JP6992210B2 - 計時器構成要素を製造する方法およびこの方法で得られる構成要素 - Google Patents
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Description
-後続のガルバニック成長工程のために犠牲金属層および下塗り層を基板上に設ける工程、
-感光性ポリイミド層を塗布する工程、
-得られる予定の構造の一階層の外形に合致するマスクを通してポリイミド層に紫外線を照射する工程、
-ポリイミド型を得られるように非照射部分を溶解することによってポリイミド層を現像する工程、
-ガルバニック成長によって型にニッケルを型の高さまで充填し、実質的に平坦な上面を得る工程、
-真空めっきによって上面全体の上にクロムの薄層を堆積させる工程、
-クロム層上に新たなフォトレジスト層を堆積させる工程、
-得られる予定の構造の次の階層の外形に合致する新たなマスクを通してフォトレジスト層に照射する工程、
-新たな型を得られるようにポリイミド層を現像する工程、
-ガルバニック成長によって新たな型にニッケルを型の高さまで充填する工程、
-多階層構造およびポリイミド型を犠牲層および基板から分離する工程、
-多階層構造をポリイミド型から分離する工程
が含まれている。
a)基板を用意し、その上に第1の導電層を堆積させ、第1のフォトレジスト層を塗布する工程、
b)構成要素の第1の階層を画定するマスクを通して第1のフォトレジスト層に照射し、フォトレジスト層の非照射領域を溶解して第1の導電層をその場に暴露させる工程、
c)第1のフォトレジスト層の照射領域に第2の導電層を局所的に堆積させ、第2の導電層は、ステンシルマスクを通して、またはインクもしくは導電性樹脂をプリントすることによって堆積される工程、
d)工程c)で作製した構造を覆う第2のフォトレジスト層を塗布する工程、
e)構成要素の第2の階層を画定するマスクを通して第2のフォトレジスト層に照射し、第2のフォトレジスト層の非照射領域を溶解して第1の階層と第2の階層からなる型を形成し、第1の導電層および第2の導電層をその場に暴露させる工程、
f)第1の層および第2の層からできた型内に電鋳によって金属層を堆積させて構成要素を形成し、層は、実質的に第2のフォトレジスト層の上面に達する工程、
g)機械的方法を用いて金属層を機械加工して所定の厚みにする工程、
h)構成要素の上面にウエハの形態で追加形状(面取り、座ぐりなど)を機械的な加工によって施す工程、
i)基板、導電層およびフォトレジストを順次除去して構成要素を解放する工程
を含む、計時器構成要素を製造する方法に関する。
-第2の導電層は、ステンシルマスクを通して堆積され、
-第2の導電層は、インクまたは導電性樹脂をプリントすることによって堆積され、
-前記第1の層および前記第2の導電層は、Au、Ti、Pt、Ag、CrまたはPdの類の層またはこれらの材料のうちの少なくとも2つからなる堆積物であり、
-基板はシリコン製であり、
-第1の導電層の厚みは、50nm~500nmの範囲内であり、
-第2の導電層の厚みは、50nm~500nmの範囲内であり、
-工程a)の後、および工程d)の後、機械的な加工作業によってフォトレジストに厚み調整作業が実行され、このように厚み調整を受けたフォトレジストは、熱処理される。
Claims (6)
- 多階層金属構造の計時器構成要素を製造する方法であって、
a)基板(1)を用意し、前記基板の上に第1の導電層(2)を堆積させ、第1のフォトレジスト層(3)を塗布する工程、
b)前記構成要素の第1の階層を画定するマスク(4)を通して前記第1のフォトレジスト層(3)に照射し、前記フォトレジスト層(3)の非照射領域(3b)を溶解して前記第1の導電層(2)をその場に暴露させ、前記構成要素の前記第1の階層を画定する光重合フォトレジスト型(3a)を形成する工程、
c)前記第1のフォトレジスト層(3)の前記光重合フォトレジスト(3a)の上面と位置合わせされた局所に第2の導電層(5)を堆積させ、前記第2の導電層は、ステンシルマスク(4’)を通して、またはインクもしくは導電性樹脂をプリントすることによって前記局所に堆積される工程、
d)工程c)で作製した前記構造を覆う第2のフォトレジスト層(6)を塗布する工程、
e)前記構成要素の第2の階層を画定するマスク(4”)を通して前記第2のフォトレジスト層(6)に照射し、前記第2のフォトレジスト層(6)の前記非照射領域(6b)を溶解して第1の階層と第2の階層からなる型を形成し、前記第1の導電層(2)および前記第2の導電層(5)をその場に暴露させる工程、
f)前記第1の層(2)および前記第2の層(5)からできた前記型内に電鋳によって金属層(7)を堆積させて前記構成要素を形成し、前記層(7)は、前記第2のフォトレジスト層(6)の上面に達する工程、
g)機械的方法を用いて前記金属層(7)を機械加工して所定の厚みにする工程、
h)前記構成要素の上面にウエハの形態で追加形状を機械的な加工によって施す工程、
i)前記基板、前記導電層および前記フォトレジストを順次除去して前記構成要素を解放する工程
を含む、計時器構成要素を製造する方法。 - 前記第1の層(2)および前記第2の導電層(5)は、Au、Ti、Pt、Ag、CrおよびPdのうちの少なくとも1つ含む層であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記基板(1)はシリコン製であることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1の導電層(2)の厚みは、50nm~500nmの範囲内であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の導電層(5)の厚みは、50nm~500nmの範囲内であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。
- -工程a)の後、および工程d)の後、機械的な加工作業によって前記フォトレジストに厚み調整作業が実行されること、
-前記厚み調整を受けた前記フォトレジストは、熱処理されること
を特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
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