JPH0459684B2 - - Google Patents
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- JPH0459684B2 JPH0459684B2 JP58101299A JP10129983A JPH0459684B2 JP H0459684 B2 JPH0459684 B2 JP H0459684B2 JP 58101299 A JP58101299 A JP 58101299A JP 10129983 A JP10129983 A JP 10129983A JP H0459684 B2 JPH0459684 B2 JP H0459684B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/37—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect
- G11B5/372—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect in magnetic thin films
- G11B5/374—Integrated structures
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はホール効果素子を用いたマルチトラ
ツク薄膜ヘツドの構造に関するものである。
ツク薄膜ヘツドの構造に関するものである。
近年、デイジタルオーデイオテープ装置用とし
てマツチトラツク薄膜ヘツドが開発されている。
これらの装置では記録ヘツドとしてはインダクテ
イプ形薄膜ヘツドが、また再生ヘツドとしてはテ
ープ速度に関係なく大きな出力が得られる磁気抵
抗効果形ヘツド（以後MRヘツドと呼ぶ）がそれ
ぞれ用いられている。
てマツチトラツク薄膜ヘツドが開発されている。
これらの装置では記録ヘツドとしてはインダクテ
イプ形薄膜ヘツドが、また再生ヘツドとしてはテ
ープ速度に関係なく大きな出力が得られる磁気抵
抗効果形ヘツド（以後MRヘツドと呼ぶ）がそれ
ぞれ用いられている。
このように、従来ヘツドではそれぞれ独立した
記録用インダクテイブヘツドと再生用MRヘツド
とを一体化したいわゆるコンビネーシヨンヘツド
であるため、それぞれのヘツドのギヤツプの平行
性、テープとヘツドとの良好なコンタクトおよび
トラツクの相互位置を確保することが困難で、構
造が複雑となり、生産性も悪かつた。またMRヘ
ツドはその再生原理から、再生波形の２次高調波
歪が存在し、高密度記録・再生を達成する上で障
害となつていた。
記録用インダクテイブヘツドと再生用MRヘツド
とを一体化したいわゆるコンビネーシヨンヘツド
であるため、それぞれのヘツドのギヤツプの平行
性、テープとヘツドとの良好なコンタクトおよび
トラツクの相互位置を確保することが困難で、構
造が複雑となり、生産性も悪かつた。またMRヘ
ツドはその再生原理から、再生波形の２次高調波
歪が存在し、高密度記録・再生を達成する上で障
害となつていた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、基板上に複数個の
磁気ヘツドを構成する薄膜磁気ヘツド装置におい
て、上記基板又は基板上に形成された各ヘツド用
第１コア、第１コア上にそれぞれ設けた各ヘツド
用ホール効果素子、この各ホール効果素子の一方
向両端にそれぞれ設けた各ヘツド用電流端子、上
記各ホール効果素子の上記一方向と直角な方向両
端にそれぞれ設けた各ヘツド用電圧端子、上記一
方向とこれに直角な方向のそれぞれに直角な方向
に磁束が発生するように一端部を上記各ホール効
果素子上にそれぞれ設け他端部と第１コアとの間
でそれぞれ磁気ギヤツプを形成する各ヘツド用第
２コア、上記各コアとそれぞれリンクし信号記録
電流を流す１ターンないし数ターンの各ヘツド用
記録捲線、各ヘツドの電流端子の一方を互いに接
続して共通端子とし、再生時には上記各ホール効
果素子の制御用直流電流端子として記録時には記
記録用高周波バイアス界印加加用端子として用い
る各ヘツドの上記コアを貫通してリンクする接続
線を備えたものにして、記録および再生でヘツド
ギヤツプを共用できる一体化ヘツド構造とするこ
とで、構造および組立が簡単で、再生波形の歪が
少ない高密鳥記録・再生に適したホール効果形薄
膜磁気ヘツドを提供することを目的としている。
去するためになされたもので、基板上に複数個の
磁気ヘツドを構成する薄膜磁気ヘツド装置におい
て、上記基板又は基板上に形成された各ヘツド用
第１コア、第１コア上にそれぞれ設けた各ヘツド
用ホール効果素子、この各ホール効果素子の一方
向両端にそれぞれ設けた各ヘツド用電流端子、上
記各ホール効果素子の上記一方向と直角な方向両
端にそれぞれ設けた各ヘツド用電圧端子、上記一
方向とこれに直角な方向のそれぞれに直角な方向
に磁束が発生するように一端部を上記各ホール効
果素子上にそれぞれ設け他端部と第１コアとの間
でそれぞれ磁気ギヤツプを形成する各ヘツド用第
２コア、上記各コアとそれぞれリンクし信号記録
電流を流す１ターンないし数ターンの各ヘツド用
記録捲線、各ヘツドの電流端子の一方を互いに接
続して共通端子とし、再生時には上記各ホール効
果素子の制御用直流電流端子として記録時には記
記録用高周波バイアス界印加加用端子として用い
る各ヘツドの上記コアを貫通してリンクする接続
線を備えたものにして、記録および再生でヘツド
ギヤツプを共用できる一体化ヘツド構造とするこ
とで、構造および組立が簡単で、再生波形の歪が
少ない高密鳥記録・再生に適したホール効果形薄
膜磁気ヘツドを提供することを目的としている。
先ず、この発明に係わるホール効果素子の動作
を説明する。第１図において１は厚さ1μｍ程度
に形成されたInSb半導体等ホール効果を有する
薄膜素子である。ｃ，ｄは素子のバイアス電流端
子、Ｉはバイアス電流、、ａ，ｂは出力端子、、Ｂ
はこの素子面に垂直に加えられる信号に応じた磁
束密度を示す。今、素子厚さをδとすると出力電
圧Ｓは Ｓ＝RH・Ｉ・B/δ …(1)式 で表わされる。RHはホール係数と呼ばれ1/neに
ひとしい。ここにｅは電子の電気量、ｎはキヤリ
ア電子の濃度を表わす。(1)式にみるようにホール
素子の出力電圧は信号磁束密度Ｂに比較し、第２
高調波歪を有せず、また、テープ速度に依存ない
ことがわかる。
を説明する。第１図において１は厚さ1μｍ程度
に形成されたInSb半導体等ホール効果を有する
薄膜素子である。ｃ，ｄは素子のバイアス電流端
子、Ｉはバイアス電流、、ａ，ｂは出力端子、、Ｂ
はこの素子面に垂直に加えられる信号に応じた磁
束密度を示す。今、素子厚さをδとすると出力電
圧Ｓは Ｓ＝RH・Ｉ・B/δ …(1)式 で表わされる。RHはホール係数と呼ばれ1/neに
ひとしい。ここにｅは電子の電気量、ｎはキヤリ
ア電子の濃度を表わす。(1)式にみるようにホール
素子の出力電圧は信号磁束密度Ｂに比較し、第２
高調波歪を有せず、また、テープ速度に依存ない
ことがわかる。
以下この発明の実施例を図について説明する。
第２図において２は第１コアを兼ねるフエライト
基板、１はこの上に形成されたＮ個の各ヘツド用
ホール効果素子膜、a1，b1，…aN，bNはそれぞれ
の素子に接続するＮ対の各ヘツド用電圧端子、
c1，d1，…cN，dNはそれぞれの素子に接続するＮ
個の各ヘツド用電流端子でｄ，d′はd1…dNの共通
端子で４はそれぞれの端子d1，…dN，ｄ，d′を接
続する接続線、なおａ，ｂ，ｃ，ｄの符号はそれ
ぞれ第１図の原理図と対応する。３は媒体との対
向面で第１コア２との間でギヤツプｇを有し、ホ
ール効果素子膜１上でフエライト基板２とシヤン
トする第２コアで、パーマロイ薄膜等のパターニ
ングによつて得られる。５は第１コア２とそれぞ
れの第２コア３とリンクする捲線である。また第
２コアシヤント部とホール効果素子膜１との間及
び捲線５及び各端子導体a1，b1…aN，bN４間には
絶縁層膜が必要であるが図では省略した。この他
ギヤツプスペーサ膜等実際の薄膜ヘツドプロセス
で必要な製膜工程があるが、繁雑となるのをさけ
るため、この発明の動作を説明するに必要な部分
のみについて図示した。また、構造に対する理解
を容易にするため、Ｎ番目の素子に対応する第２
コア３は省略した。
第２図において２は第１コアを兼ねるフエライト
基板、１はこの上に形成されたＮ個の各ヘツド用
ホール効果素子膜、a1，b1，…aN，bNはそれぞれ
の素子に接続するＮ対の各ヘツド用電圧端子、
c1，d1，…cN，dNはそれぞれの素子に接続するＮ
個の各ヘツド用電流端子でｄ，d′はd1…dNの共通
端子で４はそれぞれの端子d1，…dN，ｄ，d′を接
続する接続線、なおａ，ｂ，ｃ，ｄの符号はそれ
ぞれ第１図の原理図と対応する。３は媒体との対
向面で第１コア２との間でギヤツプｇを有し、ホ
ール効果素子膜１上でフエライト基板２とシヤン
トする第２コアで、パーマロイ薄膜等のパターニ
ングによつて得られる。５は第１コア２とそれぞ
れの第２コア３とリンクする捲線である。また第
２コアシヤント部とホール効果素子膜１との間及
び捲線５及び各端子導体a1，b1…aN，bN４間には
絶縁層膜が必要であるが図では省略した。この他
ギヤツプスペーサ膜等実際の薄膜ヘツドプロセス
で必要な製膜工程があるが、繁雑となるのをさけ
るため、この発明の動作を説明するに必要な部分
のみについて図示した。また、構造に対する理解
を容易にするため、Ｎ番目の素子に対応する第２
コア３は省略した。
先ず、この実施例によるヘツドの再生過程につ
いて説明する。Ｎ個のバイアス電流端子c1，c2，
…cNと共通バイアス電流端子ｄ，d′との間に、直
流電圧を印加し、それぞれの素子にバイアス電流
工を流す。フェライト基板２とＮ個の第２コア３
はギヤツプｇを有するＮ個のヘツドコアを形成
し、テープ等の媒体からの信号磁界に応じた磁束
がコア内に導びかれ、これらの磁束が、ホール効
果素子膜を貫通してシヤントする。すなわち、信
号に応じた磁束密度Ｂがホール効果素子膜に垂直
に印加され、出力用電圧端子a1，b1，…aN，bNに
それぞれＮ個のトラツクに応じた信号電圧を発生
することになる。
いて説明する。Ｎ個のバイアス電流端子c1，c2，
…cNと共通バイアス電流端子ｄ，d′との間に、直
流電圧を印加し、それぞれの素子にバイアス電流
工を流す。フェライト基板２とＮ個の第２コア３
はギヤツプｇを有するＮ個のヘツドコアを形成
し、テープ等の媒体からの信号磁界に応じた磁束
がコア内に導びかれ、これらの磁束が、ホール効
果素子膜を貫通してシヤントする。すなわち、信
号に応じた磁束密度Ｂがホール効果素子膜に垂直
に印加され、出力用電圧端子a1，b1，…aN，bNに
それぞれＮ個のトラツクに応じた信号電圧を発生
することになる。
つぎにこの実施例ヘツドを記録ヘツドとして用
いるときには、端子ｄ，d′間に、記録電流バイア
スのための高周波電圧を印加し、ヘツドギヤツプ
ｇにおいて、記録電流バイアス磁界を発生する。
さらにこのバイアス記録磁界に重畳させる信号磁
界は、、それぞれのＮ個のコア部に形成された捲
線５に信号電流を印加することで達成される。
いるときには、端子ｄ，d′間に、記録電流バイア
スのための高周波電圧を印加し、ヘツドギヤツプ
ｇにおいて、記録電流バイアス磁界を発生する。
さらにこのバイアス記録磁界に重畳させる信号磁
界は、、それぞれのＮ個のコア部に形成された捲
線５に信号電流を印加することで達成される。
記録信号捲線は端子導体ａ，ｂ，ｃ，ｄ上に絶
縁層を介して形成された１ターンコイル、又は複
数のスパイラル状コイル又は積層コイルとするこ
とができる。
縁層を介して形成された１ターンコイル、又は複
数のスパイラル状コイル又は積層コイルとするこ
とができる。
なお、上記実施例ではフエライト基板２を用
い、この基板が第１コアを兼用する構造とした
が、セラミツク、ガラス、サフアイア等の非磁性
基板を用いて、この上に先ずパーマロイ、センダ
スト等の磁性薄膜よりなる第１コアを形成し、こ
の上に上記の構成の素子を積層しても、上記実施
例と同様の効果を奏する。
い、この基板が第１コアを兼用する構造とした
が、セラミツク、ガラス、サフアイア等の非磁性
基板を用いて、この上に先ずパーマロイ、センダ
スト等の磁性薄膜よりなる第１コアを形成し、こ
の上に上記の構成の素子を積層しても、上記実施
例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、基板上に複
数個の磁気ヘツドを構成する薄膜磁気ヘツド装置
において、、上記基板又は基板上に形成された各
ヘツド用第１コア、第１コア上にそれぞれ設けた
各ヘツド用ホール効果素子、この各ホール効果素
子の一方向両端にそれぞれ設けた各ヘツド用電流
端子、上記各ホール効果素子の上記一方向と直角
な方向両端にそれぞれ設けた各ヘツド用電圧端
子、上記一方向とこれに直角な方向のそれぞれに
直角な方向に磁束が発生するように、一端部を上
記各ホール効果素子上にそれぞれ設け、他端部と
第１コアとの間でそれぞれ磁気ギヤツプを形成す
る各ヘツド用第２コア、上記各コアとそれぞれリ
ンクする各ヘツド用捲線、各ヘツドの電流端子の
一方を互いに接続して共通端子とし、各ヘツドの
上記コアとリンクする接続線を備えたのにしてホ
ール効果素子のバイアス電流印加用端子を共通と
し、かつ、Ｎ個のコアを貫通する構造としたの
で、再生時にはホール効果素子ののバイアス印加
導体として用いることができる他、記録時には記
録バイアス界印加用コイルとしても用いることが
でき、Ｎ個のヘツドギヤツプを記録ギヤツプ、再
生用ギヤツプとして共用できるので、ヘツド構成
が簡単で、かつ、第２高調波歪のない高密度記
録・再生に適したホール効果形薄膜磁気ヘツドが
得られる効果がある。
数個の磁気ヘツドを構成する薄膜磁気ヘツド装置
において、、上記基板又は基板上に形成された各
ヘツド用第１コア、第１コア上にそれぞれ設けた
各ヘツド用ホール効果素子、この各ホール効果素
子の一方向両端にそれぞれ設けた各ヘツド用電流
端子、上記各ホール効果素子の上記一方向と直角
な方向両端にそれぞれ設けた各ヘツド用電圧端
子、上記一方向とこれに直角な方向のそれぞれに
直角な方向に磁束が発生するように、一端部を上
記各ホール効果素子上にそれぞれ設け、他端部と
第１コアとの間でそれぞれ磁気ギヤツプを形成す
る各ヘツド用第２コア、上記各コアとそれぞれリ
ンクする各ヘツド用捲線、各ヘツドの電流端子の
一方を互いに接続して共通端子とし、各ヘツドの
上記コアとリンクする接続線を備えたのにしてホ
ール効果素子のバイアス電流印加用端子を共通と
し、かつ、Ｎ個のコアを貫通する構造としたの
で、再生時にはホール効果素子ののバイアス印加
導体として用いることができる他、記録時には記
録バイアス界印加用コイルとしても用いることが
でき、Ｎ個のヘツドギヤツプを記録ギヤツプ、再
生用ギヤツプとして共用できるので、ヘツド構成
が簡単で、かつ、第２高調波歪のない高密度記
録・再生に適したホール効果形薄膜磁気ヘツドが
得られる効果がある。
第１図はこの発明に係わるホール効果素子の動
作原理図、第２図はこの発明の一実施例を示す斜
視図で１はホール効果素子膜、２は第１コアを兼
ねるフエライト基板、３は薄膜磁性体より成る第
２コア、a1，b1，…aN，bNはＮ対の電圧端子、
c1，…cNはＮ個の電流端子、ｄ，d′は共通電流端
子、５は捲線である。なお、図中、同一符号は同
一又は相当部分を示す。
作原理図、第２図はこの発明の一実施例を示す斜
視図で１はホール効果素子膜、２は第１コアを兼
ねるフエライト基板、３は薄膜磁性体より成る第
２コア、a1，b1，…aN，bNはＮ対の電圧端子、
c1，…cNはＮ個の電流端子、ｄ，d′は共通電流端
子、５は捲線である。なお、図中、同一符号は同
一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 基板上に複数個の磁気ヘツドを構成する薄膜
磁気ヘツド装置において、上記基板又は基板上に
形成された各ヘツド用第１コア、第１コア上にそ
れぞれ設けた各ヘツド用ホール効果素子、この各
ホール効果素子の一方向両端にそれぞれ設けた各
ヘツド用電流端子、上記各ホール効果素子の上記
一方向と直角な方向両端にそれぞれ設けた各ヘツ
ド用電圧端子、上記一方向とこれに直角な方向の
それぞれに直角な方向に磁束が発生するように、
一端部を上記各ホール効果素子上にそれぞれ設
け、他端部と第１コアとの間でそれぞれ磁気ギヤ
ツプを形成する各ヘツド用第２コア、上記各コア
とそれぞれリンクし信号記録電流を流す１ターン
ないし数ターンの各ヘツド用記録捲線、各ヘツド
の電流端子の一方を互いに接続して共通端子と
し、再生時には上記各ホール効果素子の制御用直
流電流端子として記録時には記録用高周波バイア
ス磁界印加用端子として用いる各ヘツドの上記コ
アを貫通してリンクする接続線を備えたホール効
果形薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10129983A JPS59227023A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | ホ−ル効果形薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10129983A JPS59227023A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | ホ−ル効果形薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227023A JPS59227023A (ja) | 1984-12-20 |
| JPH0459684B2 true JPH0459684B2 (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=14296937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10129983A Granted JPS59227023A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | ホ−ル効果形薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59227023A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3955195B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2007-08-08 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁界センサー及び磁気ヘッド |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4715960U (ja) * | 1971-03-23 | 1972-10-24 | ||
| JPS5224404A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-23 | Hitachi Ltd | Simple in-coming order response device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5022012U (ja) * | 1973-06-25 | 1975-03-12 |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP10129983A patent/JPS59227023A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4715960U (ja) * | 1971-03-23 | 1972-10-24 | ||
| JPS5224404A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-23 | Hitachi Ltd | Simple in-coming order response device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59227023A (ja) | 1984-12-20 |
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