JPH06283842A - パターン形成方法及びこれに用いる粘着性電着塗料組成物 - Google Patents

パターン形成方法及びこれに用いる粘着性電着塗料組成物

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JPH06283842A
JPH06283842A JP9057193A JP9057193A JPH06283842A JP H06283842 A JPH06283842 A JP H06283842A JP 9057193 A JP9057193 A JP 9057193A JP 9057193 A JP9057193 A JP 9057193A JP H06283842 A JPH06283842 A JP H06283842A
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敏 武内
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 粘着性電着剤の電着法と基板への転写法との
組合せにより高精度のパターン形成方法、該パターンに
よるエッチングパターン形成方法及びこれに用いる粘着
性電着剤と剥離層形成剤を提供する。 【構成】 少くとも1面が導電性である基板上の導電性
面に電気絶縁性皮膜からなる逆パターン部を形成した電
極基板を作成し、該電極基板上に導電性を阻害しない剥
離層を形成した後、粘着性電着樹脂を含む電着浴中に浸
漬して対極との間で通電し、裸出導電性面に粘着性電着
樹脂層を形成させ、次いで転写用部材を載置密着させた
後、剥離転写することによって転写用部材面に粘着性樹
脂層を形成させることを特徴とするパターン形成方法該
パターンによるエッチングパターン形成方法、及びこれ
に用いる粘着性電着剤と剥離層形成剤。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は基板面に樹脂パターンを
形成する方法及び該樹脂パターンをエッチングレジスト
マスクとして基板面にエッチングパターンを形成する方
法とこれに用いる粘着性電着剤および剥離層形成剤とに
関する。
【0002】
【従来の技術】基板面に電子部品などの回路やマーク、
模様などを形成する方法として量産的にはスクリーン印
刷、平版オフセット印刷、凹版(グラビア)印刷等のい
わゆる印刷法が広く用いられ、又、高密度・高精度パタ
ーンの形成には感光性樹脂を用いて光学的に露光・現像
する方法(フォトリソグラフィー法)が常用されてい
る。
【0003】電着法によるパターン形成法としては電気
絶縁性基板上に導電性パターンを形成し、この導電性パ
ターン上に電着塗料浴中で対極を配して電流を流し、析
出した電着樹脂膜を転写用基板に転写し定着する方法が
提案されている(特開昭63−266482号公報参
照)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般印刷法によるパタ
ーン形成法は安価で量産的な方法であるが、得られたパ
ターンの精度が悪く又細線の印刷が出来ず高精度・高密
度パターン形成には適していない。一方感光性樹脂を用
いるフォトリソグラフィー法(以下、フォトリソ法と略
す)は極めて高精度・高密度・微細パターンの形成が可
能で、良く知られているように半導体電子部品その他の
微細加工に用いられている。しかしその工程が長く且つ
複雑で設備も高価となり、その結果パターン形成に長時
間を要しコストが高くなることも衆知の事実である。
【0005】電着法である特開昭63−266482号
公報記載の方法は、基板を反復使用する転写法としては
印刷法と類似し、印刷法よりも高精度にパターン転写が
可能であるが、基板に予め独立電極パターンを形成させ
る必要があり、且つ各電極パターンを電着操作時に陽極
(アニオン電着の場合)又は陰極(カチオン電着の場
合)と電気的に接続しておかねばならず、パターンが微
細になった場合には全てのパターン電極を電源と信頼性
高く接続するのが困難なことが多い。
【0006】特に孤立した線や島状パターン等をこの方
法で形成することは実際的に不可能であり、用途が限定
されざるを得ない。
【0007】上記電着法を更に改良した方法としては導
電性基板面に電気絶縁性マスクパターンを形成し、該基
板を電極版として金属膜又は有機物膜を電着形成させ、
転写用基板面に電着物を転写し又は転写後エッチングレ
ジストとしてエッチング加工する方法がある(特開平3
−150376号公報参照)。
【0008】この方法の場合はフォトリソ法に匹敵する
微細高精度パターンが得られるが、電着物が金属膜や皮
膜性有機物質膜であるためにそれ自体に粘着性が全くな
いか又は粘着性が悪く、直接転写することが難しい。そ
れを補填するために予め転写用部材面又は電着後の基板
面に粘着剤層を形成しておくことが必要である。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記従来法の諸問題は特
開平3−150376号公報記載の方法により基本的に
解決されているが、電着後の直接転写における信頼性の
向上と予め粘着剤層を形成する煩雑さを除去するため
に、更に改良して粘着電着剤を開発して直接電着し、予
め形成された粘着剤層がなくても転写用基板面に信頼性
高く簡便容易に転写できることを見いだし本発明を完成
させるに至った。
【0010】本発明の概要は、少なくとも1面が導電性
である基板上の導電性面に電気絶縁性の逆パターンを形
成した電極基板を用い、該基板上に導電性を阻害しない
剥離層形成処理を行ない、次いで粘着性電着樹脂を主成
分とする電着浴中に浸漬して対極を配置して通電し、電
気化学的に導電性部に粘着性電着樹脂を析出させてパタ
ーン状の粘着性電着樹脂層を形成させ、該粘着性電着樹
脂層を有する電着基板に、別に用意した転写用部材面を
密着(又は圧着)させた後、両者を引き剥がすことによ
って転写用部材面に粘着性電着樹脂層を転写し、そのま
まで完成パターン部材となすか、又は転写された電着樹
脂層をエッチングレジストマクスとして転写用部材面を
常法によってエッチング加工し、電着樹脂層を除去して
完成パターンとなすことを特徴とするパターン形成方法
及び、これに用いる粘着性電着塗料組成物及び剥離層形
成用有機珪素樹脂組成物に関する。
【0011】かくして本発明は特開平3−150376
号公報記載の方法に上記粘着性電着剤を用いることによ
って、簡便に高信頼性で高精度パターン転写部材を確実
に得ることが出来ると言う大きな特徴を更に付加する事
となった。
【0012】次に本発明のより詳細な説明を以下に述べ
る。
【0013】本発明に使用する導電性基板材料として
は、例えばステンレス、銅、鉄、ニッケル、クロム、
錫、亜鉛その他の汎用金属からなる金属板、又は電気絶
縁性のプラスチック板、フィルム等の表面にこれらの金
属箔を接着したもの、或いは前記金属単体又は酸化イン
ジューム−錫(ITO)に代表される導電性酸化物その
他の化合物を真空蒸着や化学蒸着等によって導電性薄膜
を形成させ、表面のみ導電性とした基板等を用いること
が出来る。
【0014】基板上への電気絶縁性パターンの形成に
は、印刷法による絶縁性インキの印刷、感光性樹脂によ
る光学的パターニング(フォトリソ法)、予め全面に無
機絶縁膜を蒸着やCVD、ゾル・ゲル法によって形成し
ておき、それをフォトエッチング等によって所望のパタ
ーン形状にエッチング加工して絶縁性パターンとする等
の公知の方法を用いることが出来る。
【0015】ここで印刷法では高精度精密パターンの作
成は不可能だが電着基板の反復性の高いものが得られ、
フォトリソ法では高精度精密パターンが得られるが高価
となり且つ一般に反復性が劣る。しかしSiO2 やAl
2 3 その他の金属酸化物膜のエッチング加工パターン
によれば高精度精密で反復性の高い電着基板を得ること
が出来る。
【0016】粘着性電着樹脂層を転写用基板に転写する
ためには電着物が基板から容易に剥離することが必要で
ある。一般に粘着性電着剤の電析物は基板との接着性に
富むからそのままでは剥離転写することが極めて困難で
あったり、転写確率が著しく悪かったりする。従って粘
着性電着剤を電着する前に予め電着基板を剥離剤処理を
しておくと電着物の剥離性が増し転写が容易確実とな
る。
【0017】一般に電着以外の塗布や成型作業では、塗
布物質の剥離を容易にする剥離剤としては比較的化学的
に不活性な高分子薄膜を塗布したりして形成している
が、シリコーン樹脂加工やふっ素加工等が常用されてい
る。しかしこれらは導電性を持たないので本発明の方法
には使用できない。
【0018】イオン形成基を有するオルガノポリシロキ
サン系の樹脂は薄膜において電着可能な導電性を有し且
つ剥離剤としての効果も高く本発明の目的に合致してい
る。例えば特開昭62−43468号公報に示された方
法で樹脂分子中にオニウム塩基を導入することにより目
的の剥離剤を作成することが出来る。
【0019】又、同公報記載のグリシドキシ基含有シラ
ンの代りに、一般式(II)
【化9】HOR3 Si(OR2 3 (II) (式中、R2 は炭素数1〜8の炭化水素基、R3 は炭素
数1〜8のアルキレン基を表す。)で表される化合物ま
たはその低縮合物、例えばγ−ヒドロキシプロピルトリ
メトキシシランを用いて同様に縮合した後、ジカルボン
酸無水物と反応せしめてカルボキシル基を導入した後当
該カルボキシル基の全て又は一部をアミン等の塩基で中
和することによっても得ることが出来る。
【0020】一般式(II)の化合物又はその低縮合物は
特開昭62−43468号公報に示された一般式(I)
【化10】R1 a Si(OR2 4-a (I) (式中、R1 は炭素数1〜12の炭化水素基、R2 は炭
素数1〜8の炭化水素基、aは0又は1〜2の整数を表
す。)で表される化合物又はその低縮合物100重量部
に対して10〜150重量部共縮合させるのが適当であ
る。10重量部以下では必要な量のカルボキシル基を分
子内に導入するのが困難であり、150重量部以上では
形成される膜の耐水性が低下し、粘着性電着剤をその上
に施す際に膜破壊などが生じやすく好ましくない。
【0021】剥離層形成用組成物とする場合は得られた
共縮合体100重量部に対して有機アミン化合物、オニ
ウム塩化合物、金属アルコキサイド、またはそのキレー
ト化物、金属塩、プロトン酸及びルイス酸より選ばれた
少なくとも1種の熱硬化触媒を0.01−5重量部添加
する必要がある。0.01重量部以下では触媒能力が不
足し硬化能性が低下する。5重量部以上入れても触媒硬
化は変わらず、逆に形成される塗膜の耐水性などが低下
するので好ましくない。
【0022】又、さらに一般式(III )
【化11】 CH2 =CR4 COOR3 Si(OR2 3 (III ) (式中、R4 は水素原子又はメチル基、R2 、R3 は前
記の意味を表す。)で表される化合物又はその低縮合物
を、前述の一般式(I)で表される化合物又はその低縮
合物100重量部、特開昭62−43468号公報記載
のグリシドキシ基含有シラン10〜150重量部に対し
て20〜150重量部共縮合した後、特開昭62−43
468号公報記載の方法と同様にしてオニウム塩化する
ことによっても得ることができる。
【0023】この共縮合体はこのままの形でも熱硬化性
剥離層形成用組成物として使用できるが更に硬化処理時
間を短くするために得られた共縮合体100重量部に対
して光ラジカル重合開始剤0.5−20重量部を添加し
光硬化性乃至は光、熱ジュアルキュアー型組成物として
も良い。光ラジカル重合開始剤としては特に制限は無
く、300nm−600nmの波長を有する活性光線に
よりラジカルを発生し、ラジカル重合を開始出来るもの
であればよい。またこれらの開始剤に増感色素等の増感
剤を併用しても良い。開始剤が0.5重量部以下では発
生するラジカル濃度が低く、光硬化性が劣り、20重量
部以上では開始剤により光が吸収され塗膜内部の硬化性
が低下する恐れがあり好ましくない。
【0024】又、さらに一般式(III )で表される化合
物又はその低縮合物を前述の一般式(I)で表される化
合物又はその低縮合物100重量部、前述の一般式(I
I)でで表される化合物又はその低縮合物10〜150
重量部に対して20〜150重量部共重合し、前述した
と同様にしてカルボン酸無水物を反応せしめてカルボキ
シル基を共縮合体中に導入、中和する事によっても得る
ことができる。
【0025】この共縮合物に前述した熱硬化触媒及び又
は光重合開始剤を添加する事により熱硬化性、光硬化性
又は光、熱ジュアルキュアー型とする事が出来る。
【0026】イオン形成基の含有量は形成される皮膜の
膜厚にもよるが通常0.5〜5.0モル/kg樹脂固形
分程度が好ましく、0.5モル/kg以下では形成され
る膜の電気抵抗が高くなり電着が困難になって好ましく
なく、5.0モル/kg以上では膜の電気抵抗が低くな
り、剥離層が絶縁層上にも塗布された場合に粘着性電着
樹脂層が絶縁層上にも電着析出する危険性を生じるため
に好ましくない。
【0027】これらのオルガノポリシロキサンは通常有
機溶剤や水又はそれらの混合物に0.05〜10重量%
好ましくは0.1〜5重量%の濃度に溶解した状態で使
用する。
【0028】塗布方法としては、浸漬法、スプレー法、
ロールコート法、印刷法、電着法等の公知の方法で行な
うことが出来る。塗布膜厚は特に制限がないが、通常
0.005〜5.0μmの範囲であることが望ましい。
膜厚が0.005μm以下だと剥離性が低下して転写性
が劣化し過ぎ、また5.0μm以上だとパターン再現性
の精度が低下するので好ましくない。
【0029】これらのポリオルガノシロキサンは熱硬化
性の場合は60−150℃で5−60分乾燥する。光硬
化性の場合は高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライ
ド灯、アルゴンイオンレーザーなどの活性エネルギー線
を照射して硬化させても良く、また活性エネルギー線照
射前または後に60−150℃で5秒から10分程度加
熱するいわゆるジュアルキュアーを行っても良い。
【0030】他の剥離性処理法としてNi電着液中にポ
リテトラフルオルエチレン(PTFE)を含有させて両
者を同時に鍍金する複合鍍金法が利用できる。例えば汎
用のスルファミン酸ニッケル電着液中にPTFEを微粒
子分散させ、Ni電着と同時にPTFEを共析させる方
法である。Ni膜中にPTFEが共存するのでNi単独
膜よりもはるかに摩擦係数が低くなり、その表面への他
の物質の付着性を低下させる性質がある。PTFEは他
の物質の付着性が最も低い材料であるが極めて電気抵抗
が高い。しかしNiが共存するので両者の複合膜は導電
性であり、且つ剥離性を備えている特徴を持っている。
PTFE以外のふっ素系高分子物のNi複合鍍金液も開
発されており同様の効果を持っていて、詳細成分は不明
だが市販品が入手できる(例えば、メタフロン:上村工
業株式会社製)。この複合電着法はNi電着と同様に取
り扱えるので基板との接着性がよく、従ってこの処理を
した電着面は長期間又は多数回の摩擦によっても剥離性
の劣化は少ない特徴を持っている。
【0031】電気絶縁性パターンを形成させた電着基板
の導電性部に前記Ni−ふっ素系高分子複合鍍金薄膜を
1次電着し、次いで粘着性電着剤を2次電着して転写す
れば、電着基板に剥離剤が強固に結合しているので2次
電着・転写を反復するだけの操作で作業が出来簡便能率
的となる。
【0032】更に別法としては基板面に接着性の低い金
属電着膜を利用することが出来る。例えば基板がステン
レスの場合には、その面に電着された多くの金属膜が容
易に剥離出来る。これはステンレスがFe−Ni−Cr
の合金であり、その表面に酸化膜が形成されていて他の
電着金属との結合を弱めているからである。従ってステ
ンレス基板面に絶縁性パターンを形成し、次いでCu,
Ni,Agその他の金属を薄膜で1次電着し、継続して
粘着性電着剤を2次電着した後転写用部材に転写すれば
金属電着層と共に粘着性樹脂層が一体で転写される。転
写後表面の金属薄膜層を適当なエッチング液を用いて溶
解除去すれば目的物が得られる。
【0033】ステンレス以外の基板の場合には表面にN
iやCr鍍金を行なっておけば、これらの金属は空気酸
化されて酸化膜を形成し同様に剥離性表面を形成するの
で、膨張係数の低いインバー材その他の特定の基板を用
いたい場合にはその表面をNi,Cr膜等を鍍金法その
他の方法で形成させておけばステンレスと同様に剥離剤
処理不用の方法に使用することが出来る。又空気酸化で
なくクロム酸や重クロム酸等の酸化剤溶液で処理し、強
制的に表面を酸化させる方法も信頼性高く酸化膜の形成
が出来るので有効である。
【0034】この場合の利点は1次電着金属として極め
て汎用性の安価な電着液が使用できること、導電性部の
パターンに極めて忠実に金属電着が可能であり、又粘着
剤層のみでは転写時にパターンが引き千切れたりする恐
れもあるが、下地として金属膜があるのでパターン形状
に忠実に且つ完全転写がより確実になる等である。
【0035】粘着性電着剤はアニオン型であってもカチ
オン型であってもよく、又電着膜自体が熱可塑性でも熱
又は光硬化性であってもよい。
【0036】粘着性電着剤の電着膜は常温粘着性でも熱
時粘着性でも使用できる。転写基板に対する粘着を容易
にするために電着膜のガラス転移温度は粘着加工時の温
度より少なくとも10℃低い事が好ましい。また転写基
板に対する十分な粘着強度を得るために粘着性電着剤に
使用される樹脂の分子量は数平均で少なくとも5000
0以上である事が好ましい。また当該樹脂を中和して水
溶解性乃至は水分散性とするために樹脂中にイオン形成
基を樹脂1kg当たり0.5−2.5モル含有させる事
が必要である。イオン形成基としてはアニオン性でもカ
チオン性でも良く例えばアニオン性のものとして、カル
ボン酸、有機燐酸、スルフォン酸等の酸のアルカリ金属
塩、アミン塩等、カチオン性のものとしてアミンのプロ
トン酸塩、オニウム塩等を挙げる事が出来る。これらの
イオン形成基の含有量が0.5モル/kg樹脂以下の場
合は水に溶解ないしは分散させる事が困難となり、また
2.5モル/kg樹脂以上では電着時の析出効率が低下
して好ましくない。
【0037】粘着性電着剤に使用し得る樹脂としては、
上記条件を満たすものであれば特に制限はないが、例え
ば中和により水溶性又は水分散性となるアクリル樹脂、
またはアクリルウレタン等のウレタン樹脂、または変性
ポリエーテル樹脂等が挙げられる。エッチング時の耐エ
ッチング液性を向上するために、これらの樹脂を熱硬化
性及び/又は光硬化性としても良い。
【0038】これらの樹脂に硬化性を付与する方法とし
てはアミノ樹脂またはブロックイソシアネート、熱重合
性不飽和結合を有する化合物等の公知の硬化剤を添加し
熱硬化性とする事が出来る。熱硬化性硬化剤を配合する
場合は樹脂100重量部に対して5−50重量部の範囲
である事が好ましい。5重量部以下では硬化剤の効果が
得られずまた、50重量部以上では架橋密度が高くなり
すぎ得られた膜の転写基板に対する付着力が低下しエッ
チング時に膜の剥がれ等を生じ易くなり好ましくない。
【0039】光硬化性とする場合は樹脂自身に重合性不
飽和結合を導入した樹脂100重量部または1分子中に
少なくとも2ケ以上の重合性不飽和結合を有する化合物
を樹脂自身には重合性不飽和結合を有しないまたは有す
る樹脂100重量部に対して5−50重量部加えた混合
物(重合性混合物と称する事がある)100重量部に対
して、300−600nmの波長を有する活性光線を照
射する事によりラジカルを発生する光重合開始剤0.1
−20重量部を配合する事が好ましい。当該不飽和化合
物が5重量部以下では硬化剤の添加効果が得られ難く、
50重量部以上では架橋密度が高くなりずき転写基板に
対する付着力が低下し、好ましくない。また、光重合開
始剤は0.1重量部以下では発生するラジカル量が少な
く十分に硬化させる事が困難であり、20重量部以上で
は開始剤により光が吸収されるために塗膜内部の硬化性
が低下する恐れがあり、好ましくない。また必要に応じ
て当該重合性混合物100重量部に対して1分子中に1
ケの重合性不飽和結合を有する化合物を約25重量部以
下加えても良い。また必要に応じて光増感色素などの増
感剤を重合性混合物100重量部に対して10重量部以
下程度併用しても良い。
【0040】粘着性電着剤中に視認性を良くしたり転写
後の色フィルター効果を期待して染料や顔料からなる着
色剤を添加したり、流動性調整のために溶剤や流動性調
整剤等を添加してもよい。
【0041】粘着性電着剤を基板上に電着するために
は、上記樹脂又は該樹脂と硬化成分等とを混合中和して
通常固形分1〜30重量%の水溶液又は水分散液とした
電着浴中に、対極と電着基板を浸漬し両者間に直流通電
する。但し電着剤がアニオン型の場合は電着基板を陽極
として、又カチオン型の場合には陰極として通電を行な
えば、電着樹脂層は電着基板の導電性パターン部に、そ
のパターン形状に忠実に形成される。
【0042】粘着性電着樹脂層の膜厚は電着基板面に形
成されている絶縁性パターンの膜厚によって決められ
る。電着膜厚が絶縁性パターン膜厚よりも薄いと、転写
操作で転写用基板と接触しないことがあり転写が不安定
となり易い。又絶縁性パターンよりも厚いと電着膜が横
方向にも成長し、電着パターンの線幅が元の絶縁性パタ
ーンの線幅よりも太くなるが、電着樹脂層が絶縁性パタ
ーン膜よりも突出した凸型となるので転写性は良好とな
る。従って絶縁性パターンを忠実に転写再現させるため
には、絶縁性パターン膜厚と同等かやや厚めに電着する
ことが必要である。
【0043】一般に絶縁性パターンの膜厚は0.1〜5
μmであり、それに応じて電着膜厚が決定される。電着
機構は絶縁性パターン膜の側壁に添って忠実に成長する
ので、絶縁性パターン膜と同じ厚さまでは極めて再現性
がよいが、それ以上の厚さに成長するにしたがって横方
向への成長も伴い線幅が太ってくる。太りの量は突出厚
さとほぼ同等か約2倍(例えば0.5μm突出すれば
0.5〜1μmの太り)であり、電着条件などに依存し
ている。
【0044】忠実な再現性と良好な転写性を同時に満足
させる好適な突出量は、経験的に0.1〜5μmであ
り、この時の太り量は絶縁性パターンの設計時に補正し
ておくと目的の線幅の転写線幅が安定して得られる。パ
ターン線幅の精度がそれほど要求されないならば更に突
出させ電着膜厚を任意の厚さまで厚くして転写するのも
実用的であり、目的に応じて突出量を設定することが出
来る。
【0045】この突出量設定仕様に従って電着する粘着
性電着樹脂層の厚さの制御は、電流密度、通電時間、印
加電圧等一般の電着塗装における膜厚調整法を適用する
ことが出来る。
【0046】電着基板上に得られた粘着性電着剤パター
ンは、その面に転写用基板を載置しローラーや加圧機な
どで両者を密着させた後、引き剥がせば転写用基板上に
電着剤パターンが転写される。この場合にローラーや加
圧機は常温型又は加熱型のものを使用することが出来
る。
【0047】転写用基板としては汎用金属板、ガラス
板、セラミック板、石英板、石板、木材、紙製品、プラ
スチック板、フィルム類等、又それらの面上に他の物質
を被覆させた複合製品、或いは例えばガラス板面に無
機、有機薄膜を形成させた後工程でエッチング加工する
ことを目的とするものなど広範囲の基板材料が使用でき
る。但し、ポリテトラフルオロエチレンの様な粘着剤の
粘着強度が発現しにくい基板は好ましくない。
【0048】転写の様態としては、転写用基板の片面に
密着転写、両面に密着転写の2種あるが、両面の場合は
パターンが同一であっても又は異なっていてもよい。更
にすでに転写・エッチング加工等が施された基板の加工
済みパターン上に、又はその外部に正確に整合して多重
パターンを形成させることも出来る(例えば薄膜半導体
加工等)。
【0049】粘着性電着樹脂層が熱硬化性である場合に
は転写用基板を密着したまま、又は転写用基板に転写後
に適当な加熱手段によって硬化させることが出来る。
【0050】活性光線硬化性である場合には電着基板又
は転写用基板の何れか一方又は両方が透明であれば、密
着後透明基板側から活性光線を照射して、又は転写後照
射して硬化させることが出来る。両者とも不透明であれ
ば転写後照射して硬化させる。
【0051】良好な転写性を得るためには両界面におけ
る粘着強度の差がJIS Z−0237−1980に準
拠した180度ピーリング強度で50gf/10mm以
上あることが望ましい。ピーリング強度の調整はオルガ
ノポリシロキサン層の厚さや前記したその他の剥離処理
に対応して転写条件を調節することによって容易に行な
うことが出来る。
【0052】かくして得られたパターンが、エッチング
を目的とする材料からなる基板上又はその材料で覆われ
た基板上に形成されている場合は、露出基板面を公知の
エッチング剤(エッチング液又はエッチングガス)又は
エッチング方法でエッチングし、基板表面に凹凸パター
ンを形成したり、打ち抜きパターンを形成させることが
出来る。
【0053】更に、必要に応じてエッチング後にパター
ン上に残存する粘着性電着樹脂層(この段階では一般に
粘着性は消滅していることが多い)を、適当な溶剤や
酸、アルカリ溶液などで除去してもよい。
【0054】次に本発明のパターン形成方法の理解を容
易にするためにモデル図による説明を付加する。
【0055】図1は本発明方法の一態様において、オル
ガノポリシロキサンを用いる工程を説明するための断面
図である。図1(a)に示すように金属等の導電性基板
1上に、電気絶縁性材料を用いて得ようとするパターン
の逆パターン層2を形成し、次いで図1(b)に示すよ
うにイオン形成基を有するオルガノポリシロキサン皮膜
3で被覆し、図1(c)に示すように導電性パターン部
に粘着性電着樹脂層4を電着形成し、次いで転写用基板
5を密着し(図示せず)、図1(d)に示すように導電
性基板1と転写用基板5を引き剥がして転写基板5上に
粘着性電着樹脂層4を転写して目的の転写パターンを形
成する。図1(b)の形態の電着基板は繰り返し使用す
ることが出来る。
【0056】図2は本発明方法の一態様において、剥離
性金属複合めっきによって剥離層を形成して用いる方法
における工程を説明するための断面図である。図1
(a)において剥離性金属複合めっき(例えばNi−P
TFEめっき)により図2(e)に示すように剥離性1
次めっき層6を形成する。1次めっき層の厚さは逆パタ
ーン層2の厚さよりも一般に薄いか又は同厚程度がよい
が、本図では薄くしてある。次いで図2(f)に示すよ
うに粘着性電着樹脂層4を電着し、前記同様に剥離転写
すると図2(g)に示すように転写基板上に目的の粘着
性電着樹脂層4のみが転写して目的の転写パターンが得
られ、図2(e)の形態の剥離性1次めっき層6を持つ
電着基板は繰り返し使用することが出来る。
【0057】図3は本発明方法の一態様において、電着
金属が剥離しやすいステンレス等の基板を用いる方法に
おける工程を説明するための断面図である。図1(a)
において導電性基板1に剥離性材料を用い絶縁性材料に
よって逆パターン層2を形成した電着基板を用いる。次
いで図3(h)に示すようにCuやNiその他の電着基
板面に接着性の低い1次金属めっき層7を薄膜電着す
る。続いて粘着性電着樹脂層4を2次電着し、前記同様
に転写用基板を密着後剥離転写すると図3(i)に示す
ように転写用基板上に金属めっき層7と粘着性電着樹脂
層4が一体で転写する。次いで表面に出ている金属めっ
き層を適当なエッチング液で溶解除去すれば図3(j)
に示すように目的の転写パターンが得られ、図1(a)
の形態の電着基板は繰り返し使用できる。
【0058】
【発明の効果】本発明の方法を従来技術からなるパター
ン形成方法と比較すると、一般印刷法では画線の形成精
度が悪く微細画線の形成が不可能なのに対し、本発明の
方法によれば容易且つ精密微細に形成が可能になる。又
フォトリソ法では一つのパターンを形成する毎に感光性
樹脂の塗布・パターン露光・現像・熱処理等の複雑な長
い工程が必要であるが、本方法によれば一度作成した電
着基板を用いて印刷と同様に、粘着性電着剤の電着と転
写を繰り返すことのみでフォトリソ法同等の精密微細な
パターンを形成でき、簡単な短い工程で、歩留まり良
く、低コストで高密度高精度パターンを高い信頼性で得
ることが出来る。
【0059】又従来技術の電着塗装・転写法とを比較す
ると、本発明の方法は島状パターンも支障なく形成でき
凡ゆる任意のパターンを得ることが出来る。
【0060】本発明の方法を利用し、エッチング加工を
併用して微細配線基板や薄膜半導体素子等の電子部品、
着色によって精密なパターンを持つ例えば液晶用カラー
フィルターのごとき多色フィルター基板や精密配線図、
超マイクロパターン等を安価に制作することが出来る。
又金属薄板から成るカラーTV用シャドウマスクや半導
体実装用のリードフレーム板製造等のエッチングレジス
ト形成も出来る。
【0061】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、これらの実施例に限定されるものではない。
尚、特に記載のない場合の「部」及び「%」は重量規準
である。又実施に当たっての材料合成例、製造処方例、
基材例等を予め記載する。
【0062】1)イオン形成基を有するポリシロキサン
の合成例 合成例1 反応容器にγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン100部、メチルトリメトキシシラン500部、酢酸
30部、N−ジメチルエタノールアミン38部、及び脱
イオン水250部を加え、攪拌しつつ60℃迄加熱し、
この温度に5時間保って透明な第4級アンモニウム塩基
を含有するオルガノポリシロキサンの溶液(略号OPS
−1)を得た。 固形分 約55
% 第4級アンモニウム塩基含有量 0.8
6モル/kg固形分
【0063】合成例2 反応容器にγ−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン
の50%メタノール溶液400部、メチルトリメトキシ
シラン200部、γ−メタクリロキシプロピルトリメト
キシシラン100部、酢酸2部及び脱イオン水162部
を加え、攪拌しつつ60℃で5時間保った後トルエンと
酢酸ブチルを夫々200部ずつ加えてメタノールを系外
に流去しつつ4時間を要して90℃まで徐々に昇温し、
90℃で1時間保った後、無水マレイン酸95部及びN
−ジメチルエタノールアミン85部を加え、更に3時間
90℃に保って透明なカルボン酸アミン塩及び重合性二
重結合を含有するオルガノポリシロキサンの溶液(略号
OPS−2)を得た。 固形分 約52
% カルボン酸アミン塩含有量 2.1
モル/kg固形分
【0064】合成例3 γ−ヒドロキシトリメトキシシランの50%メタノール
溶液400部、メチルトリメトキシシラン300部を酢
酸2部及び脱イオン水170部の存在下に合成例2と同
様にして反応した後、無水マレイン酸95部の代わりに
無水コハク酸98部を使用する以外は合成例2と全く同
様にして透明なカルボン酸アミン塩を含有するオルガノ
ポリシロキサン溶液(略号OPS−3)を得た。 固形分 約53
% カルボン酸アミン塩含有量 2.1
モル/kg固形分
【0065】合成例4 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、酢酸お
よびN−ジメチルエタノールアミンを使用せずにメチル
トリメトキシシラン700部を合成例1と全く同様にし
てイオン形成基を含まないポリシロキサン溶液(略号O
PS−4)を得た。 固形分 約55
【0066】2)粘着性電着剤樹脂の製造 製造例1 n−ブチルアクリレート 928部 アクリル酸 72部 ベンゾイルパーオキサイド 2部 を70℃で5時間重合した後、2000部のブチルセロ
ソルブに溶解してA−1溶液を得た。 固形分 約33
% カルボキシル基含有量 1モル
/kg固形分 数平均分子量 約38
0000
【0067】製造例2 N,N−ジメチルアミノエチルアクリレート 115部 2−ヒドロキシエチルメタアクリレート 150部 n−ブチルアクリレート 400部 メチルメタアクリレート 150部 n−ブチルメタアクリレート 185部 アゾビスイソブチロニトリル 5部 の混合液を反応容器中で70℃に加熱攪拌されているエ
チルセロソルブ200部中に2時間を要して滴下し、更
に2時間保った後アゾビスイソブチロニトリル20部を
450部のエチルセロソルブに溶解した溶液を3時間か
けて滴下し、更に70℃で3時間保ってA−2溶液を得
た。 固形分 約60% 3級アミノ基含有量 0.8モ
ル/kg固形分 数平均分子量 約210
000
【0068】製造例3 n−ブチルアクリレート928部の代わりにn−ブチル
メタクリレート928部を使用する以外は製造例1と全
く同様にしてA−3溶液を得た。 固形分 約33
% カルボキシル基含有量 1モル
/kg固形分 数平均分子量 約35
0000
【0069】製造例4 n−ブチルアクリレート 928部 アクリル酸 72部 ベンゾイルパーオキサイド 80部 の混合液を反応容器中で70℃に過熱攪拌されているエ
チルセロソルブ550部中に2時間を要して滴下し更に
70℃で5時間保った後エチルセロソルブ1450部を
加えてA−4溶液を得た。 固形分 約33
% カルボキシル基含有量 1モル
/kg固形分 数平均分子量 約12
000
【0070】3)粘着性電着剤浴の製造 電着剤浴例1(アニオン電着剤浴) A−1溶液 1000部 トリエチルアミン 20部 の混合液に脱イオン水3380部を攪拌しつつ徐々に加
え、固形分7.5%の電着剤浴−1を得た。
【0071】電着剤浴例2(カチオン電着剤浴) A−2溶液 1000部 ブロックイソシアネート 120部 ジブチル錫ジラウレート 5部 酢酸 19部 の混合液に脱イオン水12060部を攪拌しつつ徐々に
加えて固形分5%の電着剤浴−2を得た。
【0072】電着剤浴例3(アニオン電着剤浴) A−1の溶液 1000部 トリメチロールプロパントリアクリレート 90部 ベンゾインモノエチルエーテル 15部 トリエチルアミン 25部 の混合液に脱イオン水7270部を攪拌しつつ徐々に加
え固形分5%の電着剤浴−3を得た。
【0073】電着剤浴例4(アニオン電着剤浴) A−3の溶液 1000部 トリメチロールプロパントリアクリレート 90部 ベンゾインモノエチルエーテル 15部 トリエチルアミン 25部 の混合液に脱イオン水7270部を攪拌しつつ徐々に加
え固形分5%の電着剤浴−4を得た。
【0074】電着剤浴例5(アニオン電着剤浴) A−1の溶液1000部の代わりにA−4の溶液100
0部を使用する以外は電着剤浴1と全く同様にして固形
分7.5%の電着剤浴−5を得た。
【0075】4)電気絶縁性パターンを有する電着基板
の作成 電着基板例1 大きさ200×200mm、厚さ100μmのポリイミ
ドフィルムに膜厚18μmの銅箔を片面にラミネートし
た基材に、ゾンネEDUV−376(関西ペイント
(株)製ネガ型電着レジスト)を膜厚5μmに電着塗装
し、最小線幅としてライン/スペース=5/5μmのポ
ジ型解像力パターン及び孤立した0.2mmの円形のポ
ジパターン(円形部が光非透過性)を有するガラス製フ
ォトマスクをレジスト面に密着して超高圧水銀灯で25
mj/cm2 (365nm規準)露光量で照射し、1%
炭酸ソーダ水溶液で現像を行なった後、更に高圧水銀灯
で300mj/cm2 の露光量で照射して電着基板−1
を得た。
【0076】電着基板例2 大きさ200×200mm、厚さ100μmのポリエチ
レンテレフタレートフィルム(PETフィルム)の片面
にインジウム−錫オキサイド(ITO)皮膜をスパッタ
リングで形成し、そのITO面に電着基板−1と全く同
様な方法で膜厚3μmの電着レジスト膜を形成した後、
前例同様の解像力パターンを露光現像処理して電着基板
−2を得た。
【0077】電着基板例3 大きさ200×200mm、厚さ150μmの鏡面ステ
ンレス板面に市販フォトレジストOMR(東京応化
(株)製)を乾燥膜厚1μmになるようにスピンナーを
用いて回転塗布し、プレベーキング後最小線幅3μm、
最小ドット5×5μmを有する解像力パターンを前例同
様に密着露光し、同レジスト用指定方法にしたがって現
像・乾燥・ポストベーキングを行なって電着基板−3を
得た。
【0078】電着基板例4 大きさ200×200mm、厚さ150μmの鏡面のイ
ンパー材基板(線膨張係数:8×10-6)に下記ピロ燐
酸銅浴を用いて5μmの厚さに銅めっきをし、次いで電
着基板例−1と同様に電着レジスト層を形成し、大きさ
150×150mmで20μmラインから成る100メ
ッシュの網目状直交パターンを露光・現像して電着基板
−4を得た。 (ピロ燐酸銅浴組成) Cu2 2 7 ・3H2 O 94g/l K4 2 7 340g/l NH4 OH(28%) 3ml/l pH 8.8 P比(P2 7 4- /Cu2+) 7.0 液温 55℃ 電析速度(5A/dm) 1.0μm/min
【0079】実施例1 OPS−1の溶液をメタノール/水=1/1(容量比)
で固形分1%になるように希釈した溶液に電着基板−1
を浸漬し、30cm/分の速度で溶液中より引き上げ、
次いで130℃、30分乾燥して全面にオルガノポリシ
ロキサン膜を形成した。膜厚は約0.1μmであった。
次いで該電着基板を電着剤浴−1に浸漬、電着基板を陽
極、対極を陰極として50Vで45秒間通電した後引き
上げて水洗し、次いで80℃、10分間乾燥した。得ら
れた電着膜の膜厚は1.1μm、ガラス転移温度は−2
8℃であった。かくして基板の導電性パターン部に粘着
性電着樹脂層が形成され、次いでその面に電着基板−2
の製造に用いたITO膜付きフィルムを載置し、室温で
電着基板側からゴムローラーで両者を密着させた後、電
着基板を注意して引き剥がした。フィルム面には粘着性
電着剤のパターンが正確に転写された。又転写後の電着
基板は再度粘着性電着剤浴中において同様に電着し、他
のガラス基板面に転写することが出来た。この反復電着
転写操作は剥離層であるオルガノポリシロキサンの効果
が消滅するまで複数回継続でき、消滅後は再びオルガノ
ポリシロキサン膜形成処理を行なえば復元することがわ
かった。オルガノポリシロキサン膜の効果は、処理基板
及び未処理基板を用いて粘着力を測定したところ次の結
果を得、測定値上からも極めて有効であることが判明し
た。測定はパターンのない基板面をオルガノポリシロキ
サン処理及び未処理の2枚の基板を用い、粘着性電着樹
脂層を形成した後厚さ100μmのPETフィルムを同
様にして密着させ、該密着体を幅10mm長さ100m
mに切り取り、JIS Z−0237−1980に基ず
いて180度ピーリング試験を行なった。その結果、O
PS−1で処理しなかったものは300gf/100m
mの、処理したものは15gf/10mmの粘着強度を
示し、両者に著しい差があることを示した。尚、参考例
としてOPS−1処理をしない電着基板を用いた場合に
は、フィルム基板側に電着樹脂層を転写することが出来
なかった。次いで転写パターンを有するITO面の露出
ITO部を臭化水素水溶液でエッチングした後残存する
電着樹脂層を50℃の5%苛性ソーダ水溶液で除去して
欠陥の無い再現性の優れたエッチングパターンを得た。
【0080】実施例2 OPS−2の溶液1000部にα、α−ジメトキシ−α
−フェニルアセトフェノン3部を混合した溶液にエチル
セロソルブ/メタノール1/1(容量比)を加え固形分
10%になるように希釈し、スプレー法で乾燥膜厚が1
μmになるように絶縁性パターンを有する電着基板−2
の面に塗布し、80℃、10分間予備乾燥した後高圧水
銀灯で露光量300mj/cm2 の照射を行ないオルガ
ノポリシロキサン皮膜を得た。次いで該処理基板を電着
剤浴−2の浴中に浸漬し、基板を陰極、対極を陽極とし
て80V、60秒間通電した後、電着剤浴から引き上げ
80℃、10分間水切り乾燥を行なった。得られた電着
膜の膜厚は1.6μm、ガラス転移温度は12℃であっ
た。電着樹脂層を有する該基板面上に膜厚50μmのポ
リイミドフィルムに膜厚18μmの銅箔をラミネートし
た基板を載置した後、加熱型加圧機で100℃、1分、
圧力100kg/cm2 で圧着した後圧力を常温に戻し
室温まで冷却後電着基板から引き剥がした。ポリイミド
フィルムの銅箔面に再現性良く粘着性樹脂層パターンが
転写された。次いで転写フィルムを150℃、10分間
加熱して電着剤パターンを硬化させた。次に露出してい
る銅箔部を塩化第2鉄溶液でエッチング除去し、更に6
0℃の5%乳酸水溶液で残存する電着樹脂層を除去する
ことにより、欠陥のない再現性の優れたエッチングパタ
ーンを得た。電着樹脂層剥離後の電着基板はその後複数
回反復使用ができた。
【0081】実施例3 電着基板−2に、OPS−3の溶液1000部にテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイドの10%水溶液
を10部添加した混合液をメタノール/水 2/1(容
量比)で固形分1%になるように希釈し、実施例−1と
同様にしてオルガノポリシロキサン膜を形成した。膜厚
は約0.2μmであった。次いで電着剤浴−3中に浸漬
し、電着基板を陽極、対極を陰極として60V、45秒
間通電し、80℃、10分間水切り乾燥を行なった。得
られた電着膜の膜厚は1.2μm、ガラス転移温度は5
℃であった。次いで電着基板−2の製造に用いたITO
膜付きフィルムを基板の電着剤膜面に載置し、50℃で
1分間、40kg/cm2 の圧力で圧着した後、積層体
の両面から高圧水銀灯で夫々露光量20mj/cm2
照射して硬化させ、両者を引き剥がした。フィルムのI
TO面上には硬化した電着樹脂層が再現性良く転写形成
された。次いで転写パターンを有するITO面の露出I
TO部を臭化水素水溶液でエッチングした後、残存する
電着樹脂層を50℃の5%苛性ソーダ水溶液で除去して
欠陥のない再現性の優れたエッチングパターンを得た。
【0082】実施例4 1.5mm厚の無アルカリガラスに熱膨張係数が近い電
着基板−4を用い、得られた転写パターンの位置精度を
確認しつつ基板の反復使用状況を検討した。環境温度2
2℃で露光作成された電着基板−4の露出しているCu
パターン部を、2%HCl水溶液で洗浄し表面の酸化物
層を除去した後、Ni電着液中にふっ素系樹脂の微粒子
を分散させた複合めっき浴(メタフロン溶液(PTFE
含有スルファミン酸Ni液):商品名、上村工業株式会
社製)中に浸漬し、液温50℃、電流密度5A/dm2
で電着基板を陰極として通電し3〜3.5μmの厚さに
複合めっきした。次いで電着剤浴−1を用いて粘着性電
着剤を1.5〜2μmに電着し、以後実施例1と同様に
処理した後上記ガラス板に環境温度22℃で電着樹脂層
のみ転写して乾燥した(基板作成の露光時と転写時の環
境温度の差が0.2℃以下であるような温度制御下で作
業した)。乾燥後、転写形成したメッシュの各メッシュ
寸法と縦横(x,y)全長寸法をそれぞれ測定し、その
寸法を元のフォトマスクの対応部の寸法と比較した。こ
の実験は20回繰り返されたが、その結果は対応する各
メッシュのピッチ寸法は殆ど狂わず±0.5μm程度で
あり、累積全ピッチ長寸法の差は±2μmに入ってい
た。又電着基板の反復性は更に継続テストを行なって数
100回であることが確認された。尚、複合めっき層は
電着基板に強固に結合しており剥離しないので粘着電着
剤の電着と転写のみを反復した。即ちNi−PTFE層
は強固な半永久的な剥離層として作用し、電着・転写操
作を容易にすることが判明した。尚、転写用ガラス基板
面に前例同様にCu,ITO,Si,Cr等の薄膜を形
成しておき、その面上に電着剤パターン層を形成し、公
知の対応するエッチング液でエッチングして後電着樹脂
層を除去して高精度なエッチングパターンが得られるこ
とを確認した。
【0083】実施例5 ステンレス板からなる電着基板−3を用い、前記浴組成
のピロ燐酸銅浴から0.5μmの厚さに銅を1次電着
し、水洗後実施例1の電着剤浴−1から粘着性電着剤を
2μmの厚さに2次電着し、同様に水洗し加熱乾燥し
た。次いで1.2mm厚のガラス板面にITO膜を形成
させた基板と密着し、電着基板側からローラー加圧して
後電着基板を剥離したところ、1次電着銅と2次電着粘
着性電着樹脂層が一体でITO面上に転写され、表面に
銅のあるパターンを形成した。次いで塩化第2鉄系のエ
ッチング液を用い、銅とITOの薄膜を同時にエッチン
グし、更に50℃の50%苛性ソーダ水溶液で残存する
電着樹脂層を除去して欠陥のない再現性の優れたITO
パターンを得た。使用後の電着基板は上記工程において
反復使用が出来た。
【0084】比較例1 OPS−4を用いる以外は実施例1と全く同様に粘着性
電着剤の電着を試みたが電着膜の析出は認められなかっ
た。
【0085】比較例2 電着剤浴−4を用いる以外は実施例−3と全く同様にし
て電着基板−2上にポリシロキサン膜を介して電着膜を
形成した。電着膜の膜厚は1.0μm、ガラス転移温度
は45℃であった。次いで実施例−3と全く同様にして
ITO膜上に電着樹脂層を転写した。電着剤の転写は不
完全であり、パターンの再現性は不良であった。
【0086】比較例3 電着剤浴−5を使用する以外は実施例−1と全く同様に
して電着基板−1上にポリシロキサン膜を介して電着膜
を形成した。電着膜の膜厚は1.3μm、ガラス転移温
度は−32℃であった。次いで実施例−1と全く同様に
してガラス基板上に電着樹脂層を転写した。電着剤の転
写は不完全であり、パターンの再現性は不良であった。
次いで実施例−1と全く同様にしてエッチング及び剥離
を行った。得られたエッチングパターンは断線、パター
ン欠落などが多くみられ不良であった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法の一態様を示す概略モデル断面図で
ある。本図は、剥離剤としてオルガノポリシロキサンを
用いる工程断面図である。
【図2】本発明方法の一態様を示す概略モデル断面図で
ある。本図は、剥離層を剥離性金属複合めっきによって
形成して用いる工程断面図である。
【図3】本発明方法の一態様を示す概略モデル断面図で
ある。本図は、電着金属が剥離しやすいステンレス等の
基板を用いる工程断面図である。
【符号の説明】
1 導電性基板 2 電気絶縁性・非粘着性逆パターン層 3 ポリシロキサン皮膜 4 粘着性電着樹脂層 5 転写用基板 6 剥離性1次めっき層 7 剥離性1次金属めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 馬場 淳 東京都新宿区市谷加賀町1丁目1番1号 大日本印刷株式会社内

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少くとも1面が導電性である基板上の導
    電性面に電気絶縁性皮膜からなる逆パターン部を形成し
    た電極基板を作成し、該電極基板上に導電性を阻害しな
    い剥離層を形成した後、粘着性電着樹脂を含む電着浴中
    に浸漬して対極との間で通電し、裸出導電性面に粘着性
    電着樹脂層を形成させ、次いで転写用部材を載置密着さ
    せた後、剥離転写することによって転写用部材面に粘着
    性樹脂層を形成させることを特徴とするパターン形成方
    法。
  2. 【請求項2】 電極基板上に形成した剥離層が、イオン
    形成基を有するオルガノポリシロキサン溶液の塗布後、
    加熱、活性光線などによる乾燥で形成されていることを
    特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
  3. 【請求項3】 電極基板上に形成した剥離層が、ふっ素
    樹脂含有のニッケル電着浴中において初期電着を行な
    い、ふっ素樹脂含有ニッケルの複合電着膜によって形成
    されていることを特徴とする請求項1記載のパターン形
    成方法。
  4. 【請求項4】 電極基板上に形成した剥離層が、導電性
    基板上に電着される一次電着金属層であって、導電性基
    板から粘着性電着樹脂層と一体となって剥離転写される
    ことを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
  5. 【請求項5】 粘着性電着樹脂層と一体となって剥離転
    写された一次電着金属層および必要に応じて転写用部材
    面をエッチング液で溶解除去して転写パターンを形成
    し、次いで必要に応じて該粘着性電着樹脂層を除去する
    請求項4記載のパターン形成方法。
  6. 【請求項6】 粘着性電着樹脂層が染料又は顔料により
    任意色に着色されていることを特徴とする請求項1記載
    のパターン形成方法。
  7. 【請求項7】 粘着性電着樹脂層が非硬化性であること
    を特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
  8. 【請求項8】 粘着性電着樹脂層が硬化性であることを
    特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
  9. 【請求項9】 転写方法が硬化性粘着性電着樹脂層を転
    写用部材面に密着硬化後剥離転写するか、又は密着後剥
    離転写し、次いで硬化せしめることを特徴とする請求項
    1記載のパターン形成方法。
  10. 【請求項10】 請求項1ないし3および6ないし9記
    載の方法で得られた転写用部材面に転写された粘着性樹
    脂層又はその硬化樹脂層をエッチングレジストマスクと
    して転写用部材面を常法によりエッチング加工し、必要
    に応じて加工後マスク材を除去することを特徴とするパ
    ターン形成方法。
  11. 【請求項11】 粘着性電着樹脂層を転写除去した電着
    基板を反復使用することを特徴とする請求項1ないし1
    0記載のパターン形成方法。
  12. 【請求項12】 それぞれ数平均分子量が少なくとも5
    0,000でかつイオン形成基を樹脂1kg中に0.5
    〜2.5モル含有するアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂
    又は変性ポリエーテル樹脂を必須成分として含み、得ら
    れる電着塗膜のガラス転移温度が粘着加工時の温度より
    少なくとも10℃低いことを特徴とする転写用粘着性電
    着塗料組成物。
  13. 【請求項13】 (A)それぞれ数平均分子量が少なく
    とも50,000でかつイオン形成基を樹脂1kg中に
    0.5〜2.5モル含有するアクリル樹脂、ポリウレタ
    ン樹脂又は変性ポリエーテル樹脂100重量部、(B)
    熱硬化性架橋剤5〜50重量部を必須成分として含み、
    得られる電着塗膜のガラス転移温度が粘着加工時の温度
    より少なくとも10℃低いことを特徴とする転写用粘着
    性電着塗料組成物。
  14. 【請求項14】 (A)それぞれ数平均分子量が少なく
    とも50,000でかつイオン形成基を樹脂1kg中に
    0.5〜2.5モル含有するアクリル樹脂、ポリウレタ
    ン樹脂又は変性ポリエーテル樹脂100重量部、(B)
    1分子中に少なくとも2個以上の重合性不飽和結合を含
    有する化合物5〜50重量部、(C)光重合開始剤0.
    1〜20重量部を必須成分として含み、得られる電着塗
    膜のガラス転移温度が粘着加工時の温度より少なくとも
    10℃低いことを特徴とする転写用粘着性電着塗料組成
    物。
  15. 【請求項15】 (イ)下記式(I) 【化1】R1 a Si(OR2 4-a (I) (式中、R1 は炭素数1〜12の炭化水素基、R2 は炭
    素数1〜8の炭化水素基、aは0又は1〜2の整数を表
    す。)で表される有機珪素化合物及び/又はその低縮合
    物100重量部に対して、下記式(II) 【化2】HOR3 Si(OR2 3 (II) (式中、R3 は炭素数1〜8のアルキレン基、R2 は前
    記の意味を表す。)で表される有機珪素化合物及び/又
    はその低縮合物10〜150重量部を共縮合させて得ら
    れる共縮合物に、ジカルボン酸無水物を反応させて得ら
    れる樹脂1kg中にカルボキシル基を0.5〜5.0モ
    ル含有する有機珪素樹脂100重量部、および(ロ)有
    機アミン化合物、オニウム塩化合物、金属アルコキサイ
    ド又はそのキレート化物、金属塩、プロトン酸及びルイ
    ス酸より選ばれた少なくとも1種の触媒0.01〜5重
    量部を必須成分として含有することを特徴とする剥離層
    形成用熱硬化性有機珪素樹脂組成物。
  16. 【請求項16】 (イ)下記式(I) 【化3】R1 a Si(OR2 4-a (I) (式中、R1 は炭素数1〜12の炭化水素基、R2 は炭
    素数1〜8の炭化水素基、aは0又は1〜2の整数を表
    す。)で表される有機珪素化合物及び/又はその低縮合
    物100重量部に対して、下記式(II) 【化4】HOR3 Si(OR2 3 (II) (式中、R3 は炭素数1〜8のアルキレン基、R2 は前
    記の意味を表す。)で表される有機珪素化合物及び/又
    はその低縮合物10〜150重量部と、下記式(III ) 【化5】 CH2 =CR4 COOR3 Si(OR2 3 (III ) (式中、R4 は水素原子又はメチル基、R2 、R3 は前
    記の意味を表す。)で表される有機珪素化合物及び/又
    はその低縮合物20〜150重量部とを共縮合させて得
    られる共縮合物に、ジカルボン酸無水物を反応させて得
    られる樹脂1kg中にカルボキシル基を0.5〜5.0
    モル含有する有機珪素樹脂100重量部、および(ロ)
    光ラジカル重合開始剤0.5〜20重量部を必須成分と
    して含有することを特徴とする剥離層形成用光硬化性有
    機珪素樹脂組成物。
  17. 【請求項17】 下記式(I) 【化6】R1 a Si(OR2 4-a (I) (式中、R1 は炭素数1〜12の炭化水素基、R2 は炭
    素数1〜8の炭化水素基、aは0又は1〜2の整数を表
    す。)で表される有機珪素化合物及び/又はその低縮合
    物100重量部に対して、下記式(III ) 【化7】 CH2 =CR4 COOR3 Si(OR2 3 (III ) (式中、R3 は炭素数1〜8のアルキレン基、R4 は水
    素原子又はメチル基、R2 は前記の意味を表す。)で表
    される有機珪素化合物及び/又はその低縮合物20〜1
    50重量部と、下記式(IV) 【化8】 (式中、R2 、R3 、R4 は前記の意味を表す。)で表
    される有機珪素化合物及び/又はその低縮合物10〜1
    50重量部とを共縮合させて得られる共縮合物に第3級
    アミン化合物、チオエーテル化合物又はフオフフィン化
    合物を反応させて得られる樹脂1kg中にオニウム塩基
    を0.5〜5.0モル含有する有機珪素樹脂を必須成分
    として含有することを特徴とする剥離層形成用有機珪素
    樹脂組成物。
  18. 【請求項18】 請求項17記載の有機珪素樹脂100
    重量部に対し、光ラジカル重合開始剤0.5〜20重量
    部を配合してなる剥離層形成用光、熱ジュアル硬化性有
    機珪素樹脂組成物。
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