JPH0628766A - 磁気記憶媒体,磁気書込み/読出し処理装置及びその制御方法 - Google Patents
磁気記憶媒体,磁気書込み/読出し処理装置及びその制御方法Info
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- JPH0628766A JPH0628766A JP18231292A JP18231292A JPH0628766A JP H0628766 A JPH0628766 A JP H0628766A JP 18231292 A JP18231292 A JP 18231292A JP 18231292 A JP18231292 A JP 18231292A JP H0628766 A JPH0628766 A JP H0628766A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気記憶媒体及び磁気書込み/読出
し処理装置の改善に関し、磁気書込み/読出手段や磁気
検出手段の制御方法を工夫して、当該磁気記憶媒体が斜
めにセットされた場合であっても、その相関位置を補正
して、正確に磁気情報の書込み/読出し処理を行うこ
と、及び、磁気情報の書込み処理を工夫して、その安全
性の確保することを目的とする。 【構成】 磁気記憶媒体は、カード本体部11に第1,
第2の磁気記憶領域A1A2とを具備し、該領域A2に
設けられた被識別情報DDが磁気データMDの書込み/
読出しモードM〔θ〕を決定することを含み構成し、そ
の装置は、移動手段12,磁気書込み/読出し手段1
3,磁気検出手段14と、各種手段12,13及び手段
14の入出力を制御する制御手段15とを具備し、書込
み/読出しモードM〔θ〕に基づいて磁気書込み/読出
し手段13を回動する駆動手段13Aが設けられることを
含み構成する。
し処理装置の改善に関し、磁気書込み/読出手段や磁気
検出手段の制御方法を工夫して、当該磁気記憶媒体が斜
めにセットされた場合であっても、その相関位置を補正
して、正確に磁気情報の書込み/読出し処理を行うこ
と、及び、磁気情報の書込み処理を工夫して、その安全
性の確保することを目的とする。 【構成】 磁気記憶媒体は、カード本体部11に第1,
第2の磁気記憶領域A1A2とを具備し、該領域A2に
設けられた被識別情報DDが磁気データMDの書込み/
読出しモードM〔θ〕を決定することを含み構成し、そ
の装置は、移動手段12,磁気書込み/読出し手段1
3,磁気検出手段14と、各種手段12,13及び手段
14の入出力を制御する制御手段15とを具備し、書込
み/読出しモードM〔θ〕に基づいて磁気書込み/読出
し手段13を回動する駆動手段13Aが設けられることを
含み構成する。
Description
【0001】〔目 次〕 産業上の利用分野 従来の技術(図13) 発明が解決しようとする課題(14図) 課題を解決するための手段(図1, 図2) 作用 実施例 (1)第1の実施例(図3〜8) (2)第2の実施例(図9〜11) (3)第3の実施例(図12) 発明の効果
【0002】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記憶媒体,磁気書
込み/読出し処理装置及びその制御方法に関するもので
あり、更に詳しく言えば、磁気データの書込み/読出し
処理をする装置,制御方法及び磁気カードの改善に関す
るものである。
込み/読出し処理装置及びその制御方法に関するもので
あり、更に詳しく言えば、磁気データの書込み/読出し
処理をする装置,制御方法及び磁気カードの改善に関す
るものである。
【0003】近年、コンピュータ情報処理の高速化、そ
の情報量の増加に伴い個々の情報を磁気カードに書き込
み処理をしたり、読出し処理をしたりする磁気カードリ
ード/ライト装置が使用されている。
の情報量の増加に伴い個々の情報を磁気カードに書き込
み処理をしたり、読出し処理をしたりする磁気カードリ
ード/ライト装置が使用されている。
【0004】これによれば、当該磁気カードを内部に円
滑に導くために、カード幅に対して、磁気カードリード
/ライト装置の挿入口の幅が余裕を持つように隙間が設
けられている。
滑に導くために、カード幅に対して、磁気カードリード
/ライト装置の挿入口の幅が余裕を持つように隙間が設
けられている。
【0005】このため、磁気カードが斜めに移動搬入さ
れることがあり、制御系が認識している磁気カードの磁
気記憶領域の指定位置において、磁気データの書込み/
読出し処理を正確に行うことができない場合がある。
れることがあり、制御系が認識している磁気カードの磁
気記憶領域の指定位置において、磁気データの書込み/
読出し処理を正確に行うことができない場合がある。
【0006】また、カード挿入方向に対して常に垂直方
向に磁気データが整列して磁気記憶領域に格納されるた
め、該データの改ざん等の安全性の確保(セキュリテ
ィ)に欠けることがある。
向に磁気データが整列して磁気記憶領域に格納されるた
め、該データの改ざん等の安全性の確保(セキュリテ
ィ)に欠けることがある。
【0007】そこで、磁気ヘッドや磁気センサの制御方
法を工夫して、当該磁気記憶媒体が斜めにセットされた
場合であっても、その相関位置を補正して、正確に磁気
情報の書込み/読出し処理を行うこと、及び、磁気情報
の書込み処理を工夫して、その安全性の確保することが
できる磁気カード,その処理装置及びその処理方法が望
まれている。
法を工夫して、当該磁気記憶媒体が斜めにセットされた
場合であっても、その相関位置を補正して、正確に磁気
情報の書込み/読出し処理を行うこと、及び、磁気情報
の書込み処理を工夫して、その安全性の確保することが
できる磁気カード,その処理装置及びその処理方法が望
まれている。
【0008】
【従来の技術】図13,14は、従来例に係る説明図であ
る。また、図13(a),(b)は、従来例に係る磁気カ
ードリード/ライト装置の構成図であり、図13(a)は
その断面図を示している。
る。また、図13(a),(b)は、従来例に係る磁気カ
ードリード/ライト装置の構成図であり、図13(a)は
その断面図を示している。
【0009】図13(a)において、磁気カードリード/
ライト装置は磁気カード4を挿入する装置本体部1に上
部ケース3A,下部ケース3Bが設けられている。該上
部ケース3Aにはカード認識用センサ2が設けられ、下
部ケース3Bには、搬送用ベルト5,磁気ヘッド6,駆
動用ローラ7等が具備されている。
ライト装置は磁気カード4を挿入する装置本体部1に上
部ケース3A,下部ケース3Bが設けられている。該上
部ケース3Aにはカード認識用センサ2が設けられ、下
部ケース3Bには、搬送用ベルト5,磁気ヘッド6,駆
動用ローラ7等が具備されている。
【0010】なお、カード認識用センサ2Aと磁気ヘッ
ド6との取り付け位置が、例えば、離隔距離L3に規定
されている。また、当該装置に適用される磁気カード4
は図13(b)に示すように磁気データMDを格納する磁
気記憶領域Aがその端部から離隔距離L5の位置からカ
ード移動方向に長さL4を有している。
ド6との取り付け位置が、例えば、離隔距離L3に規定
されている。また、当該装置に適用される磁気カード4
は図13(b)に示すように磁気データMDを格納する磁
気記憶領域Aがその端部から離隔距離L5の位置からカ
ード移動方向に長さL4を有している。
【0011】当該装置の機能は、図14(b)に示すよう
に、まず、ステップP1で磁気カード4が挿入される
と、ステップP2で磁気カード送り処理を開始する。次
に、ステップP3でカード認識処理をする。この際に、
カード認識用センサ2により該カード4の挿入が認識さ
れる。
に、まず、ステップP1で磁気カード4が挿入される
と、ステップP2で磁気カード送り処理を開始する。次
に、ステップP3でカード認識処理をする。この際に、
カード認識用センサ2により該カード4の挿入が認識さ
れる。
【0012】その後、ステップP4で磁気カード4のL
3送り処理をする。ここでは、駆動用ローラ7及び搬送
用ベルト(以下カード搬送系という)5により該カード
4が移動処理され、その端部が磁気ヘッド6の取り付け
位置に到達する。
3送り処理をする。ここでは、駆動用ローラ7及び搬送
用ベルト(以下カード搬送系という)5により該カード
4が移動処理され、その端部が磁気ヘッド6の取り付け
位置に到達する。
【0013】次いで、ステップP5で磁気カード4のL
5送り処理をする。これにより、その磁気記憶領域Aの
端部が磁気ヘッド6の取り付け位置に到達する。次に、
ステップP6で磁気カード4のL4送り処理をする。こ
の際に、磁気記憶領域Aの書込み/読出し開始位置に磁
気ヘッド6を位置合せするため、その端面から磁気記憶
領域Aの長さL4分だけ、ステップモータが所定ステッ
プ送り処理される。なお、磁気カード4の移動量は、カ
ード搬送用のローラやギア等にエンコーダが設けられ、
その回転数から算出される。
5送り処理をする。これにより、その磁気記憶領域Aの
端部が磁気ヘッド6の取り付け位置に到達する。次に、
ステップP6で磁気カード4のL4送り処理をする。こ
の際に、磁気記憶領域Aの書込み/読出し開始位置に磁
気ヘッド6を位置合せするため、その端面から磁気記憶
領域Aの長さL4分だけ、ステップモータが所定ステッ
プ送り処理される。なお、磁気カード4の移動量は、カ
ード搬送用のローラやギア等にエンコーダが設けられ、
その回転数から算出される。
【0014】これにより、ステップP7で磁気データの
リード/ライト処理をする。この際に、制御系が認識し
ている磁気記憶領域Aの指定位置で磁気データMDの書
込み/読出し処理が行われる。
リード/ライト処理をする。この際に、制御系が認識し
ている磁気記憶領域Aの指定位置で磁気データMDの書
込み/読出し処理が行われる。
【0015】さらに、ステップP8で磁気カード4のL
4送りの終了した否かの判断をする。この際に、磁気カ
ード4のL4送りが終了した場合(YES)にはステップ
P9に移行する。また、それが終了しない場合(NO)
にはステップP7に戻って、磁気データ(磁気情報)M
Dのリード/ライト処理を継続する。
4送りの終了した否かの判断をする。この際に、磁気カ
ード4のL4送りが終了した場合(YES)にはステップ
P9に移行する。また、それが終了しない場合(NO)
にはステップP7に戻って、磁気データ(磁気情報)M
Dのリード/ライト処理を継続する。
【0016】従って、ステップP8で磁気カード4のL
4送りの終了した場合(YES)にはステップP9で磁気
カード4の排出をする。
4送りの終了した場合(YES)にはステップP9で磁気
カード4の排出をする。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例によ
れば、図13(b)に示すような幅wの磁気カード4に対
して、図14(a)に示すような磁気カードリード/ライ
ト装置の挿入口の幅Wが余裕を持つように,例えば、W
=2δ+wに規定されている。但し、δは隙間であり、
当該磁気カード4を内部に円滑に導くために設けられ
る。
れば、図13(b)に示すような幅wの磁気カード4に対
して、図14(a)に示すような磁気カードリード/ライ
ト装置の挿入口の幅Wが余裕を持つように,例えば、W
=2δ+wに規定されている。但し、δは隙間であり、
当該磁気カード4を内部に円滑に導くために設けられ
る。
【0018】また、図14(a)において、カード挿入口
の両側付近に設けられた1対の隙間ガイド機構8により
当該磁気カード4を制御系が意図する位置に導入してい
る。しかし、当該隙間ガイド機構8により磁気カード4
と装置本体部1との間の隙間δが規定されるのにも係わ
らず、磁気カード4が斜めに移動搬入されることがあ
る。
の両側付近に設けられた1対の隙間ガイド機構8により
当該磁気カード4を制御系が意図する位置に導入してい
る。しかし、当該隙間ガイド機構8により磁気カード4
と装置本体部1との間の隙間δが規定されるのにも係わ
らず、磁気カード4が斜めに移動搬入されることがあ
る。
【0019】これは、ユーザの経時的な使用態様により
磁気カード4の長さ方向の端面が荒れや傷等により変形
し、それがカード挿入開始時には、正常に挿入された場
合であっても、その変形部が隙間ガイド機構8により吸
収できずに、それを原因として、その内部に斜め方向に
移動され、その結果斜めに磁気カード4がセットされた
状態と考えられる。
磁気カード4の長さ方向の端面が荒れや傷等により変形
し、それがカード挿入開始時には、正常に挿入された場
合であっても、その変形部が隙間ガイド機構8により吸
収できずに、それを原因として、その内部に斜め方向に
移動され、その結果斜めに磁気カード4がセットされた
状態と考えられる。
【0020】このため、図14(b)の処理フローチャー
トのステップP7において、制御系が認識している磁気
記憶領域Aの指定位置で磁気データMDの書込み/読出
し処理をしようとしても、当該磁気カード4が斜めにセ
ットされたため、誤った位置の磁気データMDを読出し
たり、また、誤った位置に磁気データMDを書き込む場
合がある。
トのステップP7において、制御系が認識している磁気
記憶領域Aの指定位置で磁気データMDの書込み/読出
し処理をしようとしても、当該磁気カード4が斜めにセ
ットされたため、誤った位置の磁気データMDを読出し
たり、また、誤った位置に磁気データMDを書き込む場
合がある。
【0021】これにより、本来、制御系が認識する磁気
カード4の磁気記憶領域Aの指定位置において、磁気デ
ータMDの書込み/読出し処理を正確に行うことができ
ず、当該磁気カードリード/ライト装置の信頼度の低下
を招くという第1の問題がある。
カード4の磁気記憶領域Aの指定位置において、磁気デ
ータMDの書込み/読出し処理を正確に行うことができ
ず、当該磁気カードリード/ライト装置の信頼度の低下
を招くという第1の問題がある。
【0022】また、第1の問題を解決すべく、制御系が
指定する磁気記憶領域Aの指定位置において、磁気デー
タMDの誤書込み/読出し処理を避けるため、個々の磁
気データの記憶番地について、その格納位置を十分に間
隔を空けて書込み処理をする方法が考えられる。
指定する磁気記憶領域Aの指定位置において、磁気デー
タMDの誤書込み/読出し処理を避けるため、個々の磁
気データの記憶番地について、その格納位置を十分に間
隔を空けて書込み処理をする方法が考えられる。
【0023】しかし、当該磁気カード4に、本来、磁気
データを記憶することが可能な磁気記憶許容量に比べ
て、その格納位置の制限から書込み情報量の削減が余儀
無くされるという第2の問題がある。
データを記憶することが可能な磁気記憶許容量に比べ
て、その格納位置の制限から書込み情報量の削減が余儀
無くされるという第2の問題がある。
【0024】なお、本発明者らが先に特許出願(特許出
願平成4−51793)をした「磁気記憶媒体,情報書
込み/読出し処理装置及び情報書込み/読出し処理方
法」によれば、取り扱う磁気データの削減に依存するこ
となく、当該磁気カードが斜めにセットされた場合であ
っても、その相関位置を補正して、正確に磁気データの
書込み/読出し処理を行うことが可能となる。
願平成4−51793)をした「磁気記憶媒体,情報書
込み/読出し処理装置及び情報書込み/読出し処理方
法」によれば、取り扱う磁気データの削減に依存するこ
となく、当該磁気カードが斜めにセットされた場合であ
っても、その相関位置を補正して、正確に磁気データの
書込み/読出し処理を行うことが可能となる。
【0025】しかし、磁気ヘッド(以下磁気書込み/読
出手段ともいう)や磁気センサ(以下磁気検出手段とも
いう)等が装置本体部1に固定されているため、磁気カ
ード(以下磁気記憶媒体ともいう)が斜めにセットされ
た場合、該カードと磁気ヘッドとの相関位置を補正する
ことができる補正可能範囲が限定されること、及び、そ
のカード挿入方向に対して常に垂直方向に磁気データM
Dが整列して磁気記憶領域に格納されるため、該データ
MDの改ざん等の安全性の確保(セキュリティ)に欠け
るという第3の問題がある。
出手段ともいう)や磁気センサ(以下磁気検出手段とも
いう)等が装置本体部1に固定されているため、磁気カ
ード(以下磁気記憶媒体ともいう)が斜めにセットされ
た場合、該カードと磁気ヘッドとの相関位置を補正する
ことができる補正可能範囲が限定されること、及び、そ
のカード挿入方向に対して常に垂直方向に磁気データM
Dが整列して磁気記憶領域に格納されるため、該データ
MDの改ざん等の安全性の確保(セキュリティ)に欠け
るという第3の問題がある。
【0026】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、磁気書込み/読出手段や磁気検出
手段の制御方法を工夫して、当該磁気記憶媒体が斜めに
セットされた場合であっても、その相関位置を補正し
て、正確に磁気情報の書込み/読出し処理を行うこと、
及び、磁気情報の書込み処理を工夫して、その安全性の
確保することが可能となる磁気記憶媒体,磁気書込み/
読出し処理装置及びその制御方法の提供を目的とする。
作されたものであり、磁気書込み/読出手段や磁気検出
手段の制御方法を工夫して、当該磁気記憶媒体が斜めに
セットされた場合であっても、その相関位置を補正し
て、正確に磁気情報の書込み/読出し処理を行うこと、
及び、磁気情報の書込み処理を工夫して、その安全性の
確保することが可能となる磁気記憶媒体,磁気書込み/
読出し処理装置及びその制御方法の提供を目的とする。
【0027】
【課題を解決するための手段】図1(a),(b)は、
本発明に係る磁気記憶媒体及び磁気書込み/読出し処理
装置の原理図であり、図2は、本発明に係る磁気書込み
/読出し処理装置の制御方法の原理図をそれぞれ示して
いる。
本発明に係る磁気記憶媒体及び磁気書込み/読出し処理
装置の原理図であり、図2は、本発明に係る磁気書込み
/読出し処理装置の制御方法の原理図をそれぞれ示して
いる。
【0028】本発明の磁気記憶媒体は図1(a)に示す
ように、少なくとも、カード本体部11に磁気データM
Dを格納する第1の磁気記憶領域A1と、前記カード本
体部11又は第1の磁気記憶領域A1に被識別情報DD
を格納する第2の磁気記憶領域A2とを具備し、前記被
識別情報DDが磁気データMDの書込み/読出しモード
M〔θ〕を決定することを特徴とする。
ように、少なくとも、カード本体部11に磁気データM
Dを格納する第1の磁気記憶領域A1と、前記カード本
体部11又は第1の磁気記憶領域A1に被識別情報DD
を格納する第2の磁気記憶領域A2とを具備し、前記被
識別情報DDが磁気データMDの書込み/読出しモード
M〔θ〕を決定することを特徴とする。
【0029】また、本発明の磁気記憶媒体において、前
記磁気データMDや被識別情報DDがカード挿入方向に
対して任意の角度θxを有して第1の磁気記憶領域A1
や第2の磁気記憶領域A2に格納されることを特徴とす
る。
記磁気データMDや被識別情報DDがカード挿入方向に
対して任意の角度θxを有して第1の磁気記憶領域A1
や第2の磁気記憶領域A2に格納されることを特徴とす
る。
【0030】さらに、本発明の第1の磁気書込み/読出
し処理装置は、図1(b)に示すように磁気記憶媒体1
7を移動する移動手段12と、前記磁気記憶媒体17の
磁気データMDの書込み/読出しをする磁気書込み/読
出し手段13と、前記磁気記憶媒体17の被識別情報D
Dを検出する磁気検出手段14と、前記移動手段12,
磁気書込み/読出し手段13及び磁気検出手段14の入
出力を制御する制御手段15とを具備し、前記磁気記憶
媒体17の書込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて磁
気書込み/読出し手段13を回動する駆動手段13Aが設
けられることを特徴とする。
し処理装置は、図1(b)に示すように磁気記憶媒体1
7を移動する移動手段12と、前記磁気記憶媒体17の
磁気データMDの書込み/読出しをする磁気書込み/読
出し手段13と、前記磁気記憶媒体17の被識別情報D
Dを検出する磁気検出手段14と、前記移動手段12,
磁気書込み/読出し手段13及び磁気検出手段14の入
出力を制御する制御手段15とを具備し、前記磁気記憶
媒体17の書込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて磁
気書込み/読出し手段13を回動する駆動手段13Aが設
けられることを特徴とする。
【0031】また、本発明の第2の磁気書込み/読出し
処理装置は、図1(b)に示すように、本発明の第1の
磁気書込み/読出し処理装置において、前記磁気検出手
段14を回動する駆動手段14Aが設けられることを特徴
とする。
処理装置は、図1(b)に示すように、本発明の第1の
磁気書込み/読出し処理装置において、前記磁気検出手
段14を回動する駆動手段14Aが設けられることを特徴
とする。
【0032】なお、本発明の第1,第2の磁気書込み/
読出し処理装置において、図1(b)に示すように、前
記駆動手段13Aや駆動手段14Aの出力制御をする移動補
正データDS(+) ,DS(−) や移動制御データDS(+
θ) ,DS(−θ) を記憶する記憶手段16が設けられる
ことを特徴とする。
読出し処理装置において、図1(b)に示すように、前
記駆動手段13Aや駆動手段14Aの出力制御をする移動補
正データDS(+) ,DS(−) や移動制御データDS(+
θ) ,DS(−θ) を記憶する記憶手段16が設けられる
ことを特徴とする。
【0033】また、本発明の第3の磁気書込み/読出し
処理装置は、本発明の第1,第2の磁気書込み/読出し
処理装置において、前記磁気検出手段14と磁気書込み
/読出し手段13とが兼用されることを特徴とする。
処理装置は、本発明の第1,第2の磁気書込み/読出し
処理装置において、前記磁気検出手段14と磁気書込み
/読出し手段13とが兼用されることを特徴とする。
【0034】さらに、本発明の磁気書込み/読出し処理
装置の第1の制御方法は、磁気記憶媒体17に係わり磁
気データMDの書込み/読出し制御をする方法におい
て、図2(a)の処理フローチャートに示すように、予
め、ステップP1でカード本体部11に格納された磁気
データMDの書込み/読出しモードM〔θ〕の認識処理
をし、次いで、ステップP2で前記認識処理に基づいて
磁気記憶媒体17の傾き量の演算処理をし、その後、ス
テップP3で前記演算処理に基づいて磁気データMDの
書込み/読出しをする磁気書込み/読出し手段13の位
置補正処理をすることを特徴とする。
装置の第1の制御方法は、磁気記憶媒体17に係わり磁
気データMDの書込み/読出し制御をする方法におい
て、図2(a)の処理フローチャートに示すように、予
め、ステップP1でカード本体部11に格納された磁気
データMDの書込み/読出しモードM〔θ〕の認識処理
をし、次いで、ステップP2で前記認識処理に基づいて
磁気記憶媒体17の傾き量の演算処理をし、その後、ス
テップP3で前記演算処理に基づいて磁気データMDの
書込み/読出しをする磁気書込み/読出し手段13の位
置補正処理をすることを特徴とする。
【0035】また、本発明の磁気書込み/読出し処理装
置の第2の制御方法は、前記第1の制御方法において、
図2(b),(c)に示すように、予め設定された書込
み/読出しモードM〔θ〕に基づいて磁気書込み/読出
し手段13や磁気検出手段14の位置変更処理をするこ
とを特徴とする。
置の第2の制御方法は、前記第1の制御方法において、
図2(b),(c)に示すように、予め設定された書込
み/読出しモードM〔θ〕に基づいて磁気書込み/読出
し手段13や磁気検出手段14の位置変更処理をするこ
とを特徴とする。
【0036】なお、本発明の磁気書込み/読出し処理装
置及びその制御方法において、前記磁気記憶媒体17に
は、本発明の磁気記憶媒体を用いることを特徴とし、上
記目的を達成する。
置及びその制御方法において、前記磁気記憶媒体17に
は、本発明の磁気記憶媒体を用いることを特徴とし、上
記目的を達成する。
【0037】
【作 用】本発明の磁気記憶媒体によれば、図1(a)
に示すように、カード本体部11に第1,第2の磁気記
憶領域A1,A2が具備され、該第2の磁気記憶領域A
2に格納された被識別情報DDが磁気データMDの書込
み/読出しモードM〔θ〕を決定する。
に示すように、カード本体部11に第1,第2の磁気記
憶領域A1,A2が具備され、該第2の磁気記憶領域A
2に格納された被識別情報DDが磁気データMDの書込
み/読出しモードM〔θ〕を決定する。
【0038】このため、カード挿入方向に対して任意の
角度θxを保有した被識別情報DDが第2の磁気記憶領
域A2に格納された場合、その被識別情報DDの検出結
果から得られる書込み/読出しモードM〔θ〕に基づい
て、そのカード挿入方向に対してその検出された傾斜角
度を以て第1の磁気記憶領域A1に磁気データMDを書
き込むこと、及び第1の磁気記憶領域A1からその傾斜
角度を以て磁気データMDを読出すことが可能となる。
角度θxを保有した被識別情報DDが第2の磁気記憶領
域A2に格納された場合、その被識別情報DDの検出結
果から得られる書込み/読出しモードM〔θ〕に基づい
て、そのカード挿入方向に対してその検出された傾斜角
度を以て第1の磁気記憶領域A1に磁気データMDを書
き込むこと、及び第1の磁気記憶領域A1からその傾斜
角度を以て磁気データMDを読出すことが可能となる。
【0039】なお、磁気書込み/読出し処理装置に当該
磁気記憶媒体17が斜めに移動搬入された場合であって
も、本発明者らが先に特許出願(特許出願平成4−51
793)をした「磁気記憶媒体,情報書込み/読出し処
理装置及び情報書込み/読出し処理方法」と同様に、当
該処理装置の制御系に対して、当該磁気記憶媒体17の
傾き量の算出根拠となる被識別情報DDを提供すること
が可能となり、それに基づいて当該処理装置の制御系で
は、その相関位置を補正することが可能となる。
磁気記憶媒体17が斜めに移動搬入された場合であって
も、本発明者らが先に特許出願(特許出願平成4−51
793)をした「磁気記憶媒体,情報書込み/読出し処
理装置及び情報書込み/読出し処理方法」と同様に、当
該処理装置の制御系に対して、当該磁気記憶媒体17の
傾き量の算出根拠となる被識別情報DDを提供すること
が可能となり、それに基づいて当該処理装置の制御系で
は、その相関位置を補正することが可能となる。
【0040】これにより、カード挿入方向に対して垂直
方向に磁気データMDを格納した場合に比べて、該磁気
データMDの書込み/読出し処理の困難性が助長され、
改ざん等の安全性(セキュリティ機能)の向上を図るこ
とが可能となる。また、本来、制御系が認識する磁気記
憶媒体17の第1の磁気記憶領域A1の指定位置におい
て、磁気データMDの書込み/読出し処理を正確に行う
ことが可能となる。
方向に磁気データMDを格納した場合に比べて、該磁気
データMDの書込み/読出し処理の困難性が助長され、
改ざん等の安全性(セキュリティ機能)の向上を図るこ
とが可能となる。また、本来、制御系が認識する磁気記
憶媒体17の第1の磁気記憶領域A1の指定位置におい
て、磁気データMDの書込み/読出し処理を正確に行う
ことが可能となる。
【0041】また、本発明の第1の磁気書込み/読出し
処理装置によれば、図1(b)に示すように、移動手段
12,磁気書込み/読出し手段13,磁気検出手段1
4,制御手段15及び記憶手段16が具備され、磁気記
憶媒体17の書込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて
磁気書込み/読出し手段13を回動する駆動手段13Aが
設けられる。
処理装置によれば、図1(b)に示すように、移動手段
12,磁気書込み/読出し手段13,磁気検出手段1
4,制御手段15及び記憶手段16が具備され、磁気記
憶媒体17の書込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて
磁気書込み/読出し手段13を回動する駆動手段13Aが
設けられる。
【0042】例えば、当該処理装置に本発明に係る磁気
記憶媒体17が挿入されると、制御手段15を介してそ
れが移動手段12により内部に移動される。この際に、
ユーザの経時的な使用態様により磁気記憶媒体17に変
形等が生じ、カード挿入開始時にはそれが正常に挿入さ
れたにも係わらず、それが斜めに移動搬入された場合や
正常移動搬入時を通じて、磁気記憶媒体17の被識別情
報DDが,例えば、カード挿入方向に対して、予め規定
された傾斜角度を以て固定された磁気検出手段14によ
り検出される。
記憶媒体17が挿入されると、制御手段15を介してそ
れが移動手段12により内部に移動される。この際に、
ユーザの経時的な使用態様により磁気記憶媒体17に変
形等が生じ、カード挿入開始時にはそれが正常に挿入さ
れたにも係わらず、それが斜めに移動搬入された場合や
正常移動搬入時を通じて、磁気記憶媒体17の被識別情
報DDが,例えば、カード挿入方向に対して、予め規定
された傾斜角度を以て固定された磁気検出手段14によ
り検出される。
【0043】この際に、制御手段15では磁気記憶媒体
17の傾き量,例えば、被識別情報DDの検出に基づい
て得られた書込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて、
その基準傾き角度と磁気記憶媒体17との角度補正値が
演算され、それに基づいて磁気書込み/読出し手段13
と磁気データMDとの書込み/読出し相対位置が補正処
理される。例えば、その角度補正値を「零」に補正する
ような移動補正データDS(+) 又はDS(−) が記憶手段
16から読み出され、該移動補正データDS(+) 又はD
S(−) に基づいて駆動手段13Aにより磁気書込み/読出
し手段13が回動される。
17の傾き量,例えば、被識別情報DDの検出に基づい
て得られた書込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて、
その基準傾き角度と磁気記憶媒体17との角度補正値が
演算され、それに基づいて磁気書込み/読出し手段13
と磁気データMDとの書込み/読出し相対位置が補正処
理される。例えば、その角度補正値を「零」に補正する
ような移動補正データDS(+) 又はDS(−) が記憶手段
16から読み出され、該移動補正データDS(+) 又はD
S(−) に基づいて駆動手段13Aにより磁気書込み/読出
し手段13が回動される。
【0044】このため、制御系が認識する正しい位置に
おいて、磁気書込み/読出し手段13を介して磁気記憶
媒体17に磁気データMDの書込み処理をしたり、又
は、その読出し処理を実行することが可能となる。な
お、磁気書込み/読出し手段13が駆動手段13Aにより
自由に回動されることから、複数の被識別情報DDに係
る書込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて、第1の磁
気記憶領域A1に磁気データMDを書き込むこと、及び
第1の磁気記憶領域A1から磁気データMDを読出すこ
とが可能となる。
おいて、磁気書込み/読出し手段13を介して磁気記憶
媒体17に磁気データMDの書込み処理をしたり、又
は、その読出し処理を実行することが可能となる。な
お、磁気書込み/読出し手段13が駆動手段13Aにより
自由に回動されることから、複数の被識別情報DDに係
る書込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて、第1の磁
気記憶領域A1に磁気データMDを書き込むこと、及び
第1の磁気記憶領域A1から磁気データMDを読出すこ
とが可能となる。
【0045】これにより、本来、制御系が認識する磁気
記憶媒体17の磁気記憶領域の指定位置において、適正
な磁気データMDの書込み/読出し処理を正確に行うこ
とが可能となり、当該装置の信頼性の向上を図ること、
及び、当該磁気記憶媒体17の改ざん等の安全性(セキ
ュリティ機能)の向上を図ることが可能となる。
記憶媒体17の磁気記憶領域の指定位置において、適正
な磁気データMDの書込み/読出し処理を正確に行うこ
とが可能となり、当該装置の信頼性の向上を図ること、
及び、当該磁気記憶媒体17の改ざん等の安全性(セキ
ュリティ機能)の向上を図ることが可能となる。
【0046】また、本発明の第2の磁気書込み/読出し
処理装置によれば、図1(b)に示すように、磁気検出
手段14を回動する駆動手段14Aが設けられる。このた
め、第1の磁気書込み/読出し処理装置のように磁気検
出手段14を固定する場合に比べて、被識別情報DDが
カード挿入方向に対して任意の角度θxを保有して第2
の磁気記憶領域A2に格納された複数の磁気記憶媒体1
7が挿入された場合であっても、その複数の被識別情報
DDに係る書込み/読出しモードM〔θ〕を認識するこ
とができる。
処理装置によれば、図1(b)に示すように、磁気検出
手段14を回動する駆動手段14Aが設けられる。このた
め、第1の磁気書込み/読出し処理装置のように磁気検
出手段14を固定する場合に比べて、被識別情報DDが
カード挿入方向に対して任意の角度θxを保有して第2
の磁気記憶領域A2に格納された複数の磁気記憶媒体1
7が挿入された場合であっても、その複数の被識別情報
DDに係る書込み/読出しモードM〔θ〕を認識するこ
とができる。
【0047】このことから、書込み/読出しモードM
〔θ〕に基づいて、そのカード挿入方向に対して予め規
定された傾斜角度を以て第1の磁気記憶領域A1に磁気
データMDを書き込むこと、及び第1の磁気記憶領域A
1から磁気データMDを読出すことが可能となる。
〔θ〕に基づいて、そのカード挿入方向に対して予め規
定された傾斜角度を以て第1の磁気記憶領域A1に磁気
データMDを書き込むこと、及び第1の磁気記憶領域A
1から磁気データMDを読出すことが可能となる。
【0048】これにより、磁気データMDの書込み/読
出しモードM〔θ〕の異なる磁気記憶媒体17の書込み
/読出し処理をすることが可能となる。また、本発明の
第3の磁気書込み/読出し処理装置によれば、本発明の
第1,第2の磁気書込み/読出し処理装置において、磁
気検出手段14と磁気書込み/読出し手段13とが兼用
される。
出しモードM〔θ〕の異なる磁気記憶媒体17の書込み
/読出し処理をすることが可能となる。また、本発明の
第3の磁気書込み/読出し処理装置によれば、本発明の
第1,第2の磁気書込み/読出し処理装置において、磁
気検出手段14と磁気書込み/読出し手段13とが兼用
される。
【0049】例えば、カード挿入方向に対して任意の角
度θxを以て第1の磁気記憶領域A1に格納された磁気
データMDの配列規則性が磁気検出手段14の機能を併
せもつ磁気書込み/読出し手段13により認識される。
度θxを以て第1の磁気記憶領域A1に格納された磁気
データMDの配列規則性が磁気検出手段14の機能を併
せもつ磁気書込み/読出し手段13により認識される。
【0050】この際に、磁気データMDの書込み/読出
しモードM〔θ〕に係る移動制御データDS(+θ) 又は
DS(−θ) が記憶手段16から読み出され、その移動制
御データDS(+θ) 又はDS(−θ) に基づいて、磁気書
込み/読出し手段13が駆動手段14A等により回動さ
れ、そのカード挿入方向に対して任意の角度θxに傾け
られた磁気書込み/読出し手段13により第1の磁気記
憶領域A1に格納された磁気データ配列の規則性を検索
することが可能となる。
しモードM〔θ〕に係る移動制御データDS(+θ) 又は
DS(−θ) が記憶手段16から読み出され、その移動制
御データDS(+θ) 又はDS(−θ) に基づいて、磁気書
込み/読出し手段13が駆動手段14A等により回動さ
れ、そのカード挿入方向に対して任意の角度θxに傾け
られた磁気書込み/読出し手段13により第1の磁気記
憶領域A1に格納された磁気データ配列の規則性を検索
することが可能となる。
【0051】これにより、予め設定された書込み/読出
しモードM〔θ〕に基づいて、そのカード挿入方向に対
して予め規定された傾斜角度を以て第1の磁気記憶領域
A1に磁気データMDを書き込むこと、及び第1の磁気
記憶領域A1からその傾斜角度を以て磁気データMDを
読出すことが可能となる。なお、第1,第2の磁気書込
み/読出し処理装置のように、当該磁気記憶媒体17に
被識別情報DDを格納する第2の磁気記憶領域を特別に
設ける必要が無くなる。
しモードM〔θ〕に基づいて、そのカード挿入方向に対
して予め規定された傾斜角度を以て第1の磁気記憶領域
A1に磁気データMDを書き込むこと、及び第1の磁気
記憶領域A1からその傾斜角度を以て磁気データMDを
読出すことが可能となる。なお、第1,第2の磁気書込
み/読出し処理装置のように、当該磁気記憶媒体17に
被識別情報DDを格納する第2の磁気記憶領域を特別に
設ける必要が無くなる。
【0052】さらに、本発明の磁気書込み/読出し処理
装置の第1の制御方法によれば、図2(a)の処理フロ
ーチャートに示すように、ステップP1で磁気データM
Dの書込み/読出しモードM〔θ〕が認識処理される
と、ステップP2で磁気記憶媒体17の傾き量が演算処
理される。
装置の第1の制御方法によれば、図2(a)の処理フロ
ーチャートに示すように、ステップP1で磁気データM
Dの書込み/読出しモードM〔θ〕が認識処理される
と、ステップP2で磁気記憶媒体17の傾き量が演算処
理される。
【0053】このため、磁気書込み/読出し処理装置に
複数の書込み/読出しモードM〔θ〕を有する磁気記憶
媒体17が斜めに移動搬入された場合であっても、ステ
ップP2で当該磁気記憶媒体17の被識別情報DDがそ
の傾き量の算出根拠にされ、該傾き量と当該処理装置の
制御系の基準値,すなわち、カード挿入方向に対して予
め規定された傾斜角度との誤差を取り除くことが可能と
なる。
複数の書込み/読出しモードM〔θ〕を有する磁気記憶
媒体17が斜めに移動搬入された場合であっても、ステ
ップP2で当該磁気記憶媒体17の被識別情報DDがそ
の傾き量の算出根拠にされ、該傾き量と当該処理装置の
制御系の基準値,すなわち、カード挿入方向に対して予
め規定された傾斜角度との誤差を取り除くことが可能と
なる。
【0054】これにより、ステップP3で磁気書込み/
読出し手段13と磁気記憶媒体17との相対位置の補正
処理を正確に行うことができ、本来、制御系が認識する
磁気記憶媒体17の磁気記憶領域の指定位置において、
適正な磁気データMDの書込み/読出し処理を正確に行
うことが可能となる。このことで、当該磁気記憶媒体1
7が斜めにセットされたために従来例のように、誤った
位置での磁気データMDの読出しや、また、誤った位置
に磁気データMDを書き込むことが無くなる。
読出し手段13と磁気記憶媒体17との相対位置の補正
処理を正確に行うことができ、本来、制御系が認識する
磁気記憶媒体17の磁気記憶領域の指定位置において、
適正な磁気データMDの書込み/読出し処理を正確に行
うことが可能となる。このことで、当該磁気記憶媒体1
7が斜めにセットされたために従来例のように、誤った
位置での磁気データMDの読出しや、また、誤った位置
に磁気データMDを書き込むことが無くなる。
【0055】また、本発明の磁気書込み/読出し処理装
置の第2の制御方法によれば、図2(b),(c)に示
すように、予め設定された書込み/読出しモードM
〔θ〕に基づいて磁気書込み/読出し手段13や磁気検
出手段14の位置が変更処理される。
置の第2の制御方法によれば、図2(b),(c)に示
すように、予め設定された書込み/読出しモードM
〔θ〕に基づいて磁気書込み/読出し手段13や磁気検
出手段14の位置が変更処理される。
【0056】このため、当該磁気記憶媒体17が斜めに
セットされた場合や被識別情報DDから書込み/読出し
モードM〔θ〕を検出する場合に、磁気書込み/読出し
手段13や磁気検出手段14を回動する位置変更処理が
行われるため、当該磁気記憶媒体と磁気書込み/読出手
段との極め細かい相関位置を補正することができ、その
補正可能範囲につき、従来例のように限定されることが
無い。
セットされた場合や被識別情報DDから書込み/読出し
モードM〔θ〕を検出する場合に、磁気書込み/読出し
手段13や磁気検出手段14を回動する位置変更処理が
行われるため、当該磁気記憶媒体と磁気書込み/読出手
段との極め細かい相関位置を補正することができ、その
補正可能範囲につき、従来例のように限定されることが
無い。
【0057】これにより、磁気書込み/読出し処理装置
の信頼性の向上を図ることが可能となる。
の信頼性の向上を図ることが可能となる。
【0058】
【実施例】次に、図を参照しながら本発明の各実施例に
ついて説明をする。図3〜12は、本発明の実施例に係る
磁気記憶媒体,磁気書込み/読出し処理装置及び磁気書
込み/読出し処理方法を説明する図である。
ついて説明をする。図3〜12は、本発明の実施例に係る
磁気記憶媒体,磁気書込み/読出し処理装置及び磁気書
込み/読出し処理方法を説明する図である。
【0059】(1)第1の実施例の説明 図3(a)〜(c)は、本発明の第1の実施例に係る磁
気カードの説明図であり、図3(a)はその平面図,図
3(b)はその磁気データMDの説明図,図3(c)は
その傾き磁気情報DDの拡大図をそれぞれ示している。
気カードの説明図であり、図3(a)はその平面図,図
3(b)はその磁気データMDの説明図,図3(c)は
その傾き磁気情報DDの拡大図をそれぞれ示している。
【0060】例えば、診療カードや金融カード等に適用
可能な第1の磁気カード27は、図3(a)において、
カード本体部11に第1の磁気記憶領域A1及び第2の
磁気記憶領域A2が設けられている。
可能な第1の磁気カード27は、図3(a)において、
カード本体部11に第1の磁気記憶領域A1及び第2の
磁気記憶領域A2が設けられている。
【0061】すなわち、第1の磁気カード27は磁気記
憶媒体17の一例であり、ベース部材からなるカード本
体部21に第1,第2の磁気記憶領域A1,A2を構成
する磁性パターン部が形成され、それを保護するオーバ
コート部が形成されて成るものである。
憶媒体17の一例であり、ベース部材からなるカード本
体部21に第1,第2の磁気記憶領域A1,A2を構成
する磁性パターン部が形成され、それを保護するオーバ
コート部が形成されて成るものである。
【0062】第1の磁気記憶領域A1は磁気データMD
を格納する領域であり、例えば、図3(b)に示すよう
に横方向がn個に仕切られ、その縦方向が5つに仕切ら
れている。これにより、マトリクス状の磁気記憶領域A
1に5つの磁気情報要素1〜5を1組にした磁気データ
MD=磁気情報要素D1〜Dnを格納することができ
る。
を格納する領域であり、例えば、図3(b)に示すよう
に横方向がn個に仕切られ、その縦方向が5つに仕切ら
れている。これにより、マトリクス状の磁気記憶領域A
1に5つの磁気情報要素1〜5を1組にした磁気データ
MD=磁気情報要素D1〜Dnを格納することができ
る。
【0063】なお、L1は当該カード27の長手方向の
端部と第2の磁気記憶領域A2との間の離隔距離であ
り、L2は第1の磁気記憶領域A1と第2の磁気記憶領
域A2との間の離隔距離である。また、L4は第1の磁
気記憶領域A1の長さであり、L5は当該カード27の
長手方向の端部と第1の磁気記憶領域A1との間の離隔
距離(L5=L1+L2)である。
端部と第2の磁気記憶領域A2との間の離隔距離であ
り、L2は第1の磁気記憶領域A1と第2の磁気記憶領
域A2との間の離隔距離である。また、L4は第1の磁
気記憶領域A1の長さであり、L5は当該カード27の
長手方向の端部と第1の磁気記憶領域A1との間の離隔
距離(L5=L1+L2)である。
【0064】第2の磁気記憶領域A2は被識別情報DD
の一例となる傾き磁気情報量を格納する領域であり、例
えば、図3(a)に示すように、第1の磁気記憶領域A
1の外側であって、その片隅に設けられる。なお、傾き
磁気情報量DDは磁気データMDの書込み/読出しモー
ドM〔θ〕を決定する情報量であり、その一例について
は図4において詳述する。
の一例となる傾き磁気情報量を格納する領域であり、例
えば、図3(a)に示すように、第1の磁気記憶領域A
1の外側であって、その片隅に設けられる。なお、傾き
磁気情報量DDは磁気データMDの書込み/読出しモー
ドM〔θ〕を決定する情報量であり、その一例について
は図4において詳述する。
【0065】また、第2の磁気記憶領域A2は図3
(c)に示すように、当該磁気カード27の端部からL
1の距離に設けられる。さらに、距離L1-1,L1-2及
び距離L1+1,L1+2は、第2の磁気記憶領域A2の形
成位置L1を基準とした制御距離(L1-2<L1-1<L
1<L1+1<L1+2)であり、当該磁気カード27が採
用される磁気カードリード/ライト装置の書込み/読出
しモードM〔θ〕を見いだすための制御対象量となる。
(c)に示すように、当該磁気カード27の端部からL
1の距離に設けられる。さらに、距離L1-1,L1-2及
び距離L1+1,L1+2は、第2の磁気記憶領域A2の形
成位置L1を基準とした制御距離(L1-2<L1-1<L
1<L1+1<L1+2)であり、当該磁気カード27が採
用される磁気カードリード/ライト装置の書込み/読出
しモードM〔θ〕を見いだすための制御対象量となる。
【0066】例えば、傾き磁気情報量DDの垂直方向の
長さをLxとし、その傾きにより生ずるカード挿入方向
の長さを|L1-2|−|L1-1|とすると、その傾斜角
度θは次式より演算される(図6(b)参照)。
長さをLxとし、その傾きにより生ずるカード挿入方向
の長さを|L1-2|−|L1-1|とすると、その傾斜角
度θは次式より演算される(図6(b)参照)。
【0067】
【数1】
【0068】なお、第2の磁気記憶領域A2は第1の磁
気記憶領域A1の内側に設け、磁気情報要素5ビット
(1〜5)を1組にした磁気データMDの一部を傾き磁
気情報量に割り当てても良い(図6(c)参照)。
気記憶領域A1の内側に設け、磁気情報要素5ビット
(1〜5)を1組にした磁気データMDの一部を傾き磁
気情報量に割り当てても良い(図6(c)参照)。
【0069】また、図4(a)〜(d)は、本発明の各
実施例に係る書込み/読出しモードの説明図を示してい
る。例えば、図4(a)は書込み/読出しモードM
〔θ〕が90〔°〕の傾き磁気情報量DDとその格納位
置との関係を示している。図4(a)において、書込み
/読出しモードM〔θ〕=90〔°〕の傾き磁気情報量
DDは第2の磁気記憶領域A2であって、カード挿入方
向に対して垂直方向に傾き磁気情報量が5ビット並ぶも
のである。この場合には、磁気記憶領域A1において、
磁気データMDがカード挿入方向に対して角度θx=9
0〔°〕に整列されて格納されることを示すモードとな
る。
実施例に係る書込み/読出しモードの説明図を示してい
る。例えば、図4(a)は書込み/読出しモードM
〔θ〕が90〔°〕の傾き磁気情報量DDとその格納位
置との関係を示している。図4(a)において、書込み
/読出しモードM〔θ〕=90〔°〕の傾き磁気情報量
DDは第2の磁気記憶領域A2であって、カード挿入方
向に対して垂直方向に傾き磁気情報量が5ビット並ぶも
のである。この場合には、磁気記憶領域A1において、
磁気データMDがカード挿入方向に対して角度θx=9
0〔°〕に整列されて格納されることを示すモードとな
る。
【0070】また、図4(b)は書込み/読出しモード
M〔θ〕が45〔°〕の傾き磁気情報量DDとその格納
位置との関係を示している。図4(b)において、書込
み/読出しモードM〔θ〕=45〔°〕の傾き磁気情報
量DDは第2の磁気記憶領域A2であって、カード挿入
方向に対して±45〔°〕の方向に傾き磁気情報量が5
ビット並ぶものである。この場合には、磁気記憶領域A
1において、磁気データMDがカード挿入方向に対して
角度θx=+45〔°〕又は角度θx=−45〔°〕の
方向に整列されて格納されることを示すモードとなる。
M〔θ〕が45〔°〕の傾き磁気情報量DDとその格納
位置との関係を示している。図4(b)において、書込
み/読出しモードM〔θ〕=45〔°〕の傾き磁気情報
量DDは第2の磁気記憶領域A2であって、カード挿入
方向に対して±45〔°〕の方向に傾き磁気情報量が5
ビット並ぶものである。この場合には、磁気記憶領域A
1において、磁気データMDがカード挿入方向に対して
角度θx=+45〔°〕又は角度θx=−45〔°〕の
方向に整列されて格納されることを示すモードとなる。
【0071】また、図4(c)は書込み/読出しモード
M〔θ〕が60〔°〕の傾き磁気情報量DDとその格納
位置との関係を示している。図4(b)において、書込
み/読出しモードM〔θ〕=60〔°〕の傾き磁気情報
量DDは第2の磁気記憶領域A2であって、カード挿入
方向に対して±45〔°〕の方向に傾き磁気情報量が5
ビット並ぶものである。この場合には、磁気記憶領域A
1において、磁気データMDがカード挿入方向に対して
角度θx=+60〔°〕又は角度θx=−60〔°〕の
方向に整列されて格納されることを示すモードとなる。
M〔θ〕が60〔°〕の傾き磁気情報量DDとその格納
位置との関係を示している。図4(b)において、書込
み/読出しモードM〔θ〕=60〔°〕の傾き磁気情報
量DDは第2の磁気記憶領域A2であって、カード挿入
方向に対して±45〔°〕の方向に傾き磁気情報量が5
ビット並ぶものである。この場合には、磁気記憶領域A
1において、磁気データMDがカード挿入方向に対して
角度θx=+60〔°〕又は角度θx=−60〔°〕の
方向に整列されて格納されることを示すモードとなる。
【0072】また、図4(d)は書込み/読出しモード
M〔θ〕が30〔°〕の傾き磁気情報量DDとその格納
位置との関係を示している。図4(b)において、書込
み/読出しモードM〔θ〕=30〔°〕の傾き磁気情報
量DDは第2の磁気記憶領域A2であって、カード挿入
方向に対して±30〔°〕の方向に傾き磁気情報量が5
ビット並ぶものである。この場合には、磁気記憶領域A
1において、磁気データMDがカード挿入方向に対して
角度θx=+30〔°〕又は角度θx=−30〔°〕の
方向に整列されて格納されることを示すモードとなる。
M〔θ〕が30〔°〕の傾き磁気情報量DDとその格納
位置との関係を示している。図4(b)において、書込
み/読出しモードM〔θ〕=30〔°〕の傾き磁気情報
量DDは第2の磁気記憶領域A2であって、カード挿入
方向に対して±30〔°〕の方向に傾き磁気情報量が5
ビット並ぶものである。この場合には、磁気記憶領域A
1において、磁気データMDがカード挿入方向に対して
角度θx=+30〔°〕又は角度θx=−30〔°〕の
方向に整列されて格納されることを示すモードとなる。
【0073】このようにして、本発明の第1の実施例に
係る磁気カード27によれば、図3,4に示すように、
カード本体部11に第1,第2の磁気記憶領域A1,A
2が具備され、該第2の磁気記憶領域A2に格納された
傾き磁気情報量DDが磁気データMDの書込み/読出し
モードM〔θ〕を決定する。
係る磁気カード27によれば、図3,4に示すように、
カード本体部11に第1,第2の磁気記憶領域A1,A
2が具備され、該第2の磁気記憶領域A2に格納された
傾き磁気情報量DDが磁気データMDの書込み/読出し
モードM〔θ〕を決定する。
【0074】このため、カード挿入方向に対して任意の
角度θx=±60,±45又は±30〔°〕を保有した
傾き磁気情報量DDが第2の磁気記憶領域A2に格納さ
れた場合、その傾き磁気情報量DDの検出結果から得ら
れる書込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて、そのカ
ード挿入方向に対して±60,±45又は±30〔°〕
の傾斜角度を以て第1の磁気記憶領域A1に磁気データ
MDを書き込むこと、及び第1の磁気記憶領域A1から
その傾斜角度を以て磁気データMDを読出すことが可能
となる。
角度θx=±60,±45又は±30〔°〕を保有した
傾き磁気情報量DDが第2の磁気記憶領域A2に格納さ
れた場合、その傾き磁気情報量DDの検出結果から得ら
れる書込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて、そのカ
ード挿入方向に対して±60,±45又は±30〔°〕
の傾斜角度を以て第1の磁気記憶領域A1に磁気データ
MDを書き込むこと、及び第1の磁気記憶領域A1から
その傾斜角度を以て磁気データMDを読出すことが可能
となる。
【0075】なお、磁気書込み/読出し処理装置に当該
磁気カード27が斜めに移動搬入された場合であって
も、本発明者らが先に特許出願(特許出願平成4−51
793)をした「磁気記憶媒体,情報書込み/読出し処
理装置及び情報書込み/読出し処理方法」と同様に、当
該処理装置の制御系に対して、当該磁気カード27の傾
き量の算出根拠となる傾き磁気情報量DD(角度θx=
±60,±45又は±30〔°〕)を提供することが可
能となり、それに基づいて当該処理装置の制御系では、
その相関位置を補正することが可能となる。
磁気カード27が斜めに移動搬入された場合であって
も、本発明者らが先に特許出願(特許出願平成4−51
793)をした「磁気記憶媒体,情報書込み/読出し処
理装置及び情報書込み/読出し処理方法」と同様に、当
該処理装置の制御系に対して、当該磁気カード27の傾
き量の算出根拠となる傾き磁気情報量DD(角度θx=
±60,±45又は±30〔°〕)を提供することが可
能となり、それに基づいて当該処理装置の制御系では、
その相関位置を補正することが可能となる。
【0076】これにより、カード挿入方向に対して垂直
方向に磁気データMDを格納した場合(角度θx=90
〔°〕)に比べて、磁気データMDの書込み/読出し処
理の困難性が助長され、改ざん等の安全性(セキュリテ
ィ機能)の向上を図ることが可能となる。また、本来、
制御系が認識する磁気カード27の第1の磁気記憶領域
A1の指定位置において、磁気データMDの書込み/読
出し処理を正確に行うことが可能となる。
方向に磁気データMDを格納した場合(角度θx=90
〔°〕)に比べて、磁気データMDの書込み/読出し処
理の困難性が助長され、改ざん等の安全性(セキュリテ
ィ機能)の向上を図ることが可能となる。また、本来、
制御系が認識する磁気カード27の第1の磁気記憶領域
A1の指定位置において、磁気データMDの書込み/読
出し処理を正確に行うことが可能となる。
【0077】次に、本発明の第1の実施例に係る磁気カ
ード27が用いられる磁気カードリード/ライト装置に
ついて説明をする。図5(a),(b)は、本発明の第
1の実施例に係る磁気カードリード/ライト装置の構成
図であり、図5(a)はその断面図,図5(b)はその
平面図をそれぞれ示している。また、図6(a)〜
(d)はその補足説明図を示している。
ード27が用いられる磁気カードリード/ライト装置に
ついて説明をする。図5(a),(b)は、本発明の第
1の実施例に係る磁気カードリード/ライト装置の構成
図であり、図5(a)はその断面図,図5(b)はその
平面図をそれぞれ示している。また、図6(a)〜
(d)はその補足説明図を示している。
【0078】例えば、第1の磁気カード27を用いて磁
気データMDを書込み/読出し処理をする磁気カードリ
ード/ライト装置は、図5(a)において、装置本体部
30に上部ケース28A,下部ケース28Bが設けられ、該
上部ケース28Aにはカード認識用センサ29が設けら
れ、下部ケース28Bには、搬送用ベルト22A,磁気ヘッ
ド23,駆動用ローラ22B及び磁気センサ24等が具備
されている。
気データMDを書込み/読出し処理をする磁気カードリ
ード/ライト装置は、図5(a)において、装置本体部
30に上部ケース28A,下部ケース28Bが設けられ、該
上部ケース28Aにはカード認識用センサ29が設けら
れ、下部ケース28Bには、搬送用ベルト22A,磁気ヘッ
ド23,駆動用ローラ22B及び磁気センサ24等が具備
されている。
【0079】すなわち、搬送用ベルト22A及び駆動用ロ
ーラ22Bは移動手段12を構成するものであり、搬送用
ベルト22Aは磁気カード27を移動するものである。ま
た、駆動用ローラ22Bは不図示のステップモータの回転
力を受けて搬送用ベルト22Aを駆動するものであり、ス
テップモータはMPU25Aを介して所定ステップ送り駆
動される。
ーラ22Bは移動手段12を構成するものであり、搬送用
ベルト22Aは磁気カード27を移動するものである。ま
た、駆動用ローラ22Bは不図示のステップモータの回転
力を受けて搬送用ベルト22Aを駆動するものであり、ス
テップモータはMPU25Aを介して所定ステップ送り駆
動される。
【0080】磁気ヘッド23は磁気書込み/読出し手段
13の一実施例であり、磁気カード27に係わり、磁気
データMDを書込み処理をしたり、その読出し処理をす
るものである。なお、磁気データMDはMPU(マイク
ロプロセッサユニット)25Aを介して書込み/読出し制
御される。
13の一実施例であり、磁気カード27に係わり、磁気
データMDを書込み処理をしたり、その読出し処理をす
るものである。なお、磁気データMDはMPU(マイク
ロプロセッサユニット)25Aを介して書込み/読出し制
御される。
【0081】また、ヘッド回転部23Aは駆動手段13の
一実施例であり、磁気カード27の書込み/読出しモー
ドM〔θ〕に基づいて磁気ヘッド23を回動するもので
ある。例えば、ヘッド回転部23Aは図6(a)に示すよ
うに、磁気ヘッド23に直結されたステップモータ等か
ら成り、ヘッド制御信号S1に基づいて、カード挿入面
に対して鉛直方向を回転軸にして、それを3±60
〔°〕に回転動作をさせることができる。
一実施例であり、磁気カード27の書込み/読出しモー
ドM〔θ〕に基づいて磁気ヘッド23を回動するもので
ある。例えば、ヘッド回転部23Aは図6(a)に示すよ
うに、磁気ヘッド23に直結されたステップモータ等か
ら成り、ヘッド制御信号S1に基づいて、カード挿入面
に対して鉛直方向を回転軸にして、それを3±60
〔°〕に回転動作をさせることができる。
【0082】なお、磁気ヘッド23の取付け位置と磁気
カード27の端部を認識するカード認識用センサ29の
取付け位置との離隔距離がL3に規定されている。磁気
センサ24は磁気検出手段14の一実施例であり、磁気
カード27に設けられた第2の磁気記憶領域A2の傾き
磁気情報量DDを検出するものである。例えば、磁気セ
ンサ24は図6(b)に示すように、5ビットの傾き磁
気情報量DDを検出する5ビットの磁気検出素子から成
る。なお、磁気センサ24は磁気ヘッド23に一体化し
て取り付けても良く、また、それを個別に下部ケース28
Bに設けても良い。
カード27の端部を認識するカード認識用センサ29の
取付け位置との離隔距離がL3に規定されている。磁気
センサ24は磁気検出手段14の一実施例であり、磁気
カード27に設けられた第2の磁気記憶領域A2の傾き
磁気情報量DDを検出するものである。例えば、磁気セ
ンサ24は図6(b)に示すように、5ビットの傾き磁
気情報量DDを検出する5ビットの磁気検出素子から成
る。なお、磁気センサ24は磁気ヘッド23に一体化し
て取り付けても良く、また、それを個別に下部ケース28
Bに設けても良い。
【0083】本発明の実施例では、磁気カード27の書
込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて、そのカード挿
入方向に対して90,±60,±45又は±30〔°〕
の傾斜角度を以て下部ケース28Bに固定される。
込み/読出しモードM〔θ〕に基づいて、そのカード挿
入方向に対して90,±60,±45又は±30〔°〕
の傾斜角度を以て下部ケース28Bに固定される。
【0084】MPU25A及びRAM(随時書込み/読出
し可能なメモリ)25Bは制御手段15を構成するもので
あり、磁気ヘッド23及び駆動用ローラ22B等の入出力
を制御するものである。
し可能なメモリ)25Bは制御手段15を構成するもので
あり、磁気ヘッド23及び駆動用ローラ22B等の入出力
を制御するものである。
【0085】例えば、MPU25Aは傾き磁気情報量DD
の認識処理をして該磁気カード27の磁気記憶領域A1
の指定位置と実際位置との位置ずれを算出し、その角度
補正値Δθを演算して、それを磁気データMDに演算を
することにより、その書込み/読出し補正処理をする。
なお、RAM25Bは磁気センサ24から出力される磁気
カード27の傾き磁気情報量DDを一時格納するもので
ある。
の認識処理をして該磁気カード27の磁気記憶領域A1
の指定位置と実際位置との位置ずれを算出し、その角度
補正値Δθを演算して、それを磁気データMDに演算を
することにより、その書込み/読出し補正処理をする。
なお、RAM25Bは磁気センサ24から出力される磁気
カード27の傾き磁気情報量DDを一時格納するもので
ある。
【0086】ROM(読出し専用メモリ)26は記憶手
段16の一例であり、ヘッド回転部23Aの出力制御をす
る移動補正データDS(+) ,DS(−) を記憶するもので
ある。例えば、図6(d)の移動補正テーブルに示すよ
うに、書込み/読出しモードM〔θ〕=90〔°〕の場
合であって、θ=87〔°〕が磁気センサ24により検
出された場合には、その角度補正値Δθ=3〔°〕を補
正するモータ送りステップ+3に係るヘッド制御信号S
1がヘッド回転部23Aに出力される。
段16の一例であり、ヘッド回転部23Aの出力制御をす
る移動補正データDS(+) ,DS(−) を記憶するもので
ある。例えば、図6(d)の移動補正テーブルに示すよ
うに、書込み/読出しモードM〔θ〕=90〔°〕の場
合であって、θ=87〔°〕が磁気センサ24により検
出された場合には、その角度補正値Δθ=3〔°〕を補
正するモータ送りステップ+3に係るヘッド制御信号S
1がヘッド回転部23Aに出力される。
【0087】このようにして、本発明の実施例に係る磁
気カードリード/ライト装置によれば、図5(a)に示
すように、装置本体部30の上部ケース28Aにはカード
認識用センサ29が設けられ、下部ケース28Bには、搬
送用ベルト22A,ヘッド回転部23A,駆動用ローラ22
B,磁気センサ24,MPU25A,RAM25B及びRO
M26等が具備され、,ヘッド回転部23Aが磁気カード
27の書込み/読出しモードM〔θ〕=90〔°〕に基
づいて磁気ヘッド23を回動する。
気カードリード/ライト装置によれば、図5(a)に示
すように、装置本体部30の上部ケース28Aにはカード
認識用センサ29が設けられ、下部ケース28Bには、搬
送用ベルト22A,ヘッド回転部23A,駆動用ローラ22
B,磁気センサ24,MPU25A,RAM25B及びRO
M26等が具備され、,ヘッド回転部23Aが磁気カード
27の書込み/読出しモードM〔θ〕=90〔°〕に基
づいて磁気ヘッド23を回動する。
【0088】例えば、当該処理装置に本発明に係る磁気
カード27が挿入されると、MPU25Aを介してそれが
搬送用ベルト22Aや駆動用ローラ22Bにより内部に移動
される。この際に、ユーザの経時的な使用態様により磁
気カード27に変形等が生じ、カード挿入開始時にはそ
れが正常に挿入されたにも係わらず、それが斜めに移動
搬入された場合や正常移動搬入時を通じて、磁気カード
27の傾き磁気情報量DDが予めカード挿入方向に対し
て90〔°〕に固定された磁気センサ24により検出さ
れる。
カード27が挿入されると、MPU25Aを介してそれが
搬送用ベルト22Aや駆動用ローラ22Bにより内部に移動
される。この際に、ユーザの経時的な使用態様により磁
気カード27に変形等が生じ、カード挿入開始時にはそ
れが正常に挿入されたにも係わらず、それが斜めに移動
搬入された場合や正常移動搬入時を通じて、磁気カード
27の傾き磁気情報量DDが予めカード挿入方向に対し
て90〔°〕に固定された磁気センサ24により検出さ
れる。
【0089】この際に、MPU25Aにより磁気カード2
7の傾き量,例えば、その傾き角度θ=87〔°〕と書
込み/読出しモードM〔θ〕=90〔°〕に基づいてそ
の角度補正値Δθ=3〔°〕を「零」に補正するような
移動補正データDS(+)=+3がROM26から読み出
され、それに基づくヘッド制御信号S1に基づいてヘッ
ド回転部23Aが出力制御され、磁気ヘッド23が回動さ
れることにより、磁気ヘッド23と磁気カード27との
書込み/読出し相対位置が補正される。
7の傾き量,例えば、その傾き角度θ=87〔°〕と書
込み/読出しモードM〔θ〕=90〔°〕に基づいてそ
の角度補正値Δθ=3〔°〕を「零」に補正するような
移動補正データDS(+)=+3がROM26から読み出
され、それに基づくヘッド制御信号S1に基づいてヘッ
ド回転部23Aが出力制御され、磁気ヘッド23が回動さ
れることにより、磁気ヘッド23と磁気カード27との
書込み/読出し相対位置が補正される。
【0090】このため、制御系が認識する正しい位置に
おいて、磁気ヘッド23を介して磁気カード27に磁気
データMDの書込み処理をしたり、又は、その読出し処
理を実行することが可能となる。なお、磁気ヘッド23
がヘッド回転部23Aにより自由に回動されることから、
例えば、7種類の傾き磁気情報量DDに係る書込み/読
出しモードM〔θ〕=90,±60,±45及び±30
〔°〕に基づいて、第1の磁気記憶領域A1に磁気デー
タMDを書き込むこと、及び第1の磁気記憶領域A1か
ら磁気データMDを読出すことが可能となる。これによ
り、本来、制御系が認識する磁気カード27の磁気記憶
領域の指定位置において、適正な磁気データMDの書込
み/読出し処理を正確に行うことが可能となり、当該装
置の信頼性の向上を図ること、及び、当該磁気カード2
7の改ざん等の安全性(セキュリティ機能)の向上を図
ることが可能となる。
おいて、磁気ヘッド23を介して磁気カード27に磁気
データMDの書込み処理をしたり、又は、その読出し処
理を実行することが可能となる。なお、磁気ヘッド23
がヘッド回転部23Aにより自由に回動されることから、
例えば、7種類の傾き磁気情報量DDに係る書込み/読
出しモードM〔θ〕=90,±60,±45及び±30
〔°〕に基づいて、第1の磁気記憶領域A1に磁気デー
タMDを書き込むこと、及び第1の磁気記憶領域A1か
ら磁気データMDを読出すことが可能となる。これによ
り、本来、制御系が認識する磁気カード27の磁気記憶
領域の指定位置において、適正な磁気データMDの書込
み/読出し処理を正確に行うことが可能となり、当該装
置の信頼性の向上を図ること、及び、当該磁気カード2
7の改ざん等の安全性(セキュリティ機能)の向上を図
ることが可能となる。
【0091】次に、本発明の第1の実施例に係る磁気書
込み/読出し処理装置の制御方法について、磁気データ
MDの書込み/読出処理動作を補足しながら説明をす
る。図7,8は、本発明の第1の実施例に係る磁気デー
タの書込み/読出し処理のフローチャート(その1,
2)をそれぞれ示している。
込み/読出し処理装置の制御方法について、磁気データ
MDの書込み/読出処理動作を補足しながら説明をす
る。図7,8は、本発明の第1の実施例に係る磁気デー
タの書込み/読出し処理のフローチャート(その1,
2)をそれぞれ示している。
【0092】例えば、書込み/読出モードM〔θ〕=9
0〔°〕の磁気カード27を用いて、磁気データMDの
書込み/読出し処理をする場合に、図7のフローチャー
ト(その1)において、まず、ステップP1で磁気カー
ド27の挿入を待ち、次に、ステップP2で磁気カード
送り処理に移行する。ここで、カード挿入口に磁気カー
ド27が挿入されると、MPU25Aを介してステップモ
ータが起動される。
0〔°〕の磁気カード27を用いて、磁気データMDの
書込み/読出し処理をする場合に、図7のフローチャー
ト(その1)において、まず、ステップP1で磁気カー
ド27の挿入を待ち、次に、ステップP2で磁気カード
送り処理に移行する。ここで、カード挿入口に磁気カー
ド27が挿入されると、MPU25Aを介してステップモ
ータが起動される。
【0093】次いで、ステップP3で当該カードの認識
処理をする。この際に、当該装置に適合する磁気カード
27が挿入された場合(YES)には、カード認識用セン
サ29により該磁気カード27の端面が認識されること
からステップP4に移行する。また、磁気カード27が
挿入されない場合(NO)には、ステップP2に戻っ
て、当該カードの認識処理を継続する。
処理をする。この際に、当該装置に適合する磁気カード
27が挿入された場合(YES)には、カード認識用セン
サ29により該磁気カード27の端面が認識されること
からステップP4に移行する。また、磁気カード27が
挿入されない場合(NO)には、ステップP2に戻っ
て、当該カードの認識処理を継続する。
【0094】その後、ステップP4で当該磁気カード2
7のL3送り処理を開始する。この際に、磁気ヘッド2
3の取付け位置と磁気カード27の端部を認識するカー
ド認識用センサ29の取付け位置との離隔距離L3分の
みがステップモータの所定送り処理により行われる。こ
れにより、ステップモータの回転力を受けて駆動用ロー
ラ22B,搬送用ベルト22Aが駆動され、磁気カード27
がその内部に移動される。
7のL3送り処理を開始する。この際に、磁気ヘッド2
3の取付け位置と磁気カード27の端部を認識するカー
ド認識用センサ29の取付け位置との離隔距離L3分の
みがステップモータの所定送り処理により行われる。こ
れにより、ステップモータの回転力を受けて駆動用ロー
ラ22B,搬送用ベルト22Aが駆動され、磁気カード27
がその内部に移動される。
【0095】次に、ステップP5でカード端面を基準に
した距離L1-2送り処理を実行する。ここで、MPU25
Aを介して磁気カード27の第2の磁気記憶領域A2を
磁気センサ24が経過するように駆動用ローラ22B,搬
送用ベルト22A等が移動制御される。
した距離L1-2送り処理を実行する。ここで、MPU25
Aを介して磁気カード27の第2の磁気記憶領域A2を
磁気センサ24が経過するように駆動用ローラ22B,搬
送用ベルト22A等が移動制御される。
【0096】その後、ステップP6で磁気カード27の
傾き磁気情報量DDの情報読込み処理をする。このカー
ド27の移動の際に、磁気カード27に設けられた第2
の磁気記憶領域A2の傾き磁気情報量DDがカード挿入
方向に対して90〔°〕に固定された磁気センサ24に
より検出され、その情報DDがMPU25Aを介してRA
M25Bに転送され、該情報DDが一時RAM25Bに格納
される。
傾き磁気情報量DDの情報読込み処理をする。このカー
ド27の移動の際に、磁気カード27に設けられた第2
の磁気記憶領域A2の傾き磁気情報量DDがカード挿入
方向に対して90〔°〕に固定された磁気センサ24に
より検出され、その情報DDがMPU25Aを介してRA
M25Bに転送され、該情報DDが一時RAM25Bに格納
される。
【0097】ここで、図14(a)に示すように、当該磁
気カード27が斜めに移動搬入された場合には、図6
(b)のRAM25Bのメモリテーブルに示すように、例
えば、傾き磁気情報量DDが第2の磁気記憶領域A2の
取り付け位置L1を基準にして、制御距離L1-1,L1
+1に跨がる状態になる。なお、MPU25AはRAM25B
にマッピングされた5×5ビットの画素において、5ビ
ットの磁気量が単位メモリ画素の50〔%〕以上を専有
する場合に、その傾き磁気情報量DDが磁化されている
と判断する。
気カード27が斜めに移動搬入された場合には、図6
(b)のRAM25Bのメモリテーブルに示すように、例
えば、傾き磁気情報量DDが第2の磁気記憶領域A2の
取り付け位置L1を基準にして、制御距離L1-1,L1
+1に跨がる状態になる。なお、MPU25AはRAM25B
にマッピングされた5×5ビットの画素において、5ビ
ットの磁気量が単位メモリ画素の50〔%〕以上を専有
する場合に、その傾き磁気情報量DDが磁化されている
と判断する。
【0098】次いで、ステップP7で第2の磁気記憶領
域A2を基準にした距離L1+2送りが終了したか否かの
判断をする。この際に、距離L1+2送りが終了した場合
(YES)には、ステップP8に移行する。
域A2を基準にした距離L1+2送りが終了したか否かの
判断をする。この際に、距離L1+2送りが終了した場合
(YES)には、ステップP8に移行する。
【0099】また、それが終了しない場合(NO)に
は、ステップP6に戻って傾き磁気情報量DDの情報読
込み処理を継続する。従って、第2の磁気記憶領域A2
を基準にした距離L1+2送りが終了した場合(YES)に
は、ステップP8で傾き磁気情報量DDに基づいて角度
補正値Δθを作成する。この際に、ROM26から制御
基準となる磁気カード27の傾き磁気情報DRが読み出
され、また、先にRAM25Bに格納された傾き磁気情報
量DDが読み出される。
は、ステップP6に戻って傾き磁気情報量DDの情報読
込み処理を継続する。従って、第2の磁気記憶領域A2
を基準にした距離L1+2送りが終了した場合(YES)に
は、ステップP8で傾き磁気情報量DDに基づいて角度
補正値Δθを作成する。この際に、ROM26から制御
基準となる磁気カード27の傾き磁気情報DRが読み出
され、また、先にRAM25Bに格納された傾き磁気情報
量DDが読み出される。
【0100】これにより、MPU25Aでは、磁気センサ
24から出力された磁気カード27の傾き磁気情報量D
Dと当該傾き磁気情報DRとが比較される。その結果、
その差分が許容値を越える場合には、磁気ヘッド23と
第1の磁気記憶領域A1との位置ずれが認識されると共
に、その差分から角度補正値Δθが演算される。
24から出力された磁気カード27の傾き磁気情報量D
Dと当該傾き磁気情報DRとが比較される。その結果、
その差分が許容値を越える場合には、磁気ヘッド23と
第1の磁気記憶領域A1との位置ずれが認識されると共
に、その差分から角度補正値Δθが演算される。
【0101】その後、ステップP9で磁気カード27の
L2送り処理をする。これは、第2の磁気記憶領域A2
から第1の磁気記憶領域A1に移行する処理であり、M
PU25Aを介して磁気カード27の第1の磁気記憶領域
A1に磁気ヘッド23を到達させるように駆動用ローラ
22B,搬送用ベルト22A等が移動制御される。
L2送り処理をする。これは、第2の磁気記憶領域A2
から第1の磁気記憶領域A1に移行する処理であり、M
PU25Aを介して磁気カード27の第1の磁気記憶領域
A1に磁気ヘッド23を到達させるように駆動用ローラ
22B,搬送用ベルト22A等が移動制御される。
【0102】次に、ステップP10で磁気情報量に角度補
正処理をする。この際に、RAM25Bに転送される磁気
データMDに対して、角度補正値Δθを修正すべく、M
PU25Aにより磁気カード27の傾き量,例えば、その
傾き角度θ=87〔°〕と書込み/読出しモードM
〔θ〕=90〔°〕に基づいてその角度補正値Δθ=3
〔°〕を「零」に補正するような移動補正データDS
(+)=+3がROM26から読み出される。これによ
り、ヘッド制御信号S1に基づいてヘッド回転部23Aが
出力制御され、磁気ヘッド23が回動されることによ
り、磁気ヘッド23と磁気カード27との書込み/読出
し相対位置が補正される。
正処理をする。この際に、RAM25Bに転送される磁気
データMDに対して、角度補正値Δθを修正すべく、M
PU25Aにより磁気カード27の傾き量,例えば、その
傾き角度θ=87〔°〕と書込み/読出しモードM
〔θ〕=90〔°〕に基づいてその角度補正値Δθ=3
〔°〕を「零」に補正するような移動補正データDS
(+)=+3がROM26から読み出される。これによ
り、ヘッド制御信号S1に基づいてヘッド回転部23Aが
出力制御され、磁気ヘッド23が回動されることによ
り、磁気ヘッド23と磁気カード27との書込み/読出
し相対位置が補正される。
【0103】さらに、本発明の実施例に係るフローチャ
ート(その2)に移行し、ステップP11で磁気カード2
7に係わり、磁気データMDの読出し(リード)処理を
するか, 又は、その書込み(ライト)処理をするかの確
認をする。この際に、磁気データMDのリード処理をす
る場合(YES)には、ステップP12に移行する。また、
磁気データMDのライト処理をする場合(NO)には、
ステップP15に移行する。
ート(その2)に移行し、ステップP11で磁気カード2
7に係わり、磁気データMDの読出し(リード)処理を
するか, 又は、その書込み(ライト)処理をするかの確
認をする。この際に、磁気データMDのリード処理をす
る場合(YES)には、ステップP12に移行する。また、
磁気データMDのライト処理をする場合(NO)には、
ステップP15に移行する。
【0104】例えば、そのリード処理を選択する場合
(YES)には、ステップP12で磁気データMDの読出し
処理をする。この際に、磁気ヘッド23により磁気カー
ド27から磁気データMDが読み出され、その磁気デー
タMDがRAM25Bに転送される。
(YES)には、ステップP12で磁気データMDの読出し
処理をする。この際に、磁気ヘッド23により磁気カー
ド27から磁気データMDが読み出され、その磁気デー
タMDがRAM25Bに転送される。
【0105】その後、ステップP13で磁気カード27の
L4送り処理が終了したか否かの判断をする。この際
に、L4送り処理が終了した場合(YES)には、ステッ
プP14に移行する。また、それが終了しない場合(N
O)には、ステップP12に戻って、磁気情報の読込みを
継続する。
L4送り処理が終了したか否かの判断をする。この際
に、L4送り処理が終了した場合(YES)には、ステッ
プP14に移行する。また、それが終了しない場合(N
O)には、ステップP12に戻って、磁気情報の読込みを
継続する。
【0106】従って、L4送り処理が終了した場合(Y
ES)には、ステップP14で角度補正された磁気ヘッド2
3に基づいて磁気カード27から読み出された磁気デー
タMDの記憶処理をする。ここで、磁気データMDがR
AM25Bに格納される。そして、ステップP17でカード
排出処理をし、その制御を終了する。
ES)には、ステップP14で角度補正された磁気ヘッド2
3に基づいて磁気カード27から読み出された磁気デー
タMDの記憶処理をする。ここで、磁気データMDがR
AM25Bに格納される。そして、ステップP17でカード
排出処理をし、その制御を終了する。
【0107】なお、ステップP11で磁気カード27に磁
気データMDのライト処理をする場合(NO)には、ス
テップP15で角度補正された磁気ヘッド23に基づいて
磁気カード27に磁気データMDを記憶処理をする。こ
こでは、磁気データMDがRAM25Bから磁気ヘッド2
3に転送され、該磁気ヘッド23を介して磁気カード2
7の第1の磁気記憶領域A1にそれが書込み処理され
る。
気データMDのライト処理をする場合(NO)には、ス
テップP15で角度補正された磁気ヘッド23に基づいて
磁気カード27に磁気データMDを記憶処理をする。こ
こでは、磁気データMDがRAM25Bから磁気ヘッド2
3に転送され、該磁気ヘッド23を介して磁気カード2
7の第1の磁気記憶領域A1にそれが書込み処理され
る。
【0108】次いで、ステップP16で磁気カード27の
L4送り処理が終了したか否かの判断をする。この際
に、L4送り処理が終了した場合(YES)には、ステッ
プP17に移行して、カード排出処理をし、その制御を終
了する。
L4送り処理が終了したか否かの判断をする。この際
に、L4送り処理が終了した場合(YES)には、ステッ
プP17に移行して、カード排出処理をし、その制御を終
了する。
【0109】また、そのL4送り処理が終了しない場合
(NO)には、ステップP15に戻って、磁気カード27
への記憶処理を継続する。このようにして、本発明の第
1の実施例に係る磁気カードの書込み/読出し処理方法
によれば、図7,8の処理フローチャートに示すよう
に、ステップP6で磁気データMDの書込み/読出しモ
ードM〔θ〕が認識処理されると、ステップP8で磁気
カード27の角度補正値Δθが作成される。
(NO)には、ステップP15に戻って、磁気カード27
への記憶処理を継続する。このようにして、本発明の第
1の実施例に係る磁気カードの書込み/読出し処理方法
によれば、図7,8の処理フローチャートに示すよう
に、ステップP6で磁気データMDの書込み/読出しモ
ードM〔θ〕が認識処理されると、ステップP8で磁気
カード27の角度補正値Δθが作成される。
【0110】このため、磁気書込み/読出し処理装置
に,例えば、7種類の書込み/読出しモードM〔θ〕,
すなわち、カード挿入方向に対して90,±60,±4
5及び±30〔°〕を保有する磁気カード27が斜めに
移動搬入された場合であっても、ステップP8で当該磁
気カード27の傾き磁気情報量DDがその角度補正値の
算出根拠にされ、該角度補正値と当該処理装置の制御系
の基準値,すなわち、カード挿入方向に対して予め規定
された90,±60,±45及び±30〔°〕の磁気セ
ンサ23の傾斜角度との誤差を取り除くことが可能とな
る。
に,例えば、7種類の書込み/読出しモードM〔θ〕,
すなわち、カード挿入方向に対して90,±60,±4
5及び±30〔°〕を保有する磁気カード27が斜めに
移動搬入された場合であっても、ステップP8で当該磁
気カード27の傾き磁気情報量DDがその角度補正値の
算出根拠にされ、該角度補正値と当該処理装置の制御系
の基準値,すなわち、カード挿入方向に対して予め規定
された90,±60,±45及び±30〔°〕の磁気セ
ンサ23の傾斜角度との誤差を取り除くことが可能とな
る。
【0111】これにより、ステップP12やP15で磁気ヘ
ッド23と磁気カード27との相対位置合わせを正確に
行うことができ、本来、制御系が認識する磁気カード2
7の磁気記憶領域の指定位置において、適正な磁気デー
タMDの書込み/読出し処理を正確に行うことが可能と
なる。このことで、当該磁気カード27が斜めにセット
されたために従来例のように、誤った位置での磁気デー
タMDの読出しや、また、誤った位置に磁気データMD
を書き込むことが無くなる。
ッド23と磁気カード27との相対位置合わせを正確に
行うことができ、本来、制御系が認識する磁気カード2
7の磁気記憶領域の指定位置において、適正な磁気デー
タMDの書込み/読出し処理を正確に行うことが可能と
なる。このことで、当該磁気カード27が斜めにセット
されたために従来例のように、誤った位置での磁気デー
タMDの読出しや、また、誤った位置に磁気データMD
を書き込むことが無くなる。
【0112】これにより、磁気書込み/読出し処理シス
テムの信頼性の向上を図ることが可能となる。 (2)第2の実施例の説明 図9(a),(b)は、本発明の第2の実施例に係る磁
気カードリード/ ライト装置の補足説明図であり、図10
は本発明の第2の実施例に係る磁気データの書込み/読
出し処理のフローチャートであり、図11はそのフローチ
ャートの補足説明図をそれぞれ示している。
テムの信頼性の向上を図ることが可能となる。 (2)第2の実施例の説明 図9(a),(b)は、本発明の第2の実施例に係る磁
気カードリード/ ライト装置の補足説明図であり、図10
は本発明の第2の実施例に係る磁気データの書込み/読
出し処理のフローチャートであり、図11はそのフローチ
ャートの補足説明図をそれぞれ示している。
【0113】図9(a)において、第1の実施例の磁気
センサ24と異なるのは第2の実施例の磁気センサ34
ではセンサ回転部34Aが設けられるものである。すなわ
ち、センサ回転部34Aは駆動手段14Aの一実施例であ
り、センサ制御信号S2に基づいて磁気センサ34を3
±60〔°〕に回動するものである。
センサ24と異なるのは第2の実施例の磁気センサ34
ではセンサ回転部34Aが設けられるものである。すなわ
ち、センサ回転部34Aは駆動手段14Aの一実施例であ
り、センサ制御信号S2に基づいて磁気センサ34を3
±60〔°〕に回動するものである。
【0114】例えば、センサ回転部34Aは図9(a)に
示すように、磁気センサ34に直結されたステップモー
タ等から成り、センサ制御信号S2に基づいて、カード
挿入面に対して鉛直方向を回転軸にして、それを3±6
0〔°〕に回転動作をさせることができる。
示すように、磁気センサ34に直結されたステップモー
タ等から成り、センサ制御信号S2に基づいて、カード
挿入面に対して鉛直方向を回転軸にして、それを3±6
0〔°〕に回転動作をさせることができる。
【0115】なお、センサ回転部34Aの出力制御をする
移動制御データDS(+θ) ,DS(−θ) はROM26等
に記憶される。例えば、書込み/読出しモードM〔θ〕
が90,±60,±45及び±30〔°〕の場合につい
て、ROM26から移動制御データDS(+90),DS(−
90) , DS(+60),DS(−60) , DS(+45),DS(−4
5) , DS(+30),DS(−30) がそれぞれ読み出され
る。また、磁気センサ34の取付け位置と磁気カード2
7等の端部を認識するカード認識用センサ29の取付け
位置との離隔距離がL3に規定されている。
移動制御データDS(+θ) ,DS(−θ) はROM26等
に記憶される。例えば、書込み/読出しモードM〔θ〕
が90,±60,±45及び±30〔°〕の場合につい
て、ROM26から移動制御データDS(+90),DS(−
90) , DS(+60),DS(−60) , DS(+45),DS(−4
5) , DS(+30),DS(−30) がそれぞれ読み出され
る。また、磁気センサ34の取付け位置と磁気カード2
7等の端部を認識するカード認識用センサ29の取付け
位置との離隔距離がL3に規定されている。
【0116】さらに、図9(b)は磁気センサ34を角
度±45〔°〕に傾斜させた場合のメモリテーブルを示
している。図9(b)において、磁気センサ34は図11
(b)に示すような磁気カード37に設けられた第2の
磁気記憶領域A2の傾き磁気情報量DDを検出するもの
である。例えば、磁気センサ34は図9(b)に示すよ
うに、5ビットの傾き磁気情報量DDを検出する5ビッ
トの磁気検出素子から成る。
度±45〔°〕に傾斜させた場合のメモリテーブルを示
している。図9(b)において、磁気センサ34は図11
(b)に示すような磁気カード37に設けられた第2の
磁気記憶領域A2の傾き磁気情報量DDを検出するもの
である。例えば、磁気センサ34は図9(b)に示すよ
うに、5ビットの傾き磁気情報量DDを検出する5ビッ
トの磁気検出素子から成る。
【0117】これにより、そのカード挿入方向に対して
90,±60,±45又は±30〔°〕の傾斜角度を以
て傾き磁気情報量DDが格納された磁気カード37の書
込み/読出しモードM〔θ〕を認識することができる。
その他の構成は第1の実施例と同様であるため、その説
明を省略する。
90,±60,±45又は±30〔°〕の傾斜角度を以
て傾き磁気情報量DDが格納された磁気カード37の書
込み/読出しモードM〔θ〕を認識することができる。
その他の構成は第1の実施例と同様であるため、その説
明を省略する。
【0118】このようにして、本発明の第2の実施例に
係る磁気データリード/ライト装置によれば、図9
(a)に示すように、磁気センサ34を回動するセンサ
回転部34Aが設けられる。
係る磁気データリード/ライト装置によれば、図9
(a)に示すように、磁気センサ34を回動するセンサ
回転部34Aが設けられる。
【0119】このため、第1の実施例のように、磁気セ
ンサ24を傾斜角度=90,±60,±45,±30
〔°〕に固定する場合に比べて、傾き磁気情報量DDが
カード挿入方向に対して任意の角度θx=90,±6
0,±45,±30〔°〕を保有して第2の磁気記憶領
域A2に格納された7種類の磁気カード37が挿入され
た場合であっても、その7種類の傾き磁気情報量DDに
係る書込み/読出しモードM〔θ〕を認識することがで
きる。
ンサ24を傾斜角度=90,±60,±45,±30
〔°〕に固定する場合に比べて、傾き磁気情報量DDが
カード挿入方向に対して任意の角度θx=90,±6
0,±45,±30〔°〕を保有して第2の磁気記憶領
域A2に格納された7種類の磁気カード37が挿入され
た場合であっても、その7種類の傾き磁気情報量DDに
係る書込み/読出しモードM〔θ〕を認識することがで
きる。
【0120】このことから、書込み/読出しモードM
〔θ〕に基づいて、そのカード挿入方向に対して予め規
定された傾斜角度=90,±60,±45,±30
〔°〕を以て第1の磁気記憶領域A1に磁気データMD
を書き込むこと、及び第1の磁気記憶領域A1から磁気
データMDを読出すことが可能となる。
〔θ〕に基づいて、そのカード挿入方向に対して予め規
定された傾斜角度=90,±60,±45,±30
〔°〕を以て第1の磁気記憶領域A1に磁気データMD
を書き込むこと、及び第1の磁気記憶領域A1から磁気
データMDを読出すことが可能となる。
【0121】これにより、磁気データMDの書込み/読
出しモードM〔θ〕の異なる複数の磁気カード37の角
度補正値Δθを補正をしながら磁気データMDの書込み
/読出し処理を正確に行うことが可能となる。
出しモードM〔θ〕の異なる複数の磁気カード37の角
度補正値Δθを補正をしながら磁気データMDの書込み
/読出し処理を正確に行うことが可能となる。
【0122】次に、本発明の第2の実施例に係る磁気書
込み/読出し処理装置の制御方法について、磁気データ
MDの書込み/読出処理動作を補足しながら説明をす
る。図10は、本発明の第2の実施例に係る磁気データの
書込み/読出し処理のフローチャートであり、図11はそ
のフローチャートの補足する磁気カードの説明図をそれ
ぞれ示している。
込み/読出し処理装置の制御方法について、磁気データ
MDの書込み/読出処理動作を補足しながら説明をす
る。図10は、本発明の第2の実施例に係る磁気データの
書込み/読出し処理のフローチャートであり、図11はそ
のフローチャートの補足する磁気カードの説明図をそれ
ぞれ示している。
【0123】例えば、図11(a)に示すような書込み/
読出モードM〔θ1〕=±45〔°〕の磁気カード37
を用いて、磁気データMDの書込み/読出し処理をする
場合に、図10の処理フローチャートにおいて、まず、ス
テップP1で磁気カード37の挿入を待ち、次に、ステ
ップP2で磁気カード送り処理に移行する。ここで、カ
ード挿入口に磁気カード37が挿入されると、MPU25
Aを介してステップモータが起動される。
読出モードM〔θ1〕=±45〔°〕の磁気カード37
を用いて、磁気データMDの書込み/読出し処理をする
場合に、図10の処理フローチャートにおいて、まず、ス
テップP1で磁気カード37の挿入を待ち、次に、ステ
ップP2で磁気カード送り処理に移行する。ここで、カ
ード挿入口に磁気カード37が挿入されると、MPU25
Aを介してステップモータが起動される。
【0124】次いで、ステップP3で当該カードの認識
処理をする。この際に、当該装置に適合する磁気カード
37が挿入された場合(YES)には、カード認識用セン
サ29により該磁気カード37の端面が認識されること
からステップP4に移行する。また、磁気カード37が
挿入されない場合(NO)には、ステップP2に戻っ
て、当該カードの認識処理を継続する。
処理をする。この際に、当該装置に適合する磁気カード
37が挿入された場合(YES)には、カード認識用セン
サ29により該磁気カード37の端面が認識されること
からステップP4に移行する。また、磁気カード37が
挿入されない場合(NO)には、ステップP2に戻っ
て、当該カードの認識処理を継続する。
【0125】その後、ステップP4で当該磁気カード3
7のL3送り処理を開始する。この際に、磁気ヘッド2
3の取付け位置と磁気カード37の端部を認識するカー
ド認識用センサ29の取付け位置との離隔距離L3分の
みがステップモータの所定送り処理により行われる。こ
れにより、ステップモータの回転力を受けて駆動用ロー
ラ22B,搬送用ベルト22Aが駆動され、磁気カード37
がその内部に移動される。
7のL3送り処理を開始する。この際に、磁気ヘッド2
3の取付け位置と磁気カード37の端部を認識するカー
ド認識用センサ29の取付け位置との離隔距離L3分の
みがステップモータの所定送り処理により行われる。こ
れにより、ステップモータの回転力を受けて駆動用ロー
ラ22B,搬送用ベルト22Aが駆動され、磁気カード37
がその内部に移動される。
【0126】次に、ステップP5でカード端面を基準に
した距離L1-2送り処理を実行する。ここで、MPU25
Aを介して磁気カード37の第2の磁気記憶領域A2を
磁気センサ24が経過するように駆動用ローラ22B,搬
送用ベルト22A等が移動制御される。
した距離L1-2送り処理を実行する。ここで、MPU25
Aを介して磁気カード37の第2の磁気記憶領域A2を
磁気センサ24が経過するように駆動用ローラ22B,搬
送用ベルト22A等が移動制御される。
【0127】その後、ステップP6で磁気カード37の
傾き磁気情報量DDの情報読込み処理をする。このカー
ド37の移動の際に、磁気カード37に設けられた第2
の磁気記憶領域A2の傾き磁気情報量DDがカード挿入
方向に対して±45〔°〕に回動された磁気センサ24
により検出される。なお、ROM26から書込み/読出
しモードM〔θ〕=±45〔°〕に係る移動制御データ
DS(+45) が読み出され、それに基づくセンサ制御信号
S2がセンサ回転部34Aに出力される。
傾き磁気情報量DDの情報読込み処理をする。このカー
ド37の移動の際に、磁気カード37に設けられた第2
の磁気記憶領域A2の傾き磁気情報量DDがカード挿入
方向に対して±45〔°〕に回動された磁気センサ24
により検出される。なお、ROM26から書込み/読出
しモードM〔θ〕=±45〔°〕に係る移動制御データ
DS(+45) が読み出され、それに基づくセンサ制御信号
S2がセンサ回転部34Aに出力される。
【0128】また、第1の実施例に比べて角度±45
〔°〕に回動された磁気センサ24により、その傾き磁
気情報量DDがMPU25Aを介してRAM25Bに転送さ
れ、該情報DDが一時RAM25Bに格納される。
〔°〕に回動された磁気センサ24により、その傾き磁
気情報量DDがMPU25Aを介してRAM25Bに転送さ
れ、該情報DDが一時RAM25Bに格納される。
【0129】ここで、図13(a)に示すように、当該磁
気カード37が斜めに移動搬入された場合には、例え
ば、傾き磁気情報量DDが第2の磁気記憶領域A2の取
り付け位置L1を基準にして、制御距離L1-1,L1+1
に跨がる状態になる(図9(b),図11(b)参照)。
なお、MPU25AはRAM25Bにマッピングされた5×
5ビットの画素において、5ビットの磁気量が単位メモ
リ画素の50〔%〕以上を専有する場合に、その傾き磁
気情報量DDが磁化されていると判断する。
気カード37が斜めに移動搬入された場合には、例え
ば、傾き磁気情報量DDが第2の磁気記憶領域A2の取
り付け位置L1を基準にして、制御距離L1-1,L1+1
に跨がる状態になる(図9(b),図11(b)参照)。
なお、MPU25AはRAM25Bにマッピングされた5×
5ビットの画素において、5ビットの磁気量が単位メモ
リ画素の50〔%〕以上を専有する場合に、その傾き磁
気情報量DDが磁化されていると判断する。
【0130】次いで、ステップP7で第2の磁気記憶領
域A2を基準にした距離L1+2送りが終了したか否かの
判断をする。この際に、距離L1+2送りが終了した場合
(YES)には、ステップP8に移行する。
域A2を基準にした距離L1+2送りが終了したか否かの
判断をする。この際に、距離L1+2送りが終了した場合
(YES)には、ステップP8に移行する。
【0131】また、それが終了しない場合(NO)に
は、ステップP6に戻って傾き磁気情報量DDの情報読
込み処理を継続する。従って、第2の磁気記憶領域A2
を基準にした距離L1+2送りが終了した場合(YES)に
は、ステップP8で傾き磁気情報量DDに基づいて角度
補正値Δθを作成する。この際に、先にRAM25Bに格
納された傾き磁気情報量DDが読み出される。
は、ステップP6に戻って傾き磁気情報量DDの情報読
込み処理を継続する。従って、第2の磁気記憶領域A2
を基準にした距離L1+2送りが終了した場合(YES)に
は、ステップP8で傾き磁気情報量DDに基づいて角度
補正値Δθを作成する。この際に、先にRAM25Bに格
納された傾き磁気情報量DDが読み出される。
【0132】その後、ステップP9で磁気カード37の
L2送り処理をする。これは、第2の磁気記憶領域A2
から第1の磁気記憶領域A1に移行する処理であり、M
PU25Aを介して磁気カード37の第1の磁気記憶領域
A1に磁気ヘッド23を到達させるように駆動用ローラ
22B,搬送用ベルト22A等が移動制御される。
L2送り処理をする。これは、第2の磁気記憶領域A2
から第1の磁気記憶領域A1に移行する処理であり、M
PU25Aを介して磁気カード37の第1の磁気記憶領域
A1に磁気ヘッド23を到達させるように駆動用ローラ
22B,搬送用ベルト22A等が移動制御される。
【0133】次に、ステップP10で磁気情報量に角度補
正処理をする。この際に、RAM25Bに転送される磁気
データMDに対して、角度補正値Δθを修正すべく、M
PU25Aにより磁気カード37の傾き量,例えば、その
傾き角度θ=43〔°〕と書込み/読出しモードM
〔θ〕=±45〔°〕に基づいてその角度補正値Δθ=
2〔°〕を「零」に補正するような移動補正データDS
(+)=+2がROM26から読み出される。
正処理をする。この際に、RAM25Bに転送される磁気
データMDに対して、角度補正値Δθを修正すべく、M
PU25Aにより磁気カード37の傾き量,例えば、その
傾き角度θ=43〔°〕と書込み/読出しモードM
〔θ〕=±45〔°〕に基づいてその角度補正値Δθ=
2〔°〕を「零」に補正するような移動補正データDS
(+)=+2がROM26から読み出される。
【0134】これにより、ROM26から書込み/読出
しモードM〔θ〕=±45〔°〕に係る移動制御データ
DS(+45) が読み出され、それに基づくヘッド制御信号
S1とその移動補正データDS(+)=+2に係るヘッド
制御信号S1とに基づいてヘッド回転部23Aが出力制御
され、磁気ヘッド23が回動されることにより、磁気ヘ
ッド23と磁気カード37との書込み/読出し相対位置
が補正される。
しモードM〔θ〕=±45〔°〕に係る移動制御データ
DS(+45) が読み出され、それに基づくヘッド制御信号
S1とその移動補正データDS(+)=+2に係るヘッド
制御信号S1とに基づいてヘッド回転部23Aが出力制御
され、磁気ヘッド23が回動されることにより、磁気ヘ
ッド23と磁気カード37との書込み/読出し相対位置
が補正される。
【0135】これ以降のステップP11〜P17について
は、第1の実施例と同様であるため、その説明を省略す
る(図7(その2)参照)。このようにして、本発明の
第2の実施例に係る磁気データリード/ライト装置の制
御方法によれば、図10に示すように、予め設定された書
込み/読出しモードM〔θ〕=±45〔°〕に基づいて
磁気ヘッド23や磁気センサ34の位置が変更処理され
る。
は、第1の実施例と同様であるため、その説明を省略す
る(図7(その2)参照)。このようにして、本発明の
第2の実施例に係る磁気データリード/ライト装置の制
御方法によれば、図10に示すように、予め設定された書
込み/読出しモードM〔θ〕=±45〔°〕に基づいて
磁気ヘッド23や磁気センサ34の位置が変更処理され
る。
【0136】このため、当該磁気カード37が斜めにセ
ットされた場合や傾き磁気情報量DDから書込み/読出
しモードM〔θ〕を検出する場合に、磁気ヘッド23や
磁気センサ34のを回動する位置変更処理が行われるた
め、当該磁気カード37,磁気ヘッド23や磁気センサ
34との極め細かい相関位置を補正することができ、そ
の補正可能範囲につき、従来例のような限定されること
が無い。
ットされた場合や傾き磁気情報量DDから書込み/読出
しモードM〔θ〕を検出する場合に、磁気ヘッド23や
磁気センサ34のを回動する位置変更処理が行われるた
め、当該磁気カード37,磁気ヘッド23や磁気センサ
34との極め細かい相関位置を補正することができ、そ
の補正可能範囲につき、従来例のような限定されること
が無い。
【0137】これにより、磁気書込み/読出し処理装置
の信頼性の向上を図ることが可能となり、第1の実施例
と同様に制御系が認識する正しい位置において、磁気ヘ
ッド23を介して磁気カード37に適正な磁気データM
Dを書込み処理したり、その読出し処理を行うことが可
能となる。
の信頼性の向上を図ることが可能となり、第1の実施例
と同様に制御系が認識する正しい位置において、磁気ヘ
ッド23を介して磁気カード37に適正な磁気データM
Dを書込み処理したり、その読出し処理を行うことが可
能となる。
【0138】(3)第3の実施例の説明 図12は、本発明の第3の実施例に係る磁気データの書込
み/読出し処理のフローチャートを示している。図12に
おいて、第1, 第2の実施例と異なるのは第3の実施例
では、磁気ヘッド23に磁気センサ24や34の機能を
兼用させ、その処理フローチャートのステップP6で当
該磁気ヘッド23により傾き磁気情報量DDを検索させ
るものである。
み/読出し処理のフローチャートを示している。図12に
おいて、第1, 第2の実施例と異なるのは第3の実施例
では、磁気ヘッド23に磁気センサ24や34の機能を
兼用させ、その処理フローチャートのステップP6で当
該磁気ヘッド23により傾き磁気情報量DDを検索させ
るものである。
【0139】例えば、書込み/読出モードM〔θx〕が
90,±60,±45,±30〔°〕の中の未知の磁気
カードが適用された場合であって、その磁気データMD
の書込み/読出し処理をする場合に、図12の処理フロー
チャートにおいて、ステップP1〜P5で第1,第2の
実施例と同様に、未知の磁気カードの挿入を待ち、その
カード端面を基準にした距離L1-2送り処理を実行し、
磁気記憶領域A1の検出をする。ここで、MPU25Aを
介して未知の磁気カードの第1の磁気記憶領域A1を磁
気ヘッド23が経過するように駆動用ローラ22B,搬送
用ベルト22A等が移動制御される。
90,±60,±45,±30〔°〕の中の未知の磁気
カードが適用された場合であって、その磁気データMD
の書込み/読出し処理をする場合に、図12の処理フロー
チャートにおいて、ステップP1〜P5で第1,第2の
実施例と同様に、未知の磁気カードの挿入を待ち、その
カード端面を基準にした距離L1-2送り処理を実行し、
磁気記憶領域A1の検出をする。ここで、MPU25Aを
介して未知の磁気カードの第1の磁気記憶領域A1を磁
気ヘッド23が経過するように駆動用ローラ22B,搬送
用ベルト22A等が移動制御される。
【0140】その後、ステップP6で磁気ヘッド23に
より、傾き磁気情報量DDの情報読込み処理をする。こ
の未知の磁気カードの移動の際に、該カードに格納され
た第1の磁気記憶領域A1の一領域に設けられた傾き磁
気情報量DDがカード挿入方向に対して90,±60,
±45,±30〔°〕に回動された磁気ヘッド23によ
り検索検出される。なお、書込み/読出しモードM
〔θ〕=90,±60,±45,±30〔°〕に係る移
動制御データDS(90) ,DS(+60) ,DS(+45) ,DS
(+30) ,DS(−60) ,DS(−45) ,DS(−30) がRO
M26から順次読み出され、それに基づくヘッド制御信
号S1がヘッド回転部23Aに出力される。
より、傾き磁気情報量DDの情報読込み処理をする。こ
の未知の磁気カードの移動の際に、該カードに格納され
た第1の磁気記憶領域A1の一領域に設けられた傾き磁
気情報量DDがカード挿入方向に対して90,±60,
±45,±30〔°〕に回動された磁気ヘッド23によ
り検索検出される。なお、書込み/読出しモードM
〔θ〕=90,±60,±45,±30〔°〕に係る移
動制御データDS(90) ,DS(+60) ,DS(+45) ,DS
(+30) ,DS(−60) ,DS(−45) ,DS(−30) がRO
M26から順次読み出され、それに基づくヘッド制御信
号S1がヘッド回転部23Aに出力される。
【0141】例えば、移動制御データDS(+30) に基づ
いて、磁気ヘッド23がヘッド回転部23Aにより回動さ
れ、そのカード挿入方向に対して角度θx=30+3
〔°〕に傾けられた磁気ヘッド23により傾き磁気情報
量DDが検出可能となったものとすれば、第1の磁気記
憶領域A1に格納された磁気データMDが角度θx=3
0〔°〕に傾けられて格納された磁気カードであるとい
うことを読込み取ることができる。
いて、磁気ヘッド23がヘッド回転部23Aにより回動さ
れ、そのカード挿入方向に対して角度θx=30+3
〔°〕に傾けられた磁気ヘッド23により傾き磁気情報
量DDが検出可能となったものとすれば、第1の磁気記
憶領域A1に格納された磁気データMDが角度θx=3
0〔°〕に傾けられて格納された磁気カードであるとい
うことを読込み取ることができる。
【0142】これにより、ステップP6でカード挿入方
向に対して任意の角度θx=±30〔°〕を以て第1の
磁気記憶領域A1に格納された磁気データMDの配列規
則性がMPU25Aにより認識される。
向に対して任意の角度θx=±30〔°〕を以て第1の
磁気記憶領域A1に格納された磁気データMDの配列規
則性がMPU25Aにより認識される。
【0143】その後、ステップP7〜P10で第1,第2
の実施例と同様に、磁気ヘッド23の角度補正処理をす
る。この際に、磁気ヘッド23の角度補正値Δθを修正
すべく、MPU25Aにより未知の磁気カードの傾き量,
例えば、その傾き角度θ=33〔°〕と書込み/読出し
モードM〔θ〕=30〔°〕に基づいてその角度補正値
Δθ=3〔°〕を「零」に補正するような移動補正デー
タDS(−)=−3がROM26から読み出される。
の実施例と同様に、磁気ヘッド23の角度補正処理をす
る。この際に、磁気ヘッド23の角度補正値Δθを修正
すべく、MPU25Aにより未知の磁気カードの傾き量,
例えば、その傾き角度θ=33〔°〕と書込み/読出し
モードM〔θ〕=30〔°〕に基づいてその角度補正値
Δθ=3〔°〕を「零」に補正するような移動補正デー
タDS(−)=−3がROM26から読み出される。
【0144】これにより、移動補正データDS(−)=−
3に係るヘッド制御信号S1とに基づいてヘッド回転部
23Aが出力制御され、磁気ヘッド23が回動されること
により、磁気ヘッド23と磁気カード37との書込み/
読出し相対位置が補正される。
3に係るヘッド制御信号S1とに基づいてヘッド回転部
23Aが出力制御され、磁気ヘッド23が回動されること
により、磁気ヘッド23と磁気カード37との書込み/
読出し相対位置が補正される。
【0145】これ以降のステップP11〜P17について
は、第1,第2の実施例と同様であるため、その説明を
省略する(図7(その2)参照)。このようにして、本
発明の第2の実施例に係る磁気データリード/ライト装
置の制御方法によれば、磁気センサ24や34と磁気ヘ
ッド23とが兼用され、図11の処理フローチャートのス
テップP6で磁気ヘッド23により、傾き磁気情報量D
Dの情報読込み処理をしている。
は、第1,第2の実施例と同様であるため、その説明を
省略する(図7(その2)参照)。このようにして、本
発明の第2の実施例に係る磁気データリード/ライト装
置の制御方法によれば、磁気センサ24や34と磁気ヘ
ッド23とが兼用され、図11の処理フローチャートのス
テップP6で磁気ヘッド23により、傾き磁気情報量D
Dの情報読込み処理をしている。
【0146】このため、カード挿入方向に対して任意の
角度θxを以て第1の磁気記憶領域A1に格納された磁
気データMDの配列規則性が磁気センサ24や34の機
能を併せもつ磁気ヘッド23により認識される。この際
に、磁気データMDの書込み/読出しモードM〔θ〕=
90,±60,±45,±30〔°〕に係る移動制御デ
ータDS(90) ,DS(+60) ,DS(+45) ,DS(+30) ,
DS(−60) ,DS(−45) ,DS(−30) がROM26から
順次読み出され、その移動制御データDS(90),DS(+6
0) ,DS(+45) ,DS(+30) ,DS(−60) ,DS(−45)
,DS(−30)に基づいて、磁気ヘッド23がヘッド回転
部22Aにより回動され、そのカード挿入方向に対して任
意の角度θxに傾けられた磁気ヘッド23により第1の
磁気記憶領域A1に格納された磁気データ配列の規則性
を検索することが可能となる。
角度θxを以て第1の磁気記憶領域A1に格納された磁
気データMDの配列規則性が磁気センサ24や34の機
能を併せもつ磁気ヘッド23により認識される。この際
に、磁気データMDの書込み/読出しモードM〔θ〕=
90,±60,±45,±30〔°〕に係る移動制御デ
ータDS(90) ,DS(+60) ,DS(+45) ,DS(+30) ,
DS(−60) ,DS(−45) ,DS(−30) がROM26から
順次読み出され、その移動制御データDS(90),DS(+6
0) ,DS(+45) ,DS(+30) ,DS(−60) ,DS(−45)
,DS(−30)に基づいて、磁気ヘッド23がヘッド回転
部22Aにより回動され、そのカード挿入方向に対して任
意の角度θxに傾けられた磁気ヘッド23により第1の
磁気記憶領域A1に格納された磁気データ配列の規則性
を検索することが可能となる。
【0147】これにより、予め設定された書込み/読出
しモードM〔θ〕に基づいて、そのカード挿入方向に対
して予め規定された傾斜角度を以て第1の磁気記憶領域
A1に磁気データMDを書き込むこと、及び第1の磁気
記憶領域A1からその傾斜角度を以て磁気データMDを
読出すことが可能となる。なお、第1,第2の実施例の
ように当該磁気カードに被識別情報DDを格納する第2
の磁気記憶領域を特別に設ける必要が無くなる。
しモードM〔θ〕に基づいて、そのカード挿入方向に対
して予め規定された傾斜角度を以て第1の磁気記憶領域
A1に磁気データMDを書き込むこと、及び第1の磁気
記憶領域A1からその傾斜角度を以て磁気データMDを
読出すことが可能となる。なお、第1,第2の実施例の
ように当該磁気カードに被識別情報DDを格納する第2
の磁気記憶領域を特別に設ける必要が無くなる。
【0148】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記憶
媒体によれば、カード本体部に第1,第2の磁気記憶領
域が具備され、該第2の磁気記憶領域に格納された被識
別情報が磁気データの書込み/読出しモードを決定して
いる。
媒体によれば、カード本体部に第1,第2の磁気記憶領
域が具備され、該第2の磁気記憶領域に格納された被識
別情報が磁気データの書込み/読出しモードを決定して
いる。
【0149】このため、書込み/読出しモードに基づい
て、第1の磁気記憶領域に所定傾斜角度の磁気データを
書き込むこと、及び第1の磁気記憶領域からその所定傾
斜角度の磁気データを正確に読出すことが可能となる。
て、第1の磁気記憶領域に所定傾斜角度の磁気データを
書き込むこと、及び第1の磁気記憶領域からその所定傾
斜角度の磁気データを正確に読出すことが可能となる。
【0150】なお、磁気書込み/読出し処理装置に当該
磁気記憶媒体が斜めに移動搬入された場合であっても、
当該処理装置の制御系に対して、当該磁気記憶媒体の傾
き量の算出根拠となる被識別情報を提供することが可能
となり、それに基づいて当該処理装置の制御系では、そ
の相関位置を補正することが可能となる。
磁気記憶媒体が斜めに移動搬入された場合であっても、
当該処理装置の制御系に対して、当該磁気記憶媒体の傾
き量の算出根拠となる被識別情報を提供することが可能
となり、それに基づいて当該処理装置の制御系では、そ
の相関位置を補正することが可能となる。
【0151】これにより、カード挿入方向に対して垂直
方向に磁気データを格納した場合に比べて、該磁気デー
タの書込み/読出し処理の困難性が助長され、改ざん等
の安全性(セキュリティ機能)の向上を図ることが可能
となる。
方向に磁気データを格納した場合に比べて、該磁気デー
タの書込み/読出し処理の困難性が助長され、改ざん等
の安全性(セキュリティ機能)の向上を図ることが可能
となる。
【0152】また、本発明の第1の磁気書込み/読出し
処理装置によれば、移動手段,磁気書込み/読出し手
段,磁気検出手段,制御手段及び記憶手段が具備され、
磁気記憶媒体の書込み/読出しモードに基づいて磁気書
込み/読出し手段を回動する駆動手段が設けられる。
処理装置によれば、移動手段,磁気書込み/読出し手
段,磁気検出手段,制御手段及び記憶手段が具備され、
磁気記憶媒体の書込み/読出しモードに基づいて磁気書
込み/読出し手段を回動する駆動手段が設けられる。
【0153】このため、制御系が認識する正しい位置に
おいて、磁気書込み/読出し手段を介して磁気記憶媒体
に磁気データの書込み処理をしたり、又は、その読出し
処理を実行することが可能となる。なお、磁気書込み/
読出し手段が駆動手段により自由に回動されることか
ら、複数の被識別情報に係る書込み/読出しモードに基
づいて、第1の磁気記憶領域に磁気データを書き込むこ
と、及び第1の磁気記憶領域から磁気データを読出すこ
とが可能となる。
おいて、磁気書込み/読出し手段を介して磁気記憶媒体
に磁気データの書込み処理をしたり、又は、その読出し
処理を実行することが可能となる。なお、磁気書込み/
読出し手段が駆動手段により自由に回動されることか
ら、複数の被識別情報に係る書込み/読出しモードに基
づいて、第1の磁気記憶領域に磁気データを書き込むこ
と、及び第1の磁気記憶領域から磁気データを読出すこ
とが可能となる。
【0154】また、本発明の第2の磁気書込み/読出し
処理装置によれば、磁気検出手段を回動する駆動手段が
設けられる。このため、第1の磁気書込み/読出し処理
装置のように磁気検出手段を固定する場合に比べて、被
識別情報がカード挿入方向に対して任意の角度を保有す
る多種類の磁気記憶媒体を適用する場合であっても、そ
の複数の被識別情報に係る書込み/読出しモードを認識
することが可能となる。
処理装置によれば、磁気検出手段を回動する駆動手段が
設けられる。このため、第1の磁気書込み/読出し処理
装置のように磁気検出手段を固定する場合に比べて、被
識別情報がカード挿入方向に対して任意の角度を保有す
る多種類の磁気記憶媒体を適用する場合であっても、そ
の複数の被識別情報に係る書込み/読出しモードを認識
することが可能となる。
【0155】また、本発明の第3の磁気書込み/読出し
処理装置によれば、本発明の第1,第2の磁気書込み/
読出し処理装置において、磁気検出手段と磁気書込み/
読出し手段とが兼用される。
処理装置によれば、本発明の第1,第2の磁気書込み/
読出し処理装置において、磁気検出手段と磁気書込み/
読出し手段とが兼用される。
【0156】このため、磁気書込み/読出し手段が駆動
手段等により回動されると、そのカード挿入方向に対し
て任意の角度に傾けられた磁気書込み/読出し手段によ
り第1の磁気記憶領域に格納された磁気データ配列の規
則性を検索することが可能となる。このことから、第
1,第2の磁気書込み/読出し処理装置のように、当該
磁気記憶媒体に被識別情報を格納する第2の磁気記憶領
域を特別に設ける必要が無くなる。
手段等により回動されると、そのカード挿入方向に対し
て任意の角度に傾けられた磁気書込み/読出し手段によ
り第1の磁気記憶領域に格納された磁気データ配列の規
則性を検索することが可能となる。このことから、第
1,第2の磁気書込み/読出し処理装置のように、当該
磁気記憶媒体に被識別情報を格納する第2の磁気記憶領
域を特別に設ける必要が無くなる。
【0157】さらに、本発明の磁気書込み/読出し処理
装置の制御方法によれば、磁気データの書込み/読出し
モードが認識処理されると、磁気記憶媒体の傾き量が演
算処理される。
装置の制御方法によれば、磁気データの書込み/読出し
モードが認識処理されると、磁気記憶媒体の傾き量が演
算処理される。
【0158】このため、磁気書込み/読出し処理装置に
複数の書込み/読出しモードを有する磁気記憶媒体が斜
めに移動搬入された場合であっても、当該磁気記憶媒体
の被識別情報がその傾き量の算出根拠にされ、カード挿
入方向に対して予め規定された傾斜角度との誤差を取り
除くことが可能となる。
複数の書込み/読出しモードを有する磁気記憶媒体が斜
めに移動搬入された場合であっても、当該磁気記憶媒体
の被識別情報がその傾き量の算出根拠にされ、カード挿
入方向に対して予め規定された傾斜角度との誤差を取り
除くことが可能となる。
【0159】また、本発明の磁気書込み/読出し処理装
置の他の制御方法によれば、予め設定された書込み/読
出しモードに基づいて磁気書込み/読出し手段や磁気検
出手段の位置が変更処理される。
置の他の制御方法によれば、予め設定された書込み/読
出しモードに基づいて磁気書込み/読出し手段や磁気検
出手段の位置が変更処理される。
【0160】このため、当該磁気記憶媒体が斜めにセッ
トされた場合や被識別情報から書込み/読出しモードを
検出する場合に、当該磁気記憶媒体と磁気書込み/読出
手段との極め細かい相関位置を補正することができ、そ
の補正可能範囲につき、従来例のように限定されること
が無い。
トされた場合や被識別情報から書込み/読出しモードを
検出する場合に、当該磁気記憶媒体と磁気書込み/読出
手段との極め細かい相関位置を補正することができ、そ
の補正可能範囲につき、従来例のように限定されること
が無い。
【0161】これにより、高セキュリティの磁気カード
及び高信頼度の磁気書込み/読出し処理装置の提供に寄
与するところが大きい。
及び高信頼度の磁気書込み/読出し処理装置の提供に寄
与するところが大きい。
【図1】本発明に係る磁気記憶媒体及び磁気書込み/読
出し処理装置の原理図である。
出し処理装置の原理図である。
【図2】本発明に係る磁気書込み/読出し処理装置の制
御方法の原理図である。
御方法の原理図である。
【図3】本発明の第1の実施例に係る磁気カードの説明
図である。
図である。
【図4】本発明の各実施例に係る書込み/読出しモード
の説明図である。
の説明図である。
【図5】本発明の第1の実施例に係る磁気カードリード
/ライト装置の構成図である。
/ライト装置の構成図である。
【図6】本発明の第1の実施例に係る装置の磁気ヘッ
ド,磁気センサ及びROMの補足説明図である。
ド,磁気センサ及びROMの補足説明図である。
【図7】本発明の第1の実施例に係る磁気データの書込
み/読出し処理のフローチャート(その1)である。
み/読出し処理のフローチャート(その1)である。
【図8】本発明の第1の実施例に係る磁気データの書込
み/読出し処理のフローチャート(その2)である。
み/読出し処理のフローチャート(その2)である。
【図9】本発明の第2の実施例に係る装置の磁気センサ
の補足説明図である。
の補足説明図である。
【図10】本発明の第2の実施例に係る磁気データの書込
み/読出し処理のフローチャートである。
み/読出し処理のフローチャートである。
【図11】本発明の第2の実施例に係る磁気カードの説明
図である。。
図である。。
【図12】本発明の第3の実施例に係る磁気データの書込
み/読出し処理のフローチャートである。
み/読出し処理のフローチャートである。
【図13】従来例に係る磁気カードリード/ライト装置の
説明図である。
説明図である。
【図14】従来例に係る問題点を説明するカード挿入図と
処理フローチャートである。
処理フローチャートである。
11…カード本体部、 12…移動手段、 13…磁気書込み/読出し手段、 13A,14A…駆動手段、 14…磁気検出手段、 15…制御手段、 16…記憶手段、 17…磁気記憶媒体、 M〔θ〕…書込み/読出しモード、 MD…磁気データ、 DD…被識別情報、 A1,A2…第1,第2の磁気記憶領域、 DS(+) ,DS(−) …移動補正データ、 DS(+θ) ,DS(−θ) …移動制御データ。
Claims (9)
- 【請求項1】 少なくとも、カード本体部(11)に磁
気データ(MD)を格納する第1の磁気記憶領域(A
1)と、前記カード本体部(11)又は第1の磁気記憶
領域(A1)に被識別情報(DD)を格納する第2の磁
気記憶領域(A2)とを具備し、前記被識別情報(D
D)が磁気データ(MD)の書込み/読出しモード(M
〔θ〕)を決定することを特徴とする磁気記憶媒体。 - 【請求項2】 請求項1記載の磁気記憶媒体において、
前記磁気データ(MD)や被識別情報(DD)がカード
挿入方向に対して任意の角度(θx)を有して第1の磁
気記憶領域(A1)や第2の磁気記憶領域(A2)に格
納されることを特徴とする磁気記憶媒体。 - 【請求項3】 磁気記憶媒体(17)を移動する移動手
段(12)と、前記磁気記憶媒体(17)の磁気データ
(MD)の書込み/読出しをする磁気書込み/読出し手
段(13)と、前記磁気記憶媒体(17)の被識別情報
(DD)を検出する磁気検出手段(14)と、前記移動
手段(12),磁気書込み/読出し手段(13)及び磁
気検出手段(14)の入出力を制御する制御手段(1
5)とを具備し、前記磁気記憶媒体(17)の書込み/
読出しモード(M〔θ〕)に基づいて磁気書込み/読出
し手段(13)を回動する駆動手段(13A)が設けられ
ることを特徴とする磁気書込み/読出し処理装置。 - 【請求項4】 請求項3記載の磁気書込み/読出し処理
装置において、前記磁気検出手段(14)を回動する駆
動手段(14A)が設けられることを特徴とする磁気書込
み/読出し処理装置。 - 【請求項5】 請求項3記載の磁気書込み/読出し処理
装置において、前記駆動手段(13A)や駆動手段(14
A)の出力制御をする移動補正データ(DS(+),DS
(−) )や移動制御データ(DS(+θ) ,DS(−θ) )
を記憶する記憶手段(16)が設けられることを特徴と
する磁気書込み/読出し処理装置。 - 【請求項6】 請求項3記載の磁気書込み/読出し処理
装置において、前記磁気検出手段(14)と磁気書込み
/読出し手段(13)とが兼用されることを特徴とする
磁気書込み/読出し処理装置。 - 【請求項7】 磁気記憶媒体(17)に係わり磁気デー
タ(MD)の書込み/読出し制御をする方法において、
予め、カード本体部(11)に格納された磁気データ
(MD)の書込み/読出しモード(M〔θ〕)の認識処
理をし、前記認識処理に基づいて磁気記憶媒体(17)
の傾き量の演算処理をし、前記演算処理に基づいて磁気
データ(MD)の書込み/読出しをする磁気書込み/読
出し手段(13)の位置補正処理をすることを特徴とす
る磁気書込み/読出し処理装置の制御方法。 - 【請求項8】 請求項7記載の磁気書込み/読出し処理
装置の制御方法において、予め設定された書込み/読出
しモード(M〔θ〕)に基づいて磁気書込み/読出し手
段(13)や磁気検出手段(14)の位置変更処理をす
ることを特徴とする磁気書込み/読出し装置の制御方
法。 - 【請求項9】 請求項3及び7記載の磁気書込み/読出
し処理装置及びその制御方法において、前記磁気記憶媒
体(17)には、請求項1,2記載の磁気記憶媒体を用
いることを特徴とする磁気書込み/読出し処理装置及び
その制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18231292A JPH0628766A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 磁気記憶媒体,磁気書込み/読出し処理装置及びその制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18231292A JPH0628766A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 磁気記憶媒体,磁気書込み/読出し処理装置及びその制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0628766A true JPH0628766A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16116104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18231292A Withdrawn JPH0628766A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 磁気記憶媒体,磁気書込み/読出し処理装置及びその制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0628766A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8008940B2 (en) | 2008-02-26 | 2011-08-30 | Renesas Electronics Corporation | Circuit board test system and test method |
CN111508532A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-07 | 马维尔亚洲私人有限公司 | 用于磁存储介质的健康管理 |
US11557316B2 (en) | 2018-08-21 | 2023-01-17 | Marvell Asia Pte Ltd. | Pulse-based writing for magnetic storage media |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP18231292A patent/JPH0628766A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8008940B2 (en) | 2008-02-26 | 2011-08-30 | Renesas Electronics Corporation | Circuit board test system and test method |
US11557316B2 (en) | 2018-08-21 | 2023-01-17 | Marvell Asia Pte Ltd. | Pulse-based writing for magnetic storage media |
CN111508532A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-07 | 马维尔亚洲私人有限公司 | 用于磁存储介质的健康管理 |
CN111508532B (zh) * | 2019-01-31 | 2023-11-03 | 马维尔亚洲私人有限公司 | 用于磁存储介质的健康管理 |
TWI845597B (zh) * | 2019-01-31 | 2024-06-21 | 新加坡商馬維爾亞洲私人有限公司 | 用於磁存儲介質的健康管理 |
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