JPH0729104A - 磁気抵抗効果型ヘッド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 磁気抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子の
抵抗の変化を電圧として取り出すために磁気抵抗効果素
子に流すセンス電流の制御電圧を発生するセンス電流制
御電圧発生回路２１からの出力信号と、漸次振幅が減少
する交流電流である消磁電流の制御電圧を発生する消磁
電流制御電圧発生回路２２からの出力信号とを加算器２
３で加算し、電圧−電流変換手段であるｇ_m アンプ２４
に送って電流に変換し、磁気抵抗効果型ヘッドであるＭ
Ｒヘッド１１に供給する。 【効果】 ＭＲヘッドのシールドコアの磁気特性の安定
化（消磁）を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子を用
いる磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘ
ッドという）は、その感磁部が磁気抵抗効果を有する磁
性薄膜によって構成されており、この磁性薄膜の抵抗率
が磁気記録媒体上の磁気記録に基づく信号磁界によって
変化することから、上記磁性薄膜に電流（センス電流）
を流して上記抵抗変化を再生出力電圧として検出するも
のである。このＭＲヘッドは、高出力、低クロストーク
で、速度依存性がない等の特長を有するため、例えばハ
ードディスクドライブ（ＨＤＤ）用の再生ヘッドとし
て、あるいはディジタルオーディオテープレコーダ等の
高密度記録再生用ヘッドとして用いられている。

【０００３】このようなＭＲヘッドの一例として、図１
３に示すようなシールド型ＭＲヘッドが知られている。

【０００４】この図１３において、シールド型ＭＲヘッ
ド１００は、上部（上層）シールドコア１０２と下部
（下層）シールドコア１０３とに挟まれた所定の再生ギ
ャップＧ_R を形成する空間内に、磁気抵抗効果を有する
一層又は複数層の磁性薄膜より成る感磁部としてのＭＲ
素子１０１が配設され、このＭＲ素子１０１にはセンス
電流として直流電流を流すと共に抵抗変化を電圧変化と
して取り出すための一対の電極１０５ａ、１０５ｂが電
気的に接続されている。また、ＭＲ素子１０１と平行に
バイアス導体１０４が設けられている。このようなシー
ルド型ＭＲヘッド１００のシールドコア１０２、１０３
には、主として単一のバルク磁性体、単層のメッキ膜あ
るいはスパッタ膜等が使用されている。

【０００５】また、図１４は、ＭＲ再生ヘッドと通常の
インダクティブ磁気記録ヘッドとを結合したいわゆるＭ
Ｒインダクティブヘッドの例を示しており、ＭＲヘッド
部は上記図１３の例と同様に構成されているため、対応
する部分に同じ指示符号を付して説明を省略する。

【０００６】この図１４において、ＭＲヘッド部の上記
上部（上層）シールドコア１０２上に、所定の記録ギャ
ップＧ_W を介して磁気コア１０６が設けられ、この磁気
コア１０６のシールドコア１０２との接続部である磁気
的結合部を取り囲むようにスパイラル状のヘッド巻線１
０７が設けられている。このようなＭＲインダクティブ
ヘッド構造体は、例えばＡｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣより成る基
体あるいは基板１０８上に下部シールドコア１０３が設
けられると共に、磁気コア１０６上には保護膜層１０９
が積層されており、各ギャップ間には非磁性絶縁材料が
充填（あるいは積層形成）されている。このＭＲインダ
クティブヘッドの再生ギャップＧ_R 、記録ギャップＧ_W
が設けられた先端面が、磁気記録媒体（例えばハードデ
ィスク）との対向面となるいわゆるＡＢＳ（エア・ベア
リング・サーフェス）となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような従来のシー
ルド型ＭＲヘッドでは、次のような問題点がある。すな
わち、巻線型記録ヘッドをＭＲヘッドの上に重ねて設け
ることにより２ギャップ型記録再生ヘッドとした場合、
あるいは巻線型記録ヘッドの磁気コアとＭＲヘッドのシ
ールドコアとを兼用して１ギャップ型記録再生ヘッドと
した場合に、記録時に記録ヘッド部から大きな記録磁界
がシールドコアに加わる。従って、記録から再生に切り
換えたときに、シールドコアの磁区構造が乱れた状態で
残る可能性がある。シールドコアは磁気媒体からの磁界
の磁路の一部になっているので、シールドコアの磁区構
造に乱れがあると、磁壁移動に伴うノイズ、いわゆるバ
ルクハウゼン・ノイズが発生する可能性が高くなる。ま
た、シールドコアは磁気バイアスの磁路の一部にもなっ
ているので、バイアス状態も不安定となり、再生信号波
形を不安定とすることになる。

【０００８】ここで、例えば特開平５−６２１３１号公
報には、薄膜磁気コアを非磁性層によって２分して、薄
膜磁気コアからのＭＲ感磁部への漏洩磁界を低減し、再
生出力を一定なものにする技術が開示されている。ま
た、２層あるいはそれ以上の磁性膜を非磁性膜で分離し
積層したシールドコアを用いて、記録磁界による磁区変
化を抑える試みも行われているが、完全に磁区を安定に
することは困難であり、完全に単磁区化して再生信号を
安定にすることは困難である。

【０００９】ところで、磁化容易軸方向に磁界を加えて
やることによって、バルクハウゼン・ノイズを低減でき
ることがわかっている。そこで、２層シールドコアに電
流を流して再生出力の安定化を図ることが考えられてい
るが、この方法でも、記録時に大きく乱れた磁区構造を
完全に整えることができない場合がある。

【００１０】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たものであり、記録時に乱れたシールドコアの磁区構造
を安定化（消磁）でき、構成も比較的簡単で済むような
磁気抵抗効果型ヘッド装置を提供することを目的とする
ものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気抵抗効
果型ヘッド装置は、磁気抵抗効果型の磁気ヘッドと、こ
の磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の抵抗の
変化を電圧として取り出すためのセンス電流に消磁用の
漸次振幅が低減する交流電流を重畳して上記磁気抵抗効
果型の磁気ヘッドに供給する回路部とを有して成ること
により、上述の課題を解決するものである。

【００１２】ここで、上記磁気抵抗効果型の磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果素子とこの磁気抵抗効果素子を覆うシ
ールドコアとを有し、これらの磁気抵抗効果素子とシー
ルドコアとが電気的に接続されて成るものを用いること
が好ましい。この場合、通常のインダクティブ（誘導
型）ヘッドを記録用に用いてＭＲヘッドと結合し、ＭＲ
ヘッドの記録用インダクティブヘッド側のシールドコア
に、２枚の磁性膜を非磁性膜で分離した構造の２層磁性
膜シールドコアを用いることが考えられる。

【００１３】また、上記回路部の構成としては、上記磁
気抵抗効果素子に初段増幅器としてエミッタ接地トラン
ジスタを接続し、上記センス電流を発生するためのセン
ス電流制御電圧と上記消磁用交流電流を発生するための
消磁電流制御電圧とを加算し、電圧−電流変換手段を介
して上記磁気抵抗効果素子に供給する構成や、上記セン
ス電流はセンス電流発生手段から供給する構成が挙げら
れる。あるいは、上記磁気抵抗効果素子に初段増幅器と
してベース接地トランジスタを接続し、上記センス電流
を発生するセンス電流発生手段と上記消磁用交流電流を
発生する消磁電流発生手段とを設け、これらの各電流発
生手段からの電流を重畳して上記磁気抵抗効果素子に供
給する構成を用いるようにしてもよい。

【００１４】さらに、上記センス電流制御電圧の発生と
上記消磁電流制御電圧の発生とを、同じタイミングで行
わせたり、あるいは、互いに異なるタイミングで行わせ
ることが考えられる。この異なるタイミングの例として
は、消磁電流を先に流して該消磁電流が０となった後に
センス電流を流すようにすればよい。

【００１５】

【作用】シールドコアを磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）
と電気的に接続し、このＭＲ素子に流すセンス電流に消
磁電流を重畳して上記シールドコアに流すことにより、
記録時に乱れたシールドコアの磁区構造を安定化するこ
とができる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明に係る好ましい実施例について
図面を参照しながら説明する。図１は本発明に係る磁気
抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド装置の一実施例の概略構成を
示すブロック回路図である。

【００１７】この図１において、磁気抵抗効果型の磁気
ヘッドいわゆるＭＲヘッド１１は、一端が接地され、他
端には後述するセンス電流となる直流電流が供給される
と共に、この他端からの出力が直流カット用コンデンサ
１２を介して初段アンプとなるエミッタ接地トランジス
タ１３のベースに供給されるようになっている。トラン
ジスタ１３のベースとコンデンサ１２との接続点には、
ベース電流供給用の電流源１４が接続され、トランジス
タ１３のコレクタには負荷抵抗１５が接続されている。
ここで、センス電流の流れているＭＲヘッド１１の抵抗
値が信号磁界によって変化すると、これが電圧の変化と
して取り出され、直流カット用コンデンサ１２を介して
エミッタ接地トランジスタ１３により増幅されて取り出
される。

【００１８】ＭＲヘッド１１は、後述するように、磁気
抵抗効果素子（ＭＲ素子）とシールドコアとが電気的に
接続された構造を有するものであり、このＭＲヘッド１
１には、直流のセンス電流と漸次低減する交流電流の消
磁電流とが供給されるようになっている。すなわち、セ
ンス電流制御電圧発生回路２１からの出力電圧と消磁電
流制御電圧発生回路２２からの出力電圧とが、加算器２
３により加算されて電圧−電流変換手段の一種であるｇ
_m アンプ２４に送られ、電流に変換されてＭＲヘッド１
１に送られている。

【００１９】この場合の上記センス電流及び消磁電流の
具体例を図２に示している。この図２において、再生／
記録（Ｒ／Ｗ）モードが図２のＡのように変化すると
き、センス電流は図２のＢのように再生（Ｒ）モード時
に直流電流（電流値Ｉ_s ）が与えられ、このセンス電流
に図２のＣに示すような漸次低減する交流電流（初期電
流振幅値±Ｉ_d ）が重畳されることによって、図２のＤ
に示すような電流が得られる。この図２の例では、記録
（Ｗ）モードから再生（Ｒ）モードへの切換時刻ｔ₁ に
てセンス電流及び消磁電流を同時に流すようにしている
が、この他、図３に示すように、記録終了時（時刻
ｔ₁ ）に消磁電流のみを流し、この消磁電流を流し終わ
った時刻ｔ₃ からセンス電流を流すようにしてもよい。

【００２０】このようなタイミング制御は、例えば図４
に示すような構成を用いて実現することができる。

【００２１】この図４において、上記センス電流制御電
圧発生回路２１及び消磁電流制御電圧発生回路２２に
は、タイミングコントロール回路２５からのオン／オフ
制御信号がそれぞれ制御されている。タイミングコント
ロール回路２５には、再生／記録切換制御信号Ｒ／Ｗが
供給されており、この切換制御信号Ｒ／Ｗが記録（Ｗ）
から再生（Ｒ）に変化したタイミング（上記時刻ｔ₁ ）
で上記消磁電流制御電圧発生回路２２がオンされて漸減
する交流電圧が発生され、センス電流制御電圧発生回路
２１は、この時刻ｔ₁ と同時に（上記図２の場合）、あ
るいは上記消磁電流の振幅が０となった後の時刻ｔ₃ か
ら（上記図３の場合）オンされて、直流の消磁電流制御
電圧が発生される。

【００２２】消磁電流制御電圧発生回路２２は、三角波
発生回路２２ａと、交流信号発生回路２２ｂと、これら
の回路２２ａ、２２ｂからの出力信号を乗算する乗算器
２２ｃとを有して成っている。三角波発生回路２２ａに
は、消磁電流の初期電流振幅値（上記±Ｉ_d ）を設定す
るための振幅データＤＡ及び振幅の減衰時間を設定する
ための減衰時間データＤＴが供給され、交流信号発生回
路２２ｂには、交流電流の周波数を設定するための周波
数データＤＦが供給されている。三角波発生回路２２ａ
からは上記各データＤＡ及びＤＴに基づいて設定された
振幅及び減衰時間の三角波電圧が出力され、交流信号発
生回路２２ｂからは上記データＤＦに基づいて設定され
た周波数の交流電圧が出力される。これらの出力信号
は、乗算器２２ｃで乗算され、上記図２のＣに示すよう
な漸減する交流電圧信号として取り出される。

【００２３】上記消磁電流の初期振幅値±Ｉ_d は、後述
するＭＲヘッドのシールドコアが完全に単磁区構造を示
すのに充分な大きさに設定しており、この初期振幅値±
Ｉ_dから漸次低減する繰り返し波状に変化させることに
より、シールドコアの磁区を一定の安定した状態に収束
させている。ここで、図２の場合に、単純にセンス電流
と消磁電流とを足し合わせるとピーク値は上記Ｉ_d を越
える（あるいは−Ｉ_dを下回る）が、Ｉ_d 以上の電流は
不必要であるので、図２のＤに示すように電流をＩ_d で
カット（制限）するようにすればよい。Ｉ_d がセンス電
流Ｉ_s に対してあまり大きくない値の場合、消磁電流の
正逆のバランスが崩れて消磁がうまくいかない場合があ
る。この場合には、図３に示すように、消磁電流を流し
ている間はセンス電流を流さないようにし、消磁電流が
０となってから本来のセンス電流を流すようにすればよ
い。

【００２４】次に、本発明の実施例に用いられるＭＲヘ
ッドの具体的な構造のいくつかの例について、図面を参
照しながら説明する。

【００２５】図５は、２層の磁性膜をシールドコアに用
いたシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッ
ド）の例を示している。この図５に示すＭＲヘッド１０
において、磁気抵抗効果を有する一層あるいは複数層の
磁性薄膜より成る感磁部としてのＭＲ素子１は、一対の
シールドコア、すなわち上部（上層）シールドコア２及
び下部（下層）シールドコア３に挟まれた所定のギャッ
プＧ_R を形成する空間内に配置されている。このシール
ドコア２、３間の空間内には、ＭＲ素子１と平行にバイ
アス導体４が配置されている。

【００２６】一方のシールドコア（例えば上部シールド
コア）２の再生ギャップＧ_R 側の一端は、非磁性導体５
ａを介してＭＲ素子１に電気的に接続されている。ＭＲ
素子１の他端には電極５ｂが電気的に接続され、外部に
取り出されている。このＭＲ素子１と電気的に接続され
たシールドコア２は、２層の磁性膜２ａ、２ｂを非磁性
膜２ｃで分離し積層した構造となっている。このシール
ドコア２の他端には電極５ｃが電気的に接続され、外部
に取り出されている。このようなシールドコア２の図中
の矢印Ｊ方向が透磁率μの高い磁化困難軸となってお
り、この方向に電流が流れることにより、２枚の磁性膜
２ａ、２ｂのそれぞれ一方に流れる電流による磁界が他
方の磁性膜２ｂ、２ａの磁化容易軸（矢印Ｋ方向）に印
加されるようになっている。上記図１中のＭＲヘッド１
１は、主としてＭＲ素子１とシールドコア１２とが電気
的に接続されたものに対応することになる。

【００２７】このようなヘッド構造を、例えばハードデ
ィスクのような磁気ディスク装置のＭＲインダクティブ
ヘッドに適用した例を図６に示す。この図６において、
上記図５の２層シールドコア２上には所定の記録ギャッ
プＧ_W を介して磁気コア６が配置され、この磁気コア６
のシールドコア２との接続部である磁気的結合部を取り
囲むようにスパイラル状のヘッド巻線７が設けられてい
る。このようなＭＲインダクティブヘッド構造体は、例
えばＡｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣより成る基体あるいは基板８上
にシールドコア３が設けられると共に、磁気コア６上に
は保護膜層９が積層され、ギャップ間には非磁性絶縁材
料が充填（あるいは積層形成）されている。このＭＲイ
ンダクティブヘッドの再生ギャップＧ_R 、記録ギャップ
Ｇ_W が設けられた先端面が、磁気記録媒体（例えばハー
ドディスク）との対向面となるいわゆるＡＢＳ（エア・
ベアリング・サーフェス）となっている。

【００２８】このような構成とし、再生開始時にシール
ドコア２が完全に単磁区構造を示すのに充分な大きさ
（上記Ｉ_d ）から漸次低減する繰り返し波状の消磁電流
を上記センス電流に重畳して流すことにより、記録時に
シールドコア２の磁区が乱れても、再生時には、シール
ドコア２の磁区が一定の安定した状態になるため、ＭＲ
素子１に加わるバイアス磁界が安定し、また、信号磁界
に対する磁路も安定するため、バルクハウゼン・ノイズ
もなく、再生信号を安定させることができる。よって、
従来は、再生信号の不安定さから制限されていた線記録
密度を上げることができる。また、従来は、磁区が不安
定になるので、ある程度までしか小さくできなかったシ
ールドコアの幅を小さくできるので、シールドコアを介
して拾う隣接トラックからのクロストークを減少させる
ことができ、トラック密度を向上させることができ、磁
気ディスク装置の記憶容量が増大できる。

【００２９】なお、上記実施例に用いられるＭＲヘッド
１０としては、上部シールドコア２に２枚の磁性膜２
ａ、２ｂを非磁性膜２ｃを介して積層した構造のものを
用いているが、図７や図８に示すように、単層構造の上
部シールドコア２’を用いるようにしてもよい。すなわ
ち、図７は上記図５のＭＲヘッド１０に対応するＭＲヘ
ッド１０’を示しており、図８は上記図６のＭＲインダ
クティブヘッドに対応するものを示している。これらの
図７や図８において、図５や図６の２層磁性膜のシール
ドコア２の代わりに単層のシールドコア２’を用いてい
る以外は同様の構成となっているため、対応する部分に
同じ指示符号を付して説明を省略する。

【００３０】ここで、ＭＲヘッドの初段アンプとしてエ
ミッタ接地トランジスタを用いる場合の従来の回路構成
例を図９に示す。この図９に示すように、ＭＲヘッド１
１にセンス電流発生回路（電流源）１６からのセンス電
流が供給され、このＭＲヘッド１１の端子電圧がコンデ
ンサ１２を介してエミッタ接地型トランジスタ１３のベ
ースに送られている。トランジスタ１３のベースとコン
デンサ１２との接続点には、ベース電流供給用の電流源
１４が接続され、トランジスタ１３のコレクタには負荷
抵抗１５が接続されている。

【００３１】この図９に示すエミッタ接地アンプの構造
を用いて、図１０に示すような本発明の他の実施例を構
成することができる。この図１０の実施例においては、
上記図９のセンス電流発生回路１６とＭＲヘッド１１と
の接続点に、消磁電流制御電圧発生回路２６からの出力
信号を、電圧−電流変換手段であるｇ_m アンプ２７を介
して供給している。この消磁電流制御電圧発生回路２６
は、上記図１の消磁電流制御電圧発生回路２２と同様
に、漸次低減する交流電圧を発生し、これがｇ_mアンプ
２７で電流に変換されることにより、再生開始時にシー
ルドコアが完全に単磁区構造を示すのに充分な大きさか
ら漸次低減する繰り返し波状の電流となってＭＲヘッド
１１に供給される。

【００３２】このように、センス電流については電流源
であるセンス電流発生回路１６により供給し、消磁電流
については消磁電流制御電圧発生回路２６からの電圧出
力信号をｇ_m アンプ２７で電流に変換して供給するよう
な、２つの電流源を用いる構成としている。この図１０
に示す実施例の場合も、上記図２、図３と共に説明した
ような消磁電流とセンス電流とのタイミング設定を行う
ことができ、再生開始時に消磁電流とセンス電流とを同
時に流し始める方法（図２）と、消磁電流を流し終わっ
た後にセンス電流を流し始める方法（図３）とが挙げら
れる。

【００３３】すなわち、図２のように、記録が終了した
直後（時刻ｔ₁ ）に消磁電流とセンス電流とを同時に流
し始める場合には、再生モードの実際に再生可能な状態
への切換時間の短縮化の点で有利であるが、消磁効果の
点で消磁電流に要求される条件によっては、図３に示す
ように初期振幅値±Ｉ_d の消磁電流を完全に流し終えて
からセンス電流を流すようにした方がよい場合がある。

【００３４】次に、図１１は、ＭＲヘッド３１からの信
号取り出し用の初段アンプとして、ベース接地トランジ
スタ３２を用いる場合の従来例を示している。この図１
１において、トランジスタ３２のエミッタは上述したよ
うなＭＲヘッド３１を介して接地されている。また、ト
ランジスタ３２のベースにはセンス電流制御電圧発生回
路３３からのセンス電流制御電圧信号が供給され、トラ
ンジスタ３２のコレクタには負荷抵抗３４を介してＶ_cc
電源に接続されている。

【００３５】このようなベース接地アンプに本発明を適
用した一実施例の要部構成を図１２に示す。この図１２
において、ＭＲ素子３１、ベース接地トランジスタ３
２、センス電流制御電圧発生回路３３、及び負荷抵抗３
４は、上記図１１と同様であるため、説明を省略する。
この図１２に示す実施例においては、さらに、トランジ
スタ３２とＭＲヘッド３１との間に、消磁電流制御電圧
発生回路３６からの漸次低減する交流電圧出力信号を電
流−電圧変換手段であるｇ_m アンプ３７で電流信号に変
換して供給している。センス電流制御電圧発生回路３３
には、例えば電圧源を用いることができ、この電圧源の
電圧と、トランジスタ３２によって決まるエミッタ電圧
と、ＭＲヘッド３１の抵抗値とによりセンス電流が決定
される。

【００３６】この図１２に示す実施例は、センス電流制
御電圧発生回路３３からの出力電圧をトランジスタ３２
のベースに直接加えることで得られる電流源と、ｇ_m ア
ンプ３７により得られる電流源との２つの電流源を有す
る構成と見ることができる。この図１２の実施例の場合
にも、上記図２、図３と共に説明したように、再生開始
時に消磁電流とセンス電流とを同時に流し始める方法
（図２）と、消磁電流を流し終わった後にセンス電流を
流し始める方法（図３）とを挙げることができることは
勿論である。この場合、上記消磁電流の初期電流振幅値
±Ｉ_d は、後述するＭＲヘッドのシールドコアが完全に
単磁区構造を示すのに充分な大きさに設定されており、
この初期振幅値±Ｉ_d から漸次低減する繰り返し波状の
消磁電流をシールドコアに流すことにより、記録時に大
きく乱れた磁区構造を完全に整えることができる。

【００３７】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
るものではなく、例えば、ＭＲ素子に加えるバイアスと
してはバイアス導体に流すバイアス電流によるバイアス
磁界を用いているが、着磁された硬磁性体薄膜をバイア
ス導体の代わりに配置してバイアス磁界を加えるように
してもよい。また、いわゆるシャントバイアス型等のバ
イアス導体を必要としないＭＲヘッドに本発明を適用す
ることも可能である。さらに、上記実施例ではシールド
型ＭＲヘッドを例に説明したが、シールドコアをヨーク
コアと読み変えて、ヨーク型ＭＲヘッドに本発明を適用
することもできる。

【００３８】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、磁気抵抗効果型の磁気ヘッドの磁気抵抗効
果素子（ＭＲ素子）の抵抗の変化を電圧として取り出す
ためのセンス電流に消磁用の漸次振幅が低減する交流電
流を重畳して上記磁気抵抗効果型の磁気ヘッドに供給し
ているため、記録時に乱れたシールドコアの磁区構造を
安定化することができる。また、上記磁気抵抗効果型の
磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子とシールドコアとを電気
的に接続することにより、センス電流と共に消磁電流を
流すことができ、簡単な回路構成や少ない端子数でシー
ルドコアの消磁が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド装置の一実
施例に用いられる回路構成を示すブロック回路図であ
る。

【図２】該一実施例の磁気抵抗効果型ヘッド装置のＭＲ
ヘッドに供給する電流の一例を説明するための波形図で
ある。

【図３】該一実施例の磁気抵抗効果型ヘッド装置のＭＲ
ヘッドに供給する電流の他の例を示す波形図である。

【図４】該一実施例の消磁電流制御電圧発生回路及びセ
ンス電流制御電圧発生回路の一具体例を示すブロック回
路図である。

【図５】該一実施例に用いられるシールド型ＭＲヘッド
の一具体例の概略構成を示す斜視図である。

【図６】該一実施例に用いられるＭＲインダクティブヘ
ッドの一具体例の概略構成を示す断面図である。

【図７】該一実施例に用いられるシールド型ＭＲヘッド
の他の具体例の概略構成を示す斜視図である。

【図８】該一実施例に用いられるＭＲインダクティブヘ
ッドの他の具体例の概略構成を示す断面図である。

【図９】従来の磁気抵抗効果型ヘッド装置に用いられる
エミッタ接地アンプ回路の一例を示すブロック回路図で
ある。

【図１０】本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド装置の他
の実施例に用いられる回路構成を示すブロック回路図で
ある。

【図１１】従来の磁気抵抗効果型ヘッド装置に用いられ
るベース接地アンプ回路の一例を示すブロック回路図で
ある。

【図１２】本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド装置のさ
らに他の実施例に用いられる回路構成を示すブロック回
路図である。

【図１３】従来の磁気抵抗効果型ヘッド装置に用いられ
るシールド型ＭＲヘッドの一具体例の概略構成を示す斜
視図である。

【図１４】従来の磁気抵抗効果型ヘッド装置に用いられ
るＭＲインダクティブヘッドの一具体例の概略構成を示
す断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・ＭＲ素子 ２、３・・・・・シールドコア ２ａ、２ｂ・・・・・磁性膜 ２ｃ・・・・・非磁性膜 ４・・・・・・バイアス導体 ５ａ・・・・・非磁性導体 ５ｂ、５ｃ・・・・・電極 ６・・・・・磁気コア ７・・・・・ヘッド巻線 １０、１０’、１１・・・・・ＭＲヘッド １２・・・・・直流カット用コンデンサ １３・・・・・（エミッタ接地）トランジスタ １５・・・・・負荷抵抗 １６・・・・・センス電流発生回路 ２１、３３・・・・・センス電流制御電圧発生回路 ２２、３６・・・・・消磁電流制御電圧発生回路 ２３・・・・・加算器 ２４、２７、３７・・・・・ｇ_m アンプ（電圧−電流変
換手段）

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果型の磁気ヘッドと、 この磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子の抵抗の変化を電圧
   として取り出すためのセンス電流に消磁用の漸次振幅が
   低減する交流電流を重畳して上記磁気抵抗効果型の磁気
   ヘッドに供給する回路部とを有して成ることを特徴とす
   る磁気抵抗効果型ヘッド装置。
2. 【請求項２】 上記磁気抵抗効果型の磁気ヘッドは、磁
   気抵抗効果素子とこの磁気抵抗効果素子を覆うシールド
   コアとを有し、これらの磁気抵抗効果素子とシールドコ
   アとが電気的に接続されて成ることを特徴とする請求項
   １記載の磁気抵抗効果型ヘッド装置。
3. 【請求項３】 上記回路部は、上記磁気抵抗効果素子に
   初段増幅器としてエミッタ接地トランジスタを接続し、
   上記センス電流を発生するためのセンス電流制御電圧と
   上記消磁用交流電流を発生するための消磁電流制御電圧
   とを加算し、電圧−電流変換手段を介して上記磁気抵抗
   効果素子に供給することを特徴とする請求項１又は２記
   載の磁気抵抗効果型ヘッド装置。
4. 【請求項４】 上記センス電流制御電圧の発生と上記消
   磁電流制御電圧の発生とを同時に行わせることを特徴と
   する請求項３記載の磁気抵抗効果型ヘッド装置。
5. 【請求項５】 上記センス電流制御電圧の発生と上記消
   磁電流制御電圧の発生とを互いに異なるタイミングで行
   わせることを特徴とする請求項３記載の磁気抵抗効果型
   ヘッド装置。
6. 【請求項６】 上記回路部は、上記磁気抵抗効果素子に
   初段増幅器としてエミッタ接地トランジスタを接続し、
   上記センス電流を発生するセンス電流発生手段と上記消
   磁用交流電流を発生する消磁電流発生手段とを設け、こ
   れらの各電流発生手段からの電流を重畳して上記磁気抵
   抗効果素子に供給することを特徴とする請求項１又は２
   記載の磁気抵抗効果型ヘッド装置。
7. 【請求項７】 上記センス電流の発生と上記消磁電流の
   発生とを同時に行わせることを特徴とする請求項６記載
   の磁気抵抗効果型ヘッド装置。
8. 【請求項８】 上記センス電流の発生と上記消磁電流の
   発生とを互いに異なるタイミングで行わせることを特徴
   とする請求項６記載の磁気抵抗効果型ヘッド装置。
9. 【請求項９】 上記回路部は、上記磁気抵抗効果素子に
   初段増幅器としてベース接地トランジスタを接続し、上
   記センス電流を発生するセンス電流発生手段と上記消磁
   用交流電流を発生する消磁電流発生手段とを設け、これ
   らの各電流発生手段からの電流を重畳して上記磁気抵抗
   効果素子に供給することを特徴とする請求項１又は２記
   載の磁気抵抗効果型ヘッド装置。
10. 【請求項１０】 上記センス電流の発生と上記消磁電流
    の発生とを同時に行わせることを特徴とする請求項９記
    載の磁気抵抗効果型ヘッド装置。
11. 【請求項１１】 上記センス電流の発生と上記消磁電流
    の発生とを互いに異なるタイミングで行わせることを特
    徴とする請求項９記載の磁気抵抗効果型ヘッド装置。