JPH06310556A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

Info

Publication number
JPH06310556A
JPH06310556A JP5121877A JP12187793A JPH06310556A JP H06310556 A JPH06310556 A JP H06310556A JP 5121877 A JP5121877 A JP 5121877A JP 12187793 A JP12187793 A JP 12187793A JP H06310556 A JPH06310556 A JP H06310556A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
movement
capillary
bonding
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5121877A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3124653B2 (ja
Inventor
Hisashi Nomura
久司 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaijo Corp
Original Assignee
Kaijo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaijo Corp filed Critical Kaijo Corp
Priority to JP05121877A priority Critical patent/JP3124653B2/ja
Publication of JPH06310556A publication Critical patent/JPH06310556A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3124653B2 publication Critical patent/JP3124653B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01067—Holmium [Ho]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボンディングアーム等の機構系に急激な加速
度が加わることを回避して理想的なワイヤループを得る
ことができるようにすること。 【構成】 キャピラリが移動する移動範囲において、キ
ャピラリの水平方向への移動特性は、移動速度対経過時
間特性で示した場合、略サイクロイドパターンを描くよ
うに成され、またキャピラリの垂直方向への移動特性
は、前記水平方向への移動開始後所定時間（△ｔ）経過
した後に開始されるよう成される。これにより、ボンデ
ィングアーム等の機構全体に水平方向への加速度が加わ
る度合いが軽減され、ボンディング不良を起こさせる等
の問題点の発生を防止させることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの組立
工程において、第１ボンディング点、例えば半導体チッ
プ上の電極（パッド）と、第２ボンディング点、例えば
リードフレームに配設された外部リードとをワイヤを用
いて接続するワイヤボンディング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの組立に際しては、ワイ
ヤボンディング装置によって金線又は銅、アルミニウム
などのワイヤを第１ボンディング点となる半導体チップ
上の電極と、第２ボンディング点となるリードとの間に
接続するように成される。
【０００３】図４は、この種のワイヤボンディング装置
によって成される一連のワイヤボンディング工程を示し
たものである。すなわち図４（ａ）乃至図４（ｈ）はＩ
Ｃチップ１が有する多数のパッド１ａのうち、いずれか
１つとこれに対応するリード２との間にそれぞれボンデ
ィングを行なう場合について工程順に示している。
【０００４】ボンディングステージ３上に載置されたＩ
Ｃチップ１上のパッド１ａ、すなわち第１ボンディング
点にワイヤボンディングを行なおうとする際には、まず
キャピラリ４に挿通されたワイヤ５の先端と図示せぬ電
気トーチとの間で高電圧の放電を行ない、ワイヤ５の先
端に予めボールを形成しておく。そしてキャピラリ４を
図示せぬ撮像装置等からの情報に基づいて、キャピラリ
４を保持するボンディングアーム（図示せず）等の機構
全体を載置したＸＹテーブルを移動させて位置決めした
後、キャピラリ４を図４（ａ）乃至図４（ｃ）に示すよ
うに降下させて前記パッド１ａにボールを押しつぶして
熱圧着ボンディングを行なう。この工程で（ａ）→
（ｂ）はボンディングアームは高速で下降移動させ、
（ｂ）→（ｃ）では低速で移動させる。なおこの時、ワ
イヤ５をその中央に挿通させたクランパ６は開状態とな
っている。
【０００５】次に第１ボンディング点への接続が終わ
り、（ｃ）→（ｄ）では前記クランパ６が開状態のまま
ボンディングアームが図４の上方向、すなわちＺ軸方向
に上昇し、所定のループコントロールにしたがって
（ｅ）に示すようにクランパ６が開の状態でワイヤ５が
引き出され、（ｆ）に示す第２ボンディング点となるリ
ード２に接続される。この接続後キャピラリ４の先端部
にワイヤ５を（ｇ）に示すように所定のフィード量ｆだ
け引き出した状態でクランパ６が閉じられる。この状態
でさらにボンディングアームを所定の高さまで上昇させ
る過程で（ｈ）に示すように、ワイヤ５が第２ボンディ
ング点の部分でカットされる。そして再びワイヤ５の先
端部に電気トーチを用いてボールを形成し、クランパ６
を開状態として（ａ）の状態に移行する。このような一
連の工程により第１ボンディング点および第２ボンディ
ング点に対するワイヤボンディングが成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ワイヤボン
ディング装置において、キャピラリを移動させるワイヤ
ループコントロールとしては、図２に示すような円弧に
より駆動するのがよいとされている。これはキャピラリ
の移動に伴ってワイヤの送り出し量がほぼ一定となるか
らである。しかして、図２に示すようなワイヤループコ
ントロールを行うために従来のワイヤボンディング装置
においては、図５に示すような曲線パターンを用いて駆
動している。すなわち、前記図２に示すようなａ−ｂ間
の軌道を曲線軌道で動作させようとする場合、ＸＹテー
ブルによる水平方向のＸ軸（Ｙ軸）と垂直方向のＺ軸と
の関係は、例えば、図５に示すようなパターンにて駆動
される。図５は縦軸にキャピラリの移動速度（Ｖ）を示
し、横軸を経過時間（ｔ）で示したものであり、（イ）
は水平方向、すなわちＸ軸（Ｙ軸）方向の駆動パターン
を示し、また（ロ）は垂直方向、すなわちＺ軸方向の駆
動パターンが示されている。図５中、特に水平方向の駆
動パターン（イ）についてみると、略円弧パターンに成
されており、速度と時間の関係から移動距離（面積を含
む）となるから当該曲線軌道の初期駆動時に、キャピラ
リを含むボンディングアーム等の機構全体は急激な加速
度が加えられる結果となる。従って、ボンディングアー
ム等の機構全体に振動が発生する。これは図２に示すよ
うなキャピラリの軌道を達成するためにはＸＹテーブル
による水平方向への移動とＺ軸、すなわち垂直方向への
移動を同時に行うために機構系等に負荷が加わるからで
ある。従って、これら振動によりワイヤの繰り出し量の
制御等が難しくなりボンディング不良を起こす等の問題
がある。
【０００７】そこで、本発明は従来の問題点に鑑みて成
されたものであって、ボンディングアーム等の機構全体
に急激な加速度が加えられるような動作を回避させ、理
想的なワイヤループを得ることができると共に前記した
従来の問題点を解消できるようにしたワイヤボンディン
グ方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、キャピラリが
移動する移動範囲において、キャピラリの水平方向への
移動は、移動速度対経過時間特性に示した場合、略サイ
クロイドパターンを描くように成され、またキャピラリ
の垂直方向への移動は、前記水平方向への移動開始後所
定時間経過した後に開始されるようにしたものである。
また、本発明は、キャピラリが移動する移動範囲におい
て、キャピラリの水平方向への移動は、基準となる略サ
イクロイドパターンを用いて行い、キャピラリの垂直方
向への移動は、前記サイクロイドパターンの到達時間と
同じとなるように合わせ込まれてなる曲線パターンを用
いるようにしたものである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係るワイヤボンディング方法
について図１乃至図３に基づいて説明する。なお、本発
明に係るワイヤボンディング方法の一連の工程は、図４
に示すものと同様であるためその詳細な説明は省略す
る。
【００１０】本発明に係るワイヤボンディング方法は、
図２に示すａ点からｂ点に至る曲線軌道に沿ってキャピ
ラリを駆動制御するものである。すなわち、図１は縦軸
にキャピラリの移動速度（Ｖ）、横軸に経過時間（ｔ）
として示した特性を示しており、図中曲線（ハ）はＸ
（Ｙ）軸の駆動パターン、すなわちＸＹテーブルによっ
て成される水平方向の移動特性を示しており、図中曲線
（ニ）はＺ軸の駆動パターン、すなわちボンディングア
ームの揺動によって成されるキャピラリの垂直方向の移
動特性を示している。
【００１１】図１の曲線（ハ）によって理解されるとお
り、ＸＹテーブルによって成される水平方向の移動特性
は、Ｘ（Ｙ）パターンとして示されたように、略サイク
ロイドパターンに成されている。ここでいう略サイクロ
イドパターンとは、例えば株式会社日刊工業新聞社発行
の機械設計第３３巻第３号（１９８９年３月号Ｃ言語に
よるカム曲線の計算と作図山梨大学牧野洋著第６４頁）
に示されているサイクロイド曲線を含み、該サイクロイ
ド曲線を基準として図１に示すように速度Ｖを可変して
作成したパターンをも含む。
【００１２】すなわち、図２のａ点からｂ点に至る曲線
軌道の動作において、水平方向の移動はａ点（ｔ＝０）
において初速０から動作が開始し、時間経過と共にサイ
クロイドパターンに従って移動速度が略２条特性で増加
し、ａ点とｂ点の略中間時点（ｔ＝ｔｈ1 ）で移動速度
が最高速となり、ｂ点（ｔ＝ｔ0 ）において、その速度
は０になる特性で駆動される。こうすることによって、
図５に示す従来の特性に比較して初期駆動時において、
移動速度（Ｖ）の急激な変化を抑えることができる。従
って初期駆動時において、キャピラリを含むボンディン
グアーム等の機構全体に対して加えられる加速度は比較
的軽減される。
【００１３】一方、キャピラリの垂直方向への移動特性
は、図１の（ニ）にＺパターンとして示されるように、
前記水平方向への移動開始後所定時間（△ｔ）経過した
後に初速０から動作が開始し、時間経過と共に速度が増
加し、ａ点とｂ点の略中間時点を若干過ぎた時点（ｔ＝
ｔｈ2 ）で移動速度が最高速となり、ｂ点（ｔ＝ｔ0）
において、その速度は０になる特性で駆動される。な
お、前記所定時間（△ｔ）は、一般に数ｍｓｅｃ程度に
設定される。このＺパターンは、前記サイクロイドパタ
ーンを基準パターンとして時間ｔ＝ｔ0 で到達時間が同
じとなるような曲線パターンにより合わせ込まれるよう
に制御される。
【００１４】このようにキャピラリの水平方向および垂
直方向の移動特性、すなわち速度制御を持たせること
で、急激な加速度等により振動を発生することなく図２
に示すような理想的な曲線軌道を得ることができる。な
お図２の縦軸はＺ軸方向の距離、換言すればキャピラリ
の上下方向の移動距離を示し、また横軸はＸ軸（Ｙ軸）
方向の距離、換言すればキャピラリの水平方向の移動
（ＸＹテーブルによって成される）距離を示している。
【００１５】また図３はキャピラリの水平方向への移動
開始タイミングと垂直方向の駆動開始タイミングとの時
間差（△ｔ）を変数とした場合のキャピラリの移動特性
を例示したものである。なお図３の縦軸はＺ軸方向の距
離、換言すればキャピラリの上下（垂直）方向の移動距
離を示し、また横軸はＸ軸（Ｙ軸）方向の距離、換言す
ればキャピラリの水平方向の移動距離を示している。そ
して前記△ｔが大になるにしたがって矢印（ホ）方向
に、また△ｔが小になるにしたがって矢印（ヘ）方向に
キャピラリの移動軌跡が変動することを示している。こ
の図３に示すようにキャピラリのＺ軸方向へのスタート
タイミング（△ｔ）を制御することにより、種々の曲線
軌道を得ることが可能であり、例えば第１ボンディング
点と第２ボンディング点の間に段差が存在する場合にお
いても、容易に理想とする曲線軌道を得ることが可能と
なる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
ワイヤボンディング方法によると、キャピラリが移動す
る移動範囲において、キャピラリの水平方向への移動
は、移動速度対経過時間特性で示した場合、略サイクロ
イドパターンを描くように速度制御が成される。このよ
うにキャピラリの速度制御を成すことで、キャピラリが
移動する際に、ボンディングアーム等の機構全体に水平
方向への加速度が加わる度合いが軽減され、従来のワイ
ヤボンディング装置に見られるように、ボンディングア
ーム等の機構全体に振動を発生させ、ボンディング不良
を起こさせる等の問題点の発生を防止させることが可能
となる。また本発明のワイヤボンディング方法による
と、キャピラリの垂直方向への移動は、前記水平方向へ
の移動開始後所定時間経過した後に開始されるようタイ
ミング制御が成される。このようなタイミング制御によ
り、例えば第１ボンディング点と第２ボンディング点の
間に段差が存在する場合においても、容易に理想とする
曲線軌道を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に係るワイヤボンディング方法
によって駆動されるキャピラリの速度制御パターンを示
した特性図である。
【図２】図２は、本発明のワイヤボンディング方法によ
って得られるキャピラリの移動特性を示した特性図であ
る。
【図３】図３は、図１における△ｔを変化させた場合の
キャピラリの移動特性を示した特性図である。
【図４】図４は、ワイヤボンディング装置によって成さ
れるボンディング工程図である。
【図５】図５は、従来のワイヤボンディング方法によっ
て駆動されるキャピラリの速度制御パターンを示した特
性図である。
【符合の説明】
１ ＩＣチップ １ａ パッド（第１ボンディング点） ２ リード（第２ボンディング点） ３ ボンディングステージ ４ キャピラリ ５ ワイヤ ６ クランパ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１ボンディング点にワイヤを接続後、
    キャピラリを上昇させてワイヤループ形成に必要な量の
    ワイヤを繰り出して第２ボンディング点上方に移動させ
    てワイヤを第２ボンディング点に接続するようにしたワ
    イヤボンディング方法において、 前記キャピラリが移動する移動範囲において、キャピラ
    リの水平方向への移動は、移動速度対経過時間特性に示
    した場合、略サイクロイドパターンを描くように成さ
    れ、またキャピラリの垂直方向への移動は、前記水平方
    向への移動開始後所定時間経過した後に開始されるよう
    に成されたことを特徴とするワイヤボンディング方法。
  2. 【請求項２】 第１ボンディング点にワイヤを接続後、
    キャピラリを上昇させてワイヤループ形成に必要な量の
    ワイヤを繰り出して第２ボンディング点上方に移動させ
    てワイヤを第２ボンディング点に接続するようにしたワ
    イヤボンディング方法において、 前記キャピラリが移動する移動範囲において、キャピラ
    リの水平方向への移動は、基準となる略サイクロイドパ
    ターンを用いて行い、キャピラリの垂直方向への移動
    は、前記サイクロイドパターンの到達時間と同じとなる
    ように合わせ込まれてなる曲線パターンを用いるように
    したことを特徴とするワイヤボンディング方法。
JP05121877A 1993-04-26 1993-04-26 ワイヤボンディング方法 Expired - Lifetime JP3124653B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05121877A JP3124653B2 (ja) 1993-04-26 1993-04-26 ワイヤボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05121877A JP3124653B2 (ja) 1993-04-26 1993-04-26 ワイヤボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06310556A true JPH06310556A (ja) 1994-11-04
JP3124653B2 JP3124653B2 (ja) 2001-01-15

Family

ID=14822140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05121877A Expired - Lifetime JP3124653B2 (ja) 1993-04-26 1993-04-26 ワイヤボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3124653B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6182885B1 (en) * 1998-09-07 2001-02-06 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding method
JP2002057185A (ja) * 2000-08-07 2002-02-22 Nec Corp ワイヤボンディング装置
KR100604307B1 (ko) * 2000-05-27 2006-07-24 삼성테크윈 주식회사 와이어 본딩 시스템의 속도 프로파일 설계 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6182885B1 (en) * 1998-09-07 2001-02-06 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding method
KR100604307B1 (ko) * 2000-05-27 2006-07-24 삼성테크윈 주식회사 와이어 본딩 시스템의 속도 프로파일 설계 방법
JP2002057185A (ja) * 2000-08-07 2002-02-22 Nec Corp ワイヤボンディング装置
US6607112B2 (en) 2000-08-07 2003-08-19 Nec Corporation Wire bonding apparatus
JP4631138B2 (ja) * 2000-08-07 2011-02-16 日本電気株式会社 ワイヤボンディング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3124653B2 (ja) 2001-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5816477A (en) Wire bonding apparatus and method
EP0983607B1 (en) Bump forming method and bump bonder
US5586713A (en) Method for wire bonding
JPH06310556A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH02231736A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH0547860A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3221191B2 (ja) ボンディング装置及びボンディング方法
JP2555120B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3005781B2 (ja) ワイヤボンデイング装置のモータ制御回路
JP2773541B2 (ja) ワイヤボンディング方法およびその装置
JPH02199846A (ja) ワイヤボンディング方法
JP3313568B2 (ja) ワイヤボンディング装置およびその制御方法
JP2575066B2 (ja) 半導体組立装置
JP3493326B2 (ja) バンプ形成方法及び装置
JP3002022B2 (ja) ボンディング方法
KR100585600B1 (ko) 와이어 클램프
JP2000036512A (ja) ワイヤボンディング装置，ワイヤボンディング方法及びそのワイヤボンディング装置またはワイヤボンディング方法に用いられるキャピラリ
JP2001168136A (ja) ワイヤボンディング方法
JP3754538B2 (ja) ボンディング方法及びバンプボンダー
JP2839223B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPH07183321A (ja) ワイヤボンディング装置
JP4287036B2 (ja) ボンディング装置
JPH1074785A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH05335367A (ja) ワイヤボンディング装置
JP2001168137A (ja) ワイヤボンディング方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081027

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091027

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101027

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101027

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111027

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111027

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131027

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term