JPH06283000A - 半導体試験装置 - Google Patents

半導体試験装置

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JPH06283000A
JPH06283000A JP5068499A JP6849993A JPH06283000A JP H06283000 A JPH06283000 A JP H06283000A JP 5068499 A JP5068499 A JP 5068499A JP 6849993 A JP6849993 A JP 6849993A JP H06283000 A JPH06283000 A JP H06283000A
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JP
Japan
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address
memory
fail count
separation
fail
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5068499A
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English (en)
Inventor
Keiichiro Ide
敬一郎 井出
Yasuhiro Kawada
保博 川田
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Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 任意の形式の数値に基づいてフェイルカウン
トメモリの分割アドレスを指定することができる半導体
試験装置を提供する。 【構成】 被測定メモリから得られるフェイル情報を記
憶するフェイルカウントメモリを具備し、被測定メモリ
のアドレスを出力してこれによりフェイルカウントメモ
リをアドレス指定するアドレスポインタP1およびP2
を具備し、分割アドレスADnR或はADnCを予め書
き込むセパレーションアドレスメモリRSAMおよびC
SAMを具備し、アドレスポインタのアドレス出力を選
択してセパレーションアドレスメモリにアドレスビット
を与えるセレクタS1およびS2を具備し、セパレーシ
ョンアドレスメモリの出力によりフェイルカウントメモ
リを分割アドレス指定するアドレス解解析装置を具備す
る半導体試験装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、アドレス解解析装置
を具備する半導体試験装置に関し、特に、不良ビット救
済構成を有するメモリの救済すべきアドレス解を求める
アドレス解解析装置を具備する半導体試験装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】リダンダンシイ構成を有するメモリは本
来のメモリ領域に対してその領域の他に予備のメモリ領
域である行予備アドレスラインおよび列予備アドレスラ
インをそれぞれ複数本づつ具備しており、メモリ良否判
定試験において不良即ちフェイルが発生した場合、その
フェイルセルが存在するアドレスラインを行予備アドレ
スライン或は列予備アドレスラインの何れかと電気的に
接続置換して当該メモリを良品として使用することがで
きるものにする。
【0003】ところで、リダンダンシイ構成を有するメ
モリはその本来のメモリ領域を複数の領域に分割してい
るものがある。図6に示されるメモリは4分割された例
である。この場合、分割された一つの領域即ち救済領域
丸1、丸2、丸3、丸4毎に救済解析を実施する。行側
の各アドレス線についてのフェイル数は行フェイルカウ
ントメモリRFCMによりカウントし、列側の各アドレ
ス線についてのフェイル数は列フェイルカウントメモリ
CFCMによりカウントし、そしてブロック内の全フェ
イル数は全フェイルカウントメモリによりカウントす
る。
【0004】図6に示されるが如きリダンダンシイ構成
を有するメモリの場合、図5に示されるアドレスポイン
タはメモリ全領域を連続的に読みだす様に動作するが、
各救済ブロック毎に別々にフェイル数を数え、行フェイ
ルカウントメモリRFCM、列フェイルカウントメモリ
CFCM、および全フェイルカウントメモリのフェイル
の別々のアドレスに書き込まなければならない。そのた
めに、メモリを分割している分割アドレスビットに相当
するアドレスポインタのビットをマルチプレクサにより
選択し、行フェイルカウントメモリRFCMおよび列フ
ェイルカウントメモリCFCMのアドレス上位ビットお
よび全フェイルカウントメモリに接続する。この様にす
ることにより、行フェイルカウントメモリRFCM、列
フェイルカウントメモリCFCM、および全フェイルカ
ウントメモリ内は各救済ブロック毎にフェイル数が分か
れて書き込まれることになる。
【0005】図5に示される半導体試験装置の従来例に
ついて更に具体的に説明すると、アドレスポインタP1
およびP2の出力は被測定メモリのアドレスを示し、こ
の出力アドレスは、図示される通り、行フェイルカウン
トメモリRFCMおよび列フェイルカウントメモリCF
CMのアドレスASを直接指定する。フェイルデータは
当該アドレスにおけるメモリのフェイル情報であり、こ
れが出力されてくる。このデータがフェイルの場合、加
算器ADDにより行フェイルカウントメモリRFCM、
列フェイルカウントメモリCFCM、および全フェイル
カウントメモリTFCMのフェイル数が+1加算され、
それぞれDinに書き込まれる。加算器ADDはフェイ
ルカウントメモリの現在のデータ出力をその一方の入力
としており、これに当該フェイル数が+1加算される。
そして、分割アドレスADはアドレスポインタの各ビッ
トをN to 1マルチプレクサS3および2to1マル
チプレクサS4により逓降して選択、指定している。
【0006】上述の従来例においては、1個の救済ブロ
ック単位でフェイル数を行、列およびトータルそれぞれ
についてカウントする。フェイルしたセルの指定はブロ
ック内におけるアドレスASにより示し、これが何れの
ブロックに属するかは分割アドレスADにより示す。A
R、BR・・・・・ERは行方向のブロック分割点を示
し、AC、BC・・・・・ECは列方向のブロック分割
点を示す。左下がりの斜線により示される領域は数字1
により指示される不良救済ブロックの一つを示してい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上述した通り
図5に示されるアドレスポインタはメモリ全領域を連続
的に読みだす様に動作するが、各救済ブロック毎に別々
にフェイル数を数え、行フェイルカウントメモリRFC
M、列フェイルカウントメモリCFCM、および全フェ
イルカウントメモリのフェイルの別々のアドレスに書き
込まなければならない。そのために、メモリを分割して
いる分割アドレスビットに相当するアドレスポインタの
ビットをマルチプレクサにより選択し、行フェイルカウ
ントメモリRFCMおよび列フェイルカウントメモリC
FCMのアドレス上位ビットおよび全フェイルカウント
メモリに接続する。この様にすることにより、行フェイ
ルカウントメモリRFCM、列フェイルカウントメモリ
CFCM、および全フェイルカウントメモリ内は各救済
ブロック毎にフェイル数が分かれて書き込まれることに
なる。しかし、救済されるべきメモリのアドレスビット
を上述の如く分割アドレスとして使用しているために、
分割アドレスは2nの形式の数値以外の形式の数値をと
ることができないということになる。
【0008】この発明は、不良ビット救済構成を有する
メモリの救済すべきアドレス解を求めるアドレス解解析
装置を具備する半導体試験装置であって上述の通りの問
題を解消した半導体試験装置を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】不良ビット救済構成を有
する被測定メモリの救済すべきアドレス解を求めるアド
レス解解析装置を具備する半導体試験装置において、被
測定メモリから得られるフェイル情報を記憶するフェイ
ルカウントメモリを具備し、被測定メモリのアドレスを
出力してこれによりフェイルカウントメモリをアドレス
指定するアドレスポインタP1およびP2を具備し、分
割アドレスADnR或はADnCを予め書き込むセパレ
ーションアドレスメモリRSAMおよびCSAMを具備
し、アドレスポインタのアドレス出力を選択してセパレ
ーションアドレスメモリにアドレスビットを与えるセレ
クタS1およびS2を具備し、セパレーションアドレス
メモリの出力によりフェイルカウントメモリを分割アド
レス指定するアドレス解解析装置を具備する半導体試験
装置を構成した。
【0010】そして、不良ビット救済構成を有する被測
定メモリの救済すべきアドレス解を求めるアドレス解解
析装置を具備する半導体試験装置において、被測定メモ
リから得られるフェイル情報を記憶するフェイルカウン
トメモリを具備し、被測定メモリのアドレスを出力して
これによりフェイルカウントメモリをアドレス指定する
アドレスポインタP1およびP2を具備し、分割アドレ
スADnR或はADnCを予め書き込むセパレーション
アドレスメモリRSAMおよびCSAMを具備し、ここ
でセパレーションアドレスメモリのデータビット幅を分
割アドレスと同一にすると共にアドレスの最小から最大
に至る全ての分割データを書き込んでおき、セパレーシ
ョンアドレスメモリの出力によりフェイルカウントメモ
リを分割アドレス指定するアドレス解解析装置を具備す
る半導体試験装置をも構成した。
【0011】
【実施例】この発明によるアドレス解解析装置を具備す
る半導体試験装置の実施例を図1を参照して説明する。
図5に示される従来例に、先ず行フェイルカウントメモ
リRFCMに対応してセパレーションアドレスメモリR
SAMを具備し、列フェイルカウントメモリCFCMに
対応してセパレーションアドレスメモリCSAMを具備
せしめる。これらセパレーションアドレスメモリの容量
はそれぞれ被測定メモリの行或は列の容量と同一である
ものとし、データビット数は分割アドレスADがとり得
る最大ビット数と同一とする。更に、セパレーションア
ドレスメモリSAMに与えるアドレスビットを選択する
セレクタS1を行フェイルカウントメモリRFCMに対
応して具備し、同様にセレクタS2を列フェイルカウン
トメモリCFCMに対応して具備する。
【0012】セパレーションアドレスメモリSAMには
分割アドレスADnR或はADnCを予め書き込んでお
く。図2にその16分割の例を示す。AR〜ER、AC
〜ECは被測定メモリの分割アドレスと同一値にする。
データAD1R〜AD4RはマルチプレクサS1により
選択され、データAD1C〜AD4Cはマルチプレクサ
S2により選択されて、行フェイルカウントメモリRF
CM、列フェイルカウントメモリCFCM、および全フ
ェイルカウントメモリの分割アドレスとなる様にそれぞ
れ異なった値を書き込んでおく。図2の場合、これらの
値は例えば下記の通りにされる。
【0013】AD1R=00;AD2R=01;AD3
R=10;AD4R=11 AD1C=00;AD2C=01;AD3C=10;A
D4C=11 図3を参照するに、セレクタS1およびS2によりセパ
レーションアドレスメモリSAMの動作アドレス範囲を
設定する。この設定はアドレスビット毎に独立に選択す
るか否かの何れかの設定をする。S3はN to 1マ
ルチプレクサであり、Nは以下の如き数値である。
【0014】N=RD+CD+RSAMD+CSAMD 但し、RD;行アドレスのうち分割ビットに割当をする
ことができるビット数 CD;列アドレスのうち分割ビットに割当をすることが
できるビット数 RSAMD;行側セパレーションアドレスメモリRSA
Mのビット幅 CSAMD;列側セパレーションアドレスメモリCSA
Mのビット幅 である。N to 1マルチプレクサによりSAMのデ
ータビットとアドレスポインタのビットを組み合わせる
ことにより、2n単位で繰り返し且つ繰り返し単位内が
任意の分割アドレスとなる構造の被測定メモリに対して
も対応することができる。
【0015】図1に示される実施例の動作について説明
をする。2進カウンタより成るアドレスポインタP1お
よびアドレスポインタP2において発生したアドレス
は、図示される通り、行フェイルカウントメモリRFC
Mおよび列フェイルカウントメモリCFCMのアドレス
ASを直接に指定すると共に、セレクタS1およびセレ
クタS2により選択されて必要ビットのみが行側セパレ
ーションアドレスメモリRSAMおよび列側セパレーシ
ョンアドレスメモリCSAMのアドレスAに供給され
る。このアドレス指定により、行側セパレーションアド
レスメモリRSAMおよび列側セパレーションアドレス
メモリCSAMからは上述された通りの予め設定されて
いるデータが出力される。行側セパレーションアドレス
メモリRSAMおよび列側セパレーションアドレスメモ
リCSAMの出力はNto1マルチプレクサS3、2 t
o 1マルチプレクサS4およびS5を介して行フェイル
カウントメモリRFCMおよび列フェイルカウントメモ
リCFCMのアドレスADおよび全フェイルカウントメ
モリのアドレスAの何れのビットに接続するか選択され
る。これは予め設定しておく。例えば、アドレスARお
よびアドレスACからスタートするものとすると、当初
は分割アドレスAD1R=00および分割アドレスAD
1C=00のデータが出力される。これらのデータはマ
ルチプレクサS3、S4およびS5を介して行フェイル
カウントメモリRFCMおよび列フェイルカウントメモ
リCFCMのアドレスADおよび全フェイルカウントメ
モリのアドレスAに接続される。
【0016】アドレスポインタP1およびアドレスポイ
ンタP2が進捗し、分割アドレスBR或はBCに到達す
ると、行側セパレーションアドレスメモリRSAMおよ
び列側セパレーションアドレスメモリCSAMの出力は
AD2R=01或はAD2C=01に変化する。このデ
ータが行フェイルカウントメモリRFCM或は列フェイ
ルカウントメモリCFCMのアドレスADを変化させ、
行フェイルカウントメモリRFCM、列フェイルカウン
トメモリCFCMおよび全フェイルカウントメモリ内の
ブロックが切り替わる。これにより任意のアドレスでブ
ロック分割された被測定メモリのブロック毎に行アドレ
スラインフェイル数、列アドレスラインフェイル数、お
よびブロック内全フェイル数をカウントすることができ
る。
【0017】この発明の他の実施例として、セレクタS
1およびセレクタS2を省略し、セパレーションアドレ
スメモリのデータビット幅を分割アドレスADと同一に
し、アドレスの最小から最大に至る全ての分割データを
書き込んでおく様に構成することができる。この場合、
アドレスポインタからN to 1マルチプレクサへの
接続が不要となり、Nの値を小さくすることができる。
【0018】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明によるア
ドレス解解析装置を具備する半導体試験装置は、行フェ
イルカウントメモリRFCMに対応してセパレーション
アドレスメモリRSAMを具備し、列フェイルカウント
メモリCFCMに対応してセパレーションアドレスメモ
リCSAMを具備して、ここに設定される任意の形式の
数値に基づいてフェイルカウントメモリの分割アドレス
を指定することができ、従って任意のアドレスでブロッ
ク分割された被測定メモリのブロック毎に行アドレスラ
インフェイル数、列アドレスラインフェイル数、および
ブロック内全フェイル数をカウントすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を説明する図。
【図2】SAMへの分割アドレスの書き込みを示す図。
【図3】SAMの動作アドレス範囲の設定を説明する
図。
【図4】FCMのアドレスを示す図。
【図5】従来例を説明する図。
【図6】救済ブロックを示す図。
【符号の説明】
P1、P2 アドレスポインタ RFCM 行フェイルカウントメモリ CFCM 列フェイルカウントメモリ ADD 加算器 TFCM 全フェイルカウントメモリ S3 N to 1マルチプレクサ S4 2to1マルチプレクサ AS アドレス AD 分割アドレス AR、BR・・ER 行方向のブロック分割点 AC、BC・・EC 列方向のブロック分割点 RSAM セパレーションアドレスメモリ CSAM セパレーションアドレスメモリ S1、S2 セレクタ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不良ビット救済構成を有する被測定メモ
    リの救済すべきアドレス解を求めるアドレス解解析装置
    を具備する半導体試験装置において、被測定メモリから
    得られるフェイル情報を記憶するフェイルカウントメモ
    リを具備し、被測定メモリのアドレスを出力してこれに
    よりフェイルカウントメモリをアドレス指定するアドレ
    スポインタを具備し、分割アドレスを予め書き込むセパ
    レーションアドレスメモリを具備し、アドレスポインタ
    のアドレス出力を選択してセパレーションアドレスメモ
    リにアドレスビットを与えるセレクタを具備し、セパレ
    ーションアドレスメモリの出力によりフェイルカウント
    メモリを分割アドレス指定することを特徴とするアドレ
    ス解解析装置を具備する半導体試験装置。
  2. 【請求項2】 不良ビット救済構成を有する被測定メモ
    リの救済すべきアドレス解を求めるアドレス解解析装置
    を具備する半導体試験装置において、被測定メモリから
    得られるフェイル情報を記憶するフェイルカウントメモ
    リを具備し、被測定メモリのアドレスを出力してこれに
    よりフェイルカウントメモリをアドレス指定するアドレ
    スポインタを具備し、分割アドレスを予め書き込むセパ
    レーションアドレスメモリを具備し、ここでセパレーシ
    ョンアドレスメモリのデータビット幅を分割アドレスと
    同一にすると共にアドレスの最小から最大に至る全ての
    分割データを書き込んでおき、セパレーションアドレス
    メモリの出力によりフェイルカウントメモリを分割アド
    レス指定することを特徴とするアドレス解解析装置を具
    備する半導体試験装置。
JP5068499A 1993-03-26 1993-03-26 半導体試験装置 Withdrawn JPH06283000A (ja)

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JPH06283000A true JPH06283000A (ja) 1994-10-07

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