JP2001189341A - ボンディング装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプ形成時間を短縮し、かつ安定したバン
プ形成が可能なボンディング装置及び方法を提供する。 【解決手段】 キャピラリー１２０１を高速に移動させ
る動作と低慣性押圧移動させる動作とをそれぞれ独立し
て行う高速移動装置１３０と、低慣性移動押圧装置１２
０とを設けたことより、該低慣性移動押圧装置における
慣性を小さくすることができる。よって、溶融ボール１
６が低慣性移動押圧装置により駆動されて半導体集積回
路１０３の電極１０３１上に接触したときの衝撃力を抑
えることができ、微小バンプの形成を安定して行うこと
ができる。一方、上記電極への溶融ボールの押圧、接合
以外の動作は、上記高速移動装置にてキャピラリーを駆
動することから、生産タクトが長くなることもなく生産
性の向上を図ることができる。
プ形成が可能なボンディング装置及び方法を提供する。 【解決手段】 キャピラリー１２０１を高速に移動させ
る動作と低慣性押圧移動させる動作とをそれぞれ独立し
て行う高速移動装置１３０と、低慣性移動押圧装置１２
０とを設けたことより、該低慣性移動押圧装置における
慣性を小さくすることができる。よって、溶融ボール１
６が低慣性移動押圧装置により駆動されて半導体集積回
路１０３の電極１０３１上に接触したときの衝撃力を抑
えることができ、微小バンプの形成を安定して行うこと
ができる。一方、上記電極への溶融ボールの押圧、接合
以外の動作は、上記高速移動装置にてキャピラリーを駆
動することから、生産タクトが長くなることもなく生産
性の向上を図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ方
式の半導体集積回路（以下、ＩＣという）を構成する
際、ＩＣ側に凸部電極を形成するバンプボンディング装
置や、ＩＣと基板電極間を金線で結線導通させるワイヤ
ボンディング装置のような、ボンディング装置、及び該
ボンディング装置にて実行されるボンディング方法に関
する。
式の半導体集積回路（以下、ＩＣという）を構成する
際、ＩＣ側に凸部電極を形成するバンプボンディング装
置や、ＩＣと基板電極間を金線で結線導通させるワイヤ
ボンディング装置のような、ボンディング装置、及び該
ボンディング装置にて実行されるボンディング方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来からＩＣ関連のワイヤボンディング
技術を応用して、金バンプをフリップチップＩＣの電極
形成箇所に超音波接合するスタッドバンプボンディング
技術が知られている。以下、これについて説明する。従
来、一般的に用いられるバンプボンディング装置として
は、例えば図１２に示すものがある。即ち、金線１はク
ランパー２で保持され、キャピラリー３に挿通されてい
る。上記キャピラリー３は超音波ホーン４の先端部に設
けられており、この超音波ホーン４は水平軸心５ａを中
心に揺動自在な支持フレーム５に設けられている。この
支持フレーム５をヘッド上下駆動装置６により矢印２１
方向に揺動させることにより、水平軸心５ａを中心にし
て超音波ホーン４を介して上記キャピラリー３が上下動
する。尚、上記ヘッド上下駆動装置６としてはボイスコ
イルモータが用いられている。又、超音波ホーン４には
超音波発振器７が設けられている。上記支持フレーム５
は、互いに水平方向で直交するＸ−Ｙ方向へ移動自在な
移動テーブル８上に設けられており、この移動テーブル
８の移動により、上記キャピラリー３が水平方向へ移動
される。又、９は支持フレーム５の上下変位を検出する
変位検出センサであり、この変位検出センサ９の出力情
報に基づいて、キャピラリー３の上下方向の位置が求め
られる。
技術を応用して、金バンプをフリップチップＩＣの電極
形成箇所に超音波接合するスタッドバンプボンディング
技術が知られている。以下、これについて説明する。従
来、一般的に用いられるバンプボンディング装置として
は、例えば図１２に示すものがある。即ち、金線１はク
ランパー２で保持され、キャピラリー３に挿通されてい
る。上記キャピラリー３は超音波ホーン４の先端部に設
けられており、この超音波ホーン４は水平軸心５ａを中
心に揺動自在な支持フレーム５に設けられている。この
支持フレーム５をヘッド上下駆動装置６により矢印２１
方向に揺動させることにより、水平軸心５ａを中心にし
て超音波ホーン４を介して上記キャピラリー３が上下動
する。尚、上記ヘッド上下駆動装置６としてはボイスコ
イルモータが用いられている。又、超音波ホーン４には
超音波発振器７が設けられている。上記支持フレーム５
は、互いに水平方向で直交するＸ−Ｙ方向へ移動自在な
移動テーブル８上に設けられており、この移動テーブル
８の移動により、上記キャピラリー３が水平方向へ移動
される。又、９は支持フレーム５の上下変位を検出する
変位検出センサであり、この変位検出センサ９の出力情
報に基づいて、キャピラリー３の上下方向の位置が求め
られる。
【０００３】上記クランパー２の上方には、金線１を引
き上げるエアーテンショナー１０が設けられている。
又、上記キャピラリー３の下方には、ＩＣ１１を保持し
かつ加熱するヒートステージ１２が設けられている。
又、キャピラリー３に挿通された金線１の先端近傍に
は、該先端との間でスパークを起こして金線１を溶融さ
せて金ボール１６を生成するスパーク発生装置１４が設
けられている。又、上記ヒートステージ１２の上方に
は、ＩＣ１１の位置を認識する位置認識用カメラ装置１
５が設けられている。
き上げるエアーテンショナー１０が設けられている。
又、上記キャピラリー３の下方には、ＩＣ１１を保持し
かつ加熱するヒートステージ１２が設けられている。
又、キャピラリー３に挿通された金線１の先端近傍に
は、該先端との間でスパークを起こして金線１を溶融さ
せて金ボール１６を生成するスパーク発生装置１４が設
けられている。又、上記ヒートステージ１２の上方に
は、ＩＣ１１の位置を認識する位置認識用カメラ装置１
５が設けられている。
【０００４】このように構成された従来のバンプボンデ
ィング装置は以下のように動作する。まず、キャピラリ
ー３の下方に出た金線１の先端に、スパーク発生装置１
４からスパークを与えて、金ボール１６を形成する。そ
して、位置認識カメラ装置１５によりヒートステージ１
２上のＩＣ１１を認識し、該認識結果に基づいて移動テ
ーブル８を動作させて金ボール１６の位置決めを行う。
その後、ヘッド上下駆動装置６によってキャピラリー３
が下降する。そして、金ボール１６がＩＣ１１の電極形
成箇所に上方から当接すると、変位検出センサ９で検出
される支持フレーム５の上下の変位が一定値に停止する
ことにより、ＩＣ１１の電極形成箇所の位置が検出され
る。そして、キャピラリー３に所定の加圧を加えて金ボ
ール１６を下向きに押圧し、さらに、超音波発振器７に
より超音波ホーン４を介して超音波を発振し、金ボール
１６をＩＣ１１の電極形成箇所に接合する。これによ
り、ＩＣ１１の電極形成箇所にバンプが形成される。次
に、キャピラリー３が、ヘッド上下駆動装置６によって
一定量上昇し、その後、金線１をクランパー２によって
保持すると共に、ヘッド上下駆動装置６によって引き上
げることにより、バンプ上の金線１のスパーク時の再結
晶境界において断裂し、ＩＣ１１電極形成箇所に突起状
のバンプ１７が形成される。
ィング装置は以下のように動作する。まず、キャピラリ
ー３の下方に出た金線１の先端に、スパーク発生装置１
４からスパークを与えて、金ボール１６を形成する。そ
して、位置認識カメラ装置１５によりヒートステージ１
２上のＩＣ１１を認識し、該認識結果に基づいて移動テ
ーブル８を動作させて金ボール１６の位置決めを行う。
その後、ヘッド上下駆動装置６によってキャピラリー３
が下降する。そして、金ボール１６がＩＣ１１の電極形
成箇所に上方から当接すると、変位検出センサ９で検出
される支持フレーム５の上下の変位が一定値に停止する
ことにより、ＩＣ１１の電極形成箇所の位置が検出され
る。そして、キャピラリー３に所定の加圧を加えて金ボ
ール１６を下向きに押圧し、さらに、超音波発振器７に
より超音波ホーン４を介して超音波を発振し、金ボール
１６をＩＣ１１の電極形成箇所に接合する。これによ
り、ＩＣ１１の電極形成箇所にバンプが形成される。次
に、キャピラリー３が、ヘッド上下駆動装置６によって
一定量上昇し、その後、金線１をクランパー２によって
保持すると共に、ヘッド上下駆動装置６によって引き上
げることにより、バンプ上の金線１のスパーク時の再結
晶境界において断裂し、ＩＣ１１電極形成箇所に突起状
のバンプ１７が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣ上
の電極間ピッチが狭くなり、それに伴いバンプ台座径が
φ６５μｍ以下となるようにバンプ形状が微小化するこ
とで以下の問題が生じる。つまり、金ボール１６がＩＣ
１１の電極形成箇所に上方から当接するとき、クランパ
ー２とキャピラリー３と超音波ホーン４と超音波発振器
７と支持フレーム５とヘッド上下駆動装置６と変位検出
センサ９とのトータルの慣性が金ボール１６に衝撃力と
して加わるが、バンプ形状が微小化してくると、上記衝
撃力が大きすぎて、金ボール１６が潰れてしまい、その
後、超音波接合すると所定の高さのバンプが得られなく
なってしまうという問題が生じてくる。一方、上記衝撃
力を抑えるためにキャピラリー３のＩＣ１１の電極形成
箇所への当接速度を遅くすると、生産タクトが長くなっ
てしまうという問題が生じてくる。又、バンプ径でφ６
５〜９０μｍの通常のバンプ形状のバンプにおいても、
生産タクトを短くするためにキャピラリー３のＩＣ１１
の電極形成箇所への当接速度を速くすると、同様の問題
が生じてくる。本発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、バンプ形成時間を短縮し、かつ
安定したバンプ形成が可能なボンディング装置、及び該
ボンディング装置にて実行されるボンディング方法を提
供することを目的とする。
の電極間ピッチが狭くなり、それに伴いバンプ台座径が
φ６５μｍ以下となるようにバンプ形状が微小化するこ
とで以下の問題が生じる。つまり、金ボール１６がＩＣ
１１の電極形成箇所に上方から当接するとき、クランパ
ー２とキャピラリー３と超音波ホーン４と超音波発振器
７と支持フレーム５とヘッド上下駆動装置６と変位検出
センサ９とのトータルの慣性が金ボール１６に衝撃力と
して加わるが、バンプ形状が微小化してくると、上記衝
撃力が大きすぎて、金ボール１６が潰れてしまい、その
後、超音波接合すると所定の高さのバンプが得られなく
なってしまうという問題が生じてくる。一方、上記衝撃
力を抑えるためにキャピラリー３のＩＣ１１の電極形成
箇所への当接速度を遅くすると、生産タクトが長くなっ
てしまうという問題が生じてくる。又、バンプ径でφ６
５〜９０μｍの通常のバンプ形状のバンプにおいても、
生産タクトを短くするためにキャピラリー３のＩＣ１１
の電極形成箇所への当接速度を速くすると、同様の問題
が生じてくる。本発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、バンプ形成時間を短縮し、かつ
安定したバンプ形成が可能なボンディング装置、及び該
ボンディング装置にて実行されるボンディング方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１態様のボン
ディング装置は、ワイヤ導出部材及び駆動部を有し、か
つ上記ワイヤ導出部材から突出したワイヤ先端に形成し
た溶融ボールが半導体集積回路の電極に接触する直前の
高さに到達した後、上記駆動部にて上記ワイヤ導出部材
を第１速度にて上記電極側へ移動して上記ワイヤ導出部
材にて上記溶融ボールを上記電極に押圧して接合させる
低慣性移動押圧装置と、上記ワイヤ先端に形成された上
記溶融ボールが上記半導体集積回路の上記電極に接触す
る上記直前の高さまで、上記低慣性移動押圧装置を設け
た移動用フレームを上記第１速度よりも高速にて移動さ
せる高速移動装置と、を備えたことを特徴とする。
ディング装置は、ワイヤ導出部材及び駆動部を有し、か
つ上記ワイヤ導出部材から突出したワイヤ先端に形成し
た溶融ボールが半導体集積回路の電極に接触する直前の
高さに到達した後、上記駆動部にて上記ワイヤ導出部材
を第１速度にて上記電極側へ移動して上記ワイヤ導出部
材にて上記溶融ボールを上記電極に押圧して接合させる
低慣性移動押圧装置と、上記ワイヤ先端に形成された上
記溶融ボールが上記半導体集積回路の上記電極に接触す
る上記直前の高さまで、上記低慣性移動押圧装置を設け
た移動用フレームを上記第１速度よりも高速にて移動さ
せる高速移動装置と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】又、上記低慣性移動押圧装置には、上記ワ
イヤ導出部材に取り付けられ、上記溶融ボールが上記電
極に押圧されているときに上記ワイヤ導出部材を介して
上記溶融ボールを超音波振動させる超音波振動装置をさ
らに備えることもできる。
イヤ導出部材に取り付けられ、上記溶融ボールが上記電
極に押圧されているときに上記ワイヤ導出部材を介して
上記溶融ボールを超音波振動させる超音波振動装置をさ
らに備えることもできる。
【０００８】又、上記低慣性移動押圧装置は、上記ワイ
ヤ導出部材を一端側に配置し上記駆動部を他端側に配置
して、上記ワイヤ導出部材及び上記駆動部を、上記移動
用フレームに設けた揺動軸を中心にして揺動可能として
上記移動用フレームに取り付けることもできる。
ヤ導出部材を一端側に配置し上記駆動部を他端側に配置
して、上記ワイヤ導出部材及び上記駆動部を、上記移動
用フレームに設けた揺動軸を中心にして揺動可能として
上記移動用フレームに取り付けることもできる。
【０００９】又、上記超音波振動装置は、上記移動用フ
レームとは別設され、該超音波振動装置にて発生した超
音波振動を上記ワイヤ導出部材へ伝達する伝達部材を有
することもできる。
レームとは別設され、該超音波振動装置にて発生した超
音波振動を上記ワイヤ導出部材へ伝達する伝達部材を有
することもできる。
【００１０】又、上記移動用フレームは、フレーム一端
部に上記低慣性移動押圧装置を設け、フレーム他端部に
上記高速移動装置を設けてフレーム揺動軸を中心に揺動
可能であり、上記高速移動装置は、上記フレーム他端部
に設けられ上記移動用フレームを揺動させるカム機構を
有し、上記低慣性移動押圧装置の上記揺動軸は上記フレ
ーム揺動軸に対して慣性のつりあう重心位置に配置する
こともできる。
部に上記低慣性移動押圧装置を設け、フレーム他端部に
上記高速移動装置を設けてフレーム揺動軸を中心に揺動
可能であり、上記高速移動装置は、上記フレーム他端部
に設けられ上記移動用フレームを揺動させるカム機構を
有し、上記低慣性移動押圧装置の上記揺動軸は上記フレ
ーム揺動軸に対して慣性のつりあう重心位置に配置する
こともできる。
【００１１】又、本発明の第２態様のボンディング装置
は、ワイヤ導出部材から突出したワイヤ先端に形成した
溶融ボールを半導体集積回路の電極に接触する直前の高
さまで上記ワイヤ導出部材を有する移動用フレームを第
２速度にて移動させた後、上記第２速度よりも低速であ
る第１速度にて上記電極側へ移動させ上記溶融ボールが
上記半導体集積回路の上記電極に接触した後、上記ワイ
ヤ導出部材にて上記溶融ボールを上記電極に押圧して接
合させる移動装置と、上記溶融ボールが上記電極に押圧
されているときに上記溶融ボールを超音波振動させる、
上記移動用フレームとは別設される超音波振動装置と、
該超音波振動装置にて発生した超音波振動を上記ワイヤ
導出部材へ伝達し上記溶融ボールを超音波振動させる伝
達部材と、を備えたことを特徴とする。
は、ワイヤ導出部材から突出したワイヤ先端に形成した
溶融ボールを半導体集積回路の電極に接触する直前の高
さまで上記ワイヤ導出部材を有する移動用フレームを第
２速度にて移動させた後、上記第２速度よりも低速であ
る第１速度にて上記電極側へ移動させ上記溶融ボールが
上記半導体集積回路の上記電極に接触した後、上記ワイ
ヤ導出部材にて上記溶融ボールを上記電極に押圧して接
合させる移動装置と、上記溶融ボールが上記電極に押圧
されているときに上記溶融ボールを超音波振動させる、
上記移動用フレームとは別設される超音波振動装置と、
該超音波振動装置にて発生した超音波振動を上記ワイヤ
導出部材へ伝達し上記溶融ボールを超音波振動させる伝
達部材と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】又、本発明の第３態様のボンディング方法
は、半導体集積回路の電極に溶融ボールが接触する直前
高さまで上記電極側へ第２速度にて上記溶融ボールを移
動し、上記溶融ボールが上記直前高さに達した後、上記
第２速度により移動にて生じた高慣性を減じて得られた
低慣性にて、上記第２速度よりも遅い第１速度で上記溶
融ボールを上記電極に移動し、押圧し、接合する、こと
を特徴とする。
は、半導体集積回路の電極に溶融ボールが接触する直前
高さまで上記電極側へ第２速度にて上記溶融ボールを移
動し、上記溶融ボールが上記直前高さに達した後、上記
第２速度により移動にて生じた高慣性を減じて得られた
低慣性にて、上記第２速度よりも遅い第１速度で上記溶
融ボールを上記電極に移動し、押圧し、接合する、こと
を特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態であるボンディ
ング装置、及び該ボンディング装置にて実行されるボン
ディング方法について、図を参照しながら以下に説明す
る。尚、各図において同じ構成部分については同じ符号
を付している。又、ボンディング装置の内、本実施形態
では、基板に対してフリップチップ実装される半導体集
積回路の電極にバンプを形成するバンプボンディング装
置を例に採る。しかしながら、本発明は、バンプボンデ
ィング装置に限定されるものではなく、例えばワイヤボ
ンディング装置のように、金線のようなワイヤの先端を
溶融して溶融ボールを形成し該溶融ボールを電極上に接
合させるようなボンディング装置に適用可能である。
ング装置、及び該ボンディング装置にて実行されるボン
ディング方法について、図を参照しながら以下に説明す
る。尚、各図において同じ構成部分については同じ符号
を付している。又、ボンディング装置の内、本実施形態
では、基板に対してフリップチップ実装される半導体集
積回路の電極にバンプを形成するバンプボンディング装
置を例に採る。しかしながら、本発明は、バンプボンデ
ィング装置に限定されるものではなく、例えばワイヤボ
ンディング装置のように、金線のようなワイヤの先端を
溶融して溶融ボールを形成し該溶融ボールを電極上に接
合させるようなボンディング装置に適用可能である。
【００１４】第１実施形態；図９には、以下に説明する
各実施形態における各バンプボンディング装置１１０、
２１０、３１０、４１０、５１０をそれぞれ備えた場合
のバンプ形成装置１００を図示している。該バンプ形成
装置１００には、上記バンプボンディング装置の他に、
半導体集積回路１０３を収納したトレイ１０４ａを当該
バンプ形成装置１００に搬入する搬入装置１０１と、上
記半導体集積回路１０３を載置して保持するとともに、
バンプ形成に必要な温度まで上記半導体集積回路１０３
を加熱するバンプ形成ステージ１０６と、バンプが形成
されたバンプ形成済集積回路を収納するトレイ１０４ｂ
を搬出する搬出装置１０２と、トレイ１０４ａからバン
プ形成ステージ１０６への半導体集積回路１０３の移送
及びバンプ形成ステージ１０６からトレイ１０４ｂへの
上記バンプ形成済集積回路の移送を行う半導体部品移送
装置１０５と、これら各構成部分の動作制御を行う制御
装置５０１とを備える。以下には、バンプボンディング
装置１１０について詳しく説明する。
各実施形態における各バンプボンディング装置１１０、
２１０、３１０、４１０、５１０をそれぞれ備えた場合
のバンプ形成装置１００を図示している。該バンプ形成
装置１００には、上記バンプボンディング装置の他に、
半導体集積回路１０３を収納したトレイ１０４ａを当該
バンプ形成装置１００に搬入する搬入装置１０１と、上
記半導体集積回路１０３を載置して保持するとともに、
バンプ形成に必要な温度まで上記半導体集積回路１０３
を加熱するバンプ形成ステージ１０６と、バンプが形成
されたバンプ形成済集積回路を収納するトレイ１０４ｂ
を搬出する搬出装置１０２と、トレイ１０４ａからバン
プ形成ステージ１０６への半導体集積回路１０３の移送
及びバンプ形成ステージ１０６からトレイ１０４ｂへの
上記バンプ形成済集積回路の移送を行う半導体部品移送
装置１０５と、これら各構成部分の動作制御を行う制御
装置５０１とを備える。以下には、バンプボンディング
装置１１０について詳しく説明する。
【００１５】バンプボンディング装置１１０は、図１に
示すように、大きく分けて、詳しくは図５に示している
低慣性移動押圧装置１２０と、高速移動装置１３０とを
有する。低慣性移動押圧装置１２０は、水平方向に延在
するフレーム揺動軸１４２を中心に該フレーム揺動軸１
４２の軸周り方向に揺動可能な移動用フレーム１４３の
一端部１４３１に設けられ、高速移動装置１３０は移動
用フレーム１４３の他端部１４３２に設けられている。
上記フレーム揺動軸１４２は、ベース板１４１に立設し
た支持部材１４１１に支持されており、ベース板１４１
は上記水平方向で互いに直交するＸ−Ｙ方向へ移動可能
な移動テーブル１５１に取り付けられている。したがっ
て、移動テーブル１５１が上記Ｘ−Ｙ方向に移動するこ
とで、バンプボンディング装置１１０を上記Ｘ−Ｙ方向
に移動させることができる。
示すように、大きく分けて、詳しくは図５に示している
低慣性移動押圧装置１２０と、高速移動装置１３０とを
有する。低慣性移動押圧装置１２０は、水平方向に延在
するフレーム揺動軸１４２を中心に該フレーム揺動軸１
４２の軸周り方向に揺動可能な移動用フレーム１４３の
一端部１４３１に設けられ、高速移動装置１３０は移動
用フレーム１４３の他端部１４３２に設けられている。
上記フレーム揺動軸１４２は、ベース板１４１に立設し
た支持部材１４１１に支持されており、ベース板１４１
は上記水平方向で互いに直交するＸ−Ｙ方向へ移動可能
な移動テーブル１５１に取り付けられている。したがっ
て、移動テーブル１５１が上記Ｘ−Ｙ方向に移動するこ
とで、バンプボンディング装置１１０を上記Ｘ−Ｙ方向
に移動させることができる。
【００１６】上記高速移動装置１３０は、本実施形態で
は、磁石１３１及びコイル１３２を有するボイスコイル
モータにて構成され、例えば上記磁石１３１は上記移動
用フレーム１４３とは別個のフレームに取り付けられ、
コイル１３２は上記移動用フレーム１４３に取り付けら
れている。よって、コイル１３２に通電することで、高
速移動装置１３０にて駆動力が生じ移動用フレーム１４
３は上記フレーム揺動軸１４２を中心にして矢印１３３
方向に揺動する。該揺動により、移動用フレーム１４３
の一端部１４３１に設けられている上記低慣性移動押圧
装置１２０も揺動することになる。又、移動用フレーム
１４３の上記揺動量は、変位検出センサ１３４にて検出
される。上述のように上記揺動により低慣性移動押圧装
置１２０も揺動することから、変位検出センサ１３４に
よる検出情報に基づいて、上記低慣性移動押圧装置１２
０に備わるキャピラリー１２０１の上下方向への移動量
が制御装置５０１にて求められる。
は、磁石１３１及びコイル１３２を有するボイスコイル
モータにて構成され、例えば上記磁石１３１は上記移動
用フレーム１４３とは別個のフレームに取り付けられ、
コイル１３２は上記移動用フレーム１４３に取り付けら
れている。よって、コイル１３２に通電することで、高
速移動装置１３０にて駆動力が生じ移動用フレーム１４
３は上記フレーム揺動軸１４２を中心にして矢印１３３
方向に揺動する。該揺動により、移動用フレーム１４３
の一端部１４３１に設けられている上記低慣性移動押圧
装置１２０も揺動することになる。又、移動用フレーム
１４３の上記揺動量は、変位検出センサ１３４にて検出
される。上述のように上記揺動により低慣性移動押圧装
置１２０も揺動することから、変位検出センサ１３４に
よる検出情報に基づいて、上記低慣性移動押圧装置１２
０に備わるキャピラリー１２０１の上下方向への移動量
が制御装置５０１にて求められる。
【００１７】上記低慣性移動押圧装置１２０は、ワイヤ
の一例としての金線１を導く、ワイヤ導出部材に相当す
るキャピラリー１２０１及び該キャピラリー１２０１を
移動させる駆動部１２０２を有する他、超音波振動装置
１２１０と、金線１を保持するクランパ１２２０とを有
する。上記超音波振動装置１２１０は、先端部分にキャ
ピラリー１２０１を取り付けた超音波ホーン１２１１
と、超音波ホーン１２１１に取り付けられた超音波発振
器１２１２を有する。キャピラリー１２０１、超音波振
動装置１２１０、及びクランパ１２２０は、当該低慣性
移動押圧装置１２０の支持フレーム１２４０に取り付け
られている。このように構成される低慣性移動押圧装置
１２０は、キャピラリー１２０１を一端側に配置し駆動
部１２０２を他端側に配置して、上記移動用フレーム１
４３に支持され上記水平方向に延在する揺動軸１２４１
を中心にしてその軸周り方向へキャピラリー１２０１及
び駆動部１２０２が揺動可能な状態にて移動用フレーム
１４３に取り付けられる。よって、低慣性移動押圧装置
１２０は、移動用フレーム１４３に対して相対的に移動
する。より詳しく説明すると、駆動部１２０２は、本実
施形態では磁石１２０２１及びコイル１２０２２を有す
るボイスコイルモータにて構成され、例えば上記磁石１
２０２１は上記移動用フレーム１４３に取り付けられ、
コイル１２０２２は上記支持フレーム１２４０の上記他
端側に取り付けられている。よって、コイル１２０２２
に通電することで、駆動部１２０２から駆動力が生じ支
持フレーム１２４０は上記揺動軸１２４１を中心にして
矢印１２４２方向に揺動する。したがって、支持フレー
ム１２４０に取り付けられている超音波ホーン１２１１
を介してキャピラリー１２０１が上下動し、半導体集積
回路１０３側へ移動することで加圧動作が行なわれる。
の一例としての金線１を導く、ワイヤ導出部材に相当す
るキャピラリー１２０１及び該キャピラリー１２０１を
移動させる駆動部１２０２を有する他、超音波振動装置
１２１０と、金線１を保持するクランパ１２２０とを有
する。上記超音波振動装置１２１０は、先端部分にキャ
ピラリー１２０１を取り付けた超音波ホーン１２１１
と、超音波ホーン１２１１に取り付けられた超音波発振
器１２１２を有する。キャピラリー１２０１、超音波振
動装置１２１０、及びクランパ１２２０は、当該低慣性
移動押圧装置１２０の支持フレーム１２４０に取り付け
られている。このように構成される低慣性移動押圧装置
１２０は、キャピラリー１２０１を一端側に配置し駆動
部１２０２を他端側に配置して、上記移動用フレーム１
４３に支持され上記水平方向に延在する揺動軸１２４１
を中心にしてその軸周り方向へキャピラリー１２０１及
び駆動部１２０２が揺動可能な状態にて移動用フレーム
１４３に取り付けられる。よって、低慣性移動押圧装置
１２０は、移動用フレーム１４３に対して相対的に移動
する。より詳しく説明すると、駆動部１２０２は、本実
施形態では磁石１２０２１及びコイル１２０２２を有す
るボイスコイルモータにて構成され、例えば上記磁石１
２０２１は上記移動用フレーム１４３に取り付けられ、
コイル１２０２２は上記支持フレーム１２４０の上記他
端側に取り付けられている。よって、コイル１２０２２
に通電することで、駆動部１２０２から駆動力が生じ支
持フレーム１２４０は上記揺動軸１２４１を中心にして
矢印１２４２方向に揺動する。したがって、支持フレー
ム１２４０に取り付けられている超音波ホーン１２１１
を介してキャピラリー１２０１が上下動し、半導体集積
回路１０３側へ移動することで加圧動作が行なわれる。
【００１８】又、上記揺動軸１２４１は、上記移動用フ
レーム１４３の上記フレーム揺動軸１４２に対して慣性
のつりあう釣合い位置に配置される。上記釣合い位置と
は、上記フレーム揺動軸１４２を中心とした上記移動用
フレーム１４３の揺動により、上記低慣性移動押圧装置
１２０の上記一端側に生じる第１慣性力と、上記低慣性
移動押圧装置１２０の上記他端側に生じる第２慣性力と
が釣合う位置である。又、例えば図１に示すように、バ
ンプ形成ステージ１０６に載置されている半導体集積回
路１０３のバンプ形成面と、上記フレーム揺動軸１４２
の中心位置とは、同じ高さ位置に配置される。このよう
に配置することで、バンプ形成後、移動用フレーム１４
３がフレーム揺動軸１４２を中心にして矢印１３３方向
に移動したとき、移動開始直後においてキャピラリー１
２０１の先端は上記バンプ形成面に対して垂直方向へ移
動するので、形成したバンプの形状が崩れるのを防止す
ることができる。
レーム１４３の上記フレーム揺動軸１４２に対して慣性
のつりあう釣合い位置に配置される。上記釣合い位置と
は、上記フレーム揺動軸１４２を中心とした上記移動用
フレーム１４３の揺動により、上記低慣性移動押圧装置
１２０の上記一端側に生じる第１慣性力と、上記低慣性
移動押圧装置１２０の上記他端側に生じる第２慣性力と
が釣合う位置である。又、例えば図１に示すように、バ
ンプ形成ステージ１０６に載置されている半導体集積回
路１０３のバンプ形成面と、上記フレーム揺動軸１４２
の中心位置とは、同じ高さ位置に配置される。このよう
に配置することで、バンプ形成後、移動用フレーム１４
３がフレーム揺動軸１４２を中心にして矢印１３３方向
に移動したとき、移動開始直後においてキャピラリー１
２０１の先端は上記バンプ形成面に対して垂直方向へ移
動するので、形成したバンプの形状が崩れるのを防止す
ることができる。
【００１９】上記揺動軸１２４１を中心とした低慣性移
動押圧装置１２０の揺動量、正確には上記支持フレーム
１２４０の上下方向への移動量は、変位検出センサ１２
５０にて検出され、支持フレーム１２４０の該移動量に
基づいて制御装置５０１にてキャピラリー１２０１の上
下方向への移動量が求められる。尚、上記上下方向と
は、上記水平方向にほぼ直交する方向であって上記揺動
軸１２４１を中心とした軸周り方向への回転方向をい
う。
動押圧装置１２０の揺動量、正確には上記支持フレーム
１２４０の上下方向への移動量は、変位検出センサ１２
５０にて検出され、支持フレーム１２４０の該移動量に
基づいて制御装置５０１にてキャピラリー１２０１の上
下方向への移動量が求められる。尚、上記上下方向と
は、上記水平方向にほぼ直交する方向であって上記揺動
軸１２４１を中心とした軸周り方向への回転方向をい
う。
【００２０】このように構成される低慣性移動押圧装置
１２０において金線１はクランパー１２２０で保持さ
れ、キャピラリー１２０１に挿通されている。又、低慣
性移動押圧装置１２０の近傍には以下の各装置が設けら
れている。キャピラリー１２０１より突出した金線１の
先端部近傍には、スパーク発生装置１２３０が設けら
れ、該スパーク発生装置１２３０は、金線１の先端との
間でスパークを発生させて金線１の先端を溶融して溶融
ボール１６を形成する。又、上記クランパー１２２０の
上方には、図１２に符号１０を付して示したような、金
線１を引き上げるエアーテンショナーが設けられ、又、
上記バンプ形成ステージ１０６の上方には、バンプ形成
ステージ１０６に保持されている半導体集積回路１０３
の位置を認識する位置認識用カメラ装置１６０が設けら
れている。
１２０において金線１はクランパー１２２０で保持さ
れ、キャピラリー１２０１に挿通されている。又、低慣
性移動押圧装置１２０の近傍には以下の各装置が設けら
れている。キャピラリー１２０１より突出した金線１の
先端部近傍には、スパーク発生装置１２３０が設けら
れ、該スパーク発生装置１２３０は、金線１の先端との
間でスパークを発生させて金線１の先端を溶融して溶融
ボール１６を形成する。又、上記クランパー１２２０の
上方には、図１２に符号１０を付して示したような、金
線１を引き上げるエアーテンショナーが設けられ、又、
上記バンプ形成ステージ１０６の上方には、バンプ形成
ステージ１０６に保持されている半導体集積回路１０３
の位置を認識する位置認識用カメラ装置１６０が設けら
れている。
【００２１】以下には、バンプ形成装置１００の動作の
内、上述のバンプボンディング装置１１０を用いたバン
プボンディング方法について説明する。尚、各構成部分
の動作制御は、制御装置５０１にて実行される。まず、
キャピラリー１２０１の下方に出た金線１の先端に、ス
パーク発生装置１２３０からスパークさせて、溶融ボー
ル１６を形成する。そして、位置認識カメラ装置１６０
によりバンプ形成ステージ１０６上の半導体集積回路１
０３を認識して、移動テーブル１５１を上記Ｘ−Ｙ方向
に移動させて半導体集積回路１０３上のバンプを形成す
べき電極１０３１の上方に溶融バンプ１６が位置するよ
うに位置決めする。その後、図２に示すように、金線１
に対して上記スパークを発生させ溶融ボール１６を形成
する高さ位置であるスパーク発生高さ１７０から、上記
溶融ボール１６が半導体集積回路１０３におけるバンプ
形成箇所の電極１０３１に接触する直前における、キャ
ピラリー１２０１の例えば先端での高さ位置である直前
位置１７１まで、高速移動装置１３０を動作させる。こ
のキャピラリー１２０１における移動量は、変位検出セ
ンサ１３４による検出に基づいて求められ、上記直前位
置１７１に達した時点で制御装置５０１の制御により高
速移動装置１３０の動作が停止される。即ち、上記高速
移動装置１３０の動作により、フレーム揺動軸１４２を
中心にして移動用フレーム１４３が矢印１３３１方向に
揺動し、移動用フレーム１４３の一端部１４３１に設け
た低慣性移動押圧装置１２０に備わるキャピラリー１２
０１が上記スパーク発生高さ１７０から上記直前位置１
７１へ第２速度にて移動し、溶融ボール１６は上記電極
１０３１に接触する直前に配置される。
内、上述のバンプボンディング装置１１０を用いたバン
プボンディング方法について説明する。尚、各構成部分
の動作制御は、制御装置５０１にて実行される。まず、
キャピラリー１２０１の下方に出た金線１の先端に、ス
パーク発生装置１２３０からスパークさせて、溶融ボー
ル１６を形成する。そして、位置認識カメラ装置１６０
によりバンプ形成ステージ１０６上の半導体集積回路１
０３を認識して、移動テーブル１５１を上記Ｘ−Ｙ方向
に移動させて半導体集積回路１０３上のバンプを形成す
べき電極１０３１の上方に溶融バンプ１６が位置するよ
うに位置決めする。その後、図２に示すように、金線１
に対して上記スパークを発生させ溶融ボール１６を形成
する高さ位置であるスパーク発生高さ１７０から、上記
溶融ボール１６が半導体集積回路１０３におけるバンプ
形成箇所の電極１０３１に接触する直前における、キャ
ピラリー１２０１の例えば先端での高さ位置である直前
位置１７１まで、高速移動装置１３０を動作させる。こ
のキャピラリー１２０１における移動量は、変位検出セ
ンサ１３４による検出に基づいて求められ、上記直前位
置１７１に達した時点で制御装置５０１の制御により高
速移動装置１３０の動作が停止される。即ち、上記高速
移動装置１３０の動作により、フレーム揺動軸１４２を
中心にして移動用フレーム１４３が矢印１３３１方向に
揺動し、移動用フレーム１４３の一端部１４３１に設け
た低慣性移動押圧装置１２０に備わるキャピラリー１２
０１が上記スパーク発生高さ１７０から上記直前位置１
７１へ第２速度にて移動し、溶融ボール１６は上記電極
１０３１に接触する直前に配置される。
【００２２】次に、高速移動装置１３０に代えて低慣性
移動押圧装置１２０の駆動部１２０２を動作させる。こ
れによって揺動軸１２４１を中心にして低慣性移動押圧
装置１２０が揺動しキャピラリー１２０１が上記第２速
度よりも低速にてなる第１速度にて上記直前位置１７１
からさらに下降し、溶融ボール１６は半導体集積回路１
０３の上記電極１０３１に上方から当接する。変位検出
センサ１２５０で検出される支持フレーム１２４０の変
位が設定した値になることで、上記溶融ボール１６が上
記電極１０３１上へ押し潰された押圧位置１７２が検出
される。そして、駆動部１２０２によってキャピラリー
１２０１に所定の加圧を加えて溶融ボール１６を下向き
に押圧し、さらに、超音波発振器１２１２にて超音波振
動を発生し超音波ホーン１２１１及びキャピラリー１２
０１を介して、押圧されている溶融ボール１６へ超音波
振動を与える。これらの押圧及び振動動作により、溶融
ボール１６を半導体集積回路１０３の上記バンプ形成箇
所の電極１０３１上に接合する。上述の、キャピラリー
１２０１にて溶融ボール１６を下向きに押圧するときの
加圧力は、０．４９Ｎ程度であるので、該押圧時におけ
る変位は図２には図示していない。又、上記押圧時には
変位検出は行っていない。
移動押圧装置１２０の駆動部１２０２を動作させる。こ
れによって揺動軸１２４１を中心にして低慣性移動押圧
装置１２０が揺動しキャピラリー１２０１が上記第２速
度よりも低速にてなる第１速度にて上記直前位置１７１
からさらに下降し、溶融ボール１６は半導体集積回路１
０３の上記電極１０３１に上方から当接する。変位検出
センサ１２５０で検出される支持フレーム１２４０の変
位が設定した値になることで、上記溶融ボール１６が上
記電極１０３１上へ押し潰された押圧位置１７２が検出
される。そして、駆動部１２０２によってキャピラリー
１２０１に所定の加圧を加えて溶融ボール１６を下向き
に押圧し、さらに、超音波発振器１２１２にて超音波振
動を発生し超音波ホーン１２１１及びキャピラリー１２
０１を介して、押圧されている溶融ボール１６へ超音波
振動を与える。これらの押圧及び振動動作により、溶融
ボール１６を半導体集積回路１０３の上記バンプ形成箇
所の電極１０３１上に接合する。上述の、キャピラリー
１２０１にて溶融ボール１６を下向きに押圧するときの
加圧力は、０．４９Ｎ程度であるので、該押圧時におけ
る変位は図２には図示していない。又、上記押圧時には
変位検出は行っていない。
【００２３】上記接合後、高速移動装置１３０及び低慣
性移動押圧装置１２０の駆動部１２０２を動作させるこ
とで、位置１７３までキャピラリー１２０１を上昇させ
る。その後、金線１をクランパー１２２０によって保持
すると共に、高速移動装置１３０を動作させて、再びキ
ャピラリー１２０１を上記スパーク発生高さ１７０まで
上昇させる。該上昇動作により、溶融ボール１６を形成
するときの熱により金線１に生じた再結晶境界にて、金
線１は断裂し、半導体集積回路１０３の上記電極１０３
１上に突起状のバンプ１７が形成される。
性移動押圧装置１２０の駆動部１２０２を動作させるこ
とで、位置１７３までキャピラリー１２０１を上昇させ
る。その後、金線１をクランパー１２２０によって保持
すると共に、高速移動装置１３０を動作させて、再びキ
ャピラリー１２０１を上記スパーク発生高さ１７０まで
上昇させる。該上昇動作により、溶融ボール１６を形成
するときの熱により金線１に生じた再結晶境界にて、金
線１は断裂し、半導体集積回路１０３の上記電極１０３
１上に突起状のバンプ１７が形成される。
【００２４】このように本実施形態のバンプボンディン
グ装置１１０によれば、上記スパーク発生高さ１７０か
ら上記直前位置１７１まで、及び上記位置１７３からス
パーク発生高さ１７０までキャピラリー１２０１を高速
に移動させる動作と、上記直前位置１７１から上記押圧
位置１７２までキャピラリー１２０１を低慣性押圧移動
させる動作とを、それぞれ独立して専門に行うように、
高速移動装置１３０と、低慣性移動押圧装置１２０とを
設けた。このように構成することで、低慣性移動押圧装
置１２０における慣性を小さくすることができ、キャピ
ラリー１２０１より突出して形成されている溶融ボール
１６が半導体集積回路１０３の上記電極１０３１上に接
触したときの衝撃力を従来に比べて抑えることができ
る。したがって、微小バンプの形成を安定して行え、か
つバンプの形状不良防止を図ることができ、バンプ品質
の向上を図ることができる。又、スパーク発生高さ１７
０から直前位置１７１までは高速移動装置１３０にてキ
ャピラリー１２０１は高速移動するので、生産タクトが
長くなるという問題も生じない。
グ装置１１０によれば、上記スパーク発生高さ１７０か
ら上記直前位置１７１まで、及び上記位置１７３からス
パーク発生高さ１７０までキャピラリー１２０１を高速
に移動させる動作と、上記直前位置１７１から上記押圧
位置１７２までキャピラリー１２０１を低慣性押圧移動
させる動作とを、それぞれ独立して専門に行うように、
高速移動装置１３０と、低慣性移動押圧装置１２０とを
設けた。このように構成することで、低慣性移動押圧装
置１２０における慣性を小さくすることができ、キャピ
ラリー１２０１より突出して形成されている溶融ボール
１６が半導体集積回路１０３の上記電極１０３１上に接
触したときの衝撃力を従来に比べて抑えることができ
る。したがって、微小バンプの形成を安定して行え、か
つバンプの形状不良防止を図ることができ、バンプ品質
の向上を図ることができる。又、スパーク発生高さ１７
０から直前位置１７１までは高速移動装置１３０にてキ
ャピラリー１２０１は高速移動するので、生産タクトが
長くなるという問題も生じない。
【００２５】又、低慣性移動押圧装置１２０の揺動軸１
２４１を、上述のように、上記移動用フレーム１４３の
上記フレーム揺動軸１４２に対して慣性のつりあう釣合
い位置に配置することで、高速移動装置１３０による低
慣性移動押圧装置１２０への影響を無くすことができ
る。即ち、もし揺動軸１２４１を上記釣合い位置から外
して配置した場合、上記高速移動に起因して低慣性移動
押圧装置１２０に生じる慣性力がキャピラリー１２０１
に作用してしまい、上記第１速度にてキャピラリー１２
０１を移動させるための上記駆動部１２０２の動作制御
が難しくなり、微小バンプを安定して形成することが困
難になることが予想される。よって、本実施形態のよう
に、上記高速移動に起因して低慣性移動押圧装置１２０
に生じる慣性力をキャピラリー１２０１に作用させない
ような位置に揺動軸１２４１を配置することで、高速移
動装置１３０によってキャピラリー１２０１を高速移動
させることができ、かつバンプの形成時間が短縮でき、
かつ、溶融ボール１６が上記電極に接触したときの衝撃
を抑えられ、微小バンプの形成を安定して行うことがで
きる。よって、換言すると、低慣性移動押圧装置１２０
は、揺動軸１２４１にて移動フレーム１４３に対して相
対的に独立して移動するように構成したことで、溶融ボ
ール１６が上記電極に接触するときの衝撃を抑える衝撃
抑制装置と言い代えることもできる。
２４１を、上述のように、上記移動用フレーム１４３の
上記フレーム揺動軸１４２に対して慣性のつりあう釣合
い位置に配置することで、高速移動装置１３０による低
慣性移動押圧装置１２０への影響を無くすことができ
る。即ち、もし揺動軸１２４１を上記釣合い位置から外
して配置した場合、上記高速移動に起因して低慣性移動
押圧装置１２０に生じる慣性力がキャピラリー１２０１
に作用してしまい、上記第１速度にてキャピラリー１２
０１を移動させるための上記駆動部１２０２の動作制御
が難しくなり、微小バンプを安定して形成することが困
難になることが予想される。よって、本実施形態のよう
に、上記高速移動に起因して低慣性移動押圧装置１２０
に生じる慣性力をキャピラリー１２０１に作用させない
ような位置に揺動軸１２４１を配置することで、高速移
動装置１３０によってキャピラリー１２０１を高速移動
させることができ、かつバンプの形成時間が短縮でき、
かつ、溶融ボール１６が上記電極に接触したときの衝撃
を抑えられ、微小バンプの形成を安定して行うことがで
きる。よって、換言すると、低慣性移動押圧装置１２０
は、揺動軸１２４１にて移動フレーム１４３に対して相
対的に独立して移動するように構成したことで、溶融ボ
ール１６が上記電極に接触するときの衝撃を抑える衝撃
抑制装置と言い代えることもできる。
【００２６】第２実施形態；図３には、第２実施形態に
おけるバンプボンディング装置２１０が示されている。
該バンプボンディング装置２１０では、上述のバンプボ
ンディング装置１１０に備わりボイスコイルモータ構造
にてなる高速移動装置１３０を、カム機構にてなる高速
移動装置２３０に変更した構造を有する。尚、その他の
構造は、上述のバンプボンディング装置１１０の場合と
変わりない。よって、上記その他の構造について、ここ
での説明は省略する。上記高速移動装置２３０は、板カ
ム２３１と、カムフォロア２３２と、カム付勢バネ２３
３とを備える。板カム２３１は、図示するように楕円形
状にてなり、制御装置５０１にて動作制御される例えば
モータにてなる駆動装置２３４にて矢印方向に回転す
る。カムフォロア２３２は移動用フレーム１４３の他端
部１４３２に設けられ、カム付勢バネ２３３にて上記板
カム２３１へ押圧、密着している。このように構成され
る高速移動装置２３０では、板カム２３１が回転するこ
とで、移動用フレーム１４３がフレーム揺動軸１４２を
中心に矢印１３３方向へ揺動し、上記第１実施形態にて
説明したように低慣性移動押圧装置１２０を高速移動さ
せる。
おけるバンプボンディング装置２１０が示されている。
該バンプボンディング装置２１０では、上述のバンプボ
ンディング装置１１０に備わりボイスコイルモータ構造
にてなる高速移動装置１３０を、カム機構にてなる高速
移動装置２３０に変更した構造を有する。尚、その他の
構造は、上述のバンプボンディング装置１１０の場合と
変わりない。よって、上記その他の構造について、ここ
での説明は省略する。上記高速移動装置２３０は、板カ
ム２３１と、カムフォロア２３２と、カム付勢バネ２３
３とを備える。板カム２３１は、図示するように楕円形
状にてなり、制御装置５０１にて動作制御される例えば
モータにてなる駆動装置２３４にて矢印方向に回転す
る。カムフォロア２３２は移動用フレーム１４３の他端
部１４３２に設けられ、カム付勢バネ２３３にて上記板
カム２３１へ押圧、密着している。このように構成され
る高速移動装置２３０では、板カム２３１が回転するこ
とで、移動用フレーム１４３がフレーム揺動軸１４２を
中心に矢印１３３方向へ揺動し、上記第１実施形態にて
説明したように低慣性移動押圧装置１２０を高速移動さ
せる。
【００２７】このように構成される第２実施形態のバン
プボンディング装置２１０の動作について、以下に説明
する。尚、以下には、第２実施形態のバンプボンディン
グ装置２１０にて特有の動作部分である高速移動装置２
３０に関する動作について説明し、その他の、上述した
第１実施形態のバンプボンディング装置１１０の動作と
同様の動作について、ここでの説明は省略する。上記溶
融ボール１６を形成した後、図４に示すように、高速移
動装置２３０を動作することによって移動用フレーム１
４３が揺動し、移動用フレーム１４３の一端部１４３１
に設けられた低慣性移動押圧装置１２０が上記第２速度
にて位置１７５まで下降する。尚、本第２実施形態のよ
うにカム機構を用いたとき、板カム２３１とカムフォロ
ア２３２との配置関係及び駆動装置２３４の動作制御に
て移動用フレーム１４３の揺動量は求まるので、上記揺
動量を測定する変位検出センサは設けていない。
プボンディング装置２１０の動作について、以下に説明
する。尚、以下には、第２実施形態のバンプボンディン
グ装置２１０にて特有の動作部分である高速移動装置２
３０に関する動作について説明し、その他の、上述した
第１実施形態のバンプボンディング装置１１０の動作と
同様の動作について、ここでの説明は省略する。上記溶
融ボール１６を形成した後、図４に示すように、高速移
動装置２３０を動作することによって移動用フレーム１
４３が揺動し、移動用フレーム１４３の一端部１４３１
に設けられた低慣性移動押圧装置１２０が上記第２速度
にて位置１７５まで下降する。尚、本第２実施形態のよ
うにカム機構を用いたとき、板カム２３１とカムフォロ
ア２３２との配置関係及び駆動装置２３４の動作制御に
て移動用フレーム１４３の揺動量は求まるので、上記揺
動量を測定する変位検出センサは設けていない。
【００２８】又、上述の高速移動装置２３０の動作と同
時に、低慣性移動押圧装置１２０の駆動部１２０２も動
作させる。よって直前位置１７５にて高速移動装置２３
０の動作が停止した後は、駆動部１２０２によってキャ
ピラリー１２０１は上記第１速度にてさらに上記直前位
置１７１まで下降を続け、半導体集積回路１０３のバン
プ形成箇所の電極１０３１の直上に上記溶融ボール１６
は位置決めされる。そして、さらに駆動部１２０２によ
ってキャピラリー１２０１は上記押圧位置１７２まで下
降する。そして、押圧位置１７２にて駆動部１２０２に
よってキャピラリー１２０１に所定の加圧を加えて溶融
ボール１６を上記電極１０３１側へ押圧し、さらに、押
圧されている溶融ボール１６へ超音波振動装置１２１０
にて超音波振動が与えられる。これにより、溶融ボール
１６が上記電極１０３１上に接合する。
時に、低慣性移動押圧装置１２０の駆動部１２０２も動
作させる。よって直前位置１７５にて高速移動装置２３
０の動作が停止した後は、駆動部１２０２によってキャ
ピラリー１２０１は上記第１速度にてさらに上記直前位
置１７１まで下降を続け、半導体集積回路１０３のバン
プ形成箇所の電極１０３１の直上に上記溶融ボール１６
は位置決めされる。そして、さらに駆動部１２０２によ
ってキャピラリー１２０１は上記押圧位置１７２まで下
降する。そして、押圧位置１７２にて駆動部１２０２に
よってキャピラリー１２０１に所定の加圧を加えて溶融
ボール１６を上記電極１０３１側へ押圧し、さらに、押
圧されている溶融ボール１６へ超音波振動装置１２１０
にて超音波振動が与えられる。これにより、溶融ボール
１６が上記電極１０３１上に接合する。
【００２９】上記接合後、キャピラリー１２０１が、駆
動部１２０２によって上記位置１７３まで一定量上昇
し、その後、金線１をクランパー１２２０によって保持
すると共に、駆動部１２０２及び高速移動装置２３０に
よって上記スパーク発生高さ１７０まで引き上げられ
る。これにより、金線１は上記再結晶境界において断裂
し、半導体集積回路１０３の電極１０３１上に突起状の
バンプ１７が形成される。
動部１２０２によって上記位置１７３まで一定量上昇
し、その後、金線１をクランパー１２２０によって保持
すると共に、駆動部１２０２及び高速移動装置２３０に
よって上記スパーク発生高さ１７０まで引き上げられ
る。これにより、金線１は上記再結晶境界において断裂
し、半導体集積回路１０３の電極１０３１上に突起状の
バンプ１７が形成される。
【００３０】このように構成される第２実施形態のバン
プボンディング装置２１０によれば、上述した第１実施
形態のバンプボンディング装置１１０の場合と同様に、
キャピラリー１２０１を高速に移動させる動作と、低慣
性で押圧移動させる動作とを、それぞれ独立して専門に
行うように、高速移動装置２３０と、低慣性移動押圧装
置１２０とを設けたので、微小バンプの形成を安定して
行え、かつバンプの形状不良防止を図ることができ、
又、生産タクトが長くなるという問題も生じない。
プボンディング装置２１０によれば、上述した第１実施
形態のバンプボンディング装置１１０の場合と同様に、
キャピラリー１２０１を高速に移動させる動作と、低慣
性で押圧移動させる動作とを、それぞれ独立して専門に
行うように、高速移動装置２３０と、低慣性移動押圧装
置１２０とを設けたので、微小バンプの形成を安定して
行え、かつバンプの形状不良防止を図ることができ、
又、生産タクトが長くなるという問題も生じない。
【００３１】又、低慣性移動押圧装置１２０の揺動軸１
２４１を、上述のように、上記移動用フレーム１４３の
上記フレーム揺動軸１４２に対して慣性のつりあう釣合
い位置に配置することで、上述した第１実施形態のバン
プボンディング装置１１０の場合と同様に、高速移動装
置２３０によってキャピラリー１２０１を高速移動させ
ることができ、かつバンプの形成時間が短縮でき、か
つ、溶融ボール１６が上記電極１０３１に接触したとき
の衝撃を抑えられ、微小バンプの形成を安定して行え、
かつバンプの形状不良防止を図ることができる。
２４１を、上述のように、上記移動用フレーム１４３の
上記フレーム揺動軸１４２に対して慣性のつりあう釣合
い位置に配置することで、上述した第１実施形態のバン
プボンディング装置１１０の場合と同様に、高速移動装
置２３０によってキャピラリー１２０１を高速移動させ
ることができ、かつバンプの形成時間が短縮でき、か
つ、溶融ボール１６が上記電極１０３１に接触したとき
の衝撃を抑えられ、微小バンプの形成を安定して行え、
かつバンプの形状不良防止を図ることができる。
【００３２】又、高速移動装置２３０の構造にカム機構
を採用することで、上述した第１実施形態のバンプボン
ディング装置１１０における高速移動装置１３０に比べ
て、ボイスコイルモータ及び変位検出センサ１３４が不
要となるので、安価な装置を構成することができる。
を採用することで、上述した第１実施形態のバンプボン
ディング装置１１０における高速移動装置１３０に比べ
て、ボイスコイルモータ及び変位検出センサ１３４が不
要となるので、安価な装置を構成することができる。
【００３３】第３実施形態；図６には、第３実施形態に
おけるバンプボンディング装置３１０が示されている。
上述した、第１実施形態のバンプボンディング装置１１
０及び第２実施形態のバンプボンディング装置２１０で
は、キャピラリー１２０１における慣性力の低減を図る
ため、キャピラリー１２０１を高速に移動させる動作
と、低慣性で押圧移動させる動作とを、それぞれ独立し
て専門に行うように、高速移動装置１３０、２３０と、
低慣性移動押圧装置１２０とを設けた。一方、第３実施
形態におけるバンプボンディング装置３１０では、移動
用フレームへの上記超音波振動装置の搭載をやめ、さら
にキャピラリー１２０１を移動させる装置の搭載をやめ
た構造を採って上記慣性力の低減を図った。よって、該
第３実施形態におけるバンプボンディング装置３１０で
は、一つの移動装置にて移動用フレームの高速移動及び
低慣性移動、並びにキャピラリー１２０１による押圧動
作を行う。以下に構造説明を行うが、上述した第１実施
形態のバンプボンディング装置１１０と同じ構成部分に
ついては同じ符号を付し、その説明を省略する。
おけるバンプボンディング装置３１０が示されている。
上述した、第１実施形態のバンプボンディング装置１１
０及び第２実施形態のバンプボンディング装置２１０で
は、キャピラリー１２０１における慣性力の低減を図る
ため、キャピラリー１２０１を高速に移動させる動作
と、低慣性で押圧移動させる動作とを、それぞれ独立し
て専門に行うように、高速移動装置１３０、２３０と、
低慣性移動押圧装置１２０とを設けた。一方、第３実施
形態におけるバンプボンディング装置３１０では、移動
用フレームへの上記超音波振動装置の搭載をやめ、さら
にキャピラリー１２０１を移動させる装置の搭載をやめ
た構造を採って上記慣性力の低減を図った。よって、該
第３実施形態におけるバンプボンディング装置３１０で
は、一つの移動装置にて移動用フレームの高速移動及び
低慣性移動、並びにキャピラリー１２０１による押圧動
作を行う。以下に構造説明を行うが、上述した第１実施
形態のバンプボンディング装置１１０と同じ構成部分に
ついては同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００３４】本第３実施形態におけるバンプボンディン
グ装置３１０では、上記フレーム揺動軸１４２に支持さ
れた移動用フレーム３４３の一端部３４３１には、上記
クランパ１２２０、超音波伝達部３２１、支持部材３２
２、上記キャピラリー１２０１が設けられ、他端部３４
３２には移動装置３３０が設けられている。移動装置３
３０は、上記第１実施形態及び第２実施形態にて説明し
たような上記第２速度の高速移動と、上記第１速度の低
慣性移動と、さらには上記押圧動作とを行う装置であ
り、上記第１実施形態の場合と同様に、磁石３３１とコ
イル３３２とを有するボイスコイルモータの構造を有す
る。上記磁石３３１は例えば移動用フレーム３４３とは
別個のフレームに固定され、コイル３３２は移動用フレ
ーム３４３に取り付けられている。
グ装置３１０では、上記フレーム揺動軸１４２に支持さ
れた移動用フレーム３４３の一端部３４３１には、上記
クランパ１２２０、超音波伝達部３２１、支持部材３２
２、上記キャピラリー１２０１が設けられ、他端部３４
３２には移動装置３３０が設けられている。移動装置３
３０は、上記第１実施形態及び第２実施形態にて説明し
たような上記第２速度の高速移動と、上記第１速度の低
慣性移動と、さらには上記押圧動作とを行う装置であ
り、上記第１実施形態の場合と同様に、磁石３３１とコ
イル３３２とを有するボイスコイルモータの構造を有す
る。上記磁石３３１は例えば移動用フレーム３４３とは
別個のフレームに固定され、コイル３３２は移動用フレ
ーム３４３に取り付けられている。
【００３５】移動用フレーム３４３の他端部３４３２に
は、クランパ１２２０が取り付けられ、該クランパ１２
２０には、支持部材３２２を介して上記超音波伝達部３
２１が支持され、該超音波伝達部３２１には上記キャピ
ラリー１２０１が取り付けられている。又、上記超音波
伝達部３２１には、伝達部材３２３を介して上記超音波
ホーン１２１１の一端が接続され、該超音波ホーン１２
１１の他端には上記超音波発振器１２１２が取り付けら
れている。即ち、超音波振動装置１２１０は、移動用フ
レーム３４３とは別個独立して設けられている。又、上
記伝達部材３２３は、本実施形態では、直径が０．３ｍ
ｍ〜１ｍｍで音速が４５００〜５５００ｍ／ｓのものを
用いている。
は、クランパ１２２０が取り付けられ、該クランパ１２
２０には、支持部材３２２を介して上記超音波伝達部３
２１が支持され、該超音波伝達部３２１には上記キャピ
ラリー１２０１が取り付けられている。又、上記超音波
伝達部３２１には、伝達部材３２３を介して上記超音波
ホーン１２１１の一端が接続され、該超音波ホーン１２
１１の他端には上記超音波発振器１２１２が取り付けら
れている。即ち、超音波振動装置１２１０は、移動用フ
レーム３４３とは別個独立して設けられている。又、上
記伝達部材３２３は、本実施形態では、直径が０．３ｍ
ｍ〜１ｍｍで音速が４５００〜５５００ｍ／ｓのものを
用いている。
【００３６】このように構成された第３実施形態のバン
プボンディング装置３１０の動作を以下に説明する。
尚、以下には、第３実施形態のバンプボンディング装置
３１０にて特有の動作部分である溶融ボール１６の上記
上下方向への移動動作、及び押圧動作の際の超音波振動
付与動作について説明し、その他の上記第１及び第２の
各実施形態におけるバンプボンディング装置１１０、２
１０における動作と同様の動作については説明を省略す
る。上記スパーク発生高さ１７０に配置されたキャピラ
リー１２０１は、移動装置３３０にてフレーム揺動軸１
４２を中心にして移動用フレーム３４３が揺動すること
で、上記直前位置１７１まで上記第２速度にて高速移動
される。直前位置１７１に到達後、移動装置３３０にて
移動用フレーム３４３は上記第１速度にて低慣性移動さ
れ、変位検出センサ１３４にて検出される移動用フレー
ム３４３の変位が一定値に停止することにより、キャピ
ラリー１２０１が上記押圧位置１７２に到達したことが
検出される。そして、移動装置３３０によりキャピラリ
ー１２０１には所定の押圧力が作用し、上記電極１０３
１上の溶融ボール１６は該電極１０３１に押圧される。
プボンディング装置３１０の動作を以下に説明する。
尚、以下には、第３実施形態のバンプボンディング装置
３１０にて特有の動作部分である溶融ボール１６の上記
上下方向への移動動作、及び押圧動作の際の超音波振動
付与動作について説明し、その他の上記第１及び第２の
各実施形態におけるバンプボンディング装置１１０、２
１０における動作と同様の動作については説明を省略す
る。上記スパーク発生高さ１７０に配置されたキャピラ
リー１２０１は、移動装置３３０にてフレーム揺動軸１
４２を中心にして移動用フレーム３４３が揺動すること
で、上記直前位置１７１まで上記第２速度にて高速移動
される。直前位置１７１に到達後、移動装置３３０にて
移動用フレーム３４３は上記第１速度にて低慣性移動さ
れ、変位検出センサ１３４にて検出される移動用フレー
ム３４３の変位が一定値に停止することにより、キャピ
ラリー１２０１が上記押圧位置１７２に到達したことが
検出される。そして、移動装置３３０によりキャピラリ
ー１２０１には所定の押圧力が作用し、上記電極１０３
１上の溶融ボール１６は該電極１０３１に押圧される。
【００３７】又、上記押圧動作の際には、超音波発振器
１２１２にて発生した超音波振動が超音波ホーン１２１
１、伝達部材３２３、及び超音波伝達部３２１を介して
キャピラリー１２０１に伝わり、押圧されている溶融ボ
ール１６に付与される。よって、溶融ボール１６は上記
半導体集積回路１０３の上記電極１０３１上に接合され
る。
１２１２にて発生した超音波振動が超音波ホーン１２１
１、伝達部材３２３、及び超音波伝達部３２１を介して
キャピラリー１２０１に伝わり、押圧されている溶融ボ
ール１６に付与される。よって、溶融ボール１６は上記
半導体集積回路１０３の上記電極１０３１上に接合され
る。
【００３８】該接合後、移動装置３３０にて移動用フレ
ーム３４３は揺動し、キャピラリー１２０１が一定量上
昇し、上記位置１７３に配置される。そして、金線１を
クランパー１２２０によって保持すると共に、再び、移
動装置３３０にて移動用フレーム３４３を揺動させる。
該揺動により上記再結晶境界において金線１は断裂し、
半導体集積回路１０３の上記電極１０３１に突起状のバ
ンプ１７が形成され、又、キャピラリー１２０１は、上
記スパーク発生高さ１７０まで上昇する。
ーム３４３は揺動し、キャピラリー１２０１が一定量上
昇し、上記位置１７３に配置される。そして、金線１を
クランパー１２２０によって保持すると共に、再び、移
動装置３３０にて移動用フレーム３４３を揺動させる。
該揺動により上記再結晶境界において金線１は断裂し、
半導体集積回路１０３の上記電極１０３１に突起状のバ
ンプ１７が形成され、又、キャピラリー１２０１は、上
記スパーク発生高さ１７０まで上昇する。
【００３９】このように第３実施形態のバンプボンディ
ング装置３１０によれば、移動用フレーム３４３の一端
部３４３１に超音波発振器１２１２及び超音波ホーン１
２１１を搭載せず、別設するように構成したことで、移
動用フレーム３４３の一端部３４３１におけるキャピラ
リー１２０１を含んだヘッド部の慣性を小さくすること
ができる。よって、上記ヘッド部の上下動作を高速に行
うことができ、バンプの形成時間を短縮することがで
き、又、溶融ボール１６が上記電極１０３１に接触した
ときの衝撃を抑えることができ、微小バンプを安定して
形成でき、かつバンプの形状不良防止を図ることができ
る。尚、本第３実施形態によれば、移動装置３３０はボ
イスコイルモータにて構成したが、上述した第２実施形
態のようにカム機構にて構成することもできる。
ング装置３１０によれば、移動用フレーム３４３の一端
部３４３１に超音波発振器１２１２及び超音波ホーン１
２１１を搭載せず、別設するように構成したことで、移
動用フレーム３４３の一端部３４３１におけるキャピラ
リー１２０１を含んだヘッド部の慣性を小さくすること
ができる。よって、上記ヘッド部の上下動作を高速に行
うことができ、バンプの形成時間を短縮することがで
き、又、溶融ボール１６が上記電極１０３１に接触した
ときの衝撃を抑えることができ、微小バンプを安定して
形成でき、かつバンプの形状不良防止を図ることができ
る。尚、本第３実施形態によれば、移動装置３３０はボ
イスコイルモータにて構成したが、上述した第２実施形
態のようにカム機構にて構成することもできる。
【００４０】第４実施形態；図７には、第４実施形態に
おけるバンプボンディング装置４１０が示されている。
上述した第３実施形態におけるバンプボンディング装置
３１０では、移動用フレーム３４３の一端部３４３１に
設けられたキャピラリー１２０１は、移動用フレーム３
４３の移動により移動し、移動用フレーム３４３とは別
個にキャピラリー１２０１が独立して移動することはで
きない構造である。これに対して、本第４実施形態にお
けるバンプボンディング装置４１０では、移動用フレー
ムとは別個にキャピラリー１２０１を独立して移動可能
とする構造を有する。このようなバンプボンディング装
置４１０における特有の構成について、以下に詳しく説
明するが、上述した各実施形態におけるバンプボンディ
ング装置１１０、２１０、３１０における構成と同様の
構成部分については、同じ符号を付し、その説明を省略
する。
おけるバンプボンディング装置４１０が示されている。
上述した第３実施形態におけるバンプボンディング装置
３１０では、移動用フレーム３４３の一端部３４３１に
設けられたキャピラリー１２０１は、移動用フレーム３
４３の移動により移動し、移動用フレーム３４３とは別
個にキャピラリー１２０１が独立して移動することはで
きない構造である。これに対して、本第４実施形態にお
けるバンプボンディング装置４１０では、移動用フレー
ムとは別個にキャピラリー１２０１を独立して移動可能
とする構造を有する。このようなバンプボンディング装
置４１０における特有の構成について、以下に詳しく説
明するが、上述した各実施形態におけるバンプボンディ
ング装置１１０、２１０、３１０における構成と同様の
構成部分については、同じ符号を付し、その説明を省略
する。
【００４１】上記バンプボンディング装置４１０では、
上記フレーム揺動軸１４２に支持された移動用フレーム
４４３の一端部４４３１には、第２低慣性移動押圧装置
４２０が設けられ、他端部４４３２には第２高速移動装
置４３０が設けられている。第２低慣性移動押圧装置４
２０は、図８に詳しく示すように、上記クランパ１２２
０、駆動部４２１、支持部材４２２、案内機構４２３、
上記超音波伝達部３２１、及び上記キャピラリー１２０
１を有する。クランパ１２２０は、移動用フレーム４４
３の一端部４４３１に取り付けられ、又、本実施形態で
は上記駆動部４２１はボイスコイルモータにて構成さ
れ、該ボイスコイルモータの例えば磁石４２１１が上記
一端部４４３１に固定されている。一方、上記ボイスコ
イルモータのコイル４２１２は支持部材４２２の一端側
に取り付けられ、該支持部材４２２は、上記一端部４４
３１に取り付けられた案内機構４２３にて、バンプ形成
ステージ１０６に保持されている半導体集積回路１０３
の厚み方向、つまりほぼ上記上下方向に沿って移動可能
な状態にて支持されている。又、支持部材４２２の移動
量、即ちキャピラリー１２０１の移動量を検出する変位
検出センサ４２４が設けられている。又、支持部材４２
２の他端部には、キャピラリー１２０１を有する超音波
伝達部３２１が取り付けられている。尚、上記クランパ
ー１２２０の上方には、金線１を引き上げる不図示のエ
アーテンショナーが設けられている。このように構成さ
れる第２低慣性移動押圧装置４２０は、上述した第１実
施形態のバンプボンディング装置１１０に備わる低慣性
移動押圧装置１２０と同様に、上記第１速度による低慣
性移動、及び上記押圧動作を行う。
上記フレーム揺動軸１４２に支持された移動用フレーム
４４３の一端部４４３１には、第２低慣性移動押圧装置
４２０が設けられ、他端部４４３２には第２高速移動装
置４３０が設けられている。第２低慣性移動押圧装置４
２０は、図８に詳しく示すように、上記クランパ１２２
０、駆動部４２１、支持部材４２２、案内機構４２３、
上記超音波伝達部３２１、及び上記キャピラリー１２０
１を有する。クランパ１２２０は、移動用フレーム４４
３の一端部４４３１に取り付けられ、又、本実施形態で
は上記駆動部４２１はボイスコイルモータにて構成さ
れ、該ボイスコイルモータの例えば磁石４２１１が上記
一端部４４３１に固定されている。一方、上記ボイスコ
イルモータのコイル４２１２は支持部材４２２の一端側
に取り付けられ、該支持部材４２２は、上記一端部４４
３１に取り付けられた案内機構４２３にて、バンプ形成
ステージ１０６に保持されている半導体集積回路１０３
の厚み方向、つまりほぼ上記上下方向に沿って移動可能
な状態にて支持されている。又、支持部材４２２の移動
量、即ちキャピラリー１２０１の移動量を検出する変位
検出センサ４２４が設けられている。又、支持部材４２
２の他端部には、キャピラリー１２０１を有する超音波
伝達部３２１が取り付けられている。尚、上記クランパ
ー１２２０の上方には、金線１を引き上げる不図示のエ
アーテンショナーが設けられている。このように構成さ
れる第２低慣性移動押圧装置４２０は、上述した第１実
施形態のバンプボンディング装置１１０に備わる低慣性
移動押圧装置１２０と同様に、上記第１速度による低慣
性移動、及び上記押圧動作を行う。
【００４２】上記第２高速移動装置４３０は、上述した
第１実施形態のバンプボンディング装置１１０に備わる
高速移動装置１３０と同様に、本実施形態では、磁石４
３１とコイル４３２を有するボイスコイルモータの形態
にてなり、移動用フレーム４４３を上記第２速度にて高
速動作させる。即ち、移動用フレーム４４３の一端部４
４３１に設けた上記第２低慣性移動押圧装置４２０のキ
ャピラリー１２０１を上記スパーク発生高さ１７０から
上記直前位置１７１まで上記第２速度にて高速動作させ
る。
第１実施形態のバンプボンディング装置１１０に備わる
高速移動装置１３０と同様に、本実施形態では、磁石４
３１とコイル４３２を有するボイスコイルモータの形態
にてなり、移動用フレーム４４３を上記第２速度にて高
速動作させる。即ち、移動用フレーム４４３の一端部４
４３１に設けた上記第２低慣性移動押圧装置４２０のキ
ャピラリー１２０１を上記スパーク発生高さ１７０から
上記直前位置１７１まで上記第２速度にて高速動作させ
る。
【００４３】このように構成される第４実施形態におけ
るバンプボンディング装置４１０の動作を以下に説明す
る。尚、以下には、該バンプボンディング装置４１０に
て特有の動作部分である溶融ボール１６の上記上下方向
への移動動作、及び押圧動作について説明し、その他の
上記第１から第３の各実施形態におけるバンプボンディ
ング装置１１０、２１０、３１０における動作と同様の
動作については説明を省略する。上記スパーク発生高さ
１７０に配置されたキャピラリー１２０１は、第２高速
移動装置４３０にてフレーム揺動軸１４２を中心にして
移動用フレーム４４３を揺動させることで、上記直前位
置１７１まで上記第２速度にて高速移動される。キャピ
ラリー１２０１が直前位置１７１に到達後、上記第２低
慣性移動押圧装置４２０の駆動部４２１の動作により案
内機構４２３に案内されながら支持部材４２２つまりキ
ャピラリー１２０１が上記第１速度にて低慣性移動され
る。変位検出センサ４２４にて検出される支持部材４２
２の変位が一定値に停止することにより、上記低慣性移
動によりキャピラリー１２０１が上記押圧位置１７２に
到達したことが検出される。そして、第２低慣性移動押
圧装置４２０の駆動部４２１によりキャピラリー１２０
１には所定の押圧力が作用し、上記電極１０３１上の溶
融ボール１６は該電極１０３１に押圧される。
るバンプボンディング装置４１０の動作を以下に説明す
る。尚、以下には、該バンプボンディング装置４１０に
て特有の動作部分である溶融ボール１６の上記上下方向
への移動動作、及び押圧動作について説明し、その他の
上記第１から第３の各実施形態におけるバンプボンディ
ング装置１１０、２１０、３１０における動作と同様の
動作については説明を省略する。上記スパーク発生高さ
１７０に配置されたキャピラリー１２０１は、第２高速
移動装置４３０にてフレーム揺動軸１４２を中心にして
移動用フレーム４４３を揺動させることで、上記直前位
置１７１まで上記第２速度にて高速移動される。キャピ
ラリー１２０１が直前位置１７１に到達後、上記第２低
慣性移動押圧装置４２０の駆動部４２１の動作により案
内機構４２３に案内されながら支持部材４２２つまりキ
ャピラリー１２０１が上記第１速度にて低慣性移動され
る。変位検出センサ４２４にて検出される支持部材４２
２の変位が一定値に停止することにより、上記低慣性移
動によりキャピラリー１２０１が上記押圧位置１７２に
到達したことが検出される。そして、第２低慣性移動押
圧装置４２０の駆動部４２１によりキャピラリー１２０
１には所定の押圧力が作用し、上記電極１０３１上の溶
融ボール１６は該電極１０３１に押圧される。
【００４４】又、上記押圧動作の際には、超音波発振器
１２１２にて発生した超音波振動が超音波ホーン１２１
１、伝達部材３２３、及び超音波伝達部３２１を介して
キャピラリー１２０１に伝わり、押圧されている溶融ボ
ール１６に付与される。よって、溶融ボール１６は上記
半導体集積回路１０３の上記電極１０３１上に接合され
る。
１２１２にて発生した超音波振動が超音波ホーン１２１
１、伝達部材３２３、及び超音波伝達部３２１を介して
キャピラリー１２０１に伝わり、押圧されている溶融ボ
ール１６に付与される。よって、溶融ボール１６は上記
半導体集積回路１０３の上記電極１０３１上に接合され
る。
【００４５】該接合後、第２高速移動装置４３０及び第
２低慣性移動押圧装置４２０の駆動部４２１の動作によ
り移動用フレーム４４３は揺動し、キャピラリー１２０
１が一定量上昇し、上記位置１７３に配置される。そし
て、金線１をクランパー１２２０によって保持すると共
に、第２高速移動装置４３０にて移動用フレーム４４３
を揺動させる。該揺動により上記再結晶境界において金
線１は断裂し、半導体集積回路１０３の上記電極１０３
１に突起状のバンプ１７が形成され、又、キャピラリー
１２０１は、上記スパーク発生高さ１７０まで上昇す
る。
２低慣性移動押圧装置４２０の駆動部４２１の動作によ
り移動用フレーム４４３は揺動し、キャピラリー１２０
１が一定量上昇し、上記位置１７３に配置される。そし
て、金線１をクランパー１２２０によって保持すると共
に、第２高速移動装置４３０にて移動用フレーム４４３
を揺動させる。該揺動により上記再結晶境界において金
線１は断裂し、半導体集積回路１０３の上記電極１０３
１に突起状のバンプ１７が形成され、又、キャピラリー
１２０１は、上記スパーク発生高さ１７０まで上昇す
る。
【００４６】このように第４実施形態のバンプボンディ
ング装置４１０によれば、上述した第１実施形態のバン
プボンディング装置１１０と同様に、キャピラリー１２
０１を高速に移動させる動作と、低慣性で押圧移動させ
る動作とを、それぞれ独立して専門に行うように、第２
高速移動装置４３０と、第２低慣性移動押圧装置４２０
とを設け、かつ超音波発振器１２１２及び超音波ホーン
１２１１を第２低慣性移動押圧装置４２０の外部に設け
たことで、第２低慣性移動押圧装置４２０における慣性
を小さくすることができ、溶融ボール１６が半導体集積
回路１０３の上記電極１０３１上に接触したときの衝撃
力を抑えることができる。したがって、微小バンプの形
成を安定して行え、かつバンプの形状不良の防止を図る
ことができる。又、上述のように上記衝撃力を抑えつ
つ、高速移動が可能であるので、生産タクトが長くなる
という問題も生じない。尚、本第４実施形態によれば、
第２高速移動装置４３０はボイスコイルモータにて構成
したが、上述した第２実施形態のようにカム機構にて構
成することもできる。
ング装置４１０によれば、上述した第１実施形態のバン
プボンディング装置１１０と同様に、キャピラリー１２
０１を高速に移動させる動作と、低慣性で押圧移動させ
る動作とを、それぞれ独立して専門に行うように、第２
高速移動装置４３０と、第２低慣性移動押圧装置４２０
とを設け、かつ超音波発振器１２１２及び超音波ホーン
１２１１を第２低慣性移動押圧装置４２０の外部に設け
たことで、第２低慣性移動押圧装置４２０における慣性
を小さくすることができ、溶融ボール１６が半導体集積
回路１０３の上記電極１０３１上に接触したときの衝撃
力を抑えることができる。したがって、微小バンプの形
成を安定して行え、かつバンプの形状不良の防止を図る
ことができる。又、上述のように上記衝撃力を抑えつ
つ、高速移動が可能であるので、生産タクトが長くなる
という問題も生じない。尚、本第４実施形態によれば、
第２高速移動装置４３０はボイスコイルモータにて構成
したが、上述した第２実施形態のようにカム機構にて構
成することもできる。
【００４７】第５実施形態；図１０には、第５実施形態
におけるバンプボンディング装置５１０が示されてい
る。本実施形態のバンプボンディング装置５１０は、上
述の第１実施形態におけるバンプボンディング装置１１
０における低慣性移動押圧装置１２０の構造の一部を変
更した低慣性移動押圧装置５２０を有する。よって、以
下には、上記低慣性移動押圧装置５２０について説明
し、バンプボンディング装置５１０のその他の構造部分
についての説明は省略する。又、低慣性移動押圧装置５
２０について、低慣性移動押圧装置１２０と同じ機能を
行う部分については、低慣性移動押圧装置１２０と同じ
符号を付しその説明を省略する。
におけるバンプボンディング装置５１０が示されてい
る。本実施形態のバンプボンディング装置５１０は、上
述の第１実施形態におけるバンプボンディング装置１１
０における低慣性移動押圧装置１２０の構造の一部を変
更した低慣性移動押圧装置５２０を有する。よって、以
下には、上記低慣性移動押圧装置５２０について説明
し、バンプボンディング装置５１０のその他の構造部分
についての説明は省略する。又、低慣性移動押圧装置５
２０について、低慣性移動押圧装置１２０と同じ機能を
行う部分については、低慣性移動押圧装置１２０と同じ
符号を付しその説明を省略する。
【００４８】低慣性移動押圧装置５２０は、低慣性移動
押圧装置１２０における構造と基本的に同じ構造を有
し、キャピラリー１２０１、駆動部１２０２、超音波振
動装置１２１０、及びクランパ１２２０を有し、上記超
音波振動装置１２１０は、超音波ホーン１２１１及び超
音波発振器１２１２を有する。上記キャピラリー１２０
１、上記超音波振動装置１２１０、及びクランパ１２２
０は、支持フレーム５２４０に取り付けられている。
尚、支持フレーム５２４０は、第１実施形態における支
持フレーム１２４０に相当する。
押圧装置１２０における構造と基本的に同じ構造を有
し、キャピラリー１２０１、駆動部１２０２、超音波振
動装置１２１０、及びクランパ１２２０を有し、上記超
音波振動装置１２１０は、超音波ホーン１２１１及び超
音波発振器１２１２を有する。上記キャピラリー１２０
１、上記超音波振動装置１２１０、及びクランパ１２２
０は、支持フレーム５２４０に取り付けられている。
尚、支持フレーム５２４０は、第１実施形態における支
持フレーム１２４０に相当する。
【００４９】一方、上記低慣性移動押圧装置５２０が低
慣性移動押圧装置１２０と異なる点は、以下の通りであ
る。上述したように上記第１実施形態における上記変位
検出センサ１２５０は、上記支持フレーム１２４０にお
ける上記上下方向への移動量を検出する。一方、第５実
施形態における検出センサ５２５０では、支持フレーム
５２４０の移動量検出は行なわず、支持フレーム５２４
０が所定量以上移動した場合にのみ出力を発するオン、
オフ動作を行なう。このような検出センサ５２５０は、
移動用フレーム１４３上に検出センサ５２５０を設置し
た。又、支持フレーム５２４０は、移動用フレーム１４
３の上記一端部１４３１に板バネ５２４５を介して取り
付けられている。よって、第１実施形態における揺動軸
１２４１は当該第５実施形態では存在せず、支持フレー
ム５２４０は、上記駆動部１２０２により上記板バネ５
２４５を支点として矢印１２４２方向に揺動可能であ
る。よって、板バネ５２４５が上記揺動軸１２４１に相
当しその機能を果たす。又、上記高速移動装置１３０に
よる上記第２速度で支持フレーム５２４０が高速移動す
るとき、低慣性移動押圧装置５２０が揺動するのを防止
するため、支持フレーム５２４０と移動用フレーム１４
３との間にスプリング５２４６を設けている。
慣性移動押圧装置１２０と異なる点は、以下の通りであ
る。上述したように上記第１実施形態における上記変位
検出センサ１２５０は、上記支持フレーム１２４０にお
ける上記上下方向への移動量を検出する。一方、第５実
施形態における検出センサ５２５０では、支持フレーム
５２４０の移動量検出は行なわず、支持フレーム５２４
０が所定量以上移動した場合にのみ出力を発するオン、
オフ動作を行なう。このような検出センサ５２５０は、
移動用フレーム１４３上に検出センサ５２５０を設置し
た。又、支持フレーム５２４０は、移動用フレーム１４
３の上記一端部１４３１に板バネ５２４５を介して取り
付けられている。よって、第１実施形態における揺動軸
１２４１は当該第５実施形態では存在せず、支持フレー
ム５２４０は、上記駆動部１２０２により上記板バネ５
２４５を支点として矢印１２４２方向に揺動可能であ
る。よって、板バネ５２４５が上記揺動軸１２４１に相
当しその機能を果たす。又、上記高速移動装置１３０に
よる上記第２速度で支持フレーム５２４０が高速移動す
るとき、低慣性移動押圧装置５２０が揺動するのを防止
するため、支持フレーム５２４０と移動用フレーム１４
３との間にスプリング５２４６を設けている。
【００５０】上述のように構成されるバンプボンディン
グ装置５１０の動作について、図１１を参照しながら以
下に説明する。尚、各構成部分の動作制御は、制御装置
５０１にて実行される。又、以下の説明では、上記高速
移動装置１３０及び上記低慣性移動押圧装置５２０に関
する動作について説明し、その他の、上述した第１実施
形態のバンプボンディング装置１１０の動作と同様の動
作について、ここでの説明は省略する。上記溶融ボール
１６を形成した後、高速移動装置１３０を動作させるこ
とで、移動用フレーム１４３の一端部１４３１に設けら
れた低慣性移動押圧装置５２０のキャピラリー１２０１
が上記スパーク発生高さ１７０から上記直前位置１７１
まで上記第２速度にて高速移動する。このとき、低慣性
移動押圧装置５２０に備わる駆動部１２０２は、支持フ
レーム５２４０が揺動しないような高トルクを発し、よ
って支持フレーム５２４０の揺動は制限される。尚、上
記高トルクは、高荷重５５１に相当する。
グ装置５１０の動作について、図１１を参照しながら以
下に説明する。尚、各構成部分の動作制御は、制御装置
５０１にて実行される。又、以下の説明では、上記高速
移動装置１３０及び上記低慣性移動押圧装置５２０に関
する動作について説明し、その他の、上述した第１実施
形態のバンプボンディング装置１１０の動作と同様の動
作について、ここでの説明は省略する。上記溶融ボール
１６を形成した後、高速移動装置１３０を動作させるこ
とで、移動用フレーム１４３の一端部１４３１に設けら
れた低慣性移動押圧装置５２０のキャピラリー１２０１
が上記スパーク発生高さ１７０から上記直前位置１７１
まで上記第２速度にて高速移動する。このとき、低慣性
移動押圧装置５２０に備わる駆動部１２０２は、支持フ
レーム５２４０が揺動しないような高トルクを発し、よ
って支持フレーム５２４０の揺動は制限される。尚、上
記高トルクは、高荷重５５１に相当する。
【００５１】上記キャピラリー１２０１が上記直前位置
１７１に達したとき、上記駆動部１２０２の発するトル
クは、上記高トルクより小さいサーチ荷重用のトルクに
切り替えられる。上記サーチ荷重５５２とは、溶融ボー
ル１６が上記電極１０３１に接触し押圧されるのを検出
するための荷重である。又、上記キャピラリー１２０１
に上記サーチ荷重５５２が作用した状態にて、以下のサ
ーチ動作が実行される。次に、キャピラリー１２０１が
直前位置１７１に到達後、さらに高速移動装置１３０を
動作させて上記第２速度よりも遅い速度にて、移動用フ
レーム１４３、つまり上記キャピラリー１２０１を上記
押圧位置１７２までさらに下降させる。よって、溶融ボ
ール１６は、上記電極１０３１に接触しさらに押圧され
る。該押圧動作により、低慣性移動押圧装置５２０の支
持フレーム５２４０は、上記サーチ荷重５５２用のトル
クに逆らって、上記板バネ５２４５を支点として矢印１
２４２方向へ揺動する。該揺動動作による支持フレーム
５２４０の移動は、上記検出センサ５２５０にて検出さ
れる。尚、溶融ボール１６が上記電極１０３１に接触し
てから押圧されるまでの距離５６０は、約１０〜５０μ
ｍである。
１７１に達したとき、上記駆動部１２０２の発するトル
クは、上記高トルクより小さいサーチ荷重用のトルクに
切り替えられる。上記サーチ荷重５５２とは、溶融ボー
ル１６が上記電極１０３１に接触し押圧されるのを検出
するための荷重である。又、上記キャピラリー１２０１
に上記サーチ荷重５５２が作用した状態にて、以下のサ
ーチ動作が実行される。次に、キャピラリー１２０１が
直前位置１７１に到達後、さらに高速移動装置１３０を
動作させて上記第２速度よりも遅い速度にて、移動用フ
レーム１４３、つまり上記キャピラリー１２０１を上記
押圧位置１７２までさらに下降させる。よって、溶融ボ
ール１６は、上記電極１０３１に接触しさらに押圧され
る。該押圧動作により、低慣性移動押圧装置５２０の支
持フレーム５２４０は、上記サーチ荷重５５２用のトル
クに逆らって、上記板バネ５２４５を支点として矢印１
２４２方向へ揺動する。該揺動動作による支持フレーム
５２４０の移動は、上記検出センサ５２５０にて検出さ
れる。尚、溶融ボール１６が上記電極１０３１に接触し
てから押圧されるまでの距離５６０は、約１０〜５０μ
ｍである。
【００５２】上記検出センサ５２５０にて支持フレーム
５２４０における上記所定量の移動が検出されたとき、
即ちキャピラリー１２０１が上記押圧位置１７２に達し
たとき、検出センサ５２５０の出力に基づいて低慣性移
動押圧装置５２０は、サーチ動作からボンディング動作
に移行する。該ボンディング動作への移行に伴い、上記
駆動部１２０２の発するトルクは、上記サーチ荷重５５
２を超えるボンディング荷重５５３用のトルクに切り替
えられる。そして、上記ボンディング動作が完了するま
で、ボンディング荷重５５３が溶融ボール１６に加えら
れ、溶融ボール１６は上記電極１０３１に押圧されバン
プに成形される。
５２４０における上記所定量の移動が検出されたとき、
即ちキャピラリー１２０１が上記押圧位置１７２に達し
たとき、検出センサ５２５０の出力に基づいて低慣性移
動押圧装置５２０は、サーチ動作からボンディング動作
に移行する。該ボンディング動作への移行に伴い、上記
駆動部１２０２の発するトルクは、上記サーチ荷重５５
２を超えるボンディング荷重５５３用のトルクに切り替
えられる。そして、上記ボンディング動作が完了するま
で、ボンディング荷重５５３が溶融ボール１６に加えら
れ、溶融ボール１６は上記電極１０３１に押圧されバン
プに成形される。
【００５３】ボンディング動作完了後、再び高速移動装
置１３０を動作させ、キャピラリー１２０１を所定量上
昇させる。尚、このとき、低慣性移動押圧装置５２０の
駆動部１２０２は、上記ボンディング荷重５５３用のト
ルクを発している。上記所定量の上昇時点で、又は上記
ボンディング動作完了から所定時間の経過時点で、低慣
性移動押圧装置５２０の駆動部１２０２は、上記ボンデ
ィング荷重５５３用のトルクから上記高トルクに切り替
わり、支持フレーム５２４０は、その揺動を制限され
る。以後、第１実施形態にて説明したように、金線１の
クランプ動作、切断動作が実行された後、再び溶融ボー
ル１６の形成動作へと移行する。
置１３０を動作させ、キャピラリー１２０１を所定量上
昇させる。尚、このとき、低慣性移動押圧装置５２０の
駆動部１２０２は、上記ボンディング荷重５５３用のト
ルクを発している。上記所定量の上昇時点で、又は上記
ボンディング動作完了から所定時間の経過時点で、低慣
性移動押圧装置５２０の駆動部１２０２は、上記ボンデ
ィング荷重５５３用のトルクから上記高トルクに切り替
わり、支持フレーム５２４０は、その揺動を制限され
る。以後、第１実施形態にて説明したように、金線１の
クランプ動作、切断動作が実行された後、再び溶融ボー
ル１６の形成動作へと移行する。
【００５４】以上説明した第５実施形態のバンプボンデ
ィング装置５１０によれば、上記第１実施形態の場合と
同様に、溶融ボール１６が電極１０３１に接触するとき
の衝撃力を従来に比べて抑えることができる。よって、
微小バンプの形成を安定して行え、かつバンプの形状不
良防止を図ることができ、バンプ品質の向上を図ること
ができる。又、スパーク発生高さ１７０から上記直前位
置１７１までは高速移動装置１３０にてキャピラリー１
２０１は高速移動することから、生産タクトが長くなる
という問題も生じない。又、第５実施形態では、オン、
オフ動作を行なう検出センサ５２５０を設けたことよ
り、第１実施形態に比べて制御装置５０１における制御
動作を簡略化することができる。
ィング装置５１０によれば、上記第１実施形態の場合と
同様に、溶融ボール１６が電極１０３１に接触するとき
の衝撃力を従来に比べて抑えることができる。よって、
微小バンプの形成を安定して行え、かつバンプの形状不
良防止を図ることができ、バンプ品質の向上を図ること
ができる。又、スパーク発生高さ１７０から上記直前位
置１７１までは高速移動装置１３０にてキャピラリー１
２０１は高速移動することから、生産タクトが長くなる
という問題も生じない。又、第５実施形態では、オン、
オフ動作を行なう検出センサ５２５０を設けたことよ
り、第１実施形態に比べて制御装置５０１における制御
動作を簡略化することができる。
【００５５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の第１態様の
バンプボンディング装置によれば、ワイヤ導出部材を高
速に移動させる動作と低慣性で押圧移動させる動作とを
それぞれ独立して専門に行う高速移動装置と低慣性移動
押圧装置とを設けたことより、低慣性移動押圧装置にお
ける慣性を小さくすることができる。よって、ワイヤ導
出部材より突出して形成されている溶融ボールが低慣性
移動押圧装置により駆動されて半導体集積回路の電極上
に接触したときの衝撃力を抑えることができる。したが
って、微小バンプの形成を安定して行え、かつバンプの
形状不良防止を図ることができ、バンプ品質の向上を図
ることができる。一方、上記電極への溶融ボールの押
圧、接合以外の動作は、上記高速移動装置にて上記ワイ
ヤ導出部材を駆動することから、生産タクトが長くなる
こともなく生産性の向上を図ることができる。
バンプボンディング装置によれば、ワイヤ導出部材を高
速に移動させる動作と低慣性で押圧移動させる動作とを
それぞれ独立して専門に行う高速移動装置と低慣性移動
押圧装置とを設けたことより、低慣性移動押圧装置にお
ける慣性を小さくすることができる。よって、ワイヤ導
出部材より突出して形成されている溶融ボールが低慣性
移動押圧装置により駆動されて半導体集積回路の電極上
に接触したときの衝撃力を抑えることができる。したが
って、微小バンプの形成を安定して行え、かつバンプの
形状不良防止を図ることができ、バンプ品質の向上を図
ることができる。一方、上記電極への溶融ボールの押
圧、接合以外の動作は、上記高速移動装置にて上記ワイ
ヤ導出部材を駆動することから、生産タクトが長くなる
こともなく生産性の向上を図ることができる。
【００５６】又、上記低慣性移動押圧装置に超音波振動
装置を備えることで、上記電極への溶融ボールの押圧時
に超音波振動装置にて上記溶融ボールへ超音波振動を与
え、上記電極への溶融ボールの接合をより容易かつ強固
にすることができる。
装置を備えることで、上記電極への溶融ボールの押圧時
に超音波振動装置にて上記溶融ボールへ超音波振動を与
え、上記電極への溶融ボールの接合をより容易かつ強固
にすることができる。
【００５７】又、上記低慣性移動押圧装置は揺動軸を中
心に揺動しかつ該揺動軸を、移動用フレームのフレーム
揺動軸に対して慣性のつりあう釣合い位置に配置したこ
とで、上記高速移動装置によりワイヤ導出部材が高速移
動されることで、ワイヤ導出部材が上記低慣性移動押圧
装置に与える影響を無くすることができる。よって、上
述の微小バンプの安定形成、生産性向上にさらに寄与す
ることができる。
心に揺動しかつ該揺動軸を、移動用フレームのフレーム
揺動軸に対して慣性のつりあう釣合い位置に配置したこ
とで、上記高速移動装置によりワイヤ導出部材が高速移
動されることで、ワイヤ導出部材が上記低慣性移動押圧
装置に与える影響を無くすることができる。よって、上
述の微小バンプの安定形成、生産性向上にさらに寄与す
ることができる。
【００５８】又、上記超音波振動装置を移動用フレーム
とは別設したことで、上記低慣性移動押圧装置の慣性を
より小さくすることができる。よって、上述の微小バン
プの安定形成、生産性向上にさらに寄与することができ
る。
とは別設したことで、上記低慣性移動押圧装置の慣性を
より小さくすることができる。よって、上述の微小バン
プの安定形成、生産性向上にさらに寄与することができ
る。
【００５９】本発明の第２態様のバンプボンディング装
置によれば、移動用フレームには、ワイヤ導出部材の移
動装置、及び超音波振動装置を設けていないので、移動
用フレームの慣性を小さくすることができる。よって、
一つの移動装置にて、溶融ボールの高速移動及び低慣性
押圧移動を行うことができ、又、上述の微小バンプの安
定形成、生産性向上を図ることができる。
置によれば、移動用フレームには、ワイヤ導出部材の移
動装置、及び超音波振動装置を設けていないので、移動
用フレームの慣性を小さくすることができる。よって、
一つの移動装置にて、溶融ボールの高速移動及び低慣性
押圧移動を行うことができ、又、上述の微小バンプの安
定形成、生産性向上を図ることができる。
【図１】 本発明の第１実施形態におけるバンプボンデ
ィング装置を示す図である。
ィング装置を示す図である。
【図２】 図１に示すバンプボンディング装置にて実行
されるバンプボンディング動作におけるキャピラリーの
移動軌跡を示す図である。
されるバンプボンディング動作におけるキャピラリーの
移動軌跡を示す図である。
【図３】 本発明の第２実施形態におけるバンプボンデ
ィング装置を示す図である。
ィング装置を示す図である。
【図４】 図３に示すバンプボンディング装置にて実行
されるバンプボンディング動作におけるキャピラリーの
移動軌跡を示す図である。
されるバンプボンディング動作におけるキャピラリーの
移動軌跡を示す図である。
【図５】 図１及び図３に示すバンプボンディング装置
に備わる低慣性移動押圧装置部分の拡大図である。
に備わる低慣性移動押圧装置部分の拡大図である。
【図６】 本発明の第３実施形態におけるバンプボンデ
ィング装置を示す図である。
ィング装置を示す図である。
【図７】 本発明の第４実施形態におけるバンプボンデ
ィング装置を示す図である。
ィング装置を示す図である。
【図８】 図７に示すバンプボンディング装置に備わる
第２低慣性移動押圧装置部分の拡大図である。
第２低慣性移動押圧装置部分の拡大図である。
【図９】 本発明の各実施形態のバンプボンディング装
置を備えたバンプ形成装置を示す斜視図である。
置を備えたバンプ形成装置を示す斜視図である。
【図１０】 本発明の第５実施形態におけるバンプボン
ディング装置を示す図である。
ディング装置を示す図である。
【図１１】 図１０に示すバンプボンディング装置にて
実行されるバンプボンディング動作におけるキャピラリ
ーの移動軌跡を示す図である。
実行されるバンプボンディング動作におけるキャピラリ
ーの移動軌跡を示す図である。
【図１２】 従来のバンプボンディング装置を示す図で
ある。
ある。
１…金線、１６…溶融ボール、１００…バンプ形成装
置、１１０…バンプボンディング装置、１２０…低慣性
移動押圧装置、１３０…高速移動装置、１４２…フレー
ム揺動軸、１４３…移動用フレーム、２３１…板カム、
２３２…カムフォロア、３２３…伝達部材、３３０…移
動装置、３４３…移動用フレーム、１０３１…電極、１
２０１…キャピラリー、１２０２…駆動部、１２１０…
超音波振動装置、１２１１…超音波ホーン、１２１２…
超音波発振器、１２４１…揺動軸、１４３１…一端部、
１４３２…他端部、３４３１…一端部、３４３２…他端
部。
置、１１０…バンプボンディング装置、１２０…低慣性
移動押圧装置、１３０…高速移動装置、１４２…フレー
ム揺動軸、１４３…移動用フレーム、２３１…板カム、
２３２…カムフォロア、３２３…伝達部材、３３０…移
動装置、３４３…移動用フレーム、１０３１…電極、１
２０１…キャピラリー、１２０２…駆動部、１２１０…
超音波振動装置、１２１１…超音波ホーン、１２１２…
超音波発振器、１２４１…揺動軸、１４３１…一端部、
１４３２…他端部、３４３１…一端部、３４３２…他端
部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清村 浩之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 徳永 哲也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 笹岡 達雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 橋本 雅彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 BB03 CC05 FF04 QQ04
Claims (9)
- 【請求項１】 ワイヤ導出部材（１２０１）及び駆動部
（１２０２）を有し、かつ上記ワイヤ導出部材から突出
したワイヤ先端に形成した溶融ボール（１６）が半導体
集積回路の電極（１０３１）に接触する直前の高さに到
達した後、上記駆動部にて上記ワイヤ導出部材を第１速
度にて上記電極側へ移動して上記ワイヤ導出部材にて上
記溶融ボールを上記電極に押圧して接合させる低慣性移
動押圧装置（１２０）と、 上記ワイヤ先端に形成された上記溶融ボールが上記半導
体集積回路の上記電極に接触する上記直前の高さまで、
上記低慣性移動押圧装置を設けた移動用フレーム（１４
３）を上記第１速度よりも高速にて移動させる高速移動
装置（１３０）と、を備えたことを特徴とするボンディ
ング装置。 - 【請求項２】 上記低慣性移動押圧装置には、上記ワイ
ヤ導出部材に取り付けられ、上記溶融ボールが上記電極
に押圧されているときに上記ワイヤ導出部材を介して上
記溶融ボールを超音波振動させる超音波振動装置（１２
１０）をさらに備えた、請求項１記載のボンディング装
置。 - 【請求項３】 上記低慣性移動押圧装置は、上記ワイヤ
導出部材を一端側に配置し上記駆動部を他端側に配置し
て、上記移動用フレームに設けた揺動軸（１２４１）を
中心にして上記ワイヤ導出部材及び上記駆動部を揺動可
能として上記移動用フレームに取り付けられる、請求項
２記載のボンディング装置。 - 【請求項４】 上記超音波振動装置は、上記移動用フレ
ームとは別設され、該超音波振動装置にて発生した超音
波振動を上記ワイヤ導出部材へ伝達する伝達部材（３２
３）を有する、請求項２記載のボンディング装置。 - 【請求項５】 上記移動用フレームは、フレーム一端部
（１４３１）に上記低慣性移動押圧装置を設け、フレー
ム他端部（１４３２）に上記高速移動装置を設けてフレ
ーム揺動軸（１４２）を中心に揺動可能であり、上記高
速移動装置は、上記フレーム他端部に設けられ上記移動
用フレームを揺動させるカム機構（２３１、２３２）を
有し、上記低慣性移動押圧装置の上記揺動軸は上記フレ
ーム揺動軸に対して慣性のつりあう釣合い位置に配置さ
れる、上記請求項３又は４記載のボンディング装置。 - 【請求項６】 ワイヤ導出部材（１２０１）から突出し
たワイヤ先端に形成した溶融ボール（１６）を半導体集
積回路の電極（１０３１）に接触する直前の高さまで上
記ワイヤ導出部材を有する移動用フレーム（３４３）を
第２速度にて移動させた後、上記第２速度よりも低速で
ある第１速度にて上記電極側へ移動させ上記溶融ボール
が上記半導体集積回路の上記電極に接触した後、上記ワ
イヤ導出部材にて上記溶融ボールを上記電極に押圧して
接合させる移動装置（３３０）と、 上記溶融ボールが上記電極に押圧されているときに上記
溶融ボールを超音波振動させる、上記移動用フレームと
は別設される超音波振動装置（１２１０）と、該超音波
振動装置にて発生した超音波振動を上記ワイヤ導出部材
へ伝達し上記溶融ボールを超音波振動させる伝達部材
（３２３）と、を備えたことを特徴とするボンディング
装置。 - 【請求項７】 上記移動用フレームは、フレーム一端部
（３４３１）に上記ワイヤ導出部材を設け、フレーム他
端部（３４３２）に上記移動装置を設けてフレーム揺動
軸（１４２）を中心に揺動可能である、上記請求項６記
載のボンディング装置。 - 【請求項８】 上記伝達部材は、直径が０．３ｍｍ〜１
ｍｍで音速が４６００〜５５００ｍ／ｓの特性を有す
る、請求項４ないし７のいずれかに記載のボンディング
装置。 - 【請求項９】 半導体集積回路の電極に溶融ボール（１
６）が接触する直前高さまで上記電極側へ第２速度にて
上記溶融ボールを移動し、 上記溶融ボールが上記直前高さに達した後、上記第２速
度により移動にて生じた高慣性を減じて得られた低慣性
にて、上記第２速度よりも遅い第１速度で上記溶融ボー
ルを上記電極に移動し、押圧し、接合する、ことを特徴
とするボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000319285A JP4287036B2 (ja) | 1999-10-22 | 2000-10-19 | ボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-300879 | 1999-10-22 | ||
| JP30087999 | 1999-10-22 | ||
| JP2000319285A JP4287036B2 (ja) | 1999-10-22 | 2000-10-19 | ボンディング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001189341A true JP2001189341A (ja) | 2001-07-10 |
| JP4287036B2 JP4287036B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=26562487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000319285A Expired - Fee Related JP4287036B2 (ja) | 1999-10-22 | 2000-10-19 | ボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4287036B2 (ja) |
-
2000
- 2000-10-19 JP JP2000319285A patent/JP4287036B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4287036B2 (ja) | 2009-07-01 |
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