JPH08235534A - 磁気抵抗ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

磁気抵抗ヘッド及びその製造方法

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JPH08235534A
JPH08235534A JP7318138A JP31813895A JPH08235534A JP H08235534 A JPH08235534 A JP H08235534A JP 7318138 A JP7318138 A JP 7318138A JP 31813895 A JP31813895 A JP 31813895A JP H08235534 A JPH08235534 A JP H08235534A
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magnetoresistive
film
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 改善された読出し感度プロファイルを有する
ＭＲヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドが磁気媒体に近
接して配置される下縁と、第１の外縁を有する第１の側
と、第２の外縁を有する第２の側とを有するＭＲ膜を含
む。第１の外縁は下縁と鈍角を成す方向に延びる。第１
のリード層が第１の外縁において磁気抵抗膜に電気的に
接続され、第２のリード層が第２の外縁において磁気抵
抗膜に電気的に接続される。ＭＲ膜の第１の外縁の方向
により、磁気媒体からの磁束が第１の外縁により妨害さ
れること無く、ＭＲ膜を通じて伝播され易くなり、ＭＲ
ヘッドの読出し感度プロファイルが改善される。好適な
実施例では、ＭＲ膜の第１及び第２の両方の外縁が下縁
に実質的に直角な下部と、下縁と鈍角を成す方向に延び
る上部とを含む。これはラッピング高さ公差によるＭＲ
膜の幅のばらつきを最小化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気抵抗"ＭＲ"ヘッ
ドに関し、特に、読出し感度プロファイルを改善する形
状のＭＲ膜を有するＭＲヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲヘッドはしばしばＭＲ読出し素子と
誘導性書込み素子の両方を含み、磁気媒体に記憶される
データを記録及び読出すために、益々、普及しつつあ
る。ＭＲヘッドの主な利点は磁気記録システムのビット
密度の増加を可能にすることである。
【０００３】図１は従来のＭＲヘッド２０の活性表面の
下面図、すなわち磁気媒体から見た図であり、図２は図
１のライン２−２に沿う断面図である。ＭＲ素子２１は
磁気遮蔽層２２と磁気遮蔽／書込み極層２４との間に挟
まれる。
【０００４】図示されていないが、ＭＲ素子２１は３層
構造、すなわち軟質の隣接層、軟質の隣接層上に付着さ
れる中間膜、及び中間層上に付着されるＭＲ膜を有す
る。軟質の隣接層はパーマロイ、ＣｏＺｒＭｏなどの軟
質の磁気材料から成る。中間膜はＴｉ、ＳｉＯ2などの
非磁性材料から成る。ＭＲ膜はＮｉＦｅなどの磁気抵抗
材料から成る。軟質の隣接層はＭＲ素子２１を長手方向
に流れるバイアス電流を介して、ＭＲ膜内に横断方向の
磁気バイアスを提供する。ＭＲ膜の長手方向の磁気バイ
アスはハード・バイアス・マグネット層２６、２８によ
り提供され、これはＭＲ素子２１の反対側の縁に接し、
例えばコバルト合金ＣｏＰｔＣｒなどの導電性の磁気的
にハードな材料から成る。
【０００５】ハード・バイアス・マグネット層２６、２
８及びＭＲ素子２１は各々絶縁層３０上に付着され、絶
縁層３０は磁気遮蔽層２２上に付着される。磁気遮蔽層
２２は、ＣｏＨｆＮｂなどの磁気的にソフトで物理的に
ハードな材料から成る。リード層３２及び３４はそれぞ
れハード・バイアス・マグネット層２６及び２８上に付
着される。リード層３２及び３４は導電性材料から成
り、ＭＲ素子２１の反対側の縁にそれぞれハード・バイ
アス・マグネット層２６及び２８を介して電気的に接続
される。
【０００６】絶縁層３６がリード層３２、３４及びＭＲ
素子２１上に付着され、パーマロイまたは他の好適な材
料から成る磁気遮蔽／書込み極層２４が、その上に付着
される。パーマロイまたは他の好適な材料から成る書込
み極層３８が、磁気遮蔽／書込み極層２４上に付着さ
れ、絶縁層４０がそれらの間に付着される。
【０００７】磁気遮蔽／書込み極層２４及び書込み極層
３８は、奥側部分（図示せず）で磁気的に結合され、誘
導性書込み素子の磁束パスを形成する。書込みコイル
（図示せず）が磁気遮蔽／書込み極層２４及び書込み極
層３８を通じて形成される。従って絶縁層４０は電流が
書込みコイルに供給されるときに、情報を磁気媒体に書
込むための書込みギャップを形成する。ＭＲ素子２１は
ＭＲ膜がその抵抗を磁化の角度に依存して変化させる、
いわゆるＭＲ効果にもとづき磁気媒体から情報を読出す
ために使用される。
【０００８】書込み極層３８は中央線４２を有し、これ
は例えばロータリ・アクチュエータのスキューを補正す
るために、ＭＲ素子２１の中央線４４からオフセットさ
れる。従来のＭＲヘッド２０は磁気媒体上に書込まれる
トラックが、読出されるトラックよりも幅広の、いわゆ
る書込みワイド／読出しナロー（write wide/read narr
ow）・タイプである。これは書込み極層３８がＭＲ素子
２１の幅ＭＲＷ（図２参照）よりも大きい幅を有するこ
とに起因する。
【０００９】従来のＭＲヘッドを使用する際に遭遇する
問題は、磁気媒体上に書込まれるトラックに渡る不均一
な読出し感度である。
【００１０】図３は、従来のＭＲヘッド２０の読出し感
度プロファイルを実線で示し、それに適合する台形が破
線で示される。図３では、読出し感度がＭＲ素子２１の
幅ＭＲＷに沿う位置及びその延長線上に対してプロット
されている。読出し感度プロファイルに渡る全体幅はＭ
Ｒ素子２１の各側縁付近の小さな読出し感度のために、
ＭＲ素子２１の幅ＭＲＷよりも大きい。図３では、読出
し感度プロファイルの適合台形に渡る全体幅が上部平坦
領域Ａ、右側の傾斜領域Ｂ及び左側の傾斜領域Ｃに分割
される。
【００１１】上部平坦領域Ａは一様な感度を有する比較
的小さな領域である。右側の傾斜領域Ｂは上部平坦領域
よりも僅かに広く、急な勾配を有する。左側の傾斜領域
Ｃは大きく読出し感度プロファイルの適合台形に渡る全
体幅の約６０％を占め、緩やかな勾配を有する。理想的
にはＭＲヘッドの読出し感度曲線の左右の傾斜領域Ｂ及
びＣがほぼ垂直であり、上部平坦領域Ａが広いことが望
ましい。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来のＭＲヘ
ッド２０により磁気媒体上に記録されるトラックからデ
ータが読出される場合、長く緩やかな立上りの左傾斜領
域Ｃがオン・トラック信号を低減させ且つ隣接トラック
から妨害を拾い、これがオン・トラック信号と競合する
ことになる。同様に従来のＭＲヘッド２０がセクタ・サ
ーボ・アプリケーションにおいて使用される場合、長く
緩やかな立上りの左傾斜領域Ｃと短く急な立下りの右傾
斜領域Ｂとの間の非対称性が、位置誤差信号（ＰＥＳ）
の非線形性を生成し、これがヘッド位置合わせにおける
誤差及びサーボ利得変化の問題を引き起こす。
【００１３】従って、改善された読出し感度プロファイ
ルを有するＭＲヘッドが必要とされる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様によ
れば、ＭＲヘッドが磁気媒体に近接して配置される下縁
（bottom edge）と、下縁と鈍角を成す方向に延びる第
１の外縁を有する第１の側と、下縁に実質的に直角な第
２の外縁を有する第２の側とを有するＭＲ膜を含む。第
１のリード層が第１の外縁において磁気抵抗膜に電気的
に接続され、第２のリード層が第２の外縁において磁気
抵抗膜に電気的に接続される。
【００１５】本発明の第１の態様によるＭＲ膜の第１の
外縁は下縁と鈍角を成す方向に延びるので、磁気媒体か
らの磁束が第１の外縁により妨害されること無く、ＭＲ
膜を通じて伝播され易くなり、ＭＲヘッドの読出し感度
プロファイルが改善される。
【００１６】本発明の第２の態様によれば、ＭＲヘッド
が磁気媒体に近接して配置される下縁と、第１の外縁を
有する第１の側と、第２の外縁を有する第２の側とを有
するＭＲ膜を含む。第１の外縁は下縁に実質的に直角な
下部と、下縁と鈍角を成す方向に延びる上部とを有す
る。第１のリード層が磁気抵抗膜に第１の外縁において
電気的に接続され、第２のリード層が磁気抵抗膜に第２
の外縁において電気的に接続される。
【００１７】本発明の第２の態様によるＭＲ膜の第１の
外縁の上部は、下縁と鈍角を成す方向に延びるので、磁
気媒体からの磁束が第１の外縁の上部により妨害される
こと無くＭＲ膜を通じて伝播され易くなり、ＭＲヘッド
の読出し感度プロファイルが改善される。
【００１８】本発明の第２の態様による実施例では、Ｍ
Ｒ膜の第２の外縁が下縁に実質的に直角な下部と、下縁
と鈍角を成す方向に延びる上部とを有する。ＭＲ膜の第
１及び第２の各外縁の下部が下縁に実質的に直角なの
で、ラッピング公差によるＭＲ膜の幅のばらつきが最小
化される。
【００１９】本発明の第２の態様による別の実施例で
は、下縁と上縁との間のＭＲ膜の高さが第２の外縁から
第１の外縁に向けて狭まる。この結果、ＭＲ膜の第１の
側が第２の側と比較して高感度となり、読出し感度プロ
ファイルをより対称にする。
【００２０】本発明の第３及び第４の態様によれば、本
発明の第１及び第２の態様によるＭＲヘッドがそれぞれ
直接アクセス記憶装置（ＤＡＳＤ）のアクチュエータに
動作的に接続される。ＤＡＳＤはまたハウジング、及び
ハウジング内に設けられ軸の回りを回転するディスクを
含む。ディスク表面には軸の回りにパターン状に配列さ
れる複数のデータ・トラックが設けられ、アクチュエー
タがＭＲヘッドを前記ディスク表面に対して移動する。
【００２１】本発明の第５の態様によれば、磁気抵抗ヘ
ッドを製造する方法が、ａ）磁気抵抗膜が磁気媒体に近
接して配置される下縁と、下縁と鈍角を成す方向に延び
る第１の外縁を有する第１の側と、下縁に実質的に直角
な第２の外縁を有する第２の側とを有するように、絶縁
層の第１の部分上に磁気抵抗膜を付着する工程と、ｂ）
第１のハード・バイアス・マグネット層の側縁が磁気抵
抗膜の第１の外縁に接するように、絶縁層の第２の部分
上に第１のハード・バイアス・マグネット層を付着する
工程と、ｃ）第１のリード層が第１のハード・バイアス
・マグネット層を通じて磁気抵抗膜に電気的に接続され
るように、第１のハード・バイアス・マグネット層上に
第１のリード層を付着する工程と、ｄ）第２のハードバ
イアス・マグネット層の側縁が磁気抵抗膜の第２の外縁
に接するように、絶縁層の第３の部分上に第２のハード
・バイアス・マグネット層を付着する工程と、ｅ）第２
のリード層が第２のハード・バイアス・マグネット層を
通じて磁気抵抗膜に電気的に接続されるように、第２の
ハード・バイアス・マグネット層の部分上に第２のリー
ド層を付着する工程とを含む。
【００２２】本発明の第６の態様によれば、磁気抵抗ヘ
ッドを製造する方法が、ａ）磁気抵抗膜が磁気媒体に近
接して配置される下縁と、第１の外縁を有する第１の側
と、第２の外縁を有する第２の側とを有するように絶縁
層の第１の部分上に磁気抵抗膜を付着する工程であっ
て、第１の外縁が下縁に実質的に直角な第１の部分と、
下縁と鈍角を成す方向に延びる第２の部分とを有する前
記付着工程と、ｂ）第１のハード・バイアス・マグネッ
ト層の側縁が磁気抵抗膜の第１の外縁に接するように、
絶縁層の第２の部分上に第１のハード・バイアス・マグ
ネット層を付着する工程と、ｃ）第１のリード層が第１
のハード・バイアス・マグネット層を通じて磁気抵抗膜
に電気的に接続されるように第１のハード・バイアス・
マグネット層上に第１のリード層を付着する工程と、
ｄ）第２のハード・バイアス・マグネット層の側縁が磁
気抵抗膜の第２の外縁に接するように絶縁層の第３の部
分上に第２のハード・バイアス・マグネット層を付着す
る工程と、ｅ）第２のリード層が第２のハード・バイア
ス・マグネット層を通じて磁気抵抗膜に電気的に接続さ
れるように第２のハード・バイアス・マグネット層上に
第２のリード層を付着する工程とを含む。
【００２３】
【発明の実施の形態】図４を参照しながら、従来のＭＲ
ヘッドの不均一な読出し感度の原因について述べること
が、本発明を理解する上で有用である。図４は図２に示
される従来のＭＲヘッド２０の断面図であるが、磁気媒
体４６から出て従来のＭＲヘッド２０を通過する磁束の
伝播をも示している。ＭＲ素子２１の磁化のネットのバ
イアス角は図４では左下方に向かう一連のベクトル４８
で示される。ネットのバイアス角はハード・バイアス・
マグネット層２６、２８により提供される長手方向の磁
気バイアスと、ＭＲ素子２１を長手方向に流れるバイア
ス電流を介して、ＭＲ素子２１の軟質の隣接層（図示せ
ず）により提供される横断方向の磁気バイアスとの結合
である。ハード・バイアス・マグネット層２６、２８に
より提供される長手方向の磁気バイアスは、それぞれ図
４において左に向くベクトル５０及び５２により示され
る。図示されていないが、ＭＲ素子２１の軟質の隣接層
により提供される横断方向の磁気バイアスは図４におい
て下方を向く。磁気媒体４６からの磁束は図４では、最
初はＭＲ素子２１に入力するまで上方を向き、そこから
左上方に向かう一連のベクトル及び直線５４により示さ
れる。図４に示されるように磁気媒体４６からの磁束
は、一般にＭＲ素子２１内をネットのバイアス角に直角
な方向に伝播する。
【００２４】ＭＲ素子２１の右側（図４参照）に入力す
る磁束は、ＭＲ素子２１の上縁５６まで伝播することが
でき、ＭＲ素子２１の重要な領域の抵抗に影響する。し
かしながら、ＭＲ素子２１の左側に入力する磁束はＭＲ
素子２１の外縁５８により停止され、ＭＲ素子の右側に
入力する磁束に比較して小さな領域の抵抗に影響する。
従って、左側に入力する磁束のリラクタンスは右側に入
力する磁束のそれよりも大きく、左側では右側よりも少
ない磁束が入力することになる。たとえ右側と同量の磁
束が左側に入力したとしても、左側における抵抗変化は
右側よりも小さい。なぜなら抵抗変化は磁束が上縁５６
に向けて伝播する距離に依存するからである。これが図
３に示される読出し感度プロファイルの左傾斜領域Ｃが
広く、緩やかな勾配を有する理由である。
【００２５】本発明の一態様によれば、磁束がＭＲ膜の
下縁に沿ってどこに入力するかに関係無しに磁束がＭＲ
膜の外縁により停止されることなく、ＭＲ膜の上縁まで
伝播できるようにＭＲ膜が形成される。結果的に、読出
し感度プロファイルが従来のＭＲヘッド２０の場合に比
較して改善される。
【００２６】図５、図６及び図７を参照すると、本発明
による磁気抵抗"ＭＲ"ヘッドの第１の実施例が示され、
一般に参照番号６０で示される。図５はＭＲヘッド６０
の下面図であり、図６は図５のライン６−６に沿う断面
図であり、図７は図６のライン７−７に沿うＭＲヘッド
６０の断面図である。
【００２７】ＭＲヘッド６０は、ＭＲヘッド６０に対し
て移動する磁気媒体６２のトラックにビットを書込み、
そこからビットを読出す。トラックは回転磁気ディス
ク、磁気テープまたは他の磁気媒体に関連付けられる。
【００２８】ＭＲヘッド６０は化学蒸着法、イオン蒸着
法及びスパッタリングなどの従来の真空付着技術及び無
電解めっき、電気めっきを用いて形成される。こうした
形成技術は、ここでは総称的に"付着（deposition）"と
して参照される。
【００２９】ＭＲヘッド６０は磁気遮蔽層６６と磁気遮
蔽／書込み極層６８との間に挟まれるＭＲ素子６４を含
む。好適には図７に示されるように、ＭＲ素子６４は軟
質の隣接層７０、軟質の隣接層７０上に付着される中間
膜７２、及び中間膜７２上に付着されるＭＲ膜７４から
成る３層構造を有する。軟質の隣接層７０はパーマロ
イ、ＣｏＺｒＭｏなどの軟質の磁気材料から成り、中間
膜７２はＴｉ、ＳｉＯ2などの非磁性材料から成り、Ｍ
Ｒ膜７４はＮｉＦｅなどの磁気抵抗材料から成る。
【００３０】ＭＲ膜７４は好適にはＴ方向に０．００５
μｍ乃至０．０３μｍの厚さである。ＭＲ膜７４は例え
ば０．０３μｍの厚さであり、中間層７２及び軟質の隣
接層７０は、それぞれ０．０１μｍ及び０．０２μｍの
厚さである。ここではＭＲ素子６４は３層構造として表
されるがＭＲ膜７４を含む他の従来構造であってもよ
い。
【００３１】図６に最もよく示されるように、ＭＲ膜７
４は磁気媒体６２に近接して配置される下縁７６、下縁
７６に実質的に直角な外縁７８を有する右側、下縁７６
と鈍角を成す方向に延びる外縁８０を有する左側、及び
下縁７６に実質的に平行な上縁８２を有する。ここでは
用語"鈍角（obtuse angle）"は、９０度よりも大きく、
１８０度よりも小さな角度をさす。好適には、外縁８０
と下縁７６との間で形成される鈍角は約１３５度であ
る。
【００３２】ＭＲ膜７４の外縁８０と下縁７６との間の
鈍角は、磁束が下縁７６に沿ってどこに入力するかに関
係無しに磁束が外縁８０により停止されることなく、上
縁８２まで伝播することを可能にする。結果的に、従来
のＭＲヘッド２０の場合に比較して読出し感度プロファ
イルが改善される。
【００３３】ＭＲ膜７４だけが図６には示されるが、Ｍ
Ｒ素子の他の２つの層は、好適にはＭＲ膜７４と同一の
サイズ及び形状を有する。好適には、ＭＲ素子６４の３
つの各々の層は下縁に沿ってＷ方向に０．３μｍ乃至４
μｍの幅であり、Ｈ方向に０．３μｍ乃至３μｍの高さ
である。
【００３４】ＭＲ素子６４の３つの層は絶縁層８４上に
連続的に付着され、絶縁層８４は磁気遮蔽層６６上に付
着される。磁気遮蔽層６６は例えばＣｏＨｆＮｂなどの
磁気的にソフトで物理的にハードな材料から成り、Ｔ方
向に約０．５μｍ乃至２．５μｍの厚さを有する。磁気
遮蔽／書込み極層６８はパーマロイまたは他の好適な材
料から成り、Ｔ方向に約０．５μｍ乃至３．５μｍの厚
さである。
【００３５】ハード・バイアス磁気層８６は、ＭＲ膜７
４の外縁８０に接するように絶縁層８４上に付着され
る。ハード・バイアス磁気層８６及び８８は、例えばコ
バルト合金ＣｏＰｔＣｒなどの導電性で磁気的にハード
な材料から成る。好適には、ハード・バイアス磁気層８
６及び８８は、Ｔ方向及びＨ方向にそれぞれＭＲ素子６
４にほぼ等しい厚さと高さを有し、ＭＲ素子６４の外縁
に接する。また好適には、ハード・バイアス磁気層８６
及び８８はＭＲ素子６４とほど同一の導電率を有し、こ
れらの界面により電流が大きく乱されることはない。ハ
ード・バイアス磁気層８６及び８８はＭＲ素子６４のＭ
Ｒ膜７４の長手方向の磁気バイアスを提供し、それぞれ
が図６において左を向くベクトル８７及び８９により示
される。ＭＲ膜７４の長手方向の磁気バイアスは単一の
ハード・バイアス・マグネットにより交互に提供され
る。
【００３６】リード層９０は、ハード・バイアス・マグ
ネット層８６及び絶縁層８４上に付着される。同様にリ
ード層９２がハード・バイアス・マグネット層８８及び
絶縁層８４上に付着される。リード層９０及び９２はそ
れぞれハード・バイアス・マグネット層８６及び８８を
通じてＭＲ膜７４に電気的に接続される。リード層９０
及び９２によりバイアス電流がＭＲ膜７４を通じて駆動
されると、磁束がＭＲ素子６４のＭＲ膜７４及び軟質の
隣接層７０を通過して巡回し、それによりＭＲ膜７４内
に横断方向の磁気バイアスが提供される。図示されてい
ないが、横断方向の磁気バイアスは図６において下方を
向く。
【００３７】ＭＲ膜７４の磁化のネットのバイアス角、
すなわち長手方向と横断方向の磁化バイアスの和が図６
に左下方を向く一連のベクトルＢとして示される。磁気
媒体６２からの磁束は、図６において、最初はＭＲ膜７
４に入力するまで上方に向かい、そこから左上方に向か
う一連のベクトル及び直線Ｆにより示される。図６に示
されるように、たとえ磁気媒体６２からの磁束がＭＲ素
子２１内を一般にネットのバイアス角に直角な方向に伝
播するとしても、ＭＲ膜７４の外縁８０と下縁７６との
間の鈍角により、磁束が下縁７６に沿ってどこに入力す
るかに関係無しに磁束が外縁８０により停止されること
なく、上縁８２まで伝播される。
【００３８】リード層９０はＭＲ素子６４に面し、ＭＲ
膜７４の外縁７８と同一に延び、従ってＭＲ膜７４の下
縁７６に実質的に直角な側縁を有する。リード層９２は
ＭＲ素子６４に面し、ＭＲ膜７４の下縁７６に実質的に
直角な側縁９３を有する。リード層９０及び９２の側縁
をこのように構成することにより、たとえＭＲ膜７４の
外縁８０が下縁７６と大きな鈍角を形成するとしても、
ほぼ一様な電流が維持される。リード層９０及び９２の
側縁はリード層９０及び９２の有限な抵抗により生じる
電流の不均一性や、ハード・バイアス・マグネット層８
８とＭＲ膜７４との間の角度を有する界面により生じる
電流の乱れを相殺するために、僅かに傾斜されて電流の
方向を調整するようにしてもよい。
【００３９】絶縁層９４がＭＲ素子６４、リード層９０
及び９２、そして絶縁層８４上に付着される。磁気遮蔽
／書込み曲層６８が絶縁層９４上に付着される。磁気遮
蔽層６６と磁気遮蔽／書込み極層６８との間隔は、好適
にはＴ方向に０．１μｍ乃至１μｍであり、ＭＲ素子６
４がそれらのほぼ中間に配置される。
【００４０】好適には、各リード層９０及び９２の厚み
は０．１μｍ以下である。リード層９０及び９２はＴ
ａ、Ｗなどの材料から成り、比抵抗（resistivity）、
耐食性（corrosion resistance）及びラッピング振舞い
の間の良好な妥協点を提供する。
【００４１】絶縁層９６が磁気遮蔽／書込み極層６８上
に付着され、書込み極層９８が絶縁層９６上に付着され
る。絶縁層８４、９４及び９６はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2な
どの絶縁材料から成る。絶縁層９６は磁気遮蔽／書込み
極層６８と書込み極層９８との間のギャップを形成し、
好適にはＴ方向に０．３μｍ乃至０．６μｍの厚さであ
る。
【００４２】書込み極層９８は例えばパーマロイから成
り、好適にはＴ方向に０．５μｍ乃至４μｍの厚さと、
Ｗ方向に０．５μｍ乃至６μｍの幅を有する。書込み極
層９８の中央線は、例えばロータリ・アクチュエータの
スキューを補正するために、好適にはＭＲ素子６４の中
央線からオフセットされる。また書込み極層９８は、Ｍ
Ｒヘッド６０が書込みワイド／読出しナロー・タイプで
あるために、好適にはＭＲ素子６４よりも幅が広い。
【００４３】第１の実施例の欠点は、読出し感度の幅が
外縁８０の鈍角及びラッピング高さの可変性によるＭＲ
膜７４の高さにより大きく変化することである。ラッピ
ング高さの可変性は様々な層が付着された後に、ＭＲヘ
ッド６０の活性表面（ＭＲ膜７４の下縁７６を含む）を
形成するために使用されるラッピング・プロセスにより
導入されるラッピング公差に起因する。ＭＲ膜７４の下
縁７６の幅はラッピング高さにより変化し、それにより
読出し感度を変化させる。更にＭＲ膜７４の左右の側間
の磁化中心が鈍角によるラッピング高さにより変化し、
これは読出し感度プロファイルを低下させる。例えばラ
ッピング高さが小さくなると（すなわちＭＲ膜７４の高
さが大きくなる）、ＭＲ膜７４の磁化中心は右に不利に
移動する（図６参照）。
【００４４】この欠点は、図８及び図９に示される本発
明によるＭＲヘッドの第２の実施例により克服され、一
般に参照番号１１０で示される。図８はＭＲヘッド１１
０の下面図であり、図９は図８のライン９−９に沿う断
面図である。
【００４５】第２の実施例は、ＭＲ素子、ハード・バイ
アス層及びリード層の形状を除き、第１の実施例と同一
である。図８及び図９では、第１の実施例の要素と同一
の要素を示すために同一参照番号が使用される。従っ
て、これらの同一の要素の構造及びそれらを形成するた
めに使用される技法の説明は、第２の実施例を参照する
ことによりここでは省略する。
【００４６】第２の実施例では、ＭＲ素子１１２はその
形状を除き、第１の実施例のＭＲ素子６４に同一であ
る。ＭＲ素子１１２は３層構造、すなわち軟質の隣接
層、軟質の隣接層上に付着される中間膜及び中間膜上に
付着されるＭＲ膜１１４を有する。
【００４７】図９に最もよく示されるように、ＭＲ膜１
１４は磁気媒体６２の近接して配置される下縁１１６、
外縁１１８を有する右側、外縁１２０を有する左側及び
下縁１１６に実質的に平行な上縁１２２を有する。外縁
１２０は下縁１１６に実質的に直角な下部１２４と、下
縁１１６と鈍角を成す方向に延びる上部１２６とを含
む。同様に外縁１１８は好適には、下縁１１６に実質的
に直角な下部１２８と、下縁１１６と鈍角を成す方向に
延びる上部１３０とを含む。好適には、これらの鈍角の
各々は約１３５度である。また好適には、下部１２４及
び１２８は上部１２６及び１３０の高さよりも小さな高
さをＨ方向に有し、この高さが最大ラッピング高さに相
当する。
【００４８】上部１２６が下縁１１６と鈍角を成す方向
に延びるので磁束が外縁１２０により停止されることな
く、上縁１２２まで伝播することが可能となり、読出し
感度プロファイルが従来のＭＲヘッド２０の場合に比較
して改善される。更に下部１２４及び１２８がそれぞれ
下縁１１６に直角なので、読出し感度幅及びオフセット
がラッピング高さの可変性により大きく変化しない。下
縁１１６の幅はラッピング高さにより変化しない。同様
にＭＲ膜１１４の左右の側間の磁化中心がラッピング高
さにより変化しない。
【００４９】更に上部１３０が下縁１１６と鈍角を成す
方向に延びるので、外縁１１８により停止されることな
く、より多くの磁束が上縁１２２まで伝播することが可
能となり、読出し感度プロファイルが従来のＭＲヘッド
２０の場合に比較して改善される。すなわち磁束の小部
分が上縁１２２に向けて移動する名目パスから逸脱する
か或いは外縁１１８により停止される。
【００５０】ＭＲ素子１１２の軟質の隣接層及び中間膜
は、好適にはＭＲ膜１１４と同一のサイズ及び形状を有
する。好適には、ＭＲ素子１１２の３つのそれぞれの層
は、下縁に沿ってＷ方向に０．３μｍ乃至４μｍの幅、
及びＨ方向に０．３μｍ乃至３μｍの高さを有する。ま
た好適には、ＭＲ素子１１２は例えばロータリ・アクチ
ュエータのスキューを補正するように、書込み極層９８
の中央線１００からオフセットされる中央線１０２を有
する。ＭＲ素子６４の３層は絶縁層８４上に連続的に付
着される。
【００５１】ＭＲ素子１１２は３層構造として示される
が、ＭＲ膜１１４を含む他の従来の構造を有することも
できる。
【００５２】ハード・バイアス・マグネット層１３２は
ＭＲ膜１１４の外縁１１８の下部１２８及び上部１３０
の両方において接するように、絶縁層８４上に付着され
る。ハード・バイアス・マグネット層１３４はＭＲ膜１
１４の外縁１２０の下部１２４及び上部１２６の両方に
おいて接するように、絶縁層８４上に付着される。ハー
ド・バイアス１３２及び１３４はその形状を除き、第１
の実施例のハード・バイアス・マグネット層８６及び８
８と同一である。ハード・バイアス・マグネット層１３
２及び１３４はＭＲ素子１１２のＭＲ膜１１４の長手方
向の磁気バイアスを提供し、これらが図９ではそれぞれ
左を向くベクトル１３３及び１３５により示される。Ｍ
Ｒ膜１１４の長手方向の磁気バイアスは単一のハード・
バイアス・マグネットまたは交換バイアスなどの他の従
来のバイアス技法により交互に提供される。
【００５３】リード層１３６は、ハード・バイアス・マ
グネット層１３２及び絶縁層８４上に付着される。同様
にリード層１３８は、ハード・バイアス・マグネット層
１３４及び絶縁層８４上に付着される。リード層１３６
及び１３８はそれらの形状を除き、第１の実施例のリー
ド層９０及び９２と同一である。リード層１３６及び１
３８はそれぞれハード・バイアス・マグネット層１３２
及び１３４を通じて、ＭＲ膜１１４に電気的に接続され
る。従ってバイアス電流がリード層１３６及び１３８に
より、ＭＲ膜１１４を通じて駆動されると、磁束がＭＲ
素子１１２のＭＲ膜１１４及び軟質の隣接層を通じて巡
回し、ＭＲ膜１１４内に横断方向の磁気バイアスが提供
される。図示されていないが、横断方向の磁気バイアス
は図９において下方を向く。
【００５４】ＭＲ膜１１４の磁化のネットのバイアス
角、すなわち長手方向と横断方向の磁気バイアスの和が
図９では左下方を向く一連のベクトルＢとして示され
る。磁気媒体６２からの磁束が図９では最初はＭＲ膜１
１４に入力するまで上方に向かい、そこから左上方に向
かう一連のベクトル及び直線Ｆにより示される。図９に
示されるように、たとえ磁気媒体６２からの磁束がＭＲ
膜１１４内を一般にネットのバイアス角に直角な方向に
伝播するとしても、上部１２６の方向のために、大部分
の磁束が外縁１２０により停止されることなく上縁１２
２に伝播される。更に、上縁１２２へ向かう名目方向か
ら逸脱する小部分の磁束が上部１３０及び１２６の方向
のために、外縁１１８及び１２０により停止されにくく
なる。
【００５５】リード層１３６はＭＲ素子１１２に面し、
ＭＲ膜１１４の外縁１１８と同一に延びる側縁を有す
る。リード層１３８はＭＲ素子１１２に面し、ＭＲ膜１
１４の外縁１２０と同一に延びる側縁を有する。リード
層１３６及び１３８の側縁をこのように構成することに
より、電流密度の対称性が維持される。更にリード層１
３６及び１３８の側縁をハード・バイアス・マグネット
層１３２及び１３４の側縁から分離するための追加のマ
スキング工程が不要となる。
【００５６】図１０は、ＭＲヘッド１１０の読出し感度
プロファイルの適合台形を実線で示し、従来のＭＲヘッ
ド２０の読出し感度プロファイルの適合台形を破線で示
す。図１０では、読出し感度がそれぞれのＭＲ膜の幅
（ＭＲＷ）に沿う位置に対してプロットされ、ＭＲ膜１
１４の場合には、ＭＲＷは下縁１１６の幅に相当する。
図３に示されるように、従来のＭＲヘッド２０の読出し
感度プロファイルの適合台形に渡る全体幅は上部平坦領
域Ａ、右傾斜領域Ｂ及び左傾斜領域Ｃに分割される。ま
た図１０に示されるように、ＭＲヘッド１１０の読出し
感度プロファイルの適合台形に渡る全体幅は上部平坦領
域Ａ'、右傾斜領域Ｂ'及び左傾斜領域Ｃ'に分割され
る。
【００５７】ＭＲヘッド１１０の左傾斜領域Ｃ'の幅
は、従来のＭＲヘッド２０の左傾斜領域Ｃよりも約３０
％小さく、より急な勾配を有する。ＭＲヘッド１１０の
左傾斜領域Ｃ'の最左端部分には大きな変化はない（図
１０参照）。なぜなら、この部分はＭＲ膜１１４の外縁
１２０の下部１２４に対応するからである。しかしなが
ら、ＭＲヘッド１１０の左傾斜領域Ｃ'の残りの部分
は、ＭＲ膜１１４の外縁１２０の上部１２６に対応する
ために急峻に立ち上がる。
【００５８】ＭＲヘッド１１０の右傾斜領域Ｂ'の幅
は、従来のＭＲヘッド２０の右傾斜領域Ｂの幅よりも、
僅かに小さく、従って僅かに急な勾配を有する。ＭＲヘ
ッド１１０の上部平坦領域Ａ'すなわち一様な感度領域
の幅は、従来のＭＲヘッド２０の上部平坦領域Ａの幅よ
りも約９０％大きい。ＭＲヘッド１１０のトータル（総
合的）読出し感度は従来のＭＲヘッド２０の場合よりも
高くなる。なぜなら、上部平坦領域Ａのより大きな幅が
より大きな信号を生成するからである。
【００５９】ＭＲヘッド１１０の読出し感度が従来のＭ
Ｒヘッド２０の場合よりも理想に近づく。理想的には、
左右の傾斜領域がほぼ垂直であり、上部平坦領域が広い
ことが望ましい。
【００６０】従って、ＭＲヘッド１１０を用いて磁気媒
体上に記録されるトラックからデータを読出す場合、従
来のＭＲヘッド２０に比較して、隣接トラックからの妨
害を増大することなく、オン・トラック信号が増大され
る。同様にＭＲヘッド１１０がセクタ・サーボ・アプリ
ケーションに使用される場合、従来のＭＲヘッド２０に
比較して、より一様な位置誤差信号（ＰＥＳ）が維持さ
れる。
【００６１】図１１は、図８のライン９−９に沿う本発
明の第２の実施例の変更バージョンによるＭＲヘッド１
１０'の断面図である。この変更では、上縁１２２'と下
縁１１６間のＨ方向の高さが外縁１１８から外縁１２
０'に向けて狭くなるように、ＭＲ膜１１４の上縁１２
２'が形成される。例えば図１１に示されるように、Ｍ
Ｒ膜１１４の上縁１２２'が外縁１２０'近傍の下縁１１
６に向けて、曲線を描く。外縁１２０'の高さは外縁１
１８の高さよりも小さい。ＭＲ膜１１４の外縁１２０'
に接するハード・バイアス・マグネット層１３４の側縁
は、ＭＲ膜１１４の外縁１１８に接するハード・バイア
ス・マグネット層１３２の側縁よりも短い。同様にＭＲ
膜１１４の外縁１２０'と同一に延びるリード層１３８
の側縁は、ＭＲ膜１１４の外縁１１８と同一に延びるリ
ード層１３６の側縁よりも短い。ＭＲ膜１１４の高さが
右側から左側に向けて狭まるので、ＭＲ膜１１４の左側
における単位長当たりの電気抵抗が右側よりも大きくな
り、従ってＭＲ膜１１４の左側の電圧降下が右側よりも
大きくなる。その結果、ＭＲ膜１１４の左側が右側より
も磁束に対して高感度となり、読出し感度プロファイル
がより対称的となる。
【００６２】図１２は、図１１のＭＲヘッド１１０'の
温度プロファイルを実線で示し、従来のＭＲヘッド２０
の温度プロファイルを破線で示すグラフである。ＭＲ膜
１１４の左側の電気抵抗が大きいことにより、熱がＭＲ
ヘッド１１０'のＭＲ膜１１４の左側で生成されが、こ
うした熱はハード・バイアス・マグネット層１３４及び
リード層１３８により迅速に消散される。ＭＲ膜内での
過度な熱生成は、その有効寿命を短縮させる。図１２に
示されるように、ＭＲヘッド１１０'のＭＲ膜１１４内
での熱生成は従来のＭＲヘッド２０の場合よりも大きく
はない。
【００６３】図１３は、本発明による複数のＭＲヘッド
を用いる直接アクセス記憶装置（ＤＡＳＤ）１５０、す
なわち磁気ディスク駆動装置の上面図である（上述の任
意のＭＲヘッド６０、１１０または１１０'に相当する
１つのＭＲヘッド１５２だけが示される）。直接アクセ
ス記憶装置１５０はロータリ・アクチュエータ・アセン
ブリ１５４及びハウジング１５６を含み、ハウジング内
には両側に磁気表面１６０を有する（一方の表面だけが
示される）ディスク１５８のスタック（１つのディスク
だけが示される）が含まれる。ディスク１５８は磁気表
面１６０上に同心円状に構成される多数の情報トラック
１６２を有する。ディスク１５８は統合スピンドル及び
モータ・アセンブリ１６４により同時回転されるように
平行に実装される。ディスク制御装置（図示せず）が、
ディスク１５８を例えば実質的に一定速度で時計（Ｃ
Ｗ）方向（図１３の矢印１６６で示される）に回転する
ように、統合スピンドル及びモータ・アセンブリ１６４
を制御する。
【００６４】ロータリ・アクチュエータ・アセンブリ１
５４は複数のアーム（１つのアームだけが示される）を
含み、各アームは対応するディスク表面１６０に対して
少なくとも１つのスライダ１７０を支持する。各スライ
ダ１７０はエア・ベアリング面（図示せず）を含み、少
なくとも１つのＭＲヘッド１５２を側面に装着される。
支持アーム１６８はアクチュエータ・ドライバ（図示せ
ず）により回転式且つ双方向に駆動され、ＭＲヘッド１
５２をあるトラック１６２から別のトラック１６２へ、
図１３の矢印１７２により示されるように弧状に移動す
る。支持アーム１６８はＭＲヘッド１５２の回転軸を定
義するピボット１８０上に設けられる。ピボット１８０
はＭＲヘッド１５２をディスク表面１７０に近接して同
時に位置決めするためにベアリング・カートリッジ１８
２を含みうる。
【００６５】本発明の複数の実施例について述べてきた
が、当業者には他の変形も容易に明らかとなろう。従っ
て、本発明はこれらの実施例に限られるものではなく、
こうした全ての変形をも含むものである。
【００６６】まとめとして、本発明の構成関して以下の
事項を開示する。
【００６７】（１）絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ
る磁気抵抗膜であって、磁気媒体に近接して配置される
下縁と、前記下縁と鈍角を成す方向に延びる第１の外縁
を有する第１の側と、前記下縁に実質的に直角な第２の
外縁を有する第２の側とを有する、前記磁気抵抗膜と、
前記絶縁層上に設けられ、前記第１の外縁において前記
磁気抵抗膜に電気的に接続される第１のリード層と、前
記絶縁層上に設けられ、前記第２の外縁において前記磁
気抵抗膜に電気的に接続される第２のリード層と、を含
む、磁気抵抗ヘッド。 （２）前記磁気抵抗膜が前記下縁に実質的に平行な上縁
を有する、前記（１）記載の磁気抵抗ヘッド。 （３）前記磁気抵抗膜の前記第１の側に接するハード・
バイアス・マグネット層を含み、前記ハード・バイアス
・マグネット層の一部が、前記絶縁層と前記第１のリー
ド層との間に挟まれる、前記（１）記載の磁気抵抗ヘッ
ド。 （４）前記第１のリード層が前記磁気抵抗膜に面し、前
記磁気抵抗膜の前記下縁に実質的に直角な側縁を有す
る、前記（３）記載の磁気抵抗ヘッド。 （５）絶縁層と、前記絶縁層上に設けられる磁気抵抗膜
であって、磁気媒体に近接して配置される下縁と、第１
の外縁を有する第１の側と、第２の外縁を有する第２の
側とを有し、前記第１の外縁が前記下縁に実質的に直角
な下部と、前記下縁と鈍角を成す方向に延びる上部とを
有する、前記磁気抵抗膜と、前記絶縁層上に設けられ、
前記第１の外縁において前記磁気抵抗膜に電気的に接続
される第１のリード層と、前記絶縁層上に設けられ、前
記第２の外縁において前記磁気抵抗膜に電気的に接続さ
れる第２のリード層と、を含む、磁気抵抗ヘッド。 （６）前記磁気抵抗膜の前記第２の外縁が前記下縁に実
質的に直角な下部と、前記下縁と鈍角を成す方向に延び
る上部とを有する、前記（５）記載の磁気抵抗ヘッド。 （７）前記磁気抵抗膜の前記第１の外縁の前記下部が前
記下縁に直角な方向に測定される、前記第１の外縁の前
記上部の高さよりも小さな高さを有する、前記（６）記
載の磁気抵抗ヘッド。 （８）前記磁気抵抗膜の前記第１の外縁に接する側縁を
有する第１のハード・バイアス・マグネット層を含み、
前記第１のハード・バイアス・マグネット層の一部が前
記絶縁層と前記第１のリード層との間に挟まれる、前記
（５）記載の磁気抵抗ヘッド。 （９）前記第１のリード層が前記磁気抵抗膜に面し、前
記第１のハード・バイアス・マグネット層の前記側縁と
実質的に同一に延びる側縁を有する、前記（８）記載の
磁気抵抗ヘッド。 （１０）前記磁気抵抗膜の前記第２の外縁が前記下縁に
実質的に直角な下部と、前記下縁と鈍角を成す方向に延
びる上部とを有する、前記（９）記載の磁気抵抗ヘッ
ド。 （１１）前記磁気抵抗膜の前記第２の側に接する側縁を
有する第２のハード・バイアス・マグネット層を含み、
前記第２のハード・バイアス・マグネット層の一部が前
記絶縁層と前記第２のリード層との間に挟まれる、前記
（１０）記載の磁気抵抗ヘッド。 （１２）前記第２のリード層が前記磁気抵抗膜に面し、
前記第２のハード・バイアス・マグネット層の前記側縁
と実質的に同一に延びる側縁を有する、前記（１１）記
載の磁気抵抗ヘッド。 （１３）前記磁気抵抗膜が前記下縁に対向する上縁を有
し、前記下縁に直角な方向に測定される前記下縁と前記
上縁間の高さが前記第２の外縁から前記第１の外縁に向
けて狭まる、前記（１２）記載の磁気抵抗ヘッド。 （１４）前記磁気抵抗膜が前記下縁に対向する上縁を有
し、前記下縁に直角な方向に測定される前記下縁と前記
上縁間の高さが前記第２の外縁から前記第１の外縁に向
けて狭まる、前記（５）記載の磁気抵抗ヘッド。 （１５）前記磁気抵抗膜の前記上縁の一部が曲線を描
く、前記（１４）記載の磁気抵抗ヘッド。 （１６）磁気抵抗ヘッドを製造する方法であって、 ａ）磁気抵抗膜が磁気媒体に近接して配置される下縁
と、前記下縁と鈍角を成す方向に延びる第１の外縁を有
する第１の側と、前記下縁に実質的に直角な第２の外縁
を有する第２の側とを有するように、絶縁層の第１の部
分上に磁気抵抗膜を形成する工程と、 ｂ）第１のハード・バイアス・マグネット層の側縁が前
記磁気抵抗膜の前記第１の外縁に接するように、前記絶
縁層の第２の部分上に前記第１のハード・バイアス・マ
グネット層を付着する工程と、 ｃ）第１のリード層が前記第１のハード・バイアス・マ
グネット層を通じて前記磁気抵抗膜に電気的に接続され
るように、前記第１のハード・バイアス・マグネット層
上に前記第１のリード層を付着する工程と、 ｄ）第２のハードバイアス・マグネット層の側縁が前記
磁気抵抗膜の前記第２の外縁に接するように、前記絶縁
層の第３の部分上に前記第２のハード・バイアス・マグ
ネット層を付着する工程と、 ｅ）第２のリード層が前記第２のハード・バイアス・マ
グネット層を通じて前記磁気抵抗膜に電気的に接続され
るように、前記第２のハード・バイアス・マグネット層
の部分上に前記第２のリード層を付着する工程と、を含
む、方法。 （１７）前記工程ｃ）が、前記第１のハード・バイアス
・マグネット層の一部が露出されるように、前記第１の
リード層の側縁が前記磁気抵抗膜に面し、前記磁気抵抗
膜の前記下縁に実質的に直角に延びるように、前記第１
のリード層の側縁を形成するサブ工程を含む、前記（１
６）記載の方法。 （１８）磁気抵抗ヘッドを製造する方法であって、 ａ）磁気抵抗膜が磁気媒体に近接して配置される下縁
と、第１の外縁を有する第１の側と、第２の外縁を有す
る第２の側とを有するように、絶縁層の第１の部分上に
磁気抵抗膜を形成する工程であって、前記第１の外縁が
前記下縁に実質的に直角な第１の部分と、下縁と鈍角を
成す方向に延びる第２の部分とを有する前記形成工程
と、 ｂ）第１のハード・バイアス・マグネット層の側縁が前
記磁気抵抗膜の前記第１の外縁に接するように、前記絶
縁層の第２の部分上に前記第１のハード・バイアス・マ
グネット層を付着する工程と、 ｃ）第１のリード層が前記第１のハード・バイアス・マ
グネット層を通じて前記磁気抵抗膜に電気的に接続され
るように、前記第１のハード・バイアス・マグネット層
上に前記第１のリード層を付着する工程と、 ｄ）第２のハード・バイアス・マグネット層の側縁が前
記磁気抵抗膜の前記第２の外縁に接するように、前記絶
縁層の第３の部分上に前記第２のハード・バイアス・マ
グネット層を付着する工程と、 ｅ）第２のリード層が前記第２のハード・バイアス・マ
グネット層を通じて前記磁気抵抗膜に電気的に接続され
るように、前記第２のハード・バイアス・マグネット層
上に前記第２のリード層を付着する工程と、を含む、方
法。 （１９）前記工程（ａ）が、前記磁気抵抗膜が前記下縁
に対向する上縁を有し、前記下縁に直角な方向に測定さ
れる前記下縁と前記上縁間の高さが、前記第２の外縁か
ら前記第１の外縁に向けて狭まるように、前記磁気抵抗
膜を形成するサブ工程を含む、前記（１８）記載の方
法。 （２０）ハウジングと、前記ハウジング内に設けられ、
軸の回りを回転する少なくとも１つのディスクと、前記
軸の回りにパターン状に配列されて、前記ディスクの少
なくとも一方の表面上にデータを記憶する複数のトラッ
クと、磁気抵抗ヘッドであって、絶縁層と、前記絶縁層
上に設けられる磁気抵抗膜であって、磁気媒体に近接し
て配置される下縁と、前記下縁と鈍角を成す方向に延び
る第１の外縁を有する第１の側と、前記下縁に実質的に
直角な第２の外縁を有する第２の側とを有する、前記磁
気抵抗膜と、前記絶縁層上に設けられ、前記第１の外縁
において前記磁気抵抗膜に電気的に接続される第１のリ
ード層と、前記絶縁層上に設けられ、前記第２の外縁に
おいて前記磁気抵抗膜に電気的に接続される第２のリー
ド層と、を含む、前記磁気抵抗ヘッドと、前記磁気抵抗
ヘッドに動作的に結合され、前記磁気抵抗ヘッドを前記
ディスクの前記表面に対して移動するアクチュエータ
と、を含む、直接アクセス記憶装置。 （２１）ハウジングと、前記ハウジング内に設けられ、
軸の回りを回転する少なくとも１つのディスクと、前記
軸の回りにパターン状に配列されて、前記ディスクの少
なくとも一方の表面上にデータを記憶する複数のトラッ
クと、磁気抵抗ヘッドであって、絶縁層と、前記絶縁層
上に設けられる磁気抵抗膜であって、磁気媒体に近接し
て配置される下縁と、第１の外縁を有する第１の側と、
第２の外縁を有する第２の側とを有し、前記第１の外縁
が前記下縁に実質的に直角な下部と、前記下縁と鈍角を
成す方向に延びる上部とを有する、前記磁気抵抗膜と、
前記絶縁層上に設けられ、前記第１の外縁において前記
磁気抵抗膜に電気的に接続される第１のリード層と、前
記絶縁層上に設けられ、前記第２の外縁において前記磁
気抵抗膜に電気的に接続される第２のリード層と、を含
む、前記磁気抵抗ヘッドと、前記磁気抵抗ヘッドに動作
的に結合され、前記磁気抵抗ヘッドを前記ディスクの前
記表面に対して移動するアクチュエータと、を含む、直
接アクセス記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＭＲヘッドの下面図である。
【図２】図１のライン２−２に沿う従来のＭＲヘッドの
断面図である。
【図３】図１及び図２の従来のＭＲヘッドの読出し感度
プロファイルを実線で示し、その適合台形を破線で示す
グラフを示す図である。
【図４】図１のライン２−２に沿う従来のＭＲヘッドの
断面図、及び磁束の伝播を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施例によるＭＲヘッドの下面
図である。
【図６】図５のライン６−６に沿う本発明の第１の実施
例のＭＲヘッドの断面図である。
【図７】図６のライン７−７に沿う本発明の第１の実施
例のＭＲヘッドの断面図、及び３層構造を有するＭＲ素
子を示す図である。
【図８】本発明の第２の実施例によるＭＲヘッドの下面
図である。
【図９】図８のライン９−９に沿う本発明の第２の実施
例のＭＲヘッドの断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施例のＭＲヘッドの読出し
感度プロファイルの適合台形を実線で示し、図１及び図
２の従来のＭＲヘッドの読出し感度プロファイルの適合
台形を破線で示すグラフを示す図である。
【図１１】図８のライン９−９に沿う本発明の第２の実
施例の変更バージョンによるＭＲヘッドの断面図であ
る。
【図１２】図１１のＭＲヘッドの温度プロファイルを実
線で示し、図１及び図２の従来のＭＲヘッドの温度プロ
ファイルを破線で示すグラフを示す図である。
【図１３】本発明によるＭＲヘッドを組み込む直接アク
セス記憶装置の上面図である。
【符号の説明】
２０、６０、１１０、１１０' 磁気抵抗ヘッド ２１、６４、１１２ 磁気抵抗素子 ２２、６６ 磁気遮蔽層 ２４、６８ 磁気遮蔽／書込み極層 ２６、２８、８６、８８、１３２、１３４ ハード・バ
イアス・マグネット層 ３０、３６、４０、８４、９４、９６ 絶縁層 ３２、３４、９０、９２、１３６、１３８ リード層 ３８、９８ 書込み極層 ４６、６２ 磁気媒体 ４８ ネット・バイアス ５０、５２、８７、８９、１３３、１３５ 長手方向磁
気バイアス ５４ 磁束 ５６、８２、１２２、１２２' 磁気抵抗膜の上縁 ７０ 軟質の隣接層 ７２ 中間膜 ７４、１１４ 磁気抵抗膜 ７６、１１６ 磁気抵抗膜の下縁 ７８、８０、１１８、１２０、１２０' 磁気抵抗膜の
外縁 ９３ リード層９２の側縁 １２４、１２８ 磁気抵抗膜の外縁の下部 １２６、１３０、１２６' 磁気抵抗膜の外縁の上部 １５０ 直接アクセス記憶装置（ＤＡＳＤ） １５２ 磁気抵抗ヘッド １５４ ロータリ・アクチュエータ・アセンブリ １５６ ハウジング １５８ ディスク １６０ ディスク表面 １６２ トラック １６４ 統合スピンドル及びモータ・アセンブリ １６８ 支持アーム １７０ スライダ １８０ ピボット １８２ ベアリング・カートリッジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イール・アルバート・カンニガム アメリカ合衆国55901、ミネソタ州ロチェ スター、サーティーンス・アベニュー、ノ ース・ウエスト 2429

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁層と、 前記絶縁層上に設けられる磁気抵抗膜であって、磁気媒
    体に近接して配置される下縁と、前記下縁と鈍角を成す
    方向に延びる第１の外縁を有する第１の側と、前記下縁
    に実質的に直角な第２の外縁を有する第２の側とを有す
    る、前記磁気抵抗膜と、 前記絶縁層上に設けられ、前記第１の外縁において前記
    磁気抵抗膜に電気的に接続される第１のリード層と、 前記絶縁層上に設けられ、前記第２の外縁において前記
    磁気抵抗膜に電気的に接続される第２のリード層と、 を含む、磁気抵抗ヘッド。
  2. 【請求項２】前記磁気抵抗膜が前記下縁に実質的に平行
    な上縁を有する、請求項１記載の磁気抵抗ヘッド。
  3. 【請求項３】前記磁気抵抗膜の前記第１の側に接するハ
    ード・バイアス・マグネット層を含み、前記ハード・バ
    イアス・マグネット層の一部が、前記絶縁層と前記第１
    のリード層との間に挟まれる、請求項１記載の磁気抵抗
    ヘッド。
  4. 【請求項４】前記第１のリード層が前記磁気抵抗膜に面
    し、前記磁気抵抗膜の前記下縁に実質的に直角な側縁を
    有する、請求項３記載の磁気抵抗ヘッド。
  5. 【請求項５】絶縁層と、前記絶縁層上に設けられる磁気
    抵抗膜であって、磁気媒体に近接して配置される下縁
    と、第１の外縁を有する第１の側と、第２の外縁を有す
    る第２の側とを有し、前記第１の外縁が前記下縁に実質
    的に直角な下部と、前記下縁と鈍角を成す方向に延びる
    上部とを有する、前記磁気抵抗膜と、 前記絶縁層上に設けられ、前記第１の外縁において前記
    磁気抵抗膜に電気的に接続される第１のリード層と、 前記絶縁層上に設けられ、前記第２の外縁において前記
    磁気抵抗膜に電気的に接続される第２のリード層と、 を含む、磁気抵抗ヘッド。
  6. 【請求項６】前記磁気抵抗膜の前記第２の外縁が前記下
    縁に実質的に直角な下部と、前記下縁と鈍角を成す方向
    に延びる上部とを有する、請求項５記載の磁気抵抗ヘッ
    ド。
  7. 【請求項７】前記磁気抵抗膜の前記第１の外縁の前記下
    部が前記下縁に直角な方向に測定される、前記第１の外
    縁の前記上部の高さよりも小さな高さを有する、請求項
    ６記載の磁気抵抗ヘッド。
  8. 【請求項８】前記磁気抵抗膜の前記第１の外縁に接する
    側縁を有する第１のハード・バイアス・マグネット層を
    含み、前記第１のハード・バイアス・マグネット層の一
    部が前記絶縁層と前記第１のリード層との間に挟まれ
    る、請求項５記載の磁気抵抗ヘッド。
  9. 【請求項９】前記第１のリード層が前記磁気抵抗膜に面
    し、前記第１のハード・バイアス・マグネット層の前記
    側縁と実質的に同一に延びる側縁を有する、請求項８記
    載の磁気抵抗ヘッド。
  10. 【請求項１０】前記磁気抵抗膜の前記第２の外縁が前記
    下縁に実質的に直角な下部と、前記下縁と鈍角を成す方
    向に延びる上部とを有する、請求項９記載の磁気抵抗ヘ
    ッド。
  11. 【請求項１１】前記磁気抵抗膜の前記第２の側に接する
    側縁を有する第２のハード・バイアス・マグネット層を
    含み、前記第２のハード・バイアス・マグネット層の一
    部が前記絶縁層と前記第２のリード層との間に挟まれ
    る、請求項１０記載の磁気抵抗ヘッド。
  12. 【請求項１２】前記第２のリード層が前記磁気抵抗膜に
    面し、前記第２のハード・バイアス・マグネット層の前
    記側縁と実質的に同一に延びる側縁を有する、請求項１
    １記載の磁気抵抗ヘッド。
  13. 【請求項１３】前記磁気抵抗膜が前記下縁に対向する上
    縁を有し、前記下縁に直角な方向に測定される前記下縁
    と前記上縁間の高さが前記第２の外縁から前記第１の外
    縁に向けて狭まる、請求項１２記載の磁気抵抗ヘッド。
  14. 【請求項１４】前記磁気抵抗膜が前記下縁に対向する上
    縁を有し、前記下縁に直角な方向に測定される前記下縁
    と前記上縁間の高さが前記第２の外縁から前記第１の外
    縁に向けて狭まる、請求項５記載の磁気抵抗ヘッド。
  15. 【請求項１５】前記磁気抵抗膜の前記上縁の一部が曲線
    を描く、請求項１４記載の磁気抵抗ヘッド。
  16. 【請求項１６】磁気抵抗ヘッドを製造する方法であっ
    て、 ａ）磁気抵抗膜が磁気媒体に近接して配置される下縁
    と、前記下縁と鈍角を成す方向に延びる第１の外縁を有
    する第１の側と、前記下縁に実質的に直角な第２の外縁
    を有する第２の側とを有するように、絶縁層の第１の部
    分上に磁気抵抗膜を形成する工程と、 ｂ）第１のハード・バイアス・マグネット層の側縁が前
    記磁気抵抗膜の前記第１の外縁に接するように、前記絶
    縁層の第２の部分上に前記第１のハード・バイアス・マ
    グネット層を付着する工程と、 ｃ）第１のリード層が前記第１のハード・バイアス・マ
    グネット層を通じて前記磁気抵抗膜に電気的に接続され
    るように、前記第１のハード・バイアス・マグネット層
    上に前記第１のリード層を付着する工程と、 ｄ）第２のハードバイアス・マグネット層の側縁が前記
    磁気抵抗膜の前記第２の外縁に接するように、前記絶縁
    層の第３の部分上に前記第２のハード・バイアス・マグ
    ネット層を付着する工程と、 ｅ）第２のリード層が前記第２のハード・バイアス・マ
    グネット層を通じて前記磁気抵抗膜に電気的に接続され
    るように、前記第２のハード・バイアス・マグネット層
    の部分上に前記第２のリード層を付着する工程と、を含
    む、方法。
  17. 【請求項１７】前記工程ｃ）が、前記第１のハード・バ
    イアス・マグネット層の一部が露出されるように、前記
    第１のリード層の側縁が前記磁気抵抗膜に面し、前記磁
    気抵抗膜の前記下縁に実質的に直角に延びるように、前
    記第１のリード層の側縁を形成するサブ工程を含む、請
    求項１６記載の方法。
  18. 【請求項１８】磁気抵抗ヘッドを製造する方法であっ
    て、 ａ）磁気抵抗膜が磁気媒体に近接して配置される下縁
    と、第１の外縁を有する第１の側と、第２の外縁を有す
    る第２の側とを有するように、絶縁層の第１の部分上に
    磁気抵抗膜を形成する工程であって、前記第１の外縁が
    前記下縁に実質的に直角な第１の部分と、下縁と鈍角を
    成す方向に延びる第２の部分とを有する前記形成工程
    と、 ｂ）第１のハード・バイアス・マグネット層の側縁が前
    記磁気抵抗膜の前記第１の外縁に接するように、前記絶
    縁層の第２の部分上に前記第１のハード・バイアス・マ
    グネット層を付着する工程と、 ｃ）第１のリード層が前記第１のハード・バイアス・マ
    グネット層を通じて前記磁気抵抗膜に電気的に接続され
    るように、前記第１のハード・バイアス・マグネット層
    上に前記第１のリード層を付着する工程と、 ｄ）第２のハード・バイアス・マグネット層の側縁が前
    記磁気抵抗膜の前記第２の外縁に接するように、前記絶
    縁層の第３の部分上に前記第２のハード・バイアス・マ
    グネット層を付着する工程と、 ｅ）第２のリード層が前記第２のハード・バイアス・マ
    グネット層を通じて前記磁気抵抗膜に電気的に接続され
    るように、前記第２のハード・バイアス・マグネット層
    上に前記第２のリード層を付着する工程と、 を含む、方法。
  19. 【請求項１９】前記工程（ａ）が、前記磁気抵抗膜が前
    記下縁に対向する上縁を有し、前記下縁に直角な方向に
    測定される前記下縁と前記上縁間の高さが、前記第２の
    外縁から前記第１の外縁に向けて狭まるように、前記磁
    気抵抗膜を形成するサブ工程を含む、請求項１８記載の
    方法。
  20. 【請求項２０】ハウジングと、 前記ハウジング内に設けられ、軸の回りを回転する少な
    くとも１つのディスクと、 前記軸の回りにパターン状に配列されて、前記ディスク
    の少なくとも一方の表面上にデータを記憶する複数のト
    ラックと、 磁気抵抗ヘッドであって、 絶縁層と、 前記絶縁層上に設けられる磁気抵抗膜であって、磁気媒
    体に近接して配置される下縁と、前記下縁と鈍角を成す
    方向に延びる第１の外縁を有する第１の側と、前記下縁
    に実質的に直角な第２の外縁を有する第２の側とを有す
    る、前記磁気抵抗膜と、 前記絶縁層上に設けられ、前記第１の外縁において前記
    磁気抵抗膜に電気的に接続される第１のリード層と、 前記絶縁層上に設けられ、前記第２の外縁において前記
    磁気抵抗膜に電気的に接続される第２のリード層と、 を含む、前記磁気抵抗ヘッドと、 前記磁気抵抗ヘッドに動作的に結合され、前記磁気抵抗
    ヘッドを前記ディスクの前記表面に対して移動するアク
    チュエータと、 を含む、直接アクセス記憶装置。
  21. 【請求項２１】ハウジングと、 前記ハウジング内に設けられ、軸の回りを回転する少な
    くとも１つのディスクと、 前記軸の回りにパターン状に配列されて、前記ディスク
    の少なくとも一方の表面上にデータを記憶する複数のト
    ラックと、 磁気抵抗ヘッドであって、 絶縁層と、 前記絶縁層上に設けられる磁気抵抗膜であって、磁気媒
    体に近接して配置される下縁と、第１の外縁を有する第
    １の側と、第２の外縁を有する第２の側とを有し、前記
    第１の外縁が前記下縁に実質的に直角な下部と、前記下
    縁と鈍角を成す方向に延びる上部とを有する、前記磁気
    抵抗膜と、 前記絶縁層上に設けられ、前記第１の外縁において前記
    磁気抵抗膜に電気的に接続される第１のリード層と、 前記絶縁層上に設けられ、前記第２の外縁において前記
    磁気抵抗膜に電気的に接続される第２のリード層と、 を含む、前記磁気抵抗ヘッドと、 前記磁気抵抗ヘッドに動作的に結合され、前記磁気抵抗
    ヘッドを前記ディスクの前記表面に対して移動するアク
    チュエータと、 を含む、直接アクセス記憶装置。
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