JP4287036B2 - ボンディング装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップ方式の半導体集積回路(以下、ICという)を構成する際、IC側に凸部電極を形成するバンプボンディング装置や、ICと基板電極間を金線で結線導通させるワイヤボンディング装置のような、ボンディング装置、及び該ボンディング装置にて実行されるボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来からIC関連のワイヤボンディング技術を応用して、金バンプをフリップチップICの電極形成箇所に超音波接合するスタッドバンプボンディング技術が知られている。以下、これについて説明する。
従来、一般的に用いられるバンプボンディング装置としては、例えば図12に示すものがある。即ち、金線1はクランパー2で保持され、キャピラリー3に挿通されている。上記キャピラリー3は超音波ホーン4の先端部に設けられており、この超音波ホーン4は水平軸心5aを中心に揺動自在な支持フレーム5に設けられている。この支持フレーム5をヘッド上下駆動装置6により矢印21方向に揺動させることにより、水平軸心5aを中心にして超音波ホーン4を介して上記キャピラリー3が上下動する。尚、上記ヘッド上下駆動装置6としてはボイスコイルモータが用いられている。又、超音波ホーン4には超音波発振器7が設けられている。
上記支持フレーム5は、互いに水平方向で直交するX−Y方向へ移動自在な移動テーブル8上に設けられており、この移動テーブル8の移動により、上記キャピラリー3が水平方向へ移動される。又、9は支持フレーム5の上下変位を検出する変位検出センサであり、この変位検出センサ9の出力情報に基づいて、キャピラリー3の上下方向の位置が求められる。
【0003】
上記クランパー2の上方には、金線1を引き上げるエアーテンショナー10が設けられている。又、上記キャピラリー3の下方には、IC11を保持しかつ加熱するヒートステージ12が設けられている。又、キャピラリー3に挿通された金線1の先端近傍には、該先端との間でスパークを起こして金線1を溶融させて金ボール16を生成するスパーク発生装置14が設けられている。又、上記ヒートステージ12の上方には、IC11の位置を認識する位置認識用カメラ装置15が設けられている。
【0004】
このように構成された従来のバンプボンディング装置は以下のように動作する。まず、キャピラリー3の下方に出た金線1の先端に、スパーク発生装置14からスパークを与えて、金ボール16を形成する。そして、位置認識カメラ装置15によりヒートステージ12上のIC11を認識し、該認識結果に基づいて移動テーブル8を動作させて金ボール16の位置決めを行う。
その後、ヘッド上下駆動装置6によってキャピラリー3が下降する。そして、金ボール16がIC11の電極形成箇所に上方から当接すると、変位検出センサ9で検出される支持フレーム5の上下の変位が一定値に停止することにより、IC11の電極形成箇所の位置が検出される。そして、キャピラリー3に所定の加圧を加えて金ボール16を下向きに押圧し、さらに、超音波発振器7により超音波ホーン4を介して超音波を発振し、金ボール16をIC11の電極形成箇所に接合する。これにより、IC11の電極形成箇所にバンプが形成される。次に、キャピラリー3が、ヘッド上下駆動装置6によって一定量上昇し、その後、金線1をクランパー2によって保持すると共に、ヘッド上下駆動装置6によって引き上げることにより、バンプ上の金線1のスパーク時の再結晶境界において断裂し、IC11電極形成箇所に突起状のバンプ17が形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、IC上の電極間ピッチが狭くなり、それに伴いバンプ台座径がφ65μm以下となるようにバンプ形状が微小化することで以下の問題が生じる。つまり、金ボール16がIC11の電極形成箇所に上方から当接するとき、クランパー2とキャピラリー3と超音波ホーン4と超音波発振器7と支持フレーム5とヘッド上下駆動装置6と変位検出センサ9とのトータルの慣性が金ボール16に衝撃力として加わるが、バンプ形状が微小化してくると、上記衝撃力が大きすぎて、金ボール16が潰れてしまい、その後、超音波接合すると所定の高さのバンプが得られなくなってしまうという問題が生じてくる。
一方、上記衝撃力を抑えるためにキャピラリー3のIC11の電極形成箇所への当接速度を遅くすると、生産タクトが長くなってしまうという問題が生じてくる。又、バンプ径でφ65〜90μmの通常のバンプ形状のバンプにおいても、生産タクトを短くするためにキャピラリー3のIC11の電極形成箇所への当接速度を速くすると、同様の問題が生じてくる。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、バンプ形成時間を短縮し、かつ安定したバンプ形成が可能なボンディング装置、及び該ボンディング装置にて実行されるボンディング方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1態様のボンディング装置は、ワイヤ導出部材及び駆動部を有し、かつ上記ワイヤ導出部材から突出したワイヤ先端に形成した溶融ボールが半導体集積回路の電極に接触する直前の高さに到達した後、上記駆動部にて上記ワイヤ導出部材を第1速度にて上記電極側へ移動して上記ワイヤ導出部材にて上記溶融ボールを上記電極に押圧して接合させる低慣性移動押圧装置と、
上記ワイヤ先端に形成された上記溶融ボールが上記半導体集積回路の上記電極に接触する上記直前の高さまで、上記低慣性移動押圧装置を設けた移動用フレームを上記第1速度よりも高速にて移動させる高速移動装置と、
を備えたことを特徴とする。
【0007】
又、上記低慣性移動押圧装置には、上記ワイヤ導出部材に取り付けられ、上記溶融ボールが上記電極に押圧されているときに上記ワイヤ導出部材を介して上記溶融ボールを超音波振動させる超音波振動装置をさらに備えることもできる。
【0008】
又、上記低慣性移動押圧装置は、上記ワイヤ導出部材を一端側に配置し上記駆動部を他端側に配置して、上記ワイヤ導出部材及び上記駆動部を、上記移動用フレームに設けた揺動軸を中心にして揺動可能として上記移動用フレームに取り付けることもできる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態であるボンディング装置、及び該ボンディング装置にて実行されるボンディング方法について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において同じ構成部分については同じ符号を付している。又、ボンディング装置の内、本実施形態では、基板に対してフリップチップ実装される半導体集積回路の電極にバンプを形成するバンプボンディング装置を例に採る。しかしながら、本発明は、バンプボンディング装置に限定されるものではなく、例えばワイヤボンディング装置のように、金線のようなワイヤの先端を溶融して溶融ボールを形成し該溶融ボールを電極上に接合させるようなボンディング装置に適用可能である。
【0014】
第1実施形態;
図9には、以下に説明する各実施形態における各バンプボンディング装置110、210、310、410、510をそれぞれ備えた場合のバンプ形成装置100を図示している。該バンプ形成装置100には、上記バンプボンディング装置の他に、半導体集積回路103を収納したトレイ104aを当該バンプ形成装置100に搬入する搬入装置101と、上記半導体集積回路103を載置して保持するとともに、バンプ形成に必要な温度まで上記半導体集積回路103を加熱するバンプ形成ステージ106と、バンプが形成されたバンプ形成済集積回路を収納するトレイ104bを搬出する搬出装置102と、トレイ104aからバンプ形成ステージ106への半導体集積回路103の移送及びバンプ形成ステージ106からトレイ104bへの上記バンプ形成済集積回路の移送を行う半導体部品移送装置105と、これら各構成部分の動作制御を行う制御装置501とを備える。以下には、バンプボンディング装置110について詳しく説明する。
【0015】
バンプボンディング装置110は、図1に示すように、大きく分けて、詳しくは図5に示している低慣性移動押圧装置120と、高速移動装置130とを有する。低慣性移動押圧装置120は、水平方向に延在するフレーム揺動軸142を中心に該フレーム揺動軸142の軸周り方向に揺動可能な移動用フレーム143の一端部1431に設けられ、高速移動装置130は移動用フレーム143の他端部1432に設けられている。上記フレーム揺動軸142は、ベース板141に立設した支持部材1411に支持されており、ベース板141は上記水平方向で互いに直交するX−Y方向へ移動可能な移動テーブル151に取り付けられている。したがって、移動テーブル151が上記X−Y方向に移動することで、バンプボンディング装置110を上記X−Y方向に移動させることができる。
【0016】
上記高速移動装置130は、本実施形態では、磁石131及びコイル132を有するボイスコイルモータにて構成され、例えば上記磁石131は上記移動用フレーム143とは別個のフレームに取り付けられ、コイル132は上記移動用フレーム143に取り付けられている。よって、コイル132に通電することで、高速移動装置130にて駆動力が生じ移動用フレーム143は上記フレーム揺動軸142を中心にして矢印133方向に揺動する。該揺動により、移動用フレーム143の一端部1431に設けられている上記低慣性移動押圧装置120も揺動することになる。
又、移動用フレーム143の上記揺動量は、変位検出センサ134にて検出される。上述のように上記揺動により低慣性移動押圧装置120も揺動することから、変位検出センサ134による検出情報に基づいて、上記低慣性移動押圧装置120に備わるキャピラリー1201の上下方向への移動量が制御装置501にて求められる。
【0017】
上記低慣性移動押圧装置120は、ワイヤの一例としての金線1を導く、ワイヤ導出部材に相当するキャピラリー1201及び該キャピラリー1201を移動させる駆動部1202を有する他、超音波振動装置1210と、金線1を保持するクランパ1220とを有する。上記超音波振動装置1210は、先端部分にキャピラリー1201を取り付けた超音波ホーン1211と、超音波ホーン1211に取り付けられた超音波発振器1212を有する。キャピラリー1201、超音波振動装置1210、及びクランパ1220は、当該低慣性移動押圧装置120の支持フレーム1240に取り付けられている。このように構成される低慣性移動押圧装置120は、キャピラリー1201を一端側に配置し駆動部1202を他端側に配置して、上記移動用フレーム143に支持され上記水平方向に延在する揺動軸1241を中心にしてその軸周り方向へキャピラリー1201及び駆動部1202が揺動可能な状態にて移動用フレーム143に取り付けられる。よって、低慣性移動押圧装置120は、移動用フレーム143に対して相対的に移動する。より詳しく説明すると、駆動部1202は、本実施形態では磁石12021及びコイル12022を有するボイスコイルモータにて構成され、例えば上記磁石12021は上記移動用フレーム143に取り付けられ、コイル12022は上記支持フレーム1240の上記他端側に取り付けられている。よって、コイル12022に通電することで、駆動部1202から駆動力が生じ支持フレーム1240は上記揺動軸1241を中心にして矢印1242方向に揺動する。したがって、支持フレーム1240に取り付けられている超音波ホーン1211を介してキャピラリー1201が上下動し、半導体集積回路103側へ移動することで加圧動作が行なわれる。
【0018】
又、上記揺動軸1241は、上記移動用フレーム143の上記フレーム揺動軸142に対して慣性のつりあう釣合い位置に配置される。上記釣合い位置とは、上記フレーム揺動軸142を中心とした上記移動用フレーム143の揺動により、上記低慣性移動押圧装置120の上記一端側に生じる第1慣性力と、上記低慣性移動押圧装置120の上記他端側に生じる第2慣性力とが釣合う位置である。又、例えば図1に示すように、バンプ形成ステージ106に載置されている半導体集積回路103のバンプ形成面と、上記フレーム揺動軸142の中心位置とは、同じ高さ位置に配置される。このように配置することで、バンプ形成後、移動用フレーム143がフレーム揺動軸142を中心にして矢印133方向に移動したとき、移動開始直後においてキャピラリー1201の先端は上記バンプ形成面に対して垂直方向へ移動するので、形成したバンプの形状が崩れるのを防止することができる。
【0019】
上記揺動軸1241を中心とした低慣性移動押圧装置120の揺動量、正確には上記支持フレーム1240の上下方向への移動量は、変位検出センサ1250にて検出され、支持フレーム1240の該移動量に基づいて制御装置501にてキャピラリー1201の上下方向への移動量が求められる。尚、上記上下方向とは、上記水平方向にほぼ直交する方向であって上記揺動軸1241を中心とした軸周り方向への回転方向をいう。
【0020】
このように構成される低慣性移動押圧装置120において金線1はクランパー1220で保持され、キャピラリー1201に挿通されている。又、低慣性移動押圧装置120の近傍には以下の各装置が設けられている。キャピラリー1201より突出した金線1の先端部近傍には、スパーク発生装置1230が設けられ、該スパーク発生装置1230は、金線1の先端との間でスパークを発生させて金線1の先端を溶融して溶融ボール16を形成する。又、上記クランパー1220の上方には、図12に符号10を付して示したような、金線1を引き上げるエアーテンショナーが設けられ、又、上記バンプ形成ステージ106の上方には、バンプ形成ステージ106に保持されている半導体集積回路103の位置を認識する位置認識用カメラ装置160が設けられている。
【0021】
以下には、バンプ形成装置100の動作の内、上述のバンプボンディング装置110を用いたバンプボンディング方法について説明する。尚、各構成部分の動作制御は、制御装置501にて実行される。
まず、キャピラリー1201の下方に出た金線1の先端に、スパーク発生装置1230からスパークさせて、溶融ボール16を形成する。そして、位置認識カメラ装置160によりバンプ形成ステージ106上の半導体集積回路103を認識して、移動テーブル151を上記X−Y方向に移動させて半導体集積回路103上のバンプを形成すべき電極1031の上方に溶融バンプ16が位置するように位置決めする。
その後、図2に示すように、金線1に対して上記スパークを発生させ溶融ボール16を形成する高さ位置であるスパーク発生高さ170から、上記溶融ボール16が半導体集積回路103におけるバンプ形成箇所の電極1031に接触する直前における、キャピラリー1201の例えば先端での高さ位置である直前位置171まで、高速移動装置130を動作させる。このキャピラリー1201における移動量は、変位検出センサ134による検出に基づいて求められ、上記直前位置171に達した時点で制御装置501の制御により高速移動装置130の動作が停止される。即ち、上記高速移動装置130の動作により、フレーム揺動軸142を中心にして移動用フレーム143が矢印1331方向に揺動し、移動用フレーム143の一端部1431に設けた低慣性移動押圧装置120に備わるキャピラリー1201が上記スパーク発生高さ170から上記直前位置171へ第2速度にて移動し、溶融ボール16は上記電極1031に接触する直前に配置される。
【0022】
次に、高速移動装置130に代えて低慣性移動押圧装置120の駆動部1202を動作させる。これによって揺動軸1241を中心にして低慣性移動押圧装置120が揺動しキャピラリー1201が上記第2速度よりも低速にてなる第1速度にて上記直前位置171からさらに下降し、溶融ボール16は半導体集積回路103の上記電極1031に上方から当接する。変位検出センサ1250で検出される支持フレーム1240の変位が設定した値になることで、上記溶融ボール16が上記電極1031上へ押し潰された押圧位置172が検出される。そして、駆動部1202によってキャピラリー1201に所定の加圧を加えて溶融ボール16を下向きに押圧し、さらに、超音波発振器1212にて超音波振動を発生し超音波ホーン1211及びキャピラリー1201を介して、押圧されている溶融ボール16へ超音波振動を与える。これらの押圧及び振動動作により、溶融ボール16を半導体集積回路103の上記バンプ形成箇所の電極1031上に接合する。
上述の、キャピラリー1201にて溶融ボール16を下向きに押圧するときの加圧力は、0.49N程度であるので、該押圧時における変位は図2には図示していない。又、上記押圧時には変位検出は行っていない。
【0023】
上記接合後、高速移動装置130及び低慣性移動押圧装置120の駆動部1202を動作させることで、位置173までキャピラリー1201を上昇させる。その後、金線1をクランパー1220によって保持すると共に、高速移動装置130を動作させて、再びキャピラリー1201を上記スパーク発生高さ170まで上昇させる。該上昇動作により、溶融ボール16を形成するときの熱により金線1に生じた再結晶境界にて、金線1は断裂し、半導体集積回路103の上記電極1031上に突起状のバンプ17が形成される。
【0024】
このように本実施形態のバンプボンディング装置110によれば、上記スパーク発生高さ170から上記直前位置171まで、及び上記位置173からスパーク発生高さ170までキャピラリー1201を高速に移動させる動作と、上記直前位置171から上記押圧位置172までキャピラリー1201を低慣性押圧移動させる動作とを、それぞれ独立して専門に行うように、高速移動装置130と、低慣性移動押圧装置120とを設けた。このように構成することで、低慣性移動押圧装置120における慣性を小さくすることができ、キャピラリー1201より突出して形成されている溶融ボール16が半導体集積回路103の上記電極1031上に接触したときの衝撃力を従来に比べて抑えることができる。したがって、微小バンプの形成を安定して行え、かつバンプの形状不良防止を図ることができ、バンプ品質の向上を図ることができる。
又、スパーク発生高さ170から直前位置171までは高速移動装置130にてキャピラリー1201は高速移動するので、生産タクトが長くなるという問題も生じない。
【0025】
又、低慣性移動押圧装置120の揺動軸1241を、上述のように、上記移動用フレーム143の上記フレーム揺動軸142に対して慣性のつりあう釣合い位置に配置することで、高速移動装置130による低慣性移動押圧装置120への影響を無くすことができる。即ち、もし揺動軸1241を上記釣合い位置から外して配置した場合、上記高速移動に起因して低慣性移動押圧装置120に生じる慣性力がキャピラリー1201に作用してしまい、上記第1速度にてキャピラリー1201を移動させるための上記駆動部1202の動作制御が難しくなり、微小バンプを安定して形成することが困難になることが予想される。よって、本実施形態のように、上記高速移動に起因して低慣性移動押圧装置120に生じる慣性力をキャピラリー1201に作用させないような位置に揺動軸1241を配置することで、高速移動装置130によってキャピラリー1201を高速移動させることができ、かつバンプの形成時間が短縮でき、かつ、溶融ボール16が上記電極に接触したときの衝撃を抑えられ、微小バンプの形成を安定して行うことができる。よって、換言すると、低慣性移動押圧装置120は、揺動軸1241にて移動フレーム143に対して相対的に独立して移動するように構成したことで、溶融ボール16が上記電極に接触するときの衝撃を抑える衝撃抑制装置と言い代えることもできる。
【0026】
第2実施形態;
図3には、第2実施形態におけるバンプボンディング装置210が示されている。該バンプボンディング装置210では、上述のバンプボンディング装置110に備わりボイスコイルモータ構造にてなる高速移動装置130を、カム機構にてなる高速移動装置230に変更した構造を有する。尚、その他の構造は、上述のバンプボンディング装置110の場合と変わりない。よって、上記その他の構造について、ここでの説明は省略する。
上記高速移動装置230は、板カム231と、カムフォロア232と、カム付勢バネ233とを備える。板カム231は、図示するように楕円形状にてなり、制御装置501にて動作制御される例えばモータにてなる駆動装置234にて矢印方向に回転する。カムフォロア232は移動用フレーム143の他端部1432に設けられ、カム付勢バネ233にて上記板カム231へ押圧、密着している。このように構成される高速移動装置230では、板カム231が回転することで、移動用フレーム143がフレーム揺動軸142を中心に矢印133方向へ揺動し、上記第1実施形態にて説明したように低慣性移動押圧装置120を高速移動させる。
【0027】
このように構成される第2実施形態のバンプボンディング装置210の動作について、以下に説明する。尚、以下には、第2実施形態のバンプボンディング装置210にて特有の動作部分である高速移動装置230に関する動作について説明し、その他の、上述した第1実施形態のバンプボンディング装置110の動作と同様の動作について、ここでの説明は省略する。
上記溶融ボール16を形成した後、図4に示すように、高速移動装置230を動作することによって移動用フレーム143が揺動し、移動用フレーム143の一端部1431に設けられた低慣性移動押圧装置120が上記第2速度にて位置175まで下降する。
尚、本第2実施形態のようにカム機構を用いたとき、板カム231とカムフォロア232との配置関係及び駆動装置234の動作制御にて移動用フレーム143の揺動量は求まるので、上記揺動量を測定する変位検出センサは設けていない。
【0028】
又、上述の高速移動装置230の動作と同時に、低慣性移動押圧装置120の駆動部1202も動作させる。よって直前位置175にて高速移動装置230の動作が停止した後は、駆動部1202によってキャピラリー1201は上記第1速度にてさらに上記直前位置171まで下降を続け、半導体集積回路103のバンプ形成箇所の電極1031の直上に上記溶融ボール16は位置決めされる。そして、さらに駆動部1202によってキャピラリー1201は上記押圧位置172まで下降する。そして、押圧位置172にて駆動部1202によってキャピラリー1201に所定の加圧を加えて溶融ボール16を上記電極1031側へ押圧し、さらに、押圧されている溶融ボール16へ超音波振動装置1210にて超音波振動が与えられる。これにより、溶融ボール16が上記電極1031上に接合する。
【0029】
上記接合後、キャピラリー1201が、駆動部1202によって上記位置173まで一定量上昇し、その後、金線1をクランパー1220によって保持すると共に、駆動部1202及び高速移動装置230によって上記スパーク発生高さ170まで引き上げられる。これにより、金線1は上記再結晶境界において断裂し、半導体集積回路103の電極1031上に突起状のバンプ17が形成される。
【0030】
このように構成される第2実施形態のバンプボンディング装置210によれば、上述した第1実施形態のバンプボンディング装置110の場合と同様に、キャピラリー1201を高速に移動させる動作と、低慣性で押圧移動させる動作とを、それぞれ独立して専門に行うように、高速移動装置230と、低慣性移動押圧装置120とを設けたので、微小バンプの形成を安定して行え、かつバンプの形状不良防止を図ることができ、又、生産タクトが長くなるという問題も生じない。
【0031】
又、低慣性移動押圧装置120の揺動軸1241を、上述のように、上記移動用フレーム143の上記フレーム揺動軸142に対して慣性のつりあう釣合い位置に配置することで、上述した第1実施形態のバンプボンディング装置110の場合と同様に、高速移動装置230によってキャピラリー1201を高速移動させることができ、かつバンプの形成時間が短縮でき、かつ、溶融ボール16が上記電極1031に接触したときの衝撃を抑えられ、微小バンプの形成を安定して行え、かつバンプの形状不良防止を図ることができる。
【0032】
又、高速移動装置230の構造にカム機構を採用することで、上述した第1実施形態のバンプボンディング装置110における高速移動装置130に比べて、ボイスコイルモータ及び変位検出センサ134が不要となるので、安価な装置を構成することができる。
【0033】
第3実施形態;
図6には、第3実施形態におけるバンプボンディング装置310が示されている。上述した、第1実施形態のバンプボンディング装置110及び第2実施形態のバンプボンディング装置210では、キャピラリー1201における慣性力の低減を図るため、キャピラリー1201を高速に移動させる動作と、低慣性で押圧移動させる動作とを、それぞれ独立して専門に行うように、高速移動装置130、230と、低慣性移動押圧装置120とを設けた。
一方、第3実施形態におけるバンプボンディング装置310では、移動用フレームへの上記超音波振動装置の搭載をやめ、さらにキャピラリー1201を移動させる装置の搭載をやめた構造を採って上記慣性力の低減を図った。よって、該第3実施形態におけるバンプボンディング装置310では、一つの移動装置にて移動用フレームの高速移動及び低慣性移動、並びにキャピラリー1201による押圧動作を行う。以下に構造説明を行うが、上述した第1実施形態のバンプボンディング装置110と同じ構成部分については同じ符号を付し、その説明を省略する。
【0034】
本第3実施形態におけるバンプボンディング装置310では、上記フレーム揺動軸142に支持された移動用フレーム343の一端部3431には、上記クランパ1220、超音波伝達部321、支持部材322、上記キャピラリー1201が設けられ、他端部3432には移動装置330が設けられている。
移動装置330は、上記第1実施形態及び第2実施形態にて説明したような上記第2速度の高速移動と、上記第1速度の低慣性移動と、さらには上記押圧動作とを行う装置であり、上記第1実施形態の場合と同様に、磁石331とコイル332とを有するボイスコイルモータの構造を有する。上記磁石331は例えば移動用フレーム343とは別個のフレームに固定され、コイル332は移動用フレーム343に取り付けられている。
【0035】
移動用フレーム343の他端部3432には、クランパ1220が取り付けられ、該クランパ1220には、支持部材322を介して上記超音波伝達部321が支持され、該超音波伝達部321には上記キャピラリー1201が取り付けられている。又、上記超音波伝達部321には、伝達部材323を介して上記超音波ホーン1211の一端が接続され、該超音波ホーン1211の他端には上記超音波発振器1212が取り付けられている。即ち、超音波振動装置1210は、移動用フレーム343とは別個独立して設けられている。
又、上記伝達部材323は、本実施形態では、直径が0.3mm〜1mmで音速が4500〜5500m/sのものを用いている。
【0036】
このように構成された第3実施形態のバンプボンディング装置310の動作を以下に説明する。尚、以下には、第3実施形態のバンプボンディング装置310にて特有の動作部分である溶融ボール16の上記上下方向への移動動作、及び押圧動作の際の超音波振動付与動作について説明し、その他の上記第1及び第2の各実施形態におけるバンプボンディング装置110、210における動作と同様の動作については説明を省略する。
上記スパーク発生高さ170に配置されたキャピラリー1201は、移動装置330にてフレーム揺動軸142を中心にして移動用フレーム343が揺動することで、上記直前位置171まで上記第2速度にて高速移動される。直前位置171に到達後、移動装置330にて移動用フレーム343は上記第1速度にて低慣性移動され、変位検出センサ134にて検出される移動用フレーム343の変位が一定値に停止することにより、キャピラリー1201が上記押圧位置172に到達したことが検出される。そして、移動装置330によりキャピラリー1201には所定の押圧力が作用し、上記電極1031上の溶融ボール16は該電極1031に押圧される。
【0037】
又、上記押圧動作の際には、超音波発振器1212にて発生した超音波振動が超音波ホーン1211、伝達部材323、及び超音波伝達部321を介してキャピラリー1201に伝わり、押圧されている溶融ボール16に付与される。よって、溶融ボール16は上記半導体集積回路103の上記電極1031上に接合される。
【0038】
該接合後、移動装置330にて移動用フレーム343は揺動し、キャピラリー1201が一定量上昇し、上記位置173に配置される。そして、金線1をクランパー1220によって保持すると共に、再び、移動装置330にて移動用フレーム343を揺動させる。該揺動により上記再結晶境界において金線1は断裂し、半導体集積回路103の上記電極1031に突起状のバンプ17が形成され、又、キャピラリー1201は、上記スパーク発生高さ170まで上昇する。
【0039】
このように第3実施形態のバンプボンディング装置310によれば、移動用フレーム343の一端部3431に超音波発振器1212及び超音波ホーン1211を搭載せず、別設するように構成したことで、移動用フレーム343の一端部3431におけるキャピラリー1201を含んだヘッド部の慣性を小さくすることができる。よって、上記ヘッド部の上下動作を高速に行うことができ、バンプの形成時間を短縮することができ、又、溶融ボール16が上記電極1031に接触したときの衝撃を抑えることができ、微小バンプを安定して形成でき、かつバンプの形状不良防止を図ることができる。
尚、本第3実施形態によれば、移動装置330はボイスコイルモータにて構成したが、上述した第2実施形態のようにカム機構にて構成することもできる。
【0040】
第4実施形態;
図7には、第4実施形態におけるバンプボンディング装置410が示されている。上述した第3実施形態におけるバンプボンディング装置310では、移動用フレーム343の一端部3431に設けられたキャピラリー1201は、移動用フレーム343の移動により移動し、移動用フレーム343とは別個にキャピラリー1201が独立して移動することはできない構造である。これに対して、本第4実施形態におけるバンプボンディング装置410では、移動用フレームとは別個にキャピラリー1201を独立して移動可能とする構造を有する。このようなバンプボンディング装置410における特有の構成について、以下に詳しく説明するが、上述した各実施形態におけるバンプボンディング装置110、210、310における構成と同様の構成部分については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【0041】
上記バンプボンディング装置410では、上記フレーム揺動軸142に支持された移動用フレーム443の一端部4431には、第2低慣性移動押圧装置420が設けられ、他端部4432には第2高速移動装置430が設けられている。
第2低慣性移動押圧装置420は、図8に詳しく示すように、上記クランパ1220、駆動部421、支持部材422、案内機構423、上記超音波伝達部321、及び上記キャピラリー1201を有する。クランパ1220は、移動用フレーム443の一端部4431に取り付けられ、又、本実施形態では上記駆動部421はボイスコイルモータにて構成され、該ボイスコイルモータの例えば磁石4211が上記一端部4431に固定されている。一方、上記ボイスコイルモータのコイル4212は支持部材422の一端側に取り付けられ、該支持部材422は、上記一端部4431に取り付けられた案内機構423にて、バンプ形成ステージ106に保持されている半導体集積回路103の厚み方向、つまりほぼ上記上下方向に沿って移動可能な状態にて支持されている。又、支持部材422の移動量、即ちキャピラリー1201の移動量を検出する変位検出センサ424が設けられている。又、支持部材422の他端部には、キャピラリー1201を有する超音波伝達部321が取り付けられている。尚、上記クランパー1220の上方には、金線1を引き上げる不図示のエアーテンショナーが設けられている。
このように構成される第2低慣性移動押圧装置420は、上述した第1実施形態のバンプボンディング装置110に備わる低慣性移動押圧装置120と同様に、上記第1速度による低慣性移動、及び上記押圧動作を行う。
【0042】
上記第2高速移動装置430は、上述した第1実施形態のバンプボンディング装置110に備わる高速移動装置130と同様に、本実施形態では、磁石431とコイル432を有するボイスコイルモータの形態にてなり、移動用フレーム443を上記第2速度にて高速動作させる。即ち、移動用フレーム443の一端部4431に設けた上記第2低慣性移動押圧装置420のキャピラリー1201を上記スパーク発生高さ170から上記直前位置171まで上記第2速度にて高速動作させる。
【0043】
このように構成される第4実施形態におけるバンプボンディング装置410の動作を以下に説明する。尚、以下には、該バンプボンディング装置410にて特有の動作部分である溶融ボール16の上記上下方向への移動動作、及び押圧動作について説明し、その他の上記第1から第3の各実施形態におけるバンプボンディング装置110、210、310における動作と同様の動作については説明を省略する。
上記スパーク発生高さ170に配置されたキャピラリー1201は、第2高速移動装置430にてフレーム揺動軸142を中心にして移動用フレーム443を揺動させることで、上記直前位置171まで上記第2速度にて高速移動される。キャピラリー1201が直前位置171に到達後、上記第2低慣性移動押圧装置420の駆動部421の動作により案内機構423に案内されながら支持部材422つまりキャピラリー1201が上記第1速度にて低慣性移動される。変位検出センサ424にて検出される支持部材422の変位が一定値に停止することにより、上記低慣性移動によりキャピラリー1201が上記押圧位置172に到達したことが検出される。そして、第2低慣性移動押圧装置420の駆動部421によりキャピラリー1201には所定の押圧力が作用し、上記電極1031上の溶融ボール16は該電極1031に押圧される。
【0044】
又、上記押圧動作の際には、超音波発振器1212にて発生した超音波振動が超音波ホーン1211、伝達部材323、及び超音波伝達部321を介してキャピラリー1201に伝わり、押圧されている溶融ボール16に付与される。よって、溶融ボール16は上記半導体集積回路103の上記電極1031上に接合される。
【0045】
該接合後、第2高速移動装置430及び第2低慣性移動押圧装置420の駆動部421の動作により移動用フレーム443は揺動し、キャピラリー1201が一定量上昇し、上記位置173に配置される。そして、金線1をクランパー1220によって保持すると共に、第2高速移動装置430にて移動用フレーム443を揺動させる。該揺動により上記再結晶境界において金線1は断裂し、半導体集積回路103の上記電極1031に突起状のバンプ17が形成され、又、キャピラリー1201は、上記スパーク発生高さ170まで上昇する。
【0046】
このように第4実施形態のバンプボンディング装置410によれば、上述した第1実施形態のバンプボンディング装置110と同様に、キャピラリー1201を高速に移動させる動作と、低慣性で押圧移動させる動作とを、それぞれ独立して専門に行うように、第2高速移動装置430と、第2低慣性移動押圧装置420とを設け、かつ超音波発振器1212及び超音波ホーン1211を第2低慣性移動押圧装置420の外部に設けたことで、第2低慣性移動押圧装置420における慣性を小さくすることができ、溶融ボール16が半導体集積回路103の上記電極1031上に接触したときの衝撃力を抑えることができる。したがって、微小バンプの形成を安定して行え、かつバンプの形状不良の防止を図ることができる。又、上述のように上記衝撃力を抑えつつ、高速移動が可能であるので、生産タクトが長くなるという問題も生じない。
尚、本第4実施形態によれば、第2高速移動装置430はボイスコイルモータにて構成したが、上述した第2実施形態のようにカム機構にて構成することもできる。
【0047】
第5実施形態;
図10には、第5実施形態におけるバンプボンディング装置510が示されている。本実施形態のバンプボンディング装置510は、上述の第1実施形態におけるバンプボンディング装置110における低慣性移動押圧装置120の構造の一部を変更した低慣性移動押圧装置520を有する。よって、以下には、上記低慣性移動押圧装置520について説明し、バンプボンディング装置510のその他の構造部分についての説明は省略する。又、低慣性移動押圧装置520について、低慣性移動押圧装置120と同じ機能を行う部分については、低慣性移動押圧装置120と同じ符号を付しその説明を省略する。
【0048】
低慣性移動押圧装置520は、低慣性移動押圧装置120における構造と基本的に同じ構造を有し、キャピラリー1201、駆動部1202、超音波振動装置1210、及びクランパ1220を有し、上記超音波振動装置1210は、超音波ホーン1211及び超音波発振器1212を有する。上記キャピラリー1201、上記超音波振動装置1210、及びクランパ1220は、支持フレーム5240に取り付けられている。尚、支持フレーム5240は、第1実施形態における支持フレーム1240に相当する。
【0049】
一方、上記低慣性移動押圧装置520が低慣性移動押圧装置120と異なる点は、以下の通りである。上述したように上記第1実施形態における上記変位検出センサ1250は、上記支持フレーム1240における上記上下方向への移動量を検出する。一方、第5実施形態における検出センサ5250では、支持フレーム5240の移動量検出は行なわず、支持フレーム5240が所定量以上移動した場合にのみ出力を発するオン、オフ動作を行なう。このような検出センサ5250は、移動用フレーム143上に検出センサ5250を設置した。又、支持フレーム5240は、移動用フレーム143の上記一端部1431に板バネ5245を介して取り付けられている。よって、第1実施形態における揺動軸1241は当該第5実施形態では存在せず、支持フレーム5240は、上記駆動部1202により上記板バネ5245を支点として矢印1242方向に揺動可能である。よって、板バネ5245が上記揺動軸1241に相当しその機能を果たす。又、上記高速移動装置130による上記第2速度で支持フレーム5240が高速移動するとき、低慣性移動押圧装置520が揺動するのを防止するため、支持フレーム5240と移動用フレーム143との間にスプリング5246を設けている。
【0050】
上述のように構成されるバンプボンディング装置510の動作について、図11を参照しながら以下に説明する。尚、各構成部分の動作制御は、制御装置501にて実行される。又、以下の説明では、上記高速移動装置130及び上記低慣性移動押圧装置520に関する動作について説明し、その他の、上述した第1実施形態のバンプボンディング装置110の動作と同様の動作について、ここでの説明は省略する。
上記溶融ボール16を形成した後、高速移動装置130を動作させることで、移動用フレーム143の一端部1431に設けられた低慣性移動押圧装置520のキャピラリー1201が上記スパーク発生高さ170から上記直前位置171まで上記第2速度にて高速移動する。このとき、低慣性移動押圧装置520に備わる駆動部1202は、支持フレーム5240が揺動しないような高トルクを発し、よって支持フレーム5240の揺動は制限される。尚、上記高トルクは、高荷重551に相当する。
【0051】
上記キャピラリー1201が上記直前位置171に達したとき、上記駆動部1202の発するトルクは、上記高トルクより小さいサーチ荷重用のトルクに切り替えられる。上記サーチ荷重552とは、溶融ボール16が上記電極1031に接触し押圧されるのを検出するための荷重である。又、上記キャピラリー1201に上記サーチ荷重552が作用した状態にて、以下のサーチ動作が実行される。
次に、キャピラリー1201が直前位置171に到達後、さらに高速移動装置130を動作させて上記第2速度よりも遅い速度にて、移動用フレーム143、つまり上記キャピラリー1201を上記押圧位置172までさらに下降させる。よって、溶融ボール16は、上記電極1031に接触しさらに押圧される。該押圧動作により、低慣性移動押圧装置520の支持フレーム5240は、上記サーチ荷重552用のトルクに逆らって、上記板バネ5245を支点として矢印1242方向へ揺動する。該揺動動作による支持フレーム5240の移動は、上記検出センサ5250にて検出される。尚、溶融ボール16が上記電極1031に接触してから押圧されるまでの距離560は、約10〜50μmである。
【0052】
上記検出センサ5250にて支持フレーム5240における上記所定量の移動が検出されたとき、即ちキャピラリー1201が上記押圧位置172に達したとき、検出センサ5250の出力に基づいて低慣性移動押圧装置520は、サーチ動作からボンディング動作に移行する。該ボンディング動作への移行に伴い、上記駆動部1202の発するトルクは、上記サーチ荷重552を超えるボンディング荷重553用のトルクに切り替えられる。そして、上記ボンディング動作が完了するまで、ボンディング荷重553が溶融ボール16に加えられ、溶融ボール16は上記電極1031に押圧されバンプに成形される。
【0053】
ボンディング動作完了後、再び高速移動装置130を動作させ、キャピラリー1201を所定量上昇させる。尚、このとき、低慣性移動押圧装置520の駆動部1202は、上記ボンディング荷重553用のトルクを発している。
上記所定量の上昇時点で、又は上記ボンディング動作完了から所定時間の経過時点で、低慣性移動押圧装置520の駆動部1202は、上記ボンディング荷重553用のトルクから上記高トルクに切り替わり、支持フレーム5240は、その揺動を制限される。以後、第1実施形態にて説明したように、金線1のクランプ動作、切断動作が実行された後、再び溶融ボール16の形成動作へと移行する。
【0054】
以上説明した第5実施形態のバンプボンディング装置510によれば、上記第1実施形態の場合と同様に、溶融ボール16が電極1031に接触するときの衝撃力を従来に比べて抑えることができる。よって、微小バンプの形成を安定して行え、かつバンプの形状不良防止を図ることができ、バンプ品質の向上を図ることができる。又、スパーク発生高さ170から上記直前位置171までは高速移動装置130にてキャピラリー1201は高速移動することから、生産タクトが長くなるという問題も生じない。又、第5実施形態では、オン、オフ動作を行なう検出センサ5250を設けたことより、第1実施形態に比べて制御装置501における制御動作を簡略化することができる。
【0055】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明の第1態様のバンプボンディング装置によれば、ワイヤ導出部材を高速に移動させる動作と低慣性で押圧移動させる動作とをそれぞれ独立して専門に行う高速移動装置と低慣性移動押圧装置とを設けたことより、低慣性移動押圧装置における慣性を小さくすることができる。よって、ワイヤ導出部材より突出して形成されている溶融ボールが低慣性移動押圧装置により駆動されて半導体集積回路の電極上に接触したときの衝撃力を抑えることができる。したがって、微小バンプの形成を安定して行え、かつバンプの形状不良防止を図ることができ、バンプ品質の向上を図ることができる。一方、上記電極への溶融ボールの押圧、接合以外の動作は、上記高速移動装置にて上記ワイヤ導出部材を駆動することから、生産タクトが長くなることもなく生産性の向上を図ることができる。
【0056】
又、上記低慣性移動押圧装置に超音波振動装置を備えることで、上記電極への溶融ボールの押圧時に超音波振動装置にて上記溶融ボールへ超音波振動を与え、上記電極への溶融ボールの接合をより容易かつ強固にすることができる。
【0057】
又、上記低慣性移動押圧装置は揺動軸を中心に揺動しかつ該揺動軸を、移動用フレームのフレーム揺動軸に対して慣性のつりあう釣合い位置に配置したことで、上記高速移動装置によりワイヤ導出部材が高速移動されることで、ワイヤ導出部材が上記低慣性移動押圧装置に与える影響を無くすることができる。よって、上述の微小バンプの安定形成、生産性向上にさらに寄与することができる。
【0058】
又、上記超音波振動装置を移動用フレームとは別設したことで、上記低慣性移動押圧装置の慣性をより小さくすることができる。よって、上述の微小バンプの安定形成、生産性向上にさらに寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態におけるバンプボンディング装置を示す図である。
【図2】 図1に示すバンプボンディング装置にて実行されるバンプボンディング動作におけるキャピラリーの移動軌跡を示す図である。
【図3】 本発明の第2実施形態におけるバンプボンディング装置を示す図である。
【図4】 図3に示すバンプボンディング装置にて実行されるバンプボンディング動作におけるキャピラリーの移動軌跡を示す図である。
【図5】 図1及び図3に示すバンプボンディング装置に備わる低慣性移動押圧装置部分の拡大図である。
【図6】 本発明の第3実施形態におけるバンプボンディング装置を示す図である。
【図7】 本発明の第4実施形態におけるバンプボンディング装置を示す図である。
【図8】 図7に示すバンプボンディング装置に備わる第2低慣性移動押圧装置部分の拡大図である。
【図9】 本発明の各実施形態のバンプボンディング装置を備えたバンプ形成装置を示す斜視図である。
【図10】 本発明の第5実施形態におけるバンプボンディング装置を示す図である。
【図11】 図10に示すバンプボンディング装置にて実行されるバンプボンディング動作におけるキャピラリーの移動軌跡を示す図である。
【図12】 従来のバンプボンディング装置を示す図である。
【符号の説明】
1…金線、16…溶融ボール、
100…バンプ形成装置、110…バンプボンディング装置、
120…低慣性移動押圧装置、130…高速移動装置、
142…フレーム揺動軸、143…移動用フレーム、
231…板カム、232…カムフォロア、
323…伝達部材、330…移動装置、343…移動用フレーム、
1031…電極、1201…キャピラリー、1202…駆動部、
1210…超音波振動装置、1211…超音波ホーン、
1212…超音波発振器、1241…揺動軸、
1431…一端部、1432…他端部、
3431…一端部、3432…他端部。
Claims (3)
- ワイヤ導出部材(1201)及び駆動部(1202)を有し、かつ上記ワイヤ導出部材から突出したワイヤ先端に形成した溶融ボール(16)が半導体集積回路の電極(1031)に接触する直前の高さに到達した後、上記駆動部にて上記ワイヤ導出部材を第1速度にて上記電極側へ移動して上記ワイヤ導出部材にて上記溶融ボールを上記電極に押圧して接合させる低慣性移動押圧装置(120)と、
上記ワイヤ先端に形成された上記溶融ボールが上記半導体集積回路の上記電極に接触する上記直前の高さまで、上記低慣性移動押圧装置を設けた移動用フレーム(143)を上記第1速度よりも高速にて移動させる高速移動装置(130)と、
を備えたことを特徴とするボンディング装置。 - 上記低慣性移動押圧装置には、上記ワイヤ導出部材に取り付けられ、上記溶融ボールが上記電極に押圧されているときに上記ワイヤ導出部材を介して上記溶融ボールを超音波振動させる超音波振動装置(1210)をさらに備えた、請求項1記載のボンディング装置。
- 上記低慣性移動押圧装置は、上記ワイヤ導出部材を一端側に配置し上記駆動部を他端側に配置して、上記移動用フレームに設けた揺動軸(1241)を中心にして上記ワイヤ導出部材及び上記駆動部を揺動可能として上記移動用フレームに取り付けられる、請求項2記載のボンディング装置。
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