JPH0627778B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH0627778B2
JPH0627778B2 JP61183687A JP18368786A JPH0627778B2 JP H0627778 B2 JPH0627778 B2 JP H0627778B2 JP 61183687 A JP61183687 A JP 61183687A JP 18368786 A JP18368786 A JP 18368786A JP H0627778 B2 JPH0627778 B2 JP H0627778B2
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和広 坂下
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一郎 富岡
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路装置に関し、さらに具体的
にはスキャンパスを用いた半導体集積回路装置のテスト
回路に関するものである。
〔従来の技術〕
微細加工技術の進歩により、半導体集積回路の集積度は
飛躍的に向上し、今後もさらに増大する傾向にある。こ
のような集積度(ゲート数)の増大とともに、半導体集
積回路装置の試験の難易度は指数関数的に増大する。こ
こで、ある装置のテスト容易度は、各端子の故障を観測
する容易さ(可観測性)と、各端子を所望の論理値に設
定する容易さ(可制御性)の2点から決定され、一般に
大規模な論理回路網の奥深い端子は可観測性、可制御性
とも悪くなる。
半導体集積回路装置のテスト方式としてスキャンテスト
方式があるが、このスキャンテスト方式は、シフトレジ
スタ機能を有するレジスタ回路を論理回路網の適当な個
所に挿入し、これらのレジスタ回路を1本のシフトレジ
スタパスでつなぎ、テスト動作時にはチップ外部からテ
ストパターンをシリアル入力して各レジスタに所定のデ
ータを設定し、これらのレジスタのデータ出力端子に接
続されている論理回路に所望の論理信号を印加して動作
させ、その結果をこれらレジスタのパラレル入力端子よ
り該レジスタ内にパラレルに取り込み、その後それらを
シリアルにチップ外部へ出力して観測することによっ
て、大規模な論理回路網の奥深い端子の可観測性、可制
御性を向上しようとするものである。
レベルセンシティブな同期回路に関するスキャンテスト
方式の基本的なアイデアは特開昭 52-28614 号公報に示
されている。
ここでは、対象とする回路は非同期な順序回路も含める
ので、従来例として特開昭 56-74668 号公報を参考に説
明する。
第3図に非同期式順序回路を対象とした従来のスキャン
パス方式のテスト回路例を示す。図において、35,3
7は組み合わせ回路のブロック、36は順序回路を含む
非同期回路ブロック、8〜16は各回路ブロック間に設
けられたスキャンレジスタ、26〜34は対応する回路
ブロックの出力とスキャンレジスタの出力のいずれかを
選択し出力するデータセレクタである。上記スキャンレ
ジスタのデータ入力端子D及びデータセレクタのデータ
入力端子Dには各回路ブロックの出力信号が直接接続さ
れ、またデータセレクタのテストデータ入力端子TDに
は、対応するスキャンレジスタの出力端子Qが接続され
ている。
また、1はテストモード選択端子であり、該端子1はス
キャンレジスタとデータセレクタの各モード選択端子M
Sに接続されている。2はスキャンイン端子、38はス
キャンアウト端子である。スキャンイン端子2はスキャ
ンレジスタ8のスキャンイン端子SIに接続され、スキ
ャンレジスタ8の出力端子Qはスキャンレジスタ9のス
キャンイン端子SIに接続されており、このように各ス
キャンレジスタの出力端子Qは次のスキャンレジスタの
スキャンイン端子SIに順序接続され、結果として、ス
キャンイン端子2とスキャンアウト端子38の間でシフ
トレジスタパスが形成されている。3〜5は通常のデー
タ入力端子、6はスキャンクロック入力端子であり、該
端子6はスキャンレジスタのクロック入力端子Tに接続
されている。
第4図は上記スキャンレジスタの一例であり、MSはモ
ード選択端子、Dはデータ入力端子、SIはスキャンイ
ン端子、Tはクロック入力端子である。また151はイ
ンバータゲート、152,153は2入力ANDゲー
ト、154は2入力ORゲート、155はエッジトリガ
方式Dタイプフリップフロップ(以下D−FFと記
す)、Qはデータ出力端子である。
第5図は上記第3図に示したデータセレクタの一例であ
り、MSはモード選択端子、TDはテストデータ入力端
子、Dはデータ入力端子、160はインバータゲート、
161,162は2入力ANDゲート、163は2入力
ORゲート、Yは出力端子である。
次に動作について説明する。
まず通常動作時について説明すると、この場合はテスト
モード選択端子1(MS)に“H”が印加され、スキャ
ンクロック端子6(TS又はT)は“L”に固定され
る。結果として、各データセレクタを通じて、対応する
各回路ブロック間の入力端子が直結されることとなる。
これを第5図について説明すると、データセレクタはモ
ード選択端子MSに“H”が与えられると、データ入力
端子DからのデータをANDゲート162及びORゲー
ト163を介して出力端子Yに出力する。回路ブロック
の出力はこのデータセレクタのデータ入力端子Dに直接
接続されているので、対応する各回路ブロック間の入出
力端子が直結されることとなる。
一方テスト動作時には、次のようにスキャンモードとテ
ストモードを順次繰り返して実行し、各回路ブロックの
テストを実施する。
スキャンモード (a)テストモード選択端子1に“H”を印加してスキャ
ンモードとする。これによりスキャンレジスタではスキ
ャンイン端子SIからの入力データが選択され、データ
セレクタではデータ入力端子Dからの入力データが有効
になる。
(b)さらにスキャンイン端子2から各スキャンレジスタ
に設定するテストデータを、スキャンクロック端子6に
印加するクロックに同期させて順次スキャンインさせ
る。
(c)これと同時に、スキャンアウト端子38からは前回
のテスト時に取り込んだ各回路ブロックの出力データを
順次スキャンアウトさせる。
この動作を第4図及び第5図について説明すると、まず
スキャンレジスタにおいては、モード選択端子MSに
“H”が与えられると、スキャンイン端子SIからのデ
ータがANDゲート153,ORゲート154を介し
て、クロック端子Tに印加されるクロックに同期してD
−FF155に保持され、またこれと同時に保持されて
いたデータが出力端子Qから出力される。なおこのとき
データセレクタのモード選択端子MSにも“H”が与え
られており、従ってその出力端子Yにはデータ入力端子
Dからのデータが出力される。
テストモード (a) 所望のデータを各スキャンレジスタに設定し終わ
ったら、テストモード選択端子1に“L”を印加してテ
ストモードとする。
(b) これによりスキャンレジスタの出力データがデー
タセレクタのテストデータ入力端子TDを経由して各回
路ブロックに印加される。
(c) 同時にデータ入力端子3〜5に所望のテストデー
タを印加する。
(d) 次に回路ブロックの動作が完了した時点でスキャ
ンクロック入力端子6にクロックを1つ印加する。これ
により各回路ブロックの出力信号が、対応するスキャン
レジスタのデータ入力端子Dを通じてスキャンレジスタ
内のD−FFに保持される。
これらの動作を第4図及び第5図について説明すると、
まずスキャンレジスタではモード選択端子MSに“L”
が与えられると、データ入力端子DからのデータがAN
Dゲート152,ORゲート154を介して、クロック
入力端子Tに印加されるクロックに同期してD−FF1
55に保持される。またこのときデータセレクタのモー
ド選択端子MSにも“L”が与えられるので、その出力
端子Yにはテストデータ入力端子TDからのデータがA
NDゲート161,ORゲート163を介して出力され
る。
このようにして各回路ブロックのテストを実行できるの
が、この回路では、スキャンの動作中においてはデータ
セレクタが各回路ブロックの出力データを選択してお
り、これによりスキャン動作中にスキャンレジスタの出
力値が順次変わっても順序回路を含む回路ブロック36
の状態が変化しないようにしている。従ってこの例のよ
うに、スキャンパスに囲まれた回路ブロックが非同期の
順序回路であってもスキャンテストが可能となってい
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の装置は以上のように構成されているので、非同期
順序回路を含むブロックについてもスキャンテストをす
ることができる。しかし、一般にはテストモードからス
キャンモードへ切り換わる時に、順序回路に与えられる
データがシリアルインされた信号値から、隣接する回路
ブロックの出力信号値に変化してしまう。このため、対
象とする非同期順序回路の状態が変化しないように入力
を設定することが困難で、多くの場合スキャンテストを
有効に実施することができないという問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、非同期順序回路を含む回路ブロックを含め
て容易にスキャンテスト可能な半導体集積回路装置を得
ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体集積回路装置は、被テスト回路ブ
ロックの間に、 通常動作時は入出力端子間をスルー状態にして入力デー
タをそのまま出力し、テスト動作時は入力データを保
持,出力するスキャンレジスタと、このスキャンレジス
タの出力端子に接続され通常動作時及びテスト動作時の
テストモードにおいては上記スキャンレジスタの出力デ
ータを,テスト動作時のスキャンモードにおいてはスキ
ャン動作前のテストデータを保持してこれを次段の回路
ブロックに印加し続けるラッチ回路とを設けたものであ
る。
〔作用〕
この発明においては、通常動作時にはスキャンレジスタ
とその出力端子に接続されたラッチ回路とをスルー状態
にすることにより、対応する回路ブロックの入出力端子
が接続され、一方テスト動作時には上記スキャンレジス
タの出力端子に接続されたラッチ回路を非スルー状態と
することによって、スキャンモードの最中、前回印加し
たテストデータを保持してこれを対応する回路ブロック
に印加し続ける。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図について説明する。第1図は
本発明の一実施例によるスキャンテスト回路の構成を示
し、図において、71〜73は組み合わせ回路又は順序
回路からなる回路ブロック、8〜16はこれらの回路ブ
ロック間に設けられ、スルー状態に切り換え可能なスキ
ャンレジスタである。17〜25は対応するスキャンレ
ジスタの出力端子に接続され、同様にスルー状態に切り
換え可能なラッチ回路である。1はデータクロック入力
端子であり、各スキャンレジスタのデータの入力端子T
Dへ接続されている。2はスキャンイン端子、38はス
キャンアウト端子であり、スキャンイン端子2はスキャ
ンレジスタ8のスキャンイン端子SIに接続され、さら
にスキャンレジスタ8の出力端子Qは次のスキャンレジ
スタ9のスキャンイン端子SIに接続され、同様に順次
スキャンレジスタの出力端子Qと次のスキャンレジスタ
のスキャンイン端子SIが接続され、その結果として、
スキャンイン端子2とスキャンアウト端子38の間に1
本のスキャンパスが形成されている。また、各スキャン
レジスタの出力端子Qは対応するラッチ回路のデータ入
力端子Dにそれぞれ接続され、ラッチ回路の出力端子Q
はそれぞれ対応するブロックの入力端子に接続されてい
る。
また、6a,6bは第1,第2のスキャンクロック入力
端子であり、第1のスキャンクロック入力端子6aはス
キャンレジスタの第1のクロック端子T1に接続され、
第2のスキャンクロック入力端子6bはスキャンレジス
タの第2のクロック端子T2に接続されている。3〜5
は通常のデータ入力端子であり、対応する回路ブロック
71の入力端子に接続され、各回路ブロックの出力端子
は対応するスキャンレジスタのデータ入力端子Dに接続
されている。7はラッチ用クロック入力端子である。
第2図(a)は上記スキャンレジスタの一構成例を示すも
のであり、第1のラッチ74と第2のラッチ75を有す
る。図において、SIはスキャンイン端子、Dはデータ
入力端子、T1,T2は第1,第2のクロック端子、T
Dはデータクロック入力端子、41〜44はインバー
タ、45〜47はn型MOSトランジスタ、Qは出力端
子であり、2相クロックを用いたレベルセンシティブな
スキャンレジスタを構成している。
第2図(b)は上記ラッチ回路の一構成例を示し、第3の
ラッチ76を有する。図において、Dはデータ入力端
子、Tはクロック端子、48〜50はインバータ、51
はn型MOSトランジスタ、Qは出力端子である。
次に動作について説明する。
まず通常動作について説明する。通常動作時において
は、第1のスキャンクロック入力端子6aは“L”に
(T1=“L”)、第2のスキャンクロック入力端子6
b,データクロック入力端子1及びラッチ用クロック入
力端子7は“H”に(T2,TD,T=“H”)固定さ
れる。結果として対応する回路ブロック間の入出力端子
間が直結される。
これを第2図(a),(b)について説明すると、まずスキャ
ンレジスタにおいては、通常動作時には第1のデータク
ロック入力端子T1に“L”が、データクロック入力端
子TD及び第2のクロック端子T2に“H”が印加さ
れ、これによりデータ入力端子Dから出力端子Qまでス
ルー状態となる。またラッチ回路においては、クロック
端子Tに“H”が印加され、これによりデータ入力端子
Dから出力端子Qまでがスルー状態となる。このように
通常動作時にはスキャンレジスタのデータ入出力端子間
及びラッチ回路がスルー状態となり、対応する回路ブロ
ック間の入出力端子が直結されることとなる。
一方テスト動作時には次のようにスキャンモードとテス
トモードを順次繰り返して実行し、各ブロックのテスト
を実施する。このタイミング図を第6図に示す。
スキャンモード (a)データクロック入力端子1に“L”(TD=
“L”)を印加してスキャンモードにする。
(b)第1及び第2のスキャンクロック入力端子6a,6
bに第6図に示すようなノンオーバーラップのポジティ
ブクロックを印加することにより、それに同期してスキ
ャンイン端子2からデータが各スキャンレジスタに順次
スキャンインされる。
(c)(b)と同時に、スキャンアウト端子38からは前回の
テスト時に取り込んだ回路ブロック71〜73の出力デ
ータが順次スキャンアウトされる。
これを第2図(a),(b)について説明すると、スキャンレ
ジスタにおいては、テスト時のスキャンモードにはデー
タクロック入力端子TDには、“L”が印加されてお
り、この場合第1のクロック端子T1に印加される第1
のスキャンクロックに同期して、スキャンイン端子SI
からのデータがインバータ41,42からなる第1のラ
ッチ74に保持される。その後、上記第1のスキャンク
ロックとはノンオーバラップの第2のスキャンクロック
が第2のクロック端子T2に印加され、そのクロックに
同期して、インバータ43,44からなる第2のラッチ
75に上記第1のラッチ74の値が保持される。その結
果、スキャンイン端子SIからのデータが出力端子Qに
伝播される。
またラッチ回路においては、クロック端子Tは“L”に
固定され、これにより前回のテストモード時にラッチし
たテストデータを保持したままこれを回路ブロックに印
加し続ける。
テストモード (a)所望のテスト入力データをスキャンレジスタ8〜1
6に設定し終わったら、ラッチ用クロック入力端子7に
正のクロックパルスを1つ印加する。これにより、その
テスト入力データがラッチ回路の第3のラッチに保持さ
れるとともに、このデータが回路ブロックに印加され
る。また同時にデータ入力端子3〜5にも所定のテスト
データを印加する。
(b)次に各回路ブロックの動作が完了した時点で、デー
タクロック入力端子1に正のクロックパルスを1つ印加
する。これにより、各回路ブロックの出力信号が各々対
応するスキャンレジスタのデータ入力端子Dを通じてス
キャンレジスタ内の第1のラッチに保持される。
(c)続いて第2のスキャンクロック入力端子6bに正の
クロックパルスを1つ印加することにより、スキャンレ
ジスタ内の第2のラッチにも回路ブロックの出力信号が
保持される。
これを第2図(a),(b)について説明すると、テストモー
ドにおいては、スキャンレジスタの第1のクロック端子
T1に“L”が印加されており、この場合データクロッ
ク入力端子TDのクロックに同期して、データ入力端子
Dからのデータが第1のラッチ74に保持され、さらに
第2のクロック端子T2に正のクロックパルスが印加さ
れると、第2のラッチ75にもデータ入力端子Dからの
データが保持される。またラッチ回路においては、クロ
ック端子Tに印加されるクロック信号に同期してデータ
入力端子Dからのデータ(スキャンレジスタからのデー
タ)がインバータ48,49からなる第3のラッチ76
に保持され、該データが回路ブロックに印加される。
(c)その後スキャンモードに移り、テストが進む。
このようにして各回路ブロックのテストができるが、上
記のような本実施例の回路では、スキャン動作中もラッ
チ回路が前回のテストパターンを保持し、そのパターン
を各回路ブロック72,73の入力端子に印加し続ける
ので、スキャン動作中にスキャンレジスタの値が次々に
変化しても、各回路ブロックの内部の状態は変化せず、
スキャンテストが可能となる。しかも、ラッチ回路17
〜25に保持されるデータはスキャンインされたデータ
であるからテストパターンは各回路ブロックで独立して
決定でき、容易にスキャンテストが実行できる。
なお、上記実施例ではスキャンレジスタとしてトランス
ミッションゲートとインバータで構成されるスキャンレ
ジスタを用いたが、第7図のようにAND回路55〜6
0とNOR回路61〜64とインバータ65,66でレ
ベルセンシティブなスキャンレジスタを構成してもよ
い。
また第2図(a)のスキャンレジスタ内のラッチはインバ
ータ2個を用いて帰還型のものを用いたが、第8図に示
すように、第2図(a)のインバータ42,44を除去し
た容量性のラッチを用いても構成することが可能であ
る。第8図の67,68は各々寄生容量を示している。
ここで第8図においは、帰還用のインバータがないため
に、45〜47のいずれかのn型MOSトランスミッシ
ョンゲートを通してインバータ41,43の入力に
“H”の信号が伝播すると、n−MOSトランジスタの
しきい値電圧分だけ“H”レベルが低下してしまう。こ
のため第9図に示すように、p型MOSトランジスタ6
9,70をプルアップ用に設け、“H”レベルを確保
し、インバータ41,43の貫通電流を防止したスキャ
ンレジスタを用いてもよい。
また、第8図,第9図で示されるラッチの方式は、第2
図(b)のラッチにも同様に適用できる。
また、第2図(a)のスキャンレジスタでは、データ入力
端子Dに与えられた信号が出力端子Qまで到達するため
には、2つのラッチ74,75を通過する必要がある
が、第10図に示すように、データ入力端子Dをn型M
OSトランジスタ46とインバータ40を介して第2の
ラッチ75に接続することにより、第1のラッチ74を
通らずにデータ入力端子Dに与えられた信号が出力端子
Qへ到達するようにしても良い。
また、第2図(a),(b)及び第8図,第9図に示したn型
とp型MOSトランジスタ、及び電源電位と接地電位は
各々入れ換えても良い。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、スキャンレジスタと
してスルー状態に設定可能なものを用い、さらにその出
力端子に同様にスルー状態設定可能なラッチ回路を接続
し、このラッチ回路の出力端子に対応する回路ブロック
の入力端子を接続するようにしたので、通常動作時に
は、スキャンレジスタ及びラッチ回路をスルー状態にし
て各回路ブロック間で信号の受け渡しが可能であり、一
方テスト動作時では、前回のテスト入力パターンを各回
路ブロックに印加し続けたままスキャン動作が行えるの
で、非同期順序回路を対象としたスキャンテストが容易
に実施できるようになり、従ってテスト設計が容易にな
り、非同期順序回路を含む大規模な集積回路の設計コス
トの削減が図れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による半導体集積回路装置の
回路図、第2図(a)は該装置のスキャンレジスタ回路の
一構成例を示す図、第2図(b)は該装置のラッチ回路の
一構成例を示す図、第3図は従来の半導体集積回路装置
の回路図、第4図は従来装置のスキャンレジスタ回路を
示す図、第5図は従来装置の選択回路を示す図、第6図
は第1図の装置の動作を説明するための入出力端子のタ
イミング図、第7図,第8図,第9図,第10図は各々
本発明の実施例によるスキャンレジスタ回路を示す回路
図である。 1……データクロック入力端子、2……スキャンイン端
子、6a,6b……第1,第2のスキャンクロック入力
端子、7……ラッチ用クロック入力端子、8〜16……
スキャンレジスタ、17〜25……ラッチ回路、71〜
73……組み合わせ回路又は順序回路からなる回路ブロ
ック、38……スキャンアウト端子。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富岡 一郎 兵庫県伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機 株式会社エル・エス・アイ研究所内 (72)発明者 荒川 隆彦 兵庫県伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機 株式会社エル・エス・アイ研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくともそのうちの1つは順序回路を含
    む複数個の回路ブロック間でデータ伝送を行うととも
    に、上記各回路ブロックをスキャンテスト方式でテスト
    可能とした半導体集積回路装置であって、 上記複数個の回路ブロック間の各々に、伝播されるデー
    タのビット数に対応して設けられ、 通常動作時は前段回路ブロックの出力データをそのまま
    出力し、 テスト動作時は前段回路ブロックの出力データ又はスキ
    ャンテスト用のテストデータを外部クロックに同期して
    保持,出力し、 全体で1つのシフトレジスタ機能を有するよう各回路相
    互間がシフトレジスタパスで接続されてなる複数のスキ
    ャンレジスタと、 そのデータ入力端子が対応するスキャンレジスタのデー
    タ出力端子に接続して設けられ、 通常動作時は対応するスキャンレジスタの出力データを
    そのまま次段の回路ブロックに出力し、 テスト動作時のスキャンモードにおいてはスキャン動作
    前の対応するスキャンレジスタの出力データを保持して
    該データを次段の回路ブロックに印加し続け、テストモ
    ードにおいては対応するスキャンレジスタの出力データ
    を外部クロックに同期して保持,出力するラッチ回路
    と、 上記スキャンレジスタの各々に装置外部からテスト用の
    シリアルデータを設定するためのテストデータ設定手段
    と、 上記各スキャンレジスタのデータをシリアルデータとし
    て装置外部へ順次出力するためのテスト結果出力手段
    と、 通常動作とテスト動作の切り換え,スキャンモードとテ
    ストモードの切り換えを行う動作切り換え手段とを備え
    たことを特徴とする半導体集積回路装置。
JP61183687A 1986-08-04 1986-08-04 半導体集積回路装置 Expired - Lifetime JPH0627778B2 (ja)

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KR1019870004715A KR900002770B1 (ko) 1986-08-04 1987-05-13 반도체 집적회로장치
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DE3725822A DE3725822A1 (de) 1986-08-04 1987-08-04 Integrierte halbleiterschaltvorrichtung

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