JPH0573817A - 磁気抵抗効果素子を有する磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子を有する磁気記録再生装置Info
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- JPH0573817A JPH0573817A JP4068694A JP6869492A JPH0573817A JP H0573817 A JPH0573817 A JP H0573817A JP 4068694 A JP4068694 A JP 4068694A JP 6869492 A JP6869492 A JP 6869492A JP H0573817 A JPH0573817 A JP H0573817A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ素子を有する磁気記録再生装置の再生出
力の安定化をはかり、信頼性の向上をはかる。 【構成】 磁気抵抗効果型ヘッド及び誘導型ヘッドとの
一体型磁気ヘッドに、記録電流値近傍または記録電流値
以上から零レベル近傍にまで交流的に減衰するような電
流を、記録後に記録コイルに流す回路を設ける。
力の安定化をはかり、信頼性の向上をはかる。 【構成】 磁気抵抗効果型ヘッド及び誘導型ヘッドとの
一体型磁気ヘッドに、記録電流値近傍または記録電流値
以上から零レベル近傍にまで交流的に減衰するような電
流を、記録後に記録コイルに流す回路を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果（ＭＲ）
型ヘッドと誘導（インダクティブ：Ｉｎｄ）型ヘッドと
の一体型ヘッドに係わる。
型ヘッドと誘導（インダクティブ：Ｉｎｄ）型ヘッドと
の一体型ヘッドに係わる。
【０００２】
【従来の技術】各種の磁気ヘッド、例えばハードディス
クドライブの磁気記録再生ヘッドの再生磁気ヘッドとし
て、短波長感度に優れたＭＲ型磁気ヘッドが用いられる
方向にあり、記録を従来の誘導（インダクティブ）型ヘ
ッドを用いて行い、再生をＭＲ型ヘッドで行う一体型の
ヘッドが種々提案されている。一例として、各ヘッドの
磁気ギャップが共有化された１ギャップ型構成を採るＭ
Ｒ／Ｉｎｄ型磁気ヘッドの構造を図３の略線的拡大断面
図に示す。
クドライブの磁気記録再生ヘッドの再生磁気ヘッドとし
て、短波長感度に優れたＭＲ型磁気ヘッドが用いられる
方向にあり、記録を従来の誘導（インダクティブ）型ヘ
ッドを用いて行い、再生をＭＲ型ヘッドで行う一体型の
ヘッドが種々提案されている。一例として、各ヘッドの
磁気ギャップが共有化された１ギャップ型構成を採るＭ
Ｒ／Ｉｎｄ型磁気ヘッドの構造を図３の略線的拡大断面
図に示す。
【０００３】この場合、例えば浮上型スライダー等自
体、或いはこれに取着される基板６上に、前方端部間に
磁気記録媒体との対接ないしは対向面、すなわちＡＢＳ
面(AirBearing Surface) ５に臨んで磁気ギャップｇを
構成する第１及び第２の薄膜磁気コア１１及び１２が積
層され、この磁気ギャップｇ内に、ＡＢＳ面５に臨んで
少なくともＭＲ薄膜より成るＭＲ素子１３の一端或いは
その一電極１４ａが配置される。１４ｂはＭＲ素子１３
の他方の電極で、電極１４ａ及び１４ｂはそれぞれ導電
薄膜によって形成される。１５は、ＭＲ素子１３を横切
って絶縁層１６を介して配置されたバイアス導体で、こ
れへの通電によってＭＲ素子１３に所要の向きの磁化状
態を与えて、その磁気抵抗特性が優れた直線性と高い感
度を示す特性領域で動作するようになす。また１７は、
第１及び第２の薄膜磁気コア１１及び１２の、例えば各
後方部の互いの磁気的結合部を巡るように渦巻き状パタ
ーンに形成されたヘッド巻線を示し、これらバイアス導
体１５及びヘッド巻線１７は、共に導電性薄膜によって
形成される。２２は保護膜である。
体、或いはこれに取着される基板６上に、前方端部間に
磁気記録媒体との対接ないしは対向面、すなわちＡＢＳ
面(AirBearing Surface) ５に臨んで磁気ギャップｇを
構成する第１及び第２の薄膜磁気コア１１及び１２が積
層され、この磁気ギャップｇ内に、ＡＢＳ面５に臨んで
少なくともＭＲ薄膜より成るＭＲ素子１３の一端或いは
その一電極１４ａが配置される。１４ｂはＭＲ素子１３
の他方の電極で、電極１４ａ及び１４ｂはそれぞれ導電
薄膜によって形成される。１５は、ＭＲ素子１３を横切
って絶縁層１６を介して配置されたバイアス導体で、こ
れへの通電によってＭＲ素子１３に所要の向きの磁化状
態を与えて、その磁気抵抗特性が優れた直線性と高い感
度を示す特性領域で動作するようになす。また１７は、
第１及び第２の薄膜磁気コア１１及び１２の、例えば各
後方部の互いの磁気的結合部を巡るように渦巻き状パタ
ーンに形成されたヘッド巻線を示し、これらバイアス導
体１５及びヘッド巻線１７は、共に導電性薄膜によって
形成される。２２は保護膜である。
【０００４】このようにして、第１及び第２の薄膜磁気
コア１１及び１２間にＭＲ素子１３が配置されたいわゆ
るシールド型構成を有するＭＲ型磁気ヘッドが構成され
ると共に、第１及び第２の薄膜磁気コア１１及び１２よ
り成る磁路にヘッド巻線１７が巻装されたインダクティ
ブ型磁気ヘッドが構成され、かつその磁気ギャップｇが
共有とされたＭＲ／Ｉｎｄ一体型の磁気ヘッドが構成さ
れる。
コア１１及び１２間にＭＲ素子１３が配置されたいわゆ
るシールド型構成を有するＭＲ型磁気ヘッドが構成され
ると共に、第１及び第２の薄膜磁気コア１１及び１２よ
り成る磁路にヘッド巻線１７が巻装されたインダクティ
ブ型磁気ヘッドが構成され、かつその磁気ギャップｇが
共有とされたＭＲ／Ｉｎｄ一体型の磁気ヘッドが構成さ
れる。
【０００５】このように、各薄膜磁気コア１１及び１２
は、再生時にはＭＲ素子１３のシールドとして、記録時
には誘導用コアとして機能すると共に、特に再生時にお
いてバイアス導体１５への直流通電により生じるバイア
ス磁界の磁路として機能する。
は、再生時にはＭＲ素子１３のシールドとして、記録時
には誘導用コアとして機能すると共に、特に再生時にお
いてバイアス導体１５への直流通電により生じるバイア
ス磁界の磁路として機能する。
【０００６】しかしながら、上述の構成による従来のＭ
Ｒ／Ｉｎｄ型磁気ヘッドでは、図４Ａ及びＢにその一例
の再生出力波形を模式的に示すように、ＭＲ型ヘッドと
して用いて再生を行った時に図４Ａに示す再生出力が得
られた状態で、次に誘導型記録ヘッドとして用いてその
記録を行った時に、その後にＭＲ型ヘッドとして再生を
行うと図４Ｂに示すように図４Ａとは異なる再生波形が
生じ、その再生特性に変動が生じる場合があった。これ
は、薄膜磁気コアの磁区構造が、記録電流の誘導磁界に
よって変化し、このためこの薄膜磁気コアの透磁率が変
動して、バイアス磁界強度が変動することから生じるも
のであり、このためＭＲ素子１３の再生感度が変動し
て、信頼性の低下を招く場合があった。
Ｒ／Ｉｎｄ型磁気ヘッドでは、図４Ａ及びＢにその一例
の再生出力波形を模式的に示すように、ＭＲ型ヘッドと
して用いて再生を行った時に図４Ａに示す再生出力が得
られた状態で、次に誘導型記録ヘッドとして用いてその
記録を行った時に、その後にＭＲ型ヘッドとして再生を
行うと図４Ｂに示すように図４Ａとは異なる再生波形が
生じ、その再生特性に変動が生じる場合があった。これ
は、薄膜磁気コアの磁区構造が、記録電流の誘導磁界に
よって変化し、このためこの薄膜磁気コアの透磁率が変
動して、バイアス磁界強度が変動することから生じるも
のであり、このためＭＲ素子１３の再生感度が変動し
て、信頼性の低下を招く場合があった。
【０００７】一方、本出願人は、先に特開昭６０−４７
２２３号公開公報において、ＭＲ型磁気ヘッドにおい
て、再生出力特性の安定化をはかる構造を提案した。こ
のヘッドでは、再生動作の開始前に無信号磁場状態で、
バイアス導体即ちＭＲ素子にバイアス磁界を発生するた
めの電流通電部に減衰電流を通電することにより、一定
の磁化状態で再生を開始するようになし、再生出力のヒ
ステリシス特性を低減化して出力の安定化をはかると共
に、バルクハウゼンノイズの低減化をはかっているもの
である。
２２３号公開公報において、ＭＲ型磁気ヘッドにおい
て、再生出力特性の安定化をはかる構造を提案した。こ
のヘッドでは、再生動作の開始前に無信号磁場状態で、
バイアス導体即ちＭＲ素子にバイアス磁界を発生するた
めの電流通電部に減衰電流を通電することにより、一定
の磁化状態で再生を開始するようになし、再生出力のヒ
ステリシス特性を低減化して出力の安定化をはかると共
に、バルクハウゼンノイズの低減化をはかっているもの
である。
【０００８】しかしながらこの場合バイアス導体に減衰
電流を通電することから、充分に減磁をはかる通電量を
得ることができず、この場合ＭＲ素子に対する消磁効果
はあるものの、薄膜磁気コア等の磁路構成部に対しては
充分な消磁効果を得難く、結果的に全体としての磁気特
性の安定化をはかり難い。
電流を通電することから、充分に減磁をはかる通電量を
得ることができず、この場合ＭＲ素子に対する消磁効果
はあるものの、薄膜磁気コア等の磁路構成部に対しては
充分な消磁効果を得難く、結果的に全体としての磁気特
性の安定化をはかり難い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、上述したようなＭＲ／Ｉｎｄ一体型の磁気
ヘッドにおいて、その再生出力の安定化をはかり、信頼
性の向上をはかることである。
する課題は、上述したようなＭＲ／Ｉｎｄ一体型の磁気
ヘッドにおいて、その再生出力の安定化をはかり、信頼
性の向上をはかることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気抵抗効
果（ＭＲ）素子を有する磁気記録再生装置に供給する電
流波形の一例を図１に示す。本発明は、磁気抵抗効果型
ヘッド及び誘導型ヘッドとの一体型磁気ヘッドに、記録
電流値近傍または記録電流値以上から零レベル近傍にま
で交流的に減衰するような電流を、記録後に記録コイル
に流す回路を設ける。
果（ＭＲ）素子を有する磁気記録再生装置に供給する電
流波形の一例を図１に示す。本発明は、磁気抵抗効果型
ヘッド及び誘導型ヘッドとの一体型磁気ヘッドに、記録
電流値近傍または記録電流値以上から零レベル近傍にま
で交流的に減衰するような電流を、記録後に記録コイル
に流す回路を設ける。
【００１１】
【作用】上述したように、本発明によるＭＲ素子を有す
る磁気記録再生装置では、記録コイルに記録電流を通電
して記録を行った後、記録電流値近傍から零レベル近傍
にまで交流的に減衰する電流パターンを記録コイルに流
す回路を設けるものであるが、このような構成とするこ
とによって、前述したような、再生特性の変動を抑制す
ることができた。これは次の理由に因るものと思われ
る。
る磁気記録再生装置では、記録コイルに記録電流を通電
して記録を行った後、記録電流値近傍から零レベル近傍
にまで交流的に減衰する電流パターンを記録コイルに流
す回路を設けるものであるが、このような構成とするこ
とによって、前述したような、再生特性の変動を抑制す
ることができた。これは次の理由に因るものと思われ
る。
【００１２】上述したような磁路を形成する薄膜磁気コ
ア等の磁性層は、軟磁性材料より成るものであるが、軟
磁性材料は完全に磁化状態になっていないため、磁区の
構造は様々な異なる状態をとりうる。例えば通常の消磁
装置によって、直流パターン又は交流パターンの磁場を
印加しても、必ずしも静磁エネルギー的にポテンシャル
の低い状態とはならない。
ア等の磁性層は、軟磁性材料より成るものであるが、軟
磁性材料は完全に磁化状態になっていないため、磁区の
構造は様々な異なる状態をとりうる。例えば通常の消磁
装置によって、直流パターン又は交流パターンの磁場を
印加しても、必ずしも静磁エネルギー的にポテンシャル
の低い状態とはならない。
【００１３】従って、従来は記録コイルによって記録を
行ったときに、前述したようにこの強い記録電流による
誘導磁界によって、上述の図３において説明した磁気ヘ
ッドにおける薄膜磁気コア等の磁路構成部の磁区構造が
不安定に変化して、結果的にこの薄膜磁気コア等の磁路
構成部の透磁率が変動することとなる。
行ったときに、前述したようにこの強い記録電流による
誘導磁界によって、上述の図３において説明した磁気ヘ
ッドにおける薄膜磁気コア等の磁路構成部の磁区構造が
不安定に変化して、結果的にこの薄膜磁気コア等の磁路
構成部の透磁率が変動することとなる。
【００１４】一方この磁路構成部は、再生時にはＭＲ素
子にバイアス磁界を印加する際の磁路としても機能す
る。ＭＲ素子の再生感度はこのバイアス磁界の選定に因
るため、適切なバイアス磁界を発生し得るバイアス電流
値を設定することが必要となる。しかしながら、上述し
たように、従来の磁気ヘッドでは、その磁路構成部の透
磁率が変動するために、一定のバイアス電流値を設定し
てもバイアス磁界が不安定となって、前述したように結
果的に再生感度が変動し、再生出力の変動を招来するこ
ととなる。
子にバイアス磁界を印加する際の磁路としても機能す
る。ＭＲ素子の再生感度はこのバイアス磁界の選定に因
るため、適切なバイアス磁界を発生し得るバイアス電流
値を設定することが必要となる。しかしながら、上述し
たように、従来の磁気ヘッドでは、その磁路構成部の透
磁率が変動するために、一定のバイアス電流値を設定し
てもバイアス磁界が不安定となって、前述したように結
果的に再生感度が変動し、再生出力の変動を招来するこ
ととなる。
【００１５】本発明者等の鋭意考察研究の結果、上述し
たように、所要の回路構成によって、記録後に記録コイ
ルに記録値近傍または記録電流値以上から零レベル近傍
にまで交流的に減衰するパターンの電流を通電する場合
は、上述した磁路構成部の磁区が静磁エネルギー的に一
番低い従って安定な状態になるため、磁区構成が常に一
定状態に初期化されて、磁路構成部の透磁率が一定化す
ることが確かめられた。これにより、一定のバイアス電
流で実質的に一定のバイアス磁界をＭＲ素子に与えて、
ＭＲ素子を常に一定の磁化状態に設定することができる
ので、ＭＲ素子の感度を安定にすることができる。
たように、所要の回路構成によって、記録後に記録コイ
ルに記録値近傍または記録電流値以上から零レベル近傍
にまで交流的に減衰するパターンの電流を通電する場合
は、上述した磁路構成部の磁区が静磁エネルギー的に一
番低い従って安定な状態になるため、磁区構成が常に一
定状態に初期化されて、磁路構成部の透磁率が一定化す
ることが確かめられた。これにより、一定のバイアス電
流で実質的に一定のバイアス磁界をＭＲ素子に与えて、
ＭＲ素子を常に一定の磁化状態に設定することができる
ので、ＭＲ素子の感度を安定にすることができる。
【００１６】また本発明では、特に記録コイルに減衰電
流を通電する回路を設けるものであるが、記録コイルは
通常ターン数が大であるために、バイアス導体に電流を
通電する場合に比して、比較的大なる磁場を薄膜磁気コ
ア等の磁路構成部に生じさせることができる。従って、
より確実に磁区を安定化することができて、磁気ヘッド
全体の磁気特性の安定化をはかることができる。
流を通電する回路を設けるものであるが、記録コイルは
通常ターン数が大であるために、バイアス導体に電流を
通電する場合に比して、比較的大なる磁場を薄膜磁気コ
ア等の磁路構成部に生じさせることができる。従って、
より確実に磁区を安定化することができて、磁気ヘッド
全体の磁気特性の安定化をはかることができる。
【００１７】
【実施例】以下図１及び図２を参照して本発明によるＭ
Ｒ素子を有する磁気記録再生装置の一例を詳細に説明す
る。この場合、図３において説明した、ＭＲ型ヘッドと
Ｉｎｄ型ヘッドが磁気ギャップｇを共有とする一体型の
磁気記録再生装置において、記録電流値近傍または記録
電流値以上から零レベル近傍にまで交流的に減衰するよ
うな電流を、記録後に記録コイルに流す回路を設ける。
Ｒ素子を有する磁気記録再生装置の一例を詳細に説明す
る。この場合、図３において説明した、ＭＲ型ヘッドと
Ｉｎｄ型ヘッドが磁気ギャップｇを共有とする一体型の
磁気記録再生装置において、記録電流値近傍または記録
電流値以上から零レベル近傍にまで交流的に減衰するよ
うな電流を、記録後に記録コイルに流す回路を設ける。
【００１８】この場合図１に示すように、矩形波状の記
録電流を通電した後、ほぼその直後に例えば正弦波状の
減衰電流を通電するように、記録コイル即ち図３におい
てヘッド巻線１７に接続する回路を設けた。
録電流を通電した後、ほぼその直後に例えば正弦波状の
減衰電流を通電するように、記録コイル即ち図３におい
てヘッド巻線１７に接続する回路を設けた。
【００１９】このときの再生出力波形は、図２Ａに示す
従来の磁気記録再生装置によって記録を行った後に再生
出力が変動した波形に対して、本発明記録再生装置によ
り記録を行った後の再生出力波形は変動が少なく、図２
Ｂに示すように、一定の出力波形を安定して得ることが
できた。
従来の磁気記録再生装置によって記録を行った後に再生
出力が変動した波形に対して、本発明記録再生装置によ
り記録を行った後の再生出力波形は変動が少なく、図２
Ｂに示すように、一定の出力波形を安定して得ることが
できた。
【００２０】このように本発明においては、記録コイル
に減衰電流を通電する構成とするため、減衰電流の初期
磁場の値を充分大とすることができて、確実に薄膜磁気
コア等の磁路構成部の磁区構造の一定化をはかることが
でき、結果的に磁気ヘッド全体の磁気特性の安定化をは
かることができる。
に減衰電流を通電する構成とするため、減衰電流の初期
磁場の値を充分大とすることができて、確実に薄膜磁気
コア等の磁路構成部の磁区構造の一定化をはかることが
でき、結果的に磁気ヘッド全体の磁気特性の安定化をは
かることができる。
【００２１】尚、上述の例においては、記録電流値から
零レベルにまで減衰する電流を通電したが、この他記録
電流値以上の値から零レベル近傍にまで減衰する電流を
通電しても良い。例えば記録電流値の１．５〜２倍程度
の値から零レベルにまで交流的に減衰する電流を通電し
た場合においても、確実に再生出力の変動を抑制するこ
とができた。
零レベルにまで減衰する電流を通電したが、この他記録
電流値以上の値から零レベル近傍にまで減衰する電流を
通電しても良い。例えば記録電流値の１．５〜２倍程度
の値から零レベルにまで交流的に減衰する電流を通電し
た場合においても、確実に再生出力の変動を抑制するこ
とができた。
【００２２】また、この減衰電流の初期値が記録電流値
の３倍を越えるときは、記録コイル即ち図３において、
ヘッド巻線１７に接する絶縁層１６が加熱され、その耐
熱温度を越える恐れがあるため、この減衰電流としては
記録電流値の３倍以下程度の値を初期値とすることが望
ましい。
の３倍を越えるときは、記録コイル即ち図３において、
ヘッド巻線１７に接する絶縁層１６が加熱され、その耐
熱温度を越える恐れがあるため、この減衰電流としては
記録電流値の３倍以下程度の値を初期値とすることが望
ましい。
【００２３】更に、本発明は磁気ヘッドの磁路構成部の
磁区構造に因ることなく、減衰電流の通電によって静磁
エネルギー的に最も低い状態を再現性よく得ることがで
きる。例えば、磁気ギャップｇ構成部の磁区がギャップ
長方向に平行とされる場合又はギャップ長方向と直交す
る場合等、種々の磁区構成を採る磁気記録再生装置に本
発明を適用することができる。
磁区構造に因ることなく、減衰電流の通電によって静磁
エネルギー的に最も低い状態を再現性よく得ることがで
きる。例えば、磁気ギャップｇ構成部の磁区がギャップ
長方向に平行とされる場合又はギャップ長方向と直交す
る場合等、種々の磁区構成を採る磁気記録再生装置に本
発明を適用することができる。
【００２４】
【発明の効果】上述したように、本発明によるＭＲ素子
を有する磁気記録再生装置では、記録後に記録コイルに
減衰電流を通電することによって、薄膜磁気コア等の磁
路構成部の磁区構造を静磁エネルギー的に最も低い状態
とすることができるため、安定して再現性よくＭＲ素子
の感度を一定に保持することができて、安定した再生出
力を得ることができ、ＭＲ素子を有する磁気記録再生装
置の信頼性の向上をはかることができる。
を有する磁気記録再生装置では、記録後に記録コイルに
減衰電流を通電することによって、薄膜磁気コア等の磁
路構成部の磁区構造を静磁エネルギー的に最も低い状態
とすることができるため、安定して再現性よくＭＲ素子
の感度を一定に保持することができて、安定した再生出
力を得ることができ、ＭＲ素子を有する磁気記録再生装
置の信頼性の向上をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による磁気抵抗効果素子を有する磁気記
録再生装置に供給する電流波形の一例を示す図である。
録再生装置に供給する電流波形の一例を示す図である。
【図２】本発明による磁気抵抗効果素子を有する磁気記
録再生装置の再生出力波形を示す図である。
録再生装置の再生出力波形を示す図である。
【図３】磁気抵抗効果素子を有する磁気記録再生装置の
一例の略線的拡大断面図である。
一例の略線的拡大断面図である。
【図４】従来の磁気抵抗効果素子を有する磁気記録再生
装置の再生出力波形を示す図である。
装置の再生出力波形を示す図である。
５ ＡＢＳ面 ６ 基板 １１ 第１の薄膜磁気コア １２ 第２の薄膜磁気コア １３ ＭＲ素子 １４ａ 電極 １４ｂ 電極 １５ バイアス導体 １６ 絶縁層 １７ ヘッド巻線 ２２ 保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果型ヘッド及び誘導型ヘッド
との一体型磁気ヘッドに、記録電流値近傍または記録電
流値以上から零レベル近傍にまで交流的に減衰するよう
な電流を、記録後に記録コイルに流す回路を設けたこと
を特徴とする磁気抵抗効果素子を有する磁気記録再生装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4068694A JPH0573817A (ja) | 1991-06-24 | 1992-03-26 | 磁気抵抗効果素子を有する磁気記録再生装置 |
| US07/902,880 US5436772A (en) | 1991-06-24 | 1992-06-23 | Magnetic recording and reproducing apparatus having magneto-resistance effect element |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-151907 | 1991-06-24 | ||
| JP15190791 | 1991-06-24 | ||
| JP4068694A JPH0573817A (ja) | 1991-06-24 | 1992-03-26 | 磁気抵抗効果素子を有する磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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