性フォトアシッド発生
剤が用いられる。本発明において、開始剤とは、ヨード
ニウム開始剤及び／又はフォトアシッド発生剤を示す。
該フォトレジスト組成物への、蓚酸及び好ましくはクエ
ン酸の如き多官能基カルボン酸の添加は、銅含有表面上
の露光領域における現像されえないレジストの形成を回
避し、塩基性現像剤水溶液中でのレジストの水溶性を向
上させることが見出された。多官能基とは、用いられる
酸が２以上のカルボン酸基を含むことと解釈される。
レジスト組成物に関連している、すなわち、酸触媒作用
により反応する基を含むフィルム形成性反応性ポリマー
及び放射光に露光ことにより、酸を発生する開始剤、そ
れによってフィルム形成性反応性ポリマーの酸触媒作用
を生成する。該開始剤としては、ヨードニウム開始剤又
はトリフル酸を発生する非イオン性フォトアシッド発生
剤が用いられる。本発明において、開始剤とは、ヨード
ニウム開始剤及び／又はフォトアシッド発生剤を示す。
該フォトレジスト組成物への、蓚酸及び好ましくはクエ
ン酸の如き多官能基カルボン酸の添加は、銅含有表面上
の露光領域における現像されえないレジストの形成を回
避し、塩基性現像剤水溶液中でのレジストの水溶性を向
上させることが見出された。多官能基とは、用いられる
酸が２以上のカルボン酸基を含むことと解釈される。
【００１２】酸感受性物質及びそれに開始剤とクエン酸
が配合されて、好適なフィルム形成性反応性ポリマーと
なりうる。本発明の実施に有用な酸感受性物質には、例
えば、エポキシ類、ポリ（ｔ−ブチルメタクリレー
ト）、ポリ（ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレ
ン）、ポリ（フタルデヒド）、ビスフェノールＡとｔ−
ジオールのカルボニルオキシ誘導体との縮合ポリマー、
前記のコポリマー及びターポリマー、及びビスフェノー
ルＡのビス（ｔ−ブトキシカルボニル）誘導体が含まれ
る。
が配合されて、好適なフィルム形成性反応性ポリマーと
なりうる。本発明の実施に有用な酸感受性物質には、例
えば、エポキシ類、ポリ（ｔ−ブチルメタクリレー
ト）、ポリ（ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレ
ン）、ポリ（フタルデヒド）、ビスフェノールＡとｔ−
ジオールのカルボニルオキシ誘導体との縮合ポリマー、
前記のコポリマー及びターポリマー、及びビスフェノー
ルＡのビス（ｔ−ブトキシカルボニル）誘導体が含まれ
る。
【００１３】好ましくは、フィルム形成反応性ポリマー
は、以下の重合可能な単位を含んでいる：第一のモノマ
ーは、ポリマー主鎖に酸感受性側鎖を付与するものであ
り、第一のモノマーは、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−
ブチルメタクリレート及びこれらの組み合わせからなる
群から選択される；第二のモノマーは、アルキルメタク
リレート類、アルキルアクリレート類及びこれらの組み
合わせからなる群から選択される；第三のモノマーは、
アクリル酸、メタクリル酸及びこれらの組み合わせから
なる群から選択される。
は、以下の重合可能な単位を含んでいる：第一のモノマ
ーは、ポリマー主鎖に酸感受性側鎖を付与するものであ
り、第一のモノマーは、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−
ブチルメタクリレート及びこれらの組み合わせからなる
群から選択される；第二のモノマーは、アルキルメタク
リレート類、アルキルアクリレート類及びこれらの組み
合わせからなる群から選択される；第三のモノマーは、
アクリル酸、メタクリル酸及びこれらの組み合わせから
なる群から選択される。
【００１４】好ましいフィルム形成反応性ポリマーの具
体例としては、エチルアクリレート／メチルメタクリレ
ート／ｔ−ブチルアクリレート／アクリル酸のテトラポ
リマー、ｔ−ブチルメタクリレート／メチルメタクリレ
ート／メタクリル酸のターポリマー等が挙げられる。
体例としては、エチルアクリレート／メチルメタクリレ
ート／ｔ−ブチルアクリレート／アクリル酸のテトラポ
リマー、ｔ−ブチルメタクリレート／メチルメタクリレ
ート／メタクリル酸のターポリマー等が挙げられる。
【００１５】前記のタイプの酸感受性ポリマーは、当業
者にとって周知であろうし、公知の技術を使用して容易
に製造されよう。例えば、メタクリレート及びアクリレ
ートのホモポリマー及びコポリマーは、フリーラジカル
溶液重合によって合成される。重合溶媒の選択は、モノ
マーの溶解性、開始剤及び形成されるポリマーの性質、
沸点及びコスト等のファクターによって左右される。種
々のアゾ及び過酸化物の開始剤が、重合を開始させるた
めに使用されうる。モノマーの選択は、所望のポリマー
の性質に依存する。典型的な合成においては、反応器に
は、溶媒（例えば、テトラヒドロフラン及びメチルエチ
ルケトン）と、さらに、形成されるポリマーが１００％
の重合率であると仮定して、最終濃度が１０〜５０％
（重量比）になるように、所定のモノマーが注入され
る。開始剤は、０．０５％〜１．０％（対モノマー比）
であり、所望の分子量に依存する。該システムにおいて
は、酸素を除去するために窒素が散布される。重合反応
は、典型的には、６０〜８０℃で１０〜２４時間行われ
る。ポリマーは、貧溶媒（炭化水素又は水）中で沈澱さ
せることによって単離され、収集され、減圧下で温度を
上昇させることによって乾燥される。本発明のフォトレ
ジスト組成物のポリマー成分は、一般的には、フォトレ
ジスト組成物の全重量を基準にして、約９９〜８０重量
％存在する。
者にとって周知であろうし、公知の技術を使用して容易
に製造されよう。例えば、メタクリレート及びアクリレ
ートのホモポリマー及びコポリマーは、フリーラジカル
溶液重合によって合成される。重合溶媒の選択は、モノ
マーの溶解性、開始剤及び形成されるポリマーの性質、
沸点及びコスト等のファクターによって左右される。種
々のアゾ及び過酸化物の開始剤が、重合を開始させるた
めに使用されうる。モノマーの選択は、所望のポリマー
の性質に依存する。典型的な合成においては、反応器に
は、溶媒（例えば、テトラヒドロフラン及びメチルエチ
ルケトン）と、さらに、形成されるポリマーが１００％
の重合率であると仮定して、最終濃度が１０〜５０％
（重量比）になるように、所定のモノマーが注入され
る。開始剤は、０．０５％〜１．０％（対モノマー比）
であり、所望の分子量に依存する。該システムにおいて
は、酸素を除去するために窒素が散布される。重合反応
は、典型的には、６０〜８０℃で１０〜２４時間行われ
る。ポリマーは、貧溶媒（炭化水素又は水）中で沈澱さ
せることによって単離され、収集され、減圧下で温度を
上昇させることによって乾燥される。本発明のフォトレ
ジスト組成物のポリマー成分は、一般的には、フォトレ
ジスト組成物の全重量を基準にして、約９９〜８０重量
％存在する。
【００１６】本発明において有用なフォトアシッド発生
剤又は開始剤は、光放射に露光されるとトリフル酸を生
成する化合物、又は強酸を生成するヨードニウム化合物
である。好ましいフォトアシッド発生剤又は開始剤は、
トリフル酸発生剤又は置換された及び無置換のジアリー
ルヨードニウム塩である。
剤又は開始剤は、光放射に露光されるとトリフル酸を生
成する化合物、又は強酸を生成するヨードニウム化合物
である。好ましいフォトアシッド発生剤又は開始剤は、
トリフル酸発生剤又は置換された及び無置換のジアリー
ルヨードニウム塩である。
【００１７】トリフル酸を発生する化合物は、ジフェニ
ルヨードニウムトリフレート及びジ（ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムトリフレート等のヨードニウム塩；及
びフタルイミドトリフレート等の非イオン性化合物を含
む。
ルヨードニウムトリフレート及びジ（ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムトリフレート等のヨードニウム塩；及
びフタルイミドトリフレート等の非イオン性化合物を含
む。
【００１８】本発明に従って用いられる芳香族ヨードニ
ウム塩類は、下記一般式で表される化合物を含む：
ウム塩類は、下記一般式で表される化合物を含む：
【００１９】
【化１】
【００２０】式中、Ａｒ1 及びＡｒ2 は炭素原子４〜２
０を有する芳香族基を示し、好ましくは、フェニル、ナ
フチル及びフラニル基から選択される。
０を有する芳香族基を示し、好ましくは、フェニル、ナ
フチル及びフラニル基から選択される。
【００２１】Ｑ- は、任意のアニオンであり、好ましく
は、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェ
ート、ヘキサフルオロアルセネート、ヘキサフルオロア
ンチモネート、トリフルオロメタンスルホネート又はト
リフルオロアセテートからなる群から選択される。
は、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェ
ート、ヘキサフルオロアルセネート、ヘキサフルオロア
ンチモネート、トリフルオロメタンスルホネート又はト
リフルオロアセテートからなる群から選択される。
【００２２】有用なヨードニウム塩類のなかでも、特に
次に示すものが好ましい： ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート ４−トリフルオロメチルフェニルフェニルヨードニウム
テトラフルオロボレート ジトリルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート ジ（４−メチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロ
アンチモネート ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト ジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロ
アンチモネート ジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメ
タンスルホネート （４−メチルフェニル）フェニルヨードニウムテトラフ
ルオロボレート ジ−（２，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムヘキサ
フルオロアンチモネート ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフル
オロアンチモネート ２，２’−ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホス
フェート。
次に示すものが好ましい： ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート ４−トリフルオロメチルフェニルフェニルヨードニウム
テトラフルオロボレート ジトリルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート ジ（４−メチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロ
アンチモネート ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト ジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロ
アンチモネート ジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメ
タンスルホネート （４−メチルフェニル）フェニルヨードニウムテトラフ
ルオロボレート ジ−（２，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムヘキサ
フルオロアンチモネート ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフル
オロアンチモネート ２，２’−ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホス
フェート。
【００２３】フォトアシッド発生剤又は開始剤は、一般
的に、フォトレジスト組成物の重量を基準として、約１
〜２０重量％の範囲で存在する。
的に、フォトレジスト組成物の重量を基準として、約１
〜２０重量％の範囲で存在する。
【００２４】レジストは、また、典型的には、特有の染
料によって、所望の波長に増感される。例えば、レジス
トが可視スペクトルに対して増感されることが所望の場
合、本発明の出願人が出願した「フォトアシッド発生組
成物及びその増感剤」と題された米国特許第５，０５
５，４３９号（１９９１年１０月８日発行）に記載され
ているような増感成分が組み入れられうる。例えば、こ
のような酸発生剤を可視アルゴンレーザー波長（約４８
８〜５１４ｎｍ）に対して増感するケースにおいて、好
ましい増感剤は、１，８−ジメトキシ−９，１０−ビス
（フェニルエチニル）アントラセンである。
料によって、所望の波長に増感される。例えば、レジス
トが可視スペクトルに対して増感されることが所望の場
合、本発明の出願人が出願した「フォトアシッド発生組
成物及びその増感剤」と題された米国特許第５，０５
５，４３９号（１９９１年１０月８日発行）に記載され
ているような増感成分が組み入れられうる。例えば、こ
のような酸発生剤を可視アルゴンレーザー波長（約４８
８〜５１４ｎｍ）に対して増感するケースにおいて、好
ましい増感剤は、１，８−ジメトキシ−９，１０−ビス
（フェニルエチニル）アントラセンである。
【００２５】本発明に従えば、クエン酸はフォトレジス
ト組成物中に使用され、現像されえないレジストを完全
に取り除かないまでも、それを実質的に減少させ、腐食
性の又は塩基性の水溶液中でレジストの剥離性を向上さ
せる。
ト組成物中に使用され、現像されえないレジストを完全
に取り除かないまでも、それを実質的に減少させ、腐食
性の又は塩基性の水溶液中でレジストの剥離性を向上さ
せる。
【００２６】酸は、典型的には、レジスト組成物中の固
体の重量を基準として、約０．１〜約５重量％、好まし
くは約１〜約３重量％の量で存在する。
体の重量を基準として、約０．１〜約５重量％、好まし
くは約１〜約３重量％の量で存在する。
【００２７】成分の典型的な膜厚は、約３〜約５０ｍｉ
ｌであり、さらに典型的には約５〜約１５ｍｉｌである
（乾燥時）。
ｌであり、さらに典型的には約５〜約１５ｍｉｌである
（乾燥時）。
【００２８】本発明の請求項１記載のポジ型感光性レジ
スト組成物は、酸触媒作用により反応する基を含むフィ
ルム形成反応性ポリマーと、フィルム形成反応性ポリマ
ーの酸触媒作用を生成するための、放射光に露光される
ことによって酸を発生するヨードニウム開始剤又はトリ
フル酸を発生する非イオン性フォトアシッド発生剤と、
多官能基有機カルボン酸と、を含有することを特徴とす
る。
スト組成物は、酸触媒作用により反応する基を含むフィ
ルム形成反応性ポリマーと、フィルム形成反応性ポリマ
ーの酸触媒作用を生成するための、放射光に露光される
ことによって酸を発生するヨードニウム開始剤又はトリ
フル酸を発生する非イオン性フォトアシッド発生剤と、
多官能基有機カルボン酸と、を含有することを特徴とす
る。
【００２９】請求項２記載の発明は、請求項１記載のポ
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記酸の含有量
が、約０．１〜約５重量％であることを特徴とする。
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記酸の含有量
が、約０．１〜約５重量％であることを特徴とする。
【００３０】請求項３記載の発明は、請求項１記載のポ
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記酸の含有量
が、約１〜約３重量％であることを特徴とする。
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記酸の含有量
が、約１〜約３重量％であることを特徴とする。
【００３１】請求項４記載の発明は、請求項１記載のポ
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記ポリマーの含
有量が、レジストの固形分の約９９〜約８０重量％であ
り、前記開始剤の含有量が、約１〜約２０重量％である
ことを特徴とする。
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記ポリマーの含
有量が、レジストの固形分の約９９〜約８０重量％であ
り、前記開始剤の含有量が、約１〜約２０重量％である
ことを特徴とする。
【００３２】請求項５記載の発明は、請求項１記載のポ
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記開始剤がヨー
ドニウム塩であることを特徴とする。
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記開始剤がヨー
ドニウム塩であることを特徴とする。
【００３３】請求項６記載の発明は、請求項１記載のポ
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記開始剤が放射
光の露光下で、トリフル酸を生成することを特徴とす
る。
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記開始剤が放射
光の露光下で、トリフル酸を生成することを特徴とす
る。
【００３４】請求項７記載の発明は、請求項１記載のポ
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記開始剤が、ジ
フェニルヨードニウムトリフレート；ジ（ｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウムトリフレート；フタルイミドトリ
フルレート及びこれらの混合物からなる群から選択され
ることを特徴とする。
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記開始剤が、ジ
フェニルヨードニウムトリフレート；ジ（ｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウムトリフレート；フタルイミドトリ
フルレート及びこれらの混合物からなる群から選択され
ることを特徴とする。
【００３５】請求項８記載の発明は、請求項１記載のポ
ジ型感光性レジスト組成物であって、さらに、増感剤を
含有することを特徴とする。
ジ型感光性レジスト組成物であって、さらに、増感剤を
含有することを特徴とする。
【００３６】請求項９記載の発明は、請求項８記載のポ
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記増感剤が、
１，８−ジメトキシ−９，１０−ビス（フェニルエチニ
ル）アントラセンであることを特徴とする。
ジ型感光性レジスト組成物であって、前記増感剤が、
１，８−ジメトキシ−９，１０−ビス（フェニルエチニ
ル）アントラセンであることを特徴とする。
【００３７】請求項１０記載の発明は、請求項１記載の
ポジ型感光性レジスト組成物であって、前記フィルム形
成反応性ポリマーが、以下の重合可能な単位を含むこと
を特徴とする：第一のモノマーは、ポリマー主鎖に酸感
受性側鎖として寄与するものであり、第一のモノマー
は、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレー
ト及びこれらの組み合わせからなる群から選択される；
第二のモノマーは、アルキルメタクリレート類、アルキ
ルアクリレート類及びこれらの組み合わせからなる群か
ら選択される；第三のモノマーは、アクリル酸、メタク
リル酸及びこれらの組み合わせからなる群から選択され
る。
ポジ型感光性レジスト組成物であって、前記フィルム形
成反応性ポリマーが、以下の重合可能な単位を含むこと
を特徴とする：第一のモノマーは、ポリマー主鎖に酸感
受性側鎖として寄与するものであり、第一のモノマー
は、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレー
ト及びこれらの組み合わせからなる群から選択される；
第二のモノマーは、アルキルメタクリレート類、アルキ
ルアクリレート類及びこれらの組み合わせからなる群か
ら選択される；第三のモノマーは、アクリル酸、メタク
リル酸及びこれらの組み合わせからなる群から選択され
る。
【００３８】請求項１１記載の発明は、請求項１記載の
ポジ型感光性レジスト組成物であって、前記フィルム形
成反応性ポリマーが、エチルアクリレート／メチルメタ
クリレート／ｔ−ブチルアクリレート／アクリル酸のテ
トラポリマーであることを特徴とする。
ポジ型感光性レジスト組成物であって、前記フィルム形
成反応性ポリマーが、エチルアクリレート／メチルメタ
クリレート／ｔ−ブチルアクリレート／アクリル酸のテ
トラポリマーであることを特徴とする。
【００３９】請求項１２記載の発明は、請求項１記載の
ポジ型感光性レジスト組成物であって、前記フィルム形
成反応性ポリマーが、ｔ−ブチルメタクリレート／メチ
ルメタクリレート／メタクリル酸のターポリマーである
ことを特徴とする。
ポジ型感光性レジスト組成物であって、前記フィルム形
成反応性ポリマーが、ｔ−ブチルメタクリレート／メチ
ルメタクリレート／メタクリル酸のターポリマーである
ことを特徴とする。
【００４０】請求項１３記載の発明は、銅含有層のパタ
ーン形成方法であって、酸触媒作用により反応する基を
含むフィルム形成反応性ポリマーと、フィルム形成反応
性ポリマーの酸触媒作用を生成するための、放射光に露
光されることによって酸を発生するヨードニウム開始剤
又はトリフル酸を発生する非イオン性フォトアシッド発
生剤と、多官能基有機カルボン酸と、を含有することを
特徴とする前記ポジ型感光性レジスト組成物で銅含有層
を被覆すること、該レジスト組成物の選択された領域を
放射光で露光すること、溶媒中で、露光された領域を溶
解することによって該組成物を現像すること、それによ
って、銅含有層の領域を露光すること、露光されている
銅含有層の領域ををエッチングすること、及びその後、
非露光感光性レジストを剥離によって除去すること、を
含むことを特徴とする。
ーン形成方法であって、酸触媒作用により反応する基を
含むフィルム形成反応性ポリマーと、フィルム形成反応
性ポリマーの酸触媒作用を生成するための、放射光に露
光されることによって酸を発生するヨードニウム開始剤
又はトリフル酸を発生する非イオン性フォトアシッド発
生剤と、多官能基有機カルボン酸と、を含有することを
特徴とする前記ポジ型感光性レジスト組成物で銅含有層
を被覆すること、該レジスト組成物の選択された領域を
放射光で露光すること、溶媒中で、露光された領域を溶
解することによって該組成物を現像すること、それによ
って、銅含有層の領域を露光すること、露光されている
銅含有層の領域ををエッチングすること、及びその後、
非露光感光性レジストを剥離によって除去すること、を
含むことを特徴とする。
【００４１】請求項１４記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記層上のポ
ジ型感光性レジスト組成物の膜厚が、乾燥時において約
５〜約１５ｍｉｌであることを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記層上のポ
ジ型感光性レジスト組成物の膜厚が、乾燥時において約
５〜約１５ｍｉｌであることを特徴とする。
【００４２】請求項１５記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記剥離が、
塩基性水溶液を用いて行われることを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記剥離が、
塩基性水溶液を用いて行われることを特徴とする。
【００４３】請求項１６記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記酸の含有
量が約０．１〜約５重量％であることを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記酸の含有
量が約０．１〜約５重量％であることを特徴とする。
【００４４】請求項１７記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記酸の含有
量が約１〜約３重量％であることを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記酸の含有
量が約１〜約３重量％であることを特徴とする。
【００４５】請求項１８記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記ポリマー
の含有量が、レジストの固形分の約９９〜約８０重量％
であり、前記開始剤の含有量が、約１〜約２０重量％で
あることを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記ポリマー
の含有量が、レジストの固形分の約９９〜約８０重量％
であり、前記開始剤の含有量が、約１〜約２０重量％で
あることを特徴とする。
【００４６】請求項１９記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記開始剤が
ヨードニウム塩であることを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記開始剤が
ヨードニウム塩であることを特徴とする。
【００４７】請求項２０記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記開始剤が
放射光の露光下で、トリフル酸を生成することを特徴と
する。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記開始剤が
放射光の露光下で、トリフル酸を生成することを特徴と
する。
【００４８】請求項２１記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記光開始剤
が、ジフェニルヨードニウムトリフレート；ジ（ｔ−ブ
チルフェニル）ヨードニウムトリフレート；フタルイミ
ドトリフレート及びこれらの混合物からなる群から選択
されることを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記光開始剤
が、ジフェニルヨードニウムトリフレート；ジ（ｔ−ブ
チルフェニル）ヨードニウムトリフレート；フタルイミ
ドトリフレート及びこれらの混合物からなる群から選択
されることを特徴とする。
【００４９】請求項２２記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、さらに、増感
剤を含有することを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、さらに、増感
剤を含有することを特徴とする。
【００５０】請求項２３記載の発明は、請求項２２記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記増感剤
が、１，８−ジメトキシ ９，１０−ビス（フェニルエ
チル）アントラセンであることを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記増感剤
が、１，８−ジメトキシ ９，１０−ビス（フェニルエ
チル）アントラセンであることを特徴とする。
【００５１】請求項２４記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記フィルム
形成反応性ポリマーが、以下の重合可能な単位を含むこ
とを特徴とする：第一のモノマーは、ポリマー主鎖に酸
感受性側鎖を付与するものであり、第一のモノマーは、
ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート及
びこれらの組み合わせからなる群から選択される；第二
のモノマーは、アルキルメタクリレート類、アルキルア
クリレート類及びこれらの組み合わせからなる群から選
択される；第三のモノマーは、アクリル酸、メタクリル
酸及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記フィルム
形成反応性ポリマーが、以下の重合可能な単位を含むこ
とを特徴とする：第一のモノマーは、ポリマー主鎖に酸
感受性側鎖を付与するものであり、第一のモノマーは、
ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート及
びこれらの組み合わせからなる群から選択される；第二
のモノマーは、アルキルメタクリレート類、アルキルア
クリレート類及びこれらの組み合わせからなる群から選
択される；第三のモノマーは、アクリル酸、メタクリル
酸及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。
【００５２】請求項２５記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記フィルム
形成反応性ポリマーが、エチルアクリレート／メチルメ
タクリレート／ｔ−ブチルアクリレート／アクリル酸の
テトラポリマーであることを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記フィルム
形成反応性ポリマーが、エチルアクリレート／メチルメ
タクリレート／ｔ−ブチルアクリレート／アクリル酸の
テトラポリマーであることを特徴とする。
【００５３】請求項２６記載の発明は、請求項１３記載
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記フィルム
形成反応性ポリマーが、ｔ−ブチルメタクリレート／メ
チルメタクリレート／メタクリル酸のターポリマーであ
ることを特徴とする。
の銅含有層のパターン形成方法であって、前記フィルム
形成反応性ポリマーが、ｔ−ブチルメタクリレート／メ
チルメタクリレート／メタクリル酸のターポリマーであ
ることを特徴とする。
【００５４】請求項２７記載の発明は、請求項１記載の
ポジ型感光性レジスト組成物であって、前記酸がクエン
酸であることを特徴とする。
ポジ型感光性レジスト組成物であって、前記酸がクエン
酸であることを特徴とする。
【００５５】請求項２８記載の発明は、請求項１記載の
ポジ型感光性レジスト組成物であって、前記酸が蓚酸で
あることを特徴とする。
ポジ型感光性レジスト組成物であって、前記酸が蓚酸で
あることを特徴とする。
【００５６】以下の実施例は、限定されないが、本発明
を詳細に記載しようとするものである。
を詳細に記載しようとするものである。
【００５７】
実施例１ 約１００重量部のフォトターポリマー（ｔ−ブチルメタ
クリレート／メチルメタクリレート／メタクリル酸）が
固体２０％となるよう、シクロヘキサノン及びプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥ
Ａ）の５０／５０混合物中に溶解された。該組成物中
に、約１０重量部のジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムトリフル酸；約３重量部の８−ジメトキシ−９，１
０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン及び約２重
量部のクエン酸が添加された。該組成物は、その後、銅
クラッドエポキシ−ガラス繊維被覆物上に乾燥時の膜厚
約８μｍになるよう塗布した。
クリレート／メチルメタクリレート／メタクリル酸）が
固体２０％となるよう、シクロヘキサノン及びプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥ
Ａ）の５０／５０混合物中に溶解された。該組成物中
に、約１０重量部のジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムトリフル酸；約３重量部の８−ジメトキシ−９，１
０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン及び約２重
量部のクエン酸が添加された。該組成物は、その後、銅
クラッドエポキシ−ガラス繊維被覆物上に乾燥時の膜厚
約８μｍになるよう塗布した。
【００５８】レジストの選択された領域は、その後、汎
用の水銀ランプを用いて２０ｍＪ／ｃｍ2 で画像に関し
て露光された。該レジストは、その後、９３℃で約２５
分間焼成され、１００°Ｆの０．８％炭酸ナトリウム中
で約２分間現像された。それから、露光された銅は、１
２０°Ｆの塩化第二銅中でエッチングされた。残留して
いる露光されない感光性レジストは、その後、３％の水
酸化ナトリウム中で剥離された。
用の水銀ランプを用いて２０ｍＪ／ｃｍ2 で画像に関し
て露光された。該レジストは、その後、９３℃で約２５
分間焼成され、１００°Ｆの０．８％炭酸ナトリウム中
で約２分間現像された。それから、露光された銅は、１
２０°Ｆの塩化第二銅中でエッチングされた。残留して
いる露光されない感光性レジストは、その後、３％の水
酸化ナトリウム中で剥離された。
【００５９】実施例２ 約１００重量部のフォトターポリマー（ｔ−ブチルメタ
クリレート／メチルメタクリレート／メタクリル酸）が
２０％固体２０％となるよう、シクロヘキサノン及びプ
ロピレングリコールモノメチルエーテル酢酸（ＰＧＭＥ
Ａ）の５０／５０混合物中に溶解された。該組成物中
に、約１０重量部のジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムトリフル酸；約３重量部の８−ジメトキシ−９，１
０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン及び約０．
５重量部の蓚酸が添加された。該組成物は、その後、銅
クラッドエポキシ−ガラス繊維被覆物上に乾燥時の膜厚
約８μｍになるよう塗布した。
クリレート／メチルメタクリレート／メタクリル酸）が
２０％固体２０％となるよう、シクロヘキサノン及びプ
ロピレングリコールモノメチルエーテル酢酸（ＰＧＭＥ
Ａ）の５０／５０混合物中に溶解された。該組成物中
に、約１０重量部のジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムトリフル酸；約３重量部の８−ジメトキシ−９，１
０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン及び約０．
５重量部の蓚酸が添加された。該組成物は、その後、銅
クラッドエポキシ−ガラス繊維被覆物上に乾燥時の膜厚
約８μｍになるよう塗布した。
【００６０】レジストの選択された領域は、その後、汎
用の水銀ランプを用いて２０ｍＪ／ｃｍ2 で画像に関し
て露光された。該レジストは、その後、１１０℃で約５
分間焼成され、１００°Ｆの０．８％炭酸ナトリウム中
で約２分間現像された。それから、露光された銅は、１
２０°Ｆの塩化第二銅中でエッチングされた。残留して
いる露光されない感光性レジストは、その後、３％の水
酸化ナトリウム中で剥離された。
用の水銀ランプを用いて２０ｍＪ／ｃｍ2 で画像に関し
て露光された。該レジストは、その後、１１０℃で約５
分間焼成され、１００°Ｆの０．８％炭酸ナトリウム中
で約２分間現像された。それから、露光された銅は、１
２０°Ｆの塩化第二銅中でエッチングされた。残留して
いる露光されない感光性レジストは、その後、３％の水
酸化ナトリウム中で剥離された。
【００６１】
【発明の効果】本発明のポジ型感光性レジストは、前記
構成としたため、銅表面の露光領域において現像されえ
ないレジストを形成することがなく、剥離性も良好であ
るという優れた効果を示す。
構成としたため、銅表面の露光領域において現像されえ
ないレジストを形成することがなく、剥離性も良好であ
るという優れた効果を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル ジョージ マクマスター アメリカ合衆国78751、テキサス州オース ティン、アヴェニュー エイチ 4805 (72)発明者 ジョゼフ ラトッレ アメリカ合衆国78727、テキサス州オース ティン、ゲイト ウェイ 11903 (72)発明者 ロガン ロイド シンプソン アメリカ合衆国13732、ニューヨーク州ア パラチン、オブリーン アヴェニュー 31
Claims (28)
- 【請求項１】 酸触媒作用により反応する基を含むフ
ィルム形成反応性ポリマーと、 フィルム形成反応性ポリマーの酸触媒作用を生成するた
めの、放射光に露光されることによって酸を発生するヨ
ードニウム開始剤又はトリフル酸を発生する非イオン性
フォトアシッド発生剤と、 多官能基有機カルボン酸と、 を含有することを特徴とするポジ型感光性レジスト組成
物。 - 【請求項２】 前記酸の含有量が、約０．１〜約５重
量％であることを特徴とする請求項１記載のポジ型感光
性レジスト組成物。 - 【請求項３】 前記酸の含有量が、約１〜約３重量％
であることを特徴とする請求項１記載のポジ型感光性レ
ジスト組成物。 - 【請求項４】 前記ポリマーの含有量が、レジストの
固形分の約９９〜約８０重量％であり、前記開始剤又は
発生剤の含有量が、約１〜約２０重量％であることを特
徴とする請求項１記載のポジ型感光性レジスト組成物。 - 【請求項５】 前記開始剤がヨードニウム塩であるこ
とを特徴とする請求項１記載のポジ型感光性レジスト組
成物。 - 【請求項６】 前記開始剤又は発生剤が放射光の露光
下で、トリフル酸を生成することを特徴とする請求項１
記載のポジ型感光性レジスト組成物。 - 【請求項７】 前記開始剤又は発生剤が、ジフェニル
ヨードニウムトリフレート；ジ（ｔ−ブチルフェニル）
ヨードニウムトリフレート；フタルイミドトリフルレー
ト及びこれらの混合物からなる群から選択されることを
特徴とする請求項１記載のポジ型感光性レジスト組成
物。 - 【請求項８】 さらに、増感剤を含有することを特徴
とする請求項１記載のポジ型感光性レジスト組成物。 - 【請求項９】 前記増感剤が、１，８−ジメトキシ−
９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセンであ
ることを特徴とする請求項８記載のポジ型感光性レジス
ト組成物。 - 【請求項１０】 前記フィルム形成反応性ポリマー
が、以下の重合可能な単位を含むことを特徴とする請求
項１記載のポジ型感光性レジスト組成物：第一のモノマ
ーは、ポリマー主鎖に酸感受性側鎖として寄与するもの
であり、第一のモノマーは、ｔ−ブチルアクリレート、
ｔ−ブチルメタクリレート及びこれらの組み合わせから
なる群から選択される；第二のモノマーは、アルキルメ
タクリレート類、アルキルアクリレート類及びこれらの
組み合わせからなる群から選択される；第三のモノマー
は、アクリル酸、メタクリル酸及びこれらの組み合わせ
からなる群から選択される。 - 【請求項１１】 前記フィルム形成反応性ポリマー
が、エチルアクリレート／メチルメタクリレート／ｔ−
ブチルアクリレート／アクリル酸のテトラポリマーであ
ることを特徴とする請求項１記載のポジ型感光性レジス
ト組成物。 - 【請求項１２】 前記フィルム形成反応性ポリマー
が、ｔ−ブチルメタクリレート／メチルメタクリレート
／メタクリル酸のターポリマーであることを特徴とする
請求項１記載のポジ型感光性レジスト組成物。 - 【請求項１３】 酸触媒作用により反応する基を含む
フィルム形成反応性ポリマーと、フィルム形成反応性ポ
リマーの酸触媒作用を生成するための、放射光に露光さ
れることによって酸を発生するヨードニウム開始剤又は
トリフル酸を発生する非イオン性フォトアシッド発生剤
と、多官能基有機カルボン酸と、を含有することを特徴
とする前記ポジ型感光性レジスト組成物で銅含有層を被
覆すること、 該レジスト組成物の選択された領域を放射光で露光する
こと、 溶媒中で、露光された領域を溶解することによって該組
成物を現像すること、 それによって、銅含有層の領域を露光すること、 露光されている銅含有層の領域ををエッチングするこ
と、及びその後、非露光感光性レジストを剥離によって
除去すること、 を含むことを特徴とする銅含有層のパターン形成方法。 - 【請求項１４】 前記層上のポジ型感光性レジスト組
成物の膜厚が、乾燥時において約５〜約１５ｍｉｌであ
ることを特徴とする請求項１３記載の銅含有層のパター
ン形成方法。 - 【請求項１５】 前記剥離が、塩基性水溶液を用いて
行われることを特徴とする請求項１３記載の銅含有層の
パターン形成方法。 - 【請求項１６】 前記酸の含有量が約０．１〜約５重
量％であることを特徴とする請求項１３記載の銅含有層
のパターン形成方法。 - 【請求項１７】 前記酸の含有量が約１〜約３重量％
であることを特徴とする請求項１３記載の銅含有層のパ
ターン形成方法。 - 【請求項１８】 前記ポリマーの含有量が、レジスト
の固形分の約９９〜約８０重量％であり、前記開始剤の
含有量が、約１〜約２０重量％であることを特徴とする
請求項１３記載の銅含有層のパターン形成方法。 - 【請求項１９】 前記開始剤がヨードニウム塩である
ことを特徴とする請求項１３記載の銅含有層のパターン
形成方法。 - 【請求項２０】 前記開始剤が放射光の露光下で、ト
リフル酸を生成することを特徴とする請求項１３記載の
銅含有層のパターン形成方法。 - 【請求項２１】 前記開始剤が、ジフェニルヨードニ
ウムトリフレート；ジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムトリフレート；フタルイミドトリフレート及びこれ
らの混合物からなる群から選択されることを特徴とする
請求項１３記載の銅含有層のパターン形成方法。 - 【請求項２２】 さらに、増感剤を含有することを特
徴とする請求項１３記載の銅含有層のパターン形成方
法。 - 【請求項２３】 前記増感剤が、１，８−ジメトキシ
９，１０−ビス（フェニルエチル）アントラセンであ
ることを特徴とする請求項２２記載の銅含有層のパター
ン形成方法。 - 【請求項２４】 前記フィルム形成反応性ポリマー
が、以下の重合可能な単位を含むことを特徴とする請求
項１３記載の銅含有層のパターン形成方法：第一のモノ
マーは、ポリマー主鎖に酸感受性側鎖を付与するもので
あり、第一のモノマーは、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ
−ブチルメタクリレート及びこれらの組み合わせからな
る群から選択される；第二のモノマーは、アルキルメタ
クリレート類、アルキルアクリレート類及びこれらの組
み合わせからなる群から選択される；第三のモノマー
は、アクリル酸、メタクリル酸及びこれらの組み合わせ
からなる群から選択される。 - 【請求項２５】 前記フィルム形成反応性ポリマー
が、エチルアクリレート／メチルメタクリレート／ｔ−
ブチルアクリレート／アクリル酸のテトラポリマーであ
ることを特徴とする請求項１３記載の銅含有層のパター
ン形成方法。 - 【請求項２６】 前記フィルム形成反応性ポリマー
が、ｔ−ブチルメタクリレート／メチルメタクリレート
／メタクリル酸のターポリマーであることを特徴とする
請求項１３記載の銅含有層のパターン形成方法。 - 【請求項２７】 前記酸がクエン酸であることを特徴
とする請求項１記載のポジ型感光性レジスト組成物。 - 【請求項２８】 前記酸が蓚酸であることを特徴とす
る請求項１記載のポジ型感光性レジスト組成物。
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