JPH06283574A - ニッケルめっき、ニッケルめっき方法及びｔａｂ用フレキシブル回路基板 - Google Patents
ニッケルめっき、ニッケルめっき方法及びｔａｂ用フレキシブル回路基板Info
- Publication number
- JPH06283574A JPH06283574A JP7242193A JP7242193A JPH06283574A JP H06283574 A JPH06283574 A JP H06283574A JP 7242193 A JP7242193 A JP 7242193A JP 7242193 A JP7242193 A JP 7242193A JP H06283574 A JPH06283574 A JP H06283574A
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- JP
- Japan
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- plating
- circuit board
- tab
- nickel
- nickel plating
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板のリ−ド線曲げ
部のニッケルめっきのクラック発生を防止し、信頼性を
向上させる。 【構成】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板は、実装目的に
応じて最終工程において、機能めっきを施している。金
めっき仕様の場合、下地めっきとしてニッケルめっきを
用いるが一般的な塩化ニッケルめっきでは、リ−ド部を
曲げた場合クラックが発生しやすい。そこで延び性に優
れているスルファミン酸ニッケルめっきを用いる。めっ
き厚みを０．１〜０．３μｍの範囲とする。 【効果】めっき厚は金めっき層の銅への拡散防止機能を
満たす最低限の厚み、０．１〜０．３μｍあれば、薄い
方が曲げに対して応力緩和されるため有利になる。
部のニッケルめっきのクラック発生を防止し、信頼性を
向上させる。 【構成】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板は、実装目的に
応じて最終工程において、機能めっきを施している。金
めっき仕様の場合、下地めっきとしてニッケルめっきを
用いるが一般的な塩化ニッケルめっきでは、リ−ド部を
曲げた場合クラックが発生しやすい。そこで延び性に優
れているスルファミン酸ニッケルめっきを用いる。めっ
き厚みを０．１〜０．３μｍの範囲とする。 【効果】めっき厚は金めっき層の銅への拡散防止機能を
満たす最低限の厚み、０．１〜０．３μｍあれば、薄い
方が曲げに対して応力緩和されるため有利になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁性、耐熱性に優れた
長尺フレキシブルフィルムからなる、ＴＡＢ用フレキシ
ブル回路基板に施されるめっきに関する。
長尺フレキシブルフィルムからなる、ＴＡＢ用フレキシ
ブル回路基板に施されるめっきに関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドフィルム等からなり、絶縁性
及び耐熱性に優れた長尺のフレキシブルフィルムに、例
えば銅箔により多数のリ−ドを形成してなるＴＡＢ用フ
レキシブル回路基板に半導体素子を実装したＴＡＢ式半
導体装置は、多量生産に適する、小型化できる、ファイ
ンパタ−ン化が可能である等、多くの特徴を有する為現
在では広く実用化されている。
及び耐熱性に優れた長尺のフレキシブルフィルムに、例
えば銅箔により多数のリ−ドを形成してなるＴＡＢ用フ
レキシブル回路基板に半導体素子を実装したＴＡＢ式半
導体装置は、多量生産に適する、小型化できる、ファイ
ンパタ−ン化が可能である等、多くの特徴を有する為現
在では広く実用化されている。
【０００３】図１はＴＡＢ用フレキシブル回路基板を説
明するための平面図である。図において、１は長さ方向
に等間隔にデバイスホ−ル２が設けられた厚さ５０〜１
２５μｍ程度、長さ４００〜５００ｍ程度の帯状フレキ
シブルフィルムである。３はベ−スフィルム１に設けら
れた銅の厚さ１５〜４０μｍ、幅５０〜３００μｍ程度
の金属箔からなる多数のリ−ドで、その一部はデバイス
ホ−ル２内に突出してインナ−リ−ド４を形成してい
る。５はベ−スフィルム１を搬送するためのスプロケッ
ト穴である。
明するための平面図である。図において、１は長さ方向
に等間隔にデバイスホ−ル２が設けられた厚さ５０〜１
２５μｍ程度、長さ４００〜５００ｍ程度の帯状フレキ
シブルフィルムである。３はベ−スフィルム１に設けら
れた銅の厚さ１５〜４０μｍ、幅５０〜３００μｍ程度
の金属箔からなる多数のリ−ドで、その一部はデバイス
ホ−ル２内に突出してインナ−リ−ド４を形成してい
る。５はベ−スフィルム１を搬送するためのスプロケッ
ト穴である。
【０００４】このようなＴＡＢ用フレキシブル回路基板
は、実装工程において、図２ＴＡＢ用フレキシブル回路
基板のＩＣとのボンディング断面図で示すボンディング
を実施するため、基板側の必要条件としては、機能めっ
きとして金めっきを施すのが一般的である。この際、金
の銅箔への拡散を防止するため、金めっきの下地めっき
として塩化ニッケルをベ−スとするニッケルメッキが施
されていた。
は、実装工程において、図２ＴＡＢ用フレキシブル回路
基板のＩＣとのボンディング断面図で示すボンディング
を実施するため、基板側の必要条件としては、機能めっ
きとして金めっきを施すのが一般的である。この際、金
の銅箔への拡散を防止するため、金めっきの下地めっき
として塩化ニッケルをベ−スとするニッケルメッキが施
されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＴＡＢ用フレキシブル
回路基板は、年々細密化要求が厳しくなってきている。
その上にリ−ド線を９０゜以上曲げて他基板との接続を
とるケ−スが多くなり、金めっきの下地めっきとして施
されているニッケルめっきにクラックが発生しやすいと
いう問題点を有していた。
回路基板は、年々細密化要求が厳しくなってきている。
その上にリ−ド線を９０゜以上曲げて他基板との接続を
とるケ−スが多くなり、金めっきの下地めっきとして施
されているニッケルめっきにクラックが発生しやすいと
いう問題点を有していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるＴＡＢ用
フレキシブル回路基板の金めっきの下地めっきとして施
されるニッケルめっきをスルファミン酸ニッケルめっき
とし、さらにめっき厚みを０．１〜０．３μｍの範囲に
したことを特徴とする。
フレキシブル回路基板の金めっきの下地めっきとして施
されるニッケルめっきをスルファミン酸ニッケルめっき
とし、さらにめっき厚みを０．１〜０．３μｍの範囲に
したことを特徴とする。
【０００７】
【作用】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板の金めっきの下
地めっきとして施されている塩化ニッケルめっきはリ−
ドの曲げに対してクラックが発生しやすいという問題を
有していた。
地めっきとして施されている塩化ニッケルめっきはリ−
ドの曲げに対してクラックが発生しやすいという問題を
有していた。
【０００８】そこで本発明では、塩化ニッケルめっきに
比べて延び性の良いスルファミン酸ニッケルめっきを用
いること、さらにめっき厚みの範囲を規定した。
比べて延び性の良いスルファミン酸ニッケルめっきを用
いること、さらにめっき厚みの範囲を規定した。
【０００９】
【実施例】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板は、フォトエ
ッチング法により図１ＴＡＢ用フレキシブ回路基板の平
面図に示す回路基板を形成し、さらに実装目的に応じて
金、スズ、ハンダ等のめっきを選択して施し完成させて
いる。
ッチング法により図１ＴＡＢ用フレキシブ回路基板の平
面図に示す回路基板を形成し、さらに実装目的に応じて
金、スズ、ハンダ等のめっきを選択して施し完成させて
いる。
【００１０】回路基板に施されるめっきは、１層めっ
き、２層めっきに分類され、そのほとんどがＩＣ及び電
子部品の実装に不可欠な機能めっきとして施されてい
る。スズ、ハンダ等は特別な場合をのぞき、一般的には
１層めっきとして施され、金めっきを中心とした貴金属
めっきの場合は、まれに銅箔に直接施す１層めっきも考
えられるがほとんどの場合が下地めっきを介して、２層
めっきとして施されている。 貴金属を表側にした２層
めっきにおける下地めっきは、非常に重要な役割を果し
ている。その理由として、金めっきを例に上げて説明す
る。金めっき液の場合ほとんどがシアン化金カリュウム
をベ−スとしており、この中に含まれるシアン化カリュ
ウムは、回路基板のパタ−ンを形成している銅箔を溶か
す性質があり、直接めっきした場合めっきとしては成り
立つが、銅成分が金るっき液中にとけ込み、次第に銅濃
度が増し正常なめっきができなくなる。つまりめっき液
が不純物により破壊され使用不可の状態になる。
き、２層めっきに分類され、そのほとんどがＩＣ及び電
子部品の実装に不可欠な機能めっきとして施されてい
る。スズ、ハンダ等は特別な場合をのぞき、一般的には
１層めっきとして施され、金めっきを中心とした貴金属
めっきの場合は、まれに銅箔に直接施す１層めっきも考
えられるがほとんどの場合が下地めっきを介して、２層
めっきとして施されている。 貴金属を表側にした２層
めっきにおける下地めっきは、非常に重要な役割を果し
ている。その理由として、金めっきを例に上げて説明す
る。金めっき液の場合ほとんどがシアン化金カリュウム
をベ−スとしており、この中に含まれるシアン化カリュ
ウムは、回路基板のパタ−ンを形成している銅箔を溶か
す性質があり、直接めっきした場合めっきとしては成り
立つが、銅成分が金るっき液中にとけ込み、次第に銅濃
度が増し正常なめっきができなくなる。つまりめっき液
が不純物により破壊され使用不可の状態になる。
【００１１】もう一つの理由として、拡散防止効果があ
げられる。金の場合めっき後の経時による銅との拡散率
が高く、特に実装工程で熱を受けやすく、めっき厚の半
分以上が銅との拡散層を形成してしまう恐れがある。従
ってその分を見込めば、実装に必要なめっき厚プラス拡
散分のめっき厚が必要であり、本来実装のために必要な
めっき厚の２から３倍のめっき厚を施さなければならな
いことになり、高価なめっきの無駄使いということにな
る。これらの２つの問題は、下地めっきとしてバリアを
形成してくれる金属により解決され、現在では常識とな
っている。
げられる。金の場合めっき後の経時による銅との拡散率
が高く、特に実装工程で熱を受けやすく、めっき厚の半
分以上が銅との拡散層を形成してしまう恐れがある。従
ってその分を見込めば、実装に必要なめっき厚プラス拡
散分のめっき厚が必要であり、本来実装のために必要な
めっき厚の２から３倍のめっき厚を施さなければならな
いことになり、高価なめっきの無駄使いということにな
る。これらの２つの問題は、下地めっきとしてバリアを
形成してくれる金属により解決され、現在では常識とな
っている。
【００１２】実施段階において、本発明のニッケルめっ
き７はスルファミン酸ニッケルを用いて、金めっき８の
下地めっきとして銅箔６へ直接めっきされている。従
来、ニッケルメッキとしては最もポピュラ−な塩化ニッ
ケルを用いることが一般的であったがＴＡＢ用フレキシ
ブル回路基板の多様化に伴い、細密ピッチ化及び、図３
リ−ド部のガルウィング曲げ等の要求が増加し、その結
果曲げ部外周９へニッケルのクラックが発生しやすくな
った。
き７はスルファミン酸ニッケルを用いて、金めっき８の
下地めっきとして銅箔６へ直接めっきされている。従
来、ニッケルメッキとしては最もポピュラ−な塩化ニッ
ケルを用いることが一般的であったがＴＡＢ用フレキシ
ブル回路基板の多様化に伴い、細密ピッチ化及び、図３
リ−ド部のガルウィング曲げ等の要求が増加し、その結
果曲げ部外周９へニッケルのクラックが発生しやすくな
った。
【００１３】塩化ニッケルとスルファミン酸ニッケルの
比較では、めっきとして生成される金属は両者ともに純
ニッケルで変わりないが、結晶構造の違いから、スルフ
ァミン酸ニッケルめっきの方が延び性に優れているた
め、ガルウィング曲げのような厳しい曲げ方に対して有
利である。又、めっき厚も金めっき層の銅への拡散防止
機能を満たす最低限の厚み、０．１〜０．３μｍあれ
ば、薄い方が曲げに対して応力緩和されるため有利にな
る。
比較では、めっきとして生成される金属は両者ともに純
ニッケルで変わりないが、結晶構造の違いから、スルフ
ァミン酸ニッケルめっきの方が延び性に優れているた
め、ガルウィング曲げのような厳しい曲げ方に対して有
利である。又、めっき厚も金めっき層の銅への拡散防止
機能を満たす最低限の厚み、０．１〜０．３μｍあれ
ば、薄い方が曲げに対して応力緩和されるため有利にな
る。
【００１４】又、スルファミン酸ニッケルめっきの密着
性向上のための方策として、従来の塩化ニッケルの場合
は前処理としてシアン化ナトリュウム電解、硫酸電解の
組合せが一般的であったのに対して、シアン化ナトリュ
ウム電解後硫酸電解のかわりに塩酸しんせきにすること
があげられる。理由は塩化ニッケルが塩素化合物を含み
自己活性力が強いのに対して、スルファミン酸ニッケル
は塩素化合物を含まないため自己活性力はほとんどな
い。従って前処理において塩酸を使用し活性化を十分行
なうことがベタ−である。
性向上のための方策として、従来の塩化ニッケルの場合
は前処理としてシアン化ナトリュウム電解、硫酸電解の
組合せが一般的であったのに対して、シアン化ナトリュ
ウム電解後硫酸電解のかわりに塩酸しんせきにすること
があげられる。理由は塩化ニッケルが塩素化合物を含み
自己活性力が強いのに対して、スルファミン酸ニッケル
は塩素化合物を含まないため自己活性力はほとんどな
い。従って前処理において塩酸を使用し活性化を十分行
なうことがベタ−である。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明の通り本発明は、ＴＡＢ用フ
レキシブル回路基板の金めっきの下地めっきとして不可
欠なニッケルめっきをスルファミン酸ニッケルめっきと
し、さらにめっき厚を０．１〜０．３μｍとすること
で、リ−ド部曲げ時のクラックの発生を防止でき、回路
基板としての信頼性を向上できるという効果を有する。
レキシブル回路基板の金めっきの下地めっきとして不可
欠なニッケルめっきをスルファミン酸ニッケルめっきと
し、さらにめっき厚を０．１〜０．３μｍとすること
で、リ−ド部曲げ時のクラックの発生を防止でき、回路
基板としての信頼性を向上できるという効果を有する。
【図１】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板を説明するため
の平面図。
の平面図。
【図２】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板、アウタ−リ−
ド部断面図。
ド部断面図。
【図３】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板、アウタ−リ−
ド曲げ部断面図。
ド曲げ部断面図。
１ ベ−スフィルム ２ ディバイスホ−ル ３ アウタ−リ−ド ４ インナ−リ−ド ５ スプロケット穴 ６ 銅箔 ７ ニッケルめっき ８ 金めっき ９ アウタ−リ−ド、ガルウィング曲げ外周部 １０ ＩＣ
Claims (3)
- 【請求項１】巻だしリールに巻かれた長尺のフレキシブ
ルフイルムを繰り出して加工したのち、再び巻き取りリ
ールに巻取る装置を各工程に使用して製造されるフレキ
シブルＴＡＢ用回路基板の最終仕上げとして施されてい
る金めっきの下地用ニッケルめっき方法において、めっ
き用液としてスルハミン酸ニッケル液を用いたことを特
徴とするニッケルめっき方法。 - 【請求項２】巻だしリールに巻かれた長尺のフレキシブ
ルフイルムを繰り出して加工したのち、再び巻き取りリ
ールに巻取る装置を各工程に使用して製造されるフレキ
シブルＴＡＢ用回路基板の最終仕上げとして施されてい
る金めっきの下地用ニッケルめっきにおいて、めっき用
液としてスルハミン酸ニッケル液を用い該ニッケルめっ
き厚を０．１〜０．３μの範囲にしたことを特徴とする
ニッケルめっき。 - 【請求項３】巻だしリールに巻かれた長尺のフレキシブ
ルフイルムを繰り出して加工したのち、再び巻き取りリ
ールに巻取る装置を各工程に使用して製造されるフレキ
シブルＴＡＢ用回路基板において、最終仕上げとして施
されている金めっきの下地めっきにスルハミン酸ニッケ
ルを用い、該ニッケルめっき厚を０．１〜０．３μの範
囲にしたことを特徴とするＴＡＢ用フレキシブル回路基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7242193A JPH06283574A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | ニッケルめっき、ニッケルめっき方法及びｔａｂ用フレキシブル回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7242193A JPH06283574A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | ニッケルめっき、ニッケルめっき方法及びｔａｂ用フレキシブル回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283574A true JPH06283574A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13488811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7242193A Pending JPH06283574A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | ニッケルめっき、ニッケルめっき方法及びｔａｂ用フレキシブル回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283574A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013041869A (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-28 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2014022460A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | シールドフィルム、及び、シールドプリント配線板 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7242193A patent/JPH06283574A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013041869A (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-28 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2014022460A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | シールドフィルム、及び、シールドプリント配線板 |
| US9888619B2 (en) | 2012-07-13 | 2018-02-06 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd | Shield film and shield printed wiring board |
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