JPH0629793A - 同期ディジタル論理回路 - Google Patents

同期ディジタル論理回路

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JPH0629793A
JPH0629793A JP5054620A JP5462093A JPH0629793A JP H0629793 A JPH0629793 A JP H0629793A JP 5054620 A JP5054620 A JP 5054620A JP 5462093 A JP5462093 A JP 5462093A JP H0629793 A JPH0629793 A JP H0629793A
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 各1つのクロック入力端、少なくとも2つの
互いに相補性の出力端および1つのオア論理要素と接続
されている少なくとも2つの入力端を有する状態制御さ
れるメモリ要素を有する同期ディジタル論理回路におい
て、一層高い処理速度を可能にする。 【構成】 少なくとも2つの状態制御されるメモリ要素
10、11が継続接続されている。第1のメモリ要素1
0はオア演算を、また第2のメモリ要素11は1つの組
み合わせ論理機能のアンド演算を行う。それによって、
メモリ要素のセット時間とオアまたはアンド演算を形成
するための遅延時間とが一致する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリ要素およびオア
演算を行う回路手段を有する論理機能の実現のための同
期ディジタル論理回路に関する。
【0002】
【従来の技術】論理回路は、システム状態がメモリ要素
のなかに記憶されるディジタルの同期クロックされるシ
ステムである。入力信号および記憶された信号から組み
合わせ論理により出力信号が計算される。このような論
理回路はたとえば図書“半導体回路技術”、ウー.ティ
ーツェ(U.Tietze) およびツェーハー. シェンク(Ch.Sc
henk) 著、第7版、第259〜261頁から公知であ
る。メモリ要素としてそこではエッジ制御されるメモリ
要素が使用される。エッジ制御されるメモリ要素では通
常、データは少なくとも特定の時間間隔だけクロックエ
ッジの前にメモリ要素の入力端に与えられていなければ
ならない。この時間間隔はセット時間と呼ばれる。デー
タはクロックパルスによりメモリ要素に記憶される。そ
の後に、データが出力端に現れるまで、ある時間間隔だ
けかかる。この時間はメモリ要素の遅延時間と呼ばれ
る。従って、2つの相い続くクロックエッジの間の組み
合わせ論理の計算のために、メモリ要素のセット時間お
よび遅延時間を差し引いたクロック周期が利用される。
論理回路の最大処理速度はその場合に、メモリ要素のセ
ット時間および遅延時間および組み合わせ論理の遅延時
間から成る和がクロック周期の長さに等しいときに達成
される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、一層
高い処理速度が可能である論理回路を実現することであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】この課題は、a)それぞ
れ1つのクロック入力端、少なくとも2つの互いに相補
性の出力端およびオア論理回路に接続されている少なく
とも2つの入力端を有する少なくとも第1および第2の
状態制御されるメモリ要素が存在しており、b)メモリ
要素が、第1のメモリ要素の出力端の1つが第2のメモ
リ要素の入力端の1つと接続されていることによって、
継続接続されており、c)継続接続されているメモリ要
素の最後のものの一方の出力端が第1のメモリ要素の入
力端の第1の部分に帰還結合されており、d)第1のメ
モリ要素の入力端の第2の部分が論理回路の入力端と接
続されており、また第2のメモリ要素の前記一方の出力
端が論理回路の出力端としての役割をしており、e)2
つの継続接続されているメモリ要素のクロック入力端が
それぞれ1つのクロック信号により制御され、またクロ
ック信号がメモリ要素の数により分割されたクロック周
期の位相だけ互いに位相シフトされていることにより、
または代替的に、a)それぞれ1つのクロック入力端、
少なくとも2つの互いに相補性の出力端およびオア論理
回路に接続されている少なくとも2つの入力端を有する
多数の状態制御されるメモリ要素が存在しており、また
メモリ要素が少なくとも第1および第2の群に分割され
ており、b)第1および第2の群のメモリ要素が、第1
の群のメモリ要素の出力端の1つが第2の群のメモリ要
素の入力端の1つと接続されていることによって、継続
接続されており、c)継続接続されている群の最後のも
ののメモリ要素の一方の出力端が第1の群のメモリ要素
入力端の第1の部分に帰還結合されており、d)第1の
群のメモリ要素の入力端の第2の部分が論理回路の入力
端と接続されており、また第2の群のメモリ要素の前記
一方の出力端が論理回路の出力端としての役割をしてお
り、e)各群のメモリ要素のクロック入力端がそれぞれ
単一のクロック信号により制御され、また2つの継続接
続されている群のクロック信号が、群の数により分割さ
れたクロック周期の位相だけ互いに位相シフトされてい
ることにより解決される。
【0005】
【実施例】以下、図面に示されている実施例により本発
明を一層詳細に説明する。
【0006】図6には従来の技術による論理回路が示さ
れている。ここに示されているのは、クロックエッジ制
御されるメモリ要素を含んでおりレリーズ入力端を設け
られている分周比2の分周器である。クロックエッジ制
御されるメモリ要素はDフリップフロップである。Dフ
リップフロップ1の出力端3はその入力端に帰還接続さ
れている。Lアクティブレリーズ信号バーENはノット
‐オア論理要素2を介して帰還接続と接続されている。
レリーズ入力端がL電位にあるならば、ノット‐オア論
理要素2の出力端にDフリップフロップ2の出力信号の
否定された値が生ずる。それに続く負のクロックエッジ
によりこの論理値がDフリップフロップ1のなかに記憶
される。従って、出力端3にはクロック信号CLKの周
波数に対して半減された周波数を有するLおよびHの交
互の列が現れる。レリーズ信号バーENがHであれば、
ノット‐オア論理要素2の出力端は常にLであり、従っ
て出力端3はLにとどまる。
【0007】たとえばDフリップフロップ1のようなク
ロックエッジ制御されるメモリ要素では一般に有効なデ
ータ信号はその入力端6にある時間間隔、いわゆるセッ
ト時間だけクロックエッジの前に与えられていなければ
ならない。データ信号はセット時間の間はもはや変化し
てはならない。クロックエッジの後に、メモリ要素のい
わゆる遅延時間が、データ入力端に与えられている信号
が出力端3に有効に現れるまで続く。2つの相い続くク
ロックエッジの時間間隔、すなわちクロック周期、から
セット時間および遅延時間を差し引いた時間間隔がノッ
ト‐オア論理要素2の遅延時間に最大利用される。従っ
て、図6の論理回路の最高処理速度はDフリップフロッ
プ1のセット時間および遅延時間および論理要素2の遅
延時間の和により制限されている。
【0008】図1には、図6に示されている論理回路と
等しい機能を行う論理回路の本発明による実現が示され
ている。2つの状態制御されるメモリ要素10、11
が、メモリ要素10の出力端16がメモリ要素11の入
力端17の1つと接続されていることによって、継続接
続されている。メモリ要素11の他方の入力端15はL
電位と接続されている。メモリ要素11の否定出力端1
4は論理回路の出力端としての役割をし、またメモリ要
素10の入力端の1つに帰還結合されている。メモリ要
素10の他方の入力端13はレリーズ信号バーENによ
り制御される。メモリ要素11のクロック入力端にはク
ロック信号CLKが与えられており、他方においてメモ
リ要素10は否定された、すなわち半周期だけシフトさ
れたクロック信号により制御される。
【0009】クロック状態制御されるメモリ要素10、
11としては、出力端およびそれに対して相補性の出力
端を有するそれぞれ1つのメモリ要素が設けられてい
る。それはさらに、オア演算要素に接続されている2つ
の入力端を有する。このオア演算の結果はメモリ要素の
なかに記憶される。クロック信号のH相の間はメモリ要
素は透過性であり、すなわちオア演算の結果はメモリ要
素の出力端に存在し、また結果の変化は直接に出力端に
おいても有効になる。クロック信号のL相の間は、クロ
ックエッジの直前に記憶された結果が記憶されている。
オア演算の計算は特定の時間間隔だけ継続する。もしメ
モリ要素の入力端におけるデータがこの時間間隔の間に
変化しないならば、クロックエッジの直後にメモリ要素
の出力端に有効な結果が存在する。従って、このような
クロック状態制御される透過性のメモリ要素ではメモリ
過程の後に遅延時間は存在しない。
【0010】図1の論理回路の機能の仕方を説明するた
め図2にクロック信号ダイアグラムが示されている。ク
ロック信号20のL相25の間はメモリ要素10が透過
性である。クロックエッジ21の時点で信号バーENお
よび出力端14の帰還結合される信号から成るオア演算
の結果が記憶される。時間間隔23はメモリ要素10の
セット時間である。クロック信号20のH相26の間は
メモリ要素11が透過性であり、またクロックエッジ2
2においてその入力端17および15における信号のオ
ア演算の結果を記憶する。従って、各負のクロックエッ
ジの時点で有効な信号が出力端14に与えられている。
クロック周期の長さはクロック状態制御されるメモリ要
素の少なくとも2つのセット時間でなければならない。
図6の論理回路を顧慮して論理要素2に対する遅延時間
およびクロックエッジ制御されるDフリップフロップ1
の遅延時間はなくなる。従って、クロック状態制御およ
びクロックエッジ制御されるメモリ要素に対する近似的
に等大のセット時間から出発すると、本発明により実現
される論理回路における速度は従来の技術による実現の
場合よりもはるかに高い。
【0011】実現すべき論理機能の際にデータ記憶の課
題は継続接続されているクロック状態制御される両メモ
リ要素10、11により行われる。クロック信号のL相
25の間に実現すべき組み合わせ論理のすべてのオア演
算が、またH相26の間にすべてのアンド演算が計算さ
れる。いまの組み合わせ論理はノット‐オア演算を含ん
でいる。その結果に影響することなしに、組み合わせ論
理は論理Hレベルを有する後に接続されているアンド演
算により拡張される。ノット‐オア演算はメモリ要素1
0のなかで計算され、論理Hレベルを有するアンド演算
はメモリ要素11のなかで計算される。アンド演算はオ
ア論理要素によりメモリ要素11のなかで行われるの
で、入力信号および出力信号は否定される。その結果、
メモリ要素11の入力端17はメモリ要素10の正の出
力端と、メモリ要素11の他方の入力端15はLレベル
と、また論理回路の出力端はメモリ要素11の負の出力
端と接続されている。
【0012】いまの論理回路の別の実現可能性が図3に
示されている。そこでは4つの状態制御されるメモリ要
素30、…、33が継続接続されている。メモリ要素3
0、31の配置は図1に示されている回路に一致してい
る。その後にメモリ要素32、33を有する相応の装置
が接続されている。メモリ要素32の入力信号は入力信
号バーENおよびメモリ要素31の出力信号である。論
理回路の出力信号はメモリ要素31または33の出力端
38、39に与えられている。継続接続されているメモ
リ要素のクロック信号はクロック周期の1/4だけシフ
トされている。
【0013】クロック信号CLKが第1のクロックエッ
ジにおいてHレベルからLレベルへ移行すると、メモリ
要素30においてオア演算の結果が入力信号バーENの
第1の値および継続接続されているメモリ要素の最後の
ものの出力端39における信号から計算される。メモリ
要素31の出力端38におけるアンド演算の結果は1/
4クロック周期遅れて現われる。従って、入力信号バー
ENの第1の値に対する論理機能の計算に対して半クロ
ック周期が必要とされる。入力信号バーENの第1の値
に時間的に続く第2の値はメモリ要素32のなかで出力
端38における第1の計算の結果と論理演算される。半
クロック周期の後に第2の値に対する論理機能の結果が
メモリ要素33の出力端39に存在する。従って、入力
信号バーENの2つの時間的に相い続く値の計算に対し
てクロック信号の1つの周期が必要である。図2の論理
回路は、クロック信号CLKの周波数が入力信号バーE
Nの周波数に等しいという利点を有する。メモリ要素3
1または33の出力端38、39における出力信号はマ
ルチプレクサ34を介して論理回路の別の出力端35に
導かれる。マルチプレクサ34は、メモリ要素31のク
ロック信号により、出力端38、39における出力信号
のそれぞれ1つが、付属の入力信号バーENの第1また
は第2の値に続くクロック周期の半分の間に出力端35
に現れるように制御される。
【0014】図4には、2つの状態制御されるメモリ要
素およびメモリ要素の前に接続されているオア論理要素
を有する図6から公知の論理回路の本発明による実現が
示されている。メモリ要素40、41の前にそれぞれオ
ア論理要素42または43が、オア論理要素の正の出力
端がメモリ要素の入力端の1つと接続されていることに
よって、接続されている。オア論理要素は少なくとも2
つの入力端および正出力端に対して相補性の出力端を有
する。オア論理要素42、43の入力端の1つはレリー
ズ信号バーENにより制御され、他方の入力端はメモリ
要素41または40の否定された出力端と接続されてい
る。メモリ要素40、41はクロック周期の半分だけ位
相シフトされたクロック信号により制御される。論理要
素40、41の否定出力端の後に、クロック信号CLK
により制御されるマルチプレクサか接続されている。図
4の回路は、図3中に存在するメモリ要素30、32の
代わりにオア論理要素42、43が存在することを例外
として、図3の回路に一致している。このことは、メモ
リ要素30、32の記憶機能が省略され、また論理要素
30、32のオア演算機能がオア論理要素42、43に
より行われることを意味する。図4による回路は図3の
回路にくらべて、構成要素が節減されるという利点を有
する。それに対して、後者は、常に同種の構成要素が使
用され、従ってまた規則的な構造が可能であるという利
点を有する。
【0015】これまでに説明した図1、図3、図4の実
施例は同一の論理回路の種々の実現可能性である。1つ
よりも多い論理値が記憶される他の論理機能が実現され
るならば、本発明による実現ではメモリ要素10、11
または30、…、33または40、41のただ1つの代
わりに1つよりも多いメモリ要素を有するそれぞれ1つ
の群が設けられる。群のすべてのメモリ要素は等しいク
ロック信号により制御される。図4による実現の場合に
は、オア論理要素42、43に相応するオア論理要素の
群も設けられている。これらの群の各々は実施例に示さ
れている個々のメモリ要素およびオア論理要素の接続の
仕方に相応する仕方で接続される。メモリ要素およびオ
ア論理要素の各々のすべての入力端および出力端の具体
的な接続はそれぞれ実現すべき論理機能に関係する。
【0016】透過性のクロック状態制御されるメモリ要
素の実施例が図5に示されている。この回路はバイポー
ラ電流スイッチ技術で実現されている。電流スイッチは
2つのエミッタ結合されたバイポーラトランジスタ5
1、52を含んでおり、それらのエミッタは電流源50
を介して供給電位VEEと接続されている。これらのト
ランジスタのコレクタはそれぞれ別のトランジスタ対5
6、55または53、54のエミッタと接続されてい
る。トランジスタ53、54のコレクタはそれぞれ抵抗
59または60を介して別の供給電位VCCと接続され
ている。トランジスタ55、54のコレクタは結合され
ており、出力端Qを形成している。トランジスタ53の
コレクタはそれに対して相補性の出力端バーQとしての
役割をする。トランジスタ52のベースは第1の参照電
位V1と接続されており、トランジスタ55、54のベ
ース端子は別の参照電位V2と接続されている。トラン
ジスタ51のベースにクロック信号CLKが与えられて
いる。ベースで入力信号により制御されるトランジスタ
56のコレクタ‐エミッタ間パスに対して並列に、ベー
ス端子で別の入力信号により制御される別のバイポーラ
トランジスタ57、58のコレクタ‐エミッタ間パスが
接続されている。出力信号Qはトランジスタ53のベー
スに帰還結合されている。トランジスタ56、57の入
力端はオア演算のために結合されている。オア演算はこ
れらのトランジスタの並列に接続されているコレクタ‐
エミッタ間パスに基づいて、追加的な信号伝播時間を生
じさせずに得られる。原理的に、2つよりも多い入力信
号を有するメモリ要素を形成するためトランジスタ5
6、57を別の入力トランジスタに並列に接続すること
が可能である。
【0017】回路は下記のように動作する。クロック信
号CLKはHであるとする。従って、電流源50の電流
はトランジスタ51を通って流れ、他方においてトラン
ジスタ52は遮断されている。トランジスタ56、57
の少なくとも1つがHレベルにより制御されるならば、
電流がこのトランジスタを通って流れ、またトランジス
タ55は遮断される。その場合、抵抗60を通って電流
が流れないので、出力端QはH電位にある。出力端Qに
こうして入力信号のオア演算の結果が生ずる。たとえば
すべての入力トランジスタが遮断されていることによっ
てオア演算の結果が変化すると、電流がトランジスタ5
5を通って流れ、出力端QにLレベルを生じさせる。こ
れは入力信号の変化に応じて直接に行われる。すなわち
フリップフロップは透過性である。クロック信号がLレ
ベルに切換わると、電流がトランジスタ52を通って流
れる。トランジスタ53のベースへの出力端Qの帰還結
合により、出力端におけるいままさに存在するレベルが
記憶される。出力端バーQは出力端Qと逆に挙動する。
いまトランジスタ56、57における入力信号が変化す
ると、これは出力Q、バーQに作用しない。なぜなら
ば、トランジスタ51が無電流であるからである。
【0018】クロック信号CLKがHであれば、電流が
トランジスタ51を通って流れ、トランジスタ56、5
7の入力端におけるレベル変化と寄生的なコレクタ‐基
板間キャパシタンスに基づく出力端Q、バーQにおける
それへの反応との間の第1の遅延時間が生ずる。同じ
く、負のクロックエッジの際のトランジスタ51からト
ランジスタ52への電流の切換に対する第2の遅延時間
が存在している。出力端Q、バーQにおける記憶された
レベルが負のクロックエッジの時点で有効であるべきで
あれば、入力信号は第1および第2の遅延時間のなかで
クロックエッジの開始前に変更されてはならない。従っ
て、メモリ要素のセット時間、すなわちデータがもはや
変更されてはならないクロックエッジ前の継続時間はこ
れらの両遅延時間の長いほうの遅延時間により決定され
る。メモリ要素は、組み合わせ論理の計算のための遅延
時間およびメモリ要素のセット時間が一致するという利
点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による論理回路の実施例。
【図2】図1の回路のクロック信号ダイアグラム。
【図3】4つのメモリ要素を有する論理回路の実施例。
【図4】2つのメモリ要素およびそれらの前に接続され
ているオア論理要素を有する論理回路の実施例。
【図5】電流スイッチ技術での状態制御されるメモリ要
素の実施例。
【図6】従来の技術による論理回路。
【符号の説明】
10、11 メモリ要素 13 入力端 14 出力端 31〜33 メモリ要素 34 マルチプレクサ 35 入力端 39 出力端 40、41 メモリ要素 42、43 オア論理要素 44 マルチプレクサ 56、57 入力トランジスタ CLK クロック信号

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 同期ディジタル論理回路であって、 a)各1つのクロック入力端、少なくとも2つの互いに
    相補性の出力端および少なくとも2つの入力端を有する
    少なくとも第1および第2のクロック状態制御されるメ
    モリ要素(10、11)が、第1のメモリ要素(10)
    の出力端の1つが第2のメモリ要素(11)の入力端の
    1つと接続されていることによって、継続接続されてお
    り、 b)継続接続されているメモリ要素(11)の最後のも
    のの一方の出力端が第1のメモリ要素(10)の入力端
    の第1の部分に帰還結合されており、 c)第1のメモリ要素(10)の入力端の第2の部分が
    論理回路の入力端(13)と接続されており、また第2
    のメモリ要素(11)の前記一方の出力端が論理回路の
    出力端(14)としての役割をしており、 d)メモリ要素のクロック入力端が互いに位相シフトさ
    れたクロック信号(CLK)により制御される論理回路
    において、 e)メモリ要素(10、11)の各々がクロック状態制
    御されるDフリップフロップおよびオア論理要素を含ん
    でおり、 f)オア論理要素の出力端がDフリップフロップの入力
    端と接続されており、メモリ要素の入力端がオア論理要
    素の入力端であり、またメモリ要素の相補性出力端がD
    フリップフロップの相補性出力端であり、 g)各2つの継続接続されているメモリ要素(10、1
    1)のクロック信号(CLK)がメモリ要素の数により
    分割されたクロック周期の位相だけ互いに位相シフトさ
    れていることを特徴とする同期ディジタル論理回路。
  2. 【請求項2】 a)第3および第4のメモリ要素(3
    2、33)が存在しており、 b)第2のメモリ要素(31)の出力端の1つが第3の
    メモリ要素(32)の入力端の第1の部分と接続され、
    また第3のメモリ要素(32)の出力端の1つが第4の
    メモリ要素(33)の入力端の1つと接続されており、 c)第3のメモリ要素(32)の入力端の第2の部分が
    論理回路の入力端(35)と接続されており、また第4
    のメモリ要素(33)の出力端の1つが論理回路の別の
    出力端(39)としての役割をしていることを特徴とす
    る請求項1記載の論理回路。
  3. 【請求項3】 第1および第2のメモリ要素(40、4
    1)の前に、それぞれ少なくとも2つの入力端および少
    なくとも2つの互いに相補性の出力端を有するそれぞれ
    1つのオア論理要素(42、43)が接続されており、
    その際 a)オア論理要素(42、43)の入力端の第1の部分
    が論理回路の入力端と接続されており、 b)第1のメモリ要素の前に接続されているオア論理要
    素(42)の入力端の第2の部分が第2のメモリ要素
    (41)の一方の出力端と接続されており、また第2の
    メモリ要素の前に接続されているオア論理要素(43)
    の入力端の第2の部分が第1のメモリ要素(40)の一
    方の出力端と接続されており、 c)第1のメモリ要素の前に接続されているオア論理要
    素(42)の出力端の1つが第1のメモリ要素(40)
    の入力端の1つと接続されており、また第2のメモリ要
    素の前に接続されているオア論理要素(43)の出力端
    の1つが第2のメモリ要素(41)の入力端の1つと接
    続されており、 d)第2のメモリ要素(41)の前記一方の出力端が論
    理回路の別の出力端としての役割をしていることを特徴
    とする請求項1記載の論理回路。
  4. 【請求項4】 論理回路の出力端および別の出力端が、
    メモリ要素のクロック入力端に与えられているクロック
    信号の1つにより制御されるマルチプレクサ(33、3
    4)の入力端と接続されていることを特徴とする請求項
    2または3記載の論理回路。
  5. 【請求項5】 同期ディジタル論理回路であって、 a)クロック入力端、少なくとも2つの互いに相補性の
    出力端および少なくとも2つの入力端を有する少なくと
    もそれぞれ1つのクロック状態制御されるメモリ要素
    (10、11)を有する少なくとも第1および第2の群
    が、第1の群のメモリ要素(10)の出力端の1つが第
    2の群のメモリ要素(11)の入力端の1つと接続され
    ていることによって、継続接続されており、 b)継続接続されている群(11)の最後のもののメモ
    リ要素の一方の出力端が第1の群のメモリ要素(10)
    の入力端の第1の部分に帰還結合されており、 c)第1の群のメモリ要素(10)の入力端の第2の部
    分が論理回路の入力端(13)と接続されており、また
    第2の群のメモリ要素(11)の前記一方の出力端が論
    理回路の出力端(14)としての役割をしており、 d)各群のメモリ要素のクロック入力端が互いに位相シ
    フトされたクロック信号(CLK)により制御される論
    理回路において、 e)メモリ要素(10、11)の各々がクロック状態制
    御されるDフリップフロップおよびオア論理要素を含ん
    でおり、 f)オア論理要素の出力端がDフリップフロップの入力
    端と接続されており、メモリ要素の入力端がオア論理要
    素の入力端であり、またメモリ要素の相補性出力端がD
    フリップフロップの相補性出力端であり、 g)各2つの継続接続されているメモリ要素(10、1
    1)の群のクロック信号(CLK)が群の数により分割
    されたクロック周期の位相だけ互いに位相シフトされて
    いることを特徴とする同期ディジタル論理回路。
  6. 【請求項6】a)メモリ要素(32、33)の第3およ
    び第4の群が存在しており、 b)第2の群のメモリ要素(31)の出力端の1つが第
    3の群のメモリ要素(32)の入力端の第1の部分と接
    続され、また第3の群のメモリ要素(32)の出力端の
    1つが第4の群のメモリ要素(33)の入力端の1つと
    接続されており、 c)第3の群のメモリ要素(32)の入力端の第2の部
    分が論理回路の入力端(35)と接続されており、また
    第4の群のメモリ要素(33)の出力端の1つが論理回
    路の別の入力端(39)としての役割をしていることを
    特徴とする請求項5記載の論理回路。
  7. 【請求項7】 第1および第2の群のメモリ要素(4
    0、41)の前に、それぞれ少なくとも2つの入力端お
    よび少なくとも2つの互いに相補性の出力端を有するそ
    れぞれ1つのオア論理要素(42、43)が接続されて
    おり、その際 a)オア論理要素(42、43)の入力端の第1の部分
    が論理回路の入力端と接続されており、 b)第1の群のメモリ要素の前に接続されているオア論
    理要素(42)の入力端の第2の部分が第2の群のメモ
    リ要素(41)の一方の出力端と接続されており、また
    第2の群のメモリ要素の前に接続されているオア論理要
    素(43)の入力端の第2の部分が第1の群のメモリ要
    素(40)の出力端の1つと接続されており、 c)第1の群のメモリ要素の前に接続されているオア論
    理要素(42)の出力端の1つが第1の群のメモリ要素
    (40)の入力端の1つと接続されており、また第2の
    群のメモリ要素(41)の前に接続されているオア論理
    要素(43)の出力端の1つが第2の群のメモリ要素
    (41)の入力端の1つと接続されており、 d)第2の群のメモリ要素(41)の前記一方の出力端
    が論理回路の別の出力端としての役割をしていることを
    特徴とする請求項5記載の論理回路。
  8. 【請求項8】 論理回路の出力端および別の出力端が対
    として、マルチプレクサ(33、34)の入力端と接続
    され、該マルチプレクサはメモリ要素のクロック入力端
    に与えられているクロック信号の1つにより制御されて
    いることを特徴とする請求項6または7記載の論理回
    路。
  9. 【請求項9】 メモリ要素がバイポーラ電流スイッチ技
    術で実現されており、また入力トランジスタ(56、5
    7)のコレクタ‐エミッタ間パスが並列に接続されてい
    ることを特徴とする請求項1ないし3または5ないし7
    の1つに記載の論理回路。
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