JPH06275667A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06275667A JPH06275667A JP5921793A JP5921793A JPH06275667A JP H06275667 A JPH06275667 A JP H06275667A JP 5921793 A JP5921793 A JP 5921793A JP 5921793 A JP5921793 A JP 5921793A JP H06275667 A JPH06275667 A JP H06275667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead
- leads
- semiconductor device
- vibrator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 超音波を発生する装置を、リ−ドの根元部に
発生する表面樹脂バリに接触させ、リ−ドに平行な方向
に振動させることで表面樹脂バリを除去する。 【効果】 本発明による樹脂封止型半導体装置では、振
動子を表面樹脂バリの存在するリ−ドの根元にのみ接触
させ、しかも、リ−ド表面に沿って振動させることによ
り、表面樹脂バリを除去するため、樹脂封止部へのダメ
−ジはなく、リ−ド部へのダメ−ジも最小限に抑えるこ
とができる。よって、樹脂封止部に損傷を与えることが
なく、また、リ−ドが肉薄で、弱くてもリ−ドが曲がっ
たりすることがない。
発生する表面樹脂バリに接触させ、リ−ドに平行な方向
に振動させることで表面樹脂バリを除去する。 【効果】 本発明による樹脂封止型半導体装置では、振
動子を表面樹脂バリの存在するリ−ドの根元にのみ接触
させ、しかも、リ−ド表面に沿って振動させることによ
り、表面樹脂バリを除去するため、樹脂封止部へのダメ
−ジはなく、リ−ド部へのダメ−ジも最小限に抑えるこ
とができる。よって、樹脂封止部に損傷を与えることが
なく、また、リ−ドが肉薄で、弱くてもリ−ドが曲がっ
たりすることがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
において引き出しリ−ドの根元部に突出する封止樹脂、
いわゆる表面樹脂バリを除去する工程を含む樹脂封止型
半導体装置の製造方法に関する。
において引き出しリ−ドの根元部に突出する封止樹脂、
いわゆる表面樹脂バリを除去する工程を含む樹脂封止型
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、半導体素子のパッケ−ジング技術
として樹脂封止が広く行われている。この樹脂封止型半
導体装置の形成手順は例えば次のようなもので、リ−ド
フレ−ムのベット部に半導体素子をマウントし、半導体
素子の所定の部位とリ−ドフレ−ムの所定の部位とをワ
イヤボンディングした後、モ−ルド金型上に上記リ−ド
フレ−ムを設置し、モ−ルド金型のキャビティ内にエポ
キシ等の液状モ−ルド樹脂を注入、充填し、硬化させ
て、リ−ドフレ−ムのリ−ド部が樹脂封止部より引き出
された形のものする。
として樹脂封止が広く行われている。この樹脂封止型半
導体装置の形成手順は例えば次のようなもので、リ−ド
フレ−ムのベット部に半導体素子をマウントし、半導体
素子の所定の部位とリ−ドフレ−ムの所定の部位とをワ
イヤボンディングした後、モ−ルド金型上に上記リ−ド
フレ−ムを設置し、モ−ルド金型のキャビティ内にエポ
キシ等の液状モ−ルド樹脂を注入、充填し、硬化させ
て、リ−ドフレ−ムのリ−ド部が樹脂封止部より引き出
された形のものする。
【０００３】ところで、上記のような樹脂封止工程にお
いて、リ−ドフレ−ムは、モ−ルド金型の上金型と下金
型とで挟むように設置された状態でキャビティ中にモ−
ルド樹脂が注入される。この上金型と下金型との嵌合部
分には、わずかな隙間が存在するため、高圧でモ−ルド
樹脂を注入する際にこの隙間からモ−ルド樹脂がはみだ
し、図４に示すように樹脂封止部１から引き出されたリ
−ド部２上に表面樹脂バリ３が付着する。
いて、リ−ドフレ−ムは、モ−ルド金型の上金型と下金
型とで挟むように設置された状態でキャビティ中にモ−
ルド樹脂が注入される。この上金型と下金型との嵌合部
分には、わずかな隙間が存在するため、高圧でモ−ルド
樹脂を注入する際にこの隙間からモ−ルド樹脂がはみだ
し、図４に示すように樹脂封止部１から引き出されたリ
−ド部２上に表面樹脂バリ３が付着する。
【０００４】このような表面樹脂バリは外観上好ましく
ないばかりでなく、樹脂封止後に行われるリ−ド部への
ハンダ等のメッキ工程においてメッキ不良を引き起こし
たり、装置を実装した際にバリがはがれ落ちる等の不都
合を起こす。このため樹脂封止工程の後にバリ取り工程
が行われる。
ないばかりでなく、樹脂封止後に行われるリ−ド部への
ハンダ等のメッキ工程においてメッキ不良を引き起こし
たり、装置を実装した際にバリがはがれ落ちる等の不都
合を起こす。このため樹脂封止工程の後にバリ取り工程
が行われる。
【０００５】この表面樹脂バリを取り除く方法として大
別して２つの方法がある。その１つは、ガラスビ−ズや
プラスチックがその成分である、粒径９０〜２１０μｍ
のメディアと水とを混合し、口径が２ｍｍの噴射ノズル
により数（Ｋｇ／ｃｍ2 ）の水圧で樹脂封止型半導体装
置全面に噴射し、表面樹脂バリを除去するという方法で
ある。
別して２つの方法がある。その１つは、ガラスビ−ズや
プラスチックがその成分である、粒径９０〜２１０μｍ
のメディアと水とを混合し、口径が２ｍｍの噴射ノズル
により数（Ｋｇ／ｃｍ2 ）の水圧で樹脂封止型半導体装
置全面に噴射し、表面樹脂バリを除去するという方法で
ある。
【０００６】もう１つは図３に示すように、口径が０．
１８ｍｍの水噴射ノズル１５を樹脂封止部の鉛直上方に
配置し、水を３００〜６００（Ｋｇ／ｃｍ2 ）の高圧で
噴射し、表面樹脂バリを除去するという方法である。現
在ではこの方法が主流である。水の噴射方法にも二種類
あって、リ−ドフレ−ムの全体に水を噴射するリ−ドフ
レ−ム全面うち方式と、リ−ドの一本ずつに水を噴射す
るリ−ドフレ−ムねらいうち方式とがある。リ−ドフレ
−ム全面うち方式は、リ−ドフレ−ムの鉛直上方と鉛直
下方とに複数の水噴射ノズルを配置し、それを回転させ
ながら水を噴射する。リ−ドフレ−ムねらいうち方式は
一本のリ−ドの鉛直上方に水噴射ノズルを配置し、それ
を回転させながら水を噴射する。
１８ｍｍの水噴射ノズル１５を樹脂封止部の鉛直上方に
配置し、水を３００〜６００（Ｋｇ／ｃｍ2 ）の高圧で
噴射し、表面樹脂バリを除去するという方法である。現
在ではこの方法が主流である。水の噴射方法にも二種類
あって、リ−ドフレ−ムの全体に水を噴射するリ−ドフ
レ−ム全面うち方式と、リ−ドの一本ずつに水を噴射す
るリ−ドフレ−ムねらいうち方式とがある。リ−ドフレ
−ム全面うち方式は、リ−ドフレ−ムの鉛直上方と鉛直
下方とに複数の水噴射ノズルを配置し、それを回転させ
ながら水を噴射する。リ−ドフレ−ムねらいうち方式は
一本のリ−ドの鉛直上方に水噴射ノズルを配置し、それ
を回転させながら水を噴射する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リ−ドフレ
−ム全面うち方式は樹脂封止部全体に多量の水が噴射さ
れてしまうため、樹脂封止部に対する損傷が大きく、樹
脂封止部の表面に針でつついたような窪みができる。ま
た、リ−ドフレ−ムねらいうち方式でも、水噴射ノズル
の位置とリ−ドの位置とに距離があるため、水の噴射さ
れる面積が広くなり、樹脂封止部にも一部噴射される。
よって、リ−ドフレ−ム全面うち方式に比べれば少ない
が、まだ樹脂封止部に対する損傷がある。最近では、薄
型の樹脂封止型半導体装置が普及しているので特に樹脂
封止部に対する損傷は問題である。
−ム全面うち方式は樹脂封止部全体に多量の水が噴射さ
れてしまうため、樹脂封止部に対する損傷が大きく、樹
脂封止部の表面に針でつついたような窪みができる。ま
た、リ−ドフレ−ムねらいうち方式でも、水噴射ノズル
の位置とリ−ドの位置とに距離があるため、水の噴射さ
れる面積が広くなり、樹脂封止部にも一部噴射される。
よって、リ−ドフレ−ム全面うち方式に比べれば少ない
が、まだ樹脂封止部に対する損傷がある。最近では、薄
型の樹脂封止型半導体装置が普及しているので特に樹脂
封止部に対する損傷は問題である。
【０００８】また、最近の半導体装置は、０．１ｍｍ前
後のリ−ド厚のものがあり、水を噴射した際にリ−ドが
曲がったり、折れてしまったりするという欠点があっ
た。本発明は、樹脂封止部を損傷、リ−ドを変形させる
ことなく、リ−ドの根元部に発生する表面樹脂バリを容
易に除去することが可能な樹脂封止型半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
後のリ−ド厚のものがあり、水を噴射した際にリ−ドが
曲がったり、折れてしまったりするという欠点があっ
た。本発明は、樹脂封止部を損傷、リ−ドを変形させる
ことなく、リ−ドの根元部に発生する表面樹脂バリを容
易に除去することが可能な樹脂封止型半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法においては、半導体
チップと前記半導体チップに接続されたリ−ドとを樹脂
封止する工程と、前記樹脂封止部からリ−ド表面に沿っ
て突出する表面樹脂バリを除去するために、樹脂封止部
から外部に引き出されたリ−ドの根元部に振動子を接触
させる工程とを具備することを特徴とする。また、前記
樹脂封止部の一辺における複数のリ−ドの根元部に振動
子を同時に接触させる工程を具備することを特徴とす
る。
に、本発明の半導体装置の製造方法においては、半導体
チップと前記半導体チップに接続されたリ−ドとを樹脂
封止する工程と、前記樹脂封止部からリ−ド表面に沿っ
て突出する表面樹脂バリを除去するために、樹脂封止部
から外部に引き出されたリ−ドの根元部に振動子を接触
させる工程とを具備することを特徴とする。また、前記
樹脂封止部の一辺における複数のリ−ドの根元部に振動
子を同時に接触させる工程を具備することを特徴とす
る。
【００１０】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法で
は、振動子をリ−ドの表面樹脂バリの存在する部分にの
み接触させ、しかもリ−ド表面に沿って振動させること
により、表面樹脂バリを除去する。そのため、従来のバ
リ取り方法のように樹脂封止部或いはリ−ドに圧力がか
かることはない。よって樹脂封止部が一部欠損したり、
リ−ドが曲がったりすることがない。
は、振動子をリ−ドの表面樹脂バリの存在する部分にの
み接触させ、しかもリ−ド表面に沿って振動させること
により、表面樹脂バリを除去する。そのため、従来のバ
リ取り方法のように樹脂封止部或いはリ−ドに圧力がか
かることはない。よって樹脂封止部が一部欠損したり、
リ−ドが曲がったりすることがない。
【００１１】
【実施例】本発明の第一の実施例である樹脂封止型半導
体装置の製造方法について図１、４を用いて説明する。
リ−ドフレ−ムのベット部上に半導体チップをマウント
し、半導体チップの電極とリ−ドフレ−ムのリ−ドとを
ワイヤボンディングしたのち、これらを樹脂封止し、半
導体チップが封止された樹脂封止部１と、半導体チップ
と電気的に接続されたリ−ド２とを有する半導体装置を
形成する。前述のようにリ−ド２の特に樹脂封止部１に
近い根元部にリ−ド表面に沿って１ｍｍ以下の範囲に表
面樹脂バリが付着している。
体装置の製造方法について図１、４を用いて説明する。
リ−ドフレ−ムのベット部上に半導体チップをマウント
し、半導体チップの電極とリ−ドフレ−ムのリ−ドとを
ワイヤボンディングしたのち、これらを樹脂封止し、半
導体チップが封止された樹脂封止部１と、半導体チップ
と電気的に接続されたリ−ド２とを有する半導体装置を
形成する。前述のようにリ−ド２の特に樹脂封止部１に
近い根元部にリ−ド表面に沿って１ｍｍ以下の範囲に表
面樹脂バリが付着している。
【００１２】次に、表面樹脂バリを取り除くために図１
に示すように振動子４の先端をリ−ド２の根元の表面樹
脂バリ３にあて、数ｇ／ｃｍ2 の力を加え、３０ＫＨｚ
の振動数でリ−ド２に平行な方向に振動させ、表面樹脂
バリ３を取り除く。リ−ド表面に平行な方向に振動させ
る理由は、リ−ド２に垂直な方向に振動させるとリ−ド
２の根元の樹脂封止部に応力がかかり、樹脂封止部にひ
び割れを起こす恐れがあるので避けるためである。
に示すように振動子４の先端をリ−ド２の根元の表面樹
脂バリ３にあて、数ｇ／ｃｍ2 の力を加え、３０ＫＨｚ
の振動数でリ−ド２に平行な方向に振動させ、表面樹脂
バリ３を取り除く。リ−ド表面に平行な方向に振動させ
る理由は、リ−ド２に垂直な方向に振動させるとリ−ド
２の根元の樹脂封止部に応力がかかり、樹脂封止部にひ
び割れを起こす恐れがあるので避けるためである。
【００１３】上記実施例によれば、振動子４の先端は樹
脂封止部に接触しないようにしているので樹脂封止部１
に対する損傷を与えることがなく、また、リ−ド２に平
行な方向に振動するのでリ−ド２が曲がることはない。
脂封止部に接触しないようにしているので樹脂封止部１
に対する損傷を与えることがなく、また、リ−ド２に平
行な方向に振動するのでリ−ド２が曲がることはない。
【００１４】なお、上記実施例では、振動子４の先端は
平面状であるが、球面状であってもよい。また、振動子
４の幅（Ｙ）はリ−ドの幅とほぼ同等であることが望ま
しいが、リ−ドの幅より狭くても良い。また、振動子４
の幅（Ｘ）は表面樹脂バリ長と同じ位の１ｍｍ程度が望
ましいが、それより長くても短くてもよい。上記振動子
の幅（Ｙ）がリ−ドの幅より短いか、或いは、幅（Ｘ）
が１ｍｍ未満である場合には、超音波振動子４の先端を
リ−ド幅及びリ−ド長に沿ってリ−ド上を走査すること
により、表面樹脂バリを取り除く。
平面状であるが、球面状であってもよい。また、振動子
４の幅（Ｙ）はリ−ドの幅とほぼ同等であることが望ま
しいが、リ−ドの幅より狭くても良い。また、振動子４
の幅（Ｘ）は表面樹脂バリ長と同じ位の１ｍｍ程度が望
ましいが、それより長くても短くてもよい。上記振動子
の幅（Ｙ）がリ−ドの幅より短いか、或いは、幅（Ｘ）
が１ｍｍ未満である場合には、超音波振動子４の先端を
リ−ド幅及びリ−ド長に沿ってリ−ド上を走査すること
により、表面樹脂バリを取り除く。
【００１５】次に本発明の第二の実施例を図２を用いて
説明する。第一の実施例では振動子４を各リ−ドに順次
接触させて表面樹脂バリ３を除去したが、第二の実施例
では一辺のリ−ド群の表面樹脂バリ３をまとめて除去し
ようとするものである。即ち、振動子４の先端の幅
（Ｘ）を一辺のリ−ド群の幅以上に形成し、樹脂封止部
の一辺から出ている複数のリ−ド群３全体に振動子４を
接触させ、リ−ドに平行な方向に振動させて、複数のリ
−ドの表面樹脂バリをまとめて除去する。
説明する。第一の実施例では振動子４を各リ−ドに順次
接触させて表面樹脂バリ３を除去したが、第二の実施例
では一辺のリ−ド群の表面樹脂バリ３をまとめて除去し
ようとするものである。即ち、振動子４の先端の幅
（Ｘ）を一辺のリ−ド群の幅以上に形成し、樹脂封止部
の一辺から出ている複数のリ−ド群３全体に振動子４を
接触させ、リ−ドに平行な方向に振動させて、複数のリ
−ドの表面樹脂バリをまとめて除去する。
【００１６】この実施例では振動子４は矩形状に形成し
たが、矩形でなくてもよい。また、振動子４の幅（Ｘ）
が１ｍｍ未満であるときは、超音波振動子４の先端をリ
−ド長方向に沿ってリ−ド上を走査することにより、表
面樹脂バリ３を取り除く。
たが、矩形でなくてもよい。また、振動子４の幅（Ｘ）
が１ｍｍ未満であるときは、超音波振動子４の先端をリ
−ド長方向に沿ってリ−ド上を走査することにより、表
面樹脂バリ３を取り除く。
【００１７】
【発明の効果】本発明による樹脂封止型半導体装置で
は、振動子を表面樹脂バリの存在するリ−ドの根元にの
み接触させ、しかも、リ−ド表面に沿って振動させるこ
とにより、表面樹脂バリを除去するため、樹脂封止部へ
のダメ−ジはなく、リ−ド部へのダメ−ジも最小限に抑
えることができる。よって、樹脂封止部に損傷を与える
ことがなく、また、リ−ドが肉薄で、弱くてもリ−ドが
曲がったりすることがない。
は、振動子を表面樹脂バリの存在するリ−ドの根元にの
み接触させ、しかも、リ−ド表面に沿って振動させるこ
とにより、表面樹脂バリを除去するため、樹脂封止部へ
のダメ−ジはなく、リ−ド部へのダメ−ジも最小限に抑
えることができる。よって、樹脂封止部に損傷を与える
ことがなく、また、リ−ドが肉薄で、弱くてもリ−ドが
曲がったりすることがない。
【図１】本発明の第一の実施例である樹脂封止型半導体
装置の製造方法を説明するための概念図
装置の製造方法を説明するための概念図
【図２】本発明の第二の実施例である樹脂封止型半導体
装置の製造方法を説明するための概念図
装置の製造方法を説明するための概念図
【図３】従来の水による表面樹脂バリ除去の概念図
【図４】樹脂封止型半導体装置の要部を示す斜視図
１、１１ 樹脂封止部 ２、１２ リ−ド ３、１３ 表面樹脂バリ ４ 超音波振動子 １５ 水噴射ノズル １６ 水
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップと前記半導体チップに接続
されたリ−ドとを樹脂封止する工程と、 前記樹脂封止部からリ−ド表面に沿って突出する表面樹
脂バリを除去するために、樹脂封止部から外部に引き出
されたリ−ドの根元部に振動子を接触させる工程とを具
備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 前記樹脂封止部の一辺における複数のリ
−ドの根元部に振動子を同時に接触させる工程を具備す
ることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5921793A JPH06275667A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5921793A JPH06275667A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275667A true JPH06275667A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13107001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5921793A Pending JPH06275667A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275667A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4021242A1 (de) * | 1989-07-04 | 1991-05-08 | Ricoh Kk | Bilderzeugungseinrichtung |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP5921793A patent/JPH06275667A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4021242A1 (de) * | 1989-07-04 | 1991-05-08 | Ricoh Kk | Bilderzeugungseinrichtung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100350759B1 (ko) | 볼 그리드 어레이형 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US5422314A (en) | Lead frame and production method for producing semiconductor device using the lead frame | |
| JPH06275667A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS60176259A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JP2928120B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| US20030011079A1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
| JPH1154666A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2679224B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03280554A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05121462A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2662015B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100439188B1 (ko) | 반도체 패키지 몰딩장치 | |
| JPH11145179A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07142664A (ja) | 樹脂封止半導体装置の製造方法 | |
| JPH07105408B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び成型金型 | |
| JPH07183416A (ja) | 半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法 | |
| JPH06314715A (ja) | 半導体チップ及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH02277251A (ja) | ワイヤボンディング方法および装置 | |
| JPH09162220A (ja) | ボンディング用ワイヤおよびワイヤボンディング方法 | |
| JP2852291B2 (ja) | 半導体ペレットのダイボンディング法 | |
| JPH0653264A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10138294A (ja) | 樹脂封止金型及び樹脂封止方法 | |
| JPS63287041A (ja) | 半導体素子収納パッケ−ジの製造方法 | |
| JPH08167685A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003309134A (ja) | 電子部品製造方法および電子部品 |