JPH06291101A

JPH06291101A - 板状物の洗浄方法、その方法に用いられる洗浄液槽及び洗浄装置

Info

Publication number: JPH06291101A
Application number: JP7833593A
Authority: JP
Inventors: Masanori Kobayashi; 正典小林; Takeshi Yamazaki; 健山崎; Yuka Hayami; 由香早見; Seiji Ichihashi; 精二市橋
Original assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-04-05
Filing date: 1993-04-05
Publication date: 1994-10-18
Anticipated expiration: 2017-09-24
Also published as: JP3327981B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】半導体ウェハ等の板状物の洗浄方法、その方
法に用いられる洗浄液槽及び洗浄装置に関し、洗浄時に
板状物に付着するパーティクルの量を減少させることを
目的とする。【構成】上部に洗浄液２が流出するオーバーフロー面
Ｓ₀を有する液槽１に洗浄液を満して該洗浄液の表面
に、オーバーフロー面Ｓ₀にほぼ垂直な面Ｓ₁から主に
遠ざかる方向に進む流れを形成し、半導体ウェハ３を、
半導体ウェハが該面（Ｓ₁）と垂直にかつ半導体ウェハ
の表面がその洗浄液の主な流れに平行となるように該洗
浄液に移入するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ、マス
ク、レチクル、ＬＤＣ基板等の板状物の洗浄方法、その
方法に用いる洗浄液槽及び洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体の製造過程においては、
半導体ウェハの薬液処理の後に、該半導体ウェハを洗浄
液（純水）にて洗浄している。特に、熱処理工程やＣＶ
Ｄ工程の直前に行なう洗浄工程では、金属不純物の除去
と共に、微小なパーティクルを完全に除去することが要
求される。

【０００３】従来、半導体ウェハは次のようにして洗浄
されている。

【０００４】キャリア内に所定間隔で配列されるように
形成された支持溝に半導体ウェハを１枚ずつ収容する。
そして、そのキャリアを洗浄液で満された液槽内に浸漬
させ、複数の半導体ウェハを該液槽内で一括して洗浄し
ている。また、所定間隔で配列された半導体ウェハの縁
をロボットハンガーによって一括してつかみ、その半導
体ウェハを洗浄液内に浸漬させて洗浄する方法も提案さ
れている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した半導体ウェハ
をキャリアに収容して洗浄する方法では、図３６（ａ）
に示すようなかたちで、各半導体ウェハ１０はキャリア
１１に形成された支持溝１１ａに収容されている。この
ように、支持溝１１ａ内に各半導体ウェハ１０を収容し
たキャリア１１を薬液槽から洗浄液槽に移す場合等、キ
ャリアを運搬する場に図３６（ｂ）に示すように、各半
導体ウェハ１０の縁が、運搬中のキャリアの振動によっ
て、支持溝１１内で振動する。このように、各半導体ウ
ェハ１０がキャリア１１の支持溝１１ａ内で振動する
と、パーティクルが発生する。このパーティクルは、キ
ャリア１１の材質が半導体ウェハ１０よりも柔かいフッ
素樹脂である場合には、そのフッ素樹脂の微粉末であ
り、また、キャリア１１の材質が半導体ウェハ１０より
も硬い場合には半導体ウェハ１０を形成するシリコンの
微粉末である。そして、発生したパーティクルはキャリ
ア１１の支持溝１１ａ内にたまる。

【０００６】このような状態で、キャリア１１を、例え
ば、静水内に投入して支持溝１１ａが水面Ｓに達する
と、図３７（ａ）に示すように、支持溝１ａ内にたまっ
たパーティクルＰが水面Ｐ上に浮遊する。そして、更に
キャリア１を静水内に静めていくと、図３７（ｂ）に示
すように、水面に浮遊したパーティクルＰが半導体ウェ
ハ１０の表面の方に引き込まれ、キャリッジ１を静水か
ら取出すときに、そのパーティクルが半導体ウェハ１０
の表面に付着してしまう。半導体ウェハ１０を弗酸で処
理した場合、その表面は撥水性を呈するが、このような
状態で半導体ウェハ１０を洗浄する場合には、特に、水
面に浮遊したパーティクルが半導体ウェハ１０の表面に
付着し易い。

【０００７】また、図３８に示すように、複数の半導体
ウェハ１０の縁をロボットハンガー５によって一括して
つかみ、その半導体ウェハ１０を洗浄液中に浸漬させて
洗浄する場合も、図３９に示すように、半導体ウェハ１
０を支えるハンガーアーム５ａ，５ｂ，５ｃと半導体ウ
ェハ１０の接する部位にて上述したのと同様にパーティ
クルＰが発生する。

【０００８】実際に半導体ウェハ１０を洗浄する場合に
は、静水ではなく、図４０及び図４１に示すように、洗
浄液槽２０の底部に設けられたパイプ１２から洗浄液１
００を噴出させ、洗浄液槽２０からオーバーフローした
状態の洗浄液１００内に例えばロボットハンガー５に支
持された半導体ウェハ１０が浸漬される。このように、
洗浄液槽２０の底部から洗浄液１００を噴出させて該洗
浄液１００を洗浄液槽２０からオーバーフローさせる場
合、洗浄液１００の液面での流れは、図４２に示すよう
に、洗浄液槽２０の周辺部では一様に洗浄液槽２０の外
部に向っているが、洗浄液槽２０の中央部では、種々の
方向を向いて乱れた状態となっている。このような状態
の洗浄液１００に半導体ウェハ１０を投入すると、上述
したように洗浄液１００の液面に浮遊したパーティクル
が長時間液面上に滞在することになる。その結果、半導
体ウェハ１０を洗浄液１００内に浸漬させたとき、及び
半導体ウェハ１０を該洗浄液１００から取り出すときに
洗浄液１００の液面上に浮遊するパーティクルが半導体
ウェハ１０の表面に付着する確率が高くなる。従って、
半導体ウェハ１０からパーティクルの除去が完全に行な
われない。

【０００９】そこで、本発明の課題は、半導体ウェハの
ような板状物を洗浄液に浸漬させて洗浄するに際して、
板状物から一旦離れて液面上を浮遊するパーティクルを
できるだけ早く洗浄液槽外部に流出させることである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、図１に示すように上部に、洗浄液（２）
が流出するオーバーフロー面（Ｓ₀）を有する液槽
（１）に洗浄液（２）を満して該洗浄液（２）の表面の
流れが該オーバーフロー面（Ｓ₀）にほぼ垂直となる所
定の面（Ｓ₁）から主に遠ざかる方向に進むように該洗
浄液（２）をオーバーフロー面（Ｓ₀）から流出させ、
洗浄液（２）がオーバーフロー面（Ｓ₀）から流出して
いる状態で、板状物（３）が該所定の面（Ｓ₁）と交わ
りかつ板状物（３）の表面が洗浄液（２）表面の主な流
れとほぼ平行となるように該板状物（３）を洗浄液
（２）に投入するようにした。

【００１１】また、この洗浄方法に用いられる洗浄液槽
は、上部に洗浄液が流出するオーバーフロー面を有した
液槽と、該液槽内に満された洗浄液の表面に、該オーバ
ーフロー面にほぼ垂直な所定の面から遠ざかる方向に液
流を発生させる液流発生手段とを有する。

【００１２】更に、上記課題を解決するため、本発明に
係る洗浄装置は、上部に洗浄液が流出するオーバーフロ
ー面を有した液槽と、該液槽内に満された洗浄液の表面
に、該オーバーフロー面にほぼ垂直な所定の面から遠ざ
かる方向に液流を発生させる液流発生手段とを有した洗
浄液槽と、板状物が該所定の面と交わりかつ板状物の表
面が上記液流発生手段にて発生された洗浄液面上の液流
にほぼ平行となるように板状物を液槽内を満す洗浄液内
に投入する被洗浄物投入機構とを備えるようにした。

【００１３】

【作用】洗浄液の表面の流れがオーバーフロー面にほぼ
垂直な所定の面から主に遠ざかる方向に進むように該洗
浄液をオーバーフロー面から流出させた状態で、板状物
が該所定の面と交わりかつ板状物の表面が洗浄液表面の
流れとほぼ平行となるように該板状物を洗浄液に投入す
ると、板状物表面に付着していたパーティクルは板状物
の表面に沿った洗浄液表面の流れによって洗浄液と共に
オーバーフロー面から流出する。従って、パーティクル
が洗浄液表面で浮遊する時間は極力短くなる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００１５】本発明の実施例における半導体ウェハの洗
浄装置の基本構成は図２に示すようになっている。図２
において、洗浄液槽２０はその上面が開口面Ｓ₀であ
り、該開口面Ｓ₀に対向する底面には給水パイプ１２が
設けられている。この給水パイプ１２の一端１２ａは洗
浄液槽２０の側壁２０ａに接して閉じている。給水パイ
プ１２は、その一端１２ａが接した側壁２０ａと反対側
の洗浄液槽２０の側壁２０ｂから突出し、パイプ１２の
他端が給水機構（図示略）に接続されている。パイプ１
２には、洗浄液槽２０の開口面Ｓ₀に対向するように複
数の噴射口１３が所定の間隔で形成されている。パイプ
１２は洗浄液槽２０の前壁２０ｃと後壁２０ｄとの間の
中央部に位置している。

【００１６】被洗浄板状物である複数の半導体ウェハ１
０は、ロボットハンガー５によって所定の間隔を保った
状態で支持されている。このロボットハンガー５は投入
機構（図示略）に結合しており、洗浄液槽２０の内部に
開口面Ｓ₀を通して所定の速度で投入され、また、洗浄
液槽２０の内部から外部に搬出されるようになってい
る。

【００１７】給水機構からパイプ１２に洗浄液（例え
ば、純水）が供給されると、洗浄液はパイプ１２の噴出
口１３から噴出する。そして、洗浄液槽２０が洗浄液に
て満された後、図３に示すように、洗浄液１００が洗浄
液槽２０の外部に開口面Ｓ₀（オーバーフロー面）から
流出する。洗浄液１００内では、パイプ１２の各噴出口
１３からほぼ垂直方向に進む液流が形成されている。そ
して、給水機構によってパイプ１２の各噴出口１３から
の洗浄液１００の噴出圧を調整し、パイプ１２に対向す
る液面部位が、図４に示すように盛り上げられる。即
ち、開口面Ｓ₀（オーバーフロー面）に垂直でパイプ１
２を含む平面Ｓ₁と当該開口面Ｓ₀との交線ｌに沿って
洗浄液１００の液面が盛上げられる。なお、各噴出口１
３からの洗浄液１００の噴出圧が均一となるように、噴
出口１３の径が予め調整される。このように、洗浄液１
００の液面が平面Ｓ₁と開口面Ｓ₀との交線ｌに沿って
盛り上がると、その液面の盛り上がりにより、洗浄液１
００の液面に図３及び図４に示すようにな該平面Ｓ₁か
ら主に遠ざかる方向の流れが形成される。

【００１８】このような状態において、ロボットハンガ
ー５に支持された半導体ウェハ１０が図５，図６，図７
に示すように徐々に洗浄液１００内に投入されてゆく。
ここで、各半導体ウェハ１０は、ハンガーアーム５ｂに
支持された下縁部が洗浄液１００の盛り上がった部位を
通りかつその表面が洗浄液１００の液面に形成された流
れにほぼ平行となるように、投入されてゆく。この各半
導体ウェハ１０の洗浄液１００への投入の過程で、ま
ず、図５に示すように、ハンガーアーム５ｂに支持れた
半導体ウェハ１０の下縁部が洗浄液１００の盛り上がり
部位に入る。すると、ハンガーアーム５ｂと半導体ウェ
ハ１０との摩擦で生じていたパーティクルＰが液面に形
成された流れに従って、半導体ウェハ１０の表面に平行
な方向にハンガーアーム５ｂから遠ざかるように移動す
る。そして、洗浄液槽２０から流出する洗浄液１００と
共に該パーティクルＰが洗浄液槽２０から排出される。
更に半導体ウェハ１０が洗浄液１００内に沈み込み、図
６に示すようにハンガーアーム５ａ及び５ｃに支持され
た半導体ウェハ１０の側縁部が洗浄液１００の液面に達
する。すると、ハンガーアーム５ａ，５ｃと半導体ウェ
ハ１０との摩擦で生じていたパーティクルＰが上記と同
様液面に形成された流れに従って洗浄液槽２０から排出
される。そして、半導体ウェハ１０は、図７に示すよう
に、完全に洗浄液１００内に浸漬され、この状態で、所
定時間、半導体ウェハ１０表面に残留している薬液等の
洗浄が行なわれる。この所定時間の洗浄が終了すると、
ロボットハンガー５によって各半導体ウェハ１０が洗浄
液槽２０から引き上げられる。このとき、洗浄液１００
の液面には、そこに形成される流れのためにパーティク
ルＰがほとんど浮遊していない。従って、半導体ウェハ
１０を引き上げる際に、パーティクルＰが半導体ウェハ
１０の表面に付着することはない。

【００１９】なお、半導体ウェハ１０表面に付着した他
のほこりや不純物等も上記のように半導体ウェハ１０を
洗浄液１００に投入する際に、その液面に形成された流
れに従って洗浄液槽２０の外部に排出される。

【００２０】上記のように、本実施例では、洗浄液１０
０の液面の一部を盛り上げて、該液面に、その盛り上げ
部位から遠ざかるような流れを形成し、半導体ウェハ１
０を、洗浄液１００の液面が盛り上がった部位から、半
導体ウェハ１０の表面が液面の流れにほぼ平行となるよ
うに洗浄液１００内に投入している。従って、半導体ウ
ェハ１０を洗浄液１００に投入する過程で、半導体ウェ
ハ１０の表面に付着しているパーティクルＰが液面に形
成された流れに従って洗浄液槽２０の外部に排出され
る。その結果、洗浄液１００の表面で浮遊するパーティ
クルＰの数が極端に減少し、半導体ウェハ１０を浸漬さ
せるとき及び取出すときにその表面に再度付着するパー
ティクルＰはほとんどなくなる。

【００２１】上記のような洗浄方法において、洗浄液１
００の液面に乱れのない均一な流れを形成するために
は、液面を安定的に盛り上げた状態を保持する必要があ
る。このためには、パイプ１２の各噴出口１３から噴出
される洗浄液１００がなるべく広がらないで洗浄液１０
０の液面に達することが必要である。このような洗浄液
１００中での流れを実現するための機構の例が、図８か
ら図１２に示される。

【００２２】第一の例が図８に示される。図８におい
て、パイプ１２の上に噴出口１３を覆うように整流ユニ
ット１５が設けられている。この整流ユニット１５は、
第一の整流板１５ａ及び第二の整流板１５ｂから構成さ
れ、第一の整流板１５ａと第二の整流板１５ｂせは、パ
イプ１２の噴出口１３から遠ざかるに従ってその間隔が
小さくなるように対向して配置されている。そして、第
一の整流板１５ａ及び第二の整流板１５ｂの先端部が平
行となってスリット１６が形成されている。

【００２３】このように、パイプ１２の上に整流ユニッ
ト１５を設けると、噴出口１３から噴出した洗浄液１０
０は、第一の整流板１５ａ及び第二の整流板１５ｂに沿
って上方に導かれ、更にスリット１６から液面に向って
噴出される。スリット１６によって洗浄液１００の流れ
が規制されるので、洗浄液１００は特に大きく広がるこ
となく液面に達する。その結果、パイプ１２に対向する
液面を安定的に盛り上げる状態を保持することができ
る。

【００２４】第二の例が図９（ａ）（ｂ）（Ｃ）に示さ
れる。図９（ａ）（ｂ）（ｃ）において、パイプ１２の
上部に平板１７ａ及び１７ｂが、パイプ１２に対向する
部位にスリット１８が形成されるように設けられる。ス
リット１８とパイプ１２との間は所定の距離に保たれ、
平板１７ａ及び１７ｂは洗浄液槽２０の内壁に固定され
ている。この第二の例においても、パイプ１２から噴出
した洗浄液１００の流れがスリット１８によって規制さ
れ、上記第一の例と同様に、スリット１８を介した洗浄
液１００が特に広がることなく液面に達する。

【００２５】第三の例が図１０（ａ）（ｂ）に示され
る。図１０（ａ）（ｂ）において、平板１９ａ，１９ｂ
がパイプ１２の上方に、第二の例と同様に設けられ、各
平板１９ａ，１９ｂの対向する端部に夫々整流板２５
ａ，２５ｂが互いに平行となるように形成されている。
この整流板２５ａ，２５ｂによりパイプ１２に対応する
スリット２６が形成される。第三の例では、第二の例に
比べて更に整流の効果が高い。

【００２６】第四の例が、図１１（ａ）（ｂ）に示され
る。図１１（ａ）（ｂ）において、平板２７がパイプ１
２の上部に設けられている。平板２７にはパイプ１２に
対向する部位にスリット２８が形成されている。この平
板２７は洗浄液槽２０の内壁に固定されている。この第
四の例では、第二の例と同様に、スリット２８を介した
洗浄液１００が特に広がることなく液面に達する。

【００２７】第五の例が図１２（ａ）（ｂ）に示され
る。図１２（ａ）（ｂ）において、パイプ１２が円筒状
の整流ユニット２９に収容されている。整流ユニット２
９のパイプ１２に対向する部位には平板３０ａ，３０ｂ
が互いに平行に対向し、スリット３１が形成されてい
る。この第五の例では、噴出口１３から噴出された洗浄
液１００は、円筒状の整流ユニット２９の内壁に沿って
スリット３１に導かれ、該スリット３１から液面に向け
て均一に噴出する。

【００２８】洗浄液槽２０の底面に設けられるパイプ１
２の一端１２ａが封鎖されているので、一定の圧力にて
パイプ１２内に洗浄液１００を供給しても、各噴出口１
３の径が等しいと、端部１２ａに近いほど噴出口１３か
らの洗浄液１００の噴出圧が大きくなる。従って、上述
した実施例では、各噴出口１３からの洗浄液１００の噴
出圧を均一になるように、例えば、噴出口１３の径を調
整している。しかし、多くの噴出口１３のそれぞれの径
を異なるようにするには、パイプ１２の製作工数が増大
する。この点を改善した洗浄液１００の噴出機構の例を
図１３，図１４及び図１５に基づいて説明する。

【００２９】第一の例が図１３に示される。図１３にお
いて、第一のパイプ３５と第二のパイプ３６が洗浄液槽
２０に底面に設けられており、第一のパイプ３５が洗浄
液槽２０の側壁２０ｂを通って給水機構に接続され、第
二のパイプ３６が上記側壁２０ｂと逆側の側壁２０ａを
通って給水機構に接続されている。第一のパイプ３５
は、メインパイプ３５ａと複数の枝パイプ３５ｂ（１）
〜３５ｂ（９）とで構成されている。メインパイプ３５
ａは洗浄液槽２０の後壁２０ｄに平行に配置されてい
る。メインパイプ３５ａに接続される枝パイプ３５ｂ
（１）〜３５ｂ（９）は所定の間隔で配列され、メイン
パイプ３５ａと垂直にかつ洗浄液槽２０の底面に平行と
なるように延びている。各枝パイプ３５ｂ（１）〜３５
ｂ（９）の終端は閉じており、この終端部に噴出口１３
が形成されている。また、第二のパイプ３６も第一のパ
イプ３５と同様にメインパイプ３６ａと複数の枝パイプ
３６ｂ（１）〜３６ｂ（９）とで構成されている。第二
のパイプ３６のメインパイプ３６ａは洗浄液槽２０の前
壁２０ｃに平行に配置されている。各枝パイプ３６ｂ
（１）〜３６ｂ（９）は、第一のパイプ３５の枝パイプ
３５ｂ（１）〜３５ｂ（９）と同様に配列され、メイン
パイプ３６ａに接続されている。そして、枝パイプ３６
ｂ（１）〜３６ｂ（９）の終端も閉じており、その終端
部に噴出口１３が形成されている。更に、第一のパイプ
３５の枝パイプ３５ｂ（１）〜３５ｂ（９）及び第二の
パイプ３６の枝パイプ３６ｂ（１）〜３６ｂ（９）が交
互に配列され、各枝パイプ３５ｂ（１）〜３５ｂ（９）
及び３６ｂ（１）〜３６ｂ（９）の終端に形成された噴
出口１３が各メインパイプ３５ａ，３６ａに平行となる
直線上に配列されている。

【００３０】上記のような洗浄液１００の噴出機構によ
れば、各噴出口１３が同じように各枝パイプ３５ｂ
（１）〜３５ｂ（９）及び３６ｂ（１）〜３６ｂ（９）
の終端近傍に形成され、また、各噴出口１３がメインパ
イプ３５ａ，３６ｂから離れて形成されるため、隣接す
る枝パイプ内の液圧は互いに影響されにくい。従って、
各噴出口１３からの洗浄液１００の噴出圧が大きく異な
ることが防止される。更に、第一のパイプ３５のメイン
パイプ３５ａ及び第二のパイプ３６のメインパイプ３６
ａにはそれぞれ逆方向から洗浄液１００が供給される。
そのため、仮に、各メインパイプ３５ａ，３６ａ上の位
置に応じて対応する枝パイプの噴出口１３から噴出され
る洗浄液１００の噴出圧が変化しても、その噴出圧のメ
インパイプ３５ａ，３６ａ上の位置に応じた分布は、第
一のパイプ３５と第二のパイプ３６で夫々逆の特性とな
る。従って、第一のパイプ３５の枝パイプ３５ｂ（１）
〜３５ｂ（９）と第二のパイプ３６の枝パイプ３６ｂ
（１）〜３６ｂ（９）が交互に配列れているので、各パ
イプ３５，３６での噴出圧の圧力分布が互いに補完しあ
うものとなる。その結果、洗浄液１００の液面に向う液
流の圧力はほぼ均一なものとなる。

【００３１】噴出機構の第二の例が図１４に示される。
図１４において、第一の例と同様に、メインパイプ３７
ａと枝パイプ３７ｂ（１）〜３７ｂ（７）で構成された
第一のパイプ３７と、メインパイプ３８ａと枝パイプ３
８ｂ（１）〜３８ｂ（７）で構成された第二のパイプ３
８とが洗浄液槽２０の底面に設けられている。第一のパ
イプ３７の枝パイプ３７ｂ（１）〜３７ｂ（７）と第二
のパイプ３８の枝パイプ３８ｂ（１）〜３８ｂ（７）
は、上記第一の例と同様に、交互に配列されている。そ
して、各枝パイプ３７ｂ（１）〜３７ｂ（７）と３８ｂ
（１）〜３８ｂ（７）の終端が閉じている。そして、各
枝パイプ３７ｂ（１）〜３７ｂ（７）及び３８ｂ（１）
〜３８ｂ（７）には噴出口１３が洗浄液槽２０の前壁２
０ｃと後壁２０ｄとの間の中央から、メインパイプ３７
ａ，３８ａに向って配列されるように形成されている。
各メインパイプ３７ａ，３８ａから最も遠い位置に形成
された噴出口１３は各メインパイプ３７ａ，３８ａと平
行な直線上に配列される。

【００３２】この第二の例では、上記第一の例と同様の
利点が得られると共に次のような利点もある。洗浄液槽
２０の前壁２０ｃと後壁２０ｄとの間の中央に位置する
噴出口１３が最も各枝パイプの終端に近いので、そこか
らの噴出圧が最大となる。即ち、各枝パイプにおいて、
各噴出口１３から噴出される洗浄液１００の噴出圧は、
図１５に示すように、前壁２０ｃと後壁２０ｄとの間の
中央から遠ざかるに従って小さくなる。このような噴出
圧の圧力分布により、洗浄液槽２０の前壁２０ｃと後壁
２０ｄとの間の中央部の液面を安定的に盛り上げること
が可能となる。次に、半導体ウェハの洗浄液槽の他の実
施例を図１６，図１７及び図１８に基づいて説明する。

【００３３】図１６において、洗浄液槽２０の底面に、
洗浄液の噴出ユニット４０が設けられている。噴出ユニ
ット４０は、洗浄液供給ブロック４１ａ、洗浄液排出ブ
ロック４１ｂ及び洗浄液供給ブロック４１ａと洗浄液排
出ブロック４１ｂとの間に接続された複数のパイプ４２
とを有している。各パイプ４２は洗浄液槽２０の前壁２
０ｃ及び後壁２０ｄに平行に配列されている。各パイプ
４２には噴出口４３が所定の間隔で配列されるように形
成されている。また、洗浄液供給ブロック４１ａには供
給パイプ４５が接続され、この供給パイプ４５を介して
給水機構（図示略）から洗浄液供給ブロック４１ａに所
定の圧力の洗浄液が供給される。洗浄液供給ブロック４
１ａと各パイプ４２は調整弁を介して接続されており、
その調整弁を操作するための調整ネジ４４ａが洗浄液供
給ブロック４１ａに設けられている。洗浄液排出ブロッ
ク４１ｂと各パイプ４２もまた調整弁を介して夫々接続
されており、その調整弁を操作するための調整ネジ４４
ｂが洗浄液排出ブロック４１ｂに設けられている。洗浄
液排出ブロック４１には排出パイプ４６が接続されてお
り、洗浄液排出ブロック４１ｂから排出される洗浄液が
排出パイプ４６を介して給水機構に戻されるようになっ
ている。

【００３４】上記のような噴出ユニット４０を備えた洗
浄液槽２０において、洗浄液供給ブロック４１ａ及び洗
浄液排出ブロック４１ｂに設けられた調整ネジ４４ａ，
４４ｂを調整することにより、パイプ４２の延びる方向
と垂直な平面内での洗浄液の噴出圧力が図１７に示すよ
うな正規分布となるようにする。即ち、中央に位置する
パイプ４２の噴出口４３から噴出される洗浄液の噴出圧
が最大となり、その中央のパイプ４２から離れるほど噴
出圧が小さくなる。また、パイプ４２に沿った方向の噴
出圧が均一となるように各パイプ４２の噴出口４３の径
が調整される。その結果、図１８に示すように、パイプ
４２と垂直な平面内では噴出圧力は中央で最大となって
そこから離れるほど小さくなり、また、パイプ４２と平
行で洗浄液槽２０の底面に垂直な平面内では噴出圧力が
均一となる。このような洗浄液の噴出圧力の分布によ
り、洗浄液の液面が図３及び図４に示すように盛り上が
る。そして、洗浄液の液面には、その盛り上がり部分か
ら洗浄液槽２０の前壁２０ｃ及び後壁２０ｄに向う流れ
が安定的に形成される。

【００３５】上記のような洗浄液槽２０に半導体ウェハ
１０は各パイプの延びる方向と垂直となるように投入さ
れる（図４，図５，図６，図７参照）。

【００３６】図１９は、更に他の噴出機構を示す。図１
９において、第一のパイプユニット７０の中央部にスペ
ースが形成され、このスペースに第二のパイプユニット
７２が設けられている。この第一のパイプユニット７０
及び第二のパイプユニット７２は、洗浄液槽２０の底面
に設置される。第一のパイプユニット７０は互いに連結
した複数のパイプ７０ａからなっており、第二のパイプ
ユニット７２も互いに連結した３本のパイプ７２ａから
なっている各パイプ７０ａ，７２ａ上には所定間隔で配
列される噴出口７１，７３が形成されている。第二のパ
イプユニット７２の各パイプ７２ａ上には整流器７４が
設けられている。整流器７４は、図２０（ａ），（ｂ）
に示すように、各パイプ７２ａ上の噴出口７３に対向す
る開口面７６を有する。また、整流器７４の両端部には
支持突起７５が形成され、整流器７４の各側面とパイプ
７２ａとの間にスリット７８が形成される。この整流器
７４の高さ（ａ）は例えば、約８〜１０ｍｍであり、ス
リット７８の幅（ｂ）は例えば、約５〜１０ｍｍであ
る。

【００３７】このような、噴出機構によれば、各パイプ
７２ａの噴出口７３から噴出された洗浄液は整流器７４
によってガイドされ、その開口面７６から上方に噴出す
る。そして、この開口面７６からの洗浄液の噴出作用に
より、図２１に示すように、整流器７４の側面に形成さ
れたスリット７８から洗浄液が整流器７４に引き込まれ
る。その結果、整流器７４を介して噴出される洗浄液の
勢いが増幅される。従って、パイプ７２ａから噴出され
た洗浄液は大きく広がることなく洗浄液の液面に達し、
その液面が安定的に盛り上げられる。

【００３８】半導体ウェハを洗浄するに際して、まず、
第二のパイプユニット７２に洗浄液を供給して、洗浄液
の液面を図４に示すように盛り上げる。または、第一の
パイプユニット７０により洗浄液を満してから第二のパ
イプユニット７２に切換えて液面を盛り上げても良い。
この状態で、半導体ウェハを除々に洗浄液内に投入し、
半導体ウェハが完全に洗浄液内に浸漬した後に、第一の
パイプユニット７０に洗浄液を供給して半導体ウェハを
洗浄する。この第一のパイプユニット７０に洗浄液を供
給するときに第二のパイプユニット７２への洗浄液の供
給を断つようにしても良い。

【００３９】次に、本発明に係る洗浄装置の実施例につ
いて説明する。

【００４０】図２２は第一の実施例に係る洗浄装置を示
す。洗浄液槽２０の底面に複数のパイプ８２ａを有する
パイプユニット８２が設けられている。また、初期状態
において、洗浄液槽２０の前壁２０ｃと後壁２０ｄの間
の中央部でかつパイプユニット８２の上方に移動パイプ
８４が設けられている。この移動パイプ８４は、側壁２
０ａの上端を越えてキャリッジ８６に固定されている。
キャリッジ８６はモータを搭載しており、このモータの
駆動により、側面に沿って設置されるレール９４上を移
動可能となっている。パイプユニット８２は給水機構に
接続され、移動パイプ８４はフレキシブルホース８５を
介して給水機構に接続されている。パイプユニット８２
の各パイプ８２ａ及び移動パイプ８４には、所定間隔で
配列された噴出口が形成されている。複数の半導体ウェ
ハ１０を一括して支持するハンガー５は、キャリッジ９
２に固定されている。そして、キャリッジ９２はモータ
を搭載ており、このモータの駆動により水平及び垂直方
向に延びるレール９０上を移動可能となっている。移動
パイプ８４が固定されるキャリッジ８６のモータと、半
導体ウェハ１０を支持するハンガー５が固定されるキャ
リッジ９２とは夫々同期制御される。

【００４１】上記のような洗浄装置により半導体ウェハ
１０が次のように洗浄される。

【００４２】まず、洗浄液槽２０内に洗浄液１００が満
される。そして、図２２に示す初期位置にある移動パイ
プ８４の各噴出口から洗浄液１００が噴出される。それ
により、洗浄液１００の液面中央部が移動パイプの延び
る方向に盛り上げられる（図２４（ａ）参照）。このと
き、液面には盛り上がった部位から前壁２０ｃ及び後壁
２０ｄに向う流れが形成される。この状態で、ハンガー
５が固定されたキャリッジ９２が垂直方向に延びるレー
ル９０上を下降し、ハンガー５に支持された半導体ウェ
ハ１０が洗浄液１００に投入される（図２４（ｂ）参
照）。半導体ウェハ１０の下端縁を支持するハンガーア
ーム５ｂが洗浄液１００に投入されてから半導体ウェハ
１０の側縁部を支持するハンガーアーム５ａ，５ｃが洗
浄液１００に投入されるまでの過程で、各ハンガーアー
ム５ａ，５ｂ，５ｃにたまったパーティクルが、前述し
たのと同様に、洗浄液１００の液面に形成された流れに
したがって、洗浄液槽２０から流出する。その後、パイ
プユニット８２の各パイプ８２ａから洗浄液１００が噴
出され、移動パイプ８４からの洗浄後１００の噴出が停
止される。そして、ハンガー５が固定されたキャリッジ
９２の下方への移動に同期して、移動パイプ８４に固定
されたキャリッジ８６がレール９４上を移動する。即
ち、半導体ウェハ１０が下降する過程で、移動パイプ８
４洗浄液槽２０の後壁２０ｄの方へ移動する（図２４
（ｃ）参照）。更に、ハンガー５が固定されたキャリッ
ジ９２が下降して最下点に達すると、半導体ウェハ１０
は図２３に示すように完全に洗浄液１００内に浸漬さ
れ、洗浄される。

【００４３】上記の洗浄装置によれば、半導体ウェハ１
０からパーティクルが除去されるまで、パイプユニット
８２の上方に位置する移動パイプ８４から洗浄液１００
が噴出される。即ち、洗浄液１００の表面が安定して盛
り上がった状態で、パーティクルが半導体ウェハ１０か
ら除去される。従って、半導体ウェハ１０から除去され
たパーティクルは直ちに洗浄液１００の液面に形成され
た流れに従って洗浄液槽２０から排出される。

【００４４】上記移動パイプ８４は、図２５（ａ）に示
すように、第一の移動パイプ８４ａと、第二の移動パイ
プ８４ｂとに分割することも可能である。この場合、図
２５（ｂ）に示すように、第一の移動パイプ８４ａは後
壁２０ｄの方に、また第二の移動パイプ８４ｂは前壁２
０ｃの方に夫々分かれて移動する。

【００４５】図２６（ａ），（ｂ）及び図２７（ａ），
（ｂ）は第二の実施例に係る洗浄装置を示す。

【００４６】図２６（ａ），（ｂ）において、パイプユ
ニット９６がリフター（図示略）に接続された支持アー
ム９５によって支持されていくパイプユニット９６の各
パイプには所定間隔で配列された噴出口９７が形成され
ている。パイプユニット９６は洗浄液槽２０の開口面Ｓ
₀に近い初期位置に位置している。パイプユニット９６
にはフレキシブルホース９６ａを介して給水機構から洗
浄液１００が供給される。半導体ウェハ１０を支持する
ハンガー５はリフターに固定され、このリフターはパイ
プユニット９６が固定されたリフタと同期して作動す
る。洗浄液槽２０に満された洗浄液１００は排水パイプ
９８から除々に排出されている。

【００４７】上記洗浄装置においては、洗浄液槽２０に
洗浄液１００が満された状態で、パイプユニット９６が
初期位置にて洗浄液１００を噴出する。このとき、パイ
プユニット９６は洗浄液槽２０の開口面Ｓ₀近くに位置
するので、洗浄液１００の液面が安定的に盛り上げられ
る。そして、パイプユニット９６が固定されたリフター
と半導体ウェハ１０を支持するハンガー５が固定された
リフターが同期して作動し、パイプユニット９６及びハ
ンガー５が除々に下降する。その結果、半導体ウェハ１
０が除々に洗浄液１００内に投入され、パイプユニット
９６が最下位置に達すると、半導体ウェハ１０が、図２
７に示すように、洗浄液１００内に完全に浸漬される。
この状態で、半導体ウェハ１０が洗浄される。

【００４８】図２８は、洗浄液槽の更に他の実施例を示
す。

【００４９】図２８において、洗浄液槽２０の前壁２０
ｃ及び後壁２０ｄにパイプ５２，５３が設けられてい
る。パイプ５２，５３は洗浄液槽２０の底面と開口面Ｓ
₀のほぼ中央部に位置し、互いにほぼ平行となってい
る。各パイプ５２，５３には所定の間隔で噴出口５３が
形成されている。また、噴出口５３が開口面Ｓ₀の前後
壁２０ｃ，２０ｄと平行となる中心線に向くように各パ
イプ５２，５３の向きが調整されている。

【００５０】各パイプ５２，５３に洗浄液１００を供給
し、そして、洗浄液槽２０の開口面Ｓ₀の上記中心線に
沿って洗浄液１００の液面が図２９に示すように盛り上
がるように、噴出口５３からの洗浄液１００の噴出圧力
が調整される。この状態において、上述したのと同様
に、洗浄液１００の液面が盛り上がった部分に半導体ウ
ェハ１０が投入される。これにより、半導体ウェハ１０
表面に付着したパーティクルが液面の流れにより洗浄液
槽２０の外部に排出される。

【００５１】次に、更に安定した洗浄液１００の液面で
の流れが得られる洗浄液槽の例を図３０，図３１，図３
２に基づいて説明する。

【００５２】第一の例が図３０，図３１に示される。図
３０において、洗浄液槽２０の前壁２０ｃ及び後壁２ｄ
の高さが側壁２０ａ，２０ｂより低くなっている。この
ような構造により、側面２０ａ，２０ｂから洗浄液１０
０が流出することが防止される。従って、パイプ１２を
含み開口面Ｓ₀に垂直な面Ｓ₁と該開口面Ｓ₀との交線
ｌに沿って洗浄液１００の液面が盛り上げられると、図
５３に示すように、洗浄液１００の表面には、一方の側
壁２０ａから他方の側壁２０ｂに渡って、平面Ｓ₁から
遠ざかる方向の安定した流れが得られる。これにより、
半導体ウェハ１０から流れ落とされたパーティクルが半
導体ウェハ１０に再度付着する確率が更に低下する。

【００５３】第二の例が図３２に示される。図３２にお
いて、前壁２０ｃ及び後壁２０ｄの上端部に溝４８が所
定の間隔で形成されている。この第二の例でも、洗浄液
１００は主に前壁２０ｃ、後壁２０ｄに形成された溝４
８から流出する。従って、上記第一の例と同様に、洗浄
液１００の液面には平面Ｓ₁から遠ざかる方向の安定し
た流れが得られる。また、図４２及び図４３に示す機構
であっても上記と同様の効果が得られる。次に、本発明
に係る洗浄方法の他の実施例を図３３，図３４，図３５
に基づいて説明する。

【００５４】図３３は、本実施例に係る洗浄方法におい
て使用される洗浄方法の概略を示す。図３３において、
洗浄液槽２０の底面の上方所定位置に多数の噴出口６３
が形成れた仕切板６４が設けられている。洗浄液槽２０
の側壁２０ａには供給パイプ６２が接続され、洗浄液槽
２０の底面と仕切板６４との間のスペースに洗浄液１０
０が供給されるようになっている。そして、該スペース
に供給された洗浄液１００は仕切板６４上に形成された
噴出口６３から上方に向って噴出される。この洗浄液槽
１００に満された洗浄液は洗浄液槽１００の上部開口面
Ｓ₀から流出する。洗浄液槽１００の前壁２０ｃの上部
には第一の折れ壁２０ｃ（１）及び第二の折れ壁２０ｃ
（２）が形成されている。第一の折れ壁２０ｃ（１）は
該第一の折れ壁２０ｃ（１）と第二の折れ壁２０ｃ
（２）との境界線を軸に洗浄液槽１００の外側に折れ
る。第二の折れ壁２０ｃ（２）は該第二の折れ壁２０ｃ
（２）と前壁２０ｃの下部との境界線を軸に洗浄液槽１
００の外側に折れる。洗浄液槽１００の後壁２０ｄの上
部にも前壁２０ｃと同様に第一の折れ壁２０ｄ（１）及
び第二の折れ壁２０Ｃ（２）が形成され、この第一の折
れ壁２０ｄ（１）及び第二の折れ壁２０ｄ（２）も前壁
２０ｃに設けたものと同様に洗浄液槽１００の外側に折
れる。

【００５５】上述したように、洗浄液１００が洗浄液槽
２０の開口面Ｓ₀（オーバーフロー面）から流出してい
る状態で、ロボットハンガー５の各ハンガーアーム５
ａ，５ｂ，５ｃに支持された所定枚数の半導体ウェハ１
００が徐々に下がっていく。そして、半導体ウェハ１０
０の下縁部を支持するハンガーアーム５ｂが洗浄液１０
０の液面に達する直前に、洗浄液槽２０の前壁２０ｃ及
び後壁２０ｄの第一の折れ壁２０ｃ（１）及び２０ｄ
（１）が、図３４に示すように折れる。すると、洗浄液
槽２０のオーバーフロー面が初期の開口面Ｓ₀から第一
の折れ壁２０ｃ（１），２０ｄ（１）で決まる開口面Ｓ
₀₁に低下する。このオーバーフロー面の低下により、洗
浄液１００の液面には、前壁２０ｃ及び後壁２０ｄに向
う一様な流れが形成される。そして、この流れが形成さ
れている間、半導体ウェハ１０は徐々に洗浄液１００に
投入されてゆく。この間、ハンガーアーム５ｂ付近に付
着したパーティクルは、洗浄液１００の液面に形成され
た流れに従って洗浄液槽２０の開口面Ｓ₀₁から流出す
る。洗浄液１００の液面がほぼ開口面Ｓ₀₁に達すると、
洗浄液１００の液面の流れは図３３に示す初期の状態と
ほぼ同様の状態となる。更に、この状態で半導体ウェハ
１０が千以上液１００に沈む。そして、半導体ウェハ１
０の側縁部を支持するハンガーアーム５ａ，５ｃが洗浄
液１００の液面に達する直前に、洗浄液槽２０の前壁２
０ｃ及び後壁２０ｄの第二の折れ壁２０ｃ（２）及び２
０ｄ（２）が図３５に示すように折れる。すると、洗浄
液槽２０のオーバーフロー面が開口面Ｓ₀₁から更に第二
の折れ壁２０ｃ（２），、２０ｄ（２）で決まる開口面
Ｓ₀₂に低下する。このオーバーフロー面の更なる低下に
より、洗浄液１００の液面には、前壁２０ｃ及び後壁２
０ｄに向う一様な流れが再度形成される。そして、この
流れが形成されている間、半導体ウェハ１０は再度徐々
に洗浄液１００に投入されていく。この間、ハンガーア
ーム５ａ，５ｃ付近に付着したパーティクルは、洗浄液
１００の液面に形成された流れに従って洗浄液槽２０の
開口面Ｓ₀₂から流出する。その後半導体ウェハ１０は洗
浄液１００中に完全に浸漬され、洗浄液１００中で洗浄
される。

【００５６】上記実施例によれば、洗浄液槽２０におけ
る洗浄液１００が流出するオーバーフロー面が順次低下
し、そのオーバーフロー面の低下の都度、洗浄液１００
の液面には前壁２０ｃ及び後壁２０ｄに向う一様な流れ
が形成される。従って、この流れによって半導体ウェハ
１０に付着したパーティクルは洗浄液槽２０から流出さ
れ、洗浄液１００の液面に残留するパーティクルはほと
んどない。

【００５７】−実験例− 図４０，図４１に示す従来の洗浄方法により半導体ウェ
ハを洗浄した場合、洗浄後に半導体ウェハの表面に付着
していた粒径０．３μｍ以上のパーティクルが８６２個
であった。これに対して、図２乃至図７に示す本発明に
係る洗浄方法により半導体ウェハを洗浄した場合、洗浄
後に半導体表面に付着していたパーティクルは２３個で
あった。

【００５８】本発明は上述した実施例に限定されること
はない。例えば、半導体装置の製造に用いられるマス
ク、レティクル、あるいはＬＣＤ基板の洗浄にも本発明
に係る洗浄方法は適用可能である。

【００５９】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、洗浄液の表面の流れが洗浄液槽のオーバーフロー面
にほぼ垂直となる所定の面から主に遠ざかる方向に進む
ように洗浄液をオーバーフロー面から流出させ、このよ
うな状態で、板状物がその所定の面と交わりかつ板状物
の表面が洗浄液表面の主な流れとほぼ平行となるように
該板状物を洗浄液に投入するようにしたので、板状物を
洗浄液中に沈めていく過程で板状物の表面のパーティク
ルが洗浄液表面の流れに従って、洗浄液槽の外部に流出
される。従って、洗浄液の種面に残留するパーティクル
はほとんどなくなり、板状物表面にはパーティクルがほ
とんど再度付着すくことはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を示す図である。

【図２】本発明の実施例に係る洗浄方法に用いられる洗
浄装置の概略図である。

【図３】洗浄液面に形成される流れを示す図である。

【図４】本発明の実施例に係る洗浄方法に従って洗浄の
手順を示す図である。

【図５】本発明の実施例に係る洗浄方法に従って洗浄の
手順を示す図である。

【図６】本発明の実施例に係る洗浄方法に従って洗浄の
手順を示す図である。

【図７】本発明の実施例に係る洗浄方法に従って洗浄の
手順を示す図である。

【図８】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。

【図９】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。

【図１０】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。

【図１１】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。

【図１２】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。

【図１３】洗浄液槽の実施例を示す図である。

【図１４】洗浄液槽の他の実施例を示す図である。

【図１５】パイプからの洗浄液の噴出圧力分布を示す図
である。

【図１６】洗浄液槽の更に他の実施例を示す図である。

【図１７】図１６に示す洗浄液槽内での洗浄液の噴出圧
力分布を示す図である。

【図１８】図１６に示す洗浄液槽内での洗浄液の噴出圧
力分布を示す図である。

【図１９】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。

【図２０】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。

【図２１】図１９及び図２０に示す噴出機構の作用を示
す図である。

【図２２】洗浄装置の実施例を示す図である。

【図２３】洗浄装置の実施例を示す図である。

【図２４】図２２及び図２３で示す洗浄装置を用いた洗
浄方法を示す図である。

【図２５】図２２及び図２３に示す洗浄装置の変形例を
示す図である。

【図２６】洗浄装置の他の実施例を示す図である。

【図２７】図２６に示す洗浄装置を用いた洗浄方法を示
す図である。

【図２８】洗浄液槽の例を示す図である。

【図２９】洗浄液の噴出状態を示す図である。

【図３０】洗浄液槽の例を示す図である。

【図３１】洗浄液槽の例を示す図である。

【図３２】洗浄液槽の例を示す図である。

【図３３】洗浄方法の他の実施例を示す図である。

【図３４】洗浄方法の他の実施例を示す図である。

【図３５】洗浄方法の他の実施例を示す図である。

【図３６】半導体ウェハのキャリアにおいてパーティク
ルが発生するメカニズムを示す図である。

【図３７】パーティクルが半導体ウェハの表面に付着す
るメカニズムを示す図である。

【図３８】半導体ウェハを支持するロボットハンガーを
示す図である。

【図３９】半導体ウェハを支持するロボットハンガーを
示す図である。

【図４０】従来の半導体ウェハの洗浄方法を示す図であ
る。

【図４１】従来の半導体ウェハの洗浄方法を示す図であ
る。

【図４２】従来洗浄液面に形成される流を示す図であ
る。

【図４３】洗浄液槽の他の実施例を示す図である。

【図４４】洗浄装置の他の実施例を示す図である。

【符号の説明】

１液槽２，１００洗浄液３板状物５ロボットハンガー１０半導体ウェハ１２パイプ１３噴出口２０洗浄液槽

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者早見由香神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者市橋精二愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２富士通ヴィエルエスアイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上部に洗浄液（２）が流出するオーバー
フロー面（Ｓ₀）を有する液槽（１）に洗浄液（２）を
満して該洗浄液（２）の表面の流れが該オーバーフロー
面（Ｓ₀）にほぼ垂直となる所定の面（Ｓ₁）から主に
遠ざかる方向に進むように該洗浄液（２）をオーバーフ
ロー面（Ｓ₀）から流出させ、洗浄液（２）がオーバーフロー面（Ｓ₀）から流出して
いる状態で、板状物（３）が該所定の面（Ｓ₁）と交わ
りかつ板状物（３）の表面が洗浄液（２）表面の主な流
れとほぼ平行となるように該板状物（３）を洗浄液
（２）に投入するようにした板状物の洗浄方法。
【請求項２】請求項１記載の洗浄方法において、オーバーフロー面（Ｓ₀）と該所定の面（Ｓ₁）との交
線（ｌ）に沿って洗浄液（２）表面をもり上げ、その洗
浄液（２）表面のもり上がりにより、洗浄液（２）表面
の流れが該所定の面（ｌ）から遠ざかる方向に進むよう
にした板状物の洗浄方法。
【請求項３】請求項２記載の洗浄方法において、液槽（１）の下部からオーバーフロー面（Ｓ₀）に向け
て洗浄液（２）を噴出し、オーバーフロー面（Ｓ₀）と
該所定の面（Ｓ₁）との交線（ｌ）に沿って洗浄液
（２）表面がもり上がるように、洗浄液（２）の噴出圧
を該所定の面（Ｓ）から遠ざかるに従って小さくなるよ
うにした板状物の洗浄方法。
【請求項４】請求項１記載の洗浄方法において、洗浄液（２）を液槽（１）に満した状態で、該所定の面
（Ｓ₁）に対向する液槽の壁の上部を開放してオーバー
フロー面（Ｓ₀）を下げ、この液槽（１）の壁の上部を
開放することにより、洗浄液（２）表面の流が所定の面
（Ｓ₁）からそれに対向する該液槽（１）の壁に向う方
向に進むようした板状物の洗浄方法。
【請求項５】上部に洗浄液（２）が流出するオーバー
フスー面（Ｓ₀）を有した液槽（１）と、該液槽（１）内に満された洗浄液（２）の表面に、該オ
ーバーフロー面（Ｓ₀）にほぼ垂直となる所定の面（Ｓ
₁）から遠ざかる方向に液流を発生させる液流発生手段
（１２）とを有する洗浄液槽。
【請求項６】請求項５記載の洗浄槽において、液流発
生手段は、複数の噴出口が所定間隔で直線上に配列され
るように形成され、該噴出口から洗浄液を噴出するパイ
プと、パイプの噴出口に対向するように設けられ、噴出
口から噴出する洗浄液の流れを絞る整流機構とを有し、
整流機構を介して上方に噴出する洗浄液により液面が盛
り上げられ、その洗浄液表面の盛り上げにより、洗浄液
表面に、該オーバーフロー面にほぼ垂直となる所定の面
から遠ざかる方向に液流が発生させられるようにした洗
浄液槽。
【請求項７】請求項６記載の洗浄液槽において、上記
整流機構は、パイプの噴出口から噴出された洗浄液の流
れを除々に絞りながら上方に案内するガイド機構と、ガ
イド機構に続いて設けられ、洗浄液の流れを規制するス
リットが形成されたスリット板とを有する洗浄液槽。
【請求項８】請求項６記載の洗浄液槽において、上記
整流機構は、パイプの上方に設けられ、該パイプに対向
するように形成されたスリットを有する板部材にて構成
された洗浄液槽。
【請求項９】請求項６記載の洗浄液槽において、上記
整流機構は、パイプ上に一列に配列された噴出口をはさ
むようにパイプ上に設けられた２枚の壁体を少なくとも
有し、該壁体間の領域に洗浄水を導くための開口が各壁
体に形成された洗浄液槽。
【請求項１０】請求項９記載の洗浄液槽において、上
記壁体はパイプ上に設けられた直方体形状のフレーム体
の一部である洗浄液槽。
【請求項１１】請求項９記載の洗浄液槽において、上
記各壁体に形成される開口は、各壁体下端部に形成され
るスリットである洗浄液槽。
【請求項１２】請求項６記載の洗浄槽において、液流
発生手段は、複数の噴出口が所定間隔で直線上に配列さ
れるように形成され、該噴出口から洗浄液を噴出する複
数のパイプと、各パイプ毎に設けられ、各パイプの噴出
口から噴出される洗浄液の噴出圧を調整する圧力調整機
構とを有し、圧力調整機構により各パイプからの洗浄液
の噴出圧を調整して洗浄液の表面を盛り上げ、この洗浄
液表面の盛り上げにより洗浄液表面に該オーバーフロー
面にほぼ垂直となる所定の面から遠ざかる方向に液流が
発生させられるようにした洗浄液槽。
【請求項１３】上部に洗浄液（２）が流出するオーバ
ーフロー面（Ｓ₀）を有した液槽（１）と、該液槽
（１）内に満された洗浄液（２）の表面に、該オーバー
フロー面（Ｓ₀）にほぼ垂直な所定の面（Ｓ₁）から遠
ざかる方向に液流を発生させる液流発生手段（１２）と
を有した洗浄液槽と、板状物（３）が該所定の面
（Ｓ₁）と交わりかつ板状物（３）の表面が上記液流発
生手段（１２）にて発生された洗浄液（２）表面の流れ
にほぼ平行となるように板状物（３）を液槽（１）内を
満す洗浄液（２）に投入する被洗浄物投入機構（５）と
を備える洗浄装置。
【請求項１４】請求項１３記載の洗浄装置において、
液流発生手段は、複数の噴出口が所定間隔で直線上に配
列されるように形成され、該噴出口から洗浄液を噴出す
るパイプを有し、パイプ上の噴出口から上方に噴出する
洗浄液により液面が盛り上げられ、その洗浄液表面の盛
り上げにより洗浄液表面に、該オーバーフロー面とほぼ
垂直となる所定の面から遠ざかる方向に液流が発生させ
られるようにした洗浄液槽。
【請求項１５】請求項１４の洗浄装置において、該パ
イプが液槽の底面より上方に設けられ、該洗浄物投入機
構により板状物が所定の位置まで洗浄液に投入されたと
きに該パイプを待避させるパイプ移動機構を備えた洗浄
装置。
【請求項１６】請求項１５の洗浄装置において、パイ
プ移動機構は、パイプを液槽のオーバーフロー面にほぼ
水平方向に移動させる水平移動機構である洗浄装置。
【請求項１７】請求項１５の洗浄装置において、パイ
プ移動機構はパイプを液槽の底面方向に移動させる垂直
移動機構である洗浄装置。