JPS62243146A - 光デイスク用スタンパ−の製造方法 - Google Patents
光デイスク用スタンパ−の製造方法Info
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- JPS62243146A JPS62243146A JP8762386A JP8762386A JPS62243146A JP S62243146 A JPS62243146 A JP S62243146A JP 8762386 A JP8762386 A JP 8762386A JP 8762386 A JP8762386 A JP 8762386A JP S62243146 A JPS62243146 A JP S62243146A
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- JP
- Japan
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- plating
- film
- glass master
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- Pending
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 10
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスク用スタンパ−の製造方法に関する。
従来の光ディスク用スタンパ−の製造工程におけるガラ
ス原盤上のｙｓｍ或は周知のとおりで、ガラス原盤上に
レジスト層があり次にスパッタＮｉ１［があり、さらに
電鋳Ｎｉメツ午層がある三層構造をしていた。
ス原盤上のｙｓｍ或は周知のとおりで、ガラス原盤上に
レジスト層があり次にスパッタＮｉ１［があり、さらに
電鋳Ｎｉメツ午層がある三層構造をしていた。
しかし、前述の従来技術では、レジスト層とスパッタＮ
ｉ層が異種材料であるため、層間の密着性が低い。さら
に各々の膜厚が７００λ〜１５０ａ又て、非、常に薄い
ため電鋳Ｎｉメッキ後の内径通電治具をガラス原盤から
外す際に中心穴付近のレジスト層とスパッタＮｉ層の間
から浮いてしまいひどい物ははがれてしまうという問題
がある。
ｉ層が異種材料であるため、層間の密着性が低い。さら
に各々の膜厚が７００λ〜１５０ａ又て、非、常に薄い
ため電鋳Ｎｉメッキ後の内径通電治具をガラス原盤から
外す際に中心穴付近のレジスト層とスパッタＮｉ層の間
から浮いてしまいひどい物ははがれてしまうという問題
がある。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもハ〒−Ｊ
＋ハ日６！ｌ ｂ−＃−スふ、ψスＬ→ 由ｌ吠八ハ窓
―性を向上して浮きやはがれの無いスタンパ−の製造方
法を提供するところにある。
＋ハ日６！ｌ ｂ−＃−スふ、ψスＬ→ 由ｌ吠八ハ窓
―性を向上して浮きやはがれの無いスタンパ−の製造方
法を提供するところにある。
本発明の光ディスク用スタンパ−の製造方法は１）ガラ
ス原盤の内周部の未記録部分にレジスト層を介せずにＮ
ｉの厚膜をリング状に設けたことを特徴とするスタンパ
−の製造方法。
ス原盤の内周部の未記録部分にレジスト層を介せずにＮ
ｉの厚膜をリング状に設けたことを特徴とするスタンパ
−の製造方法。
２）前記１）項のＮｉの厚膜は無電解Ｎｉメッキを用い
その膜厚が１０μｍ以下にしたことを特徴とするスタン
パ−の製造方法。
その膜厚が１０μｍ以下にしたことを特徴とするスタン
パ−の製造方法。
３）前記１）〜２）項のガラス原盤の内Ｉｉ＃部の未記
録部分の膜構成が、無電解Ｎｉメッキ層上にスパッタＮ
ｉ薄膜層がありさらに１ｔＭＮｉメッキ層の三層構造に
したことを特徴とするスタンパ−の製造方法。
録部分の膜構成が、無電解Ｎｉメッキ層上にスパッタＮ
ｉ薄膜層がありさらに１ｔＭＮｉメッキ層の三層構造に
したことを特徴とするスタンパ−の製造方法。
本発明の上記の方法によれば、同材料による膜の形成方
法であるので従来の方法に比べて密着性は向上する。さ
らに′ｆ！Ｌ鋳Ｎｉメツ午前のガラス原盤の内周部分の
膜厚が従来に比べて厚くなっているので電鋳Ｎｉメツ午
後の内径通電治具を外す際の機械的な力による浮きやは
がれを防止できる。
法であるので従来の方法に比べて密着性は向上する。さ
らに′ｆ！Ｌ鋳Ｎｉメツ午前のガラス原盤の内周部分の
膜厚が従来に比べて厚くなっているので電鋳Ｎｉメツ午
後の内径通電治具を外す際の機械的な力による浮きやは
がれを防止できる。
第１図は本発明の実施例における光ディスク用スタンパ
−のマスクリングプロセス断面図であるガラス原盤上の
記録部分７にはレジスト層とスパッタＮｉ？ｌ＃膜層と
電鋳Ｎｉメッキ層の三層構成になっている。一方、内周
側の未記録部分８はリング状になりた無電解Ｎｉメッキ
層とスパッタＮｉ薄膜層がありざらに電鋳Ｎｉメッキ層
の三層構造になっている。従って電鋳Ｎｉメッキ加工時
は内径通電治具によりて厚膜の無電解Ｎｉメッキ層とス
パッタＮｉ薄膜層を介して通電加工されることになる。
−のマスクリングプロセス断面図であるガラス原盤上の
記録部分７にはレジスト層とスパッタＮｉ？ｌ＃膜層と
電鋳Ｎｉメッキ層の三層構成になっている。一方、内周
側の未記録部分８はリング状になりた無電解Ｎｉメッキ
層とスパッタＮｉ薄膜層がありざらに電鋳Ｎｉメッキ層
の三層構造になっている。従って電鋳Ｎｉメッキ加工時
は内径通電治具によりて厚膜の無電解Ｎｉメッキ層とス
パッタＮｉ薄膜層を介して通電加工されることになる。
記録部分はレジスト層上のスパッタＮｉ薄膜層に電鋳Ｎ
ｉメッキが檀Ｊ１ｉ＃される。
ｉメッキが檀Ｊ１ｉ＃される。
以上述べたように発明によればガラス原盤の内周部の未
記録部分にレジスト層を設けない構成にしてＮｉの同材
料の三層構造にすることと、内周部の無電解Ｎｉメッキ
層をリング状にすると同時に１０μｍ以下の厚膜にする
ことによりて、従来に比べ内周部の密着性が向上し、電
鋳Ｎｉメッキ加工後の内径通電治具を外す際の機械的な
強度も向上し、浮きやはがれの無いという効果を有する
記録部分にレジスト層を設けない構成にしてＮｉの同材
料の三層構造にすることと、内周部の無電解Ｎｉメッキ
層をリング状にすると同時に１０μｍ以下の厚膜にする
ことによりて、従来に比べ内周部の密着性が向上し、電
鋳Ｎｉメッキ加工後の内径通電治具を外す際の機械的な
強度も向上し、浮きやはがれの無いという効果を有する
第１図は本発明の光ディスク用スタンパ−のマスタリン
グプロセス断面図。 １・・・・・・ガラス原盤 ２・・・・・・レジスト層 ３・・・・・・無電解Ｎｉメツ午層 ４・・・・・・スパッタＮｉ薄膜層 ５・・・・・・ＸＭＮｉメッキ層 ６・・・・・・内径通電治具 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 ７１、ｕ＊ＴＦ’ｊ ｇ、−ＰＬ４Ｆ９Ｗ９、
形耶 第１図
グプロセス断面図。 １・・・・・・ガラス原盤 ２・・・・・・レジスト層 ３・・・・・・無電解Ｎｉメツ午層 ４・・・・・・スパッタＮｉ薄膜層 ５・・・・・・ＸＭＮｉメッキ層 ６・・・・・・内径通電治具 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 ７１、ｕ＊ＴＦ’ｊ ｇ、−ＰＬ４Ｆ９Ｗ９、
形耶 第１図
Claims (3)
- （１）本発明は光ディスク用ガラス原盤の内周部の未記
録部分にレジスト層を介在せずにＮｉの厚膜をリング状
に設けたことを特徴とする光ディスク用スタンパーの製
造方法。 - （２）前記Ｎｉの厚膜は無電解Ｎｉメッキを用いその膜
厚が１０μｍ以下にしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光ディスク用スタンパーの製造方法。 - （３）前記ガラス原盤の内周部の未記録部分の膜構成が
、無電解Ｎｉメッキ層上にスパッタＮｉ薄膜層がありさ
らに電鋳Ｎｉメッキ層の三層構造にしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光ディスク用スタンパー
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8762386A JPS62243146A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 光デイスク用スタンパ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8762386A JPS62243146A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 光デイスク用スタンパ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243146A true JPS62243146A (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=13920099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8762386A Pending JPS62243146A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 光デイスク用スタンパ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62243146A (ja) |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP8762386A patent/JPS62243146A/ja active Pending
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