JPH06295404A - 磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録再生装置Info
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- JPH06295404A JPH06295404A JP8306793A JP8306793A JPH06295404A JP H06295404 A JPH06295404 A JP H06295404A JP 8306793 A JP8306793 A JP 8306793A JP 8306793 A JP8306793 A JP 8306793A JP H06295404 A JPH06295404 A JP H06295404A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0008—Magnetic conditionning of heads, e.g. biasing
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲヘッドを用いた磁気記録再生装置の長期
的信頼性の向上を図るとともにデータ再生の信頼性を向
上できる磁気記録再生装置を提供すること。 【構成】 磁気記録媒体２から発生する磁束を感磁する
ＭＲ膜１６の温度を検出する直流抵抗検出手段８や温度
係数の記憶手段９を設け、また検出した温度が基準値を
超えた場合にＭＲ膜１６を冷却する冷却機構７を設け
た。 【効果】 温度上昇にともなう信頼性の低下やバルクハ
ウゼンノイズの発生を解消できる。
的信頼性の向上を図るとともにデータ再生の信頼性を向
上できる磁気記録再生装置を提供すること。 【構成】 磁気記録媒体２から発生する磁束を感磁する
ＭＲ膜１６の温度を検出する直流抵抗検出手段８や温度
係数の記憶手段９を設け、また検出した温度が基準値を
超えた場合にＭＲ膜１６を冷却する冷却機構７を設け
た。 【効果】 温度上昇にともなう信頼性の低下やバルクハ
ウゼンノイズの発生を解消できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置や磁
気テープ装置等の磁気記録再生装置に関するものであ
る。
気テープ装置等の磁気記録再生装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録分野における小型化・大容量化
の要求には目ざましいものがある。例えば、磁気ディス
ク装置を見てみるとディスク径は、３．５インチから
２．５インチ、１．８インチと小さくなってきており、
磁気ディスク一枚当りの容量も２．５インチ１００メガ
バイトと言われている。このような磁気ディスクの大容
量化のためには、 （１）トラック密度を高くする。
の要求には目ざましいものがある。例えば、磁気ディス
ク装置を見てみるとディスク径は、３．５インチから
２．５インチ、１．８インチと小さくなってきており、
磁気ディスク一枚当りの容量も２．５インチ１００メガ
バイトと言われている。このような磁気ディスクの大容
量化のためには、 （１）トラック密度を高くする。
【０００３】（２）記録密度を高くする。 （３）変調方式の最適化を図る。 等が必要となるが、そのため磁気ディスクとして高保磁
力、高残留磁束密度、低ノイズの特徴を有する金属薄膜
ディスクが開発され、磁気ヘッドとしてメタルインギャ
ップヘッドや薄膜ヘッド、さらに、金属磁性膜を積層し
た積層型磁気ヘッド等が開発されてきた。
力、高残留磁束密度、低ノイズの特徴を有する金属薄膜
ディスクが開発され、磁気ヘッドとしてメタルインギャ
ップヘッドや薄膜ヘッド、さらに、金属磁性膜を積層し
た積層型磁気ヘッド等が開発されてきた。
【０００４】しかし、これらの磁気ヘッドは全て電磁誘
導現象を利用したものであり、その再生出力は磁気ヘッ
ドと磁気ディスク間の相対速度に比例する。そのため、
さらに磁気ディスクの径が小さくなると、もはや十分な
再生出力を得ることが出来なくなっている。このため従
来、磁気抵抗効果を利用して磁気ディスクからの磁束を
感磁する磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下「ＭＲヘッ
ド」という）が提案されている。
導現象を利用したものであり、その再生出力は磁気ヘッ
ドと磁気ディスク間の相対速度に比例する。そのため、
さらに磁気ディスクの径が小さくなると、もはや十分な
再生出力を得ることが出来なくなっている。このため従
来、磁気抵抗効果を利用して磁気ディスクからの磁束を
感磁する磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下「ＭＲヘッ
ド」という）が提案されている。
【０００５】ここで、図２にＭＲヘッドを用いた従来の
磁気記録再生装置のブロック図を示す。少なくとも１つ
のＭＲヘッド１と磁気記録媒体２と記録再生回路３とＭ
Ｒヘッド１及び磁気記録媒体２を駆動するためのヘッド
駆動系４および媒体駆動系５から構成され、記録再生回
路３、ヘッド駆動系４、媒体駆動系５はＣＰＵなどの制
御部６により制御されている。
磁気記録再生装置のブロック図を示す。少なくとも１つ
のＭＲヘッド１と磁気記録媒体２と記録再生回路３とＭ
Ｒヘッド１及び磁気記録媒体２を駆動するためのヘッド
駆動系４および媒体駆動系５から構成され、記録再生回
路３、ヘッド駆動系４、媒体駆動系５はＣＰＵなどの制
御部６により制御されている。
【０００６】また、このＭＲヘッド１のＭＲ部を媒体対
向面からみたときの図を図３に示す。図中、１１はＡ１
2 Ｏ3 ＴｉＣ等のセラミック材からなる基盤であり、１
２はＮｉＦｅ等からなる下部シールド層、１３はＡｌ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなり下部ギャップとなる絶縁層、
１６は磁気抵抗効果膜（以下「ＭＲ膜」という）、１４
はＴｉ，Ｎｂ等からなりＭＲ膜１６に横バイアス磁界を
与えるためのシャント層、１５はＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2
等からなりＭＲ膜１６とシャント層１４とを電気的に分
離する中間層、１７はバルクハウゼンノイズを抑制する
ためにＭＲ膜１６に縦バイアス磁界を与えるＦｅＭｎ等
からなる反強磁性膜、１８は例えばＡｕ，Ｗ等のリード
層、１９はＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなり上部ギャッ
プとなる絶縁層、２０はＮｉＦｅ等からなる上部シール
ド層、２１はＡｌ2 Ｏ3 等からなる保護層である。図中
Ａで示した部分がトラック部であり、磁気記録媒体２か
らの磁束に感応する部分である。
向面からみたときの図を図３に示す。図中、１１はＡ１
2 Ｏ3 ＴｉＣ等のセラミック材からなる基盤であり、１
２はＮｉＦｅ等からなる下部シールド層、１３はＡｌ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなり下部ギャップとなる絶縁層、
１６は磁気抵抗効果膜（以下「ＭＲ膜」という）、１４
はＴｉ，Ｎｂ等からなりＭＲ膜１６に横バイアス磁界を
与えるためのシャント層、１５はＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2
等からなりＭＲ膜１６とシャント層１４とを電気的に分
離する中間層、１７はバルクハウゼンノイズを抑制する
ためにＭＲ膜１６に縦バイアス磁界を与えるＦｅＭｎ等
からなる反強磁性膜、１８は例えばＡｕ，Ｗ等のリード
層、１９はＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなり上部ギャッ
プとなる絶縁層、２０はＮｉＦｅ等からなる上部シール
ド層、２１はＡｌ2 Ｏ3 等からなる保護層である。図中
Ａで示した部分がトラック部であり、磁気記録媒体２か
らの磁束に感応する部分である。
【０００７】このような構成のＭＲヘッド１の動作を簡
単に説明する。磁気記録媒体２から発生する磁界がＭＲ
膜１６のＡ部に流入すると、その磁束の大きさによって
電気抵抗が変化する。このとき、ＭＲ膜１６にはセンス
電流を流しているため電気抵抗の変化を電圧変化として
検出することが出来る。
単に説明する。磁気記録媒体２から発生する磁界がＭＲ
膜１６のＡ部に流入すると、その磁束の大きさによって
電気抵抗が変化する。このとき、ＭＲ膜１６にはセンス
電流を流しているため電気抵抗の変化を電圧変化として
検出することが出来る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＲヘ
ッドを用いた磁気記録再生装置では前述したようにＭＲ
ヘッドに電流を流しながら使用するため、電流によるＭ
Ｒ素子部の発熱によりＭＲ特性の劣化が生じるという問
題点があった。特にコンピュータに内蔵された磁気ディ
スク装置などはスピンドルモーターの回転により磁気デ
ィスク装置そのものが発熱源となってしまうため、その
中に使用されているＭＲヘッドは周囲温度の上昇と電流
による発熱とによりさらに信頼性が劣化するという問題
点を有していた。
ッドを用いた磁気記録再生装置では前述したようにＭＲ
ヘッドに電流を流しながら使用するため、電流によるＭ
Ｒ素子部の発熱によりＭＲ特性の劣化が生じるという問
題点があった。特にコンピュータに内蔵された磁気ディ
スク装置などはスピンドルモーターの回転により磁気デ
ィスク装置そのものが発熱源となってしまうため、その
中に使用されているＭＲヘッドは周囲温度の上昇と電流
による発熱とによりさらに信頼性が劣化するという問題
点を有していた。
【０００９】また、ＭＲヘッドに縦バイアス磁界を与え
る手段として図３に示したように反強磁性膜１７を用い
ている場合、この温度上昇はＭＲ素子部の信頼性のみな
らず、縦バイアス磁界によるバルクハウゼンノイズの抑
制効果に悪影響を与える。反強磁性膜１７による縦バイ
アス磁界は温度が高くなると、図４に示すように縦バイ
アス磁界が減少してくるため、周囲温度の上昇や電流に
よる発熱によりＭＲ素子部の温度が高くなると、その隣
にある反強磁性膜１７とＭＲ膜１６との界面も温度が上
昇し、バルクハウゼンノイズが発生するためデータの再
生ができなくなるという問題点があった。
る手段として図３に示したように反強磁性膜１７を用い
ている場合、この温度上昇はＭＲ素子部の信頼性のみな
らず、縦バイアス磁界によるバルクハウゼンノイズの抑
制効果に悪影響を与える。反強磁性膜１７による縦バイ
アス磁界は温度が高くなると、図４に示すように縦バイ
アス磁界が減少してくるため、周囲温度の上昇や電流に
よる発熱によりＭＲ素子部の温度が高くなると、その隣
にある反強磁性膜１７とＭＲ膜１６との界面も温度が上
昇し、バルクハウゼンノイズが発生するためデータの再
生ができなくなるという問題点があった。
【００１０】そこで本発明は、信頼性に優れた磁気記録
再生装置を提供することを目的とする。
再生装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このために本発明の磁気
記録再生装置は、磁気記録媒体から発生する磁束を感磁
する部分の温度を検出する温度検出手段を設けたもので
ある。また検出した温度が基準値を超えた場合に磁束を
感磁する部分の温度を下げる冷却手段を設けたものであ
る。
記録再生装置は、磁気記録媒体から発生する磁束を感磁
する部分の温度を検出する温度検出手段を設けたもので
ある。また検出した温度が基準値を超えた場合に磁束を
感磁する部分の温度を下げる冷却手段を設けたものであ
る。
【００１２】
【作用】本発明は上記構成により、ＭＲ素子部に過度の
温度が加わることを防ぎ長期的信頼性を向上させること
ができるとともに、再生動作中に温度が上昇して反強磁
性膜の効果が弱くなりバルクハウゼンノイズが発生しデ
ータの再生ができなくなることを防ぐことができる。
温度が加わることを防ぎ長期的信頼性を向上させること
ができるとともに、再生動作中に温度が上昇して反強磁
性膜の効果が弱くなりバルクハウゼンノイズが発生しデ
ータの再生ができなくなることを防ぐことができる。
【００１３】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１４】図１に本発明の磁気記録再生装置のブロッ
ク図を示す。ＭＲヘッド１や全体構成は従来のものと同
じであるが、ＭＲ素子部の温度を検出するための温度検
出手段としての直流抵抗検出手段８が記録再生回路３に
設けられており、またＣＰＵのような制御部６に制御さ
れる冷却機構７と温度係数の記憶手段９が設けられてい
る。なお記録用のヘッドについては特に限定するもので
はなくＭＲヘッド１と一体化した複合型ＭＲヘッドを用
いたり別の記録専用ヘッドを用いることができる。
ク図を示す。ＭＲヘッド１や全体構成は従来のものと同
じであるが、ＭＲ素子部の温度を検出するための温度検
出手段としての直流抵抗検出手段８が記録再生回路３に
設けられており、またＣＰＵのような制御部６に制御さ
れる冷却機構７と温度係数の記憶手段９が設けられてい
る。なお記録用のヘッドについては特に限定するもので
はなくＭＲヘッド１と一体化した複合型ＭＲヘッドを用
いたり別の記録専用ヘッドを用いることができる。
【００１５】ここで、直流抵抗検出手段８について説明
する。ＭＲヘッド１は前述したようにＭＲ素子部に電流
を流して、磁気記録媒体２からの磁束の変化から生じる
抵抗変化を再生出力として読み出している。この時の再
生出力としては以下の式で表される全電圧変化のうちの
交流電位を取り出している。
する。ＭＲヘッド１は前述したようにＭＲ素子部に電流
を流して、磁気記録媒体２からの磁束の変化から生じる
抵抗変化を再生出力として読み出している。この時の再
生出力としては以下の式で表される全電圧変化のうちの
交流電位を取り出している。
【００１６】全電圧変化＝直流電位＋交流電位 直流電位＝電流×直流抵抗 交流電位（再生出力）＝電流×（磁気記録媒体からの磁
束による抵抗変化分） 本発明ではこの直流電位に着目し、直流電位から直流抵
抗を検出するようにした。この時ＭＲヘッド１のリード
層１８としてＡｕを１２００Å、ＭＲ膜１６としてＮｉ
Ｆｅを３００Åとした。このような構成にするとＡｕの
比抵抗がＮｉＦｅに比べて１／１０程度であり、かつリ
ード層１８はＭＲ素子部に比べて膜厚が厚く幅が広いた
め、断面積が大きくなることから、電流を流すことによ
り温度が上昇するのはＭＲ素子部分がほとんどである。
従って直流抵抗の変化分はＭＲ素子部の温度が上昇する
ことによるものである。そこで、直流抵抗の変化分を温
度上昇に変換するため予め用いるＭＲ膜１６の抵抗の温
度係数及び初期の直流抵抗の記憶手段９に記憶しておき
次式に示すようにして求めるようにした。
束による抵抗変化分） 本発明ではこの直流電位に着目し、直流電位から直流抵
抗を検出するようにした。この時ＭＲヘッド１のリード
層１８としてＡｕを１２００Å、ＭＲ膜１６としてＮｉ
Ｆｅを３００Åとした。このような構成にするとＡｕの
比抵抗がＮｉＦｅに比べて１／１０程度であり、かつリ
ード層１８はＭＲ素子部に比べて膜厚が厚く幅が広いた
め、断面積が大きくなることから、電流を流すことによ
り温度が上昇するのはＭＲ素子部分がほとんどである。
従って直流抵抗の変化分はＭＲ素子部の温度が上昇する
ことによるものである。そこで、直流抵抗の変化分を温
度上昇に変換するため予め用いるＭＲ膜１６の抵抗の温
度係数及び初期の直流抵抗の記憶手段９に記憶しておき
次式に示すようにして求めるようにした。
【００１７】温度上昇分＝（抵抗上昇分）／初期抵抗／
温度係数 例えば、初期抵抗１０Ωで抵抗上昇分が５Ωであれば、
ＮｉＦｅの温度係数が０．３％／℃であるから温度上昇
分は 温度上昇分＝５／１０／０．００３＝１６６℃ と算出される。このようにしてＭＲ素子部の温度が検出
できる。
温度係数 例えば、初期抵抗１０Ωで抵抗上昇分が５Ωであれば、
ＮｉＦｅの温度係数が０．３％／℃であるから温度上昇
分は 温度上昇分＝５／１０／０．００３＝１６６℃ と算出される。このようにしてＭＲ素子部の温度が検出
できる。
【００１８】本発明は、特にバルクハウゼンノイズ抑制
のために縦バイアス磁界を与える手段として反強磁性膜
を用いている場合に有効である。現在反強磁性膜として
はＦｅＭｎ系合金が最も多く使用されているが、ＦｅＭ
ｎ系合金の場合縦バイアス磁界は温度上昇とともに斬減
し約１５０℃程度で零になってしまう。
のために縦バイアス磁界を与える手段として反強磁性膜
を用いている場合に有効である。現在反強磁性膜として
はＦｅＭｎ系合金が最も多く使用されているが、ＦｅＭ
ｎ系合金の場合縦バイアス磁界は温度上昇とともに斬減
し約１５０℃程度で零になってしまう。
【００１９】従って、検出した温度が基準値よりも大き
くならないように記録再生回路３、ヘッド駆動系４及び
媒体駆動系５に制御部６より制御信号を送り記録再生動
作を中断したり、駆動機構を停止させる。また、検出し
た温度が基準値を超えると、ＭＲ素子部を冷却して温度
を下げるために冷却ガスを注入する等の冷却機構７を設
けている。このようにすることによりＭＲ素子に流す電
流によるＭＲ素子部の温度上昇からくる長期的信頼性の
低下や再生動作中に温度が上昇して反強磁性膜の効果が
弱くなりバルクハウゼンノイズが発生しデータの再生が
できなくなるといったＭＲヘッド１を用いた磁気記録再
生装置の課題を解決することができる。
くならないように記録再生回路３、ヘッド駆動系４及び
媒体駆動系５に制御部６より制御信号を送り記録再生動
作を中断したり、駆動機構を停止させる。また、検出し
た温度が基準値を超えると、ＭＲ素子部を冷却して温度
を下げるために冷却ガスを注入する等の冷却機構７を設
けている。このようにすることによりＭＲ素子に流す電
流によるＭＲ素子部の温度上昇からくる長期的信頼性の
低下や再生動作中に温度が上昇して反強磁性膜の効果が
弱くなりバルクハウゼンノイズが発生しデータの再生が
できなくなるといったＭＲヘッド１を用いた磁気記録再
生装置の課題を解決することができる。
【００２０】（実施例１）磁気記録再生装置がハードデ
ィスク装置である場合、ＭＲヘッド１として記録ヘッド
と一体化した複合型ＭＲヘッドを、磁気記録媒体２とし
てハードディスクを、ヘッド駆動系４としてＭＲヘッド
１を支持するフレクシャ，アーム及びスイングアームア
クチュエータを、媒体駆動系５としてスピンドルモータ
ーを用いる。記録再生回路３としては前述したように直
流電位を検出できる機能を持っている。このような構成
のハードディスク装置において、スピンドルモーターの
回転による発熱やセンス電流による発熱によってＭＲ素
子部の温度が予め設定した基準値を超えると制御部６か
らスピンドルモーターに停止信号を送るとともに、記録
再生回路３にセンス電流を流さないように制御信号を送
るようにした。この時ヘッド駆動系４は予め設定された
位置に保持されるようにしている。また、この時にコン
ピュータ側にも制御信号を送ることにより記録再生の一
時的中断や外部の冷却用ファンを動作させたりすること
もできる。しかる後、再度ＭＲ素子部の温度を検出し基
準値以下になっていることを確認して動作状態にはいる
ようにした。
ィスク装置である場合、ＭＲヘッド１として記録ヘッド
と一体化した複合型ＭＲヘッドを、磁気記録媒体２とし
てハードディスクを、ヘッド駆動系４としてＭＲヘッド
１を支持するフレクシャ，アーム及びスイングアームア
クチュエータを、媒体駆動系５としてスピンドルモータ
ーを用いる。記録再生回路３としては前述したように直
流電位を検出できる機能を持っている。このような構成
のハードディスク装置において、スピンドルモーターの
回転による発熱やセンス電流による発熱によってＭＲ素
子部の温度が予め設定した基準値を超えると制御部６か
らスピンドルモーターに停止信号を送るとともに、記録
再生回路３にセンス電流を流さないように制御信号を送
るようにした。この時ヘッド駆動系４は予め設定された
位置に保持されるようにしている。また、この時にコン
ピュータ側にも制御信号を送ることにより記録再生の一
時的中断や外部の冷却用ファンを動作させたりすること
もできる。しかる後、再度ＭＲ素子部の温度を検出し基
準値以下になっていることを確認して動作状態にはいる
ようにした。
【００２１】（実施例２）磁気記録再生装置が磁気テー
プ装置である場合、ＭＲヘッド１とは別に記録専用の記
録ヘッドを用い、磁気記録媒体２として磁気テープを、
媒体駆動系５としてテープ回転機構を用いる。実施例１
と同様に記録再生回路３は直流電位を検出できる機能を
持っている。磁気テープ装置の場合、ＭＲヘッド１と磁
気テープとが摺動するため摩擦熱が発生するため、ＭＲ
素子部の温度を検出し過度の温度が加わらないようにす
ることにより信頼性の向上を図ることができる。
プ装置である場合、ＭＲヘッド１とは別に記録専用の記
録ヘッドを用い、磁気記録媒体２として磁気テープを、
媒体駆動系５としてテープ回転機構を用いる。実施例１
と同様に記録再生回路３は直流電位を検出できる機能を
持っている。磁気テープ装置の場合、ＭＲヘッド１と磁
気テープとが摺動するため摩擦熱が発生するため、ＭＲ
素子部の温度を検出し過度の温度が加わらないようにす
ることにより信頼性の向上を図ることができる。
【００２２】なお、本実施例ではＭＲ素子部に横バイア
ス磁界を与える手段としてシャント層１４によるシャン
トバイアス方式のＭＲヘッドを用いたが、ＭＲ膜１６に
非磁性層を介して軟磁性層を配置するＳＡＬ（Ｓｏｆｔ
Ａｄｊａｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ）バイアス方式を用い
た場合には、ＭＲ膜、非磁性層、軟磁性層各層の抵抗の
温度係数によりＭＲ素子部の温度を検出することが可能
である。
ス磁界を与える手段としてシャント層１４によるシャン
トバイアス方式のＭＲヘッドを用いたが、ＭＲ膜１６に
非磁性層を介して軟磁性層を配置するＳＡＬ（Ｓｏｆｔ
Ａｄｊａｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ）バイアス方式を用い
た場合には、ＭＲ膜、非磁性層、軟磁性層各層の抵抗の
温度係数によりＭＲ素子部の温度を検出することが可能
である。
【００２３】このようにＭＲヘッド１の構造によること
なくＭＲ素子部の直流抵抗を検出し、用いられている膜
の抵抗の温度係数を予め記憶させることによりＭＲ素子
部の温度を検出することができる。
なくＭＲ素子部の直流抵抗を検出し、用いられている膜
の抵抗の温度係数を予め記憶させることによりＭＲ素子
部の温度を検出することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、ＭＲ素子に流す電流に
よるＭＲ素子部の温度上昇からくる長期的信頼性の低下
や、再生動作中に温度が上昇して反強磁性膜の効果が弱
くなりバルクハウゼンノイズが発生しデータの再生がで
きなくなることを解消し、信頼性の高い磁気記録再生装
置を得ることができる。
よるＭＲ素子部の温度上昇からくる長期的信頼性の低下
や、再生動作中に温度が上昇して反強磁性膜の効果が弱
くなりバルクハウゼンノイズが発生しデータの再生がで
きなくなることを解消し、信頼性の高い磁気記録再生装
置を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る磁気記録再生装置のブ
ロック図
ロック図
【図２】従来の磁気記録再生装置のブロック図
【図３】本発明の一実施例および従来の磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを媒体対向面から見た断面図
磁気ヘッドを媒体対向面から見た断面図
【図４】従来の縦バイアス磁界の温度に対する変化を示
した特性図
した特性図
１ ＭＲヘッド ２ 磁気記録媒体 ３ 記録再生回路 ６ 制御部 ７ 冷却機構 ８ 直流抵抗検出手段 ９ 温度係数の記憶手段 １６ ＭＲ膜
Claims (3)
- 【請求項１】磁気記録媒体と少なくとも１つの磁気抵抗
効果型磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置であって、
前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの前記磁気記録媒体から
発生する磁束を感磁する部分の温度を検出する温度検出
手段を設けたことを特徴とする磁気記録再生装置。 - 【請求項２】検出した温度が基準値を超えた場合に前記
磁束を感磁する部分の温度を下げる冷却手段を設けたこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気記録再生装置。 - 【請求項３】温度を検出する手段として前記磁束を感磁
する部分の直流抵抗を検出し、その抵抗の変化を予め記
憶手段に記憶させておいた抵抗の温度係数値から温度に
変換して求めることを特徴とする請求項１記載の磁気記
録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8306793A JPH06295404A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8306793A JPH06295404A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295404A true JPH06295404A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13791842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8306793A Pending JPH06295404A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06295404A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5790334A (en) * | 1996-10-02 | 1998-08-04 | International Business Machines Corporation | Circuit and method for optimizing bias supply in a magnetoresistive head based on the thermal properties of the MR head itself |
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-
1993
- 1993-04-09 JP JP8306793A patent/JPH06295404A/ja active Pending
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