JPH06301918A - 磁気変換器／サスペンション・アセンブリおよび製造方法並びにディスク駆動装置アセンブリ - Google Patents

磁気変換器／サスペンション・アセンブリおよび製造方法並びにディスク駆動装置アセンブリ

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 機能強化された読み書き変換器構成を含む一
体式変換器／サスペンション構造を有する、機能強化さ
れた磁気可動記憶装置を提供すること。 【構成】 接触記録応用例とウィンチェスタ型応用例の
両方での使用に適した、一体式の組合せ磁気変換器／サ
スペンション・アセンブリが提供される。全般的に長方
形の細長い平らなサスペンション部材が、サスペンショ
ン部材と一体に形成され、サスペンション部材の１端に
埋め込まれた垂直型の誘導読み書き変換器を含み、垂直
記録応用例に適している。変換器の垂直磁極端と磁気ヨ
ーク構造が、サスペンション部材の１端部に形成され、
垂直磁極端が、サスペンション部材のその端部の下面か
ら延びるスライダ形突起の下面に形成される空気軸受面
まで延び、そこで露出される。空気軸受面は、摩耗パッ
ドの下面に形成され、その製造はウェハ・レベルで実施
される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全般的に、可動磁気記
憶装置とそれに組み込まれた記録要素に関し、具体的に
は、バッチ製造に適した、垂直記録再生用の一体式変換
器サスペンション構造とその構造を製造する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】可動磁気記録装置、特に磁気ディスク装
置は、優れた記憶装置である。その理由は、これらの装
置が拡張された不揮発性記憶能力をもち、かつコストが
比較的低いからである。これらの装置から格納された情
報を正確に検索することがクリティカルになり、磁気変
換器をできる限り記憶媒体の近くに置くことが必要にな
る。変換器が本当に媒体に接触するのが最良である。
【０００３】磁気ディスク装置とは、データを記録する
ための画定された同心円状のデータ・トラックを有する
少なくとも１つの回転式磁気媒体ディスクと、さまざま
なデータ・トラックからデータを読み書きするための読
み書き変換器と、変換器をデータ・トラックに近接し
て、通常は記憶媒体上に浮上モードで支持するための、
一般にスライダと称する支持手段と、変換器／スライダ
／サスペンションの組合せに結合された、スライダと変
換器をデータ・トラック上に弾性的に支持するためのサ
スペンション・アセンブリと、変換器を媒体を横切って
所望のデータ・トラックへ移動し、読取り動作または書
込み動作の間、変換器をデータ・トラックの中心線の上
に保つための、位置決めアクチュエータとを使用する、
情報記憶装置である。変換器は、スライダに取り付けら
れ、あるいはそれと一体に形成され、スライダは、回転
するディスクによって生成される空気軸受と称する空気
のクッションによって、記憶ディスクのデータ面の上に
変換器を支持する。その代わりに、変換器がディスクの
表面と接触した状態で動作してもよい。サスペンション
は、スライダの所望の負荷と、スライダと変換器／スラ
イダ／サスペンション・アセンブリをアクチュエータに
結合するアクチュエータ・アームとの間の所望の寸法安
定性とを提供する。サスペンションは、変換器とスライ
ダを、できる限り低い負荷力でディスクのデータ面に近
接して保つ必要がある。アクチュエータは、読取り動作
の際に所望されるデータに従って変換器を正しいトラッ
クの上に位置決めし、書込み動作の間は変換器をデータ
を置くべきトラックに位置決めする。アクチュエータ
は、組合せアセンブリを、ディスクの表面を横切って一
般にデータ・トラックを横切る方向にシフトすることに
よって、所望のデータ・トラックの上に変換器を位置決
めするように制御される。
【０００４】通常のディスク駆動装置では、変換器とス
ライダが別々に形成された後に、操作員が制御する手動
の正確な操作によってサスペンションに取り付けられ
る。通常、これらの構成要素は極端に小さく、その互い
の相対的な位置決めは、クリティカルであり正確でなけ
ればならない。ディスク駆動装置の動作の間、変換器を
データ・トラックに対して正確に位置決めしなければな
らず、すなわち、サスペンションをスライダに対して正
確に位置決めしなければならない。また、サスペンショ
ンは、回転するディスクの運動方向に対するスライダの
相対的な縦揺れおよび横揺れに対する柔軟性を提供し、
それと同時に片揺れに対する抵抗力を提供しなければな
らない。変換器の信号入出力端子に接続された電気導体
リードは、サスペンションに沿った方向に向かい、サス
ペンション上またはアクチュエータ上に置かれた増幅器
に接続される。この導体リードは、スライダのばね剛性
を高めてはならず、なおかつ良好な電気相互接続をもた
らさなければならない。導体リードは、通常は、操作員
の手動操作により、たとえばはんだ付けや超音波ボンデ
ィングによって、変換器の出力端子と増幅器の両方にボ
ンディングされる。
【０００５】情報の磁気記録は大成功を納めているが、
記録密度を改善する必要がますます高まっている。現況
技術では、磁気記録の一般的な方法は水平記録であっ
た。最近になって、磁気記録技術の分野で、記録される
情報の線密度を改善する手段として、水平記録に対して
垂直記録が検討されるようになってきた。垂直記録で
は、記録されるビットの磁気の極性が記録媒体表面に対
して垂直または直角に向く。記録ヘッドの書込み磁極端
からの磁束が磁気記録媒体を垂直に通過し、磁気ディス
ク内を下に（または上に）進み、磁気媒体を通って帰還
極に戻り、これによって磁気ヘッドの磁束帰還経路が形
成される。磁束帰還極は、書込み磁極端の数倍の大きさ
の磁極面を有し、その結果、磁束帰還極を通る磁束がこ
れに沿ってばらまかれ、したがって磁束密度が低くな
る。帰還極の位置で記録媒体を通る磁束の密度が低いの
で、書込み磁極端の下流側の記録媒体の磁気パターンを
反転または弱めることによる影響はほとんど存在しな
い。
【０００６】上で述べたように、スライダに取り付けら
れた変換器は、空気軸受によって、相対移動する記録媒
体の表面の上に支持される。磁気記録システムの性能
は、読み書き変換器と記録媒体の間の分離間隔が減るに
つれて劇的に向上する。さらに、読み書き変換器と記録
媒体の間の分離間隔を減らすと、媒体表面上で画定でき
るデータ・トラックの数であるトラック密度が向上し、
個々のデータ・トラック内に記録されるデータの線密度
も向上する。しかし、浮上高さが減るにつれて、ヘッド
摩耗の危険性と、特に、変換器が誤ってディスク表面に
接触して破局的な摩耗を招く可能性が非常に高くなる。
読み書き変換器／スライダが媒体と接触して動作するよ
うに設計された記録システムでは、硬さ、摩擦係数、熱
伝導度などに関してスライダと媒体表面の両方の材料を
適切に選択することにより、摩耗を最小にすることがで
きる。こすれ接触またはすべり接触している２つの表面
の間の摩耗は、２つの表面の接触面積と、印加される負
荷および慣性力の有意な関数でもある。実際の接触は表
面の微視的凹凸でのみ発生するので、実際の接触面積は
関係する表面の面積よりはるかに小さいが、スライダの
寸法と質量を減らすと、局所的圧力を大きく減らすこと
ができ、スライダと媒体の表面の間での摩耗が大きく減
少する。
【０００７】この目的のために、一体式"ＲＥＥＤ"法を
使用して変換器／スライダ／サスペンション・アセンブ
リを製造する、さまざまな機構が開示されてきた。垂直
磁気記録環境で動作するように構成されたこれらの装置
では、（ｉ）薄膜真空蒸着技法を使用する構成要素の正
確な制御、（ii）指定された浮上高さを達成するための
空気軸受の正確な形成、（iii）サスペンションへのス
ライダのボンディング、および（iｖ）導体リードの簡
単な経路指定が可能な、ヘッドとサスペンションが簡単
に製造できる。
【０００８】米国特許第５０４１９３２号明細書、米国
特許第５０７３２４２号明細書および米国特許第５１１
１３５１号明細書には、磁気読み書き変換器を一端に埋
め込んだ細長い誘電性のたわみ体またはサスペンション
本体の形の一体式磁気変換器／サスペンション／導電構
造が開示されている。好ましい実施例では、変換器の電
気接続を行うための埋込み銅導体リードがたわみ体の全
長にわたって走り、磁極構造とヘリカル・コイルがたわ
み体の一端に一体形成された、酸化アルミニウムの細長
い誘電性たわみ体が開示されている。この一体構造は、
通常の付着技法およびフォトリソグラフィ技法を使用し
て製造される。この一体式変換器／サスペンション構造
は、接触記録システム、または変換器が空気のクッショ
ンに乗って記憶媒体の上に浮上するシステムで使用でき
る。
【０００９】接触記録を用いると、より高い記録密度が
もたらされ、浮上高さの変動によって左右されない、よ
り高い読取り信号とより高い分解能が達成される。しか
し、従来技術の接触記録に伴う摩耗は、一般に許容でき
ないレベルである。上記の諸特許では、体積と寸法の非
常に小さな一体式変換器／サスペンション・アセンブリ
が開示されているが、開示された垂直ヘッドは、２つの
直角な平面での製造処理を必要とし、このため、処理の
問題が生じ、製造工程が非常に複雑になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
主目的は、機能強化された読み書き変換器構成を含む一
体式変換器／サスペンション構造を有する、機能強化さ
れた磁気可動記憶装置を提供することである。
【００１１】本発明のもう１つの目的は、垂直磁気記録
に適したヘッド・サスペンション構造を作成することで
ある。
【００１２】本発明のもう１つの目的は、接触記録環境
での使用に適した、垂直磁気記録用の変換器を提供する
ことである。
【００１３】本発明のもう１つの目的は、磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）読取りセンサを組み込んだ垂直磁気記録用の変換器
を含む、一体式変換器／サスペンション・アセンブリを
提供することである。
【００１４】本発明のもう１つの目的は、ウェハまたは
基板の初期の表面に平行な平面でのバッチ処理に適し
た、一体式変換器／サスペンション・アセンブリを提供
することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の原理に従ったＲ
ＥＥＤ変換器／サスペンション・アセンブリは、接触記
録ならびに記録媒体上での浮上に適合させることのでき
る、垂直記録媒体と共に使用される一体式の単一のサス
ペンションと磁気変換器のアセンブリを提供する。ＲＥ
ＥＤアセンブリの摩耗パッドと磁気ヘッドの垂直磁極端
を形成するため、まず基板をパターン付けし、エッチン
グして、その中に空洞を設けることが好ましい。その
後、基板上に剥離層を付着し、変換器部分とサスペンシ
ョン部分を含む個々の薄膜層を付着する。水平コイル導
体を変換器の磁気ヨーク構造に電磁結合し、サスペンシ
ョン部分の、変換器が形成される端部とは反対側の端部
に形成されたリード端子にそれを接続する。コイルのリ
ード導体とリード端子をコイル導体と同時にめっきし、
サスペンション部分でカプセル封じして、ＲＥＥＤアセ
ンブリの一体式要素を形成する。変換器部分の層とサス
ペンション部分の層を、プロセス支持基板ウェハ上に並
べて付着する。剥離層を溶解して基板を取り除くと、バ
ッチ製造によって生成した一体式変換器／サスペンショ
ン・アセンブリが残る。
【００１６】本発明による一体式ＲＥＥＤアセンブリの
他の好ましい実施例では、アセンブリの変換器部分が別
々の読取りヘッドと書込みヘッドを備え、各ヘッドが、
その特定の機能用に最適化される。たとえば、読取りヘ
ッドは、狭い読取り磁極端を有するように構成され、書
込みヘッドは、相対的に広い書込み磁極端を有する。ト
ラック幅の方向で、本発明の広く書き込み狭く読み取る
という態様により、スピンドルの振れとトラック間干渉
の効果が最小になる。１実施例では、読取りヘッドは、
ＡＢＳから離れた位置にあり、磁束をＭＲセンサに導く
ように適合された読取り磁極端を有する磁気ヨーク構造
内に形成されたギャップ内に配設された、磁気抵抗セン
サを備える。ＭＲ読取りセンサが離れた位置にあると、
トラック幅がセンサ長と無関係になり、狭トラック・セ
ンサが最適化できる。ＭＲセンサがＡＢＳから離れた位
置にあると、ＡＢＳに存在する、たとえば腐食や摩耗に
関連する設計上および動作上の問題がなくなる。
【００１７】垂直記録変換器のプローブまたは磁極端を
最初に製造するので、後続の工程ステップで残りの変換
器要素を形成する前に、比較的高温のアニール工程が使
用できる。これによって、必要なアニール工程による悪
影響の危険なしに、後続の製造ステップで温度に敏感な
材料および工程が使用できるようになる。
【００１８】さらに、本発明による平面上の付着配置を
用いると、変換器部分とサスペンション部分のすべての
処理を、１つのウェハ表面で実施できるようになる。こ
れによって、変換器部分とサスペンション部分を単一の
アセンブリとしてバッチ製造することが可能になる。
【００１９】本発明のもう１つの長所は、変換器構造内
およびＡＢＳに、耐摩耗性を有する材料を使用すること
である。これによって、変換器の磁極端領域が保護され
る。また、この材料の使用を、ＡＢＳのパターン作成に
よって局在化して、浮上環境での使用に好適な空気軸受
負荷条件をもたらすことができる。
【００２０】
【実施例】本発明の好ましい実施例は、大容量情報記憶
システムに見られるような高密度直接アクセス記憶装
置、ならびにパーソナル・コンピュータで典型的に使用
される単一ディスク・ファイルで使用するのに好まし
い。ディスク駆動装置やディスク・ファイルなどの装置
では、磁気記憶ディスクを媒体として使用できる。
【００２１】ここで図１および図２を参照すると、ハウ
ジング１１を含む磁気記憶システム１０が示されてい
る。ハウジング１１内には、回転式アクチュエータ１３
と、スピンドル１７に取り付けられた１つまたは複数の
関連する磁気記憶ディスク１５と、スピンドル１７に結
合された、ディスク１５を回転させるための駆動手段と
（図示せず）が取り付けられている。回転式アクチュエ
ータ１３は、本発明による一体式ＲＥＥＤ変換器／スラ
イダ／サスペンション・アセンブリ（以下、ＲＥＥＤア
センブリと略す）１９を、ディスク１５の表面を横切る
円弧状の経路で移動させる。回転式アクチュエータ１３
には、固定された永久磁石アセンブリ２３の磁界内を移
動できる可動コイル２１を含むボイス・コイル・モータ
が含まれる。１端に可動コイル２１が形成されたアクチ
ュエータ・アーム２５が、ピボット・ポスト２７にピボ
ット回転可能に取り付けられている。支持アーム２９
が、アクチュエータ・アーム２５の他端に取り付けら
れ、ディスク１５の表面を横切って突き出す。支持アー
ム２９は、本明細書に記載の手順に従って作成されるＲ
ＥＥＤアセンブリ１９を、ディスク１５の表面の上に片
持ち梁式に支持する。ＲＥＥＤアセンブリ１９は、サス
ペンション部分３１と、１端でサスペンション部分３１
と（図２に示すように）一体形成された変換器／スライ
ダ３３を含む。サスペンション部分３１は、変換器／ス
ライダ３３を、ディスク１５の表面の上で、ディスク１
５の回転によって生成される空気軸受または空気のクッ
ション上に支持する。具体的応用例では性能が最適にな
るように具体的寸法が選択されるが、一般に、ＲＥＥＤ
アセンブリ１９は、その全長が約５〜２０ｍｍの範囲、
全幅が約０．３〜２．０ｍｍの範囲、最大厚さがサスペ
ンション部分３１で約２０〜５０μｍ、変換器／スライ
ダ３３では約２０〜６５μｍ、総質量が約２００μｇな
いし１．５ｍｇである。別法として、サスペンション部
分３１が、変換器／スライダ３３をディスク１５の媒体
と接触させて支持することもできる。ディスクの表面に
近接しこれと平行なスライダの表面を、空気軸受面（Ａ
ＢＳ）と称する。これには、ウィンチェスタ型駆動装置
と称することもある、スライダがディスク上に浮上する
ように設計された構成と、動作中にスライダが記録媒体
すなわちディスク１５と接触するように設計された構成
の両方が含まれる。以下で詳細に説明するように、接触
記録応用例では、スライダを摩耗パッドまたは接触パッ
ドと称することもある。
【００２２】図には１枚のディスク１５と１つのアクチ
ュエータ・アーム２５だけが示してあるが、磁気記憶シ
ステム１０に複数のディスク１５を含めることもでき、
この場合、アクチュエータ・アーム２５は、複数の支持
アーム２９を含み、各支持アーム２９が少なくとも１つ
のＲＥＥＤアセンブリ１９を支持し、各ＲＥＥＤアセン
ブリ１９がディスク１５のうちの１枚の１つの表面に関
連することが理解されよう。したがって、ディスク１５
は、ディスク１５の下側にあるアクチュエータ・アーム
２５の支持アーム２９に取り付けられたＲＥＥＤアセン
ブリ１９をも有する。さらに、他の組合せアセンブリが
他のディスクの上面または下面に関連し、その変換器ア
クセスが回転式アクチュエータ１３によって制御され
る。
【００２３】ＲＥＥＤアセンブリ１９のサスペンション
部分３１は、実質的にディスク１５の表面に対して法線
方向のまたは垂直な荷重を、変換器／スライダ３３に与
える。この垂直荷重は、ディスク１５が回転していない
時に、変換器／スライダ３３をディスク１５のデータ面
に接触した状態に保つ。磁気記憶システム１０の動作中
には、変換器／スライダ３３のＡＢＳと回転するディス
ク１５の間に、変換器／スライダ３３に印加される垂直
荷重とは反対向きの空気揚力が生じ、変換器／スライダ
３３をディスク表面の上に浮上させる。あるいは、接触
記録では、ディスク１５の回転中に、変換器／スライダ
３３が、データの読取りまたは記録のため媒体と接触し
たままになる。
【００２４】動作中、変換器／スライダ３３は、回転式
アクチュエータ１３により、ディスク１５のデータ面に
画定された複数の同心円状のデータ・トラックのうちの
所望のトラックへ移動される。可動コイル２１が位置決
め信号によって、永久磁石アセンブリ２３の磁界内で移
動し、したがって、アクチュエータ・アーム２５をピボ
ット・ポスト２７のまわりにピボット回転させるように
制御される。読取り動作または書込み動作のために変換
器／スライダ３３のあるトラックから別のトラックへの
高速アクセスを提供することが望ましいので、変換器が
所望のトラックの上に正しく位置決めされ、そのトラッ
クに最小の時間で到達することが必要である。図１に示
した回転式アクチュエータ１３は回転式であるが、他の
ディスク駆動システムでは、当技術分野で既知の直線ア
クチュエータも使用できることに留意されたい。ＲＥＥ
Ｄアセンブリ１９は、半径方向の剛性を有し、ディスク
１５のデータ面の上に乗る際に縦揺れ軸と横揺れ軸に関
してかなりの柔軟性を有する必要がある。望むならば、
集積回路増幅器アセンブリ３５をＲＥＥＤアセンブリ１
９のサスペンション部分３１の上に設けることもでき
る。
【００２５】次に図３、図４および図５を参照すると、
本発明の原理による一体式ＲＥＥＤ変換器／サスペンシ
ョン・アセンブリ（以下、ＲＥＥＤアセンブリと略す）
４０の好ましい実施例が示されている。ＲＥＥＤアセン
ブリ４０は、たとえば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）や
二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）などの誘電材料からなる、細
長い全般的に長方形の本体３９を含む。この本体３９
は、サスペンション部分３１を形成するその長さのほと
んどにわたって比較的一定の厚さを有し、その１端（図
では左端）が多少厚くなっていて、そこに磁気読み書き
ヘッドまたは変換器／スライダ３３が形成され、その下
側にスライダの空気軸受面（ＡＢＳ）がパターン形成さ
れている。上述のように、用語ＡＢＳは、ウィンチェス
タ型ディスク・ファイルと接触記録のどちらの応用例で
も、媒体表面に近接し、全般的にこれに平行なスライダ
の側面を指す。図２からわかるように、ＡＢＳは、接触
記録応用例では摩耗パッドまたは接触パッドを形成する
ことが好ましい、本体３９の下側に形成される成形され
た突起３７を含む。別法として、成形された突起３７
が、ＲＥＥＤアセンブリ１９とディスク１５の間に相対
運動が存在する時に揚力を生成するようにパターン付き
のＡＢＳを有するスライダ（図６参照）を形成して、ス
ライダが媒体表面のすぐ上に浮上できるようにすること
もできる。突起３７とその表面は、ＲＥＥＤアセンブリ
が媒体表面に接触する時の摩耗と損傷を最小にするた
め、たとえばダイヤモンド様炭素などの適当な材料から
形成する。
【００２６】変換器／スライダ３３をサスペンション部
分３１と一体に形成して、一体式で単一のＲＥＥＤアセ
ンブリ４０を提供する。好ましい実施例では、変換器
は、両用の読み書きヘッド３３'（'によって対応をと
る）であり、垂直記録応用例のための垂直プローブ型磁
気誘導ヘッドを備えるが、その代わりに、参照によって
本明細書に組み込まれる、同時係属の米国特許出願通し
番号第０８／００２２９０号明細書に記載の、水平記録
応用例に使用されるリング型磁気誘導ヘッドを備えるこ
ともできる。読み書きヘッド３３'は、前スタッド５１
の所で垂直プローブまたは垂直磁極端４９に磁気結合さ
れ、バックギャップ４７の所で下側磁極片または下側磁
気ヨーク４５に磁気結合された上側磁極片または上側磁
気ヨーク４３を備える磁気回路を含む。垂直磁極端４９
は、突起３７の壁に平行に形成され、ＡＢＳを通る垂直
軸に関して鋭角でＡＢＳと交わる。垂直磁極端４９は、
全般的に長方形の形状であり、磁束を集中させ、かつデ
ィスク１５に高い磁束密度の書込み信号を供給するよう
に、比較的小さい断面積を有する。垂直磁極端４９のＡ
ＢＳにおける幅は、データ・トラックに対して横向きで
あり、所望のデータ・トラック幅を画定するように選択
される。下側磁気ヨーク４５は、ヘッドの磁気回路の帰
還経路を形成する。下側磁気ヨーク４５は、比較的大き
な表面積と断面積を有し、低磁束密度の帰還経路をもた
らすような形状である。磁気ヨーク構造には、水平らせ
んコイル４１が電磁結合されている。水平らせんコイル
４１の両端は、サスペンション部分３１の長さ方向に延
びるリード導体５３を介して、端子ボンディング・パッ
ド５５に接続されている。端子ボンディング・パッド５
５は、変換器／スライダ３３を、集積回路増幅器アセン
ブリ３５（図１）などの外部回路に結合するための端子
を提供する。
【００２７】好ましい実施例では、ＲＥＥＤアセンブリ
４０は、長さ１２ｍｍ、幅０．５ｍｍ、サスペンション
部分３１を形成する部分の厚さ３５μｍ、読み書きヘッ
ド３３'の部分の最大厚さ５０μｍのＡｌ2Ｏ3の本体３
９を含む。ＲＥＥＤアセンブリ４０は、基礎の基板また
はウェハに対する周知の付着技法およびフォトリソグラ
フィ技法を用いて製造され、下記で詳細に説明するよう
に、剥離層を使用して、完成したＲＥＥＤアセンブリを
基板から分離する。上側磁気ヨーク４３と下側磁気ヨー
ク４５は、一般にパーマロイと称するニッケル−鉄合金
（ＮｉＦｅ）か、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバ
ルト（Ｃｏ）またはそれらの合金など他の適当な磁性材
料からなり、当技術分野で周知の方法に従ってめっきす
ることが好ましい。同様に、水平らせんコイル４１の巻
線、リード導体５３および端子ボンディング・パッド５
５も、めっき技法によって、たとえば銅（Ｃｕ）または
金（Ａｕ）から形成される。この実施例では、まず垂直
磁極端４９を作成し、さまざまなアニール工程が完了し
た後に、ＲＥＥＤアセンブリ４０の残りの部分を、普通
の周知の技法によって支持基板に平行な層中に作成する
ので、製造が大いに簡単になる。ＲＥＥＤアセンブリ４
０を形成し、プロセス支持基板から分離した後、耐摩耗
性材料の、突起３７の下部を覆う部分を、ウェアインま
たは製造後ラップ仕上げ処理によって取り除いて、図５
に示すようにＡＢＳの所で垂直磁極端４９を露出させ
る。
【００２８】ここで図６も参照すると、図３に示した、
ディスク１５の上に浮上するように適合されたＲＥＥＤ
アセンブリのＡＢＳの平面図が示されている。突起３７
の底面に形成されたＡＢＳは、ＲＥＥＤアセンブリとデ
ィスク１５の間の相対運動によって生成される矢印５８
で示す気流の向きに実質的に平行な、突起３７の対向す
る側面に沿って形成された、１対のレールを含む。レー
ル５７の間に形成される摩耗パッド５９は、その表面で
露出される垂直磁極端４９に摩耗からの保護と支持とを
提供する。レール５７と摩耗パッド５９は、たとえばダ
イヤモンド様炭素などの適当な耐摩耗性材料から作成す
る。図５に関して説明したように、ＲＥＥＤアセンブリ
製造工程の完了時に、突起３７の表面にラップ仕上げ処
理を施して耐摩耗性材料の一部分を除去して、レール５
７と摩耗パッド５９の頂部を平面化し、垂直磁極端４９
を露出させる。
【００２９】次に図７ないし図１６を参照すると、図７
は、プロセス支持基板ウェハである基板７０の付着面の
平面図である。個々のＲＥＥＤアセンブリ７３は、基板
７０の表面に列７１としてバッチ製造され、列７１の幅
は、完成したＲＥＥＤアセンブリの本体３９の所望の長
さに等しい。製造後のラップ仕上げ処理またはウェアイ
ン処理を除く製造工程全体は、ウェハ・レベルで行われ
る一連の工程ステップからなる。図８ないし図１６は、
図３に示した読み書きヘッド３３'を組み込んだ本発明
の好ましい実施例の製造に用いられる工程ステップを示
す断面図である。
【００３０】まず、図８に示すように、フォトレジスト
の層（図示せず）を、基板７０の表面全体に付着し、パ
ターン付けする。次に、ＲＥＥＤアセンブリ７３ごと
に、傾いた側壁７７を有する空洞７５を、たとえばレー
ザ・エッチング、イオン・エッチング、化学エッチング
または機械エッチングによって、基板７０内に形成また
はエッチングする。空洞７５は、その後の突起３７の形
成のためのテンプレートとなる。その後、分離層または
剥離層７９を、たとえばスパッタ付着によって基板７０
の上に付着する。剥離層７９は、たとえばＣｕなどの適
当な材料の単一層とすることができ、接着層として働く
チタン（Ｔｉ）またはクロム（Ｃｒ）の追加の薄膜層
（図示せず）を含んでもよい。剥離層７９を用いると、
バッチ処理の終了時に、完成したＲＥＥＤアセンブリ７
３を基板７０から分離できるようになる。耐摩耗性材料
の第１摩耗層８１を基板７０上で剥離層７９の上に付着
し、空洞７５の底面と傾いた側壁７７を覆ってパターン
付ける。別法として、図９に示すように、基板７０の表
面に付着された、たとえばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの
適当な材料の層をエッチングすることによって、空洞７
５を形成することもできる。まず、基板７０上に、パタ
ーン付きのエッチ・ストップ層７６を形成する。このエ
ッチ・ストップの材料は、スパッタ付着または蒸着によ
って形成したＣｒまたはタンタル（Ｔａ）の薄膜である
ことが好ましい。次に、基板７０にアルミナ層７８を、
空洞７５の所望の深さと等しい厚さになるまで付着す
る。アルミナ層７８の付着後に、このアルミナ中にエッ
チ・ストップ層７６までのバイアをエッチングして、空
洞７５と、その後の突起３７の形成のためのテンプレー
トを形成する。
【００３１】次に、図１０および図１１に示すように、
第１摩耗層８１の、傾いた側壁７７上にある部分の上
に、垂直磁極端８３をパターン付けし形成する。垂直磁
極端８３は、好ましくはＮｉＦｅまたは他の適当な磁性
材料からなり、当技術分野で既知のスパッタ付着または
電気めっきによって形成する。次に第１摩耗層８１と垂
直磁極端８３の上に、第２摩耗層８５をパターン付けし
形成する。完成したＲＥＥＤアセンブリ中で摩耗パッド
として働く空洞７５を満たすのに十分な量の材料を付着
する。製造工程のこの時点、またはその形成の直後に、
垂直磁極端４９の電気特性および磁気特性を最適化する
のに必要なアニール・ステップおよび他の高温処理を完
了することができる。
【００３２】次に、図１２に示すように、Ａｌ2Ｏ3など
の誘電材料からなる第１誘電層８７をこの構造全体の上
に付着して、ＲＥＥＤアセンブリ本体とサスペンション
部分を含む材料の複数の層のうちの最初の層を形成す
る。第１誘電層８７は、下側磁極片９１を付着するため
の表面となり、パターン形成とエッチングによってその
中にバイア８８を開いて垂直磁極端８３の上面を露出さ
せる。図１３に示すように、第１誘電層８７の上にフォ
トレジストの層を形成しパターン付けする。下側磁極片
９１と垂直磁極端接続パッドまたは垂直磁極端スタッド
８９を、当技術分野で周知のように、たとえばめっきに
よって形成する。
【００３３】次に、図１４および図１５に示すように、
第１誘電層８７の上にフォトレジストを付着し、パター
ン付けし、強くベーキングして、ヘッド・コイルを形成
するための第１絶縁層９５を設ける。第１絶縁層９５
は、コイル９７を形成するための表面を提供し、そのコ
イルを下側磁極片９１および垂直磁極端８３から電気的
に絶縁する。その後、第１絶縁層９５が提供する表面に
コイル９７の導体をめっきその他によって付着する。そ
の後、コイル９７と第１絶縁層９５の上にフォトレジス
トの層を付着し、パターン付けし、強くベーキングして
第２絶縁層９９を設ける。末端コイル導体９８は、第２
絶縁層の後部９９ｂによって覆われず、リードアウト導
体および端子への接続を形成するため露出したままに残
される。その後、第２絶縁層の前部９９ａの上に、Ｎｉ
Ｆｅまたは他の適当な磁性材料の層を、めっきその他当
技術分野で既知の方法で付着して、上側磁極片１０１を
形成する。上側磁極片１０１は、バイア９６を介して垂
直磁極端８３の垂直磁極端スタッド８９と下側磁極片９
１に接続される。
【００３４】最後の一連の工程ステップでは、図１６に
示すように、上側磁極片１０１と第２絶縁層の後部９９
ｂの上に第２誘電層１０３を付着し、完成した読み書き
ヘッドを覆い、カプセル封じし、末端コイル導体９８に
開いたバイア１０４を残す。この第２誘電層は、サスペ
ンション部分３１の残りの所望の厚さの約半分である。
その後、リードアウト導体１０５を付着し、パターン付
けして、バイア１０４を介し、コイル９７を、リードア
ウト導体１０５の遠隔端に形成された端子ボンディング
・パッド５５（図３）に末端コイル導体９８で電気的に
接続する。その後、第２誘電層１０３の上に最終誘電層
１０７を付着し、リードアウト導体１０５をカプセル封
じし、アセンブリ本体を所望の厚さに形成する。
【００３５】完成したＲＥＥＤアセンブリ７３を分離す
るため、最終誘電層１０７を、本体３９の外部寸法（図
２に示す）を画定するようにパターン付きのフォトレジ
スト層で被覆する。その後、最終誘電層１０７を塩基性
溶液中で湿式エッチングして、基板７０の表面上に個々
のＲＥＥＤ変換器／サスペンション・アセンブリを形成
し、互いに分離する。完成したＲＥＥＤ変換器／サスペ
ンション・アセンブリを基板７０から分離するため、基
板７０と第１誘電層８７の間の剥離層７９を、当技術分
野で既知の方法で溶解する。
【００３６】さらに図７ないし図１６を参照すると、基
板７０は、たとえばアルミナ・チタン炭化物（ＡｌＴｉ
Ｃ）やシリコンなど、当技術分野で既知の適したどんな
材料からなるものでもよい。単結晶Ｓｉを使用すると傾
いた側壁７７の角度が正確に制御できるので、これを使
用することが好ましい。たとえば、＜１００＞配向のＳ
ｉウェハをたとえばＫＯＨ塩基溶液で異方性エッチング
すると、＜１１０＞平面に沿った傾いた側壁７７の水平
面に関する角度が５４．７°になる。
【００３７】基板７０上に形成される剥離層７９は、複
数の目的に役立つ。剥離層７９は、最終的に溶解された
とき、完成したＲＥＥＤアセンブリ７３を基板７０から
解放する犠牲層である。剥離層７９を、たとえば導電材
料として、変換器の磁極片など、めっき技法を使用して
後で付着される層用のシード層またはめっきベース層と
して働かせることができる。剥離層７９の有望な候補
は、スパッタリングまたはめっき処理によって付着でき
るＮｉＦｅまたはＣｕである。剥離層７９はバリヤ層と
しても働くことができ、あるいは剥離層７９の上に別の
バリヤ層を形成することもできる。
【００３８】バリヤ層（図示せず）も、同様に製造工程
で複数の機能を提供する。バリヤ層は、後で付着される
層を剥離層７９から分離するのに使用される。バリヤ層
は、上述のようにウェハの列７１中の個々のＲＥＥＤア
センブリ７３を互いに分離するのに用いられる湿式エッ
チング処理を打ち切るためのエッチ・ストップとしても
働く。バリヤ層は、後で剥離層７９を溶解するのに使用
されるエッチング液から垂直磁極端を保護するためのエ
ッチ・ストップとしても働く。バリヤ層は、回転する磁
気媒体に非常に近接して動作する間に垂直磁極端を保護
するための摩耗層として使用することもできる。バリヤ
層を摩耗層として使用しない場合には、剥離層７９を溶
解した後にバリア層を除去することが望ましい。
【００３９】スパッタ付着などの薄膜付着工程を用い
て、垂直磁極端８３を製造する。図１０では、垂直磁極
端８３が空洞７５の傾いた側壁７７によって形成される
角度に傾斜しているが、垂直磁極端８３は、図示の角度
に限定されるものではない。傾いた垂直磁極端の角度
は、図５に示すように、ＡＢＳに対して４５°から９０
°までの間の鋭角であれば、どのような角度でもよい。
垂直磁極端８３は、この製造工程で最初に形成される変
換器要素であるので、比較的高温のアニール工程を使用
して、この熱処理工程の後の工程ステップで製造される
他の変換器要素に悪影響を及ぼす危険なしに、垂直磁極
端８３の磁気特性が最適化できる。たとえば、垂直磁極
端８３の熱処理工程の後に第１絶縁層９５と第２絶縁層
９９を形成すると、たとえばアルミナなどのアモルファ
ス誘電材料ではなく、最大露出温度が約２５０℃の強く
ベーキングされたフォトレジストなどのポリイミド材料
が使用できるようになる。垂直磁極端を露出するための
ウェアイン処理を除き、ＲＥＥＤアセンブリ製造工程の
すべてがウェハ・レベルで完了し、機械的処理のステッ
プを含まないことに留意されたい。たとえば、ラップ仕
上げステップは不要である。ＲＥＥＤアセンブリの最終
表面１０９または最終誘電層１０７（図１６）は、ラッ
プ仕上げされず、最終誘電層１０７が覆う変換器構成要
素およびリードアウト導体の輪郭に従う。表面積のうち
で平坦でない部分は、最終表面１０９の総面積のうちの
わずかな部分なので、ＲＥＥＤアセンブリ・サスペンシ
ョンの性能に悪影響が及ぶことはない。ラップ仕上げそ
の他の機械工程ステップがないので、工程ステップ数と
処理の複雑さが少なくなる他に、製造中にＲＥＥＤアセ
ンブリに生ずる応力が最小になる。
【００４０】次に図１７、図１８、図１９および図２０
を参照すると、本発明に従って形成される一体式ＲＥＥ
Ｄ変換器／サスペンション・アセンブリ（以下、ＲＥＥ
Ｄアセンブリと略す）１２０の第２の好ましい実施例が
示されている。基板１２１上で剥離層１２２の上に形成
されるＲＥＥＤアセンブリ１２０は、サスペンション部
分１２５と変換器部分１２７を形成する細長い長方形の
弾性本体１２３を含む。この実施例では、変換器は、別
々の読取りヘッドと書込みヘッドを含む。第１の垂直プ
ローブ型の書込みヘッド１２９と第２の垂直プローブ型
の読取りヘッド１３１が互いに隣接して形成され、それ
ぞれの書込みヘッド垂直磁極端１４３と読取りヘッド垂
直磁極端１４１が、摩耗パッド１４０の傾いた側壁に平
行に、互いに対面する位置関係で延びる。これら２つの
ヘッドは、上で図８ないし図１６に関連して説明したも
のと類似の一連の工程ステップで製造される。書込みヘ
ッド１２９と読取りヘッド１３１それぞれの磁気ヨーク
に、それぞれのヘッドの目的に最適化された別々の水平
コイル１３３および１３５が電磁結合される。水平コイ
ル１３３および１３５は、リード導体１３９を介して接
続端子の対１３７に接続される。リード導体１３９は、
ＲＥＥＤアセンブリ製造工程の間にめっきされ、サスペ
ンション部分１２５の全長にわたって走る。同様に、読
取り磁気回路と書込み磁気回路に使用される材料とその
寸法は、読取り機能または書込み機能に関する磁気特性
が最適になるように選択する。たとえば、読取りヘッド
垂直磁極端１４１の幅と断面積は、書込みヘッド垂直磁
極端１４３よりもかなり小さい。
【００４１】図１９および図２０は、この好ましい実施
例の摩耗パッド１４０の構造を示す図である。製造中
に、読取りヘッド１３１用の読取りヘッド垂直磁極端１
４１と書込みヘッド１２９用の書込みヘッド垂直磁極端
１４３が共に、第１摩耗層１４５と第２摩耗層１４７の
間に挟まれた単一の磁気層１４９として最初に形成され
る。読取りヘッド垂直磁極端１４１と書込みヘッド垂直
磁極端１４３の寸法および材料の違いは、第２摩耗層１
４７を付着する前に、周知のフォトレジスト・パターン
形成技法とエッチング技法を使用して層を付着する時点
で調節される。上述のように、第２摩耗層１４７をエッ
チングして、バイア１５１を開き、後で読取りヘッド磁
気ヨークと書込みヘッド磁気ヨークをそれぞれ読取りヘ
ッド垂直磁極端１４１と書込みヘッド垂直磁極端１４３
に結合するためのスタッドが形成できるようにする。こ
の製造工程が完了し、剥離層１２２の溶解によってＲＥ
ＥＤアセンブリ１２０を基板１２１から解放した後、摩
耗パッド１４０を軽くラップ仕上げして、第１摩耗層１
４５と磁気層１４９の底の水平部分を除去して、ＡＢＳ
を形成し、読取りヘッド垂直磁極端１４１と書込みヘッ
ド垂直磁極端１４３を分離し露出させる。
【００４２】次に図２１、図２２、図２３および図２４
を参照すると、本発明によって形成される一体式ＲＥＥ
Ｄ変換器／サスペンション・アセンブリ（以下、ＲＥＥ
Ｄアセンブリと略す）１６０の第３の好ましい実施例が
示されている。基板１６１上で剥離層１６２の上に形成
されるＲＥＥＤアセンブリ１６０は、サスペンション部
分１６５と変換器部分１６７を形成する細長い長方形の
弾性本体１６３を含む。この実施例では、変換器は、別
々の読取りヘッドと書込みヘッドを含む。垂直プローブ
型の書込みヘッド１６９と、ＭＲセンサ要素１７５の磁
束ガイドとして働く磁気回路である磁気ヨーク構造１７
２を組み込んだ磁気抵抗（ＭＲ）型の読取りヘッド１７
１が互いに隣接して形成される。それぞれの書込みヘッ
ド垂直磁極端１８３と読取りヘッド垂直磁極端１８１
が、摩耗パッド１８０の傾いた側壁に平行に、互いに対
面する位置関係で延びる。これら２つのヘッドは、上で
図８ないし図１６に関連して説明したものと類似の一連
の工程ステップで製造される。書込みヘッド１６９の磁
気ヨークに、書込み機能だけに関して最適化された水平
コイル１７３が電磁結合される。水平コイル１７３は、
リード導体１７９を介して接続端子の対１７７に接続さ
れる。読取りヘッド１７１は、スタッド１７４によって
バイア１９１を介して読取りヘッド垂直磁極端１８１に
磁気結合された磁気ヨーク構造１７２を含む。磁気ヨー
ク構造１７２は、ＡＢＳから離れた位置にあるＭＲセン
サ要素に磁束を導く。ＭＲセンサ要素１７５は、磁気ヨ
ーク構造１７２内に形成されたギャップ１８２に直接隣
接する位置に置かれ、ギャップ１８２を形成するヨーク
の末端ポートを磁気的に接続することが好ましい。ＭＲ
センサ要素１７５は、通常、ＮｉＦｅまたは他の適当な
磁性磁気抵抗材料の薄膜である。図では、ＭＲセンサ要
素１７５は、磁気ヨーク構造１７２からわずかに隔置さ
れているが、別法として、ギャップ１８２を形成する読
取りヨークの端部と接触させてもよい。ＭＲセンサ要素
１７５は、平面化されたアルミナ層の上に形成すること
が好ましい。図では、ＭＲセンサ要素１７５は単一層と
なっているが、ＭＲセンサ要素１７５は、通常、ＭＲセ
ンサにバイアスを与え、これを安定させるための様々な
層を含む多層構造を含むことに留意されたい。ＭＲセン
サ要素１７５は、リード導体１７８によってリード端子
の対１７６に接続される。リード導体１７８および１７
９は、ＲＥＥＤアセンブリ製造工程の間にめっきされ、
サスペンション部分１６５の全長にわたって走る。読取
り磁気回路と書込み磁気回路に使用される材料と、その
寸法は、読取り機能または書込み機能に関する磁気特性
が最適になるように選択する。たとえば、読取りヘッド
垂直磁極端１８１の幅と断面積は、書込みヘッド垂直磁
極端１８３よりもかなり小さい。ＭＲセンサ要素１７５
が遠隔位置にあるため、性能を最適化するための重要な
設計上の自由度がもたらされる。たとえば、ＭＲセンサ
を遠隔位置に置くと、トラック幅が、読取り磁極端寸法
の関数になり、ＭＲセンサ長と無関係になる。
【００４３】図２３と図２４は、この好ましい実施例の
摩耗パッド１８０の構造を示す図である。製造中に、読
取りヘッド１７１の読取りヘッド垂直磁極端１８１と書
込みヘッド１６９の書込みヘッド垂直磁極端１８３が共
に、第１摩耗層１８５と第２摩耗層１８７の間に挟まれ
る単一の磁気層１８９として最初に形成される。図２３
および図２４に示すように、この実施例では、ＭＲセン
サ要素１７５を、読取りヘッド垂直磁極端１８１の構造
内に形成されたギャップ１８２に隣接する位置に置くこ
ともできる。同様に、図２１および図２２に示した構成
と同じく、ＭＲセンサ要素をＡＢＳから離れた位置に置
き、読取りヘッド垂直磁極端１８１と磁気ヨーク構造１
７２を使用して磁束を導く。読取りヘッド垂直磁極端１
８１と書込みヘッド垂直磁極端１８３の寸法および材料
の違いは、第２摩耗層１８７を付着する前に、周知のフ
ォトレジスト・パターン作成技法とエッチング技法を使
用して層を付着する時点で調節される。上述のように、
第２摩耗層１８７をエッチングして、バイア１９１を開
き、後で読取りヘッド磁気ヨークと書込みヘッド磁気ヨ
ークをそれぞれ読取りヘッド垂直磁極端１８１と書込み
ヘッド垂直磁極端１８３に結合するためのスタッドが形
成できるようにする。この製造工程が完了し、剥離層１
６２の溶解によってＲＥＥＤアセンブリ１６０を基板１
６１から解放した後、摩耗パッド１８０を軽くラップ仕
上げして、第１摩耗層１８５と磁気層１８９の底の水平
部分を除去して、ＡＢＳを形成し、読取りヘッド垂直磁
極端１８１と書込みヘッド垂直磁極端１８３を分離し露
出させる。
【００４４】本発明をその好ましい実施例に関して具体
的に図示し説明してきたが、当業者であれば、本発明の
趣旨と範囲から逸脱することなく、形状と細部にさまざ
まな変更が加えられることを理解するであろう。本発明
のサスペンション部分は、スパッタ付着したアルミナか
らなることが好ましいが、他の付着方法も使用でき、ま
た、他の適当な酸化物、窒化物、炭化物、ガラス、無定
形炭素、ダイアモンド様炭素または適当な導体と絶縁材
料の積層組合せを含む他の材料も使用できることを理解
されたい。好ましい実施例によるサスペンション部分
は、ポリイミド材料とそれに付着された金属層の２層と
して、サスペンション・アセンブリが必要とする十分な
弾性と剛性をもたらすことができる。導電回路や変換器
リードの形成に、多くの導電材料が使用可能であること
も理解されよう。銅または金が好ましい導電材料である
が、当技術分野で周知の多くの他の材料も使用可能であ
る。
【００４５】以上の記載は、以下の（１）〜（１７）で
ある。 （１）水平の第１磁極片と空気軸受面まで延び、そこで
露出される、傾いた垂直向きの磁極端と、前記第１磁極
片を前記垂直向きの磁極端に磁気結合し、前記垂直向き
の磁極端にその上部で磁気結合され、前記第１磁極片に
バックギャップ領域で磁気結合された、第２磁極片と、
前記磁極片および前記磁極端と動作可能に連結され、前
記第１および第２の磁極片に電磁結合されるが電気的に
は絶縁された、コイルと、前記第１磁極片、前記第２磁
極片および前記コイルを覆う少なくとも１層の弾性材料
を含み、前記磁極片および磁極端から電気的にも磁気的
にも絶縁され、前記弾性材料が前記バックギャップ領域
を越えて延びる、サスペンション手段とを具備する、一
体式の単一の磁気変換器／サスペンション・アセンブ
リ。 （２）さらに、前記磁気変換器サスペンション・アセン
ブリの外側部分から突き出す摩耗パッドを具備し、前記
摩耗パッドの下部が、前記空気軸受面を形成する、
（１）に記載の一体式の単一の磁気変換器／サスペンシ
ョン・アセンブリ。 （３）前記傾いた垂直向きの磁極端が、前記水平の第１
磁極片に関して４５°ないし９０°の範囲の角度を画定
することを特徴とする、（１）に記載の一体式の単一の
磁気変換器／サスペンション・アセンブリ。 （４）前記空気軸受面が、前記水平の第１磁極片に実質
的に平行に形成されることを特徴とする、（３）に記載
の一体式の単一の磁気変換器／サスペンション・アセン
ブリ。 （５）空気軸受面が、記録媒体表面と接触した状態での
動作に適合されていることを特徴とする、（１）に記載
の一体式の単一の磁気変換器／サスペンション・アセン
ブリ。 （６）空気軸受面が、記録媒体表面にごく近接してその
上につるされた浮上モードでの動作に適合されているこ
とを特徴とする、（１）に記載の一体式の単一の磁気変
換器／サスペンション・アセンブリ。 （７）変換器／サスペンション・アセンブリの全長が約
５〜２０μｍの範囲、全幅が約０．３〜２．０ｍｍの範
囲、厚さが約２０〜６５μｍの範囲であることを特徴と
する、（１）に記載の一体式の単一の磁気変換器／サス
ペンション・アセンブリ。 （８）誘電材料から形成され、第１端部および第２端部
を有し、サスペンション部分と変換器部分とを有する形
に成形され、前記変換器部分が前記第１端部に配置され
た、細長い弾性部材と、前記細長い部材の前記変換器部
分に埋め込まれ、少なくとも１つの垂直向きの第１磁極
端を有し、前記磁極端が、前記細長い部材の前記変換器
部分の外側表面上に画定される空気軸受面まで延びそこ
で露出される、磁気変換器手段と、前記細長い部材の外
側表面にアクセスでき、前記磁気変換器手段と磁気的に
連絡する、電気導体とを具備する、一体式の単一の変換
器／サスペンション・アセンブリ。 （９）さらに、前記細長い部材の表面に形成され、前記
電気導体と電気的に連絡する少なくとも１つの電気導体
パッドを含み、前記電気導体パッドが、前記細長い部材
の第２端部に配置される、（８）に記載の一体式の単一
の変換器／サスペンション・アセンブリ。 （１０）さらに、前記変換器部分の外側部分から突き出
す摩耗パッドを具備し、前記摩耗パッドの下部が前記空
気軸受面を形成する、（８）に記載の一体式の単一の変
換器／サスペンション・アセンブリ。 （１１）さらに、前記空気軸受面まで延びそこで露出さ
れる第２磁極端を具備し、前記第２磁極端が、磁気記録
媒体に記録された情報を読み取るための読取りセンサに
関連し、前記第１磁極端が、前記磁気記録媒体に情報を
記録するための書込みセンサに関連する、（８）に記載
の一体式の単一の変換器／サスペンション・アセンブ
リ。 （１２）前記書込みセンサが、前記磁気媒体での情報の
垂直磁気記録を実現するように適合され、前記読取りセ
ンサが、前記磁気媒体から垂直記録された情報を読み取
るように適合されることを特徴とする、（１１）に記載
の一体式の単一の変換器／サスペンション・アセンブ
リ。 （１３）前記読取りセンサが、誘導読取りセンサを具備
することを特徴とする、（１１）に記載の一体式の単一
の変換器／サスペンション・アセンブリ。 （１４）前記読取りセンサが、磁気抵抗読取りセンサを
具備することを特徴とする、（１１）に記載の一体式の
単一の変換器／サスペンション・アセンブリ。 （１５）ハウジングと、前記ハウジング内に取り付けら
れ、その上に設けられたデータ・トラックにデータを格
納するための手段を有する、少なくとも１つの磁気記憶
媒体ディスクと、前記ハウジング内に前記媒体ディスク
に近接して置かれたアクチュエータ・アームと、前記ア
クチュエータ・アームに結合された変換器／サスペンシ
ョン・アセンブリとを具備し、前記変換器／サスペンシ
ョン・アセンブリが、誘電材料から形成され、第１端部
および第２端部を有し、サスペンション部分と変換器部
分とを有する形に成形され、前記変換器部分が前記第１
端部に配置された、細長い弾性部材と、前記細長い部材
の前記変換器部分に埋め込まれ、少なくとも１つの垂直
向きの第１磁極端を有し、前記磁極端が、前記細長い部
材の前記変換器部分の外側表面上に画定される空気軸受
面まで延びそこで露出される、磁気変換器手段と、前記
細長い部材の外側表面にアクセスでき、前記磁気変換器
手段と磁気的に連絡する、電気導体とを具備し、前記磁
気媒体記憶ディスクが、前記変換器に隣接して、これに
対して相対的に移動可能であり、前記空気軸受面が、前
記媒体ディスクと連続的にすべり接触する、ディスク駆
動装置アセンブリ。 （１６）さらに、前記細長い部材の表面に前記第２端部
に隣接して形成された電気端子パッドと、前記電気端子
パッドを前記電気導体に電気接続し、前記サスペンショ
ン部分の全長にわたって延びる、電気リードとを含む、
（１５）に記載のディスク駆動装置アセンブリ。 （１７）基板の表面に、基板表面の平面に対して所定の
角度をなす、傾いた側壁を有する空洞を形成するステッ
プと、前記基板上に耐摩耗性材料の第１摩耗層を形成す
るステップと、前記空洞の傾いた側壁のうちの少なくと
も１つの上に、基板表面の平面に対して前記側壁の角度
と実質的に等しい角度を画定する、磁性材料からなる傾
いた垂直向きの磁極端を形成するステップと、前記磁極
端および前記第１摩耗層の上に、第２摩耗層を形成する
ステップと、前記第２摩耗層の上に、磁性材料からなる
水平の第１磁極片を形成するステップと、前記第１磁極
片の上に、絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層内
に、前記絶縁層によって前記第１磁極片および前記磁極
端から電気的に絶縁される、導電材料からなるコイルを
形成するステップと、磁性材料からなり、前記垂直向き
の磁極端を前記水平の第１磁極片に磁気結合し、前記垂
直向きの磁極端の上端に磁気結合され、前記磁極端から
離れた端で前記コイルを通って延びる磁気バックギャッ
プの所で前記第１磁極片と磁気接続され、前記絶縁層に
よって前記コイルから電気的に絶縁される、第２磁極片
を形成するステップと、前記第２磁極片、前記絶縁層お
よび前記コイルを覆い、前記磁気バックギャップを越え
て延びる誘電材料の少なくとも１つの層を含む、誘電材
料からなるサスペンション部材を形成するステップとを
含む、一体式の単一の磁気変換器／サスペンション・ア
センブリを製造する方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】回転式アクチュエータを有し、本発明の一体式
ＲＥＥＤ変換器／サスペンションを組み込んだ、磁気記
録機構の平面図である。
【図２】本発明による一体式ＲＥＥＤ変換器／サスペン
ション・アセンブリの断面図である。
【図３】本発明による一体式ＲＥＥＤ変換器／サスペン
ション・アセンブリの好ましい実施例の断面図である。
【図４】図３に示したＲＥＥＤアセンブリの平面図であ
る。
【図５】図３および図４に示したＲＥＥＤアセンブリの
ウェアイン後のプローブ・チップと接触パッドを示す断
面図である。
【図６】記録媒体上に浮上するように適合された図３お
よび図４に示したＲＥＥＤアセンブリの空気軸受面の透
視図である。
【図７】本発明による図３および図４に示したＲＥＥＤ
アセンブリのバッチ処理を示す、ウェハの平面図であ
る。
【図８】図３、図４、図５および図６に示した本発明の
好ましい実施例の製造に用いられる工程の最初のステッ
プを示す断面図である。
【図９】図３、図４、図５および図６に示した本発明の
好ましい実施例の製造に用いられる工程の図８に続くス
テップを示す断面図である。
【図１０】図３、図４、図５および図６に示した本発明
の好ましい実施例の製造に用いられる工程の図９に続く
ステップを示す断面図である。
【図１１】図３、図４、図５および図６に示した本発明
の好ましい実施例の製造に用いられる工程の図１０に続
くステップを示す断面図である。
【図１２】図３、図４、図５および図６に示した本発明
の好ましい実施例の製造に用いられる工程の図１１に続
くステップを示す断面図である。
【図１３】図３、図４、図５および図６に示した本発明
の好ましい実施例の製造に用いられる工程の図１２に続
くステップを示す断面図である。
【図１４】図３、図４、図５および図６に示した本発明
の好ましい実施例の製造に用いられる工程の図１３に続
くステップを示す断面図である。
【図１５】図３、図４、図５および図６に示した本発明
の好ましい実施例の製造に用いられる工程の図１４に続
くステップを示す断面図である。
【図１６】図３、図４、図５および図６に示した本発明
の好ましい実施例の製造に用いられる工程の図１５に続
くステップを示す断面図である。
【図１７】本発明による一体式ＲＥＥＤ変換器／サスペ
ンション・アセンブリの第２の好ましい実施例を示す断
面図である。
【図１８】図１７に示したＲＥＥＤアセンブリの平面図
である。
【図１９】図１７および図１８に示したＲＥＥＤアセン
ブリの、分離後のプローブ・チップと接触パッドを示す
断面図である。
【図２０】図１７および図１８に示したＲＥＥＤアセン
ブリの、ウェアイン後のプローブ・チップと接触パッド
を示す断面図である。
【図２１】本発明による一体式ＲＥＥＤ変換器／サスペ
ンション・アセンブリの第３の好ましい実施例を示す断
面図である。
【図２２】図２１に示したＲＥＥＤアセンブリの平面図
である。
【図２３】図２１および図２２に示したＲＥＥＤアセン
ブリのもう１つの実施例の、分離後のプローブ・チップ
と接触パッドを示す断面図である。
【図２４】図２１および図２２に示したＲＥＥＤアセン
ブリのもう１つの実施例の、ウェアイン後のプローブ・
チップと接触パッドを示す断面図である。
【符号の説明】
３１ サスペンション部分 ３３ 変換器／スライダ ３７ 突起 ３９ 本体 ４０ 一体式ＲＥＥＤ変換器／サスペンション・アセン
ブリ（ＲＥＥＤアセンブリ） ４１ 水平らせんコイル ４３ 上側磁気ヨーク ４５ 下側磁気ヨーク ４９ 垂直磁極端 ５３ リード導体 ５９ 摩耗パッド ７５ 空洞 ７７ 傾いた側壁 ７９ 剥離層 ８１ 第１摩耗層 ８３ 垂直磁極端 ８５ 第２摩耗層 ８７ 第１誘電層 ８９ 垂直磁極端スタッド ９１ 下側磁極片 ９５ 第１絶縁層 ９７ コイル ９９ 第２絶縁層 １０１ 上側磁極片 １０３ 第２誘電層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・イー・フォンタナ アメリカ合衆国95120 カリフォルニア州 サンノゼ ノースリッジ・ドライブ 6596 (72)発明者 クリント・ディー・スナイダー アメリカ合衆国95030 カリフォルニア州 モンテ・セレーノ エル・ランショ・アベ ニュー 17341 (72)発明者 デーヴィッド・エイ・トムソン アメリカ合衆国95120 カリフォルニア州 サンノゼ グリムリー・レーン 1152 (72)発明者 メーソン・エル・ウィリアムズ アメリカ合衆国95120 カリフォルニア州 サンノゼ ヴァーガス・コート 5826 (72)発明者 シーリア・イー・イーク＝スクラントン アメリカ合衆国95120 カリフォルニア州 サンノゼ ヴュークレスト・コート 20242

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】水平の第１磁極片と空気軸受面まで延び、
    そこで露出される、傾いた垂直向きの磁極端と、 前記第１磁極片を前記垂直向きの磁極端に磁気結合し、
    前記垂直向きの磁極端にその上部で磁気結合され、前記
    第１磁極片にバックギャップ領域で磁気結合された、第
    ２磁極片と、 前記磁極片および前記磁極端と動作可能に連結され、前
    記第１および第２の磁極片に電磁結合されるが電気的に
    は絶縁された、コイルと、 前記第１磁極片、前記第２磁極片および前記コイルを覆
    う少なくとも１層の弾性材料を含み、前記磁極片および
    磁極端から電気的にも磁気的にも絶縁され、前記弾性材
    料が前記バックギャップ領域を越えて延びる、サスペン
    ション手段とを具備する、一体式の単一の磁気変換器／
    サスペンション・アセンブリ。
  2. 【請求項２】さらに、前記磁気変換器サスペンション・
    アセンブリの外側部分から突き出す摩耗パッドを具備
    し、前記摩耗パッドの下部が、前記空気軸受面を形成す
    る、請求項１に記載の一体式の単一の磁気変換器／サス
    ペンション・アセンブリ。
  3. 【請求項３】前記傾いた垂直向きの磁極端が、前記水平
    の第１磁極片に関して４５°ないし９０°の範囲の角度
    を画定することを特徴とする、請求項１に記載の一体式
    の単一の磁気変換器／サスペンション・アセンブリ。
  4. 【請求項４】前記空気軸受面が、前記水平の第１磁極片
    に実質的に平行に形成されることを特徴とする、請求項
    ３に記載の一体式の単一の磁気変換器／サスペンション
    ・アセンブリ。
  5. 【請求項５】空気軸受面が、記録媒体表面と接触した状
    態での動作に適合されていることを特徴とする、請求項
    １に記載の一体式の単一の磁気変換器／サスペンション
    ・アセンブリ。
  6. 【請求項６】空気軸受面が、記録媒体表面にごく近接し
    てその上につるされた浮上モードでの動作に適合されて
    いることを特徴とする、請求項１に記載の一体式の単一
    の磁気変換器／サスペンション・アセンブリ。
  7. 【請求項７】変換器／サスペンション・アセンブリの全
    長が約５〜２０μｍの範囲、全幅が約０．３〜２．０ｍ
    ｍの範囲、厚さが約２０〜６５μｍの範囲であることを
    特徴とする、請求項１に記載の一体式の単一の磁気変換
    器／サスペンション・アセンブリ。
  8. 【請求項８】誘電材料から形成され、第１端部および第
    ２端部を有し、サスペンション部分と変換器部分とを有
    する形に成形され、前記変換器部分が前記第１端部に配
    置された、細長い弾性部材と、 前記細長い部材の前記変換器部分に埋め込まれ、少なく
    とも１つの垂直向きの第１磁極端を有し、前記磁極端
    が、前記細長い部材の前記変換器部分の外側表面上に画
    定される空気軸受面まで延びそこで露出される、磁気変
    換器手段と、 前記細長い部材の外側表面にアクセスでき、前記磁気変
    換器手段と磁気的に連絡する、電気導体とを具備する、
    一体式の単一の変換器／サスペンション・アセンブリ。
  9. 【請求項９】さらに、前記細長い部材の表面に形成さ
    れ、前記電気導体と電気的に連絡する少なくとも１つの
    電気導体パッドを含み、前記電気導体パッドが、前記細
    長い部材の第２端部に配置される、請求項８に記載の一
    体式の単一の変換器／サスペンション・アセンブリ。
  10. 【請求項１０】さらに、前記変換器部分の外側部分から
    突き出す摩耗パッドを具備し、前記摩耗パッドの下部が
    前記空気軸受面を形成する、請求項８に記載の一体式の
    単一の変換器／サスペンション・アセンブリ。
  11. 【請求項１１】さらに、前記空気軸受面まで延びそこで
    露出される第２磁極端を具備し、前記第２磁極端が、磁
    気記録媒体に記録された情報を読み取るための読取りセ
    ンサに関連し、前記第１磁極端が、前記磁気記録媒体に
    情報を記録するための書込みセンサに関連する、請求項
    ８に記載の一体式の単一の変換器／サスペンション・ア
    センブリ。
  12. 【請求項１２】前記書込みセンサが、前記磁気媒体での
    情報の垂直磁気記録を実現するように適合され、前記読
    取りセンサが、前記磁気媒体から垂直記録された情報を
    読み取るように適合されることを特徴とする、請求項１
    １に記載の一体式の単一の変換器／サスペンション・ア
    センブリ。
  13. 【請求項１３】前記読取りセンサが、誘導読取りセンサ
    を具備することを特徴とする、請求項１１に記載の一体
    式の単一の変換器／サスペンション・アセンブリ。
  14. 【請求項１４】前記読取りセンサが、磁気抵抗読取りセ
    ンサを具備することを特徴とする、請求項１１に記載の
    一体式の単一の変換器／サスペンション・アセンブリ。
  15. 【請求項１５】ハウジングと、 前記ハウジング内に取り付けられ、その上に設けられた
    データ・トラックにデータを格納するための手段を有す
    る、少なくとも１つの磁気記憶媒体ディスクと、 前記ハウジング内に前記媒体ディスクに近接して置かれ
    たアクチュエータ・アームと、 前記アクチュエータ・アームに結合された変換器／サス
    ペンション・アセンブリとを具備し、 前記変換器／サスペンション・アセンブリが、 誘電材料から形成され、第１端部および第２端部を有
    し、サスペンション部分と変換器部分とを有する形に成
    形され、前記変換器部分が前記第１端部に配置された、
    細長い弾性部材と、 前記細長い部材の前記変換器部分に埋め込まれ、少なく
    とも１つの垂直向きの第１磁極端を有し、前記磁極端
    が、前記細長い部材の前記変換器部分の外側表面上に画
    定される空気軸受面まで延びそこで露出される、磁気変
    換器手段と、 前記細長い部材の外側表面にアクセスでき、前記磁気変
    換器手段と磁気的に連絡する、電気導体とを具備し、 前記磁気媒体記憶ディスクが、前記変換器に隣接して、
    これに対して相対的に移動可能であり、前記空気軸受面
    が、前記媒体ディスクと連続的にすべり接触する、 ディスク駆動装置アセンブリ。
  16. 【請求項１６】さらに、前記細長い部材の表面に前記第
    ２端部に隣接して形成された電気端子パッドと、 前記電気端子パッドを前記電気導体に電気接続し、前記
    サスペンション部分の全長にわたって延びる、電気リー
    ドとを含む、請求項１５に記載のディスク駆動装置アセ
    ンブリ。
  17. 【請求項１７】基板の表面に、基板表面の平面に対して
    所定の角度をなす、傾いた側壁を有する空洞を形成する
    ステップと、 前記基板上に耐摩耗性材料の第１摩耗層を形成するステ
    ップと、 前記空洞の傾いた側壁のうちの少なくとも１つの上に、
    基板表面の平面に対して前記側壁の角度と実質的に等し
    い角度を画定する、磁性材料からなる傾いた垂直向きの
    磁極端を形成するステップと、 前記磁極端および前記第１摩耗層の上に、第２摩耗層を
    形成するステップと、 前記第２摩耗層の上に、磁性材料からなる水平の第１磁
    極片を形成するステップと、 前記第１磁極片の上に、絶縁層を形成するステップと、 前記絶縁層内に、前記絶縁層によって前記第１磁極片お
    よび前記磁極端から電気的に絶縁される、導電材料から
    なるコイルを形成するステップと、 磁性材料からなり、前記垂直向きの磁極端を前記水平の
    第１磁極片に磁気結合し、前記垂直向きの磁極端の上端
    に磁気結合され、前記磁極端から離れた端で前記コイル
    を通って延びる磁気バックギャップの所で前記第１磁極
    片と磁気接続され、前記絶縁層によって前記コイルから
    電気的に絶縁される、第２磁極片を形成するステップ
    と、 前記第２磁極片、前記絶縁層および前記コイルを覆い、
    前記磁気バックギャップを越えて延びる誘電材料の少な
    くとも１つの層を含む、誘電材料からなるサスペンショ
    ン部材を形成するステップとを含む、一体式の単一の磁
    気変換器／サスペンション・アセンブリを製造する方
    法。
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