JP3351850B2 - パターン形成方法及びこれに用いる粘着性電着塗料組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は基板面に樹脂パターンを
形成する方法及び該樹脂パターンをエッチングレジスト
マスクとして基板面にエッチングパターンを形成する方
法とこれに用いる粘着性電着剤および剥離層形成剤とに
関する。

【０００２】

【従来の技術】基板面に電子部品などの回路やマーク、
模様などを形成する方法として量産的にはスクリーン印
刷、平版オフセット印刷、凹版（グラビア）印刷等のい
わゆる印刷法が広く用いられ、又、高密度・高精度パタ
ーンの形成には感光性樹脂を用いて光学的に露光・現像
する方法（フォトリソグラフィー法）が常用されてい
る。

【０００３】電着法によるパターン形成法としては電気
絶縁性基板上に導電性パターンを形成し、この導電性パ
ターン上に電着塗料浴中で対極を配して電流を流し、析
出した電着樹脂膜を転写用基板に転写し定着する方法が
提案されている（特開昭６３−２６６４８２号公報参
照）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般印刷法によるパタ
ーン形成法は安価で量産的な方法であるが、得られたパ
ターンの精度が悪く又細線の印刷が出来ず高精度・高密
度パターン形成には適していない。一方感光性樹脂を用
いるフォトリソグラフィー法（以下、フォトリソ法と略
す）は極めて高精度・高密度・微細パターンの形成が可
能で、良く知られているように半導体電子部品その他の
微細加工に用いられている。しかしその工程が長く且つ
複雑で設備も高価となり、その結果パターン形成に長時
間を要しコストが高くなることも衆知の事実である。

【０００５】電着法である特開昭６３−２６６４８２号
公報記載の方法は、基板を反復使用する転写法としては
印刷法と類似し、印刷法よりも高精度にパターン転写が
可能であるが、基板に予め独立電極パターンを形成させ
る必要があり、且つ各電極パターンを電着操作時に陽極
（アニオン電着の場合）又は陰極（カチオン電着の場
合）と電気的に接続しておかねばならず、パターンが微
細になった場合には全てのパターン電極を電源と信頼性
高く接続するのが困難なことが多い。

【０００６】特に孤立した線や島状パターン等をこの方
法で形成することは実際的に不可能であり、用途が限定
されざるを得ない。

【０００７】上記電着法を更に改良した方法としては導
電性基板面に電気絶縁性マスクパターンを形成し、該基
板を電極版として金属膜又は有機物膜を電着形成させ、
転写用基板面に電着物を転写し又は転写後エッチングレ
ジストとしてエッチング加工する方法がある（特開平３
−１５０３７６号公報参照）。

【０００８】この方法の場合はフォトリソ法に匹敵する
微細高精度パターンが得られるが、電着物が金属膜や皮
膜性有機物質膜であるためにそれ自体に粘着性が全くな
いか又は粘着性が悪く、直接転写することが難しい。そ
れを補填するために予め転写用部材面又は電着後の基板
面に粘着剤層を形成しておくことが必要である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記従来法の諸問題は特
開平３−１５０３７６号公報記載の方法により基本的に
解決されているが、電着後の直接転写における信頼性の
向上と予め粘着剤層を形成する煩雑さを除去するため
に、更に改良して粘着電着剤を開発して直接電着し、予
め形成された粘着剤層がなくても転写用基板面に信頼性
高く簡便容易に転写できることを見いだし本発明を完成
させるに至った。

【００１０】本発明の概要は、少なくとも１面が導電性
である基板上の導電性面に電気絶縁性の逆パターンを形
成した電極基板を用い、該基板上に導電性を阻害しない
剥離層形成処理を行ない、次いで粘着性電着樹脂を主成
分とする電着浴中に浸漬して対極を配置して通電し、電
気化学的に導電性部に粘着性電着樹脂を析出させてパタ
ーン状の粘着性電着樹脂層を形成させ、該粘着性電着樹
脂層を有する電着基板に、別に用意した転写用部材面を
密着（又は圧着）させた後、両者を引き剥がすことによ
って転写用部材面に粘着性電着樹脂層を転写し、そのま
まで完成パターン部材となすか、又は転写された電着樹
脂層をエッチングレジストマクスとして転写用部材面を
常法によってエッチング加工し、電着樹脂層を除去して
完成パターンとなすことを特徴とするパターン形成方法
及び、これに用いる粘着性電着塗料組成物及び剥離層形
成用有機珪素樹脂組成物に関する。

【００１１】かくして本発明は特開平３−１５０３７６
号公報記載の方法に上記粘着性電着剤を用いることによ
って、簡便に高信頼性で高精度パターン転写部材を確実
に得ることが出来ると言う大きな特徴を更に付加する事
となった。

【００１２】次に本発明のより詳細な説明を以下に述べ
る。

【００１３】本発明に使用する導電性基板材料として
は、例えばステンレス、銅、鉄、ニッケル、クロム、
錫、亜鉛その他の汎用金属からなる金属板、又は電気絶
縁性のプラスチック板、フィルム等の表面にこれらの金
属箔を接着したもの、或いは前記金属単体又は酸化イン
ジューム−錫（ＩＴＯ）に代表される導電性酸化物その
他の化合物を真空蒸着や化学蒸着等によって導電性薄膜
を形成させ、表面のみ導電性とした基板等を用いること
が出来る。

【００１４】基板上への電気絶縁性パターンの形成に
は、印刷法による絶縁性インキの印刷、感光性樹脂によ
る光学的パターニング（フォトリソ法）、予め全面に無
機絶縁膜を蒸着やＣＶＤ、ゾル・ゲル法によって形成し
ておき、それをフォトエッチング等によって所望のパタ
ーン形状にエッチング加工して絶縁性パターンとする等
の公知の方法を用いることが出来る。

【００１５】ここで印刷法では高精度精密パターンの作
成は不可能だが電着基板の反復性の高いものが得られ、
フォトリソ法では高精度精密パターンが得られるが高価
となり且つ一般に反復性が劣る。しかしＳｉＯ₂ やＡｌ
₂ Ｏ₃ その他の金属酸化物膜のエッチング加工パターン
によれば高精度精密で反復性の高い電着基板を得ること
が出来る。

【００１６】粘着性電着樹脂層を転写用基板に転写する
ためには電着物が基板から容易に剥離することが必要で
ある。一般に粘着性電着剤の電析物は基板との接着性に
富むからそのままでは剥離転写することが極めて困難で
あったり、転写確率が著しく悪かったりする。従って粘
着性電着剤を電着する前に予め電着基板を剥離剤処理を
しておくと電着物の剥離性が増し転写が容易確実とな
る。

【００１７】一般に電着以外の塗布や成型作業では、塗
布物質の剥離を容易にする剥離剤としては比較的化学的
に不活性な高分子薄膜を塗布したりして形成している
が、シリコーン樹脂加工やふっ素加工等が常用されてい
る。しかしこれらは導電性を持たないので本発明の方法
には使用できない。

【００１８】イオン形成基を有するオルガノポリシロキ
サン系の樹脂は薄膜において電着可能な導電性を有し且
つ剥離剤としての効果も高く本発明の目的に合致してい
る。例えば特開昭６２−４３４６８号公報に示された方
法で樹脂分子中にオニウム塩基を導入することにより目
的の剥離剤を作成することが出来る。

【００１９】又、同公報記載のグリシドキシ基含有シラ
ンの代りに、一般式（II）

【化９】ＨＯＲ³ Ｓｉ（ＯＲ² ）₃ （II） （式中、Ｒ² は炭素数１〜８の炭化水素基、Ｒ³ は炭素
数１〜８のアルキレン基を表す。）で表される化合物ま
たはその低縮合物、例えばγ−ヒドロキシプロピルトリ
メトキシシランを用いて同様に縮合した後、ジカルボン
酸無水物と反応せしめてカルボキシル基を導入した後当
該カルボキシル基の全て又は一部をアミン等の塩基で中
和することによっても得ることが出来る。

【００２０】一般式（II）の化合物又はその低縮合物は
特開昭６２−４３４６８号公報に示された一般式（Ｉ）

【化１０】Ｒ¹ _a Ｓｉ（ＯＲ² ）_4-a （Ｉ） （式中、Ｒ¹ は炭素数１〜１２の炭化水素基、Ｒ² は炭
素数１〜８の炭化水素基、ａは０又は１〜２の整数を表
す。）で表される化合物又はその低縮合物１００重量部
に対して１０〜１５０重量部共縮合させるのが適当であ
る。１０重量部以下では必要な量のカルボキシル基を分
子内に導入するのが困難であり、１５０重量部以上では
形成される膜の耐水性が低下し、粘着性電着剤をその上
に施す際に膜破壊などが生じやすく好ましくない。

【００２１】剥離層形成用組成物とする場合は得られた
共縮合体１００重量部に対して有機アミン化合物、オニ
ウム塩化合物、金属アルコキサイド、またはそのキレー
ト化物、金属塩、プロトン酸及びルイス酸より選ばれた
少なくとも１種の熱硬化触媒を０．０１−５重量部添加
する必要がある。０．０１重量部以下では触媒能力が不
足し硬化能性が低下する。５重量部以上入れても触媒硬
化は変わらず、逆に形成される塗膜の耐水性などが低下
するので好ましくない。

【００２２】又、さらに一般式（III ）

【化１１】 ＣＨ₂ ＝ＣＲ⁴ ＣＯＯＲ³ Ｓｉ（ＯＲ² ）₃ （III ） （式中、Ｒ⁴ は水素原子又はメチル基、Ｒ² 、Ｒ³ は前
記の意味を表す。）で表される化合物又はその低縮合物
を、前述の一般式（Ｉ）で表される化合物又はその低縮
合物１００重量部、特開昭６２−４３４６８号公報記載
のグリシドキシ基含有シラン１０〜１５０重量部に対し
て２０〜１５０重量部共縮合した後、特開昭６２−４３
４６８号公報記載の方法と同様にしてオニウム塩化する
ことによっても得ることができる。

【００２３】この共縮合体はこのままの形でも熱硬化性
剥離層形成用組成物として使用できるが更に硬化処理時
間を短くするために得られた共縮合体１００重量部に対
して光ラジカル重合開始剤０．５−２０重量部を添加し
光硬化性乃至は光、熱ジュアルキュアー型組成物として
も良い。光ラジカル重合開始剤としては特に制限は無
く、３００ｎｍ−６００ｎｍの波長を有する活性光線に
よりラジカルを発生し、ラジカル重合を開始出来るもの
であればよい。またこれらの開始剤に増感色素等の増感
剤を併用しても良い。開始剤が０．５重量部以下では発
生するラジカル濃度が低く、光硬化性が劣り、２０重量
部以上では開始剤により光が吸収され塗膜内部の硬化性
が低下する恐れがあり好ましくない。

【００２４】又、さらに一般式（III ）で表される化合
物又はその低縮合物を前述の一般式（Ｉ）で表される化
合物又はその低縮合物１００重量部、前述の一般式（I
I）でで表される化合物又はその低縮合物１０〜１５０
重量部に対して２０〜１５０重量部共重合し、前述した
と同様にしてカルボン酸無水物を反応せしめてカルボキ
シル基を共縮合体中に導入、中和する事によっても得る
ことができる。

【００２５】この共縮合物に前述した熱硬化触媒及び又
は光重合開始剤を添加する事により熱硬化性、光硬化性
又は光、熱ジュアルキュアー型とする事が出来る。

【００２６】イオン形成基の含有量は形成される皮膜の
膜厚にもよるが通常０．５〜５．０モル／ｋｇ樹脂固形
分程度が好ましく、０．５モル／ｋｇ以下では形成され
る膜の電気抵抗が高くなり電着が困難になって好ましく
なく、５．０モル／ｋｇ以上では膜の電気抵抗が低くな
り、剥離層が絶縁層上にも塗布された場合に粘着性電着
樹脂層が絶縁層上にも電着析出する危険性を生じるため
に好ましくない。

【００２７】これらのオルガノポリシロキサンは通常有
機溶剤や水又はそれらの混合物に０．０５〜１０重量％
好ましくは０．１〜５重量％の濃度に溶解した状態で使
用する。

【００２８】塗布方法としては、浸漬法、スプレー法、
ロールコート法、印刷法、電着法等の公知の方法で行な
うことが出来る。塗布膜厚は特に制限がないが、通常
０．００５〜５．０μｍの範囲であることが望ましい。
膜厚が０．００５μｍ以下だと剥離性が低下して転写性
が劣化し過ぎ、また５．０μｍ以上だとパターン再現性
の精度が低下するので好ましくない。

【００２９】これらのポリオルガノシロキサンは熱硬化
性の場合は６０−１５０℃で５−６０分乾燥する。光硬
化性の場合は高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライ
ド灯、アルゴンイオンレーザーなどの活性エネルギー線
を照射して硬化させても良く、また活性エネルギー線照
射前または後に６０−１５０℃で５秒から１０分程度加
熱するいわゆるジュアルキュアーを行っても良い。

【００３０】他の剥離性処理法としてＮｉ電着液中にポ
リテトラフルオルエチレン（ＰＴＦＥ）を含有させて両
者を同時に鍍金する複合鍍金法が利用できる。例えば汎
用のスルファミン酸ニッケル電着液中にＰＴＦＥを微粒
子分散させ、Ｎｉ電着と同時にＰＴＦＥを共析させる方
法である。Ｎｉ膜中にＰＴＦＥが共存するのでＮｉ単独
膜よりもはるかに摩擦係数が低くなり、その表面への他
の物質の付着性を低下させる性質がある。ＰＴＦＥは他
の物質の付着性が最も低い材料であるが極めて電気抵抗
が高い。しかしＮｉが共存するので両者の複合膜は導電
性であり、且つ剥離性を備えている特徴を持っている。
ＰＴＦＥ以外のふっ素系高分子物のＮｉ複合鍍金液も開
発されており同様の効果を持っていて、詳細成分は不明
だが市販品が入手できる（例えば、メタフロン：上村工
業株式会社製）。この複合電着法はＮｉ電着と同様に取
り扱えるので基板との接着性がよく、従ってこの処理を
した電着面は長期間又は多数回の摩擦によっても剥離性
の劣化は少ない特徴を持っている。

【００３１】電気絶縁性パターンを形成させた電着基板
の導電性部に前記Ｎｉ−ふっ素系高分子複合鍍金薄膜を
１次電着し、次いで粘着性電着剤を２次電着して転写す
れば、電着基板に剥離剤が強固に結合しているので２次
電着・転写を反復するだけの操作で作業が出来簡便能率
的となる。

【００３２】更に別法としては基板面に接着性の低い金
属電着膜を利用することが出来る。例えば基板がステン
レスの場合には、その面に電着された多くの金属膜が容
易に剥離出来る。これはステンレスがＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ
の合金であり、その表面に酸化膜が形成されていて他の
電着金属との結合を弱めているからである。従ってステ
ンレス基板面に絶縁性パターンを形成し、次いでＣｕ，
Ｎｉ，Ａｇその他の金属を薄膜で１次電着し、継続して
粘着性電着剤を２次電着した後転写用部材に転写すれば
金属電着層と共に粘着性樹脂層が一体で転写される。転
写後表面の金属薄膜層を適当なエッチング液を用いて溶
解除去すれば目的物が得られる。

【００３３】ステンレス以外の基板の場合には表面にＮ
ｉやＣｒ鍍金を行なっておけば、これらの金属は空気酸
化されて酸化膜を形成し同様に剥離性表面を形成するの
で、膨張係数の低いインバー材その他の特定の基板を用
いたい場合にはその表面をＮｉ，Ｃｒ膜等を鍍金法その
他の方法で形成させておけばステンレスと同様に剥離剤
処理不用の方法に使用することが出来る。又空気酸化で
なくクロム酸や重クロム酸等の酸化剤溶液で処理し、強
制的に表面を酸化させる方法も信頼性高く酸化膜の形成
が出来るので有効である。

【００３４】この場合の利点は１次電着金属として極め
て汎用性の安価な電着液が使用できること、導電性部の
パターンに極めて忠実に金属電着が可能であり、又粘着
剤層のみでは転写時にパターンが引き千切れたりする恐
れもあるが、下地として金属膜があるのでパターン形状
に忠実に且つ完全転写がより確実になる等である。

【００３５】粘着性電着剤はアニオン型であってもカチ
オン型であってもよく、又電着膜自体が熱可塑性でも熱
又は光硬化性であってもよい。

【００３６】粘着性電着剤の電着膜は常温粘着性でも熱
時粘着性でも使用できる。転写基板に対する粘着を容易
にするために電着膜のガラス転移温度は粘着加工時の温
度より少なくとも１０℃低い事が好ましい。また転写基
板に対する十分な粘着強度を得るために粘着性電着剤に
使用される樹脂の分子量は数平均で少なくとも５０００
０以上である事が好ましい。また当該樹脂を中和して水
溶解性乃至は水分散性とするために樹脂中にイオン形成
基を樹脂１ｋｇ当たり０．５−２．５モル含有させる事
が必要である。イオン形成基としてはアニオン性でもカ
チオン性でも良く例えばアニオン性のものとして、カル
ボン酸、有機燐酸、スルフォン酸等の酸のアルカリ金属
塩、アミン塩等、カチオン性のものとしてアミンのプロ
トン酸塩、オニウム塩等を挙げる事が出来る。これらの
イオン形成基の含有量が０．５モル／ｋｇ樹脂以下の場
合は水に溶解ないしは分散させる事が困難となり、また
２．５モル／ｋｇ樹脂以上では電着時の析出効率が低下
して好ましくない。

【００３７】粘着性電着剤に使用し得る樹脂としては、
上記条件を満たすものであれば特に制限はないが、例え
ば中和により水溶性又は水分散性となるアクリル樹脂、
またはアクリルウレタン等のウレタン樹脂、または変性
ポリエーテル樹脂等が挙げられる。エッチング時の耐エ
ッチング液性を向上するために、これらの樹脂を熱硬化
性及び／又は光硬化性としても良い。

【００３８】これらの樹脂に硬化性を付与する方法とし
てはアミノ樹脂またはブロックイソシアネート、熱重合
性不飽和結合を有する化合物等の公知の硬化剤を添加し
熱硬化性とする事が出来る。熱硬化性硬化剤を配合する
場合は樹脂１００重量部に対して５−５０重量部の範囲
である事が好ましい。５重量部以下では硬化剤の効果が
得られずまた、５０重量部以上では架橋密度が高くなり
すぎ得られた膜の転写基板に対する付着力が低下しエッ
チング時に膜の剥がれ等を生じ易くなり好ましくない。

【００３９】光硬化性とする場合は樹脂自身に重合性不
飽和結合を導入した樹脂１００重量部または１分子中に
少なくとも２ケ以上の重合性不飽和結合を有する化合物
を樹脂自身には重合性不飽和結合を有しないまたは有す
る樹脂１００重量部に対して５−５０重量部加えた混合
物（重合性混合物と称する事がある）１００重量部に対
して、３００−６００ｎｍの波長を有する活性光線を照
射する事によりラジカルを発生する光重合開始剤０．１
−２０重量部を配合する事が好ましい。当該不飽和化合
物が５重量部以下では硬化剤の添加効果が得られ難く、
５０重量部以上では架橋密度が高くなりずき転写基板に
対する付着力が低下し、好ましくない。また、光重合開
始剤は０．１重量部以下では発生するラジカル量が少な
く十分に硬化させる事が困難であり、２０重量部以上で
は開始剤により光が吸収されるために塗膜内部の硬化性
が低下する恐れがあり、好ましくない。また必要に応じ
て当該重合性混合物１００重量部に対して１分子中に１
ケの重合性不飽和結合を有する化合物を約２５重量部以
下加えても良い。また必要に応じて光増感色素などの増
感剤を重合性混合物１００重量部に対して１０重量部以
下程度併用しても良い。

【００４０】粘着性電着剤中に視認性を良くしたり転写
後の色フィルター効果を期待して染料や顔料からなる着
色剤を添加したり、流動性調整のために溶剤や流動性調
整剤等を添加してもよい。

【００４１】粘着性電着剤を基板上に電着するために
は、上記樹脂又は該樹脂と硬化成分等とを混合中和して
通常固形分１〜３０重量％の水溶液又は水分散液とした
電着浴中に、対極と電着基板を浸漬し両者間に直流通電
する。但し電着剤がアニオン型の場合は電着基板を陽極
として、又カチオン型の場合には陰極として通電を行な
えば、電着樹脂層は電着基板の導電性パターン部に、そ
のパターン形状に忠実に形成される。

【００４２】粘着性電着樹脂層の膜厚は電着基板面に形
成されている絶縁性パターンの膜厚によって決められ
る。電着膜厚が絶縁性パターン膜厚よりも薄いと、転写
操作で転写用基板と接触しないことがあり転写が不安定
となり易い。又絶縁性パターンよりも厚いと電着膜が横
方向にも成長し、電着パターンの線幅が元の絶縁性パタ
ーンの線幅よりも太くなるが、電着樹脂層が絶縁性パタ
ーン膜よりも突出した凸型となるので転写性は良好とな
る。従って絶縁性パターンを忠実に転写再現させるため
には、絶縁性パターン膜厚と同等かやや厚めに電着する
ことが必要である。

【００４３】一般に絶縁性パターンの膜厚は０．１〜５
μｍであり、それに応じて電着膜厚が決定される。電着
機構は絶縁性パターン膜の側壁に添って忠実に成長する
ので、絶縁性パターン膜と同じ厚さまでは極めて再現性
がよいが、それ以上の厚さに成長するにしたがって横方
向への成長も伴い線幅が太ってくる。太りの量は突出厚
さとほぼ同等か約２倍（例えば０．５μｍ突出すれば
０．５〜１μｍの太り）であり、電着条件などに依存し
ている。

【００４４】忠実な再現性と良好な転写性を同時に満足
させる好適な突出量は、経験的に０．１〜５μｍであ
り、この時の太り量は絶縁性パターンの設計時に補正し
ておくと目的の線幅の転写線幅が安定して得られる。パ
ターン線幅の精度がそれほど要求されないならば更に突
出させ電着膜厚を任意の厚さまで厚くして転写するのも
実用的であり、目的に応じて突出量を設定することが出
来る。

【００４５】この突出量設定仕様に従って電着する粘着
性電着樹脂層の厚さの制御は、電流密度、通電時間、印
加電圧等一般の電着塗装における膜厚調整法を適用する
ことが出来る。

【００４６】電着基板上に得られた粘着性電着剤パター
ンは、その面に転写用基板を載置しローラーや加圧機な
どで両者を密着させた後、引き剥がせば転写用基板上に
電着剤パターンが転写される。この場合にローラーや加
圧機は常温型又は加熱型のものを使用することが出来
る。

【００４７】転写用基板としては汎用金属板、ガラス
板、セラミック板、石英板、石板、木材、紙製品、プラ
スチック板、フィルム類等、又それらの面上に他の物質
を被覆させた複合製品、或いは例えばガラス板面に無
機、有機薄膜を形成させた後工程でエッチング加工する
ことを目的とするものなど広範囲の基板材料が使用でき
る。但し、ポリテトラフルオロエチレンの様な粘着剤の
粘着強度が発現しにくい基板は好ましくない。

【００４８】転写の様態としては、転写用基板の片面に
密着転写、両面に密着転写の２種あるが、両面の場合は
パターンが同一であっても又は異なっていてもよい。更
にすでに転写・エッチング加工等が施された基板の加工
済みパターン上に、又はその外部に正確に整合して多重
パターンを形成させることも出来る（例えば薄膜半導体
加工等）。

【００４９】粘着性電着樹脂層が熱硬化性である場合に
は転写用基板を密着したまま、又は転写用基板に転写後
に適当な加熱手段によって硬化させることが出来る。

【００５０】活性光線硬化性である場合には電着基板又
は転写用基板の何れか一方又は両方が透明であれば、密
着後透明基板側から活性光線を照射して、又は転写後照
射して硬化させることが出来る。両者とも不透明であれ
ば転写後照射して硬化させる。

【００５１】良好な転写性を得るためには両界面におけ
る粘着強度の差がＪＩＳ Ｚ−０２３７−１９８０に準
拠した１８０度ピーリング強度で５０ｇｆ／１０ｍｍ以
上あることが望ましい。ピーリング強度の調整はオルガ
ノポリシロキサン層の厚さや前記したその他の剥離処理
に対応して転写条件を調節することによって容易に行な
うことが出来る。

【００５２】かくして得られたパターンが、エッチング
を目的とする材料からなる基板上又はその材料で覆われ
た基板上に形成されている場合は、露出基板面を公知の
エッチング剤（エッチング液又はエッチングガス）又は
エッチング方法でエッチングし、基板表面に凹凸パター
ンを形成したり、打ち抜きパターンを形成させることが
出来る。

【００５３】更に、必要に応じてエッチング後にパター
ン上に残存する粘着性電着樹脂層（この段階では一般に
粘着性は消滅していることが多い）を、適当な溶剤や
酸、アルカリ溶液などで除去してもよい。

【００５４】次に本発明のパターン形成方法の理解を容
易にするためにモデル図による説明を付加する。

【００５５】図１は本発明方法の一態様において、オル
ガノポリシロキサンを用いる工程を説明するための断面
図である。図１（ａ）に示すように金属等の導電性基板
１上に、電気絶縁性材料を用いて得ようとするパターン
の逆パターン層２を形成し、次いで図１（ｂ）に示すよ
うにイオン形成基を有するオルガノポリシロキサン皮膜
３で被覆し、図１（ｃ）に示すように導電性パターン部
に粘着性電着樹脂層４を電着形成し、次いで転写用基板
５を密着し（図示せず）、図１（ｄ）に示すように導電
性基板１と転写用基板５を引き剥がして転写基板５上に
粘着性電着樹脂層４を転写して目的の転写パターンを形
成する。図１（ｂ）の形態の電着基板は繰り返し使用す
ることが出来る。

【００５６】図２は本発明方法の一態様において、剥離
性金属複合めっきによって剥離層を形成して用いる方法
における工程を説明するための断面図である。図１
（ａ）において剥離性金属複合めっき（例えばＮｉ−Ｐ
ＴＦＥめっき）により図２（ｅ）に示すように剥離性１
次めっき層６を形成する。１次めっき層の厚さは逆パタ
ーン層２の厚さよりも一般に薄いか又は同厚程度がよい
が、本図では薄くしてある。次いで図２（ｆ）に示すよ
うに粘着性電着樹脂層４を電着し、前記同様に剥離転写
すると図２（ｇ）に示すように転写基板上に目的の粘着
性電着樹脂層４のみが転写して目的の転写パターンが得
られ、図２（ｅ）の形態の剥離性１次めっき層６を持つ
電着基板は繰り返し使用することが出来る。

【００５７】図３は本発明方法の一態様において、電着
金属が剥離しやすいステンレス等の基板を用いる方法に
おける工程を説明するための断面図である。図１（ａ）
において導電性基板１に剥離性材料を用い絶縁性材料に
よって逆パターン層２を形成した電着基板を用いる。次
いで図３（ｈ）に示すようにＣｕやＮｉその他の電着基
板面に接着性の低い１次金属めっき層７を薄膜電着す
る。続いて粘着性電着樹脂層４を２次電着し、前記同様
に転写用基板を密着後剥離転写すると図３（ｉ）に示す
ように転写用基板上に金属めっき層７と粘着性電着樹脂
層４が一体で転写する。次いで表面に出ている金属めっ
き層を適当なエッチング液で溶解除去すれば図３（ｊ）
に示すように目的の転写パターンが得られ、図１（ａ）
の形態の電着基板は繰り返し使用できる。

【００５８】

【発明の効果】本発明の方法を従来技術からなるパター
ン形成方法と比較すると、一般印刷法では画線の形成精
度が悪く微細画線の形成が不可能なのに対し、本発明の
方法によれば容易且つ精密微細に形成が可能になる。又
フォトリソ法では一つのパターンを形成する毎に感光性
樹脂の塗布・パターン露光・現像・熱処理等の複雑な長
い工程が必要であるが、本方法によれば一度作成した電
着基板を用いて印刷と同様に、粘着性電着剤の電着と転
写を繰り返すことのみでフォトリソ法同等の精密微細な
パターンを形成でき、簡単な短い工程で、歩留まり良
く、低コストで高密度高精度パターンを高い信頼性で得
ることが出来る。

【００５９】又従来技術の電着塗装・転写法とを比較す
ると、本発明の方法は島状パターンも支障なく形成でき
凡ゆる任意のパターンを得ることが出来る。

【００６０】本発明の方法を利用し、エッチング加工を
併用して微細配線基板や薄膜半導体素子等の電子部品、
着色によって精密なパターンを持つ例えば液晶用カラー
フィルターのごとき多色フィルター基板や精密配線図、
超マイクロパターン等を安価に制作することが出来る。
又金属薄板から成るカラーＴＶ用シャドウマスクや半導
体実装用のリードフレーム板製造等のエッチングレジス
ト形成も出来る。

【００６１】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、これらの実施例に限定されるものではない。
尚、特に記載のない場合の「部」及び「％」は重量規準
である。又実施に当たっての材料合成例、製造処方例、
基材例等を予め記載する。

【００６２】１）イオン形成基を有するポリシロキサン
の合成例 合成例１ 反応容器にγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン１００部、メチルトリメトキシシラン５００部、酢酸
３０部、Ｎ−ジメチルエタノールアミン３８部、及び脱
イオン水２５０部を加え、攪拌しつつ６０℃迄加熱し、
この温度に５時間保って透明な第４級アンモニウム塩基
を含有するオルガノポリシロキサンの溶液（略号ＯＰＳ
−１）を得た。 固形分 約５５
％ 第４級アンモニウム塩基含有量 ０．８
６モル／ｋｇ固形分

【００６３】合成例２ 反応容器にγ−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン
の５０％メタノール溶液４００部、メチルトリメトキシ
シラン２００部、γ−メタクリロキシプロピルトリメト
キシシラン１００部、酢酸２部及び脱イオン水１６２部
を加え、攪拌しつつ６０℃で５時間保った後トルエンと
酢酸ブチルを夫々２００部ずつ加えてメタノールを系外
に流去しつつ４時間を要して９０℃まで徐々に昇温し、
９０℃で１時間保った後、無水マレイン酸９５部及びＮ
−ジメチルエタノールアミン８５部を加え、更に３時間
９０℃に保って透明なカルボン酸アミン塩及び重合性二
重結合を含有するオルガノポリシロキサンの溶液（略号
ＯＰＳ−２）を得た。 固形分 約５２
％ カルボン酸アミン塩含有量 ２．１
モル／ｋｇ固形分

【００６４】合成例３ γ−ヒドロキシトリメトキシシランの５０％メタノール
溶液４００部、メチルトリメトキシシラン３００部を酢
酸２部及び脱イオン水１７０部の存在下に合成例２と同
様にして反応した後、無水マレイン酸９５部の代わりに
無水コハク酸９８部を使用する以外は合成例２と全く同
様にして透明なカルボン酸アミン塩を含有するオルガノ
ポリシロキサン溶液（略号ＯＰＳ−３）を得た。 固形分 約５３
％ カルボン酸アミン塩含有量 ２．１
モル／ｋｇ固形分

【００６５】合成例４ γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、酢酸お
よびＮ−ジメチルエタノールアミンを使用せずにメチル
トリメトキシシラン７００部を合成例１と全く同様にし
てイオン形成基を含まないポリシロキサン溶液（略号Ｏ
ＰＳ−４）を得た。 固形分 約５５
％

【００６６】２）粘着性電着剤樹脂の製造 製造例１ ｎ−ブチルアクリレート ９２８部 アクリル酸 ７２部 ベンゾイルパーオキサイド ２部 を７０℃で５時間重合した後、２０００部のブチルセロ
ソルブに溶解してＡ−１溶液を得た。 固形分 約３３
％ カルボキシル基含有量 １モル
／ｋｇ固形分 数平均分子量 約３８
００００

【００６７】製造例２ Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート １１５部 ２−ヒドロキシエチルメタアクリレート １５０部 ｎ−ブチルアクリレート ４００部 メチルメタアクリレート １５０部 ｎ−ブチルメタアクリレート １８５部 アゾビスイソブチロニトリル ５部 の混合液を反応容器中で７０℃に加熱攪拌されているエ
チルセロソルブ２００部中に２時間を要して滴下し、更
に２時間保った後アゾビスイソブチロニトリル２０部を
４５０部のエチルセロソルブに溶解した溶液を３時間か
けて滴下し、更に７０℃で３時間保ってＡ−２溶液を得
た。 固形分 約６０％ ３級アミノ基含有量 ０．８モ
ル／ｋｇ固形分 数平均分子量 約２１０
０００

【００６８】製造例３ ｎ−ブチルアクリレート９２８部の代わりにｎ−ブチル
メタクリレート９２８部を使用する以外は製造例１と全
く同様にしてＡ−３溶液を得た。 固形分 約３３
％ カルボキシル基含有量 １モル
／ｋｇ固形分 数平均分子量 約３５
００００

【００６９】製造例４ ｎ−ブチルアクリレート ９２８部 アクリル酸 ７２部 ベンゾイルパーオキサイド ８０部 の混合液を反応容器中で７０℃に過熱攪拌されているエ
チルセロソルブ５５０部中に２時間を要して滴下し更に
７０℃で５時間保った後エチルセロソルブ１４５０部を
加えてＡ−４溶液を得た。 固形分 約３３
％ カルボキシル基含有量 １モル
／ｋｇ固形分 数平均分子量 約１２
０００

【００７０】３）粘着性電着剤浴の製造 電着剤浴例１（アニオン電着剤浴） Ａ−１溶液 １０００部 トリエチルアミン ２０部 の混合液に脱イオン水３３８０部を攪拌しつつ徐々に加
え、固形分７．５％の電着剤浴−１を得た。

【００７１】電着剤浴例２（カチオン電着剤浴） Ａ−２溶液 １０００部 ブロックイソシアネート １２０部 ジブチル錫ジラウレート ５部 酢酸 １９部 の混合液に脱イオン水１２０６０部を攪拌しつつ徐々に
加えて固形分５％の電着剤浴−２を得た。

【００７２】電着剤浴例３（アニオン電着剤浴） Ａ−１の溶液 １０００部 トリメチロールプロパントリアクリレート ９０部 ベンゾインモノエチルエーテル １５部 トリエチルアミン ２５部 の混合液に脱イオン水７２７０部を攪拌しつつ徐々に加
え固形分５％の電着剤浴−３を得た。

【００７３】電着剤浴例４（アニオン電着剤浴） Ａ−３の溶液 １０００部 トリメチロールプロパントリアクリレート ９０部 ベンゾインモノエチルエーテル １５部 トリエチルアミン ２５部 の混合液に脱イオン水７２７０部を攪拌しつつ徐々に加
え固形分５％の電着剤浴−４を得た。

【００７４】電着剤浴例５（アニオン電着剤浴） Ａ−１の溶液１０００部の代わりにＡ−４の溶液１００
０部を使用する以外は電着剤浴１と全く同様にして固形
分７．５％の電着剤浴−５を得た。

【００７５】４）電気絶縁性パターンを有する電着基板
の作成 電着基板例１ 大きさ２００×２００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリイミ
ドフィルムに膜厚１８μｍの銅箔を片面にラミネートし
た基材に、ゾンネＥＤＵＶ−３７６（関西ペイント
（株）製ネガ型電着レジスト）を膜厚５μｍに電着塗装
し、最小線幅としてライン／スペース＝５／５μｍのポ
ジ型解像力パターン及び孤立した０．２ｍｍの円形のポ
ジパターン（円形部が光非透過性）を有するガラス製フ
ォトマスクをレジスト面に密着して超高圧水銀灯で２５
ｍｊ／ｃｍ² （３６５ｎｍ規準）露光量で照射し、１％
炭酸ソーダ水溶液で現像を行なった後、更に高圧水銀灯
で３００ｍｊ／ｃｍ² の露光量で照射して電着基板−１
を得た。

【００７６】電着基板例２ 大きさ２００×２００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）の片面
にインジウム−錫オキサイド（ＩＴＯ）皮膜をスパッタ
リングで形成し、そのＩＴＯ面に電着基板−１と全く同
様な方法で膜厚３μｍの電着レジスト膜を形成した後、
前例同様の解像力パターンを露光現像処理して電着基板
−２を得た。

【００７７】電着基板例３ 大きさ２００×２００ｍｍ、厚さ１５０μｍの鏡面ステ
ンレス板面に市販フォトレジストＯＭＲ（東京応化
（株）製）を乾燥膜厚１μｍになるようにスピンナーを
用いて回転塗布し、プレベーキング後最小線幅３μｍ、
最小ドット５×５μｍを有する解像力パターンを前例同
様に密着露光し、同レジスト用指定方法にしたがって現
像・乾燥・ポストベーキングを行なって電着基板−３を
得た。

【００７８】電着基板例４ 大きさ２００×２００ｍｍ、厚さ１５０μｍの鏡面のイ
ンパー材基板（線膨張係数：８×１０^-6）に下記ピロ燐
酸銅浴を用いて５μｍの厚さに銅めっきをし、次いで電
着基板例−１と同様に電着レジスト層を形成し、大きさ
１５０×１５０ｍｍで２０μｍラインから成る１００メ
ッシュの網目状直交パターンを露光・現像して電着基板
−４を得た。 （ピロ燐酸銅浴組成） Ｃｕ₂ Ｐ₂ Ｏ₇ ・３Ｈ₂ Ｏ ９４ｇ／ｌ Ｋ₄ Ｐ₂ Ｏ₇ ３４０ｇ／ｌ ＮＨ₄ ＯＨ（２８％） ３ｍｌ／ｌ ｐＨ ８．８ Ｐ比（Ｐ₂ Ｏ₇ ^4- ／Ｃｕ²⁺） ７．０ 液温 ５５℃ 電析速度（５Ａ／ｄｍ） １．０μｍ／ｍｉｎ

【００７９】実施例１ ＯＰＳ−１の溶液をメタノール／水＝１／１（容量比）
で固形分１％になるように希釈した溶液に電着基板−１
を浸漬し、３０ｃｍ／分の速度で溶液中より引き上げ、
次いで１３０℃、３０分乾燥して全面にオルガノポリシ
ロキサン膜を形成した。膜厚は約０．１μｍであった。
次いで該電着基板を電着剤浴−１に浸漬、電着基板を陽
極、対極を陰極として５０Ｖで４５秒間通電した後引き
上げて水洗し、次いで８０℃、１０分間乾燥した。得ら
れた電着膜の膜厚は１．１μｍ、ガラス転移温度は−２
８℃であった。かくして基板の導電性パターン部に粘着
性電着樹脂層が形成され、次いでその面に電着基板−２
の製造に用いたＩＴＯ膜付きフィルムを載置し、室温で
電着基板側からゴムローラーで両者を密着させた後、電
着基板を注意して引き剥がした。フィルム面には粘着性
電着剤のパターンが正確に転写された。又転写後の電着
基板は再度粘着性電着剤浴中において同様に電着し、他
のガラス基板面に転写することが出来た。この反復電着
転写操作は剥離層であるオルガノポリシロキサンの効果
が消滅するまで複数回継続でき、消滅後は再びオルガノ
ポリシロキサン膜形成処理を行なえば復元することがわ
かった。オルガノポリシロキサン膜の効果は、処理基板
及び未処理基板を用いて粘着力を測定したところ次の結
果を得、測定値上からも極めて有効であることが判明し
た。測定はパターンのない基板面をオルガノポリシロキ
サン処理及び未処理の２枚の基板を用い、粘着性電着樹
脂層を形成した後厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムを同
様にして密着させ、該密着体を幅１０ｍｍ長さ１００ｍ
ｍに切り取り、ＪＩＳ Ｚ−０２３７−１９８０に基ず
いて１８０度ピーリング試験を行なった。その結果、Ｏ
ＰＳ−１で処理しなかったものは３００ｇｆ／１００ｍ
ｍの、処理したものは１５ｇｆ／１０ｍｍの粘着強度を
示し、両者に著しい差があることを示した。尚、参考例
としてＯＰＳ−１処理をしない電着基板を用いた場合に
は、フィルム基板側に電着樹脂層を転写することが出来
なかった。次いで転写パターンを有するＩＴＯ面の露出
ＩＴＯ部を臭化水素水溶液でエッチングした後残存する
電着樹脂層を５０℃の５％苛性ソーダ水溶液で除去して
欠陥の無い再現性の優れたエッチングパターンを得た。

【００８０】実施例２ ＯＰＳ−２の溶液１０００部にα、α−ジメトキシ−α
−フェニルアセトフェノン３部を混合した溶液にエチル
セロソルブ／メタノール１／１（容量比）を加え固形分
１０％になるように希釈し、スプレー法で乾燥膜厚が１
μｍになるように絶縁性パターンを有する電着基板−２
の面に塗布し、８０℃、１０分間予備乾燥した後高圧水
銀灯で露光量３００ｍｊ／ｃｍ² の照射を行ないオルガ
ノポリシロキサン皮膜を得た。次いで該処理基板を電着
剤浴−２の浴中に浸漬し、基板を陰極、対極を陽極とし
て８０Ｖ、６０秒間通電した後、電着剤浴から引き上げ
８０℃、１０分間水切り乾燥を行なった。得られた電着
膜の膜厚は１．６μｍ、ガラス転移温度は１２℃であっ
た。電着樹脂層を有する該基板面上に膜厚５０μｍのポ
リイミドフィルムに膜厚１８μｍの銅箔をラミネートし
た基板を載置した後、加熱型加圧機で１００℃、１分、
圧力１００ｋｇ／ｃｍ² で圧着した後圧力を常温に戻し
室温まで冷却後電着基板から引き剥がした。ポリイミド
フィルムの銅箔面に再現性良く粘着性樹脂層パターンが
転写された。次いで転写フィルムを１５０℃、１０分間
加熱して電着剤パターンを硬化させた。次に露出してい
る銅箔部を塩化第２鉄溶液でエッチング除去し、更に６
０℃の５％乳酸水溶液で残存する電着樹脂層を除去する
ことにより、欠陥のない再現性の優れたエッチングパタ
ーンを得た。電着樹脂層剥離後の電着基板はその後複数
回反復使用ができた。

【００８１】実施例３ 電着基板−２に、ＯＰＳ−３の溶液１０００部にテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイドの１０％水溶液
を１０部添加した混合液をメタノール／水 ２／１（容
量比）で固形分１％になるように希釈し、実施例−１と
同様にしてオルガノポリシロキサン膜を形成した。膜厚
は約０．２μｍであった。次いで電着剤浴−３中に浸漬
し、電着基板を陽極、対極を陰極として６０Ｖ、４５秒
間通電し、８０℃、１０分間水切り乾燥を行なった。得
られた電着膜の膜厚は１．２μｍ、ガラス転移温度は５
℃であった。次いで電着基板−２の製造に用いたＩＴＯ
膜付きフィルムを基板の電着剤膜面に載置し、５０℃で
１分間、４０ｋｇ／ｃｍ² の圧力で圧着した後、積層体
の両面から高圧水銀灯で夫々露光量２０ｍｊ／ｃｍ² で
照射して硬化させ、両者を引き剥がした。フィルムのＩ
ＴＯ面上には硬化した電着樹脂層が再現性良く転写形成
された。次いで転写パターンを有するＩＴＯ面の露出Ｉ
ＴＯ部を臭化水素水溶液でエッチングした後、残存する
電着樹脂層を５０℃の５％苛性ソーダ水溶液で除去して
欠陥のない再現性の優れたエッチングパターンを得た。

【００８２】実施例４ １．５ｍｍ厚の無アルカリガラスに熱膨張係数が近い電
着基板−４を用い、得られた転写パターンの位置精度を
確認しつつ基板の反復使用状況を検討した。環境温度２
２℃で露光作成された電着基板−４の露出しているＣｕ
パターン部を、２％ＨＣｌ水溶液で洗浄し表面の酸化物
層を除去した後、Ｎｉ電着液中にふっ素系樹脂の微粒子
を分散させた複合めっき浴（メタフロン溶液（ＰＴＦＥ
含有スルファミン酸Ｎｉ液）：商品名、上村工業株式会
社製）中に浸漬し、液温５０℃、電流密度５Ａ／ｄｍ²
で電着基板を陰極として通電し３〜３．５μｍの厚さに
複合めっきした。次いで電着剤浴−１を用いて粘着性電
着剤を１．５〜２μｍに電着し、以後実施例１と同様に
処理した後上記ガラス板に環境温度２２℃で電着樹脂層
のみ転写して乾燥した（基板作成の露光時と転写時の環
境温度の差が０．２℃以下であるような温度制御下で作
業した）。乾燥後、転写形成したメッシュの各メッシュ
寸法と縦横（ｘ，ｙ）全長寸法をそれぞれ測定し、その
寸法を元のフォトマスクの対応部の寸法と比較した。こ
の実験は２０回繰り返されたが、その結果は対応する各
メッシュのピッチ寸法は殆ど狂わず±０．５μｍ程度で
あり、累積全ピッチ長寸法の差は±２μｍに入ってい
た。又電着基板の反復性は更に継続テストを行なって数
１００回であることが確認された。尚、複合めっき層は
電着基板に強固に結合しており剥離しないので粘着電着
剤の電着と転写のみを反復した。即ちＮｉ−ＰＴＦＥ層
は強固な半永久的な剥離層として作用し、電着・転写操
作を容易にすることが判明した。尚、転写用ガラス基板
面に前例同様にＣｕ，ＩＴＯ，Ｓｉ，Ｃｒ等の薄膜を形
成しておき、その面上に電着剤パターン層を形成し、公
知の対応するエッチング液でエッチングして後電着樹脂
層を除去して高精度なエッチングパターンが得られるこ
とを確認した。

【００８３】実施例５ ステンレス板からなる電着基板−３を用い、前記浴組成
のピロ燐酸銅浴から０．５μｍの厚さに銅を１次電着
し、水洗後実施例１の電着剤浴−１から粘着性電着剤を
２μｍの厚さに２次電着し、同様に水洗し加熱乾燥し
た。次いで１．２ｍｍ厚のガラス板面にＩＴＯ膜を形成
させた基板と密着し、電着基板側からローラー加圧して
後電着基板を剥離したところ、１次電着銅と２次電着粘
着性電着樹脂層が一体でＩＴＯ面上に転写され、表面に
銅のあるパターンを形成した。次いで塩化第２鉄系のエ
ッチング液を用い、銅とＩＴＯの薄膜を同時にエッチン
グし、更に５０℃の５０％苛性ソーダ水溶液で残存する
電着樹脂層を除去して欠陥のない再現性の優れたＩＴＯ
パターンを得た。使用後の電着基板は上記工程において
反復使用が出来た。

【００８４】比較例１ ＯＰＳ−４を用いる以外は実施例１と全く同様に粘着性
電着剤の電着を試みたが電着膜の析出は認められなかっ
た。

【００８５】比較例２ 電着剤浴−４を用いる以外は実施例−３と全く同様にし
て電着基板−２上にポリシロキサン膜を介して電着膜を
形成した。電着膜の膜厚は１．０μｍ、ガラス転移温度
は４５℃であった。次いで実施例−３と全く同様にして
ＩＴＯ膜上に電着樹脂層を転写した。電着剤の転写は不
完全であり、パターンの再現性は不良であった。

【００８６】比較例３ 電着剤浴−５を使用する以外は実施例−１と全く同様に
して電着基板−１上にポリシロキサン膜を介して電着膜
を形成した。電着膜の膜厚は１．３μｍ、ガラス転移温
度は−３２℃であった。次いで実施例−１と全く同様に
してガラス基板上に電着樹脂層を転写した。電着剤の転
写は不完全であり、パターンの再現性は不良であった。
次いで実施例−１と全く同様にしてエッチング及び剥離
を行った。得られたエッチングパターンは断線、パター
ン欠落などが多くみられ不良であった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法の一態様を示す概略モデル断面図で
ある。本図は、剥離剤としてオルガノポリシロキサンを
用いる工程断面図である。

【図２】本発明方法の一態様を示す概略モデル断面図で
ある。本図は、剥離層を剥離性金属複合めっきによって
形成して用いる工程断面図である。

【図３】本発明方法の一態様を示す概略モデル断面図で
ある。本図は、電着金属が剥離しやすいステンレス等の
基板を用いる工程断面図である。

【符号の説明】

１ 導電性基板 ２ 電気絶縁性・非粘着性逆パターン層 ３ ポリシロキサン皮膜 ４ 粘着性電着樹脂層 ５ 転写用基板 ６ 剥離性１次めっき層 ７ 剥離性１次金属めっき層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 馬場 淳 東京都新宿区市谷加賀町１丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−150376（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−9902（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−317003（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−362601（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/06 C08L 83/04 C09D 5/44 H05K 3/00

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少くとも１面が導電性である基板上の導
   電性面に電気絶縁性皮膜からなる逆パターン部を形成し
   た電極基板を作成し、該電極基板上に導電性を阻害しな
   い剥離層を形成した後、粘着性電着樹脂を含む電着浴中
   に浸漬して対極との間で通電し、裸出導電性面に粘着性
   電着樹脂層を形成させ、次いで転写用部材を載置密着さ
   せた後、剥離転写することによって転写用部材面に粘着
   性樹脂層を形成させることよりなり、電極基板上に形成
   した剥離層が、イオン形成基を有するオルガノポリシロ
   キサン溶液の塗布後、加熱、活性光線などによる乾燥で
   形成されているか、あるいは、ふっ素樹脂含有のニッケ
   ル電着浴中において初期電着を行ない、ふっ素樹脂含有
   ニッケルの複合電着膜によって形成されていることを特
   徴とするパターン形成方法。
2. 【請求項２】 それぞれ数平均分子量が少なくとも５
   ０，０００でかつイオン形成基を樹脂１ｋｇ中に０．５
   〜２．５モル含有するアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂
   又は変性ポリエーテル樹脂を必須成分として含み、得ら
   れる電着塗膜のガラス転移温度が粘着加工時の温度より
   少なくとも１０℃低いことを特徴とする転写用粘着性電
   着塗料組成物。
3. 【請求項３】 （Ａ）それぞれ数平均分子量が少なくと
   も５０，０００でかつイオン形成基を樹脂１ｋｇ中に
   ０．５〜２．５モル含有するアクリル樹脂、ポリウレタ
   ン樹脂又は変性ポリエーテル樹脂１００重量部、（Ｂ）
   熱硬化性架橋剤５〜５０重量部を必須成分として含み、
   得られる電着塗膜のガラス転移温度が粘着加工時の温度
   より少なくとも１０℃低いことを特徴とする転写用粘着
   性電着塗料組成物。
4. 【請求項４】 （Ａ）それぞれ数平均分子量が少なくと
   も５０，０００でかつイオン形成基を樹脂１ｋｇ中に
   ０．５〜２．５モル含有するアクリル樹脂、ポリウレタ
   ン樹脂又は変性ポリエーテル樹脂１００重量部、（Ｂ）
   １分子中に少なくとも２個以上の重合性不飽和結合を含
   有する化合物５〜５０重量部、（Ｃ）光重合開始剤０．
   １〜２０重量部を必須成分として含み、得られる電着塗
   膜のガラス転移温度が粘着加工時の温度より少なくとも
   １０℃低いことを特徴とする転写用粘着性電着塗料組成
   物。
5. 【請求項５】 （イ）下記式（Ｉ） 【化１】 Ｒ¹ _a Ｓｉ（ＯＲ²）_4-a （Ｉ） （式中、Ｒ¹は炭素数１〜１２の炭化水素基、Ｒ²は炭素
   数１〜８の炭化水素基、ａは０又は１〜２の整数を表
   す。） で表される有機珪素化合物及び／又はその低縮合物１０
   ０重量部に対して、下記式（II） 【化２】 ＨＯＲ³Ｓｉ（ＯＲ²）₃ （II） （式中、Ｒ³は炭素数１〜８のアルキレン基、Ｒ²は前記
   の意味を表す。） で表される有機珪素化合物及び／又はその低縮合物１０
   〜１５０重量部を共縮合させて得られる共縮合物に、ジ
   カルボン酸無水物を反応させて得られる樹脂１ｋｇ中に
   カルボキシル基を０．５〜５．０モル含有する有機珪素
   樹脂１００重量部、および（ロ）有機アミン化合物、オ
   ニウム塩化合物、金属アルコキサイド又はそのキレート
   化物、金属塩、プロトン酸及びルイス酸より選ばれた少
   なくとも１種の触媒０．０１〜５重量部を必須成分とし
   て含有することを特徴とする剥離層形成用熱硬化性有機
   珪素樹脂組成物。
6. 【請求項６】 （イ）下記式（Ｉ） 【化３】 Ｒ¹ _a Ｓｉ（ＯＲ²）_4-a （Ｉ） （式中、Ｒ¹は炭素数１〜１２の炭化水素基、Ｒ²は炭素
   数１〜８の炭化水素基、ａは０又は１〜２の整数を表
   す。） で表される有機珪素化合物及び／又はその低縮合物１０
   ０重量部に対して、下記式（II） 【化４】 ＨＯＲ³Ｓｉ（ＯＲ²）₃ （II） （式中、Ｒ³は炭素数１〜８のアルキレン基、Ｒ²は前記
   の意味を表す。） で表される有機珪素化合物及び／又はその低縮合物１０
   〜１５０重量部と、下記式（III） 【化５】 ＣＨ₂＝ＣＲ⁴ＣＯＯＲ³Ｓｉ（ＯＲ²）₃ （III） （式中、Ｒ⁴は水素原子又はメチル基、Ｒ²、Ｒ³は前記
   の意味を表す。） で表される有機珪素化合物及び／又はその低縮合物２０
   〜１５０重量部とを共縮合させて得られる共縮合物に、
   ジカルボン酸無水物を反応させて得られる樹脂１ｋｇ中
   にカルボキシル基を０．５〜５．０モル含有する有機珪
   素樹脂１００重量部、および（ロ）光ラジカル重合開始
   剤０．５〜２０重量部を必須成分として含有することを
   特徴とする剥離層形成用光硬化性有機珪素樹脂組成物。
7. 【請求項７】 下記式（Ｉ） 【化６】 Ｒ¹ _a Ｓｉ（ＯＲ²）_4-a （Ｉ） （式中、Ｒ¹は炭素数１〜１２の炭化水素基、Ｒ²は炭素
   数１〜８の炭化水素基、ａは０又は１〜２の整数を表
   す。） で表される有機珪素化合物及び／又はその低縮合物１０
   ０重量部に対して、下記式（III） 【化７】 ＣＨ₂＝ＣＲ⁴ＣＯＯＲ³Ｓｉ（ＯＲ²）₃ （III） （式中、Ｒ³は炭素数１〜８のアルキレン基、Ｒ⁴は水素
   原子又はメチル基、Ｒ²は前記の意味を表す。） で表される有機珪素化合物及び／又はその低縮合物２０
   〜１５０重量部と、下記式（IV） 【化８】 （式中、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は前記の意味を表す。） で表される有機珪素化合物及び／又はその低縮合物１０
   〜１５０重量部とを共縮合させて得られる共縮合物に第
   ３級アミン化合物、チオエーテル化合物又はフオフフィ
   ン化合物を反応させて得られる樹脂１ｋｇ中にオニウム
   塩基を０．５〜５．０モル含有する有機珪素樹脂を必須
   成分として含有することを特徴とする剥離層形成用有機
   珪素樹脂組成物。
8. 【請求項８】 請求項７記載の有機珪素樹脂１００重量
   部に対し、光ラジカル重合開始剤０．５〜２０重量部を
   配合してなる剥離層形成用光、熱ジュアル硬化性有機珪
   素樹脂組成物。