JPH0631699A - シャント切断ブレイク装置 - Google Patents
シャント切断ブレイク装置Info
- Publication number
- JPH0631699A JPH0631699A JP20962292A JP20962292A JPH0631699A JP H0631699 A JPH0631699 A JP H0631699A JP 20962292 A JP20962292 A JP 20962292A JP 20962292 A JP20962292 A JP 20962292A JP H0631699 A JPH0631699 A JP H0631699A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shunt
- cutting
- squeegee
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示デバイスから微少な切断代の切り離
しを行う。 【構成】 液晶表示デバイスを最終外形にするため、ス
クライブ・ライン１３を入れ、スキージ１４にてスクラ
イブ・ライン１３の上を叩く。スキージ１４の刃先は、
尖端のなす角度が微少なシャント切断代Ｄを切り離すこ
とが可能な６０°以下となっており、位置決め及び固体
板１５の厚みには妨げられない。
しを行う。 【構成】 液晶表示デバイスを最終外形にするため、ス
クライブ・ライン１３を入れ、スキージ１４にてスクラ
イブ・ライン１３の上を叩く。スキージ１４の刃先は、
尖端のなす角度が微少なシャント切断代Ｄを切り離すこ
とが可能な６０°以下となっており、位置決め及び固体
板１５の厚みには妨げられない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２枚に重ね合わせた基
板を最終外形の液晶表示デバイスに切り出すためのシャ
ント切断ブレイク装置に関する。
板を最終外形の液晶表示デバイスに切り出すためのシャ
ント切断ブレイク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示デバイスは、その外形を最終外
形に切り出す必要がある。従来は図３に示されているよ
うに、シャント切断工程において、スクライブ装置にて
ＴＦＴ基板のガラス面にスクライブ・ライン２２を刻設
し、シャント切断ブレイク装置にて基板にスクライブ・
ライン２２の裏面側からスキージ３１にて瞬間的に加重
をかけ、引張り応力にてシャント部切断代２１を液晶表
示デバイス２６から切り離している。
形に切り出す必要がある。従来は図３に示されているよ
うに、シャント切断工程において、スクライブ装置にて
ＴＦＴ基板のガラス面にスクライブ・ライン２２を刻設
し、シャント切断ブレイク装置にて基板にスクライブ・
ライン２２の裏面側からスキージ３１にて瞬間的に加重
をかけ、引張り応力にてシャント部切断代２１を液晶表
示デバイス２６から切り離している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のシャント部切断
に関しては図３に示されているように、シャント部切断
代２１の幅が３ｍｍ以上であり、図４に示されているよ
うな刃先尖端のなす角度が９０°のスキージ３１を使っ
てブレイクが可能であった。しかし、液晶表示デバイス
のサイズが大形化すると、シャント部切断代２１の幅Ｄ
が減少する。またブレイクする際、液晶デバイスを位置
決め及び固定するガラエポ樹脂性固定板の厚みなどが妨
げとなり、微少なシャント部切断代２２をブレイクする
ことが不可能であった。
に関しては図３に示されているように、シャント部切断
代２１の幅が３ｍｍ以上であり、図４に示されているよ
うな刃先尖端のなす角度が９０°のスキージ３１を使っ
てブレイクが可能であった。しかし、液晶表示デバイス
のサイズが大形化すると、シャント部切断代２１の幅Ｄ
が減少する。またブレイクする際、液晶デバイスを位置
決め及び固定するガラエポ樹脂性固定板の厚みなどが妨
げとなり、微少なシャント部切断代２２をブレイクする
ことが不可能であった。
【０００４】本発明の目的は、微少な幅をもつシャント
部切断代を容易に切断可能としたシャント切断ブレイク
装置を提供することにある。
部切断代を容易に切断可能としたシャント切断ブレイク
装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るシャント切断ブレイク装置は、スキー
ジを有し、液晶表示デバイスの縁部のシャント部切断代
を切り離すことにより、液晶表示デバイスの外形を所望
形状に整形するシャント切断ブレイク装置であって、ス
キージは、刃先尖端のなす角度が６０°以下の鋭角とし
たものである。
め、本発明に係るシャント切断ブレイク装置は、スキー
ジを有し、液晶表示デバイスの縁部のシャント部切断代
を切り離すことにより、液晶表示デバイスの外形を所望
形状に整形するシャント切断ブレイク装置であって、ス
キージは、刃先尖端のなす角度が６０°以下の鋭角とし
たものである。
【０００６】
【作用】本発明の微少なシャント部切断代をブレイク可
能な形状のスキージを有するブレイク装置は、図１に示
されているようにスキージの凸部の形状が鋭角になって
いる。このため液晶デバイスを位置決め及び固定するガ
ラエポ樹脂性固定板の厚みにも妨げられず微少なシャン
ト部切断代のブレイクが可能となる。
能な形状のスキージを有するブレイク装置は、図１に示
されているようにスキージの凸部の形状が鋭角になって
いる。このため液晶デバイスを位置決め及び固定するガ
ラエポ樹脂性固定板の厚みにも妨げられず微少なシャン
ト部切断代のブレイクが可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図１は、本発明の一実施例に係るスキージを示す図
である。
る。図１は、本発明の一実施例に係るスキージを示す図
である。
【０００８】図３に示されるように、液晶表示デバイス
は、図１に示す重ね合わされたＴＦＴ基板１１と対向基
板１２とからなる。ＴＦＴ基板１１は、対向基板１２の
外形寸法が大きく、その張り出した縁部のシャント部切
断代２１をスクライブ・ライン２２の部分で切断し、こ
れらからなる液晶表示デバイス２６を最終形状に整形さ
れる。２３は表示エリア，２４はシール・パターンであ
る。
は、図１に示す重ね合わされたＴＦＴ基板１１と対向基
板１２とからなる。ＴＦＴ基板１１は、対向基板１２の
外形寸法が大きく、その張り出した縁部のシャント部切
断代２１をスクライブ・ライン２２の部分で切断し、こ
れらからなる液晶表示デバイス２６を最終形状に整形さ
れる。２３は表示エリア，２４はシール・パターンであ
る。
【０００９】図１及び図２において、本発明のシャント
切断ブレイク装置に用いるスキージ１４の刃先は、尖端
のなす角度を図４のスキージ３１と比べ、６０°以下の
鋭角としている。
切断ブレイク装置に用いるスキージ１４の刃先は、尖端
のなす角度を図４のスキージ３１と比べ、６０°以下の
鋭角としている。
【００１０】液晶表示デバイス寸法が大形化し、シャン
ト部切断２１の幅Ｄが微少の場合、液晶表示デバイスを
ブレイク装置ステージ１６上に位置決め及び固定するた
めのガラエポ樹脂性固定板１５の厚みが２ｍｍで、固定
板１５に歪みがあっても、スキージ１４の刃先が鋭角と
なっているため、位置決め及び固定板１５の角部に接触
することがない。そのため、シャント部切断代２１の幅
Ｄが狭くなったとしても、これを完全に除去することが
できることとなる。
ト部切断２１の幅Ｄが微少の場合、液晶表示デバイスを
ブレイク装置ステージ１６上に位置決め及び固定するた
めのガラエポ樹脂性固定板１５の厚みが２ｍｍで、固定
板１５に歪みがあっても、スキージ１４の刃先が鋭角と
なっているため、位置決め及び固定板１５の角部に接触
することがない。そのため、シャント部切断代２１の幅
Ｄが狭くなったとしても、これを完全に除去することが
できることとなる。
【００１１】
【発明の効果】以上、説明したように本発明は、３００
（Ｖ）×３５０（Ｈ）のガラス基板上に形成できる範囲
の液晶表示デバイスのサイズ大形化に対してシャント部
切断代が微少になっても充分に液晶表示デバイスとシャ
ント部切断代とをブレイクし、切り離すことができる。
また、従来は不良率が２０％程あったが、本発明のスキ
ージを使用することにより不良率を５％以下に抑えるこ
とができる。
（Ｖ）×３５０（Ｈ）のガラス基板上に形成できる範囲
の液晶表示デバイスのサイズ大形化に対してシャント部
切断代が微少になっても充分に液晶表示デバイスとシャ
ント部切断代とをブレイクし、切り離すことができる。
また、従来は不良率が２０％程あったが、本発明のスキ
ージを使用することにより不良率を５％以下に抑えるこ
とができる。
【図１】本発明におけるシャント切断ブレイク装置及び
シャント部切断前の液晶表示デバイスの断面図である。
シャント部切断前の液晶表示デバイスの断面図である。
【図２】シャント部切断前の液晶表示デバイスの平面図
である。
である。
【図３】本発明のシャント切断ブレイク装置に用いるス
キージを示す断面図である。
キージを示す断面図である。
【図４】従来のシャント切断ブレイク装置に用いられた
スキージを示す断面図である。
スキージを示す断面図である。
１１，２５ ＴＦＴ基板 １２ 対向基板 １３ スクライブ・ライン １４ スキージ １５ 位置決め及び固定板 １６ ブレイク装置スキージ ２１ シャント部切断代 ２３ 表示エリア ２４ シールパターン ２６ 液晶表示デバイス（最終外形） Ｄ シャント部切断代の幅
Claims (1)
- 【請求項１】 スキージを有し、液晶表示デバイスの縁
部のシャント部切断代を切り離すことにより、液晶表示
デバイスの外形を所望形状に整形するシャント切断ブレ
イク装置であって、 スキージは、刃先尖端のなす角度が６０°以下の鋭角と
したものであることを特徴とするシャント切断ブレイク
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20962292A JPH0631699A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | シャント切断ブレイク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20962292A JPH0631699A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | シャント切断ブレイク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0631699A true JPH0631699A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16575847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20962292A Pending JPH0631699A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | シャント切断ブレイク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0631699A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11160664A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Seiko Epson Corp | 基板の切断方法、基板の切断装置及び液晶表示装置の製造方法 |
| DE10342291A1 (de) * | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Dr.-Ing. Max Schlötter GmbH & Co KG | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Zinnlegierungen mit elektropositiveren Metallen |
| US11505876B2 (en) | 2013-09-06 | 2022-11-22 | Gtat Corporation | Method for producing bulk silicon carbide |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP20962292A patent/JPH0631699A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11160664A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Seiko Epson Corp | 基板の切断方法、基板の切断装置及び液晶表示装置の製造方法 |
| DE10342291A1 (de) * | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Dr.-Ing. Max Schlötter GmbH & Co KG | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Zinnlegierungen mit elektropositiveren Metallen |
| US11505876B2 (en) | 2013-09-06 | 2022-11-22 | Gtat Corporation | Method for producing bulk silicon carbide |
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