JPH05283463A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

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JPH05283463A
JPH05283463A JP4105782A JP10578292A JPH05283463A JP H05283463 A JPH05283463 A JP H05283463A JP 4105782 A JP4105782 A JP 4105782A JP 10578292 A JP10578292 A JP 10578292A JP H05283463 A JPH05283463 A JP H05283463A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 良好なワイヤループを形成すること。 【構成】 ワイヤ2を保持したキャピラリ1を用いて半
導体ペレット5の電極4にワイヤ2を接続した後、キャ
ピラリ1をリード3に向けて移動させるとともに、キャ
ピラリ1をリード3の手前位置からリード3のボンディ
ング部に向けて斜め移動させ、この斜め移動の延長端に
てワイヤ2をリード3のボンディング部に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、第1のボンディング部
と第2のボンディング部とを導電性のワイヤにて電気的
に接続するワイヤボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体チップに設けられた電極
とリードフレームに形成されたリードとをワイヤを用い
て電気的に接続するものとして、ワイヤボンディング技
術が知られている。
【0003】この技術の一例を示せば、次の通りであ
る。まずワイヤを保持するキャピラリを、第1のボンデ
ィング部である電極の上方位置から垂直下降させる。そ
して電極上方の所定高さに設定されたサーチレベルにキ
ャピラリが到達した時点で、その下降速度を今までの速
度より遅いサーチ速度に切換え、この状態を維持しなが
らワイヤを電極に接触させる。その後キャピラリを介し
てワイヤに所定のボンディング荷重並びに超音波振動を
付与し、ワイヤの一端を電極に接続する。
【0004】次に、キャピラリを所定量上昇させた後、
放物線状の軌跡を描くようにしてリードの上方に移動さ
せる。そしてキャピラリを垂直下降させ、リード上方の
所定高さに設定されたサーチレベルに到達した時点でそ
の下降速度をサーチ速度に切換え、この状態を維持しな
がらワイヤをリードに接触させる。ここで、キャピラリ
を介してワイヤに所定のボンディング荷重並びに超音波
振動を付与し、ワイヤをリードに接続する。そして最後
に、リードの接続部分にてワイヤを切断して1サイクル
が終了する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のワイ
ヤボンディングにおいては、第2のボンディング部であ
るリードへの接続の際、キャピラリをリードの上方から
垂直に下降させるものであったため、次の理由から、電
極とリード間のワイヤにカールが発生するという問題が
生じていた。
【0006】すなわち、キャピラリがリード側に移動し
た時、図5に示すように、キャピラリ1の先端から導出
しているワイヤ2は、電極方向(図中左方向)に向けて
下方に凸状のわん曲部Rが形成された状態にある。この
ため、キャピラリ1が下降してワイヤ2における正規の
部分をリード3に接続させる前段階にて、ワイヤ2のわ
ん曲部Rにおける最下部pが先にリード3と接触する。
そして引き続くキャピラリ1の下降によって、このわん
曲部Rが電極側に押し戻され、形成されるワイヤループ
が跳ね上げられることとなる。従って図6におけるL1
で示されるように、理想のループL0よりループ高さが
高くなってしまい、接続時に印加される超音波振動がル
ープ部分に伝播するなどによってワイヤループが横方向
に曲がり、このためカールが発生するのである。
【0007】なおこのカールの原因としては、スプール
に巻かれているときに生じたワイヤ自身の巻癖も考えら
れる。
【0008】また特に両ボンディング部間が長い場合に
は、同理由により、図6にてL2で示すように、形成さ
れたループの略中央部が下方に弛んでしまうことがあ
る。この場合、例えば搬送時の振動や、モールド工程に
おいて流し込む樹脂によって、ループが倒れ、不良品と
なるという問題を有していた。なお図中4は、半導体ペ
レット5の電極を示す。
【0009】本発明は、外力の影響を受けにくい、良好
なワイヤループを形成することができ、カールの発生を
防止できるワイヤボンディング方法を提供することを目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の本発明
によれば、ワイヤを保持したキャピラリを用いて第1の
ボンディング部と第2のボンディング部とを電気的に接
続するワイヤボンディング方法において、前記第1のボ
ンディング部に前記ワイヤを接続した後、前記キャピラ
リを前記第2のボンディング部に向けて移動させるとと
もに、前記キャピラリを前記第2のボンディング部の手
前位置から前記第2のボンディング部に向けて斜め移動
させ、この斜め移動の延長端にて前記ワイヤを前記第2
のボンディング部に接続することを特徴とする。
【0011】請求項2に記載の本発明によれば、ワイヤ
を保持したキャピラリを用いて第1のボンディング部と
第2のボンディング部とを電気的に接続するワイヤボン
ディング方法において、前記第1のボンディング部に前
記ワイヤを接続した後、前記キャピラリを前記第2のボ
ンディング部に向けて移動させるとともに、前記キャピ
ラリを前記第2のボンディング部の手前位置から前記第
2のボンディング部に向けて斜め移動させ、この斜め移
動の延長端にて前記ワイヤが前記第2のボンディング部
に接触した時にはこのワイヤに正規のボンディング力よ
り弱い押付力を作用させ、その後正規のボンディング力
を付与して前記第2のボンディング部に接続するように
したことを特徴とする。
【0012】
【作用】請求項1に記載の本発明によれば、第1のボン
ディング部にワイヤを接続した後、キャピラリは第2の
ボンディング部に向けて移動し、そして第2のボンディ
ング部の手前位置から第2のボンディング部に向けて斜
め移動する。これによってワイヤには張力が付与され、
斜め移動の延長端にてワイヤは第2のボンディング部に
接続される。
【0013】請求項2に記載の本発明によれば、第1の
ボンディング部にワイヤを接続した後、キャピラリは第
2のボンディング部に向けて移動し、そして第2のボン
ディング部の手前位置から第2のボンディング部に向け
て斜め移動する。これによってワイヤには張力が付与さ
れ、しかも斜め移動の延長端にてワイヤが第2のボンデ
ィング部に接触した時にはこのワイヤに正規のボンディ
ング力より弱い押付力が作用し、その後正規のボンディ
ング力が付与されて第2のボンディング部に接続され
る。
【0014】
【実施例】本発明の実施例について図面を用いて説明す
る。
【0015】図1は、本発明の実施に用いられるワイヤ
ボンディング装置の一例を示す正面図、図2は、キャピ
ラリの移動軌跡を示す説明図である。
【0016】ここに示したワイヤボンディング装置10
は、図1に示すように、XY方向に移動するテーブル1
1と、このテーブル11に載置されたボンディングヘッ
ド12を有する。ボンディングヘッド12には固定ブロ
ック13が設けられ、この固定ブロック13には支軸1
4により、揺動ブロック15とボンディングアーム16
とが揺動自在に支持されている。ボンディングアーム1
6の一方の揺動端部には、ワイヤ2の挿通孔を有するキ
ャピラリ1が装着され、また他端部には、不図示の超音
波振動子が装着される。さらにボンディングアーム16
の後部と揺動ブロック15との間には、ばね17とボイ
スコイルモータ18が隣接して配置される。ばね17
は、その各端部が揺動ブロック15とボンディングアー
ム16にそれぞれ支持され、揺動ブロック15に対して
ボンディングアーム16を支軸14を中心に反時計方向
に付勢するもので、その揺動は揺動ブロック15に設け
たストッパ19によって制限される。これに対してボイ
スコイルモータ18は、その本体18aが揺動ブロック
15に、その作動軸18bがボンディングアーム16に
それぞれ装着され、ボイスコイルモータ18は電流の印
加により、その電流値に応じた押付力をボンディングア
ーム16の後部に発生するものである。従ってボイスコ
イルモータ18に印加する電流を調整することにて、揺
動ブロック15とボンディングアーム16との間に作用
するばね17の付勢力を調整できるようになっている。
【0017】なお図中20は揺動ブロック15に設けら
れたギャップセンサで、その検出面がボンディングアー
ム16の他端部に対向するように設けられ、揺動ブロッ
ク15に対するボンディングアーム16の相対移動量を
検知する。
【0018】揺動ブロック15の後方部には、一対の支
持アーム21が突設される。そして、不図示の制御装置
により駆動制御されるモータ22によって回転される円
盤23の偏芯位置に突設された係合ピン24が、一対の
支持アーム21間に係合しており、モータ22の出力軸
を中心とした係合ピン24の回転方向並びに回転速度に
応じて、揺動ブロック15は揺動させられる。なお揺動
ブロック15の揺動量は、モータ22に接続された不図
示のエンコーダにて検出される。
【0019】次にこのボンディング装置10によるボン
ディング作動について、図2を用いて説明する。
【0020】まずテーブル11の移動により、キャピラ
リ1は半導体ペレット5の電極4の上方の位置Aに位置
付けられる。ここでモータ22が駆動されると、ボンデ
ィングアーム16はその後端部がストッパ19に当接し
た状態で揺動ブロック15と一体となって揺動し、キャ
ピラリ1は下降を開始する。そしてこの下降時、モータ
22に接続された不図示のエンコーダによってキャピラ
リ1がサーチレベルに達したことが検出されると、モー
タ22の駆動制御によりキャピラリ1の下降速度がサー
チ速度に減速される。そしてキャピラリ1がワイヤ2を
介して電極4に接触すると、ワイヤ2にはキャピラリ1
より所定のボンディング荷重と不図示の超音波振動子か
ら超音波振動が付与され、ワイヤ2が電極4に接続され
る。なお電極4にワイヤ2が接触したことは、この接触
以後における揺動ブロック15の揺動による、揺動ブロ
ック15とボンディングアーム16との相対移動をギャ
ップセンサ20が検出することにて検出される。またボ
ンディング荷重は、ばね17による付勢力とボイスコイ
ルモータ18に印加する電流に応じた押付力との差分と
なる。
【0021】このようにして第1のボンディング部への
接続が終了すると、キャピラリ1は再びA位置まで上昇
し、その後テーブル11の移動によりリード3とは反対
方向へ距離a離れたB位置に移動する。さらにB位置か
らC位置まで上昇する。
【0022】次にキャピラリ1は、テーブル11の移動
によってリード3方向に移動すると同時に、モータ22
の駆動によって下降し、D位置、すなわちリード3の上
方に、設定されたサーチレベルと同レベルでしかもリー
ド3上のボンディング点より電極4側に距離b離れた位
置まで、丁度放物線状の軌跡を描きながら移動する。
【0023】ここで本実施例においては、キャピラリ1
が位置Dに達したタイミングでボイスコイルモータ18
に印加する電流を増大させ、ばね17の付勢力に近い押
付力をボンディングアーム12の後端部に付与するよう
にしてある。
【0024】さてキャピラリ1がD位置に達した後、下
降速度がサーチ速度に減速されるとともに、テーブル1
1とモータ22がともに駆動されることにより、キャピ
ラリ1はリード3のボンディング点に向かって斜め方向
に下降移動する。なおこの下降移動の移動軌跡は、水平
面に緩やかに交わる勾配であるのが好ましい。そしてこ
の下降移動時、ギャップセンサ20が揺動ブロック15
とボンディングアーム16との相対移動を検出すること
により、ワイヤ2がリードに接触したことが検出され
る。このとき先に述べたように、ボイスコイルモータ1
8によりばね17の付勢力に近い押付力がボンディング
アーム16の後端部に付与されているので、ワイヤ2に
は正規のボンディング力より弱い押圧力が付与される。
この状態からテーブル11はさらに距離c(図3参照)
だけ電極4から離れる方向に移動して停止する。そして
停止時、ボイスコイルモータ18に印加する電流を制御
してボンディングアーム16に対する押付力を解除また
は弱め、これによりキャピラリ1を介してワイヤ2には
正規のボンディング力並びに不図示の超音波振動子から
超音波が印加され、リード3のボンディング点に接続さ
れる。なおこのリード3への接続時に加えられる正規の
ボンディング力、すなわちばね17による付勢力とボイ
スコイルモータ18に印加する電流に応じた押付力との
差分は、電極4への接続時に比べて大きくなるようにボ
イスコイルモータ18に印加する電流が制御される。
【0025】ここで距離cについて説明すると、図3に
示すのは、ワイヤ2がリード3に接続された状態の拡大
図、図4は、図3における距離cとカール量の相関図を
示しており、両図から、距離cをボンディング時に印加
する超音波振動の振幅sより大きく設定すると、カール
量が極端に減少することがわかる。従って本実施例にお
いては、距離cはボンディング時に印加する超音波振動
の振幅sより大きくとってある。
【0026】さてリード3への接続が終了すると、キャ
ピラリ1は上昇を開始する。そしてリード3の接続部分
にてワイヤを切断して1サイクルが終了する。
【0027】以上説明したように本実施例によれば、キ
ャピラリ1を、リード3のボンディング点の手前位置で
ある位置Dからボンディング点に向けて斜め移動させる
ようにしたので、ワイヤ2に張力が付与された状態でル
ープが形成されることとなる。このため、 ワイヤ2をリード3に接続する際に、従来のようにキ
ャピラリ1の先端から導出しているワイヤ2のわん曲部
Rを押し戻すことによってワイヤループを跳ね上げるこ
とがなくなり、形成されるワイヤループの高さが高くな
るのを防止することができる。 ワイヤ2自体にスプールによる巻癖が生じている場合
でも、その巻癖が矯正さされる。 電極4とリード3との両ボンディング部間が長い場合
でも、形成されたワイヤループの弛みが防止され、例え
ば搬送時や、モールド工程において樹脂を流し込んだ際
にも、ワイヤループが変形することを防止できる。
【0028】従って上記実施例によれば、外力の影響を
受けにくい、良好なワイヤループを形成することがで
き、カールの発生を防止することができる。
【0029】また上記実施例においては、ワイヤ2をリ
ード3に接続する際、まずワイヤ2にはキャピラリ1に
よって正規のボンディング力より弱い押圧力が付与さ
れ、キャピラリ1が距離cだけ電極4から離れる方向に
移動した時に正規のボンディング力が付与されるように
なっており、しかもこの距離cは、接続時に印加される
超音波振動の振幅sより大きく設定されている。このた
め、 接続時の超音波振動がキャピラリ1を介してワイヤ2
のループ部分に伝播されるのが極力防止され、超音波振
動によるループ倒れを防止できる。 リード3におけるワイヤ2の接続領域が、図3にmで
示す従来に比べて、nで示すように広くなるため、接続
部における引っ張り強度を増大させることも可能とな
る。
【0030】なお上記実施例においては、キャピラリ1
が位置Dに到達した時にボイスコイルモータ18の電流
制御をして、ばね17の付勢力に近い押付力をボンディ
ングアーム12の後端部に付与するようにした。しかし
ながら、このボイスコイルモータ18の電流制御タイミ
ングを、ワイヤ2を電極4に接続した後で位置Dに到達
するまでの間に設定するようにしてもよい。
【0031】さらに実施例においては、第1ボンディン
グ点を電極4とし、第2ボンディング点をリード3とし
たが、この逆でもよく、さらに本発明は、両ボンディン
グ点を電極またはリードとするものであっても適用でき
る。
【0032】
【発明の効果】本発明によれば、外力の影響を受けにく
い、良好なワイヤループを形成することができ、カール
の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施に用いられるワイヤボンディング
装置の一例を示す正面図である。
【図2】キャピラリの移動軌跡の説明図である。
【図3】ワイヤがリードにボンディングされた状態の拡
大図である。
【図4】図3における距離cとカール量の相関図であ
る。
【図5】従来例における第2のボンディング部へ移動中
のキャピラリから導出したワイヤの状態の説明図であ
る。
【図6】ワイヤループ形状の説明図である。
【符号の説明】
1 キャピラリ 2 ワイヤ 3 リード 4 電極 5 半導体ペレット 10 ワイヤボンディング装置 11 テーブル 12 ボンディングヘッド 13 固定ブロック 14 支軸 15 揺動ブロック 16 ボンディングアーム 17 ばね 18 ボイスコイルモータ 19 ストッパ 20 ギャップセンサ 21 支持アーム 22 モータ 23 円盤 24 係合ピン

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ワイヤを保持したキャピラリを用いて第
    1のボンディング部と第2のボンディング部とを電気的
    に接続するワイヤボンディング方法において、前記第1
    のボンディング部に前記ワイヤを接続した後、前記キャ
    ピラリを前記第2のボンディング部に向けて移動させる
    とともに、前記キャピラリを前記第2のボンディング部
    の手前位置から前記第2のボンディング部に向けて斜め
    移動させ、この斜め移動の延長端にて前記ワイヤを前記
    第2のボンディング部に接続することを特徴とするワイ
    ヤボンディング方法。
  2. 【請求項2】 ワイヤを保持したキャピラリを用いて第
    1のボンディング部と第2のボンディング部とを電気的
    に接続するワイヤボンディング方法において、前記第1
    のボンディング部に前記ワイヤを接続した後、前記キャ
    ピラリを前記第2のボンディング部に向けて移動させる
    とともに、前記キャピラリを前記第2のボンディング部
    の手前位置から前記第2のボンディング部に向けて斜め
    移動させ、この斜め移動の延長端にて前記ワイヤが前記
    第2のボンディング部に接触した時にはこのワイヤに正
    規のボンディング力より弱い押付力を作用させ、その後
    正規のボンディング力を付与して前記第2のボンディン
    グ部に接続するようにしたことを特徴とするワイヤボン
    ディング方法。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6182885B1 (en) * 1998-09-07 2001-02-06 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding method
KR100479919B1 (ko) * 1997-12-29 2005-05-16 삼성테크윈 주식회사 와이어본딩헤드의와이어루프형성방법
KR20110027608A (ko) * 2009-09-09 2011-03-16 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JP2011060940A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100479919B1 (ko) * 1997-12-29 2005-05-16 삼성테크윈 주식회사 와이어본딩헤드의와이어루프형성방법
US6182885B1 (en) * 1998-09-07 2001-02-06 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding method
KR20110027608A (ko) * 2009-09-09 2011-03-16 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JP2011060940A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2011249724A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置

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