JP2003030803A

JP2003030803A - 磁気ヘッド組立体およびその製造方法

Info

Publication number: JP2003030803A
Application number: JP2002162342A
Authority: JP
Inventors: Yimin Hsu; イミン・フスー; Hugo Alberto Emilio Santini; ヒューゴ・アルベルト・エミリオ・サンティニ
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 2001-06-18
Filing date: 2002-06-04
Publication date: 2003-01-31
Also published as: US20020191349A1; US6952326B2; US20040070872A1; US6693769B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】磁気ヘッド組立体に関し、高効率かつ高デー
タ転送速度で狭トラック幅の記録ヘッドを提供する。【解決手段】磁気ヘッド組立体２００は、第１の磁極
片および第２の磁極片と、第１のコイル層２０６および
第２のコイル層２３０とを備えている。第２の磁極片
は、空気ベアリング面（ＡＢＳ）の一部を形成するとと
もに記録ヘッドのトラック幅を画定する強磁性のポール
・チップ２１６を備えている。第１の磁極片とポール・
チップ２１６との間には、記録ギャップ層２１４が位置
している。誘電体の第１の絶縁層２２６が、ポール・チ
ップ２１６の第１の側面と第２の側面に接触するととも
に、第１のコイル層２０６と第２のコイル層２３０との
間に位置している。第２の磁極片は、ポール・チップ２
１６および第１の磁極片の各々に磁気的に接続するとと
もに、第２のコイル層２３０の全面に伸びる強磁性の第
２の磁極片構造体２３２を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、データ転送速度の
大きな記録ヘッドに関し、特に、長さが短く、狭ピッチ
の二重コイルと、各コイル用の大ヒート・シンクと、ア
スペクト比が大きく十分に画定された第２のポール・チ
ップとを備えた大線記録密度の記録ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク駆動装置は、コンピュータ
の心臓部である。磁気ディスク駆動装置は、次のものを
備えている。すなわち、回転する磁気ディスクと、記録
ヘッドと再生ヘッドを備えたスライダと、回転するディ
スク上に位置するサスペンション・アームと、サスペン
ション・アームを旋回させて記録ヘッドと再生ヘッドを
回転するディスク上の選択した円形のトラック上に位置
させるアクチュエータ・アームとである。ディスクが回
転していないとき、サスペンション・アームは、スライ
ダを一方に片寄らせてディスクの表面と接触させる。デ
ィスクが回転しているときには、回転するディスクによ
ってスライダのＡＢＳ（空気ベアリング面）近傍に空気
が渦巻くので、スライダは、回転するディスクの表面か
らわずかに離れた空気ベアリングの上に乗る。スライダ
が空気ベアリングの上に乗っているときに、記録ヘッド
と再生ヘッドを使って、回転するディスクに磁気の痕跡
（こんせき）を書き込んだり、回転するディスクから磁
気信号磁界を読み取ったりする。記録ヘッドと再生ヘッ
ドは、記録（書き込み）機能と再生（読み出し）機能を
実装（implement)しているコンピュータ・プログラムに
従って動作する処理回路に接続されている。

【０００３】記録ヘッドは、通常、強磁性の第１の磁極
片と第２の磁極片を使用する。これら第１の磁極片と第
２の磁極片は、磁気媒体、たとえば回転する磁気ディス
ク上のトラックに磁気の痕跡を書き込むために、磁束信
号を担持することができる。第１の磁極片と第２の磁極
片は、各々、ポール・チップ領域とバック・ギャップ領
域との間に設けられたヨーク領域を備えている。ポール
・チップ領域は、ＡＢＳに位置している。バック・ギャ
ップ領域は、ポール・チップ領域から離間され、記録ヘ
ッド内の凹（へこ）んだ場所に位置している。ヨーク領
域の第１の磁極片と第２の磁極片との間に位置する絶縁
スタックに、少なくとも１つのコイル層が組み込まれて
いる。第１の磁極片のポール・チップ領域と第２の磁極
片のポール・チップ領域との間に、非磁性の記録ギャッ
プが位置している。第１の磁極片と第２の磁極片とは、
バック・ギャップにおいて磁気的に接続されている。処
理回路は、記録コイルをディジタルに駆動する。記録コ
イルは、第１の磁極片と第２の磁極片の中に磁束を誘導
する。この結果、磁束信号がＡＢＳにおいて記録ギャッ
プの両端を橋絡し、回転するディスクのトラックに上述
した磁気の痕跡すなわちビットを書き込む。

【０００４】記録ヘッドは、通常、面密度で評価され
る。面密度は、線ビット密度とトラック幅密度との積で
ある。線ビット密度とは、回転する磁気ディスクのトラ
ックに沿う１インチ当りに記録できるビット数のことで
ある。トラック幅密度とは、回転する磁気ディスクの半
径に沿う１インチ当りに記録できるトラック数のことで
ある。線ビット密度はＢＰＩ（bits per inch)として数
量化され、トラック幅密度はＴＰＩ（tracks per inch)
として数量化される。線ビット密度は、記録ギャップ層
の厚さに依存する。記録ギャップ層が薄くなるほど、回
転するディスクのトラックに記録ヘッドが記録できるビ
ット数が多くなる。トラック幅密度は、ＡＢＳにおける
第２のポール・チップの幅に直接に依存する。過去数年
にわたる記録ヘッドの面密度を向上させる努力の結果、
コンピュータの記憶容量は、キロバイトからメガバイ
ト、ギガバイトへと増大した。

【０００５】第１の磁極片と第２の磁極片は、第２のポ
ール・チップを含めて、通常、めっき技法によって製造
する。第２のポール・チップをサブミクロン幅を有する
ように製造することが強く求められているけれども、製
造技法の解像度によって制限されている。第２のポール
・チップは、通常、フレームめっきによって製造する。
この場合、フレームを形成するのにフォトレジストを使
用し、めっき動作用の戻り経路を構成するのにシード層
を使用する。第２のポール・チップを製造する典型的な
手順は、第１の磁極片と第２の磁極片の他の構成要素と
同様に、次のとおりである。（１）ウェーハをスパッタ洗浄する。（２）ウェーハ上にニッケル鉄などのシード層をスパッ
タ堆積する。（３）ウェーハ上にフォトレジスト層をスピン塗布す
る。（４）マスクを通してフォトレジスト層の除去すべき領
域を露光する（ただし、当該フォトレジストはポジ型フ
ォトレジストであると仮定する）。（５）フォトレジストを現像して露光した領域を除去
し、フォトレジスト中のポール・チップ領域に開口を形
成する。（６）開口中に第２のポール・チップをめっきして所望
の高さにする。

【０００６】必要なのは、第２のポール・チップがＡＢ
Ｓにおいて十分なかさを有するようにして、磁気ディス
クに信号を書き込むのに必要な量の磁束を透過しうるよ
うにすることである。第２のポール・チップを薄く作成
する場合には、その高さを高くして、必要なかさの磁性
材料を確保する必要がある。あいにく、トラック幅が狭
くなる、すなわち第２のポール・チップが薄くなるのに
つれて、フォトレジストの解像度が低下する。解像度
は、第２のポール・チップの幅をフォトレジストの厚さ
で割ったアスペクト比として数量化される。第２のポー
ル・チップの幅に比してフォトレジストが厚くなると、
露光工程において、光がフォトレジストの底部に向かっ
て侵入するのにつれて、光の侵入形状が柱状でなくな
る。この結果、フォトレジスト・フレームの側壁がぎざ
ぎざになるので、第２のポール・チップの側壁もぎざぎ
さになってしまう。

【０００７】上述した問題が顕著になるのは、第２のポ
ール・チップと第２の磁極片のヨークとを共通のフォト
レジスト・フレームで同時にめっきする場合である。こ
の場合、第２のポール・チップの高さが高くなるのにつ
れて側壁が失われるのに加え、フォトレジストしたがっ
て第２のポール・チップの側壁に刻み目も生じる。これ
は、シード層が出す光がポール・チップ領域のすぐ背後
にある絶縁スタックで反射するのに起因する。この問題
を解決する１つの方法は、縫い合わせ「Ｔ」形（stitch
ed "T"-shaped)の磁極片を用いることである。これを作
製するには、まず第１のフォトレジスト・フレームで第
２のポール・チップ部だけを形成した後、第２のフォト
レジスト・フレームで第２の磁極片のヨーク部を形成す
る。その際、ヨーク部を第２のポール・チップ上部の縫
い合わせ領域に縫い合わせる（すなわち磁気的に接続す
る）ようにする。この型の第２の磁極片が縫い合わせ
「Ｔ」形と呼ばれているのは、ヨーク部がポール・チッ
プ部の上を横切って伸びて「Ｔ」形を形成しているから
である。ヨーク部は、第２のポール・チップの表面全体
にわたって縫い合わせてもよい。この場合、ヨーク部
は、所望により、ＡＢＳに露出していてもよいし、ある
いは、ＡＢＳから凹（へこ）んでいてもよい。しかしな
がら、以上の解決策の場合、あいにく、第２のポール・
チップの形成に引き続く工程によって、第２のポール・
チップの高さが低くなるとともに、その側壁に大きな損
傷を受ける可能性がある。

【０００８】記録ヘッドの上述した面密度を増大させる
ことが、依然として強く求められている。線ビット密度
が増大すると、記録ヘッドのデータ転送速度が大きくな
る。そして、第２のポール・チップを狭く製造するほ
ど、トラック幅密度が増大する。目標は、１Ｇｂｐｓと
いう大データ転送速度を達成することである。これは、
回転する磁気ディスクのトラックの長さに沿う１インチ
当たりに、記録ヘッドがより多くのビットを記録するこ
とが必要になる、ということを意味している。これは、
さらに、磁気ディスク材料の保磁力を増大させて、トラ
ックに沿うより小さなビットで、再生ヘッドが検知しう
るのに十分な磁界を発生させることが必要になる、とい
うことを意味している。保磁力とは、所定ビットの磁化
の配向をディスク面と平行な一方向から反対方向に反転
させるのに要する印加磁界量のことである。データ転送
速度を大きくするにはディスクの磁性材料の保磁力を大
きくする必要があるから、記録ヘッドは、磁気ディスク
中のビットを一方向から反対方向に反転させるのにより
高密度の磁界を発生させる能力を有さねばならない。異
なる方向は、ディジタル情報を表わしている。このディ
ジタル情報を処理すると、人間が識別できる情報が得ら
れる。記録ヘッドが保磁力の大きなディスクに磁気ビッ
トを記録するには、記録ヘッドの記録信号の大きさがデ
ィスクのこの大きな保磁力を上回っている必要がある。
この機能を実現するには、記録ヘッドは、きわめて効率
的であらねばならない。

【０００９】データ転送速度を大きくする方法の１つ
は、コイル層のピッチを狭くすることである。ピッチと
は、コイルの１ターン（１巻き）の幅に、あるターンと
次のターンとの間の空間を加えた距離のことである。コ
イルのピッチは、１μｍ以下であるのが望ましい。あい
にく、コイルのピッチを狭くしてデータ転送速度を大き
くすると、記録ヘッドは、熱の増大と、第１の磁極片と
第２の磁極片との間に生じる渦電流の増大との影響を受
けるようになる。渦電流によって、書き込み電流が減少
する。そして、書き込み電流の減少によって、記録ヘッ
ドのギャップの両端にかかる書き込み信号が小さくなっ
てしまう。そこで、書き込み信号を大きくしようとして
書き込み電流を大きくすると、発生する熱量が増大して
しまう。熱が過大になると、記録ヘッドの少なくとも１
つの層がＡＢＳを突き破って記録ヘッドを破壊する可能
性がある。このＡＢＳの突き破りが生じるのは、記録ヘ
ッドの絶縁スタック中の少なくとも１つのフォトレジス
ト層が過度に膨張するからである。記録ヘッド中の渦電
流を低減する方法の１つは、ＡＢＳとバック・ギャップ
との間の長さを短くすることである。これは、積層した
２つのコイル層を用いて実現することができる。記録ヘ
ッドの長さを短くすると、第１の磁極片と第２の磁極片
との間の漏れ磁束を最小にすることもできる。ところ
が、あいにく、第１のコイル層の断面形状のために、第
１のコイル層の上にピッチの狭い第２のコイル層を作製
するのが困難である。次の点が判明している。すなわ
ち、第１のコイル層の上をいかに平坦化しても、第１の
コイル層の断面形状が第２のコイル層の作製に影響して
しまう。この結果、第２のコイル層のピッチを広くし
て、第２のコイル層のターン間が短絡するのを防ぐ必要
が生じる。さらに、第１のコイル層はその下部層群から
成るヒート・シンクを備えているけれども、第２のコイ
ル層は十分なヒート・シンクを備えていない。これらの
問題点によって、大きなデータ転送速度を実現する２重
コイル型記録ヘッドを作製するのは困難であった。

【００１０】高面密度記録ヘッド作製の別の側面は、記
録ヘッドのトラック幅密度である。トラック幅密度は、
第２のポール・チップの第１の側壁（以下、側面ともい
う）と第２の側壁との間の距離に全面的に依存してい
る。第２のポール・チップは、通常、フレームめっきを
用いて作製している。第２のポール・チップが第２の磁
極片の分離した構成要素であって、第２の磁極片のヨー
ク部を作製する前に作製するものである場合には、第２
のポール・チップの第１の側面と第２の側面を十分に画
定することができる。しかしながら、あいにく、第２の
ポール・チップを形成した後になると、第１の側面と第
２の側面は、引き続く第２のコイル層の作製に関係する
工程群によって大幅に変形されてしまう。したがって、
高トラック幅密度を達成するには、第２のポール・チッ
プの作製後、第２のポール・チップの第１の側面と第２
の側面を保護する必要がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高効
率かつ高データ転送速度で狭トラック幅の記録ヘッドを
提供することである。

【００１２】本発明の別の目的は、狭ピッチで高解像度
の上部コイル層および底部コイル層と、各コイル層用の
大ヒート・シンクと、高解像度の第２のポール・チップ
とを備えた高効率な記録ヘッドを提供することである。

【００１３】本発明の別の目的は、平坦かつ積層された
磁極片ヨークを備えた上述の記録ヘッドを提供すること
である。

【００１４】本発明の別の目的は、上述した記録ヘッド
の製造方法を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、きわめて効率
的でデータ転送速度が大きくトラック幅の狭い記録ヘッ
ド提供する。本発明に係る記録ヘッドは、底部記録コイ
ル（第１の記録コイル）と上部記録コイル（第２の記録
コイル）というように２つの記録コイルを備えているの
で、ＡＢＳ（空気ベアリング面）とバック・ギャップと
の間の距離を短くすることができる。ＡＢＳとバック・
ギャップとの間の距離を短くすると、渦電流と漏れ磁束
が低減する。底部記録コイルと上部記録コイルとの間に
は、厚い絶縁層（アルミナが望ましい）が設けてある。
この厚い絶縁層が、上部記録コイル用のヒート・シンク
として効率的に機能する。この厚い絶縁層は平坦化して
あるので、底部記録コイルの断面形状が上部記録コイル
中に複製されることはない。これにより、上部記録コイ
ルを狭ピッチに作製することができるので、データ転送
速度を大きくすることができる。さらに、上部記録コイ
ルと底部記録コイルの両者は作製直後に保護し、しかる
のちに引き続く工程を実行しているので、両コイルの変
形および／または両コイルのターン群間の短絡を防ぐこ
とができる。（「Ａおよび／またはＢ」は「Ａおよび
Ｂ、Ａ、またはＢ」を表わす）。本発明の別の側面で
は、第２の磁極片のヨークを平坦に作製しているので、
磁束伝達能力を高めることができる。さらに、ヨークを
平坦にすると、当該ヨークを誘電体膜と強磁性膜とを交
互に積層して作製できるから、渦電流をさらに低減でき
るとともに発熱量を低減できる。

【００１６】上述したように、本発明に係る記録ヘッド
は、第１の磁極片および第２の磁極片と、第１のコイル
層および第２のコイル層とを備えている。本発明の一側
面は、第１の磁極片と第２の磁極片を、記録ヘッドのフ
ロント領域とバック・ギャップ領域に位置する選択した
強磁性の構成要素で形成することである。これに関し、
第２の磁極片は、ＡＢＳの一部を形成するポール・チッ
プ構成要素、および、第１の磁極片とポール・チップ構
成要素との間に位置する記録ギャップ層を備えている。
厚い絶縁層が、ポール・チップ構成要素の第１の側面、
第２の側面、および、バック面に接触するとともに、第
１のコイル層と第２のコイル層との間に位置している。
第２の磁極片は、ポール・チップ構成要素と第１の磁極
片に磁気的に接続するとともに、第２のコイル層の全面
に伸びる第２の磁極片構造体を備えている。ポール・チ
ップ構成要素のＡＢＳにおける幅は、記録ヘッドのトラ
ック幅を画定するものである。また、好適な実例では、
厚い絶縁層は、アルミナから成っている。

【００１７】好適な実例では、第１の磁極片は、フロン
ト・ペデスタル（あるいは単にペデスタル）とバック・
ギャップ構成要素を備えている。そして、フロント・ペ
デスタルとバック・ギャップ構成要素との間に、底部コ
イル層が位置している。絶縁層が、第１のコイル層（底
部コイル層）を第１の磁極片から絶縁している。そし
て、別の絶縁層が、第１のコイル層のターン群を絶縁し
ている。第１のコイル層と上記別の絶縁層とは平坦化さ
れて、第１の同一平面表面を形成している。この実例で
は、記録ギャップ層は、ペデスタルとポール・チップと
の間に位置している。

【００１８】好適な実例では、第２の磁極片は、第１の
磁極片のバック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した
バック・ギャップ構成要素を備えている。そして、ポー
ル・チップと第２の磁極片のバック・ギャップ構成要素
との間には、厚い絶縁層が位置している。第２の磁極片
のポール・チップおよびバック・ギャップ構成要素、な
らびに、厚い絶縁層は、平坦化されて、第２の同一平面
表面を形成している。第２の磁極片構造体は、第２の磁
極片のポール・チップ構成要素とバック・ギャップ構成
要素に磁気的に接続するとともに、第２のコイルすなわ
ち上部コイルの全面に伸びている。さらに別の絶縁層
が、第２のコイルそしてを第２の磁極片構造体から絶縁
している。

【００１９】一実例では、磁極片構造体は、単層であ
る。別の実例では、磁極片構造体は、強磁性のフロント
構成要素およびバック・ギャップ構成要素と、強磁性の
磁極片ヨークとを備えている。第２の磁極片構造体のフ
ロント構成要素とバック・ギャップ構成要素は、第２の
磁極片のポール・チップ構成要素とバック・ギャップ構
成要素にそれぞれ磁気的に接続している。そして、第２
の磁極片構造体のフロント構成要素およびバック・ギャ
ップ構成要素、ならびに、厚い絶縁層は、平坦化され
て、第３の同一平面表面を形成している。ヨークは、平
坦な層として形成されており、かつ、第２の磁極片構造
体のフロント構成要素とバック・ギャップ構成要素に磁
気的に接続しており、かつ、上部コイル層の全面に伸び
ている。

【００２０】

【発明の実施の形態】

【００２１】〔磁気ディスク駆動装置〕

【００２２】次に、図面を参照する。図中、同一の参照
符号は、同一または同様の部品を表わしている。図１
（ａ）〜（ｃ）は、磁気ディスク駆動装置３０を示す図
である。磁気ディスク駆動装置３０は、磁気ディスク３
４を支持するとともに回転させるスピンドル３２を備え
ている。スピンドル３２は、モータ・コントローラ３８
が制御するスピンドル・モータ３６が回転させる。スラ
イダ４２は、組み合わせ記録／再生ヘッド４０を備える
とともに、サスペンション４４とアクチュエータ・アー
ム４６によって支持されている。サスペンション４４と
アクチュエータ・アーム４６は、アクチュエータ４７が
回転・位置決めする。図１（ｃ）に示す大容量のＤＡＳ
Ｄ（直接アクセス記憶装置）では、ディスク、スライ
ダ、およびサスペンションをそれぞれ複数個用いてい
る。アクチュエータ４７がアクチュエータ・アーム４６
とサスペンション４４を駆動してスライダ４２を位置決
めする。この結果、磁気ヘッド４０は、磁気ディスク３
４の表面と変換関係をもつことができるようになる。

【００２３】スピンドル・モータ３６がディスク３４を
回転させると、スライダ４２は、ディスク３４の表面と
ＡＢＳ（空気ベアリング面）４８との間に生じる薄い
（通常０．０５μｍ）空気のクッションの上に支持され
ることになる。次いで、磁気ヘッド４０を用いて、ディ
スク３４の表面に設けられた複数のトラックに情報を書
き込んだり、それらから情報を読み出したりする。処理
回路５０は、このような情報を表わす信号をヘッド４０
と交換したり、スピンドル・モータ３６に磁気ディスク
３４を回転させる駆動信号を供給したり、スライダ４２
を様々なトラックに移動させる制御信号をアクチュエー
タ４６に供給したりする。図２（ａ）に、サスペンショ
ン４４に搭載したスライダ４２を示す。上述した構成要
素は、図１（ｃ）に示すように、筐体５５のフレーム５
４に搭載することができる。

【００２４】図２（ｂ）は、スライダ４２と磁気ヘッド
４０のＡＢＳを示す図である。スライダ４２は、磁気ヘ
ッド４０を支持する中央レール５６と、側部レール５
８、６０を備えている。レール５６、５８、６０は、横
断レール６２から伸びている。磁気ディスクの回転に対
して、横断レール６２はスライダ４２のリーディング・
エッジ６４に位置しており、磁気ヘッド４０はスライダ
４２のトレーリング・エッジ６６に位置している。

【００２５】図３（ａ）は、併合型磁気ヘッド４０の側
断面図である。併合型磁気ヘッド４０は、記録ヘッド部
７０と再生ヘッド部７２を備えている。再生ヘッド部７
２には、センサ７４が設けられている。図３（ｂ）は、
図３（ａ）のＡＢＳを示す図である。センサ７４は、非
磁性電気絶縁性の第１の再生ギャップ７６と第２の再生
ギャップ７８との間に挟まれている。第１の再生ギャッ
プ７６と第２の再生ギャップ７８は、強磁性の第１のシ
ールド層８０と第２のシールド層８２との間に挟まれて
いる。外部磁界に応答して、センサ７４の抵抗値が変化
する。センサ７４の抵抗変化は、センサ７４中を流れる
センス電流Ｉ_s によって、電位の変化として現れる。次
いで、この電位の変化は、図１（ｃ）に示す処理回路５
０が再生信号として処理する。

【００２６】磁気ヘッド４０の記録ヘッド部７０は、第
１の絶縁層８６と第２の絶縁層８８との間に挟まれたコ
イル層８４を備えている。第３の絶縁層９０を用いてヘ
ッドを平坦化することにより、コイル層８４によって第
２の絶縁層８８に生じたしわを除去することができる。
第１、第２、第３の絶縁層８６、８８、９０は、当技術
分野では、「絶縁スタック」と呼ばれている。コイル層
８４と第１、第２、第３の絶縁層８６、８８、９０と
は、第１の磁極片層９２と第２の磁極片層９４との間に
挟まれている。第１の磁極片層９２と第２の磁極片層９
４は、バック・ギャップ９６で磁気的に接続されるとと
もに、第１のポール・チップ９８と第２のポール・チッ
プ１００を備えている。第１のポール・チップ９８と第
２のポール・チップ１００は、ＡＢＳにおいて記録ギャ
ップ層１０２によって分離されている。第２のシールド
層８２と第１の磁極片層９２が共通の層であるから、こ
のヘッドは、併合型ヘッドと呼ばれている。ピギーバッ
ク型ヘッドでは、これら第２のシールド層８２と第１の
磁極片層９２は、絶縁層によって分離された別々の層で
ある。図１（ｂ）と図２（ａ）に示すように、第１のは
んだ接続部１０４と第２のはんだ接続部１０６が、セン
サ７４から出るリード線をサスペンション４４上のリー
ド線１１２、１１４にそれぞれ接続している。そして、
第３のはんだ接続部１１６と第４のはんだ接続部１１８
が、コイル８４（図３（ｃ）参照）から出るリード線を
サスペンション４４上のリード線１２４、１２６にそれ
ぞれ接続している。

【００２７】図４（ａ）は、ヘッド組立体４０の行と列
を製造したウェーハ１３０の等角図である。本発明の一
側面は、以下で詳述するように、ヘッド組立体の諸層を
製造する様々な段階においてウェーハを平坦化すること
である。これには、ウェーハ上にアルミナの厚い層を堆
積したのち、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing)
を行なってヘッド組立体中の他の諸層と一緒にこのアル
ミナ層を平坦に研磨する工程が含まれる。ウェーハ１３
０上でヘッド組立体４０の製造が完了したら、ウェーハ
１３０を個々の行にダイシングする。行の１つ１３２を
図３（ｂ）に示す。次いで、行１３２の表面１３４を研
磨して（これは磨き工程である）、上述したＡＢＳを形
成する。研磨したのち、行１３２を個々の磁気ヘッド４
０にダイシングする。磁気ヘッド４０の１つ４０を図４
（ｃ）に示す。次いで、磁気ヘッド４０を支持している
スライダ４２を、図２（ａ）に示すサスペンション４４
に搭載する。

【００２８】〔磁気ヘッド組立体〕

【００２９】図５（ａ）と図６（ａ）は、本発明の第１
の実施形態をなす磁気ヘッド組立体２００を示す図であ
る。磁気ヘッド組立体２００は、組み合わせ型の記録／
再生ヘッドを備えている。再生ヘッドは、第１の再生ギ
ャップ層７６と第２の再生ギャップ層７８との間に設け
られた上述したセンサ７４を備えている。第１の再生ギ
ャップ層７６と第２の再生ギャップ層７８は、第１のシ
ールド層８０と第２のシールド層８２との間に設けられ
ている。上述したように、第２のシールド層８２は、記
録ヘッド用の第１の磁極片層９２としても機能する。ま
た、任意実行事項として、記録ヘッド用の第１の磁極片
層として、別の層（図示せず）を用いてもよい。この場
合、第１の磁極片層と第２のシールド層８２との間に誘
電体分離層を設ける。

【００３０】記録ヘッドの第１の磁極片は、第１の磁極
片層９２に加え、ＡＢＳに位置するとともにＡＢＳの一
部を形成するペデスタル２０２と、バック・ギャップに
位置するバック・ギャップ構成要素２０４とを備えてい
る。ペデスタル２０２とバック・ギャップ構成要素２０
４との間の第１の磁極片層９２の上に誘電体の絶縁層２
０５が位置している。絶縁層２０５の上には、第１の記
録コイル層２０６が位置している。第１の記録コイル層
２０６も、ペデスタル２０２とバック・ギャップ構成要
素２０４との間に位置している。絶縁層２０７は、記録
コイル２０６のターンを互いに絶縁するのに加え、ペデ
スタル２０２およびバック・ギャップ構成要素２０４か
ら記録コイルを絶縁している。好適な実施形態では、絶
縁層２０７は、ハード・ベークしたフォトレジスト膜２
０８とアルミナ層２１０とを備えている。ハード・ベー
クしたフォトレジスト膜２０８は、記録コイル２０６の
ターン間を絶縁している。アルミナ層２１０は、ペデス
タル２０２およびバック・ギャップ構成要素２０４から
記録コイル２０６をさらに絶縁している。この段階で、
記録ヘッドは平坦化されているから、ペデスタル２０
２、バック・ギャップ構成要素２０４、記録コイル２０
６、ハード・ベークしたフォトレジスト２０８、およ
び、アルミナ層２１０は、第１の同一平面表面２１２を
形成している。第１の同一平面表面２１２は、フロント
領域とバック・ギャップ領域との間に位置する中間領域
を有する。バック・ギャップ構成要素２０４を除くウェ
ーハ全面に、記録ギャップ層２１４が伸びている。した
がって、記録ギャップ層２１４は、ペデスタル２０２の
表面に直接に位置するとともに、記録コイル層２０６の
表面に直接に位置している。

【００３１】第２の磁極片は、ポール・チップ２１６と
バック・ギャップ構成要素２１８を備えている。ポール
・チップ２１６は、記録ギャップ層２１４のフロント領
域上に位置している。バック・ギャップ構成要素２１８
は、第１の磁極片のバック・ギャップ構成要素２０４に
磁気的に接続されている。ポール・チップ２１６は、図
６（ａ）に示すように、第１の側壁２１９と第２の側壁
２２０を有する（以下では側壁の代わりに側面ともい
う）。第１の側壁２１９と第２の側壁２２０は、記録ヘ
ッドのトラック幅（ＴＷ）を画定する幅だけ離間してい
る。ポール・チップ２１６は、フロント面２２２とバッ
ク面２２４も有する。フロント面２２２は、ＡＢＳに位
置しており、第１の磁極片のペデスタル２０２に磁束を
転送する。バック面２２４は、記録ヘッド内に凹（く
ぼ）んでいる。ポール・チップ２１６とバック・ギャッ
プ構成要素２１８との間には、誘電体の厚い絶縁層２２
６が設けられている。この段階でも記録ヘッドは平坦化
されているから、ポール・チップ２１６の表面、バック
・ギャップ構成要素２１８の表面、および、厚い絶縁層
２２６の表面は、第２の同一平面表面２２８を形成して
いる。第２の同一平面表面２２８は、フロント領域とバ
ック・ギャップ領域との間に位置する中間領域を有す
る。第２の同一平面表面２２８の中間領域上であって、
第１の記録コイル層２０６のほぼ直上に、第２の記録コ
イル２３０が位置している。

【００３２】第２の磁極片は、さらに、第２の磁極片構
造体２３２を備えている。第２の磁極片構造体２３２
は、フロント領域でポール・チップ２１６に磁気的に接
続するとともに、バック・ギャップ領域でバック・ギャ
ップ構成要素２１８に磁気的に接続している。好適な実
施形態では、ハード・ベークしたフォトレジスト層２３
４が、記録コイル２３０のターン間、および、記録コイ
ルとその全体に伸びる第２の磁極片構造体２３２との間
をそれぞれ絶縁している。第２の磁極片構造体２３２の
表面には、記録ヘッドを保護する被覆層２３６が形成さ
れている。重要な留意点を挙げると、厚い絶縁層２２６
は、ポール・チップ２１６の第１の側面２１９と第２の
側面２２０とに接触している。この点は、下で詳述す
る。

【００３３】本発明の第２の実施形態に係るヘッド組立
体３００を、図７（ａ）と図６（ｂ）に示す。この第２
の実施形態のヘッド組立体３００は、第２の同一平面表
面２２８上の記録ヘッド部を除いて、図５（ａ）と図６
（ａ）に示すヘッド組立体２００と同じである。上述し
たように、第２の同一平面表面２２８は、フロント部と
バック・ギャップ部との間に位置する中間部を有する。
ヘッド組立体３００では、第２の磁極片構造体は、強磁
性のフロント構成要素３０２と強磁性のバック・ギャッ
プ構成要素３０４を備えている。フロント構成要素３０
２は、フロント領域においてポール・チップ２１６に磁
気的に接続されている。バック・ギャップ構成要素３０
４は、バック・ギャップ構成要素２１８に磁気的に接続
されている。第２の記録コイル層２３０は、フロント構
成要素３０２とバック・ギャップ構成要素３０４との間
の厚い絶縁層２２６上に直接に設けられている。誘電体
絶縁層３０６が、第２の記録コイル層２３０のターン間
を絶縁するとともに、フロント構成要素３０２およびバ
ック・ギャップ構成要素３０４から第２の記録コイル層
２３０を絶縁している。好適な実施形態では、絶縁層３
０６は、ハード・ベークしたフォトレジスト膜３０８と
アルミナ膜３１０を備えている。フォトレジスト膜３０
８は、第２の記録コイル層２３０のターン間を絶縁して
いる。アルミナ膜３１０は、フロント構成要素３０２お
よびバック・ギャップ構成要素３０４から第２の記録コ
イル層２３０を絶縁している。この段階でも、記録ヘッ
ド組立体は、平坦化されている。フロント構成要素３０
２、バック・ギャップ構成要素３０４、ハード・ベーク
したフォトレジスト層３０８、および、アルミナ層３１
０は、平坦化されて第３の同一平面表面３１１を形成し
ている。第３の同一平面表面３１１は、第２の記録コイ
ル層２３０の表面の上部に位置しており、第２の記録コ
イル層２３０の上部を絶縁している。第３の同一平面表
面３１１は、フロント部とバック部との間に位置する中
間部を有する。第２の磁極片構造体は、さらに、ヨーク
３１２を備えている。ヨーク３１２は、第３の同一平面
表面３１１のフロント部においてフロント構成要素３０
２に磁気的に接続しているとともに、第３の同一平面表
面３１１のバック部においてバック・ギャップ構成要素
３０４に磁気的に接続している。ヨーク３０２は、第２
の記録コイル層２３０全体に伸びるとともに、ハード・
ベークしたフォトレジスト膜３０８によってそれから絶
縁されている。ヨーク３１２の表面には、記録ヘッドを
保護する被覆層３１４が存在する。

【００３４】〔検討〕

【００３５】留意点を挙げると、両実施形態において、
厚い絶縁層２２６は、ポール・チップ２１６の第１の側
面２１９と第２の側面２２０に接触している。この構成
の重要性については、下で詳述する。さらに留意点を挙
げると、厚い絶縁層２２６は第１の記録コイル層２０６
から第２の記録コイル層２３０を分離しているので、第
１の記録コイル層２０６の断面形状が第２の記録コイル
層２３０中に複製されることはない。さらに、厚い絶縁
層２２６は、第２の記録コイル層２３０用のヒート・シ
ンクをなしている。さらに、厚い絶縁層２２６は第１の
磁極片と第２の磁極片とを分離しているので、両者の間
の漏れ磁束が小さくなる。また、記録ヘッドのＡＢＳと
バック・ギャップとの間の距離が短いので、書き込み電
流の効率を減殺する渦電流が小さくなる。さらに、様々
な段階においてヘッド組立体２００とヘッド組立体３０
０を平坦化しているので、微細かつ高精度の構成要素の
作製が容易になる。この点については、下で詳述する。

【００３６】〔製造方法〕

【００３７】図８〜図１６は、図５〜図７に示した記録
ヘッドの製造方法の好適な実施形態を示す図である。図
８（ａ）に示すように、再生ヘッドは、第１の再生ギャ
ップ層７６と第２の再生ギャップ層７８との間に位置す
るセンサ７４を備えている。第１の再生ギャップ層７６
と第２の再生ギャップ層７８は、第１のシールド層８０
と第２のシールド層８２との間に位置している。併合型
ヘッドでは、第２のシールド層８２は、記録ヘッド用の
第１の磁極片層９２としても機能する。任意実行事項と
して、記録ヘッド用の第１の磁極片層用に、第２の強磁
性層（図示せず）を用いて、ピギーバック型ヘッドを作
製することもできる。

【００３８】図８（ａ）において、ウェーハ上に誘電体
絶縁層２０５（アルミナを用いることができる）をスパ
ッタ堆積する。次いで、ウェーハ上にシード層（図示せ
ず）（銅を用いることができる）を堆積したのち、第１
のコイル層２０６をフレームめっきする。図８（ａ）に
は、第１のコイル層２０６のフロント部だけが示してあ
る。図８（ａ）において、第１のコイル層２０６の全面
にハード・ベークしたフォトレジスト膜２０８を形成す
る。ハード・ベークしたフォトレジスト膜２０８は、引
き続く工程から第１のコイル層２０６を保護する。図８
（ｂ）に示すように、絶縁層２０５のフロント部とバッ
ク部を、たとえばイオン・ミリングまたはスパッタ・エ
ッチングによって除去したのち、ペデスタル２０２とバ
ック・ギャップ構成要素２０４で第１の磁極片を形成す
る。ペデスタル２０２とバック・ギャップ構成要素２０
４（フレームめっきによって作製しうる）は、第１の磁
極片層９２に磁気的に接続する。ペデスタル２０２のフ
ロント面は、ＡＢＳの一部を形成する。留意点を挙げる
と、第１のコイル層２０６は、狭ピッチかつ高解像度に
作製することができる。なぜなら、絶縁層２０５が平坦
な表面をなしているとともに、フォトレジスト２０８が
引き続く工程から第１のコイル層２０６を保護するから
である。お望みならば、絶縁層２０５を形成する前に、
ウェーハをＣＭＰで平坦化してもよい。

【００３９】図９（ｃ）において、ウェーハ上にアルミ
ナから成る平坦化膜４００を、たとえばスパッタ堆積に
よって、ペデスタル２０２とバック・ギャップ構成要素
３０４の表面よりも高く形成する。図９（ｄ）におい
て、ＣＭＰによってウェーハを平坦化して、ペデスタル
２０２の表面、バック・ギャップ構成要素２０４の表
面、アルミナ膜２１０の表面、フォトレジスト膜２０８
の表面、および、第１のコイル層２０６の表面が第１の
同一平面表面２１２を形成するようにする。第１の同一
平面表面２１２は、フロント部とバック部との間に位置
する中間部を有する。好ましくないけれども、ペデスタ
ル２０２とバック・ギャップ構成要素２０４は、第１の
コイル層２０６の前に形成してもよい。そして、ハード
・ベークしたフォトレジスト膜２０８とアルミナ膜２１
０の代わりに、スパッタ堆積したのちＣＭＰで平坦化し
たアルミナから成る単層を用いることもできる。

【００４０】図１０（ｅ）において、記録ギャップ層２
１４（スパッタしたアルミナを用いることができる）
を、第１の同一平面表面２１２のフロント部と中間部の
上に形成する。このような記録ギャップ層２１４を形成
するには、ウェーハ全面にアルミナを堆積したのち、ウ
ェーハ上の各ヘッド組立体のバック・ギャップ領域上の
アルミナを除去することにより行なう。次いで、図１０
（ｆ）において、フレームめっきによりポール・チップ
２１６とバック・ギャップ構成要素２１８を形成して、
第２の磁極片とする。ポール・チップ２１６は、ＡＢＳ
において記録ギャップ層２１４によってペデスタル２０
２から分離されている。バック・ギャップ構成要素２１
８は、バック・ギャップ構成要素２０４に磁気的に接続
している。留意点を挙げると、ポール・チップ２１６
は、記録ヘッドのトラック幅（ＴＷ）を画定している。
この点については、下で詳述する。図１１（ｇ）おい
て、ウェーハ上に別のアルミナから成る平坦化層４０２
を、ポール・チップ２１６とバック・ギャップ構成要素
２１８の表面よりも高くスパッタ堆積する。図１２
（ｈ）において、平坦化層４０２にＣＭＰを行なって、
ポール・チップ２１６の表面、アルミナ層２２６の表
面、および、バック・ギャップ構成要素２１８の表面が
第２の同一平面表面２２８を形成するようにする。第２
の同一平面表面２２８は、フロント部とバック部との間
に位置する中間部を有する。

【００４１】図１２（ｉ）に示すように、ポール・チッ
プ２１６には、第１の側壁２１９、第２の側壁２２０、
フロント面２２２、および、バック面２２４がある。フ
ロント面２２２は、ＡＢＳの一部を形成している。ポー
ル・チップ２１６には、すそ広がり領域２２５もある。
すそ広がり領域２２５は、図５（ａ）に示す第２の磁極
片構造体２３２と磁気的に接続して、ポール・チップ２
１６と第２の磁極片構造体２３２と間で磁束が良好に伝
達しうるよう保証する縫い合わせ領域である。第１の側
面２１９と第２の側面２２０は、記録ヘッドのトラック
幅（ＴＷ）を画定する幅だけ離間している。ウェーハを
平坦化してからポール・チップ２１６を作製しているの
で、ポール・チップ２１６は、極めて狭いトラック幅
（ＴＷ）に作製することができる。その理由は、ポール
・チップ２１６のフレームめっきの際に用いるフォトレ
ジストの高さがポール・チップ２１６の所望の高さより
もわずかに高いだけでよいからであるとともに、ポール
・チップ２１６の近傍にはポール・チップ２１６のパタ
ーニングした領域中に光を反射する斜面が存在しないか
らである。留意点を挙げると、第１の側壁２１９と第２
の側壁２２０が変形するのは、ポール・チップ２１６と
バック・ギャップ構成要素２１８をフレームめっきする
際に用いたシード層（図示せず）を除去するのに起因す
る場合だけである。したがって、シード層（図示せず）
を除去した後は、ポール・チップ２１６の第１の側壁２
１９と第２の側壁２２０をアルミナ層２２６で保護して
から、引き続く工程を実行している。

【００４２】図１３（ｊ）に示すように、アルミナ層２
２６上に第２の記録コイル層２３０をフレームめっきす
る。第２の記録コイル層２３０は、第２の同一平面表面
２２８の中間部上に設ける。図１４（ｋ）において、第
２の記録コイル層２３０をフレームめっきする際に用い
たシード層（図示せず）を、イオン・ミリングまたはス
パッタ・エッチングにより、第１の記録コイル層２０６
に関して上述したのと同じ方法で除去する。留意点を挙
げると、第２の記録コイル層２３０は第２の同一平面表
面２２８上に作製するとともに、その変形は図１４
（ｋ）におけるシード層の除去に起因して生じるだけで
あるから、第２の記録コイル層２３０も、狭ピッチかつ
高解像度に作製することができる。しかしながら、本発
明の重要な側面は、第１の記録コイル層２０６の断面形
状が第２の記録コイル層２３０中に複製されない、とい
う点である。なぜなら、第１の記録コイル層２０６と第
２の記録コイル層２３０との間に厚いアルミナ層２２６
が存在するからである。

【００４３】図１５（ｌ）において、第２の記録コイル
層２３０の表面にハード・ベークしたフォトレジスト層
２３４を形成して、その表面全体を絶縁する。図１６
（ｍ）において、第２の磁極片構造体２３２で第２の磁
極片を形成する。第２の磁極片構造体２３２は、ポール
・チップ２１６に磁気的に接続したフロント部と、バッ
ク・ギャップ構成要素２１８に磁気的に接続したバック
・ギャップ部と、第２の記録コイル層２３０を覆って伸
びるヨーク部とを有する。ヨーク部と第２の記録コイル
層２３０との間は、ハード・ベークしたフォトレジスト
層２３４によって絶縁されている。次いで、全面に被覆
層２３６を堆積して、記録ヘッドを保護する。次いで、
ヘッド組立体を図４（ａ）〜（ｃ）に示すように処理す
る。お望みならば、第２の磁極片のフロント部は、ＡＢ
Ｓから凹ませてもよい。

【００４４】図７（ａ）と図６（ｂ）に示す磁気ヘッド
組立体３００の製造方法は、図図８（ａ）〜図１５
（ｌ）に示した工程群と同じ工程群を備えている。磁気
ヘッド組立体３００では、図１５（ｌ）のあとに、第２
の磁極片構造体３０１で第２の磁極片を作製する。第２
の磁極片構造体３０１は、フロント構成要素３０２とバ
ック・ギャップ構成要素３０４を備えている。これらは
フレームめっきするので、フロント構成要素３０２はポ
ール・チップ２１６に磁気的に接続しており、バック・
ギャップ構成要素３０４はバック・ギャップ構成要素２
１８に磁気的に接続している。次いで、第２の記録コイ
ル層２３０の上にハード・ベークしたフォトレジスト層
３０８を形成する。次いで、ウェーハ全面に、図９
（ｃ）に符号４００で示すものと同様の厚いアルミナ層
（図示せず）を形成する。その際、アルミナ層の厚さ
は、フロント構成要素３０２とバック・ギャップ構成要
素３０４の高さよりも大きくする。次いで、ウェーハに
ＣＭＰを施して、フロント構成要素３０２の表面、アル
ミナ膜３１０の表面、ハード・ベークしたフォトレジス
ト膜３０８の表面、および、バック・ギャップ構成要素
３０４の表面が第３の同一平面表面３０６を形成するよ
うにする。次いで、ヨーク３１２（フレームめっきで形
成しうる）で第２の磁極片構造体を形成する。ヨーク３
１２は、フロント部がフロント構成要素３０２に磁気的
に接続しており、バック・ギャップ部がバック・ギャッ
プ構成要素３０４に磁気的に接続しており、中間部が第
２の記録コイル層２３０の上部全体に伸びている。ま
た、ヨーク３１２は、フォトレジスト膜３０８とアルミ
ナ膜３１０によって第２の記録コイル層２３０から磁気
的に絶縁されている。ヨーク３１２は、平坦な層として
作製する。本発明の一側面は、ヨーク３１２を強磁性膜
３１６とアルミナ膜３１８との積層体として形成する点
にある。ヨーク３１２が平坦であるので、これらの膜
は、スパッタ堆積するのが望ましい。ヨーク３１２を積
層体で形成しているので、上述した渦電流が減少するか
ら、書き込み信号を大きくすることができる。好適な実
施形態では、ヨーク３１２も、ＡＢＳから凹んでいる。
次いで、全面に被覆層３１４をスパッタ堆積で形成した
のち、磁気ヘッドを、図４（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に、処理する。絶縁層はハード・ベークしたフォトレジ
スト３０８とアルミナ３１０から成る別々の膜であるの
が望ましいけれども、絶縁層をアルミナの単独膜で形成
してもよい、という点を理解すべきである。

【００４５】〔検討〕

【００４６】強磁性層用に好適な材料はニッケル鉄（Ｎ
ｉ₈₃Ｆｅ₁₇）であり、記録コイル層２０５、２３０用に
好適な材料は銅（Ｃｕ）である。シード層には、ニッケ
ル鉄（Ｎｉ₈₃Ｆｅ₁₇）または銅（Ｃｕ）を用いることが
できる。層の一部を除去するには、通常、フォトリソグ
ラフィ技法でフォトレジストをパターニングしたのち、
フォトレジスト中に露出した層部分をエッチングまたは
イオン・ミリングで除去することにより行なう。ハード
・ベークしたフォトレジスト以外のフォトレジストは、
現像液で剥離（はちり）する。理解すべき点を挙げる
と、本発明は２つの記録コイル層に限定されず、別の実
施形態では、２つの記録層の上部に、上述したのと同じ
方法で積層して形成した少なくとも１つの追加の記録コ
イル層を備えている。さらに、図８（ａ）〜図１６
（ｍ）に示した製造工程群は、図４（ａ）に示すウェー
ハ・レベルで実行する。また、説明の都合上、図８
（ａ）〜図１６（ｍ）に示した製造工程群は、ＡＢＳと
バック・ギャップの端との間を示すだけであるけれど
も、実際には、磁気ヘッドは、図４（ａ）に示すウェー
ハの一部として、ＡＢＳとバック・ギャップの端との双
方から外方に伸びている。上述した絶縁層は、非磁性非
導電性の材料（誘電体）から成る。この誘電体として
は、アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）またはベークしたフォトレ
ジストが望ましい。

【００４７】上述した教示に鑑み、本発明の別の実施形
態および変更例は、当業者にとって容易に想到しうるこ
とが明らかである。したがって、本発明は、特許請求の
範囲によってのみ限定されるべきである。特許請求の範
囲には、上述した詳細な説明および図面とともに考察す
ると、上記別の実施形態および変更例がすべて含まれて
いる。

【００４８】まとめとして以下の事項を開示する。（１）空気ベアリング面（ＡＢＳ）で終端するフロント
領域とバック・ギャップ領域との間に位置するヨーク領
域を備えた磁気ヘッド組立体であって、第１の磁極片お
よび第２の磁極片と、前記ヨーク領域に位置する第１の
コイル層および第２のコイル層とを備え、前記第２の磁
極片が、前記ＡＢＳの一部を形成するとともに記録ヘッ
ドのトラック幅を画定する強磁性のポール・チップ構成
要素を備えており、さらに、前記第１の磁極片と前記ポ
ール・チップ構成要素との間に位置する記録ギャップ層
と、前記ポール・チップ構成要素の第１の側面、第２の
側面、およびバック面に接触し、かつ、前記第１のコイ
ル層と前記第２のコイル層との間に位置する誘電体の第
１の絶縁層とを備え、前記第２の磁極片が、前記第２の
コイル層の全面に伸び、かつ、前記フロント領域におい
て前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続し、か
つ、前記バック・ギャップ領域において前記第１の磁極
片に磁気的に接続した強磁性の第２の磁極片構造体を備
えている磁気ヘッド組立体。（２）前記第１の絶縁層がすべてアルミナから成る、上
記（１）に記載の磁気ヘッド組立体。（３）前記第１の磁極片が、前記フロント領域において
強磁性のペデスタルを備え、かつ、前記バック・ギャッ
プ領域においてバック・ギャップ構成要素を備え、前記
第１のコイル層が、前記第１の磁極片の前記ペデスタル
と前記バック・ギャップ構成要素との間に位置してお
り、さらに、前記第１のコイル層を絶縁する誘電体の第
２の絶縁層を備え、前記第１の磁極片の前記ペデスタ
ル、前記第１の磁極片の前記バック・ギャップ構成要
素、前記第１のコイル層、および、前記第２の絶縁層が
第１の同一平面表面を形成しており、前記記録ギャップ
層が前記ペデスタルと前記ポール・チップ構成要素との
間に位置している、上記（１）に記載の磁気ヘッド組立
体。（４）前記第２の磁極片が、前記第１の磁極片の前記バ
ック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のバ
ック・ギャップ構成要素を備え、前記第１の絶縁層が、
前記ポール・チップ構成要素と前記第２の磁極片のバッ
ク・ギャップ構成要素との間に位置しており、前記第２
の磁極片の前記ポール・チップ構成要素、前記第２の磁
極片の前記バック・ギャップ構成要素、および、前記第
１の絶縁層が第２の同一平面表面を形成している、上記
（３）に記載の磁気ヘッド組立体。（５）前記第２の磁極片が、前記第２の磁極片の前記ポ
ール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構成要素
に磁気的に接続し、かつ、前記第２のコイル層の全面に
伸びている強磁性の第２の磁極片構造体を備え、さら
に、前記第２の磁極片構造体から前記第２のコイル層を
絶縁している誘電体の第３の絶縁層を備えた、上記
（４）に記載の磁気ヘッド組立体。（６）前記第２の磁極片構造体が、単層である、上記
（５）に記載の磁気ヘッド組立体。（７）さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第１の
再生ギャップ層および第２の再生ギャップ層とを備え、
前記再生センサが、前記第１の再生ギャップ層と前記第
２の再生ギャップ層との間に位置しており、さらに、強
磁性の第１のシールド層を備え、前記第１の再生ギャッ
プ層および前記第２の再生ギャップ層が、前記シールド
層と前記第１のコイル層との間に位置している、上記
（６）に記載の磁気ヘッド組立体。（８）前記第２の磁極片構造体が、前記フロント領域に
位置する強磁性のフロント構成要素と前記バック・ギャ
ップ領域に位置する強磁性のバック・ギャップ構成要素
との間に位置する強磁性のヨークを備えており、前記第
２の磁極片構造体の前記フロント構成要素および前記バ
ック・ギャップ構成要素が、前記第２の磁極片の前記ポ
ール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構成要素
にそれぞれ磁気的に接続しており、前記第２の磁極片構
造体の前記フロント構成要素、前記第２の磁極片構造体
の前記バック・ギャップ構成要素、および、前記第３の
絶縁層が、第３の同一平面表面を形成しており、前記ヨ
ークが、前記第２のコイル層の全面に伸びており、か
つ、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成要素お
よび前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続して
いる、上記（５）に記載の磁気ヘッド組立体。（９）前記ヨークが、強磁性膜と誘電体膜との積層体で
ある、上記（８）に記載の磁気ヘッド組立体。（１０）さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第１
の再生ギャップ層および第２の再生ギャップ層とを備
え、前記再生センサが、前記第１の再生ギャップ層と前
記第２の再生ギャップ層との間に位置し、さらに、強磁
性の第１のシールド層を備え、前記第１の再生ギャップ
層および前記第２の再生ギャップ層が、前記第１のシー
ルド層と前記第１のコイル層との間に位置している、上
記（９）に記載の磁気ヘッド組立体。（１１）空気ベアリング面（ＡＢＳ）を有する記録ヘッ
ドおよび再生ヘッドから成る磁気ヘッド組立体を備えた
磁気ディスク駆動装置であって、前記記録ヘッドが、第
１の磁極片および第２の磁極片と、ヨーク領域に位置す
る第１のコイル層および第２のコイル層とを備え、前記
第２の磁極片が、前記ＡＢＳの一部を形成し、かつ、前
記記録ヘッドのトラック幅を画定する強磁性のポール・
チップ構成要素を備え、さらに、前記第１の磁極片と前
記ポール・チップ構成要素との間に位置する記録ギャッ
プ層と、前記ポール・チップ構成要素の第１の側面、第
２の側面、およびバック面に接触し、かつ、前記第１の
コイル層と前記第２のコイル層との間に位置する誘電体
の第１の絶縁層とを備え、前記第２の磁極片が、前記第
２のコイル層の全面に伸びており、かつ、フロント領域
において前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続
し、かつ、バック・ギャップ領域において前記第１の磁
極片に磁気的に接続している強磁性の第２の磁極片構造
体を備えており、前記再生ヘッドが、センサと、非磁性
非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再生ギャ
ップ層とを備え、前記センサが、前記第１の再生ギャッ
プ層と前記第２の再生ギャップ層との間に位置してお
り、さらに、強磁性の第１のシールド層を備え、前記第
１の再生ギャップ層および前記第２の再生ギャップ層
が、前記第１のシールド層と前記第１の磁極片層との間
に位置しており、さらに、筐体と、前記筐体中に回転支
持された磁気ディスクと、前記ＡＢＳが前記磁気ディス
クに面することにより、前記磁気ヘッド組立体が前記磁
気ディスクと変換関係になるように、前記磁気ヘッド組
立体を支持する、前記筐体中に搭載された支持体と、前
記磁気ディスクを回転させるスピンドル・モータと、前
記磁気ヘッド組立体を前記磁気ディスクに対して複数の
位置に移動させる、前記支持体に接続されたアクチュエ
ータ位置決め手段と、前記磁気ヘッド組立体と信号を交
換し、前記磁気ディスクの動作を制御し、前記磁気ヘッ
ド組立体の位置を制御する、前記磁気ヘッド組立体、前
記スピンドル・モータ、および、前記アクチュエータ位
置決め手段に接続されたプロセッサとを備えた磁気ディ
スク駆動装置。（１２）前記第１の磁極片が、前記フロント領域におい
て強磁性のペデスタルを備え、かつ、前記バック・ギャ
ップ領域においてバック・ギャップ構成要素を備え、前
記第１のコイル層が、前記第１の磁極片の前記ペデスタ
ルと前記バック・ギャップ構成要素との間に位置してお
り、さらに、前記第１のコイル層を絶縁する誘電体の第
２の絶縁層を備え、前記第１の磁極片の前記ペデスタ
ル、前記第１の磁極片の前記バック・ギャップ構成要
素、前記第１のコイル層、および、前記第２の絶縁層が
第１の同一平面表面を形成しており、前記記録ギャップ
層が前記ペデスタルと前記ポール・チップ構成要素との
間に位置している、上記（１１）に記載の磁気ディスク
駆動装置。（１３）前記第２の磁極片が、前記第１の磁極片の前記
バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁性の
バック・ギャップ構成要素を備え、前記第１の絶縁層
が、前記第２の磁極片の前記ポール・チップ構成要素と
バック・ギャップ構成要素との間に位置しており、前記
第２の磁極片の前記ポール・チップ構成要素、前記第２
の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素、および、前
記第１の絶縁層が第２の同一平面表面を形成している、
上記（１２）に記載の磁気ディスク駆動装置。（１４）前記第２の磁極片が、前記第２の磁極片の前記
ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構成要
素に磁気的に接続し、かつ、前記第２のコイル層の全面
に伸びている強磁性の第２の磁極片構造体を備え、さら
に、前記第２の磁極片構造体から前記第２のコイル層を
絶縁している誘電体の第３の絶縁層を備えた、上記（１
３）に記載の磁気ディスク駆動装置。（１５）前記第２の磁極片構造体が、単層である、上記
（１４）に記載の磁気ディスク駆動装置。（１６）前記第２の磁極片構造体が、前記フロント領域
に位置する強磁性のフロント構成要素と前記バック・ギ
ャップ領域に位置する強磁性のバック・ギャップ構成要
素との間に位置する強磁性のヨークを備えており、前記
第２の磁極片構造体の前記フロント構成要素および前記
バック・ギャップ構成要素が、前記第２の磁極片の前記
ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構成要
素にそれぞれ磁気的に接続しており、前記第２の磁極片
構造体の前記フロント構成要素、前記第２の磁極片構造
体の前記バック・ギャップ構成要素、および、前記第３
の絶縁層が、第３の同一平面表面を形成しており、前記
ヨークが、前記第２のコイル層の全面に伸びており、か
つ、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成要素お
よび前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続して
いる、上記（１４）に記載の磁気ディスク駆動装置。（１７）前記ヨークが、強磁性膜と誘電体膜との積層体
である、上記（１６）に記載の磁気ディスク駆動装置。（１８）上面、底面、および、空気ベアリング面（ＡＢ
Ｓ）の一部を形成するフロント面によって部分的に画定
された磁気ヘッド組立体であって、第１の磁極片および
第２の磁極片を備え、前記第１の磁極片が、フロント
部、中間部、および、バック部を備え、前記中間部が前
記フロント部と前記バック部との間に位置している強磁
性の第１の磁極片層を備えており、前記第１の磁極片
が、さらに、前記第１の磁極片層の前記フロント部に磁
気的に接続した強磁性のペデスタル、および、前記第１
の磁極片層の前記バック部に磁気的に接続した強磁性の
バック・ギャップ構成要素を備え、前記第１の磁極片層
の中間部が前記ペデスタルと前記バック・ギャップ構成
要素との間に位置しており、さらに、前記第１の磁極片
層の前記中間部上に位置する誘電体の第１の絶縁層と、
離間したターン群を備え、かつ、前記ペデスタルおよび
前記バック・ギャップ構成要素の各々から離間され、前
記第１の絶縁層上に位置する第１のコイル層と、前記第
１のコイル層のターン群の間、および、前記第１のコイ
ル層と前記ペデスタルおよび前記バック・ギャップ構成
要素の各々との間に位置する誘電体の第２の絶縁層とを
備え、前記ペデスタルの表面、前記第２の絶縁層の表
面、および、前記バック・ギャップ構成要素の表面が、
第１の同一平面表面を形成しており、前記第１の同一平
面表面がフロント部、中間部、および、バック部を備
え、前記中間部が前記フロント部と前記バック部との間
に位置しており、さらに、前記第１の同一平面表面の前
記フロント部および前記中間部の上に位置する非磁性の
記録ギャップ層を備え、前記記録ギャップ層が、フロン
ト部およびリア部を有し、前記第２の磁極片が、前記記
録ギャップ層の前記フロント部上に位置し、かつ、記録
ヘッドのトラック幅を画定する幅を有する強磁性のポー
ル・チップ構成要素を備えており、前記第２の磁極片
が、さらに、前記第１の磁極片の前記バック・ギャップ
構成要素に磁気的に接続した強磁性のバック・ギャップ
構成要素を備えており、さらに、前記第２の磁極片の前
記ペデスタルと前記バック・ギャップ構成要素との間の
空間において前記記録ギャップ層の前記リア部の上に位
置する誘電体の第３の絶縁層を備え、前記ポール・チッ
プ構成要素の表面、前記第３の絶縁層の表面、および、
前記第２の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素の表
面が、第２の同一平面表面を形成しており、前記第２の
同一平面表面がフロント部、中間部、および、バック部
を有し、前記中間部が前記フロント部と前記バック部と
の間に位置しており、さらに、前記第２の同一平面表面
の前記中間部上に位置する第２のコイル層を備え、前記
第２の磁極片が、前記第２のコイル層の全面に位置し、
かつ、前記第２の同一平面表面の前記フロント部におい
て前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続し、か
つ、前記第２の同一平面表面の前記バック部において前
記第２の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素に磁気
的に接続した第２の磁極片構造体を備えており、さら
に、前記第２のコイル層のターン群の間、および、前記
第２のコイル層と前記第２の磁極片構造体との間に位置
する誘電体の第４の絶縁層を備えた磁気ヘッド組立体。（１９）前記ポール・チップ構成要素が、ＡＢＳと交差
する第１の側壁および第２の側壁を有し、前記第３の絶
縁層が、前記ポール・チップ構成要素の前記第１の側壁
および前記第２の側壁に接触している、上記（１８）に
記載の磁気ヘッド組立体。（２０）前記第２の磁極片構造体が、単層である、上記
（１９）に記載の磁気ヘッド組立体。（２１）前記第１のコイル層が、前記第１の同一平面表
面を形成する表面を有する、上記（２０）に記載の磁気
ヘッド組立体。（２２）前記第２の絶縁層が、前記第１のコイル層を覆
うフォトレジストの第１の膜、および、前記第１の膜を
覆うアルミナの第２の膜から成る、上記（２１）に記載
の磁気ヘッド組立体。（２３）さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第１
の再生ギャップ層および第２の再生ギャップ層とを備
え、前記再生センサが、前記第１の再生ギャップ層と前
記第２の再生ギャップ層との間に位置しており、さら
に、強磁性の第１のシールド層を備え、前記第１の再生
ギャップ層および前記第２の再生ギャップ層が、前記第
１のシールド層と前記第１のコイル層との間に位置して
いる、上記（２２）に記載の磁気ヘッド組立体。（２４）前記第３の絶縁層が、すべてアルミナから成
る、上記（２３）に記載の磁気ヘッド組立体。（２５）前記第２の磁極片構造体が、前記第２の同一平
面表面の前記フロント部において前記ポール・チップ構
成要素に磁気的に接続した強磁性のフロント構成要素、
および、前記第２の同一平面表面の前記バック部におい
て前記第２の磁極片のバック・ギャップ構成要素に磁気
的に接続した強磁性のバック・ギャップ構成要素と、前
記フロント構成要素に磁気的に接続したフロント部、前
記第２の磁極片構造体の前記バック・ギャップ構成要素
に磁気的に接続したバック部、および、前記第２のコイ
ル層の全面にわたって伸びる中間部を有する強磁性のヨ
ークとを備えている、上記（１９）に記載の磁気ヘッド
組立体。（２６）前記ヨークが、全体的に平坦であり、かつ、強
磁性膜と誘電体膜との積層体である、上記（２５）に記
載の磁気ヘッド組立体。（２７）前記第２の絶縁層が、前記第１のコイル層を覆
うフォトレジストの第１の膜、および、前記第１の膜を
覆うアルミナの第２の膜から成る、上記（２６）に記載
の磁気ヘッド組立体。（２８）前記第４の絶縁層が、前記第２のコイル層を覆
うフォトレジストの第１の膜と、前記第１の膜を覆うア
ルミナの第２の膜とを備えている、上記（２７）に記載
の磁気ヘッド組立体。（２９）さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第１
の再生ギャップ層および第２の再生ギャップ層とを備
え、前記再生センサが、前記第１の再生ギャップ層と前
記第２の再生ギャップ層との間に位置しており、さら
に、強磁性の第１のシールド層を備え、前記第１の再生
ギャップ層および前記第２の再生ギャップ層が、前記第
１のシールド層と前記第１のコイル層との間に位置して
いる、上記（２８）に記載の磁気ヘッド組立体。（３０）空気ベアリング面（ＡＢＳ）を有する磁気ヘッ
ドの製造方法であって、第１の磁極片および第２の磁極
片を形成する工程と、ヨーク領域に第１のコイル層およ
び第２のコイル層を形成する工程と、ＡＢＳの一部を形
成し、かつ、記録ヘッドのトラック幅を画定する強磁性
のポール・チップ構成要素で前記第２の磁極片を形成す
る工程と、前記第１の磁極片と前記ポール・チップ構成
要素との間に記録ギャップ層を形成する工程と、前記ポ
ール・チップ構成要素の第１の側面、第２の側面、およ
びバック面に接触し、かつ、前記第１のコイル層と前記
第２のコイル層との間に位置する誘電体の第１の絶縁層
を形成する工程と、前記第２のコイル層の全面に伸び、
かつ、フロント領域において前記ポール・チップ構成要
素に磁気的に接続し、かつ、バック・ギャップ領域にお
いて前記第１の磁極片に磁気的に接続した強磁性の第２
の磁極片構造体で前記第２の磁極片を形成する工程とを
備えた磁気ヘッドの製造方法。（３１）前記第１の絶縁層を、すべて、アルミナで形成
する、上記（３０）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（３２）前記フロント領域に位置する強磁性のペデスタ
ル、および、前記バック・ギャップ領域に位置するバッ
ク・ギャップ構成要素で前記第１の磁極片を形成する工
程と、前記第１の磁極片の前記ペデスタルと前記バック
・ギャップ構成要素との間に、前記第１のコイル層を形
成する工程と、前記第１のコイル層を絶縁する誘電体の
第２の絶縁層を形成する工程と、第１の同一平面表面を
画定するように、前記第１の磁極片の前記ペデスタルお
よび前記バック・ギャップ構成要素、前記第１のコイル
層、ならびに、前記第２の絶縁層を形成する工程と、前
記ペデスタルと前記ポール・チップ構成要素との間に、
前記記録ギャップ層を形成する工程とを備えた上記（３
０）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（３３）前記第１の同一平面表面および前記第２の同一
平面表面を、ＣＭＰによって形成する、上記（３２）に
記載の磁気ヘッドの製造方法。（３４）前記第２の絶縁層を形成して前記第１のコイル
層を保護したのちに、前記第１の磁極片の前記ペデスタ
ルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成する、上
記（３２）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（３５）前記第１の磁極片の前記バック・ギャップ構成
要素に磁気的に接続した強磁性のバック・ギャップ構成
要素で前記第２の磁極片を形成する工程と、前記第２の
磁極片の前記ポール・チップ構成要素と前記バック・ギ
ャップ構成要素との間に前記第１の絶縁層を形成する工
程と、第２の同一平面表面を画定するように、前記第２
の磁極片の前記ポール・チップ構成要素および前記バッ
ク・ギャップ構成要素、ならびに、前記第１の絶縁層を
形成する工程とを備えた、上記（３２）に記載の、磁気
ヘッドの製造方法。（３６）前記第２の磁極片の前記ポール・チップ構成要
素および前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続
し、かつ、前記第２のコイル層の全面に伸びる強磁性の
第２の磁極片構造体で前記第２の磁極片を形成する工程
と、前記第２の磁極片構造体から前記第２のコイル層を
絶縁する誘電体の第３の絶縁層を形成する工程とを備え
た、上記（３５）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（３７）前記第２の磁極片構造体を、単層として形成す
る、上記（３６）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（３８）フォトレジストの第１の膜およびアルミナの第
２の膜で前記第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２
の絶縁層の前記第１の膜を形成して前記第１のコイル層
を保護したのち、前記第１の磁極片の前記ペデスタルお
よび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、しかるの
ち、前記第２の膜を形成する工程とを備えた、上記（３
７）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（３９）前記第３の絶縁層を形成して前記第２のコイル
層を保護したのち、前記第２の磁極片構造体の前記フロ
ント構成要素および前記バック・ギャップ構成要素を形
成する、上記（３８）に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。（４０）さらに、再生センサを形成する工程と、非磁性
非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再生ギャ
ップ層を、前記再生センサが前記第１の再生ギャップ層
と前記第２の再生ギャップ層との間に位置するように形
成する工程と、強磁性の第１のシールド層を、前記第１
の再生ギャップ層および前記第２の再生ギャップ層が前
記第１のシールド層と前記第１のコイル層との間に位置
するように形成する工程とを備えた、上記（３９）に記
載の、磁気ヘッドの製造方法。（４１）前記フロント領域に位置する強磁性のフロント
構成要素と、前記バック・ギャップ領域に位置する強磁
性のバック・ギャップ構成要素との間に位置する強磁性
のヨークで前記第２の磁極片構造体を形成する工程と、
前記第２の磁極片の前記ポール・チップ構成要素および
前記バック・ギャップ構成要素にそれぞれ磁気的に接続
した、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成要素
および前記バック・ギャップ構成要素を形成する工程
と、第３の同一平面表面を画定するように、前記第２の
磁極片構造体の前記フロント構成要素および前記バック
・ギャップ構成要素、ならびに、前記第３の絶縁層を形
成する工程と、前記第２のコイル層にわたって前記ヨー
クを形成し、それを前記第２の磁極片構造体の前記フロ
ント構成要素および前記バック・ギャップ構成要素に磁
気的に接続させる工程とを備えた、上記（３６）に記載
の、磁気ヘッドの製造方法。（４２）フォトレジストの第１の膜およびアルミナの第
２の膜で前記第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２
の絶縁層の前記第１の膜を形成して前記第１のコイル層
を保護したのち、前記第１の磁極片の前記ペデスタルお
よび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、しかるの
ち、前記第２の膜を形成する工程とを備えた、上記（４
１）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（４３）フォトレジストの第１の膜およびアルミナの第
２の膜で前記第３の絶縁層を形成する工程と、前記第３
の絶縁層の前記第１の膜を形成して前記第２のコイル層
を保護したのち、前記第２の磁極片構造体の前記フロン
ト構成要素および前記バック・ギャップ構成要素を形成
し、しかるのち、前記第２の膜を形成する工程とを備え
た、上記（４２）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（４４）前記ヨークを、強磁性膜と誘電体膜との積層体
として形成する、上記（４３）に記載の、磁気ヘッドの
製造方法。（４５）さらに、再生センサを形成する工程と、非磁性
非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再生ギャ
ップ層を、前記再生センサが前記第１の再生ギャップ層
と前記第２の再生ギャップ層との間に位置するように形
成する工程と、強磁性の第１のシールド層を、前記第１
の再生ギャップ層および前記第２の再生ギャップ層が前
記第１のシールド層と前記第１のコイル層との間に位置
するように形成する工程とを備えた、上記（４４）に記
載の、磁気ヘッドの製造方法。（４６）上面、底面、および、空気ベアリング面（ＡＢ
Ｓ）の一部を形成するフロント面によって部分的に画定
された磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁極片お
よび第２の磁極片を形成する工程を備え、前記第１の磁
極片を、フロント部、中間部、および、バック部を有
し、前記中間部が前記フロント部と前記バック部との間
に位置する強磁性の第１の磁極片層で形成し、さらに、
前記第１の磁極片を、前記第１の磁極片層の前記フロン
ト部に磁気的に接続した強磁性のペデスタル、および、
前記第１の磁極片層の前記バック部に磁気的に接続した
強磁性のバック・ギャップ構成要素で、前記第１の磁極
片層の前記中間部が前記ペデスタルと前記バック・ギャ
ップ構成要素との間に位置するように形成し、さらに、
前記第１の磁極片層の前記中間部上に誘電体の第１の絶
縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上に第１のコ
イル層を、ターン群を離間した状態で、かつ、前記ペデ
スタルおよび前記バック・ギャップ構成要素の各々から
離間して形成する工程と、誘電体の第２の絶縁層を、前
記第１のコイル層のターン群の間、および、前記第１の
コイル層と前記ペデスタルおよび前記バック・ギャップ
構成要素の各々との間に形成する工程と、第１の同一平
面表面を形成する表面を有し、前記第１の同一平面表面
がフロント部、中間部、および、バック部を有し、前記
中間部が前記フロント部と前記バック部との間に位置す
るように、ポール・チップ構成要素、前記第２の絶縁
層、および、前記バック・ギャップ構成要素を形成する
工程と、前記第１の同一平面表面の前記フロント部およ
び前記中間部の上に非磁性の記録ギャップ層を、前記記
録ギャップ層がフロント部およびリア部を有するように
形成する工程と、前記記録ギャップ層の前記フロント部
上に位置し、かつ、記録ヘッドのトラック幅を画定する
幅を有する強磁性のポール・チップ構成要素で前記第２
の磁極片を形成する工程と、さらに、第１の磁極片の前
記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁性
のバック・ギャップ構成要素で前記第２の磁極片を形成
する工程と、前記第２の磁極片の前記ペデスタルと前記
バック・ギャップ構成要素との間の空間中の前記記録ギ
ャップ層の前記リア部上に誘電体の第３の絶縁層を形成
する工程と、第２の同一平面表面を形成する上面を有
し、前記第２の同一平面表面がフロント部、中間部、お
よび、バック部を有し、前記中間部が前記フロント部と
前記バック部との間に位置するように、前記ポール・チ
ップ構成要素、前記第３の絶縁層、および、前記第２の
磁極片の前記バック・ギャップ構成要素を形成する工程
と、前記第２の同一平面表面の前記中間部上に位置する
第２のコイル層を形成する工程と、前記第２のコイル層
を覆い、かつ、前記第２の同一平面表面の前記フロント
部において前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続
し、かつ、前記第２の同一平面表面の前記バック部にお
いて前記第２の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素
に磁気的に接続した第２の磁極片構造体で前記第２の磁
極片を形成する工程と、前記第２のコイル層のターン群
間、および、前記第２のコイル層と前記第２の磁極片構
造体との間に位置する誘電体の第４の絶縁層を形成する
工程とを備えた磁気ヘッドの製造方法。（４７）前記ポール・チップ構成要素を、前記ＡＢＳと
交差する第１の側壁および第２の側壁を有するように形
成する工程と、前記第３の絶縁層を、前記ポール・チッ
プ構成要素の前記第１の側壁および前記第２の側壁に接
触するように形成する工程とを備えた、上記（４６）に
記載の、磁気ヘッドの製造方法。（４８）前記第２の磁極片構造体を、単層として形成す
る、上記（４７）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（４９）前記第１のコイル層を、前記第１の同一平面表
面を形成する表面を有するように形成する、上記（４
８）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（５０）前記第２の絶縁層を、フォトレジストの第１の
膜およびアルミナの第２の膜で形成する工程と、前記第
２の絶縁層の前記第１の膜を形成して前記第１のコイル
層を保護したのち、前記第１の磁極片の前記ペデスタル
および前記バック・ギャップ構成要素を形成し、しかる
のち、前記第２の絶縁層の前記第２の膜を形成する工程
とを備えた、上記（４９）に記載の、磁気ヘッドの製造
方法。（５１）再生センサを形成する工程と、非磁性非導電性
の第１の再生ギャップ層および第２の再生ギャップ層
を、前記再生センサが前記第１の再生ギャップ層と前記
第２の再生ギャップ層との間に位置するように形成する
工程と、強磁性の第１のシールド層を、前記第１の再生
ギャップ層および前記第２の再生ギャップ層が前記第１
のシールド層と前記第１のコイル層との間に位置するよ
うに形成する工程とを備えた、上記（５０）に記載の、
磁気ヘッドの製造方法。（５２）前記第３の絶縁層を、すべて、アルミナで形成
する、上記（５１）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（５３）前記第２の磁極片を作製する工程が、前記第２
の同一平面表面の前記フロント部において前記ポール・
チップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のフロント構
成要素、および、前記第２の同一平面表面の前記バック
部において前記第２の磁極片構造体の前記バック・ギャ
ップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のバック・ギャ
ップ構成要素を形成する工程と、前記フロント構成要素
に磁気的に接続したフロント部、前記第２の磁極片構造
体の前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した
バック部、および、前記第２のコイル層の全面に伸びて
いる中間部を有する強磁性のヨークを形成する工程とを
備えた、上記（４７）に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。（５４）前記ヨークを、全体的に平坦に形成する、上記
（５３）に記載の、磁気ヘッドの製造方法。（５５）フォトレジストの第１の膜およびアルミナの第
２の膜で前記第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２
の絶縁層の前記第１の膜を形成して前記第１のコイル層
を保護したのち、前記第１の磁極片の前記ペデスタルお
よび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、しかるの
ち、前記第２の絶縁層の前記第２の膜を形成する工程と
を備えた、上記（５４）に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。（５６）フォトレジストの第１の膜およびアルミナの第
２の膜で前記第４の絶縁層を形成する工程と、前記第２
のコイル層上に前記第４の絶縁層の前記第１の膜を形成
したのち、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成
要素および前記バック・ギャップ構成要素を形成し、し
かるのち、前記第４の絶縁層の前記第２の膜を形成する
工程とを備えた、上記（５５）に記載の、磁気ヘッドの
製造方法。（５７）さらに、再生センサを形成する工程と、非磁性
非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再生ギャ
ップ層を、前記再生センサが前記第１の再生ギャップ層
と前記第２の再生ギャップ層との間に位置するように形
成する工程と、強磁性の第１のシールド層を、前記第１
の再生ギャップ層および前記第２の再生ギャップ層が前
記第１のシールド層と前記第１のコイル層との間に位置
するように形成する工程とを備えた、上記（５６）に記
載の、磁気ヘッドの製造方法。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）典型的な既存の磁気ディスク駆動装置
の平面図である。（ｂ）図１（ａ）の磁気ディスク駆動
装置を１ｂ−１ｂ平面で見た、磁気ヘッド備えた既存の
スライダの端面図である。（ｃ）複数のディスクと磁気
ヘッドを用いた既存の磁気ディスク駆動装置の正面図で
ある。

【図２】（ａ）スライダと磁気ヘッドを支持する典型
的な既存のサスペンション・システムの等角図である。
（ｂ）図１（ｂ）の２ｂ−２ｂ平面で見た磁気ヘッドの
ＡＢＳを示す図である。

【図３】（ａ）図１（ｂ）の３ａ−３ａ平面で見たス
ライダと既存の併合型磁気ヘッドの部分図である。
（ｂ）図３（ａ）の３ｂ−３ｂ平面で見た磁気ヘッドの
再生要素と記録要素を示すスライダのＡＢＳを部分的に
示す図である。（ｃ）図３（ａ）の３ｃ−３ｃ平面で見
た、コイル層上のすべての材料とリード線を除去した図
である。

【図４】（ａ）磁気ヘッドの行と列を作製したウェー
ハの等角図である。（ｂ）図４（ａ）からダイシングした１行の磁気ヘッド
を示す等角図である。（ｃ）図４（ｂ）からダイシング
した１個の磁気ヘッドを示す等角図である。

【図５】（ａ）本発明の第１の実施形態の長手方向断
面図である。

【図６】（ａ）図５（ａ）の６ａ−６ａ平面で見た図
である。（ｂ）図７（ａ）の６ｂ−６ｂ平面で見た図で
ある。

【図７】（ａ）本発明の第２の実施形態の長手方向断
面図である。

【図８】（ａ）第１の記録コイルの作製後における部
分作製磁気ヘッド組立体の長手方向断面図である。
（ｂ）ペデスタルと第１の磁極片のバック・ギャップ構
成要素を作製した点を除いて図８（ａ）と同じ図であ
る。

【図９】（ｃ）ウェーハ上に厚いアルミナの平坦化層
を堆積した点を除いて図８（ｂ）と同じ図である。
（ｄ）ウェーハを平坦化した点を除いて図９（ｃ）と同
じ図である。

【図１０】（ｅ）記録ギャップ層を形成した点を除い
て図９（ｄ）と同じ図である。（ｆ）第２の磁極片のポ
ール・チップ構成要素とバック・ギャップ構成要素を形
成した点を除いて図１０（ｅ）と同じ図である。

【図１１】（ｇ）アルミナの厚い平坦化層を堆積した
点を除いて図１０（ｆ）と同じ図である。

【図１２】（ｈ）ウェーハを平坦化した点を除いて図
１１（ｇ）と同じ図である。（ｉ）図１２（ｈ）の１２
ｉ−１２ｉ平面で見た図である。

【図１３】（ｊ）第２の記録コイル層を作製した点を
除いて図１２（ｈ）と同じ図である。

【図１４】（ｋ）シード層を除去した点を除いて図１
３（ｊ）と同じ図である。

【図１５】（ｌ）ハード・ベークしたレジスト絶縁層
を形成した点を除いて図１２（ｋ）と同じ図である。

【図１６】（ｍ）第２の磁極片構造体を形成した点を
除いて図１５（ｌ）と同じ図である。

【符号の説明】

３０磁気ディスク駆動装置３２スピンドル３４磁気ディスク３６スピンドル・モータ３８モータ・コントローラ４０記録／再生ヘッド４２スライダ４４サスペンション４６アクチュエータ・アーム４７アクチュエータ４８ＡＢＳ（空気ベアリング面）５４フレーム５５筐体５６中央レール５８側部レール６０側部レール６２横断レール７０記録ヘッド部７２再生ヘッド部７４センサ７６第１の再生ギャップ７８第２の再生ギャップ８０第１のシールド層８２第２のシールド層８４コイル層８６第１の絶縁層８８第２の絶縁層９０第３の絶縁層９２第１の磁極片層９４第２の磁極片層９６バック・ギャップ９８第１のポール・チップ１００第２のポール・チップ１０２記録ギャップ層１０４第１のはんだ接続部１０６第２のはんだ接続部１１２リード線１１４リード線１１６第３のはんだ接続部１１８第４のはんだ接続部１２４リード線１２６リード線１３０ウェーハ１３２行の１つ２００磁気ヘッド組立体２０２ペデスタル２０４バック・ギャップ構成要素２０５絶縁層２０６第１の記録コイル層２０７絶縁層２０８ハード・ベークしたフォトレジスト膜２１０アルミナ層２１２第１の同一平面表面２１４記録ギャップ層２１６ポール・チップ２１８バック・ギャップ構成要素２１９第１の側面２２０第２の側面２２２フロント表面２２４バック表面２２６絶縁層２２８第２の同一平面表面２３０第２の記録コイル２３２第２の磁極片構造体２３６被覆層３００磁気ヘッド組立体３０２フロント構成要素３０４バック・ギャップ構成要素３０６誘電体絶縁層３０８ハード・ベークしたフォトレジスト膜３１０アルミナ膜３１１第３の同一面表面３１２ヨーク３１４被覆層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者イミン・フスーアメリカ合衆国カリフォルニア州 94086、サニーベール、ブルーボネットドライブ 1021 (72)発明者ヒューゴ・アルベルト・エミリオ・サンティニアメリカ合衆国カリフォルニア州 95119、サンノゼ、ボデガウエイ 339 Ｆターム(参考） 5D033 AA01 BA01 BA07 BA12 BA32 BA36 BA41 BA42 BB03 BB43 CA00 DA31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】空気ベアリング面（ＡＢＳ）で終端するフ
ロント領域とバック・ギャップ領域との間に位置するヨ
ーク領域を備えた磁気ヘッド組立体であって、第１の磁極片および第２の磁極片と、前記ヨーク領域に位置する第１のコイル層および第２の
コイル層とを備え、前記第２の磁極片が、前記ＡＢＳの一部を形成するとと
もに記録ヘッドのトラック幅を画定する強磁性のポール
・チップ構成要素を備えており、さらに、前記第１の磁極片と前記ポール・チップ構成要素との間
に位置する記録ギャップ層と、前記ポール・チップ構成要素の第１の側面、第２の側
面、およびバック面に接触し、かつ、前記第１のコイル
層と前記第２のコイル層との間に位置する誘電体の第１
の絶縁層とを備え、前記第２の磁極片が、前記第２のコイル層の全面に伸
び、かつ、前記フロント領域において前記ポール・チッ
プ構成要素に磁気的に接続し、かつ、前記バック・ギャ
ップ領域において前記第１の磁極片に磁気的に接続した
強磁性の第２の磁極片構造体を備えている磁気ヘッド組
立体。
【請求項２】前記第１の絶縁層がすべてアルミナから成
る、請求項１に記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項３】前記第１の磁極片が、前記フロント領域に
おいて強磁性のペデスタルを備え、かつ、前記バック・
ギャップ領域においてバック・ギャップ構成要素を備
え、前記第１のコイル層が、前記第１の磁極片の前記ペデス
タルと前記バック・ギャップ構成要素との間に位置して
おり、さらに、前記第１のコイル層を絶縁する誘電体の第２の絶縁層を
備え、前記第１の磁極片の前記ペデスタル、前記第１の磁極片
の前記バック・ギャップ構成要素、前記第１のコイル
層、および、前記第２の絶縁層が第１の同一平面表面を
形成しており、前記記録ギャップ層が前記ペデスタルと前記ポール・チ
ップ構成要素との間に位置している、請求項１に記載の
磁気ヘッド組立体。
【請求項４】前記第２の磁極片が、前記第１の磁極片の
前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁
性のバック・ギャップ構成要素を備え、前記第１の絶縁層が、前記ポール・チップ構成要素と前
記第２の磁極片のバック・ギャップ構成要素との間に位
置しており、前記第２の磁極片の前記ポール・チップ構成要素、前記
第２の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素、およ
び、前記第１の絶縁層が第２の同一平面表面を形成して
いる、請求項３に記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項５】前記第２の磁極片が、前記第２の磁極片の
前記ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構
成要素に磁気的に接続し、かつ、前記第２のコイル層の
全面に伸びている強磁性の第２の磁極片構造体を備え、さらに、前記第２の磁極片構造体から前記第２のコイル層を絶縁
している誘電体の第３の絶縁層を備えた、請求項４に記
載の磁気ヘッド組立体。
【請求項６】前記第２の磁極片構造体が、単層である、
請求項５に記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項７】さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再
生ギャップ層とを備え、前記再生センサが、前記第１の再生ギャップ層と前記第
２の再生ギャップ層との間に位置しており、さらに、強磁性の第１のシールド層を備え、前記第１の再生ギャップ層および前記第２の再生ギャッ
プ層が、前記シールド層と前記第１のコイル層との間に
位置している、請求項６に記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項８】前記第２の磁極片構造体が、前記フロント
領域に位置する強磁性のフロント構成要素と前記バック
・ギャップ領域に位置する強磁性のバック・ギャップ構
成要素との間に位置する強磁性のヨークを備えており、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成要素および
前記バック・ギャップ構成要素が、前記第２の磁極片の
前記ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構
成要素にそれぞれ磁気的に接続しており、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成要素、前記
第２の磁極片構造体の前記バック・ギャップ構成要素、
および、前記第３の絶縁層が、第３の同一平面表面を形
成しており、前記ヨークが、前記第２のコイル層の全面に伸びてお
り、かつ、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成
要素および前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接
続している、請求項５に記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項９】前記ヨークが、強磁性膜と誘電体膜との積
層体である、請求項８に記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項１０】さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再
生ギャップ層とを備え、前記再生センサが、前記第１の再生ギャップ層と前記第
２の再生ギャップ層との間に位置し、さらに、強磁性の第１のシールド層を備え、前記第１の再生ギャップ層および前記第２の再生ギャッ
プ層が、前記第１のシールド層と前記第１のコイル層と
の間に位置している、請求項９に記載の磁気ヘッド組立
体。
【請求項１１】空気ベアリング面（ＡＢＳ）を有する記
録ヘッドおよび再生ヘッドから成る磁気ヘッド組立体を
備えた磁気ディスク駆動装置であって、前記記録ヘッドが、第１の磁極片および第２の磁極片と、ヨーク領域に位置する第１のコイル層および第２のコイ
ル層とを備え、前記第２の磁極片が、前記ＡＢＳの一部を形成し、か
つ、前記記録ヘッドのトラック幅を画定する強磁性のポ
ール・チップ構成要素を備え、さらに、前記第１の磁極片と前記ポール・チップ構成要素との間
に位置する記録ギャップ層と、前記ポール・チップ構成要素の第１の側面、第２の側
面、およびバック面に接触し、かつ、前記第１のコイル
層と前記第２のコイル層との間に位置する誘電体の第１
の絶縁層とを備え、前記第２の磁極片が、前記第２のコイル層の全面に伸び
ており、かつ、フロント領域において前記ポール・チッ
プ構成要素に磁気的に接続し、かつ、バック・ギャップ
領域において前記第１の磁極片に磁気的に接続している
強磁性の第２の磁極片構造体を備えており、前記再生ヘッドが、センサと、非磁性非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再
生ギャップ層とを備え、前記センサが、前記第１の再生ギャップ層と前記第２の
再生ギャップ層との間に位置しており、さらに、強磁性の第１のシールド層を備え、前記第１の再生ギャップ層および前記第２の再生ギャッ
プ層が、前記第１のシールド層と前記第１の磁極片層と
の間に位置しており、さらに、筐体と、前記筐体中に回転支持された磁気ディスクと、前記ＡＢＳが前記磁気ディスクに面することにより、前
記磁気ヘッド組立体が前記磁気ディスクと変換関係にな
るように、前記磁気ヘッド組立体を支持する、前記筐体
中に搭載された支持体と、前記磁気ディスクを回転させるスピンドル・モータと、前記磁気ヘッド組立体を前記磁気ディスクに対して複数
の位置に移動させる、前記支持体に接続されたアクチュ
エータ位置決め手段と、前記磁気ヘッド組立体と信号を交換し、前記磁気ディス
クの動作を制御し、前記磁気ヘッド組立体の位置を制御
する、前記磁気ヘッド組立体、前記スピンドル・モー
タ、および、前記アクチュエータ位置決め手段に接続さ
れたプロセッサとを備えた磁気ディスク駆動装置。
【請求項１２】前記第１の磁極片が、前記フロント領域
において強磁性のペデスタルを備え、かつ、前記バック
・ギャップ領域においてバック・ギャップ構成要素を備
え、前記第１のコイル層が、前記第１の磁極片の前記ペデス
タルと前記バック・ギャップ構成要素との間に位置して
おり、さらに、前記第１のコイル層を絶縁する誘電体の第２の絶縁層を
備え、前記第１の磁極片の前記ペデスタル、前記第１の磁極片
の前記バック・ギャップ構成要素、前記第１のコイル
層、および、前記第２の絶縁層が第１の同一平面表面を
形成しており、前記記録ギャップ層が前記ペデスタルと前記ポール・チ
ップ構成要素との間に位置している、請求項１１に記載
の磁気ディスク駆動装置。
【請求項１３】前記第２の磁極片が、前記第１の磁極片
の前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強
磁性のバック・ギャップ構成要素を備え、前記第１の絶縁層が、前記第２の磁極片の前記ポール・
チップ構成要素とバック・ギャップ構成要素との間に位
置しており、前記第２の磁極片の前記ポール・チップ構成要素、前記
第２の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素、およ
び、前記第１の絶縁層が第２の同一平面表面を形成して
いる、請求項１２に記載の磁気ディスク駆動装置。
【請求項１４】前記第２の磁極片が、前記第２の磁極片
の前記ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ
構成要素に磁気的に接続し、かつ、前記第２のコイル層
の全面に伸びている強磁性の第２の磁極片構造体を備
え、さらに、前記第２の磁極片構造体から前記第２のコイル層を絶縁
している誘電体の第３の絶縁層を備えた、請求項１３に
記載の磁気ディスク駆動装置。
【請求項１５】前記第２の磁極片構造体が、単層であ
る、請求項１４に記載の磁気ディスク駆動装置。
【請求項１６】前記第２の磁極片構造体が、前記フロン
ト領域に位置する強磁性のフロント構成要素と前記バッ
ク・ギャップ領域に位置する強磁性のバック・ギャップ
構成要素との間に位置する強磁性のヨークを備えてお
り、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成要素および
前記バック・ギャップ構成要素が、前記第２の磁極片の
前記ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構
成要素にそれぞれ磁気的に接続しており、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成要素、前記
第２の磁極片構造体の前記バック・ギャップ構成要素、
および、前記第３の絶縁層が、第３の同一平面表面を形
成しており、前記ヨークが、前記第２のコイル層の全面に伸びてお
り、かつ、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成
要素および前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接
続している、請求項１４に記載の磁気ディスク駆動装
置。
【請求項１７】前記ヨークが、強磁性膜と誘電体膜との
積層体である、請求項１６に記載の磁気ディスク駆動装
置。
【請求項１８】上面、底面、および、空気ベアリング面
（ＡＢＳ）の一部を形成するフロント面によって部分的
に画定された磁気ヘッド組立体であって、第１の磁極片および第２の磁極片を備え、前記第１の磁極片が、フロント部、中間部、および、バ
ック部を備え、前記中間部が前記フロント部と前記バッ
ク部との間に位置している強磁性の第１の磁極片層を備
えており、前記第１の磁極片が、さらに、前記第１の磁極片層の前
記フロント部に磁気的に接続した強磁性のペデスタル、
および、前記第１の磁極片層の前記バック部に磁気的に
接続した強磁性のバック・ギャップ構成要素を備え、前
記第１の磁極片層の中間部が前記ペデスタルと前記バッ
ク・ギャップ構成要素との間に位置しており、さらに、前記第１の磁極片層の前記中間部上に位置する誘電体の
第１の絶縁層と、離間したターン群を備え、かつ、前記ペデスタルおよび
前記バック・ギャップ構成要素の各々から離間され、前
記第１の絶縁層上に位置する第１のコイル層と、前記第１のコイル層のターン群の間、および、前記第１
のコイル層と前記ペデスタルおよび前記バック・ギャッ
プ構成要素の各々との間に位置する誘電体の第２の絶縁
層とを備え、前記ペデスタルの表面、前記第２の絶縁層の表面、およ
び、前記バック・ギャップ構成要素の表面が、第１の同
一平面表面を形成しており、前記第１の同一平面表面がフロント部、中間部、およ
び、バック部を備え、前記中間部が前記フロント部と前
記バック部との間に位置しており、さらに、前記第１の同一平面表面の前記フロント部および前記中
間部の上に位置する非磁性の記録ギャップ層を備え、前記記録ギャップ層が、フロント部およびリア部を有
し、前記第２の磁極片が、前記記録ギャップ層の前記フロン
ト部上に位置し、かつ、記録ヘッドのトラック幅を画定
する幅を有する強磁性のポール・チップ構成要素を備え
ており、前記第２の磁極片が、さらに、前記第１の磁極片の前記
バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁性の
バック・ギャップ構成要素を備えており、さらに、前記第２の磁極片の前記ペデスタルと前記バック・ギャ
ップ構成要素との間の空間において前記記録ギャップ層
の前記リア部の上に位置する誘電体の第３の絶縁層を備
え、前記ポール・チップ構成要素の表面、前記第３の絶縁層
の表面、および、前記第２の磁極片の前記バック・ギャ
ップ構成要素の表面が、第２の同一平面表面を形成して
おり、前記第２の同一平面表面がフロント部、中間部、およ
び、バック部を有し、前記中間部が前記フロント部と前
記バック部との間に位置しており、さらに、前記第２の同一平面表面の前記中間部上に位置する第２
のコイル層を備え、前記第２の磁極片が、前記第２のコイル層の全面に位置
し、かつ、前記第２の同一平面表面の前記フロント部に
おいて前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続し、
かつ、前記第２の同一平面表面の前記バック部において
前記第２の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素に磁
気的に接続した第２の磁極片構造体を備えており、さらに、前記第２のコイル層のターン群の間、および、前記第２
のコイル層と前記第２の磁極片構造体との間に位置する
誘電体の第４の絶縁層を備えた磁気ヘッド組立体。
【請求項１９】前記ポール・チップ構成要素が、ＡＢＳ
と交差する第１の側壁および第２の側壁を有し、前記第３の絶縁層が、前記ポール・チップ構成要素の前
記第１の側壁および前記第２の側壁に接触している、請
求項１８に記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項２０】前記第２の磁極片構造体が、単層であ
る、請求項１９に記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項２１】前記第１のコイル層が、前記第１の同一
平面表面を形成する表面を有する、請求項２０に記載の
磁気ヘッド組立体。
【請求項２２】前記第２の絶縁層が、前記第１のコイル
層を覆うフォトレジストの第１の膜、および、前記第１
の膜を覆うアルミナの第２の膜から成る、請求項２１に
記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項２３】さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再
生ギャップ層とを備え、前記再生センサが、前記第１の再生ギャップ層と前記第
２の再生ギャップ層との間に位置しており、さらに、強磁性の第１のシールド層を備え、前記第１の再生ギャップ層および前記第２の再生ギャッ
プ層が、前記第１のシールド層と前記第１のコイル層と
の間に位置している、請求項２２に記載の磁気ヘッド組
立体。
【請求項２４】前記第３の絶縁層が、すべてアルミナか
ら成る、請求項２３に記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項２５】前記第２の磁極片構造体が、前記第２の同一平面表面の前記フロント部において前記
ポール・チップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のフ
ロント構成要素、および、前記第２の同一平面表面の前
記バック部において前記第２の磁極片のバック・ギャッ
プ構成要素に磁気的に接続した強磁性のバック・ギャッ
プ構成要素と、前記フロント構成要素に磁気的に接続したフロント部、
前記第２の磁極片構造体の前記バック・ギャップ構成要
素に磁気的に接続したバック部、および、前記第２のコ
イル層の全面にわたって伸びる中間部を有する強磁性の
ヨークとを備えている、請求項１９に記載の磁気ヘッド
組立体。
【請求項２６】前記ヨークが、全体的に平坦であり、か
つ、強磁性膜と誘電体膜との積層体である、請求項２５
に記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項２７】前記第２の絶縁層が、前記第１のコイル
層を覆うフォトレジストの第１の膜、および、前記第１
の膜を覆うアルミナの第２の膜から成る、請求項２６に
記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項２８】前記第４の絶縁層が、前記第２のコイル
層を覆うフォトレジストの第１の膜と、前記第１の膜を
覆うアルミナの第２の膜とを備えている、請求項２７に
記載の磁気ヘッド組立体。
【請求項２９】さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再
生ギャップ層とを備え、前記再生センサが、前記第１の再生ギャップ層と前記第
２の再生ギャップ層との間に位置しており、さらに、強磁性の第１のシールド層を備え、前記第１の再生ギャップ層および前記第２の再生ギャッ
プ層が、前記第１のシールド層と前記第１のコイル層と
の間に位置している、請求項２８に記載の磁気ヘッド組
立体。
【請求項３０】空気ベアリング面（ＡＢＳ）を有する磁
気ヘッドの製造方法であって、第１の磁極片および第２の磁極片を形成する工程と、ヨーク領域に第１のコイル層および第２のコイル層を形
成する工程と、ＡＢＳの一部を形成し、かつ、記録ヘッドのトラック幅
を画定する強磁性のポール・チップ構成要素で前記第２
の磁極片を形成する工程と、前記第１の磁極片と前記ポール・チップ構成要素との間
に記録ギャップ層を形成する工程と、前記ポール・チップ構成要素の第１の側面、第２の側
面、およびバック面に接触し、かつ、前記第１のコイル
層と前記第２のコイル層との間に位置する誘電体の第１
の絶縁層を形成する工程と、前記第２のコイル層の全面に伸び、かつ、フロント領域
において前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続
し、かつ、バック・ギャップ領域において前記第１の磁
極片に磁気的に接続した強磁性の第２の磁極片構造体で
前記第２の磁極片を形成する工程とを備えた磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項３１】前記第１の絶縁層を、すべて、アルミナ
で形成する、請求項３０に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項３２】前記フロント領域に位置する強磁性のペ
デスタル、および、前記バック・ギャップ領域に位置す
るバック・ギャップ構成要素で前記第１の磁極片を形成
する工程と、前記第１の磁極片の前記ペデスタルと前記バック・ギャ
ップ構成要素との間に、前記第１のコイル層を形成する
工程と、前記第１のコイル層を絶縁する誘電体の第２の絶縁層を
形成する工程と、第１の同一平面表面を画定するように、前記第１の磁極
片の前記ペデスタルおよび前記バック・ギャップ構成要
素、前記第１のコイル層、ならびに、前記第２の絶縁層
を形成する工程と、前記ペデスタルと前記ポール・チップ構成要素との間
に、前記記録ギャップ層を形成する工程とを備えた請求
項３０に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３３】前記第１の同一平面表面および前記第２
の同一平面表面を、ＣＭＰによって形成する、請求項３
２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３４】前記第２の絶縁層を形成して前記第１の
コイル層を保護したのちに、前記第１の磁極片の前記ペ
デスタルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成す
る、請求項３２に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３５】前記第１の磁極片の前記バック・ギャッ
プ構成要素に磁気的に接続した強磁性のバック・ギャッ
プ構成要素で前記第２の磁極片を形成する工程と、前記第２の磁極片の前記ポール・チップ構成要素と前記
バック・ギャップ構成要素との間に前記第１の絶縁層を
形成する工程と、第２の同一平面表面を画定するように、前記第２の磁極
片の前記ポール・チップ構成要素および前記バック・ギ
ャップ構成要素、ならびに、前記第１の絶縁層を形成す
る工程とを備えた、請求項３２に記載の、磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項３６】前記第２の磁極片の前記ポール・チップ
構成要素および前記バック・ギャップ構成要素に磁気的
に接続し、かつ、前記第２のコイル層の全面に伸びる強
磁性の第２の磁極片構造体で前記第２の磁極片を形成す
る工程と、前記第２の磁極片構造体から前記第２のコイル層を絶縁
する誘電体の第３の絶縁層を形成する工程とを備えた、
請求項３５に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３７】前記第２の磁極片構造体を、単層として
形成する、請求項３６に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項３８】フォトレジストの第１の膜およびアルミ
ナの第２の膜で前記第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の絶縁層の前記第１の膜を形成して前記第１の
コイル層を保護したのち、前記第１の磁極片の前記ペデ
スタルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、
しかるのち、前記第２の膜を形成する工程とを備えた、
請求項３７に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３９】前記第３の絶縁層を形成して前記第２の
コイル層を保護したのち、前記第２の磁極片構造体の前
記フロント構成要素および前記バック・ギャップ構成要
素を形成する、請求項３８に記載の、磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項４０】さらに、再生センサを形成する工程と、非磁性非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再
生ギャップ層を、前記再生センサが前記第１の再生ギャ
ップ層と前記第２の再生ギャップ層との間に位置するよ
うに形成する工程と、強磁性の第１のシールド層を、前記第１の再生ギャップ
層および前記第２の再生ギャップ層が前記第１のシール
ド層と前記第１のコイル層との間に位置するように形成
する工程とを備えた、請求項３９に記載の、磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項４１】前記フロント領域に位置する強磁性のフ
ロント構成要素と、前記バック・ギャップ領域に位置す
る強磁性のバック・ギャップ構成要素との間に位置する
強磁性のヨークで前記第２の磁極片構造体を形成する工
程と、前記第２の磁極片の前記ポール・チップ構成要素および
前記バック・ギャップ構成要素にそれぞれ磁気的に接続
した、前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成要素
および前記バック・ギャップ構成要素を形成する工程
と、第３の同一平面表面を画定するように、前記第２の磁極
片構造体の前記フロント構成要素および前記バック・ギ
ャップ構成要素、ならびに、前記第３の絶縁層を形成す
る工程と、前記第２のコイル層にわたって前記ヨークを形成し、そ
れを前記第２の磁極片構造体の前記フロント構成要素お
よび前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続させ
る工程とを備えた、請求項３６に記載の、磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項４２】フォトレジストの第１の膜およびアルミ
ナの第２の膜で前記第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の絶縁層の前記第１の膜を形成して前記第１の
コイル層を保護したのち、前記第１の磁極片の前記ペデ
スタルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、
しかるのち、前記第２の膜を形成する工程とを備えた、
請求項４１に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４３】フォトレジストの第１の膜およびアルミ
ナの第２の膜で前記第３の絶縁層を形成する工程と、前記第３の絶縁層の前記第１の膜を形成して前記第２の
コイル層を保護したのち、前記第２の磁極片構造体の前
記フロント構成要素および前記バック・ギャップ構成要
素を形成し、しかるのち、前記第２の膜を形成する工程
とを備えた、請求項４２に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項４４】前記ヨークを、強磁性膜と誘電体膜との
積層体として形成する、請求項４３に記載の、磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項４５】さらに、再生センサを形成する工程と、非磁性非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再
生ギャップ層を、前記再生センサが前記第１の再生ギャ
ップ層と前記第２の再生ギャップ層との間に位置するよ
うに形成する工程と、強磁性の第１のシールド層を、前記第１の再生ギャップ
層および前記第２の再生ギャップ層が前記第１のシール
ド層と前記第１のコイル層との間に位置するように形成
する工程とを備えた、請求項４４に記載の、磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項４６】上面、底面、および、空気ベアリング面
（ＡＢＳ）の一部を形成するフロント面によって部分的
に画定された磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁極片および第２の磁極片を形成する工程を備
え、前記第１の磁極片を、フロント部、中間部、および、バ
ック部を有し、前記中間部が前記フロント部と前記バッ
ク部との間に位置する強磁性の第１の磁極片層で形成
し、さらに、前記第１の磁極片を、前記第１の磁極片層の前記フロン
ト部に磁気的に接続した強磁性のペデスタル、および、
前記第１の磁極片層の前記バック部に磁気的に接続した
強磁性のバック・ギャップ構成要素で、前記第１の磁極
片層の前記中間部が前記ペデスタルと前記バック・ギャ
ップ構成要素との間に位置するように形成し、さらに、前記第１の磁極片層の前記中間部上に誘電体の第１の絶
縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上に第１のコイル層を、ターン群を離
間した状態で、かつ、前記ペデスタルおよび前記バック
・ギャップ構成要素の各々から離間して形成する工程
と、誘電体の第２の絶縁層を、前記第１のコイル層のターン
群の間、および、前記第１のコイル層と前記ペデスタル
および前記バック・ギャップ構成要素の各々との間に形
成する工程と、第１の同一平面表面を形成する表面を有し、前記第１の
同一平面表面がフロント部、中間部、および、バック部
を有し、前記中間部が前記フロント部と前記バック部と
の間に位置するように、ポール・チップ構成要素、前記
第２の絶縁層、および、前記バック・ギャップ構成要素
を形成する工程と、前記第１の同一平面表面の前記フロント部および前記中
間部の上に非磁性の記録ギャップ層を、前記記録ギャッ
プ層がフロント部およびリア部を有するように形成する
工程と、前記記録ギャップ層の前記フロント部上に位置し、か
つ、記録ヘッドのトラック幅を画定する幅を有する強磁
性のポール・チップ構成要素で前記第２の磁極片を形成
する工程と、さらに、第１の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素に磁気的
に接続した強磁性のバック・ギャップ構成要素で前記第
２の磁極片を形成する工程と、前記第２の磁極片の前記ペデスタルと前記バック・ギャ
ップ構成要素との間の空間中の前記記録ギャップ層の前
記リア部上に誘電体の第３の絶縁層を形成する工程と、第２の同一平面表面を形成する上面を有し、前記第２の
同一平面表面がフロント部、中間部、および、バック部
を有し、前記中間部が前記フロント部と前記バック部と
の間に位置するように、前記ポール・チップ構成要素、
前記第３の絶縁層、および、前記第２の磁極片の前記バ
ック・ギャップ構成要素を形成する工程と、前記第２の同一平面表面の前記中間部上に位置する第２
のコイル層を形成する工程と、前記第２のコイル層を覆い、かつ、前記第２の同一平面
表面の前記フロント部において前記ポール・チップ構成
要素に磁気的に接続し、かつ、前記第２の同一平面表面
の前記バック部において前記第２の磁極片の前記バック
・ギャップ構成要素に磁気的に接続した第２の磁極片構
造体で前記第２の磁極片を形成する工程と、前記第２のコイル層のターン群間、および、前記第２の
コイル層と前記第２の磁極片構造体との間に位置する誘
電体の第４の絶縁層を形成する工程とを備えた磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項４７】前記ポール・チップ構成要素を、前記Ａ
ＢＳと交差する第１の側壁および第２の側壁を有するよ
うに形成する工程と、前記第３の絶縁層を、前記ポール・チップ構成要素の前
記第１の側壁および前記第２の側壁に接触するように形
成する工程とを備えた、請求項４６に記載の、磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項４８】前記第２の磁極片構造体を、単層として
形成する、請求項４７に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項４９】前記第１のコイル層を、前記第１の同一
平面表面を形成する表面を有するように形成する、請求
項４８に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５０】前記第２の絶縁層を、フォトレジストの
第１の膜およびアルミナの第２の膜で形成する工程と、前記第２の絶縁層の前記第１の膜を形成して前記第１の
コイル層を保護したのち、前記第１の磁極片の前記ペデ
スタルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、
しかるのち、前記第２の絶縁層の前記第２の膜を形成す
る工程とを備えた、請求項４９に記載の、磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項５１】再生センサを形成する工程と、非磁性非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再
生ギャップ層を、前記再生センサが前記第１の再生ギャ
ップ層と前記第２の再生ギャップ層との間に位置するよ
うに形成する工程と、強磁性の第１のシールド層を、前記第１の再生ギャップ
層および前記第２の再生ギャップ層が前記第１のシール
ド層と前記第１のコイル層との間に位置するように形成
する工程とを備えた、請求項５０に記載の、磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項５２】前記第３の絶縁層を、すべて、アルミナ
で形成する、請求項５１に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項５３】前記第２の磁極片を作製する工程が、前記第２の同一平面表面の前記フロント部において前記
ポール・チップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のフ
ロント構成要素、および、前記第２の同一平面表面の前
記バック部において前記第２の磁極片構造体の前記バッ
ク・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のバッ
ク・ギャップ構成要素を形成する工程と、前記フロント構成要素に磁気的に接続したフロント部、
前記第２の磁極片構造体の前記バック・ギャップ構成要
素に磁気的に接続したバック部、および、前記第２のコ
イル層の全面に伸びている中間部を有する強磁性のヨー
クを形成する工程とを備えた、請求項４７に記載の、磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項５４】前記ヨークを、全体的に平坦に形成す
る、請求項５３に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５５】フォトレジストの第１の膜およびアルミ
ナの第２の膜で前記第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の絶縁層の前記第１の膜を形成して前記第１の
コイル層を保護したのち、前記第１の磁極片の前記ペデ
スタルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、
しかるのち、前記第２の絶縁層の前記第２の膜を形成す
る工程とを備えた、請求項５４に記載の、磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項５６】フォトレジストの第１の膜およびアルミ
ナの第２の膜で前記第４の絶縁層を形成する工程と、前記第２のコイル層上に前記第４の絶縁層の前記第１の
膜を形成したのち、前記第２の磁極片構造体の前記フロ
ント構成要素および前記バック・ギャップ構成要素を形
成し、しかるのち、前記第４の絶縁層の前記第２の膜を
形成する工程とを備えた、請求項５５に記載の、磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項５７】さらに、再生センサを形成する工程と、非磁性非導電性の第１の再生ギャップ層および第２の再
生ギャップ層を、前記再生センサが前記第１の再生ギャ
ップ層と前記第２の再生ギャップ層との間に位置するよ
うに形成する工程と、強磁性の第１のシールド層を、前記第１の再生ギャップ
層および前記第２の再生ギャップ層が前記第１のシール
ド層と前記第１のコイル層との間に位置するように形成
する工程とを備えた、請求項５６に記載の、磁気ヘッド
の製造方法。