JP2003030803A - 磁気ヘッド組立体およびその製造方法 - Google Patents

磁気ヘッド組立体およびその製造方法

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JP2003030803A
JP2003030803A JP2002162342A JP2002162342A JP2003030803A JP 2003030803 A JP2003030803 A JP 2003030803A JP 2002162342 A JP2002162342 A JP 2002162342A JP 2002162342 A JP2002162342 A JP 2002162342A JP 2003030803 A JP2003030803 A JP 2003030803A
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forming
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Yimin Hsu
イミン・フスー
Hugo Alberto Emilio Santini
ヒューゴ・アルベルト・エミリオ・サンティニ
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 磁気ヘッド組立体に関し、高効率かつ高デー
タ転送速度で狭トラック幅の記録ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気ヘッド組立体200は、第1の磁極
片および第2の磁極片と、第1のコイル層206および
第2のコイル層230とを備えている。第2の磁極片
は、空気ベアリング面(ABS)の一部を形成するとと
もに記録ヘッドのトラック幅を画定する強磁性のポール
・チップ216を備えている。第1の磁極片とポール・
チップ216との間には、記録ギャップ層214が位置
している。誘電体の第1の絶縁層226が、ポール・チ
ップ216の第1の側面と第2の側面に接触するととも
に、第1のコイル層206と第2のコイル層230との
間に位置している。第2の磁極片は、ポール・チップ2
16および第1の磁極片の各々に磁気的に接続するとと
もに、第2のコイル層230の全面に伸びる強磁性の第
2の磁極片構造体232を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、データ転送速度の
大きな記録ヘッドに関し、特に、長さが短く、狭ピッチ
の二重コイルと、各コイル用の大ヒート・シンクと、ア
スペクト比が大きく十分に画定された第2のポール・チ
ップとを備えた大線記録密度の記録ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク駆動装置は、コンピュータ
の心臓部である。磁気ディスク駆動装置は、次のものを
備えている。すなわち、回転する磁気ディスクと、記録
ヘッドと再生ヘッドを備えたスライダと、回転するディ
スク上に位置するサスペンション・アームと、サスペン
ション・アームを旋回させて記録ヘッドと再生ヘッドを
回転するディスク上の選択した円形のトラック上に位置
させるアクチュエータ・アームとである。ディスクが回
転していないとき、サスペンション・アームは、スライ
ダを一方に片寄らせてディスクの表面と接触させる。デ
ィスクが回転しているときには、回転するディスクによ
ってスライダのABS(空気ベアリング面)近傍に空気
が渦巻くので、スライダは、回転するディスクの表面か
らわずかに離れた空気ベアリングの上に乗る。スライダ
が空気ベアリングの上に乗っているときに、記録ヘッド
と再生ヘッドを使って、回転するディスクに磁気の痕跡
(こんせき)を書き込んだり、回転するディスクから磁
気信号磁界を読み取ったりする。記録ヘッドと再生ヘッ
ドは、記録(書き込み)機能と再生(読み出し)機能を
実装(implement)しているコンピュータ・プログラムに
従って動作する処理回路に接続されている。
【0003】記録ヘッドは、通常、強磁性の第1の磁極
片と第2の磁極片を使用する。これら第1の磁極片と第
2の磁極片は、磁気媒体、たとえば回転する磁気ディス
ク上のトラックに磁気の痕跡を書き込むために、磁束信
号を担持することができる。第1の磁極片と第2の磁極
片は、各々、ポール・チップ領域とバック・ギャップ領
域との間に設けられたヨーク領域を備えている。ポール
・チップ領域は、ABSに位置している。バック・ギャ
ップ領域は、ポール・チップ領域から離間され、記録ヘ
ッド内の凹(へこ)んだ場所に位置している。ヨーク領
域の第1の磁極片と第2の磁極片との間に位置する絶縁
スタックに、少なくとも1つのコイル層が組み込まれて
いる。第1の磁極片のポール・チップ領域と第2の磁極
片のポール・チップ領域との間に、非磁性の記録ギャッ
プが位置している。第1の磁極片と第2の磁極片とは、
バック・ギャップにおいて磁気的に接続されている。処
理回路は、記録コイルをディジタルに駆動する。記録コ
イルは、第1の磁極片と第2の磁極片の中に磁束を誘導
する。この結果、磁束信号がABSにおいて記録ギャッ
プの両端を橋絡し、回転するディスクのトラックに上述
した磁気の痕跡すなわちビットを書き込む。
【0004】記録ヘッドは、通常、面密度で評価され
る。面密度は、線ビット密度とトラック幅密度との積で
ある。線ビット密度とは、回転する磁気ディスクのトラ
ックに沿う1インチ当りに記録できるビット数のことで
ある。トラック幅密度とは、回転する磁気ディスクの半
径に沿う1インチ当りに記録できるトラック数のことで
ある。線ビット密度はBPI(bits per inch)として数
量化され、トラック幅密度はTPI(tracks per inch)
として数量化される。線ビット密度は、記録ギャップ層
の厚さに依存する。記録ギャップ層が薄くなるほど、回
転するディスクのトラックに記録ヘッドが記録できるビ
ット数が多くなる。トラック幅密度は、ABSにおける
第2のポール・チップの幅に直接に依存する。過去数年
にわたる記録ヘッドの面密度を向上させる努力の結果、
コンピュータの記憶容量は、キロバイトからメガバイ
ト、ギガバイトへと増大した。
【0005】第1の磁極片と第2の磁極片は、第2のポ
ール・チップを含めて、通常、めっき技法によって製造
する。第2のポール・チップをサブミクロン幅を有する
ように製造することが強く求められているけれども、製
造技法の解像度によって制限されている。第2のポール
・チップは、通常、フレームめっきによって製造する。
この場合、フレームを形成するのにフォトレジストを使
用し、めっき動作用の戻り経路を構成するのにシード層
を使用する。第2のポール・チップを製造する典型的な
手順は、第1の磁極片と第2の磁極片の他の構成要素と
同様に、次のとおりである。 (1)ウェーハをスパッタ洗浄する。 (2)ウェーハ上にニッケル鉄などのシード層をスパッ
タ堆積する。 (3)ウェーハ上にフォトレジスト層をスピン塗布す
る。 (4)マスクを通してフォトレジスト層の除去すべき領
域を露光する(ただし、当該フォトレジストはポジ型フ
ォトレジストであると仮定する)。 (5)フォトレジストを現像して露光した領域を除去
し、フォトレジスト中のポール・チップ領域に開口を形
成する。 (6)開口中に第2のポール・チップをめっきして所望
の高さにする。
【0006】必要なのは、第2のポール・チップがAB
Sにおいて十分なかさを有するようにして、磁気ディス
クに信号を書き込むのに必要な量の磁束を透過しうるよ
うにすることである。第2のポール・チップを薄く作成
する場合には、その高さを高くして、必要なかさの磁性
材料を確保する必要がある。あいにく、トラック幅が狭
くなる、すなわち第2のポール・チップが薄くなるのに
つれて、フォトレジストの解像度が低下する。解像度
は、第2のポール・チップの幅をフォトレジストの厚さ
で割ったアスペクト比として数量化される。第2のポー
ル・チップの幅に比してフォトレジストが厚くなると、
露光工程において、光がフォトレジストの底部に向かっ
て侵入するのにつれて、光の侵入形状が柱状でなくな
る。この結果、フォトレジスト・フレームの側壁がぎざ
ぎざになるので、第2のポール・チップの側壁もぎざぎ
さになってしまう。
【0007】上述した問題が顕著になるのは、第2のポ
ール・チップと第2の磁極片のヨークとを共通のフォト
レジスト・フレームで同時にめっきする場合である。こ
の場合、第2のポール・チップの高さが高くなるのにつ
れて側壁が失われるのに加え、フォトレジストしたがっ
て第2のポール・チップの側壁に刻み目も生じる。これ
は、シード層が出す光がポール・チップ領域のすぐ背後
にある絶縁スタックで反射するのに起因する。この問題
を解決する1つの方法は、縫い合わせ「T」形(stitch
ed "T"-shaped)の磁極片を用いることである。これを作
製するには、まず第1のフォトレジスト・フレームで第
2のポール・チップ部だけを形成した後、第2のフォト
レジスト・フレームで第2の磁極片のヨーク部を形成す
る。その際、ヨーク部を第2のポール・チップ上部の縫
い合わせ領域に縫い合わせる(すなわち磁気的に接続す
る)ようにする。この型の第2の磁極片が縫い合わせ
「T」形と呼ばれているのは、ヨーク部がポール・チッ
プ部の上を横切って伸びて「T」形を形成しているから
である。ヨーク部は、第2のポール・チップの表面全体
にわたって縫い合わせてもよい。この場合、ヨーク部
は、所望により、ABSに露出していてもよいし、ある
いは、ABSから凹(へこ)んでいてもよい。しかしな
がら、以上の解決策の場合、あいにく、第2のポール・
チップの形成に引き続く工程によって、第2のポール・
チップの高さが低くなるとともに、その側壁に大きな損
傷を受ける可能性がある。
【0008】記録ヘッドの上述した面密度を増大させる
ことが、依然として強く求められている。線ビット密度
が増大すると、記録ヘッドのデータ転送速度が大きくな
る。そして、第2のポール・チップを狭く製造するほ
ど、トラック幅密度が増大する。目標は、1Gbpsと
いう大データ転送速度を達成することである。これは、
回転する磁気ディスクのトラックの長さに沿う1インチ
当たりに、記録ヘッドがより多くのビットを記録するこ
とが必要になる、ということを意味している。これは、
さらに、磁気ディスク材料の保磁力を増大させて、トラ
ックに沿うより小さなビットで、再生ヘッドが検知しう
るのに十分な磁界を発生させることが必要になる、とい
うことを意味している。保磁力とは、所定ビットの磁化
の配向をディスク面と平行な一方向から反対方向に反転
させるのに要する印加磁界量のことである。データ転送
速度を大きくするにはディスクの磁性材料の保磁力を大
きくする必要があるから、記録ヘッドは、磁気ディスク
中のビットを一方向から反対方向に反転させるのにより
高密度の磁界を発生させる能力を有さねばならない。異
なる方向は、ディジタル情報を表わしている。このディ
ジタル情報を処理すると、人間が識別できる情報が得ら
れる。記録ヘッドが保磁力の大きなディスクに磁気ビッ
トを記録するには、記録ヘッドの記録信号の大きさがデ
ィスクのこの大きな保磁力を上回っている必要がある。
この機能を実現するには、記録ヘッドは、きわめて効率
的であらねばならない。
【0009】データ転送速度を大きくする方法の1つ
は、コイル層のピッチを狭くすることである。ピッチと
は、コイルの1ターン(1巻き)の幅に、あるターンと
次のターンとの間の空間を加えた距離のことである。コ
イルのピッチは、1μm以下であるのが望ましい。あい
にく、コイルのピッチを狭くしてデータ転送速度を大き
くすると、記録ヘッドは、熱の増大と、第1の磁極片と
第2の磁極片との間に生じる渦電流の増大との影響を受
けるようになる。渦電流によって、書き込み電流が減少
する。そして、書き込み電流の減少によって、記録ヘッ
ドのギャップの両端にかかる書き込み信号が小さくなっ
てしまう。そこで、書き込み信号を大きくしようとして
書き込み電流を大きくすると、発生する熱量が増大して
しまう。熱が過大になると、記録ヘッドの少なくとも1
つの層がABSを突き破って記録ヘッドを破壊する可能
性がある。このABSの突き破りが生じるのは、記録ヘ
ッドの絶縁スタック中の少なくとも1つのフォトレジス
ト層が過度に膨張するからである。記録ヘッド中の渦電
流を低減する方法の1つは、ABSとバック・ギャップ
との間の長さを短くすることである。これは、積層した
2つのコイル層を用いて実現することができる。記録ヘ
ッドの長さを短くすると、第1の磁極片と第2の磁極片
との間の漏れ磁束を最小にすることもできる。ところ
が、あいにく、第1のコイル層の断面形状のために、第
1のコイル層の上にピッチの狭い第2のコイル層を作製
するのが困難である。次の点が判明している。すなわ
ち、第1のコイル層の上をいかに平坦化しても、第1の
コイル層の断面形状が第2のコイル層の作製に影響して
しまう。この結果、第2のコイル層のピッチを広くし
て、第2のコイル層のターン間が短絡するのを防ぐ必要
が生じる。さらに、第1のコイル層はその下部層群から
成るヒート・シンクを備えているけれども、第2のコイ
ル層は十分なヒート・シンクを備えていない。これらの
問題点によって、大きなデータ転送速度を実現する2重
コイル型記録ヘッドを作製するのは困難であった。
【0010】高面密度記録ヘッド作製の別の側面は、記
録ヘッドのトラック幅密度である。トラック幅密度は、
第2のポール・チップの第1の側壁(以下、側面ともい
う)と第2の側壁との間の距離に全面的に依存してい
る。第2のポール・チップは、通常、フレームめっきを
用いて作製している。第2のポール・チップが第2の磁
極片の分離した構成要素であって、第2の磁極片のヨー
ク部を作製する前に作製するものである場合には、第2
のポール・チップの第1の側面と第2の側面を十分に画
定することができる。しかしながら、あいにく、第2の
ポール・チップを形成した後になると、第1の側面と第
2の側面は、引き続く第2のコイル層の作製に関係する
工程群によって大幅に変形されてしまう。したがって、
高トラック幅密度を達成するには、第2のポール・チッ
プの作製後、第2のポール・チップの第1の側面と第2
の側面を保護する必要がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高効
率かつ高データ転送速度で狭トラック幅の記録ヘッドを
提供することである。
【0012】本発明の別の目的は、狭ピッチで高解像度
の上部コイル層および底部コイル層と、各コイル層用の
大ヒート・シンクと、高解像度の第2のポール・チップ
とを備えた高効率な記録ヘッドを提供することである。
【0013】本発明の別の目的は、平坦かつ積層された
磁極片ヨークを備えた上述の記録ヘッドを提供すること
である。
【0014】本発明の別の目的は、上述した記録ヘッド
の製造方法を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、きわめて効率
的でデータ転送速度が大きくトラック幅の狭い記録ヘッ
ド提供する。本発明に係る記録ヘッドは、底部記録コイ
ル(第1の記録コイル)と上部記録コイル(第2の記録
コイル)というように2つの記録コイルを備えているの
で、ABS(空気ベアリング面)とバック・ギャップと
の間の距離を短くすることができる。ABSとバック・
ギャップとの間の距離を短くすると、渦電流と漏れ磁束
が低減する。底部記録コイルと上部記録コイルとの間に
は、厚い絶縁層(アルミナが望ましい)が設けてある。
この厚い絶縁層が、上部記録コイル用のヒート・シンク
として効率的に機能する。この厚い絶縁層は平坦化して
あるので、底部記録コイルの断面形状が上部記録コイル
中に複製されることはない。これにより、上部記録コイ
ルを狭ピッチに作製することができるので、データ転送
速度を大きくすることができる。さらに、上部記録コイ
ルと底部記録コイルの両者は作製直後に保護し、しかる
のちに引き続く工程を実行しているので、両コイルの変
形および/または両コイルのターン群間の短絡を防ぐこ
とができる。(「Aおよび/またはB」は「Aおよび
B、A、またはB」を表わす)。本発明の別の側面で
は、第2の磁極片のヨークを平坦に作製しているので、
磁束伝達能力を高めることができる。さらに、ヨークを
平坦にすると、当該ヨークを誘電体膜と強磁性膜とを交
互に積層して作製できるから、渦電流をさらに低減でき
るとともに発熱量を低減できる。
【0016】上述したように、本発明に係る記録ヘッド
は、第1の磁極片および第2の磁極片と、第1のコイル
層および第2のコイル層とを備えている。本発明の一側
面は、第1の磁極片と第2の磁極片を、記録ヘッドのフ
ロント領域とバック・ギャップ領域に位置する選択した
強磁性の構成要素で形成することである。これに関し、
第2の磁極片は、ABSの一部を形成するポール・チッ
プ構成要素、および、第1の磁極片とポール・チップ構
成要素との間に位置する記録ギャップ層を備えている。
厚い絶縁層が、ポール・チップ構成要素の第1の側面、
第2の側面、および、バック面に接触するとともに、第
1のコイル層と第2のコイル層との間に位置している。
第2の磁極片は、ポール・チップ構成要素と第1の磁極
片に磁気的に接続するとともに、第2のコイル層の全面
に伸びる第2の磁極片構造体を備えている。ポール・チ
ップ構成要素のABSにおける幅は、記録ヘッドのトラ
ック幅を画定するものである。また、好適な実例では、
厚い絶縁層は、アルミナから成っている。
【0017】好適な実例では、第1の磁極片は、フロン
ト・ペデスタル(あるいは単にペデスタル)とバック・
ギャップ構成要素を備えている。そして、フロント・ペ
デスタルとバック・ギャップ構成要素との間に、底部コ
イル層が位置している。絶縁層が、第1のコイル層(底
部コイル層)を第1の磁極片から絶縁している。そし
て、別の絶縁層が、第1のコイル層のターン群を絶縁し
ている。第1のコイル層と上記別の絶縁層とは平坦化さ
れて、第1の同一平面表面を形成している。この実例で
は、記録ギャップ層は、ペデスタルとポール・チップと
の間に位置している。
【0018】好適な実例では、第2の磁極片は、第1の
磁極片のバック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した
バック・ギャップ構成要素を備えている。そして、ポー
ル・チップと第2の磁極片のバック・ギャップ構成要素
との間には、厚い絶縁層が位置している。第2の磁極片
のポール・チップおよびバック・ギャップ構成要素、な
らびに、厚い絶縁層は、平坦化されて、第2の同一平面
表面を形成している。第2の磁極片構造体は、第2の磁
極片のポール・チップ構成要素とバック・ギャップ構成
要素に磁気的に接続するとともに、第2のコイルすなわ
ち上部コイルの全面に伸びている。さらに別の絶縁層
が、第2のコイルそしてを第2の磁極片構造体から絶縁
している。
【0019】一実例では、磁極片構造体は、単層であ
る。別の実例では、磁極片構造体は、強磁性のフロント
構成要素およびバック・ギャップ構成要素と、強磁性の
磁極片ヨークとを備えている。第2の磁極片構造体のフ
ロント構成要素とバック・ギャップ構成要素は、第2の
磁極片のポール・チップ構成要素とバック・ギャップ構
成要素にそれぞれ磁気的に接続している。そして、第2
の磁極片構造体のフロント構成要素およびバック・ギャ
ップ構成要素、ならびに、厚い絶縁層は、平坦化され
て、第3の同一平面表面を形成している。ヨークは、平
坦な層として形成されており、かつ、第2の磁極片構造
体のフロント構成要素とバック・ギャップ構成要素に磁
気的に接続しており、かつ、上部コイル層の全面に伸び
ている。
【0020】
【発明の実施の形態】
【0021】〔磁気ディスク駆動装置〕
【0022】次に、図面を参照する。図中、同一の参照
符号は、同一または同様の部品を表わしている。図1
(a)〜(c)は、磁気ディスク駆動装置30を示す図
である。磁気ディスク駆動装置30は、磁気ディスク3
4を支持するとともに回転させるスピンドル32を備え
ている。スピンドル32は、モータ・コントローラ38
が制御するスピンドル・モータ36が回転させる。スラ
イダ42は、組み合わせ記録/再生ヘッド40を備える
とともに、サスペンション44とアクチュエータ・アー
ム46によって支持されている。サスペンション44と
アクチュエータ・アーム46は、アクチュエータ47が
回転・位置決めする。図1(c)に示す大容量のDAS
D(直接アクセス記憶装置)では、ディスク、スライ
ダ、およびサスペンションをそれぞれ複数個用いてい
る。アクチュエータ47がアクチュエータ・アーム46
とサスペンション44を駆動してスライダ42を位置決
めする。この結果、磁気ヘッド40は、磁気ディスク3
4の表面と変換関係をもつことができるようになる。
【0023】スピンドル・モータ36がディスク34を
回転させると、スライダ42は、ディスク34の表面と
ABS(空気ベアリング面)48との間に生じる薄い
(通常0.05μm)空気のクッションの上に支持され
ることになる。次いで、磁気ヘッド40を用いて、ディ
スク34の表面に設けられた複数のトラックに情報を書
き込んだり、それらから情報を読み出したりする。処理
回路50は、このような情報を表わす信号をヘッド40
と交換したり、スピンドル・モータ36に磁気ディスク
34を回転させる駆動信号を供給したり、スライダ42
を様々なトラックに移動させる制御信号をアクチュエー
タ46に供給したりする。図2(a)に、サスペンショ
ン44に搭載したスライダ42を示す。上述した構成要
素は、図1(c)に示すように、筐体55のフレーム5
4に搭載することができる。
【0024】図2(b)は、スライダ42と磁気ヘッド
40のABSを示す図である。スライダ42は、磁気ヘ
ッド40を支持する中央レール56と、側部レール5
8、60を備えている。レール56、58、60は、横
断レール62から伸びている。磁気ディスクの回転に対
して、横断レール62はスライダ42のリーディング・
エッジ64に位置しており、磁気ヘッド40はスライダ
42のトレーリング・エッジ66に位置している。
【0025】図3(a)は、併合型磁気ヘッド40の側
断面図である。併合型磁気ヘッド40は、記録ヘッド部
70と再生ヘッド部72を備えている。再生ヘッド部7
2には、センサ74が設けられている。図3(b)は、
図3(a)のABSを示す図である。センサ74は、非
磁性電気絶縁性の第1の再生ギャップ76と第2の再生
ギャップ78との間に挟まれている。第1の再生ギャッ
プ76と第2の再生ギャップ78は、強磁性の第1のシ
ールド層80と第2のシールド層82との間に挟まれて
いる。外部磁界に応答して、センサ74の抵抗値が変化
する。センサ74の抵抗変化は、センサ74中を流れる
センス電流Is によって、電位の変化として現れる。次
いで、この電位の変化は、図1(c)に示す処理回路5
0が再生信号として処理する。
【0026】磁気ヘッド40の記録ヘッド部70は、第
1の絶縁層86と第2の絶縁層88との間に挟まれたコ
イル層84を備えている。第3の絶縁層90を用いてヘ
ッドを平坦化することにより、コイル層84によって第
2の絶縁層88に生じたしわを除去することができる。
第1、第2、第3の絶縁層86、88、90は、当技術
分野では、「絶縁スタック」と呼ばれている。コイル層
84と第1、第2、第3の絶縁層86、88、90と
は、第1の磁極片層92と第2の磁極片層94との間に
挟まれている。第1の磁極片層92と第2の磁極片層9
4は、バック・ギャップ96で磁気的に接続されるとと
もに、第1のポール・チップ98と第2のポール・チッ
プ100を備えている。第1のポール・チップ98と第
2のポール・チップ100は、ABSにおいて記録ギャ
ップ層102によって分離されている。第2のシールド
層82と第1の磁極片層92が共通の層であるから、こ
のヘッドは、併合型ヘッドと呼ばれている。ピギーバッ
ク型ヘッドでは、これら第2のシールド層82と第1の
磁極片層92は、絶縁層によって分離された別々の層で
ある。図1(b)と図2(a)に示すように、第1のは
んだ接続部104と第2のはんだ接続部106が、セン
サ74から出るリード線をサスペンション44上のリー
ド線112、114にそれぞれ接続している。そして、
第3のはんだ接続部116と第4のはんだ接続部118
が、コイル84(図3(c)参照)から出るリード線を
サスペンション44上のリード線124、126にそれ
ぞれ接続している。
【0027】図4(a)は、ヘッド組立体40の行と列
を製造したウェーハ130の等角図である。本発明の一
側面は、以下で詳述するように、ヘッド組立体の諸層を
製造する様々な段階においてウェーハを平坦化すること
である。これには、ウェーハ上にアルミナの厚い層を堆
積したのち、CMP(chemical mechanical polishing)
を行なってヘッド組立体中の他の諸層と一緒にこのアル
ミナ層を平坦に研磨する工程が含まれる。ウェーハ13
0上でヘッド組立体40の製造が完了したら、ウェーハ
130を個々の行にダイシングする。行の1つ132を
図3(b)に示す。次いで、行132の表面134を研
磨して(これは磨き工程である)、上述したABSを形
成する。研磨したのち、行132を個々の磁気ヘッド4
0にダイシングする。磁気ヘッド40の1つ40を図4
(c)に示す。次いで、磁気ヘッド40を支持している
スライダ42を、図2(a)に示すサスペンション44
に搭載する。
【0028】〔磁気ヘッド組立体〕
【0029】図5(a)と図6(a)は、本発明の第1
の実施形態をなす磁気ヘッド組立体200を示す図であ
る。磁気ヘッド組立体200は、組み合わせ型の記録/
再生ヘッドを備えている。再生ヘッドは、第1の再生ギ
ャップ層76と第2の再生ギャップ層78との間に設け
られた上述したセンサ74を備えている。第1の再生ギ
ャップ層76と第2の再生ギャップ層78は、第1のシ
ールド層80と第2のシールド層82との間に設けられ
ている。上述したように、第2のシールド層82は、記
録ヘッド用の第1の磁極片層92としても機能する。ま
た、任意実行事項として、記録ヘッド用の第1の磁極片
層として、別の層(図示せず)を用いてもよい。この場
合、第1の磁極片層と第2のシールド層82との間に誘
電体分離層を設ける。
【0030】記録ヘッドの第1の磁極片は、第1の磁極
片層92に加え、ABSに位置するとともにABSの一
部を形成するペデスタル202と、バック・ギャップに
位置するバック・ギャップ構成要素204とを備えてい
る。ペデスタル202とバック・ギャップ構成要素20
4との間の第1の磁極片層92の上に誘電体の絶縁層2
05が位置している。絶縁層205の上には、第1の記
録コイル層206が位置している。第1の記録コイル層
206も、ペデスタル202とバック・ギャップ構成要
素204との間に位置している。絶縁層207は、記録
コイル206のターンを互いに絶縁するのに加え、ペデ
スタル202およびバック・ギャップ構成要素204か
ら記録コイルを絶縁している。好適な実施形態では、絶
縁層207は、ハード・ベークしたフォトレジスト膜2
08とアルミナ層210とを備えている。ハード・ベー
クしたフォトレジスト膜208は、記録コイル206の
ターン間を絶縁している。アルミナ層210は、ペデス
タル202およびバック・ギャップ構成要素204から
記録コイル206をさらに絶縁している。この段階で、
記録ヘッドは平坦化されているから、ペデスタル20
2、バック・ギャップ構成要素204、記録コイル20
6、ハード・ベークしたフォトレジスト208、およ
び、アルミナ層210は、第1の同一平面表面212を
形成している。第1の同一平面表面212は、フロント
領域とバック・ギャップ領域との間に位置する中間領域
を有する。バック・ギャップ構成要素204を除くウェ
ーハ全面に、記録ギャップ層214が伸びている。した
がって、記録ギャップ層214は、ペデスタル202の
表面に直接に位置するとともに、記録コイル層206の
表面に直接に位置している。
【0031】第2の磁極片は、ポール・チップ216と
バック・ギャップ構成要素218を備えている。ポール
・チップ216は、記録ギャップ層214のフロント領
域上に位置している。バック・ギャップ構成要素218
は、第1の磁極片のバック・ギャップ構成要素204に
磁気的に接続されている。ポール・チップ216は、図
6(a)に示すように、第1の側壁219と第2の側壁
220を有する(以下では側壁の代わりに側面ともい
う)。第1の側壁219と第2の側壁220は、記録ヘ
ッドのトラック幅(TW)を画定する幅だけ離間してい
る。ポール・チップ216は、フロント面222とバッ
ク面224も有する。フロント面222は、ABSに位
置しており、第1の磁極片のペデスタル202に磁束を
転送する。バック面224は、記録ヘッド内に凹(く
ぼ)んでいる。ポール・チップ216とバック・ギャッ
プ構成要素218との間には、誘電体の厚い絶縁層22
6が設けられている。この段階でも記録ヘッドは平坦化
されているから、ポール・チップ216の表面、バック
・ギャップ構成要素218の表面、および、厚い絶縁層
226の表面は、第2の同一平面表面228を形成して
いる。第2の同一平面表面228は、フロント領域とバ
ック・ギャップ領域との間に位置する中間領域を有す
る。第2の同一平面表面228の中間領域上であって、
第1の記録コイル層206のほぼ直上に、第2の記録コ
イル230が位置している。
【0032】第2の磁極片は、さらに、第2の磁極片構
造体232を備えている。第2の磁極片構造体232
は、フロント領域でポール・チップ216に磁気的に接
続するとともに、バック・ギャップ領域でバック・ギャ
ップ構成要素218に磁気的に接続している。好適な実
施形態では、ハード・ベークしたフォトレジスト層23
4が、記録コイル230のターン間、および、記録コイ
ルとその全体に伸びる第2の磁極片構造体232との間
をそれぞれ絶縁している。第2の磁極片構造体232の
表面には、記録ヘッドを保護する被覆層236が形成さ
れている。重要な留意点を挙げると、厚い絶縁層226
は、ポール・チップ216の第1の側面219と第2の
側面220とに接触している。この点は、下で詳述す
る。
【0033】本発明の第2の実施形態に係るヘッド組立
体300を、図7(a)と図6(b)に示す。この第2
の実施形態のヘッド組立体300は、第2の同一平面表
面228上の記録ヘッド部を除いて、図5(a)と図6
(a)に示すヘッド組立体200と同じである。上述し
たように、第2の同一平面表面228は、フロント部と
バック・ギャップ部との間に位置する中間部を有する。
ヘッド組立体300では、第2の磁極片構造体は、強磁
性のフロント構成要素302と強磁性のバック・ギャッ
プ構成要素304を備えている。フロント構成要素30
2は、フロント領域においてポール・チップ216に磁
気的に接続されている。バック・ギャップ構成要素30
4は、バック・ギャップ構成要素218に磁気的に接続
されている。第2の記録コイル層230は、フロント構
成要素302とバック・ギャップ構成要素304との間
の厚い絶縁層226上に直接に設けられている。誘電体
絶縁層306が、第2の記録コイル層230のターン間
を絶縁するとともに、フロント構成要素302およびバ
ック・ギャップ構成要素304から第2の記録コイル層
230を絶縁している。好適な実施形態では、絶縁層3
06は、ハード・ベークしたフォトレジスト膜308と
アルミナ膜310を備えている。フォトレジスト膜30
8は、第2の記録コイル層230のターン間を絶縁して
いる。アルミナ膜310は、フロント構成要素302お
よびバック・ギャップ構成要素304から第2の記録コ
イル層230を絶縁している。この段階でも、記録ヘッ
ド組立体は、平坦化されている。フロント構成要素30
2、バック・ギャップ構成要素304、ハード・ベーク
したフォトレジスト層308、および、アルミナ層31
0は、平坦化されて第3の同一平面表面311を形成し
ている。第3の同一平面表面311は、第2の記録コイ
ル層230の表面の上部に位置しており、第2の記録コ
イル層230の上部を絶縁している。第3の同一平面表
面311は、フロント部とバック部との間に位置する中
間部を有する。第2の磁極片構造体は、さらに、ヨーク
312を備えている。ヨーク312は、第3の同一平面
表面311のフロント部においてフロント構成要素30
2に磁気的に接続しているとともに、第3の同一平面表
面311のバック部においてバック・ギャップ構成要素
304に磁気的に接続している。ヨーク302は、第2
の記録コイル層230全体に伸びるとともに、ハード・
ベークしたフォトレジスト膜308によってそれから絶
縁されている。ヨーク312の表面には、記録ヘッドを
保護する被覆層314が存在する。
【0034】〔検討〕
【0035】留意点を挙げると、両実施形態において、
厚い絶縁層226は、ポール・チップ216の第1の側
面219と第2の側面220に接触している。この構成
の重要性については、下で詳述する。さらに留意点を挙
げると、厚い絶縁層226は第1の記録コイル層206
から第2の記録コイル層230を分離しているので、第
1の記録コイル層206の断面形状が第2の記録コイル
層230中に複製されることはない。さらに、厚い絶縁
層226は、第2の記録コイル層230用のヒート・シ
ンクをなしている。さらに、厚い絶縁層226は第1の
磁極片と第2の磁極片とを分離しているので、両者の間
の漏れ磁束が小さくなる。また、記録ヘッドのABSと
バック・ギャップとの間の距離が短いので、書き込み電
流の効率を減殺する渦電流が小さくなる。さらに、様々
な段階においてヘッド組立体200とヘッド組立体30
0を平坦化しているので、微細かつ高精度の構成要素の
作製が容易になる。この点については、下で詳述する。
【0036】〔製造方法〕
【0037】図8〜図16は、図5〜図7に示した記録
ヘッドの製造方法の好適な実施形態を示す図である。図
8(a)に示すように、再生ヘッドは、第1の再生ギャ
ップ層76と第2の再生ギャップ層78との間に位置す
るセンサ74を備えている。第1の再生ギャップ層76
と第2の再生ギャップ層78は、第1のシールド層80
と第2のシールド層82との間に位置している。併合型
ヘッドでは、第2のシールド層82は、記録ヘッド用の
第1の磁極片層92としても機能する。任意実行事項と
して、記録ヘッド用の第1の磁極片層用に、第2の強磁
性層(図示せず)を用いて、ピギーバック型ヘッドを作
製することもできる。
【0038】図8(a)において、ウェーハ上に誘電体
絶縁層205(アルミナを用いることができる)をスパ
ッタ堆積する。次いで、ウェーハ上にシード層(図示せ
ず)(銅を用いることができる)を堆積したのち、第1
のコイル層206をフレームめっきする。図8(a)に
は、第1のコイル層206のフロント部だけが示してあ
る。図8(a)において、第1のコイル層206の全面
にハード・ベークしたフォトレジスト膜208を形成す
る。ハード・ベークしたフォトレジスト膜208は、引
き続く工程から第1のコイル層206を保護する。図8
(b)に示すように、絶縁層205のフロント部とバッ
ク部を、たとえばイオン・ミリングまたはスパッタ・エ
ッチングによって除去したのち、ペデスタル202とバ
ック・ギャップ構成要素204で第1の磁極片を形成す
る。ペデスタル202とバック・ギャップ構成要素20
4(フレームめっきによって作製しうる)は、第1の磁
極片層92に磁気的に接続する。ペデスタル202のフ
ロント面は、ABSの一部を形成する。留意点を挙げる
と、第1のコイル層206は、狭ピッチかつ高解像度に
作製することができる。なぜなら、絶縁層205が平坦
な表面をなしているとともに、フォトレジスト208が
引き続く工程から第1のコイル層206を保護するから
である。お望みならば、絶縁層205を形成する前に、
ウェーハをCMPで平坦化してもよい。
【0039】図9(c)において、ウェーハ上にアルミ
ナから成る平坦化膜400を、たとえばスパッタ堆積に
よって、ペデスタル202とバック・ギャップ構成要素
304の表面よりも高く形成する。図9(d)におい
て、CMPによってウェーハを平坦化して、ペデスタル
202の表面、バック・ギャップ構成要素204の表
面、アルミナ膜210の表面、フォトレジスト膜208
の表面、および、第1のコイル層206の表面が第1の
同一平面表面212を形成するようにする。第1の同一
平面表面212は、フロント部とバック部との間に位置
する中間部を有する。好ましくないけれども、ペデスタ
ル202とバック・ギャップ構成要素204は、第1の
コイル層206の前に形成してもよい。そして、ハード
・ベークしたフォトレジスト膜208とアルミナ膜21
0の代わりに、スパッタ堆積したのちCMPで平坦化し
たアルミナから成る単層を用いることもできる。
【0040】図10(e)において、記録ギャップ層2
14(スパッタしたアルミナを用いることができる)
を、第1の同一平面表面212のフロント部と中間部の
上に形成する。このような記録ギャップ層214を形成
するには、ウェーハ全面にアルミナを堆積したのち、ウ
ェーハ上の各ヘッド組立体のバック・ギャップ領域上の
アルミナを除去することにより行なう。次いで、図10
(f)において、フレームめっきによりポール・チップ
216とバック・ギャップ構成要素218を形成して、
第2の磁極片とする。ポール・チップ216は、ABS
において記録ギャップ層214によってペデスタル20
2から分離されている。バック・ギャップ構成要素21
8は、バック・ギャップ構成要素204に磁気的に接続
している。留意点を挙げると、ポール・チップ216
は、記録ヘッドのトラック幅(TW)を画定している。
この点については、下で詳述する。図11(g)おい
て、ウェーハ上に別のアルミナから成る平坦化層402
を、ポール・チップ216とバック・ギャップ構成要素
218の表面よりも高くスパッタ堆積する。図12
(h)において、平坦化層402にCMPを行なって、
ポール・チップ216の表面、アルミナ層226の表
面、および、バック・ギャップ構成要素218の表面が
第2の同一平面表面228を形成するようにする。第2
の同一平面表面228は、フロント部とバック部との間
に位置する中間部を有する。
【0041】図12(i)に示すように、ポール・チッ
プ216には、第1の側壁219、第2の側壁220、
フロント面222、および、バック面224がある。フ
ロント面222は、ABSの一部を形成している。ポー
ル・チップ216には、すそ広がり領域225もある。
すそ広がり領域225は、図5(a)に示す第2の磁極
片構造体232と磁気的に接続して、ポール・チップ2
16と第2の磁極片構造体232と間で磁束が良好に伝
達しうるよう保証する縫い合わせ領域である。第1の側
面219と第2の側面220は、記録ヘッドのトラック
幅(TW)を画定する幅だけ離間している。ウェーハを
平坦化してからポール・チップ216を作製しているの
で、ポール・チップ216は、極めて狭いトラック幅
(TW)に作製することができる。その理由は、ポール
・チップ216のフレームめっきの際に用いるフォトレ
ジストの高さがポール・チップ216の所望の高さより
もわずかに高いだけでよいからであるとともに、ポール
・チップ216の近傍にはポール・チップ216のパタ
ーニングした領域中に光を反射する斜面が存在しないか
らである。留意点を挙げると、第1の側壁219と第2
の側壁220が変形するのは、ポール・チップ216と
バック・ギャップ構成要素218をフレームめっきする
際に用いたシード層(図示せず)を除去するのに起因す
る場合だけである。したがって、シード層(図示せず)
を除去した後は、ポール・チップ216の第1の側壁2
19と第2の側壁220をアルミナ層226で保護して
から、引き続く工程を実行している。
【0042】図13(j)に示すように、アルミナ層2
26上に第2の記録コイル層230をフレームめっきす
る。第2の記録コイル層230は、第2の同一平面表面
228の中間部上に設ける。図14(k)において、第
2の記録コイル層230をフレームめっきする際に用い
たシード層(図示せず)を、イオン・ミリングまたはス
パッタ・エッチングにより、第1の記録コイル層206
に関して上述したのと同じ方法で除去する。留意点を挙
げると、第2の記録コイル層230は第2の同一平面表
面228上に作製するとともに、その変形は図14
(k)におけるシード層の除去に起因して生じるだけで
あるから、第2の記録コイル層230も、狭ピッチかつ
高解像度に作製することができる。しかしながら、本発
明の重要な側面は、第1の記録コイル層206の断面形
状が第2の記録コイル層230中に複製されない、とい
う点である。なぜなら、第1の記録コイル層206と第
2の記録コイル層230との間に厚いアルミナ層226
が存在するからである。
【0043】図15(l)において、第2の記録コイル
層230の表面にハード・ベークしたフォトレジスト層
234を形成して、その表面全体を絶縁する。図16
(m)において、第2の磁極片構造体232で第2の磁
極片を形成する。第2の磁極片構造体232は、ポール
・チップ216に磁気的に接続したフロント部と、バッ
ク・ギャップ構成要素218に磁気的に接続したバック
・ギャップ部と、第2の記録コイル層230を覆って伸
びるヨーク部とを有する。ヨーク部と第2の記録コイル
層230との間は、ハード・ベークしたフォトレジスト
層234によって絶縁されている。次いで、全面に被覆
層236を堆積して、記録ヘッドを保護する。次いで、
ヘッド組立体を図4(a)〜(c)に示すように処理す
る。お望みならば、第2の磁極片のフロント部は、AB
Sから凹ませてもよい。
【0044】図7(a)と図6(b)に示す磁気ヘッド
組立体300の製造方法は、図図8(a)〜図15
(l)に示した工程群と同じ工程群を備えている。磁気
ヘッド組立体300では、図15(l)のあとに、第2
の磁極片構造体301で第2の磁極片を作製する。第2
の磁極片構造体301は、フロント構成要素302とバ
ック・ギャップ構成要素304を備えている。これらは
フレームめっきするので、フロント構成要素302はポ
ール・チップ216に磁気的に接続しており、バック・
ギャップ構成要素304はバック・ギャップ構成要素2
18に磁気的に接続している。次いで、第2の記録コイ
ル層230の上にハード・ベークしたフォトレジスト層
308を形成する。次いで、ウェーハ全面に、図9
(c)に符号400で示すものと同様の厚いアルミナ層
(図示せず)を形成する。その際、アルミナ層の厚さ
は、フロント構成要素302とバック・ギャップ構成要
素304の高さよりも大きくする。次いで、ウェーハに
CMPを施して、フロント構成要素302の表面、アル
ミナ膜310の表面、ハード・ベークしたフォトレジス
ト膜308の表面、および、バック・ギャップ構成要素
304の表面が第3の同一平面表面306を形成するよ
うにする。次いで、ヨーク312(フレームめっきで形
成しうる)で第2の磁極片構造体を形成する。ヨーク3
12は、フロント部がフロント構成要素302に磁気的
に接続しており、バック・ギャップ部がバック・ギャッ
プ構成要素304に磁気的に接続しており、中間部が第
2の記録コイル層230の上部全体に伸びている。ま
た、ヨーク312は、フォトレジスト膜308とアルミ
ナ膜310によって第2の記録コイル層230から磁気
的に絶縁されている。ヨーク312は、平坦な層として
作製する。本発明の一側面は、ヨーク312を強磁性膜
316とアルミナ膜318との積層体として形成する点
にある。ヨーク312が平坦であるので、これらの膜
は、スパッタ堆積するのが望ましい。ヨーク312を積
層体で形成しているので、上述した渦電流が減少するか
ら、書き込み信号を大きくすることができる。好適な実
施形態では、ヨーク312も、ABSから凹んでいる。
次いで、全面に被覆層314をスパッタ堆積で形成した
のち、磁気ヘッドを、図4(a)〜(c)に示すよう
に、処理する。絶縁層はハード・ベークしたフォトレジ
スト308とアルミナ310から成る別々の膜であるの
が望ましいけれども、絶縁層をアルミナの単独膜で形成
してもよい、という点を理解すべきである。
【0045】〔検討〕
【0046】強磁性層用に好適な材料はニッケル鉄(N
83Fe17)であり、記録コイル層205、230用に
好適な材料は銅(Cu)である。シード層には、ニッケ
ル鉄(Ni83Fe17)または銅(Cu)を用いることが
できる。層の一部を除去するには、通常、フォトリソグ
ラフィ技法でフォトレジストをパターニングしたのち、
フォトレジスト中に露出した層部分をエッチングまたは
イオン・ミリングで除去することにより行なう。ハード
・ベークしたフォトレジスト以外のフォトレジストは、
現像液で剥離(はちり)する。理解すべき点を挙げる
と、本発明は2つの記録コイル層に限定されず、別の実
施形態では、2つの記録層の上部に、上述したのと同じ
方法で積層して形成した少なくとも1つの追加の記録コ
イル層を備えている。さらに、図8(a)〜図16
(m)に示した製造工程群は、図4(a)に示すウェー
ハ・レベルで実行する。また、説明の都合上、図8
(a)〜図16(m)に示した製造工程群は、ABSと
バック・ギャップの端との間を示すだけであるけれど
も、実際には、磁気ヘッドは、図4(a)に示すウェー
ハの一部として、ABSとバック・ギャップの端との双
方から外方に伸びている。上述した絶縁層は、非磁性非
導電性の材料(誘電体)から成る。この誘電体として
は、アルミナ(Al23 )またはベークしたフォトレ
ジストが望ましい。
【0047】上述した教示に鑑み、本発明の別の実施形
態および変更例は、当業者にとって容易に想到しうるこ
とが明らかである。したがって、本発明は、特許請求の
範囲によってのみ限定されるべきである。特許請求の範
囲には、上述した詳細な説明および図面とともに考察す
ると、上記別の実施形態および変更例がすべて含まれて
いる。
【0048】まとめとして以下の事項を開示する。 (1)空気ベアリング面(ABS)で終端するフロント
領域とバック・ギャップ領域との間に位置するヨーク領
域を備えた磁気ヘッド組立体であって、第1の磁極片お
よび第2の磁極片と、前記ヨーク領域に位置する第1の
コイル層および第2のコイル層とを備え、前記第2の磁
極片が、前記ABSの一部を形成するとともに記録ヘッ
ドのトラック幅を画定する強磁性のポール・チップ構成
要素を備えており、さらに、前記第1の磁極片と前記ポ
ール・チップ構成要素との間に位置する記録ギャップ層
と、前記ポール・チップ構成要素の第1の側面、第2の
側面、およびバック面に接触し、かつ、前記第1のコイ
ル層と前記第2のコイル層との間に位置する誘電体の第
1の絶縁層とを備え、前記第2の磁極片が、前記第2の
コイル層の全面に伸び、かつ、前記フロント領域におい
て前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続し、か
つ、前記バック・ギャップ領域において前記第1の磁極
片に磁気的に接続した強磁性の第2の磁極片構造体を備
えている磁気ヘッド組立体。 (2)前記第1の絶縁層がすべてアルミナから成る、上
記(1)に記載の磁気ヘッド組立体。 (3)前記第1の磁極片が、前記フロント領域において
強磁性のペデスタルを備え、かつ、前記バック・ギャッ
プ領域においてバック・ギャップ構成要素を備え、前記
第1のコイル層が、前記第1の磁極片の前記ペデスタル
と前記バック・ギャップ構成要素との間に位置してお
り、さらに、前記第1のコイル層を絶縁する誘電体の第
2の絶縁層を備え、前記第1の磁極片の前記ペデスタ
ル、前記第1の磁極片の前記バック・ギャップ構成要
素、前記第1のコイル層、および、前記第2の絶縁層が
第1の同一平面表面を形成しており、前記記録ギャップ
層が前記ペデスタルと前記ポール・チップ構成要素との
間に位置している、上記(1)に記載の磁気ヘッド組立
体。 (4)前記第2の磁極片が、前記第1の磁極片の前記バ
ック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のバ
ック・ギャップ構成要素を備え、前記第1の絶縁層が、
前記ポール・チップ構成要素と前記第2の磁極片のバッ
ク・ギャップ構成要素との間に位置しており、前記第2
の磁極片の前記ポール・チップ構成要素、前記第2の磁
極片の前記バック・ギャップ構成要素、および、前記第
1の絶縁層が第2の同一平面表面を形成している、上記
(3)に記載の磁気ヘッド組立体。 (5)前記第2の磁極片が、前記第2の磁極片の前記ポ
ール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構成要素
に磁気的に接続し、かつ、前記第2のコイル層の全面に
伸びている強磁性の第2の磁極片構造体を備え、さら
に、前記第2の磁極片構造体から前記第2のコイル層を
絶縁している誘電体の第3の絶縁層を備えた、上記
(4)に記載の磁気ヘッド組立体。 (6)前記第2の磁極片構造体が、単層である、上記
(5)に記載の磁気ヘッド組立体。 (7)さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第1の
再生ギャップ層および第2の再生ギャップ層とを備え、
前記再生センサが、前記第1の再生ギャップ層と前記第
2の再生ギャップ層との間に位置しており、さらに、強
磁性の第1のシールド層を備え、前記第1の再生ギャッ
プ層および前記第2の再生ギャップ層が、前記シールド
層と前記第1のコイル層との間に位置している、上記
(6)に記載の磁気ヘッド組立体。 (8)前記第2の磁極片構造体が、前記フロント領域に
位置する強磁性のフロント構成要素と前記バック・ギャ
ップ領域に位置する強磁性のバック・ギャップ構成要素
との間に位置する強磁性のヨークを備えており、前記第
2の磁極片構造体の前記フロント構成要素および前記バ
ック・ギャップ構成要素が、前記第2の磁極片の前記ポ
ール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構成要素
にそれぞれ磁気的に接続しており、前記第2の磁極片構
造体の前記フロント構成要素、前記第2の磁極片構造体
の前記バック・ギャップ構成要素、および、前記第3の
絶縁層が、第3の同一平面表面を形成しており、前記ヨ
ークが、前記第2のコイル層の全面に伸びており、か
つ、前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成要素お
よび前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続して
いる、上記(5)に記載の磁気ヘッド組立体。 (9)前記ヨークが、強磁性膜と誘電体膜との積層体で
ある、上記(8)に記載の磁気ヘッド組立体。 (10)さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第1
の再生ギャップ層および第2の再生ギャップ層とを備
え、前記再生センサが、前記第1の再生ギャップ層と前
記第2の再生ギャップ層との間に位置し、さらに、強磁
性の第1のシールド層を備え、前記第1の再生ギャップ
層および前記第2の再生ギャップ層が、前記第1のシー
ルド層と前記第1のコイル層との間に位置している、上
記(9)に記載の磁気ヘッド組立体。 (11)空気ベアリング面(ABS)を有する記録ヘッ
ドおよび再生ヘッドから成る磁気ヘッド組立体を備えた
磁気ディスク駆動装置であって、前記記録ヘッドが、第
1の磁極片および第2の磁極片と、ヨーク領域に位置す
る第1のコイル層および第2のコイル層とを備え、前記
第2の磁極片が、前記ABSの一部を形成し、かつ、前
記記録ヘッドのトラック幅を画定する強磁性のポール・
チップ構成要素を備え、さらに、前記第1の磁極片と前
記ポール・チップ構成要素との間に位置する記録ギャッ
プ層と、前記ポール・チップ構成要素の第1の側面、第
2の側面、およびバック面に接触し、かつ、前記第1の
コイル層と前記第2のコイル層との間に位置する誘電体
の第1の絶縁層とを備え、前記第2の磁極片が、前記第
2のコイル層の全面に伸びており、かつ、フロント領域
において前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続
し、かつ、バック・ギャップ領域において前記第1の磁
極片に磁気的に接続している強磁性の第2の磁極片構造
体を備えており、前記再生ヘッドが、センサと、非磁性
非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再生ギャ
ップ層とを備え、前記センサが、前記第1の再生ギャッ
プ層と前記第2の再生ギャップ層との間に位置してお
り、さらに、強磁性の第1のシールド層を備え、前記第
1の再生ギャップ層および前記第2の再生ギャップ層
が、前記第1のシールド層と前記第1の磁極片層との間
に位置しており、さらに、筐体と、前記筐体中に回転支
持された磁気ディスクと、前記ABSが前記磁気ディス
クに面することにより、前記磁気ヘッド組立体が前記磁
気ディスクと変換関係になるように、前記磁気ヘッド組
立体を支持する、前記筐体中に搭載された支持体と、前
記磁気ディスクを回転させるスピンドル・モータと、前
記磁気ヘッド組立体を前記磁気ディスクに対して複数の
位置に移動させる、前記支持体に接続されたアクチュエ
ータ位置決め手段と、前記磁気ヘッド組立体と信号を交
換し、前記磁気ディスクの動作を制御し、前記磁気ヘッ
ド組立体の位置を制御する、前記磁気ヘッド組立体、前
記スピンドル・モータ、および、前記アクチュエータ位
置決め手段に接続されたプロセッサとを備えた磁気ディ
スク駆動装置。 (12)前記第1の磁極片が、前記フロント領域におい
て強磁性のペデスタルを備え、かつ、前記バック・ギャ
ップ領域においてバック・ギャップ構成要素を備え、前
記第1のコイル層が、前記第1の磁極片の前記ペデスタ
ルと前記バック・ギャップ構成要素との間に位置してお
り、さらに、前記第1のコイル層を絶縁する誘電体の第
2の絶縁層を備え、前記第1の磁極片の前記ペデスタ
ル、前記第1の磁極片の前記バック・ギャップ構成要
素、前記第1のコイル層、および、前記第2の絶縁層が
第1の同一平面表面を形成しており、前記記録ギャップ
層が前記ペデスタルと前記ポール・チップ構成要素との
間に位置している、上記(11)に記載の磁気ディスク
駆動装置。 (13)前記第2の磁極片が、前記第1の磁極片の前記
バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁性の
バック・ギャップ構成要素を備え、前記第1の絶縁層
が、前記第2の磁極片の前記ポール・チップ構成要素と
バック・ギャップ構成要素との間に位置しており、前記
第2の磁極片の前記ポール・チップ構成要素、前記第2
の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素、および、前
記第1の絶縁層が第2の同一平面表面を形成している、
上記(12)に記載の磁気ディスク駆動装置。 (14)前記第2の磁極片が、前記第2の磁極片の前記
ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構成要
素に磁気的に接続し、かつ、前記第2のコイル層の全面
に伸びている強磁性の第2の磁極片構造体を備え、さら
に、前記第2の磁極片構造体から前記第2のコイル層を
絶縁している誘電体の第3の絶縁層を備えた、上記(1
3)に記載の磁気ディスク駆動装置。 (15)前記第2の磁極片構造体が、単層である、上記
(14)に記載の磁気ディスク駆動装置。 (16)前記第2の磁極片構造体が、前記フロント領域
に位置する強磁性のフロント構成要素と前記バック・ギ
ャップ領域に位置する強磁性のバック・ギャップ構成要
素との間に位置する強磁性のヨークを備えており、前記
第2の磁極片構造体の前記フロント構成要素および前記
バック・ギャップ構成要素が、前記第2の磁極片の前記
ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構成要
素にそれぞれ磁気的に接続しており、前記第2の磁極片
構造体の前記フロント構成要素、前記第2の磁極片構造
体の前記バック・ギャップ構成要素、および、前記第3
の絶縁層が、第3の同一平面表面を形成しており、前記
ヨークが、前記第2のコイル層の全面に伸びており、か
つ、前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成要素お
よび前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続して
いる、上記(14)に記載の磁気ディスク駆動装置。 (17)前記ヨークが、強磁性膜と誘電体膜との積層体
である、上記(16)に記載の磁気ディスク駆動装置。 (18)上面、底面、および、空気ベアリング面(AB
S)の一部を形成するフロント面によって部分的に画定
された磁気ヘッド組立体であって、第1の磁極片および
第2の磁極片を備え、前記第1の磁極片が、フロント
部、中間部、および、バック部を備え、前記中間部が前
記フロント部と前記バック部との間に位置している強磁
性の第1の磁極片層を備えており、前記第1の磁極片
が、さらに、前記第1の磁極片層の前記フロント部に磁
気的に接続した強磁性のペデスタル、および、前記第1
の磁極片層の前記バック部に磁気的に接続した強磁性の
バック・ギャップ構成要素を備え、前記第1の磁極片層
の中間部が前記ペデスタルと前記バック・ギャップ構成
要素との間に位置しており、さらに、前記第1の磁極片
層の前記中間部上に位置する誘電体の第1の絶縁層と、
離間したターン群を備え、かつ、前記ペデスタルおよび
前記バック・ギャップ構成要素の各々から離間され、前
記第1の絶縁層上に位置する第1のコイル層と、前記第
1のコイル層のターン群の間、および、前記第1のコイ
ル層と前記ペデスタルおよび前記バック・ギャップ構成
要素の各々との間に位置する誘電体の第2の絶縁層とを
備え、前記ペデスタルの表面、前記第2の絶縁層の表
面、および、前記バック・ギャップ構成要素の表面が、
第1の同一平面表面を形成しており、前記第1の同一平
面表面がフロント部、中間部、および、バック部を備
え、前記中間部が前記フロント部と前記バック部との間
に位置しており、さらに、前記第1の同一平面表面の前
記フロント部および前記中間部の上に位置する非磁性の
記録ギャップ層を備え、前記記録ギャップ層が、フロン
ト部およびリア部を有し、前記第2の磁極片が、前記記
録ギャップ層の前記フロント部上に位置し、かつ、記録
ヘッドのトラック幅を画定する幅を有する強磁性のポー
ル・チップ構成要素を備えており、前記第2の磁極片
が、さらに、前記第1の磁極片の前記バック・ギャップ
構成要素に磁気的に接続した強磁性のバック・ギャップ
構成要素を備えており、さらに、前記第2の磁極片の前
記ペデスタルと前記バック・ギャップ構成要素との間の
空間において前記記録ギャップ層の前記リア部の上に位
置する誘電体の第3の絶縁層を備え、前記ポール・チッ
プ構成要素の表面、前記第3の絶縁層の表面、および、
前記第2の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素の表
面が、第2の同一平面表面を形成しており、前記第2の
同一平面表面がフロント部、中間部、および、バック部
を有し、前記中間部が前記フロント部と前記バック部と
の間に位置しており、さらに、前記第2の同一平面表面
の前記中間部上に位置する第2のコイル層を備え、前記
第2の磁極片が、前記第2のコイル層の全面に位置し、
かつ、前記第2の同一平面表面の前記フロント部におい
て前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続し、か
つ、前記第2の同一平面表面の前記バック部において前
記第2の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素に磁気
的に接続した第2の磁極片構造体を備えており、さら
に、前記第2のコイル層のターン群の間、および、前記
第2のコイル層と前記第2の磁極片構造体との間に位置
する誘電体の第4の絶縁層を備えた磁気ヘッド組立体。 (19)前記ポール・チップ構成要素が、ABSと交差
する第1の側壁および第2の側壁を有し、前記第3の絶
縁層が、前記ポール・チップ構成要素の前記第1の側壁
および前記第2の側壁に接触している、上記(18)に
記載の磁気ヘッド組立体。 (20)前記第2の磁極片構造体が、単層である、上記
(19)に記載の磁気ヘッド組立体。 (21)前記第1のコイル層が、前記第1の同一平面表
面を形成する表面を有する、上記(20)に記載の磁気
ヘッド組立体。 (22)前記第2の絶縁層が、前記第1のコイル層を覆
うフォトレジストの第1の膜、および、前記第1の膜を
覆うアルミナの第2の膜から成る、上記(21)に記載
の磁気ヘッド組立体。 (23)さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第1
の再生ギャップ層および第2の再生ギャップ層とを備
え、前記再生センサが、前記第1の再生ギャップ層と前
記第2の再生ギャップ層との間に位置しており、さら
に、強磁性の第1のシールド層を備え、前記第1の再生
ギャップ層および前記第2の再生ギャップ層が、前記第
1のシールド層と前記第1のコイル層との間に位置して
いる、上記(22)に記載の磁気ヘッド組立体。 (24)前記第3の絶縁層が、すべてアルミナから成
る、上記(23)に記載の磁気ヘッド組立体。 (25)前記第2の磁極片構造体が、前記第2の同一平
面表面の前記フロント部において前記ポール・チップ構
成要素に磁気的に接続した強磁性のフロント構成要素、
および、前記第2の同一平面表面の前記バック部におい
て前記第2の磁極片のバック・ギャップ構成要素に磁気
的に接続した強磁性のバック・ギャップ構成要素と、前
記フロント構成要素に磁気的に接続したフロント部、前
記第2の磁極片構造体の前記バック・ギャップ構成要素
に磁気的に接続したバック部、および、前記第2のコイ
ル層の全面にわたって伸びる中間部を有する強磁性のヨ
ークとを備えている、上記(19)に記載の磁気ヘッド
組立体。 (26)前記ヨークが、全体的に平坦であり、かつ、強
磁性膜と誘電体膜との積層体である、上記(25)に記
載の磁気ヘッド組立体。 (27)前記第2の絶縁層が、前記第1のコイル層を覆
うフォトレジストの第1の膜、および、前記第1の膜を
覆うアルミナの第2の膜から成る、上記(26)に記載
の磁気ヘッド組立体。 (28)前記第4の絶縁層が、前記第2のコイル層を覆
うフォトレジストの第1の膜と、前記第1の膜を覆うア
ルミナの第2の膜とを備えている、上記(27)に記載
の磁気ヘッド組立体。 (29)さらに、再生センサと、非磁性非導電性の第1
の再生ギャップ層および第2の再生ギャップ層とを備
え、前記再生センサが、前記第1の再生ギャップ層と前
記第2の再生ギャップ層との間に位置しており、さら
に、強磁性の第1のシールド層を備え、前記第1の再生
ギャップ層および前記第2の再生ギャップ層が、前記第
1のシールド層と前記第1のコイル層との間に位置して
いる、上記(28)に記載の磁気ヘッド組立体。 (30)空気ベアリング面(ABS)を有する磁気ヘッ
ドの製造方法であって、第1の磁極片および第2の磁極
片を形成する工程と、ヨーク領域に第1のコイル層およ
び第2のコイル層を形成する工程と、ABSの一部を形
成し、かつ、記録ヘッドのトラック幅を画定する強磁性
のポール・チップ構成要素で前記第2の磁極片を形成す
る工程と、前記第1の磁極片と前記ポール・チップ構成
要素との間に記録ギャップ層を形成する工程と、前記ポ
ール・チップ構成要素の第1の側面、第2の側面、およ
びバック面に接触し、かつ、前記第1のコイル層と前記
第2のコイル層との間に位置する誘電体の第1の絶縁層
を形成する工程と、前記第2のコイル層の全面に伸び、
かつ、フロント領域において前記ポール・チップ構成要
素に磁気的に接続し、かつ、バック・ギャップ領域にお
いて前記第1の磁極片に磁気的に接続した強磁性の第2
の磁極片構造体で前記第2の磁極片を形成する工程とを
備えた磁気ヘッドの製造方法。 (31)前記第1の絶縁層を、すべて、アルミナで形成
する、上記(30)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (32)前記フロント領域に位置する強磁性のペデスタ
ル、および、前記バック・ギャップ領域に位置するバッ
ク・ギャップ構成要素で前記第1の磁極片を形成する工
程と、前記第1の磁極片の前記ペデスタルと前記バック
・ギャップ構成要素との間に、前記第1のコイル層を形
成する工程と、前記第1のコイル層を絶縁する誘電体の
第2の絶縁層を形成する工程と、第1の同一平面表面を
画定するように、前記第1の磁極片の前記ペデスタルお
よび前記バック・ギャップ構成要素、前記第1のコイル
層、ならびに、前記第2の絶縁層を形成する工程と、前
記ペデスタルと前記ポール・チップ構成要素との間に、
前記記録ギャップ層を形成する工程とを備えた上記(3
0)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (33)前記第1の同一平面表面および前記第2の同一
平面表面を、CMPによって形成する、上記(32)に
記載の磁気ヘッドの製造方法。 (34)前記第2の絶縁層を形成して前記第1のコイル
層を保護したのちに、前記第1の磁極片の前記ペデスタ
ルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成する、上
記(32)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (35)前記第1の磁極片の前記バック・ギャップ構成
要素に磁気的に接続した強磁性のバック・ギャップ構成
要素で前記第2の磁極片を形成する工程と、前記第2の
磁極片の前記ポール・チップ構成要素と前記バック・ギ
ャップ構成要素との間に前記第1の絶縁層を形成する工
程と、第2の同一平面表面を画定するように、前記第2
の磁極片の前記ポール・チップ構成要素および前記バッ
ク・ギャップ構成要素、ならびに、前記第1の絶縁層を
形成する工程とを備えた、上記(32)に記載の、磁気
ヘッドの製造方法。 (36)前記第2の磁極片の前記ポール・チップ構成要
素および前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続
し、かつ、前記第2のコイル層の全面に伸びる強磁性の
第2の磁極片構造体で前記第2の磁極片を形成する工程
と、前記第2の磁極片構造体から前記第2のコイル層を
絶縁する誘電体の第3の絶縁層を形成する工程とを備え
た、上記(35)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (37)前記第2の磁極片構造体を、単層として形成す
る、上記(36)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (38)フォトレジストの第1の膜およびアルミナの第
2の膜で前記第2の絶縁層を形成する工程と、前記第2
の絶縁層の前記第1の膜を形成して前記第1のコイル層
を保護したのち、前記第1の磁極片の前記ペデスタルお
よび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、しかるの
ち、前記第2の膜を形成する工程とを備えた、上記(3
7)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (39)前記第3の絶縁層を形成して前記第2のコイル
層を保護したのち、前記第2の磁極片構造体の前記フロ
ント構成要素および前記バック・ギャップ構成要素を形
成する、上記(38)に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。 (40)さらに、再生センサを形成する工程と、非磁性
非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再生ギャ
ップ層を、前記再生センサが前記第1の再生ギャップ層
と前記第2の再生ギャップ層との間に位置するように形
成する工程と、強磁性の第1のシールド層を、前記第1
の再生ギャップ層および前記第2の再生ギャップ層が前
記第1のシールド層と前記第1のコイル層との間に位置
するように形成する工程とを備えた、上記(39)に記
載の、磁気ヘッドの製造方法。 (41)前記フロント領域に位置する強磁性のフロント
構成要素と、前記バック・ギャップ領域に位置する強磁
性のバック・ギャップ構成要素との間に位置する強磁性
のヨークで前記第2の磁極片構造体を形成する工程と、
前記第2の磁極片の前記ポール・チップ構成要素および
前記バック・ギャップ構成要素にそれぞれ磁気的に接続
した、前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成要素
および前記バック・ギャップ構成要素を形成する工程
と、第3の同一平面表面を画定するように、前記第2の
磁極片構造体の前記フロント構成要素および前記バック
・ギャップ構成要素、ならびに、前記第3の絶縁層を形
成する工程と、前記第2のコイル層にわたって前記ヨー
クを形成し、それを前記第2の磁極片構造体の前記フロ
ント構成要素および前記バック・ギャップ構成要素に磁
気的に接続させる工程とを備えた、上記(36)に記載
の、磁気ヘッドの製造方法。 (42)フォトレジストの第1の膜およびアルミナの第
2の膜で前記第2の絶縁層を形成する工程と、前記第2
の絶縁層の前記第1の膜を形成して前記第1のコイル層
を保護したのち、前記第1の磁極片の前記ペデスタルお
よび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、しかるの
ち、前記第2の膜を形成する工程とを備えた、上記(4
1)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (43)フォトレジストの第1の膜およびアルミナの第
2の膜で前記第3の絶縁層を形成する工程と、前記第3
の絶縁層の前記第1の膜を形成して前記第2のコイル層
を保護したのち、前記第2の磁極片構造体の前記フロン
ト構成要素および前記バック・ギャップ構成要素を形成
し、しかるのち、前記第2の膜を形成する工程とを備え
た、上記(42)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (44)前記ヨークを、強磁性膜と誘電体膜との積層体
として形成する、上記(43)に記載の、磁気ヘッドの
製造方法。 (45)さらに、再生センサを形成する工程と、非磁性
非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再生ギャ
ップ層を、前記再生センサが前記第1の再生ギャップ層
と前記第2の再生ギャップ層との間に位置するように形
成する工程と、強磁性の第1のシールド層を、前記第1
の再生ギャップ層および前記第2の再生ギャップ層が前
記第1のシールド層と前記第1のコイル層との間に位置
するように形成する工程とを備えた、上記(44)に記
載の、磁気ヘッドの製造方法。 (46)上面、底面、および、空気ベアリング面(AB
S)の一部を形成するフロント面によって部分的に画定
された磁気ヘッドの製造方法であって、第1の磁極片お
よび第2の磁極片を形成する工程を備え、前記第1の磁
極片を、フロント部、中間部、および、バック部を有
し、前記中間部が前記フロント部と前記バック部との間
に位置する強磁性の第1の磁極片層で形成し、さらに、
前記第1の磁極片を、前記第1の磁極片層の前記フロン
ト部に磁気的に接続した強磁性のペデスタル、および、
前記第1の磁極片層の前記バック部に磁気的に接続した
強磁性のバック・ギャップ構成要素で、前記第1の磁極
片層の前記中間部が前記ペデスタルと前記バック・ギャ
ップ構成要素との間に位置するように形成し、さらに、
前記第1の磁極片層の前記中間部上に誘電体の第1の絶
縁層を形成する工程と、前記第1の絶縁層上に第1のコ
イル層を、ターン群を離間した状態で、かつ、前記ペデ
スタルおよび前記バック・ギャップ構成要素の各々から
離間して形成する工程と、誘電体の第2の絶縁層を、前
記第1のコイル層のターン群の間、および、前記第1の
コイル層と前記ペデスタルおよび前記バック・ギャップ
構成要素の各々との間に形成する工程と、第1の同一平
面表面を形成する表面を有し、前記第1の同一平面表面
がフロント部、中間部、および、バック部を有し、前記
中間部が前記フロント部と前記バック部との間に位置す
るように、ポール・チップ構成要素、前記第2の絶縁
層、および、前記バック・ギャップ構成要素を形成する
工程と、前記第1の同一平面表面の前記フロント部およ
び前記中間部の上に非磁性の記録ギャップ層を、前記記
録ギャップ層がフロント部およびリア部を有するように
形成する工程と、前記記録ギャップ層の前記フロント部
上に位置し、かつ、記録ヘッドのトラック幅を画定する
幅を有する強磁性のポール・チップ構成要素で前記第2
の磁極片を形成する工程と、さらに、第1の磁極片の前
記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁性
のバック・ギャップ構成要素で前記第2の磁極片を形成
する工程と、前記第2の磁極片の前記ペデスタルと前記
バック・ギャップ構成要素との間の空間中の前記記録ギ
ャップ層の前記リア部上に誘電体の第3の絶縁層を形成
する工程と、第2の同一平面表面を形成する上面を有
し、前記第2の同一平面表面がフロント部、中間部、お
よび、バック部を有し、前記中間部が前記フロント部と
前記バック部との間に位置するように、前記ポール・チ
ップ構成要素、前記第3の絶縁層、および、前記第2の
磁極片の前記バック・ギャップ構成要素を形成する工程
と、前記第2の同一平面表面の前記中間部上に位置する
第2のコイル層を形成する工程と、前記第2のコイル層
を覆い、かつ、前記第2の同一平面表面の前記フロント
部において前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続
し、かつ、前記第2の同一平面表面の前記バック部にお
いて前記第2の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素
に磁気的に接続した第2の磁極片構造体で前記第2の磁
極片を形成する工程と、前記第2のコイル層のターン群
間、および、前記第2のコイル層と前記第2の磁極片構
造体との間に位置する誘電体の第4の絶縁層を形成する
工程とを備えた磁気ヘッドの製造方法。 (47)前記ポール・チップ構成要素を、前記ABSと
交差する第1の側壁および第2の側壁を有するように形
成する工程と、前記第3の絶縁層を、前記ポール・チッ
プ構成要素の前記第1の側壁および前記第2の側壁に接
触するように形成する工程とを備えた、上記(46)に
記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (48)前記第2の磁極片構造体を、単層として形成す
る、上記(47)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (49)前記第1のコイル層を、前記第1の同一平面表
面を形成する表面を有するように形成する、上記(4
8)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (50)前記第2の絶縁層を、フォトレジストの第1の
膜およびアルミナの第2の膜で形成する工程と、前記第
2の絶縁層の前記第1の膜を形成して前記第1のコイル
層を保護したのち、前記第1の磁極片の前記ペデスタル
および前記バック・ギャップ構成要素を形成し、しかる
のち、前記第2の絶縁層の前記第2の膜を形成する工程
とを備えた、上記(49)に記載の、磁気ヘッドの製造
方法。 (51)再生センサを形成する工程と、非磁性非導電性
の第1の再生ギャップ層および第2の再生ギャップ層
を、前記再生センサが前記第1の再生ギャップ層と前記
第2の再生ギャップ層との間に位置するように形成する
工程と、強磁性の第1のシールド層を、前記第1の再生
ギャップ層および前記第2の再生ギャップ層が前記第1
のシールド層と前記第1のコイル層との間に位置するよ
うに形成する工程とを備えた、上記(50)に記載の、
磁気ヘッドの製造方法。 (52)前記第3の絶縁層を、すべて、アルミナで形成
する、上記(51)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (53)前記第2の磁極片を作製する工程が、前記第2
の同一平面表面の前記フロント部において前記ポール・
チップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のフロント構
成要素、および、前記第2の同一平面表面の前記バック
部において前記第2の磁極片構造体の前記バック・ギャ
ップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のバック・ギャ
ップ構成要素を形成する工程と、前記フロント構成要素
に磁気的に接続したフロント部、前記第2の磁極片構造
体の前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した
バック部、および、前記第2のコイル層の全面に伸びて
いる中間部を有する強磁性のヨークを形成する工程とを
備えた、上記(47)に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。 (54)前記ヨークを、全体的に平坦に形成する、上記
(53)に記載の、磁気ヘッドの製造方法。 (55)フォトレジストの第1の膜およびアルミナの第
2の膜で前記第2の絶縁層を形成する工程と、前記第2
の絶縁層の前記第1の膜を形成して前記第1のコイル層
を保護したのち、前記第1の磁極片の前記ペデスタルお
よび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、しかるの
ち、前記第2の絶縁層の前記第2の膜を形成する工程と
を備えた、上記(54)に記載の、磁気ヘッドの製造方
法。 (56)フォトレジストの第1の膜およびアルミナの第
2の膜で前記第4の絶縁層を形成する工程と、前記第2
のコイル層上に前記第4の絶縁層の前記第1の膜を形成
したのち、前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成
要素および前記バック・ギャップ構成要素を形成し、し
かるのち、前記第4の絶縁層の前記第2の膜を形成する
工程とを備えた、上記(55)に記載の、磁気ヘッドの
製造方法。 (57)さらに、再生センサを形成する工程と、非磁性
非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再生ギャ
ップ層を、前記再生センサが前記第1の再生ギャップ層
と前記第2の再生ギャップ層との間に位置するように形
成する工程と、強磁性の第1のシールド層を、前記第1
の再生ギャップ層および前記第2の再生ギャップ層が前
記第1のシールド層と前記第1のコイル層との間に位置
するように形成する工程とを備えた、上記(56)に記
載の、磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)典型的な既存の磁気ディスク駆動装置
の平面図である。(b)図1(a)の磁気ディスク駆動
装置を1b−1b平面で見た、磁気ヘッド備えた既存の
スライダの端面図である。(c)複数のディスクと磁気
ヘッドを用いた既存の磁気ディスク駆動装置の正面図で
ある。
【図2】 (a)スライダと磁気ヘッドを支持する典型
的な既存のサスペンション・システムの等角図である。
(b)図1(b)の2b−2b平面で見た磁気ヘッドの
ABSを示す図である。
【図3】 (a)図1(b)の3a−3a平面で見たス
ライダと既存の併合型磁気ヘッドの部分図である。
(b)図3(a)の3b−3b平面で見た磁気ヘッドの
再生要素と記録要素を示すスライダのABSを部分的に
示す図である。(c)図3(a)の3c−3c平面で見
た、コイル層上のすべての材料とリード線を除去した図
である。
【図4】 (a)磁気ヘッドの行と列を作製したウェー
ハの等角図である。 (b)図4(a)からダイシングした1行の磁気ヘッド
を示す等角図である。(c)図4(b)からダイシング
した1個の磁気ヘッドを示す等角図である。
【図5】 (a)本発明の第1の実施形態の長手方向断
面図である。
【図6】 (a)図5(a)の6a−6a平面で見た図
である。(b)図7(a)の6b−6b平面で見た図で
ある。
【図7】 (a)本発明の第2の実施形態の長手方向断
面図である。
【図8】 (a)第1の記録コイルの作製後における部
分作製磁気ヘッド組立体の長手方向断面図である。
(b)ペデスタルと第1の磁極片のバック・ギャップ構
成要素を作製した点を除いて図8(a)と同じ図であ
る。
【図9】 (c)ウェーハ上に厚いアルミナの平坦化層
を堆積した点を除いて図8(b)と同じ図である。
(d)ウェーハを平坦化した点を除いて図9(c)と同
じ図である。
【図10】 (e)記録ギャップ層を形成した点を除い
て図9(d)と同じ図である。(f)第2の磁極片のポ
ール・チップ構成要素とバック・ギャップ構成要素を形
成した点を除いて図10(e)と同じ図である。
【図11】 (g)アルミナの厚い平坦化層を堆積した
点を除いて図10(f)と同じ図である。
【図12】 (h)ウェーハを平坦化した点を除いて図
11(g)と同じ図である。(i)図12(h)の12
i−12i平面で見た図である。
【図13】 (j)第2の記録コイル層を作製した点を
除いて図12(h)と同じ図である。
【図14】 (k)シード層を除去した点を除いて図1
3(j)と同じ図である。
【図15】 (l)ハード・ベークしたレジスト絶縁層
を形成した点を除いて図12(k)と同じ図である。
【図16】 (m)第2の磁極片構造体を形成した点を
除いて図15(l)と同じ図である。
【符号の説明】
30 磁気ディスク駆動装置 32 スピンドル 34 磁気ディスク 36 スピンドル・モータ 38 モータ・コントローラ 40 記録/再生ヘッド 42 スライダ 44 サスペンション 46 アクチュエータ・アーム 47 アクチュエータ 48 ABS(空気ベアリング面) 54 フレーム 55 筐体 56 中央レール 58 側部レール 60 側部レール 62 横断レール 70 記録ヘッド部 72 再生ヘッド部 74 センサ 76 第1の再生ギャップ 78 第2の再生ギャップ 80 第1のシールド層 82 第2のシールド層 84 コイル層 86 第1の絶縁層 88 第2の絶縁層 90 第3の絶縁層 92 第1の磁極片層 94 第2の磁極片層 96 バック・ギャップ 98 第1のポール・チップ 100 第2のポール・チップ 102 記録ギャップ層 104 第1のはんだ接続部 106 第2のはんだ接続部 112 リード線 114 リード線 116 第3のはんだ接続部 118 第4のはんだ接続部 124 リード線 126 リード線 130 ウェーハ 132 行の1つ 200 磁気ヘッド組立体 202 ペデスタル 204 バック・ギャップ構成要素 205 絶縁層 206 第1の記録コイル層 207 絶縁層 208 ハード・ベークしたフォトレジスト膜 210 アルミナ層 212 第1の同一平面表面 214 記録ギャップ層 216 ポール・チップ 218 バック・ギャップ構成要素 219 第1の側面 220 第2の側面 222 フロント表面 224 バック表面 226 絶縁層 228 第2の同一平面表面 230 第2の記録コイル 232 第2の磁極片構造体 236 被覆層 300 磁気ヘッド組立体 302 フロント構成要素 304 バック・ギャップ構成要素 306 誘電体絶縁層 308 ハード・ベークしたフォトレジスト膜 310 アルミナ膜 311 第3の同一面表面 312 ヨーク 314 被覆層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イミン・フスー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94086、サニーベール、ブルーボネット ドライブ 1021 (72)発明者 ヒューゴ・アルベルト・エミリオ・サンテ ィニ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95119、サンノゼ、ボデガ ウエイ 339 Fターム(参考) 5D033 AA01 BA01 BA07 BA12 BA32 BA36 BA41 BA42 BB03 BB43 CA00 DA31

Claims (57)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】空気ベアリング面(ABS)で終端するフ
    ロント領域とバック・ギャップ領域との間に位置するヨ
    ーク領域を備えた磁気ヘッド組立体であって、 第1の磁極片および第2の磁極片と、 前記ヨーク領域に位置する第1のコイル層および第2の
    コイル層とを備え、 前記第2の磁極片が、前記ABSの一部を形成するとと
    もに記録ヘッドのトラック幅を画定する強磁性のポール
    ・チップ構成要素を備えており、 さらに、 前記第1の磁極片と前記ポール・チップ構成要素との間
    に位置する記録ギャップ層と、 前記ポール・チップ構成要素の第1の側面、第2の側
    面、およびバック面に接触し、かつ、前記第1のコイル
    層と前記第2のコイル層との間に位置する誘電体の第1
    の絶縁層とを備え、 前記第2の磁極片が、前記第2のコイル層の全面に伸
    び、かつ、前記フロント領域において前記ポール・チッ
    プ構成要素に磁気的に接続し、かつ、前記バック・ギャ
    ップ領域において前記第1の磁極片に磁気的に接続した
    強磁性の第2の磁極片構造体を備えている磁気ヘッド組
    立体。
  2. 【請求項2】前記第1の絶縁層がすべてアルミナから成
    る、請求項1に記載の磁気ヘッド組立体。
  3. 【請求項3】前記第1の磁極片が、前記フロント領域に
    おいて強磁性のペデスタルを備え、かつ、前記バック・
    ギャップ領域においてバック・ギャップ構成要素を備
    え、 前記第1のコイル層が、前記第1の磁極片の前記ペデス
    タルと前記バック・ギャップ構成要素との間に位置して
    おり、 さらに、 前記第1のコイル層を絶縁する誘電体の第2の絶縁層を
    備え、 前記第1の磁極片の前記ペデスタル、前記第1の磁極片
    の前記バック・ギャップ構成要素、前記第1のコイル
    層、および、前記第2の絶縁層が第1の同一平面表面を
    形成しており、 前記記録ギャップ層が前記ペデスタルと前記ポール・チ
    ップ構成要素との間に位置している、請求項1に記載の
    磁気ヘッド組立体。
  4. 【請求項4】前記第2の磁極片が、前記第1の磁極片の
    前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁
    性のバック・ギャップ構成要素を備え、 前記第1の絶縁層が、前記ポール・チップ構成要素と前
    記第2の磁極片のバック・ギャップ構成要素との間に位
    置しており、 前記第2の磁極片の前記ポール・チップ構成要素、前記
    第2の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素、およ
    び、前記第1の絶縁層が第2の同一平面表面を形成して
    いる、請求項3に記載の磁気ヘッド組立体。
  5. 【請求項5】前記第2の磁極片が、前記第2の磁極片の
    前記ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構
    成要素に磁気的に接続し、かつ、前記第2のコイル層の
    全面に伸びている強磁性の第2の磁極片構造体を備え、 さらに、 前記第2の磁極片構造体から前記第2のコイル層を絶縁
    している誘電体の第3の絶縁層を備えた、請求項4に記
    載の磁気ヘッド組立体。
  6. 【請求項6】前記第2の磁極片構造体が、単層である、
    請求項5に記載の磁気ヘッド組立体。
  7. 【請求項7】 さらに、 再生センサと、 非磁性非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再
    生ギャップ層とを備え、 前記再生センサが、前記第1の再生ギャップ層と前記第
    2の再生ギャップ層との間に位置しており、 さらに、 強磁性の第1のシールド層を備え、 前記第1の再生ギャップ層および前記第2の再生ギャッ
    プ層が、前記シールド層と前記第1のコイル層との間に
    位置している、請求項6に記載の磁気ヘッド組立体。
  8. 【請求項8】前記第2の磁極片構造体が、前記フロント
    領域に位置する強磁性のフロント構成要素と前記バック
    ・ギャップ領域に位置する強磁性のバック・ギャップ構
    成要素との間に位置する強磁性のヨークを備えており、 前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成要素および
    前記バック・ギャップ構成要素が、前記第2の磁極片の
    前記ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構
    成要素にそれぞれ磁気的に接続しており、 前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成要素、前記
    第2の磁極片構造体の前記バック・ギャップ構成要素、
    および、前記第3の絶縁層が、第3の同一平面表面を形
    成しており、 前記ヨークが、前記第2のコイル層の全面に伸びてお
    り、かつ、前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成
    要素および前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接
    続している、請求項5に記載の磁気ヘッド組立体。
  9. 【請求項9】前記ヨークが、強磁性膜と誘電体膜との積
    層体である、請求項8に記載の磁気ヘッド組立体。
  10. 【請求項10】 さらに、 再生センサと、 非磁性非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再
    生ギャップ層とを備え、 前記再生センサが、前記第1の再生ギャップ層と前記第
    2の再生ギャップ層との間に位置し、 さらに、 強磁性の第1のシールド層を備え、 前記第1の再生ギャップ層および前記第2の再生ギャッ
    プ層が、前記第1のシールド層と前記第1のコイル層と
    の間に位置している、請求項9に記載の磁気ヘッド組立
    体。
  11. 【請求項11】空気ベアリング面(ABS)を有する記
    録ヘッドおよび再生ヘッドから成る磁気ヘッド組立体を
    備えた磁気ディスク駆動装置であって、 前記記録ヘッドが、 第1の磁極片および第2の磁極片と、 ヨーク領域に位置する第1のコイル層および第2のコイ
    ル層とを備え、 前記第2の磁極片が、前記ABSの一部を形成し、か
    つ、前記記録ヘッドのトラック幅を画定する強磁性のポ
    ール・チップ構成要素を備え、 さらに、 前記第1の磁極片と前記ポール・チップ構成要素との間
    に位置する記録ギャップ層と、 前記ポール・チップ構成要素の第1の側面、第2の側
    面、およびバック面に接触し、かつ、前記第1のコイル
    層と前記第2のコイル層との間に位置する誘電体の第1
    の絶縁層とを備え、 前記第2の磁極片が、前記第2のコイル層の全面に伸び
    ており、かつ、フロント領域において前記ポール・チッ
    プ構成要素に磁気的に接続し、かつ、バック・ギャップ
    領域において前記第1の磁極片に磁気的に接続している
    強磁性の第2の磁極片構造体を備えており、 前記再生ヘッドが、 センサと、 非磁性非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再
    生ギャップ層とを備え、 前記センサが、前記第1の再生ギャップ層と前記第2の
    再生ギャップ層との間に位置しており、 さらに、 強磁性の第1のシールド層を備え、 前記第1の再生ギャップ層および前記第2の再生ギャッ
    プ層が、前記第1のシールド層と前記第1の磁極片層と
    の間に位置しており、 さらに、 筐体と、 前記筐体中に回転支持された磁気ディスクと、 前記ABSが前記磁気ディスクに面することにより、前
    記磁気ヘッド組立体が前記磁気ディスクと変換関係にな
    るように、前記磁気ヘッド組立体を支持する、前記筐体
    中に搭載された支持体と、 前記磁気ディスクを回転させるスピンドル・モータと、 前記磁気ヘッド組立体を前記磁気ディスクに対して複数
    の位置に移動させる、前記支持体に接続されたアクチュ
    エータ位置決め手段と、 前記磁気ヘッド組立体と信号を交換し、前記磁気ディス
    クの動作を制御し、前記磁気ヘッド組立体の位置を制御
    する、前記磁気ヘッド組立体、前記スピンドル・モー
    タ、および、前記アクチュエータ位置決め手段に接続さ
    れたプロセッサとを備えた磁気ディスク駆動装置。
  12. 【請求項12】前記第1の磁極片が、前記フロント領域
    において強磁性のペデスタルを備え、かつ、前記バック
    ・ギャップ領域においてバック・ギャップ構成要素を備
    え、 前記第1のコイル層が、前記第1の磁極片の前記ペデス
    タルと前記バック・ギャップ構成要素との間に位置して
    おり、 さらに、 前記第1のコイル層を絶縁する誘電体の第2の絶縁層を
    備え、 前記第1の磁極片の前記ペデスタル、前記第1の磁極片
    の前記バック・ギャップ構成要素、前記第1のコイル
    層、および、前記第2の絶縁層が第1の同一平面表面を
    形成しており、 前記記録ギャップ層が前記ペデスタルと前記ポール・チ
    ップ構成要素との間に位置している、請求項11に記載
    の磁気ディスク駆動装置。
  13. 【請求項13】前記第2の磁極片が、前記第1の磁極片
    の前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強
    磁性のバック・ギャップ構成要素を備え、 前記第1の絶縁層が、前記第2の磁極片の前記ポール・
    チップ構成要素とバック・ギャップ構成要素との間に位
    置しており、 前記第2の磁極片の前記ポール・チップ構成要素、前記
    第2の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素、およ
    び、前記第1の絶縁層が第2の同一平面表面を形成して
    いる、請求項12に記載の磁気ディスク駆動装置。
  14. 【請求項14】前記第2の磁極片が、前記第2の磁極片
    の前記ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ
    構成要素に磁気的に接続し、かつ、前記第2のコイル層
    の全面に伸びている強磁性の第2の磁極片構造体を備
    え、 さらに、 前記第2の磁極片構造体から前記第2のコイル層を絶縁
    している誘電体の第3の絶縁層を備えた、請求項13に
    記載の磁気ディスク駆動装置。
  15. 【請求項15】前記第2の磁極片構造体が、単層であ
    る、請求項14に記載の磁気ディスク駆動装置。
  16. 【請求項16】前記第2の磁極片構造体が、前記フロン
    ト領域に位置する強磁性のフロント構成要素と前記バッ
    ク・ギャップ領域に位置する強磁性のバック・ギャップ
    構成要素との間に位置する強磁性のヨークを備えてお
    り、 前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成要素および
    前記バック・ギャップ構成要素が、前記第2の磁極片の
    前記ポール・チップ構成要素およびバック・ギャップ構
    成要素にそれぞれ磁気的に接続しており、 前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成要素、前記
    第2の磁極片構造体の前記バック・ギャップ構成要素、
    および、前記第3の絶縁層が、第3の同一平面表面を形
    成しており、 前記ヨークが、前記第2のコイル層の全面に伸びてお
    り、かつ、前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成
    要素および前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接
    続している、請求項14に記載の磁気ディスク駆動装
    置。
  17. 【請求項17】前記ヨークが、強磁性膜と誘電体膜との
    積層体である、請求項16に記載の磁気ディスク駆動装
    置。
  18. 【請求項18】上面、底面、および、空気ベアリング面
    (ABS)の一部を形成するフロント面によって部分的
    に画定された磁気ヘッド組立体であって、 第1の磁極片および第2の磁極片を備え、 前記第1の磁極片が、フロント部、中間部、および、バ
    ック部を備え、前記中間部が前記フロント部と前記バッ
    ク部との間に位置している強磁性の第1の磁極片層を備
    えており、 前記第1の磁極片が、さらに、前記第1の磁極片層の前
    記フロント部に磁気的に接続した強磁性のペデスタル、
    および、前記第1の磁極片層の前記バック部に磁気的に
    接続した強磁性のバック・ギャップ構成要素を備え、前
    記第1の磁極片層の中間部が前記ペデスタルと前記バッ
    ク・ギャップ構成要素との間に位置しており、 さらに、 前記第1の磁極片層の前記中間部上に位置する誘電体の
    第1の絶縁層と、 離間したターン群を備え、かつ、前記ペデスタルおよび
    前記バック・ギャップ構成要素の各々から離間され、前
    記第1の絶縁層上に位置する第1のコイル層と、 前記第1のコイル層のターン群の間、および、前記第1
    のコイル層と前記ペデスタルおよび前記バック・ギャッ
    プ構成要素の各々との間に位置する誘電体の第2の絶縁
    層とを備え、 前記ペデスタルの表面、前記第2の絶縁層の表面、およ
    び、前記バック・ギャップ構成要素の表面が、第1の同
    一平面表面を形成しており、 前記第1の同一平面表面がフロント部、中間部、およ
    び、バック部を備え、前記中間部が前記フロント部と前
    記バック部との間に位置しており、 さらに、 前記第1の同一平面表面の前記フロント部および前記中
    間部の上に位置する非磁性の記録ギャップ層を備え、 前記記録ギャップ層が、フロント部およびリア部を有
    し、 前記第2の磁極片が、前記記録ギャップ層の前記フロン
    ト部上に位置し、かつ、記録ヘッドのトラック幅を画定
    する幅を有する強磁性のポール・チップ構成要素を備え
    ており、 前記第2の磁極片が、さらに、前記第1の磁極片の前記
    バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁性の
    バック・ギャップ構成要素を備えており、 さらに、 前記第2の磁極片の前記ペデスタルと前記バック・ギャ
    ップ構成要素との間の空間において前記記録ギャップ層
    の前記リア部の上に位置する誘電体の第3の絶縁層を備
    え、 前記ポール・チップ構成要素の表面、前記第3の絶縁層
    の表面、および、前記第2の磁極片の前記バック・ギャ
    ップ構成要素の表面が、第2の同一平面表面を形成して
    おり、 前記第2の同一平面表面がフロント部、中間部、およ
    び、バック部を有し、前記中間部が前記フロント部と前
    記バック部との間に位置しており、 さらに、 前記第2の同一平面表面の前記中間部上に位置する第2
    のコイル層を備え、 前記第2の磁極片が、前記第2のコイル層の全面に位置
    し、かつ、前記第2の同一平面表面の前記フロント部に
    おいて前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続し、
    かつ、前記第2の同一平面表面の前記バック部において
    前記第2の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素に磁
    気的に接続した第2の磁極片構造体を備えており、 さらに、 前記第2のコイル層のターン群の間、および、前記第2
    のコイル層と前記第2の磁極片構造体との間に位置する
    誘電体の第4の絶縁層を備えた磁気ヘッド組立体。
  19. 【請求項19】前記ポール・チップ構成要素が、ABS
    と交差する第1の側壁および第2の側壁を有し、 前記第3の絶縁層が、前記ポール・チップ構成要素の前
    記第1の側壁および前記第2の側壁に接触している、請
    求項18に記載の磁気ヘッド組立体。
  20. 【請求項20】前記第2の磁極片構造体が、単層であ
    る、請求項19に記載の磁気ヘッド組立体。
  21. 【請求項21】前記第1のコイル層が、前記第1の同一
    平面表面を形成する表面を有する、請求項20に記載の
    磁気ヘッド組立体。
  22. 【請求項22】前記第2の絶縁層が、前記第1のコイル
    層を覆うフォトレジストの第1の膜、および、前記第1
    の膜を覆うアルミナの第2の膜から成る、請求項21に
    記載の磁気ヘッド組立体。
  23. 【請求項23】 さらに、 再生センサと、 非磁性非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再
    生ギャップ層とを備え、 前記再生センサが、前記第1の再生ギャップ層と前記第
    2の再生ギャップ層との間に位置しており、 さらに、 強磁性の第1のシールド層を備え、 前記第1の再生ギャップ層および前記第2の再生ギャッ
    プ層が、前記第1のシールド層と前記第1のコイル層と
    の間に位置している、請求項22に記載の磁気ヘッド組
    立体。
  24. 【請求項24】前記第3の絶縁層が、すべてアルミナか
    ら成る、請求項23に記載の磁気ヘッド組立体。
  25. 【請求項25】前記第2の磁極片構造体が、 前記第2の同一平面表面の前記フロント部において前記
    ポール・チップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のフ
    ロント構成要素、および、前記第2の同一平面表面の前
    記バック部において前記第2の磁極片のバック・ギャッ
    プ構成要素に磁気的に接続した強磁性のバック・ギャッ
    プ構成要素と、 前記フロント構成要素に磁気的に接続したフロント部、
    前記第2の磁極片構造体の前記バック・ギャップ構成要
    素に磁気的に接続したバック部、および、前記第2のコ
    イル層の全面にわたって伸びる中間部を有する強磁性の
    ヨークとを備えている、請求項19に記載の磁気ヘッド
    組立体。
  26. 【請求項26】前記ヨークが、全体的に平坦であり、か
    つ、強磁性膜と誘電体膜との積層体である、請求項25
    に記載の磁気ヘッド組立体。
  27. 【請求項27】前記第2の絶縁層が、前記第1のコイル
    層を覆うフォトレジストの第1の膜、および、前記第1
    の膜を覆うアルミナの第2の膜から成る、請求項26に
    記載の磁気ヘッド組立体。
  28. 【請求項28】前記第4の絶縁層が、前記第2のコイル
    層を覆うフォトレジストの第1の膜と、前記第1の膜を
    覆うアルミナの第2の膜とを備えている、請求項27に
    記載の磁気ヘッド組立体。
  29. 【請求項29】 さらに、 再生センサと、 非磁性非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再
    生ギャップ層とを備え、 前記再生センサが、前記第1の再生ギャップ層と前記第
    2の再生ギャップ層との間に位置しており、 さらに、 強磁性の第1のシールド層を備え、 前記第1の再生ギャップ層および前記第2の再生ギャッ
    プ層が、前記第1のシールド層と前記第1のコイル層と
    の間に位置している、請求項28に記載の磁気ヘッド組
    立体。
  30. 【請求項30】空気ベアリング面(ABS)を有する磁
    気ヘッドの製造方法であって、 第1の磁極片および第2の磁極片を形成する工程と、 ヨーク領域に第1のコイル層および第2のコイル層を形
    成する工程と、 ABSの一部を形成し、かつ、記録ヘッドのトラック幅
    を画定する強磁性のポール・チップ構成要素で前記第2
    の磁極片を形成する工程と、 前記第1の磁極片と前記ポール・チップ構成要素との間
    に記録ギャップ層を形成する工程と、 前記ポール・チップ構成要素の第1の側面、第2の側
    面、およびバック面に接触し、かつ、前記第1のコイル
    層と前記第2のコイル層との間に位置する誘電体の第1
    の絶縁層を形成する工程と、 前記第2のコイル層の全面に伸び、かつ、フロント領域
    において前記ポール・チップ構成要素に磁気的に接続
    し、かつ、バック・ギャップ領域において前記第1の磁
    極片に磁気的に接続した強磁性の第2の磁極片構造体で
    前記第2の磁極片を形成する工程とを備えた磁気ヘッド
    の製造方法。
  31. 【請求項31】前記第1の絶縁層を、すべて、アルミナ
    で形成する、請求項30に記載の、磁気ヘッドの製造方
    法。
  32. 【請求項32】前記フロント領域に位置する強磁性のペ
    デスタル、および、前記バック・ギャップ領域に位置す
    るバック・ギャップ構成要素で前記第1の磁極片を形成
    する工程と、 前記第1の磁極片の前記ペデスタルと前記バック・ギャ
    ップ構成要素との間に、前記第1のコイル層を形成する
    工程と、 前記第1のコイル層を絶縁する誘電体の第2の絶縁層を
    形成する工程と、 第1の同一平面表面を画定するように、前記第1の磁極
    片の前記ペデスタルおよび前記バック・ギャップ構成要
    素、前記第1のコイル層、ならびに、前記第2の絶縁層
    を形成する工程と、 前記ペデスタルと前記ポール・チップ構成要素との間
    に、前記記録ギャップ層を形成する工程とを備えた請求
    項30に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
  33. 【請求項33】前記第1の同一平面表面および前記第2
    の同一平面表面を、CMPによって形成する、請求項3
    2に記載の磁気ヘッドの製造方法。
  34. 【請求項34】前記第2の絶縁層を形成して前記第1の
    コイル層を保護したのちに、前記第1の磁極片の前記ペ
    デスタルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成す
    る、請求項32に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
  35. 【請求項35】前記第1の磁極片の前記バック・ギャッ
    プ構成要素に磁気的に接続した強磁性のバック・ギャッ
    プ構成要素で前記第2の磁極片を形成する工程と、 前記第2の磁極片の前記ポール・チップ構成要素と前記
    バック・ギャップ構成要素との間に前記第1の絶縁層を
    形成する工程と、 第2の同一平面表面を画定するように、前記第2の磁極
    片の前記ポール・チップ構成要素および前記バック・ギ
    ャップ構成要素、ならびに、前記第1の絶縁層を形成す
    る工程とを備えた、請求項32に記載の、磁気ヘッドの
    製造方法。
  36. 【請求項36】前記第2の磁極片の前記ポール・チップ
    構成要素および前記バック・ギャップ構成要素に磁気的
    に接続し、かつ、前記第2のコイル層の全面に伸びる強
    磁性の第2の磁極片構造体で前記第2の磁極片を形成す
    る工程と、 前記第2の磁極片構造体から前記第2のコイル層を絶縁
    する誘電体の第3の絶縁層を形成する工程とを備えた、
    請求項35に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
  37. 【請求項37】前記第2の磁極片構造体を、単層として
    形成する、請求項36に記載の、磁気ヘッドの製造方
    法。
  38. 【請求項38】フォトレジストの第1の膜およびアルミ
    ナの第2の膜で前記第2の絶縁層を形成する工程と、 前記第2の絶縁層の前記第1の膜を形成して前記第1の
    コイル層を保護したのち、前記第1の磁極片の前記ペデ
    スタルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、
    しかるのち、前記第2の膜を形成する工程とを備えた、
    請求項37に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
  39. 【請求項39】前記第3の絶縁層を形成して前記第2の
    コイル層を保護したのち、前記第2の磁極片構造体の前
    記フロント構成要素および前記バック・ギャップ構成要
    素を形成する、請求項38に記載の、磁気ヘッドの製造
    方法。
  40. 【請求項40】 さらに、 再生センサを形成する工程と、 非磁性非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再
    生ギャップ層を、前記再生センサが前記第1の再生ギャ
    ップ層と前記第2の再生ギャップ層との間に位置するよ
    うに形成する工程と、 強磁性の第1のシールド層を、前記第1の再生ギャップ
    層および前記第2の再生ギャップ層が前記第1のシール
    ド層と前記第1のコイル層との間に位置するように形成
    する工程とを備えた、請求項39に記載の、磁気ヘッド
    の製造方法。
  41. 【請求項41】前記フロント領域に位置する強磁性のフ
    ロント構成要素と、前記バック・ギャップ領域に位置す
    る強磁性のバック・ギャップ構成要素との間に位置する
    強磁性のヨークで前記第2の磁極片構造体を形成する工
    程と、 前記第2の磁極片の前記ポール・チップ構成要素および
    前記バック・ギャップ構成要素にそれぞれ磁気的に接続
    した、前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成要素
    および前記バック・ギャップ構成要素を形成する工程
    と、 第3の同一平面表面を画定するように、前記第2の磁極
    片構造体の前記フロント構成要素および前記バック・ギ
    ャップ構成要素、ならびに、前記第3の絶縁層を形成す
    る工程と、 前記第2のコイル層にわたって前記ヨークを形成し、そ
    れを前記第2の磁極片構造体の前記フロント構成要素お
    よび前記バック・ギャップ構成要素に磁気的に接続させ
    る工程とを備えた、請求項36に記載の、磁気ヘッドの
    製造方法。
  42. 【請求項42】フォトレジストの第1の膜およびアルミ
    ナの第2の膜で前記第2の絶縁層を形成する工程と、 前記第2の絶縁層の前記第1の膜を形成して前記第1の
    コイル層を保護したのち、前記第1の磁極片の前記ペデ
    スタルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、
    しかるのち、前記第2の膜を形成する工程とを備えた、
    請求項41に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
  43. 【請求項43】フォトレジストの第1の膜およびアルミ
    ナの第2の膜で前記第3の絶縁層を形成する工程と、 前記第3の絶縁層の前記第1の膜を形成して前記第2の
    コイル層を保護したのち、前記第2の磁極片構造体の前
    記フロント構成要素および前記バック・ギャップ構成要
    素を形成し、しかるのち、前記第2の膜を形成する工程
    とを備えた、請求項42に記載の、磁気ヘッドの製造方
    法。
  44. 【請求項44】前記ヨークを、強磁性膜と誘電体膜との
    積層体として形成する、請求項43に記載の、磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  45. 【請求項45】 さらに、 再生センサを形成する工程と、 非磁性非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再
    生ギャップ層を、前記再生センサが前記第1の再生ギャ
    ップ層と前記第2の再生ギャップ層との間に位置するよ
    うに形成する工程と、 強磁性の第1のシールド層を、前記第1の再生ギャップ
    層および前記第2の再生ギャップ層が前記第1のシール
    ド層と前記第1のコイル層との間に位置するように形成
    する工程とを備えた、請求項44に記載の、磁気ヘッド
    の製造方法。
  46. 【請求項46】上面、底面、および、空気ベアリング面
    (ABS)の一部を形成するフロント面によって部分的
    に画定された磁気ヘッドの製造方法であって、 第1の磁極片および第2の磁極片を形成する工程を備
    え、 前記第1の磁極片を、フロント部、中間部、および、バ
    ック部を有し、前記中間部が前記フロント部と前記バッ
    ク部との間に位置する強磁性の第1の磁極片層で形成
    し、 さらに、 前記第1の磁極片を、前記第1の磁極片層の前記フロン
    ト部に磁気的に接続した強磁性のペデスタル、および、
    前記第1の磁極片層の前記バック部に磁気的に接続した
    強磁性のバック・ギャップ構成要素で、前記第1の磁極
    片層の前記中間部が前記ペデスタルと前記バック・ギャ
    ップ構成要素との間に位置するように形成し、 さらに、 前記第1の磁極片層の前記中間部上に誘電体の第1の絶
    縁層を形成する工程と、 前記第1の絶縁層上に第1のコイル層を、ターン群を離
    間した状態で、かつ、前記ペデスタルおよび前記バック
    ・ギャップ構成要素の各々から離間して形成する工程
    と、 誘電体の第2の絶縁層を、前記第1のコイル層のターン
    群の間、および、前記第1のコイル層と前記ペデスタル
    および前記バック・ギャップ構成要素の各々との間に形
    成する工程と、 第1の同一平面表面を形成する表面を有し、前記第1の
    同一平面表面がフロント部、中間部、および、バック部
    を有し、前記中間部が前記フロント部と前記バック部と
    の間に位置するように、ポール・チップ構成要素、前記
    第2の絶縁層、および、前記バック・ギャップ構成要素
    を形成する工程と、 前記第1の同一平面表面の前記フロント部および前記中
    間部の上に非磁性の記録ギャップ層を、前記記録ギャッ
    プ層がフロント部およびリア部を有するように形成する
    工程と、 前記記録ギャップ層の前記フロント部上に位置し、か
    つ、記録ヘッドのトラック幅を画定する幅を有する強磁
    性のポール・チップ構成要素で前記第2の磁極片を形成
    する工程と、 さらに、 第1の磁極片の前記バック・ギャップ構成要素に磁気的
    に接続した強磁性のバック・ギャップ構成要素で前記第
    2の磁極片を形成する工程と、 前記第2の磁極片の前記ペデスタルと前記バック・ギャ
    ップ構成要素との間の空間中の前記記録ギャップ層の前
    記リア部上に誘電体の第3の絶縁層を形成する工程と、 第2の同一平面表面を形成する上面を有し、前記第2の
    同一平面表面がフロント部、中間部、および、バック部
    を有し、前記中間部が前記フロント部と前記バック部と
    の間に位置するように、前記ポール・チップ構成要素、
    前記第3の絶縁層、および、前記第2の磁極片の前記バ
    ック・ギャップ構成要素を形成する工程と、 前記第2の同一平面表面の前記中間部上に位置する第2
    のコイル層を形成する工程と、 前記第2のコイル層を覆い、かつ、前記第2の同一平面
    表面の前記フロント部において前記ポール・チップ構成
    要素に磁気的に接続し、かつ、前記第2の同一平面表面
    の前記バック部において前記第2の磁極片の前記バック
    ・ギャップ構成要素に磁気的に接続した第2の磁極片構
    造体で前記第2の磁極片を形成する工程と、 前記第2のコイル層のターン群間、および、前記第2の
    コイル層と前記第2の磁極片構造体との間に位置する誘
    電体の第4の絶縁層を形成する工程とを備えた磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  47. 【請求項47】前記ポール・チップ構成要素を、前記A
    BSと交差する第1の側壁および第2の側壁を有するよ
    うに形成する工程と、 前記第3の絶縁層を、前記ポール・チップ構成要素の前
    記第1の側壁および前記第2の側壁に接触するように形
    成する工程とを備えた、請求項46に記載の、磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  48. 【請求項48】前記第2の磁極片構造体を、単層として
    形成する、請求項47に記載の、磁気ヘッドの製造方
    法。
  49. 【請求項49】前記第1のコイル層を、前記第1の同一
    平面表面を形成する表面を有するように形成する、請求
    項48に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
  50. 【請求項50】前記第2の絶縁層を、フォトレジストの
    第1の膜およびアルミナの第2の膜で形成する工程と、 前記第2の絶縁層の前記第1の膜を形成して前記第1の
    コイル層を保護したのち、前記第1の磁極片の前記ペデ
    スタルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、
    しかるのち、前記第2の絶縁層の前記第2の膜を形成す
    る工程とを備えた、請求項49に記載の、磁気ヘッドの
    製造方法。
  51. 【請求項51】再生センサを形成する工程と、 非磁性非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再
    生ギャップ層を、前記再生センサが前記第1の再生ギャ
    ップ層と前記第2の再生ギャップ層との間に位置するよ
    うに形成する工程と、 強磁性の第1のシールド層を、前記第1の再生ギャップ
    層および前記第2の再生ギャップ層が前記第1のシール
    ド層と前記第1のコイル層との間に位置するように形成
    する工程とを備えた、請求項50に記載の、磁気ヘッド
    の製造方法。
  52. 【請求項52】前記第3の絶縁層を、すべて、アルミナ
    で形成する、請求項51に記載の、磁気ヘッドの製造方
    法。
  53. 【請求項53】前記第2の磁極片を作製する工程が、 前記第2の同一平面表面の前記フロント部において前記
    ポール・チップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のフ
    ロント構成要素、および、前記第2の同一平面表面の前
    記バック部において前記第2の磁極片構造体の前記バッ
    ク・ギャップ構成要素に磁気的に接続した強磁性のバッ
    ク・ギャップ構成要素を形成する工程と、 前記フロント構成要素に磁気的に接続したフロント部、
    前記第2の磁極片構造体の前記バック・ギャップ構成要
    素に磁気的に接続したバック部、および、前記第2のコ
    イル層の全面に伸びている中間部を有する強磁性のヨー
    クを形成する工程とを備えた、請求項47に記載の、磁
    気ヘッドの製造方法。
  54. 【請求項54】前記ヨークを、全体的に平坦に形成す
    る、請求項53に記載の、磁気ヘッドの製造方法。
  55. 【請求項55】フォトレジストの第1の膜およびアルミ
    ナの第2の膜で前記第2の絶縁層を形成する工程と、 前記第2の絶縁層の前記第1の膜を形成して前記第1の
    コイル層を保護したのち、前記第1の磁極片の前記ペデ
    スタルおよび前記バック・ギャップ構成要素を形成し、
    しかるのち、前記第2の絶縁層の前記第2の膜を形成す
    る工程とを備えた、請求項54に記載の、磁気ヘッドの
    製造方法。
  56. 【請求項56】フォトレジストの第1の膜およびアルミ
    ナの第2の膜で前記第4の絶縁層を形成する工程と、 前記第2のコイル層上に前記第4の絶縁層の前記第1の
    膜を形成したのち、前記第2の磁極片構造体の前記フロ
    ント構成要素および前記バック・ギャップ構成要素を形
    成し、しかるのち、前記第4の絶縁層の前記第2の膜を
    形成する工程とを備えた、請求項55に記載の、磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  57. 【請求項57】 さらに、 再生センサを形成する工程と、 非磁性非導電性の第1の再生ギャップ層および第2の再
    生ギャップ層を、前記再生センサが前記第1の再生ギャ
    ップ層と前記第2の再生ギャップ層との間に位置するよ
    うに形成する工程と、 強磁性の第1のシールド層を、前記第1の再生ギャップ
    層および前記第2の再生ギャップ層が前記第1のシール
    ド層と前記第1のコイル層との間に位置するように形成
    する工程とを備えた、請求項56に記載の、磁気ヘッド
    の製造方法。
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