JPH0627356A - 磁性体被覆光ファイバおよびその製造方法 - Google Patents
磁性体被覆光ファイバおよびその製造方法Info
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- JPH0627356A JPH0627356A JP4182689A JP18268992A JPH0627356A JP H0627356 A JPH0627356 A JP H0627356A JP 4182689 A JP4182689 A JP 4182689A JP 18268992 A JP18268992 A JP 18268992A JP H0627356 A JPH0627356 A JP H0627356A
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- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 光ファイバ裸線の周上にカーボン被覆層１ｂ
を有し、その周上に樹脂層１ｃを有するカーボンコート
ファイバ１の、樹脂層１ｃを部分的に除去してカーボン
被覆層１ｂを露出させた後、露出したカーボン被覆層１
ｂの表面に、電解メッキにより磁性体層を形成する。 【効果】 光ファイバの機械的強度や伝送損失に悪影響
を与えることなく、その表面に微小な磁性体層を容易に
形成できる。光スイッチを構成する光部品として信頼性
に富む磁性体被覆光ファイバが得られる。
を有し、その周上に樹脂層１ｃを有するカーボンコート
ファイバ１の、樹脂層１ｃを部分的に除去してカーボン
被覆層１ｂを露出させた後、露出したカーボン被覆層１
ｂの表面に、電解メッキにより磁性体層を形成する。 【効果】 光ファイバの機械的強度や伝送損失に悪影響
を与えることなく、その表面に微小な磁性体層を容易に
形成できる。光スイッチを構成する光部品として信頼性
に富む磁性体被覆光ファイバが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバスイッチの
構成部品として好適に用いられる、磁性体被覆光ファイ
バおよびその製造方法に関する。
構成部品として好適に用いられる、磁性体被覆光ファイ
バおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光スイッチとして、微小磁性膜パ
イプを装着した可動ファイバを外部磁界により駆動させ
てスイッチングを行うマイクロメカニクスタイプの自己
保持型光ファイバスイッチが提案されている（Ｓ．Ｎａ
ｇａｓａｗａ，Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｌｅｔｔ．ｖｏ
ｌ．２６，Ｎｏ．１１，７４４〜７４５頁）。この光ス
イッチにおいては、永久磁石を用いて上記可動ファイバ
を一時保持し、ソレノイドコイルにより構成される電磁
石の磁界によってその可動ファイバの位置を制御して、
機械的に光路を切り換えるようになっている。
イプを装着した可動ファイバを外部磁界により駆動させ
てスイッチングを行うマイクロメカニクスタイプの自己
保持型光ファイバスイッチが提案されている（Ｓ．Ｎａ
ｇａｓａｗａ，Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｌｅｔｔ．ｖｏ
ｌ．２６，Ｎｏ．１１，７４４〜７４５頁）。この光ス
イッチにおいては、永久磁石を用いて上記可動ファイバ
を一時保持し、ソレノイドコイルにより構成される電磁
石の磁界によってその可動ファイバの位置を制御して、
機械的に光路を切り換えるようになっている。
【０００３】このような光スイッチを構成する可動ファ
イバの例を図４に示す。この例の可動ファイバは、円筒
状の磁性体層１２の内部に、この磁性体層１２の内径よ
りも若干小さい外径を有する光ファイバ裸線１１を挿入
してなるものであり、このような磁性体層を有する光フ
ァイバは、従来、次のようにして製造されていた。すな
わち、外径が１３０μｍのダミーファイバの表面に、ス
パッタリングにより磁性体層１２を形成する。この磁性
体層１２は例えばＦｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ等の強磁性体
合金を用いて形成され、その厚さは約２０〜４０μｍ程
度に好適に形成される。そして、しかる後に電解メッキ
等を用い、選択的に磁性体層１２の表面に保護膜して金
の層を任意に形成する。この後、フッ化水素酸などによ
りダミーファイバのみを選択的に溶解、除去して円筒形
の磁性体層１２を得る。次いで、この円筒形の磁性体層
１２を適宜の長さに切断し、その内部に、外径が１２５
μｍの光ファイバ裸線１１を挿入していた。
イバの例を図４に示す。この例の可動ファイバは、円筒
状の磁性体層１２の内部に、この磁性体層１２の内径よ
りも若干小さい外径を有する光ファイバ裸線１１を挿入
してなるものであり、このような磁性体層を有する光フ
ァイバは、従来、次のようにして製造されていた。すな
わち、外径が１３０μｍのダミーファイバの表面に、ス
パッタリングにより磁性体層１２を形成する。この磁性
体層１２は例えばＦｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ等の強磁性体
合金を用いて形成され、その厚さは約２０〜４０μｍ程
度に好適に形成される。そして、しかる後に電解メッキ
等を用い、選択的に磁性体層１２の表面に保護膜して金
の層を任意に形成する。この後、フッ化水素酸などによ
りダミーファイバのみを選択的に溶解、除去して円筒形
の磁性体層１２を得る。次いで、この円筒形の磁性体層
１２を適宜の長さに切断し、その内部に、外径が１２５
μｍの光ファイバ裸線１１を挿入していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、円筒状
の磁性体パイプの内部に光ファイバを挿入する工程にお
いては、光ファイバのガラス表面が露出した状態で操作
が行われるので、得られる可動ファイバの強度劣化や、
損失劣化が増大する恐れがあった。また、従来の製造方
法においては、スパッタリングにより磁性体を４０μｍ
程度の厚さに形成するには、長い時間を要し、生産性が
劣るものであった。さらに、光スイッチの応答性の面な
どから、磁性体層の長さは外部の磁界発生領域に包括さ
れていることが必要であり、通常は２０ｍｍ以下の長さ
に望ましく形成される。このためには困難な微細加工が
必要であり、この点で、技術的な問題を有していた。
の磁性体パイプの内部に光ファイバを挿入する工程にお
いては、光ファイバのガラス表面が露出した状態で操作
が行われるので、得られる可動ファイバの強度劣化や、
損失劣化が増大する恐れがあった。また、従来の製造方
法においては、スパッタリングにより磁性体を４０μｍ
程度の厚さに形成するには、長い時間を要し、生産性が
劣るものであった。さらに、光スイッチの応答性の面な
どから、磁性体層の長さは外部の磁界発生領域に包括さ
れていることが必要であり、通常は２０ｍｍ以下の長さ
に望ましく形成される。このためには困難な微細加工が
必要であり、この点で、技術的な問題を有していた。
【０００５】この発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、光ファイバの機械的強度や伝送損失を損なうことな
く、容易に光ファイバの外周に微小な磁性体層を形成し
て、信頼性に富む磁性体被覆光ファイバを提供すること
を目的とする。
で、光ファイバの機械的強度や伝送損失を損なうことな
く、容易に光ファイバの外周に微小な磁性体層を形成し
て、信頼性に富む磁性体被覆光ファイバを提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の磁性体被覆光ファイバは、光ファイバ裸線
の周上にカーボン被覆層を有し、このカーボン被覆層の
周上に磁性体層を形成したものである。また、本発明の
磁性体被覆光ファイバの製造方法は、光ファイバ裸線の
周上にカーボン被覆層を有し、該カーボン被覆層の周上
に樹脂層を有するカーボンコートファイバの、該樹脂層
を部分的に除去してカーボン被覆層を露出させた後、露
出したカーボン被覆層の表面に、電解メッキにより磁性
体層を形成するものである。
に、本発明の磁性体被覆光ファイバは、光ファイバ裸線
の周上にカーボン被覆層を有し、このカーボン被覆層の
周上に磁性体層を形成したものである。また、本発明の
磁性体被覆光ファイバの製造方法は、光ファイバ裸線の
周上にカーボン被覆層を有し、該カーボン被覆層の周上
に樹脂層を有するカーボンコートファイバの、該樹脂層
を部分的に除去してカーボン被覆層を露出させた後、露
出したカーボン被覆層の表面に、電解メッキにより磁性
体層を形成するものである。
【０００７】
【作用】本発明の製造方法によれば、カーボンコート光
ファイバの樹脂層を部分的に除去することによって、部
分的にカーボン被覆層を露出させて、その他の部分は樹
脂層を残した状態とすることができる。すなわち、樹脂
層の部分では表面的に導電性がなく、露出したカーボン
被覆層の部分では表面的に導電性を有する状態となる。
そして、この状態で電解メッキにより磁性体層を形成す
ると、樹脂層が電解メッキに対するシール材として作用
するので、カーボン被覆層の表面にのみ磁性体が選択的
に析出される。したがって、樹脂層の除去を微小に行う
ことによって，微小な磁性体層を容易に形成することが
できる。また、本発明の磁性体被覆光ファイバにおい
て、光ファイバ裸線はカーボンによって被覆された状態
に保持され、そのガラス表面が露出されることがないの
で、光ファイバ自体が操作によって化学的なダメージを
受けることがなく、得られる磁性体被覆光ファイバの強
度劣化や損失劣化を防止することができる。したがっ
て、このようにな方法によって得られた本発明の磁性体
被覆光ファイバは、これを用いて信頼性に富む光スイッ
チを構成することができる。
ファイバの樹脂層を部分的に除去することによって、部
分的にカーボン被覆層を露出させて、その他の部分は樹
脂層を残した状態とすることができる。すなわち、樹脂
層の部分では表面的に導電性がなく、露出したカーボン
被覆層の部分では表面的に導電性を有する状態となる。
そして、この状態で電解メッキにより磁性体層を形成す
ると、樹脂層が電解メッキに対するシール材として作用
するので、カーボン被覆層の表面にのみ磁性体が選択的
に析出される。したがって、樹脂層の除去を微小に行う
ことによって，微小な磁性体層を容易に形成することが
できる。また、本発明の磁性体被覆光ファイバにおい
て、光ファイバ裸線はカーボンによって被覆された状態
に保持され、そのガラス表面が露出されることがないの
で、光ファイバ自体が操作によって化学的なダメージを
受けることがなく、得られる磁性体被覆光ファイバの強
度劣化や損失劣化を防止することができる。したがっ
て、このようにな方法によって得られた本発明の磁性体
被覆光ファイバは、これを用いて信頼性に富む光スイッ
チを構成することができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明を詳しく説明する。図１およ
び２は本発明の磁性体被覆光ファイバの製造方法の一例
を示したもので、図１は樹脂層の除去工程、図２は電解
メッキ工程の例をそれぞれ示したものである。また、図
３は本発明の磁性体被覆光ファイバの例を示した断面図
である。図中符号１はカーボンコート光ファイバ、１ａ
は光ファイバ裸線、１ｂはカーボン被覆層、１ｃは樹脂
層、１ｄ、１ｄは両端部、１ｅは磁性形成部位、２は磁
性体層をそれぞれ示す。本発明の磁性体被覆光ファイバ
を得るには、まず、周知の製法によって、カーボンコー
ト光ファイバを作製する。例えば、線引きによって光フ
ァイバ裸線１ａを形成した後、ＣＶＤ法によりカーボン
被覆層１ｂを形成する。続いて、紫外線硬化架橋性樹脂
を塗布後、紫外線を照射してＵＶ樹脂層１ｃを形成し、
カーボンコート光ファイバ１を得る。ここで、カーボン
被覆層１ｂの厚さおよび樹脂層１ｃの厚さは適宜設定す
ることができるが、例えば、カーボン被覆層１ｂの厚さ
を３００〜６００Å程度、また樹脂層１ｃの厚さを２０
〜８０μｍ程度とすることができる。
び２は本発明の磁性体被覆光ファイバの製造方法の一例
を示したもので、図１は樹脂層の除去工程、図２は電解
メッキ工程の例をそれぞれ示したものである。また、図
３は本発明の磁性体被覆光ファイバの例を示した断面図
である。図中符号１はカーボンコート光ファイバ、１ａ
は光ファイバ裸線、１ｂはカーボン被覆層、１ｃは樹脂
層、１ｄ、１ｄは両端部、１ｅは磁性形成部位、２は磁
性体層をそれぞれ示す。本発明の磁性体被覆光ファイバ
を得るには、まず、周知の製法によって、カーボンコー
ト光ファイバを作製する。例えば、線引きによって光フ
ァイバ裸線１ａを形成した後、ＣＶＤ法によりカーボン
被覆層１ｂを形成する。続いて、紫外線硬化架橋性樹脂
を塗布後、紫外線を照射してＵＶ樹脂層１ｃを形成し、
カーボンコート光ファイバ１を得る。ここで、カーボン
被覆層１ｂの厚さおよび樹脂層１ｃの厚さは適宜設定す
ることができるが、例えば、カーボン被覆層１ｂの厚さ
を３００〜６００Å程度、また樹脂層１ｃの厚さを２０
〜８０μｍ程度とすることができる。
【０００９】次に、得られたカーボンコート光ファイバ
１の、磁性体層形成部位１ｅおよび両端部１ｄ、１ｄの
樹脂層１ｃを除去する。このとき、架橋性樹脂層１ｃを
有機溶剤に浸漬して膨潤させ、さらに、簡単なスクリー
ニングを行うことによって、この樹脂層１ｃを容易に剥
離させることができる。例えば、図１に示すようにカー
ボンコート光ファイバ１の両端部１ｄ，１ｄおよび中間
部分の磁性体層形成部位１ｅのみを、ジクロロメタン等
の有機溶媒３中に浸漬させることによって、所望の部位
の樹脂層１ｃを選択的に除去することができる。このよ
うな方法によれば、除去される樹脂層１ｃの長さを容易
に制御することができ、例えば、１０〜２０ｍｍ程度の
長さで除去を行うことができる。ここで、除去される樹
脂層１ｃの長さは、必要に応じて任意に設定することが
できる。例えば、両端部１ｄ，１ｄでは、この両端部を
後の電解メッキ工程における通電部位とするために必要
な長さをに設定することができ、好ましくは２０〜４０
ｍｍ程度が除去される。また、磁性体形成部位１ｅで
は、磁性体被覆光ファイバが用いられる光スイッチの構
成を考慮して設定することができ、好ましくは５〜２０
ｍｍ程度が除去される。
１の、磁性体層形成部位１ｅおよび両端部１ｄ、１ｄの
樹脂層１ｃを除去する。このとき、架橋性樹脂層１ｃを
有機溶剤に浸漬して膨潤させ、さらに、簡単なスクリー
ニングを行うことによって、この樹脂層１ｃを容易に剥
離させることができる。例えば、図１に示すようにカー
ボンコート光ファイバ１の両端部１ｄ，１ｄおよび中間
部分の磁性体層形成部位１ｅのみを、ジクロロメタン等
の有機溶媒３中に浸漬させることによって、所望の部位
の樹脂層１ｃを選択的に除去することができる。このよ
うな方法によれば、除去される樹脂層１ｃの長さを容易
に制御することができ、例えば、１０〜２０ｍｍ程度の
長さで除去を行うことができる。ここで、除去される樹
脂層１ｃの長さは、必要に応じて任意に設定することが
できる。例えば、両端部１ｄ，１ｄでは、この両端部を
後の電解メッキ工程における通電部位とするために必要
な長さをに設定することができ、好ましくは２０〜４０
ｍｍ程度が除去される。また、磁性体形成部位１ｅで
は、磁性体被覆光ファイバが用いられる光スイッチの構
成を考慮して設定することができ、好ましくは５〜２０
ｍｍ程度が除去される。
【００１０】次いで、カーボンコート光ファイバ１の磁
性体層形成部位１ｅの表面に、電解メッキにより磁性体
層２を形成する。図２に示すように、部分的に樹脂層１
ｃが除去され、カーボン被覆層１ｂが露出されたカーボ
ンコート光ファイバ１を、電解メッキ装置にセットす
る。この例の電解メッキ装置は、樹脂が内張りされた金
属浴４と、この金属浴４内に光ファイバの両端をそれぞ
れ保持する銅製プレート５，５と、この銅製プレート
５，５に接する陰極棒６，６と、金属浴４内に設けられ
た不溶性陽極プレート７とから概略構成されている。
尚、電解メッキ装置としてはこの例のものに限らず、適
宜の構成のものを用いることができる。
性体層形成部位１ｅの表面に、電解メッキにより磁性体
層２を形成する。図２に示すように、部分的に樹脂層１
ｃが除去され、カーボン被覆層１ｂが露出されたカーボ
ンコート光ファイバ１を、電解メッキ装置にセットす
る。この例の電解メッキ装置は、樹脂が内張りされた金
属浴４と、この金属浴４内に光ファイバの両端をそれぞ
れ保持する銅製プレート５，５と、この銅製プレート
５，５に接する陰極棒６，６と、金属浴４内に設けられ
た不溶性陽極プレート７とから概略構成されている。
尚、電解メッキ装置としてはこの例のものに限らず、適
宜の構成のものを用いることができる。
【００１１】金属浴４内にメッキ液を満たし、カーボン
コート光ファイバ１の、樹脂層が剥離された両端部１
ｄ，１ｄを銅製プレート５，５でそれぞれ保持して、こ
のカーボンコート光ファイバ１をメッキ液中に保持す
る。このとき、少なくともカーボンコート光ファイバ１
の磁性体形成部位１ｅがメッキ液中に浸漬するようにこ
れを保持する。そして、この状態で通電を行うことによ
って、カーボン被覆層１ｂが露出された磁性体形成部位
１ｅに磁性体層２が析出する。そして、適宜の時間通電
を行い、好ましくは、厚さ約２０〜３０μｍの磁性体層
２を形成する。ここで、メッキ液および電解メッキのた
めの操作条件は、形成される磁性体層２の組成等によっ
て適宜調整することができるが、磁性体としてはＣｏ−
Ｎｉ合金磁性体、およびＦｅ−Ｎｉ合金磁性体等の強磁
性体が好ましく、これらの合金磁性体層を形成するため
の周知の組成のメッキ液、および操作条件を用いること
ができる。このようにして、光ファイバの裸線１ａの表
面上にカーボン被覆層１ｂを有し、このカーボン被覆層
１ｂの表面上に磁性体被覆層２を有する光ファイバが得
られ、これを用いてマイクロメカニクスタイプの自己保
持型光ファイバスイッチを好適に構成することができ
る。
コート光ファイバ１の、樹脂層が剥離された両端部１
ｄ，１ｄを銅製プレート５，５でそれぞれ保持して、こ
のカーボンコート光ファイバ１をメッキ液中に保持す
る。このとき、少なくともカーボンコート光ファイバ１
の磁性体形成部位１ｅがメッキ液中に浸漬するようにこ
れを保持する。そして、この状態で通電を行うことによ
って、カーボン被覆層１ｂが露出された磁性体形成部位
１ｅに磁性体層２が析出する。そして、適宜の時間通電
を行い、好ましくは、厚さ約２０〜３０μｍの磁性体層
２を形成する。ここで、メッキ液および電解メッキのた
めの操作条件は、形成される磁性体層２の組成等によっ
て適宜調整することができるが、磁性体としてはＣｏ−
Ｎｉ合金磁性体、およびＦｅ−Ｎｉ合金磁性体等の強磁
性体が好ましく、これらの合金磁性体層を形成するため
の周知の組成のメッキ液、および操作条件を用いること
ができる。このようにして、光ファイバの裸線１ａの表
面上にカーボン被覆層１ｂを有し、このカーボン被覆層
１ｂの表面上に磁性体被覆層２を有する光ファイバが得
られ、これを用いてマイクロメカニクスタイプの自己保
持型光ファイバスイッチを好適に構成することができ
る。
【００１２】（実施例１）外径１２５μｍの光ファイバ
裸線の周上に、厚さ５００Åのカーボン被覆層を有し、
その周上に厚さ３０μｍの紫外線硬化架橋性樹脂層を有
するカーボンコート光ファイバを用意した。そして、ジ
クロロメタンを用いて、このカーボンコート光ファイバ
の両端部の樹脂層を長さ約３０ｍｍにわたって除去する
とともに、ほぼ中心部の樹脂層も長さ約２０ｍｍにわた
って除去した。次いで、電解メッキ装置の金属浴内にＣ
ｏ−Ｎｉ合金磁性メッキ液を満たし、この中に上記のカ
ーボンコート光ファイバを保持した。この状態で通電を
行い、カーボンコート光ファイバの中心部分表面に、長
さ約２０ｍｍ、厚さ約２０μｍのＣｏ−Ｎｉ合金強磁性
体層を形成した。電解メッキ操作条件は以下のように設
定した。 メッキ液 ： スルファミン酸ニッケル ３００〜７００ｇ／ｌ スルファミン酸コバルト ５０〜１５０ｇ／ｌ 光沢剤 適量 液温 ： ５１℃ 処理時間 ： ２〜１０分間 このようにして得られた磁性体被覆光ファイバは、機械
的強度や伝送損失における劣化は見られず、これを用い
て、マイクロメカニクスタイプの光スイッチを構成した
ところ、良好な応答特性を示した。
裸線の周上に、厚さ５００Åのカーボン被覆層を有し、
その周上に厚さ３０μｍの紫外線硬化架橋性樹脂層を有
するカーボンコート光ファイバを用意した。そして、ジ
クロロメタンを用いて、このカーボンコート光ファイバ
の両端部の樹脂層を長さ約３０ｍｍにわたって除去する
とともに、ほぼ中心部の樹脂層も長さ約２０ｍｍにわた
って除去した。次いで、電解メッキ装置の金属浴内にＣ
ｏ−Ｎｉ合金磁性メッキ液を満たし、この中に上記のカ
ーボンコート光ファイバを保持した。この状態で通電を
行い、カーボンコート光ファイバの中心部分表面に、長
さ約２０ｍｍ、厚さ約２０μｍのＣｏ−Ｎｉ合金強磁性
体層を形成した。電解メッキ操作条件は以下のように設
定した。 メッキ液 ： スルファミン酸ニッケル ３００〜７００ｇ／ｌ スルファミン酸コバルト ５０〜１５０ｇ／ｌ 光沢剤 適量 液温 ： ５１℃ 処理時間 ： ２〜１０分間 このようにして得られた磁性体被覆光ファイバは、機械
的強度や伝送損失における劣化は見られず、これを用い
て、マイクロメカニクスタイプの光スイッチを構成した
ところ、良好な応答特性を示した。
【００１３】（実施例２）実施例１において、Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金磁性メッキ液に代えて、Ｆｅ−Ｎｉ合金磁性メッ
キ液を用いて、同様の磁性体被覆光ファイバを作製し
た。電解メッキ操作条件は以下のように設定した。 メッキ液 ： スルファミン酸ニッケル ３００〜７００ｇ／ｌ 硫酸第二鉄 ２０〜１５０ｇ／ｌ 光沢剤 適量 液温 ： ５１℃ 処理時間 ： ２〜１０分間 このようにして得られた磁性体被覆光ファイバは、機械
的強度や伝送損失における劣化は見られず、これを用い
て、マイクロメカニクスタイプの光スイッチを構成した
ところ、良好な応答特性を示した。
ｉ合金磁性メッキ液に代えて、Ｆｅ−Ｎｉ合金磁性メッ
キ液を用いて、同様の磁性体被覆光ファイバを作製し
た。電解メッキ操作条件は以下のように設定した。 メッキ液 ： スルファミン酸ニッケル ３００〜７００ｇ／ｌ 硫酸第二鉄 ２０〜１５０ｇ／ｌ 光沢剤 適量 液温 ： ５１℃ 処理時間 ： ２〜１０分間 このようにして得られた磁性体被覆光ファイバは、機械
的強度や伝送損失における劣化は見られず、これを用い
て、マイクロメカニクスタイプの光スイッチを構成した
ところ、良好な応答特性を示した。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁性体被
覆光ファイバは、光ファイバ裸線の周上にカーボン被覆
層を有し、このカーボン被覆層の周上に磁性体層を有す
るものである。そして本発明の磁性体被覆光ファイバの
製造方法は、光ファイバ裸線の周上にカーボン被覆層を
有し、該カーボン被覆層の周上に樹脂層を有するカーボ
ンコートファイバの、該樹脂層を部分的に除去してカー
ボン被覆層を露出させた後、露出したカーボン被覆層の
表面に、電解メッキにより磁性体層を形成するものであ
る。
覆光ファイバは、光ファイバ裸線の周上にカーボン被覆
層を有し、このカーボン被覆層の周上に磁性体層を有す
るものである。そして本発明の磁性体被覆光ファイバの
製造方法は、光ファイバ裸線の周上にカーボン被覆層を
有し、該カーボン被覆層の周上に樹脂層を有するカーボ
ンコートファイバの、該樹脂層を部分的に除去してカー
ボン被覆層を露出させた後、露出したカーボン被覆層の
表面に、電解メッキにより磁性体層を形成するものであ
る。
【００１５】したがって、光ファイバの表面に微細な磁
性体層を容易かつ精度よく形成することができ、マイク
ロメカニクスタイプ光スイッチ用光部品を簡便に得るこ
とができる。また、磁性体を被覆する工程において、磁
性体形成部位はカーボン層によって被覆され、またその
他の部分はさらに樹脂層によって被覆されているので、
磁性体被覆処理に伴う、機械的強度や伝送損失の劣化を
防止することができる。このようにして得られた本発明
の磁性体被覆光ファイバは、これを用いて信頼性に富む
光スイッチを構成することができる。
性体層を容易かつ精度よく形成することができ、マイク
ロメカニクスタイプ光スイッチ用光部品を簡便に得るこ
とができる。また、磁性体を被覆する工程において、磁
性体形成部位はカーボン層によって被覆され、またその
他の部分はさらに樹脂層によって被覆されているので、
磁性体被覆処理に伴う、機械的強度や伝送損失の劣化を
防止することができる。このようにして得られた本発明
の磁性体被覆光ファイバは、これを用いて信頼性に富む
光スイッチを構成することができる。
【図１】 本発明の製造方法における樹脂層の除去工程
の例を示した説明図である。
の例を示した説明図である。
【図２】 本発明の製造方法における電解メッキ工程の
例を示した説明図である。
例を示した説明図である。
【図３】 本発明の磁性体被覆光ファイバの例を示した
断面図である。
断面図である。
【図４】 従来の磁性体層を有する光ファイバの例を示
した断面図である。
した断面図である。
１…カーボンコート光ファイバ、１ａ…光ファイバ裸
線、１ｂ…カーボン被覆層、１ｃ…樹脂層、２…磁性体
層
線、１ｂ…カーボン被覆層、１ｃ…樹脂層、２…磁性体
層
Claims (4)
- 【請求項１】 光ファイバ裸線の周上にカーボン被覆層
を有し、このカーボン被覆層の周上に磁性体層を有する
ことを特徴とする磁性体被覆光ファイバ。 - 【請求項２】 磁性体層がＦｅ−Ｎｉ合金層であること
を特徴とする請求項１記載の磁性体被覆光ファイバ。 - 【請求項３】 磁性体層がＣｏ−Ｎｉ合金層であること
を特徴とする請求項１記載の磁性体被覆光ファイバ。 - 【請求項４】 光ファイバ裸線の周上にカーボン被覆層
を有し、該カーボン被覆層の周上に樹脂層を有するカー
ボンコートファイバの、該樹脂層を部分的に除去してカ
ーボン被覆層を露出させた後、露出したカーボン被覆層
の表面に、電解メッキにより磁性体層を形成することを
特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の磁性体被覆
光ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182689A JPH0627356A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 磁性体被覆光ファイバおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182689A JPH0627356A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 磁性体被覆光ファイバおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627356A true JPH0627356A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16122717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4182689A Pending JPH0627356A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 磁性体被覆光ファイバおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627356A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001023949A1 (de) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Scc Special Communication Cables Gmbh & Co Kg | Lichtwellenleiter und faseroptischer isolator |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP4182689A patent/JPH0627356A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001023949A1 (de) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Scc Special Communication Cables Gmbh & Co Kg | Lichtwellenleiter und faseroptischer isolator |
| US6795627B1 (en) | 1999-09-30 | 2004-09-21 | Corning Incorporated | Light waveguide and an optical fiber isolator |
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